JP2002069611A - 処理キットの再使用寿命を伸ばす方法 - Google Patents

処理キットの再使用寿命を伸ばす方法

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JP2002069611A JP2001198842A JP2001198842A JP2002069611A JP 2002069611 A JP2002069611 A JP 2002069611A JP 2001198842 A JP2001198842 A JP 2001198842A JP 2001198842 A JP2001198842 A JP 2001198842A JP 2002069611 A JP2002069611 A JP 2002069611A
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    • H01J37/32504—Means for preventing sputtering of the vessel

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工片上に材料をスパッタリングする装置を
提供する。 【解決手段】 本装置は、真空チャンバ(21)と、真空チ
ャンバ内に配置されたターゲット(31)とを備え、ターゲ
ットは、加工片上に蒸着する材料からなる。この装置は
又、加工片用のホルダーと、ターゲットからスパッタさ
れた材料を蓄積するために配置される少なくとも１つの
再使用可能な処理キット構成部品とを備える。処理キッ
ト構成部品は、チタンを含むベース金属層(33a)と、窒
化チタンを含む外側層(33b)とを備える。窒化チタン層
は、処理キット構成部品の再使用の間、エッチング停止
層として作用する。処理キット構成部品は、シールド(3
9)、ペデスタル(29)、シャッター(37)、コイル(42)、コ
リメーター(43)、蒸着リング(81)、カバーリング(83)、
クランプリング(33)からなる群から選択される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蒸着処理と、半導
体デバイス製造チャンバ内で使用する再使用可能な処理
キット部品等の構成部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造では、物理蒸着
（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）等を使用して基板上に
色々の層を蒸着することが多くある。このような方法で
は、基板上のみでなく、処理チャンバの他の露出した表
面上にも、蒸着材料の層が形成されることが多い。処理
チャンバの他の露出した表面上に堆積した材料の粒子
は、加熱、冷却、圧力変化等の色々の処理サイクル中に
剥がれ落ち、形成されるデバイスを汚染するかもしれな
い。汚染を減らすため、蒸着材料に晒されるチャンバ表
面は、周期的にクリーニングするか又は交換する必要が
ある。
【０００３】クリーニングと交換の１つの技術として、
再使用可能な処理キットの使用があり、この処理キット
は、チャンバから取出し蒸着材料をクリーニングしチャ
ンバ内で再使用するチャンバ構成部品を含む。再使用可
能な構成部品を使用することにより、チャンバのダウン
タイムは最小限になる。多くの構成部品は、清浄な第２
の構成部品の組と迅速に交換でき、次に第１の構成部品
の組をチャンバの外でクリーニングすることができるか
らである。第１の構成部品の組をクリーニングしている
間、チャンバで処理を行うことができる。処理キット
は、チャンバの種類、ウェハ支持ペデスタル、チャンバ
で行われる処理等の要因により、１つ又はそれ以上の構
成部品を含むことができる。例えば、ある公知の蒸着チ
ャンバでは、ウェハをペデスタルに固定するクランプリ
ングと共に作動するペデスタル、クランプリングなしで
作動しウェハの全表面に蒸着できるようにするペデスタ
ル等の色々のペデスタルを使用する。あるペデスタルで
は、静電力を使用してウェハをペデスタル表面に引付け
る。取外し再使用できるチャンバの構成部品には、公知
のシールド、コイル、ペデスタル、シャッター、コリメ
ーター、蒸着リング、カバーリング、クランプリング、
シャワーヘッド等があるが、これらには限定されない。
【０００４】再使用可能なチャンバの構成部品は、公知
の色々の化学的、物理的方法を使用してクリーニングす
ることができる。１つの化学的方法としては、構成部品
を化学的液体に浸漬し、構成部品から堆積した材料を化
学的にエッチングする方法がある。１つの物理的方法と
しては、構成部品から堆積した材料を物理的に除去する
ビードブラストがある。処理キットの構成部品上に堆積
した材料の全て又は殆ど全てを除去するのが好ましいの
で、クリーニング動作中に構成部品を形成するベース材
料（例えば、チタン）もまた、かなり除去され、構成部
品の寿命が短くなる。蒸着後のクリーニングを多数のサ
イクル繰り返すと、かなりの量のベース材料が除去され
て、構成部品は許容可能な公差に適合せず、意図する機
能を適正に行うことができなくなる。さらに、ベース材
料が除去されると、構成部品の表面粗さが好ましくない
レベルとなり、そのため蒸着材料が構成部品から剥がれ
落ち、加工片を汚染するというような問題が起こる。
【０００５】計測学的方法を使用して構成部品が公差外
であるかどうかを求めることができる。しかし、このよ
うな方法は時間がかかる。表面粗さを求める方法もまた
時間がかかり、処理全体のコストが増加する。クリーニ
ング処理中に除去される材料の量を求めるのは難しいの
で、構成部品が公差内にあることを保証するため、再使
用可能な構成部品について、推奨されるクリーニング回
数が製造者により特定されることがある。推奨されるク
リーニング回数になると、構成部品は廃棄される。クリ
ーニングサイクル中に実際に除去されるベース材料の量
によっては、構成部品が推奨されるクリーニング回数に
なっても、まだ使用できるかもしれない。その結果、推
奨されるクリーニング回数を使用するアプローチでは、
再使用可能な構成部品が早く捨てられる場合がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題を解決しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のある実施の形態
は、蒸着チャンバ内で使用するデバイスに関する。この
デバイスは、ベース金属と、このベース金属上に形成さ
れた保護層とを含む再使用可能な処理キット構成部品を
備える。保護層は、ベース金属とは異なる組成を有する
材料からなる。ある実施の形態の１態様では、ベース金
属はチタンである。ある実施の形態の他の態様では、保
護層は窒化物層であり、厚さは10/1000インチより大き
くない。実施の形態はまた、再使用可能な処理キット構
成部品の形に形成されたベース金属と、ベース金属上の
エッチング停止層とを含む装置を備える。
【０００８】別の実施の形態は、加工片上に材料をスパ
ッタリングする装置に関し、この装置は、真空チャンバ
と、真空チャンバ内に配置されたターゲットとを備え、
ターゲットは、加工片上に蒸着する材料からなる。この
装置は又、加工片用のホルダー（一般に、ペデスタル又
はチャックと言われる）と、ターゲットからスパッタさ
れた材料を蓄積するために配置される少なくとも１つの
再使用可能な処理キット構成部品とを備える。処理キッ
ト構成部品は、チタンを含むベース金属層と、窒素を含
む外側層とを備える。ある実施の態様の１態様では、処
理キット構成部品は、シールド、ペデスタル、シャッタ
ー、コイル、コリメーター、蒸着リング、カバーリン
グ、クランプリングからなる群から選択される。
【０００９】他の実施の形態は、処理チャンバ内で複数
の蒸着作業を実施し、材料が再使用可能な処理キット上
に堆積することを含む方法に関する。再使用可能な構成
部品は、ベース金属と、ベース金属上のエッチング抵抗
層とを含む。この方法は又、再使用可能な構成部品を処
理チャンバから取外し、再使用可能な構成部品から堆積
した材料をエッチングすることを含む。エッチング抵抗
層に到達すると、エッチングは停止される。
【００１０】更に他の実施の形態は、半導体処理チャン
バの外側で処理キット構成部品を形成する方法に関し、
この方法は、本体を処理キット構成部品の形状に成形
し、本体にある厚さの窒化物層を形成することを含む。
ある実施の形態の１態様では、本体を処理キット構成部
品の形状に成形することは、チタンからなる金属本体上
に第１機械加工作業を行って、所望の処理キット構成部
品の形状に近い形状に成形し、本体に第１加熱処理作業
を行って、第１機械加工作業中に本体に生じた応力を除
去し、本体上に第２機械加工作業を行って、本体を所望
の処理キット構成部品の形状により近い形状に成形する
ことを含む。ある実施の形態は又、第２機械加工作業後
に、本体に第２加熱処理作業を行うことを含む。
【００１１】本発明の実施の形態を添付図面に基づいて
説明するが、これらの図面は説明のための図で、概略図
であり、縮尺は一様ではない。
【００１２】
【発明の実施の形態及び実施例】本発明のある実施の形
態は、蒸着チャンバ内で使用する処理キット構成部品に
関し、この処理キット構成部品は、ベース金属から成形
され、またクリーニング作業中にベース金属を保護する
保護層を備える。
【００１３】１つの好適な実施の形態は、ベース金属と
してチタン（又は少量の合金材料を含むチタン）から形
成され、チタンの表面に窒化物層を有する処理キット構
成部品を含む。窒化物層は、スパッタリング等の処理作
業中に構成部品上に堆積した材料を除去するため行うク
リーニング作業中にエッチングに抵抗する表面を作る。
処理キット構成部品上の窒化物表面層は、バッチ処理に
より形成されるのが好ましい。チタン表面を窒化する多
数の処理が公知である。１つの方法は、チタン構成部品
を窒素又はアンモニア雰囲気中で加熱し、チタン構造内
に窒素を拡散させることを含む。圧力と温度を選択し
て、色々の厚さと物理的性質の層を形成することができ
る。チタンを窒化する他の方法には、塩浴処理、プラズ
マ処理、熱間等静圧圧縮成形等がある。
【００１４】ある実施例では、１つ又はそれ以上のチタ
ン処理キット構成部品の表面上に窒化チタン層が形成さ
れ、これらの構成部品はスパッタリングチャンバ内に取
り付けられる。交換可能な処理キット構成部品を有する
チャンバを使用するとき、一般的には、装置の製造者
は、処理キット構成部品をクリーニングし及び／又は交
換するまでの、チャンバ内での推奨する処理ステップ数
を記述したガイドラインを提供する。例えば、図１に示
すようなチャンバでは、アルミニウム蒸着を行うとき、
処理キット構成部品のクリーニングを推奨するのは、ア
ルミニウムを約6000μｍ蒸着するより前である。
【００１５】推奨される処理サイクル数を実施した後、
処理キット構成部品は処理チャンバから取外される。次
に、清浄な処理キット構成部品をチャンバ内に入れ、そ
のためチャンバのダウンタイムは短い。蒸着材料は、処
理キット構成部品からクリーニングされ、再使用するこ
とができる。構成部品をクリーニングする１つの好適な
方法は、構成部品を１つ又はそれ以上の化学槽に入れ、
構成部品から堆積した材料をエッチングする。又は、構
成部品をガス状エッチング剤に晒してもよい。ある好適
な実施の形態では、処理キット構成部品上に形成された
窒化物層が、構成部品のベース材料のエッチングを阻止
する。窒化物層がなければ、構成部品をエッチングして
堆積した材料を除去するとき、構成部品のベース金属
（例えば、チタン）は、不所望にエッチングされるかも
しれない。これはまた、アルミニウム等の堆積した材料
を除去するのに使用したエッチング剤が、処理キット構
成部品のベース金属もエッチングするために、起こる。
その結果、多数のクリーニング後、部品の厚さ等が臨界
寸法外になり、及び／又は表面粗さが、許容可能なレベ
ルの外になるかもしれない。アルミニウムをエッチング
するのに使用する材料は、Ｈ3ＰＯ4、ＨＮＯ3、ＨＦ等
の１つ又はそれ以上の酸を有する溶液を含む。このよう
な酸は、アルミニウムとチタンを含む金属を、窒化チタ
ン等の窒化物をエッチングするより高速でエッチングす
る傾向がある。従って、ベース金属構成部品上に形成さ
れた窒化物が、ベース材料の過度のエッチングを阻止す
る。
【００１６】図１と２は、本発明の実施の形態による例
示のスパッタリングチャンバ21の断面図である。チャン
バは、Applied Materials社の200ｍｍのDURASOURCEチャ
ンバに基づいている。スパッタリングチャンバ21は、真
空チャンバ外囲壁23を備え、ここに少なくとも１つのガ
ス入口25と、排気ポンプ（図示せず）に接続された排気
出口27とが形成されている。スパッタリングチャンバの
底部近くにペデスタル即ち基板支持具29が配置され、ま
たチャンバの頂部に基板支持具にほぼ向合って、スパッ
タリングターゲット31が取り付けられている。基板支持
具29に結合するようにクランプリング33が位置し、基板
35に一様な圧力をかけ、基板35を基板支持具29に対して
保持する。シャッター組立体（図示せず）が、スパッタ
リングチャンバ21内に回転可能に取付けられ、ターゲッ
ト31とスパッタリングチャンバ21の一部の間に、シャッ
ターディスク37を選択的に位置決めする（即ち、シャッ
ターディスク37を閉位置に置く）。従って、閉位置に配
置されると、蒸着材料はシャッターディスク37の下にあ
る表面上に堆積するのを阻止される。シャッターディス
クの１つの目的は、基板をチャンバ内へ導入する前に、
チャンバの内面を蒸着材料でコーティングするために行
われるペースト(pasting)作業の間、ペデスタルを保護
することである。チャンバの内面を蒸着材料でコーティ
ングすることにより、基板上に材料の層を蒸着する間
に、内面から除去された任意の材料のフレークは、ター
ゲットからスパッタされた材料と同じ組成を有するの
で、基板の汚染を防止することができる。
【００１７】ある実施の形態では、シャッターディスク
37が（図１に示す）閉位置にあるとき、シャッターディ
スク37はクランプリング33と基板支持具29の間に位置決
めさ、基板支持具をスパッタされた材料から保護する。
１つ又はそれ以上のシールド39が、例えばターゲット31
の近くに位置し、基板支持具29まで又はターゲット31と
基板支持具29の間のある位置まで延び、蒸着材料の移動
を制限し、ある実施の形態では、少なくとも部分的にプ
ラズマ発生領域を画定する。シールド39は、1つの片で
形成されていても、又は複数の片で形成されていても良
い。コリメーター43（例えば、チューブ又はスクリーニ
ングプレート）は、不所望の軌道に沿って基板35に向か
って移動するスパッタされた材料をブロックするもの
で、オプションとして、ターゲット31と基板支持具29の
間に（外囲壁23又はシールド39から延びるリップ40によ
り）取り付けられても良い。更に、オプションとして、
コイル42をチャンバの中又は周りに配置し、追加のエネ
ルギーを与え、かなりのスパッタされた材料をイオン化
し、加工片上の堆積した層のステップカバレッジを向上
させても良い。
【００１８】ターゲット31は、外囲壁23から（例えば、
絶縁リング45により）電気的に絶縁されている。外囲壁
23とシールド39は接地され、接地された外囲壁23とシー
ルド39に対してターゲット31上に負の電圧が保持される
のが好ましい。図２は、図１のスパッタリングチャンバ
21で、シャッターディスク37が開位置にあり、スパッタ
された材料がウェハ35上に堆積できるる場合を示す。例
示するように、クランプリング33が基板35を基板支持具
29に対して押し付ける。図１と２に示すシャッターディ
スク37、シールド39、コリメーター43、クランプリング
33は、ある好適な実施の形態に従って窒化物表面層を形
成できる取外し可能な処理キット部品の例である。
【００１９】図３は、図１と２のチャンバ内で、クラン
プリング33の代りに使用できる別の処理キットリングを
示す。特に、図３は、蒸着リング81（ウェハが位置から
ずれるのを防ぐウェハ制限ピン82を含む）と、カバーリ
ング83との概略側面図を示す。基板支持具85はクリーニ
ングのためチャンバから取外すのが容易でない場合が多
いので、蒸着リング81は、基板支持具85の側面上に堆積
するのを防止するように設計されている。蒸着材料の影
響を受ける１つのフィーチャ（形態）は、基板支持具85
の縁に沿って延びる蒸着リング81のリップ部分81aの高
さ方向部分である。カバーリング83は、ガスを通過さ
せ、一方チャンバの構成部品を堆積からシールドする。
蒸着リング81とカバーリング83は、静電チャックとして
知られる基板支持具と共に使用され、この静電チャック
は、正と負の電極を備えこれによりウェハに極性を誘導
し、ウェハをチャックに対して引付ける。
【００２０】好適な実施の形態は、窒化物表面層を含む
チタン処理キット構成部品を備える。表面層は、窒化の
条件により、ＴｉＮ又は他のチタン窒化物の相でも良
い。図４は、図１、２のクランプリング33の一部を示
し、このクランプリングはベース金属層33aと外側層33b
とを含む。他の処理キット構成部品、例えば図１、２の
シャッターディスク37、シールド39、コイル42、コリメ
ーター43；及び図３の蒸着リング81とカバーリング83、
クランプリング33と同様の多層構造を有していてもよ
い。表面層は、多数のクリーニングサイクルのエッチン
グ剤に抵抗し、またエッチング停止層として作用する厚
さまで形成されるのが好ましい。従って、薄い膜から厚
い膜までの色々の厚さが可能である。耐久性と構成部品
に生じる応力等の要因により、外側表面層の好ましい厚
さは変化する。表面層の1つの好ましい厚さは、約1/100
0インチから約10/1000インチであり、約1/1000インチか
ら約5/1000インチがより好ましい。一般に、表面層が厚
いほど、エッチング停止層はより耐久性がある。しか
し、表面層厚さが厚くなると、表面層は構成部品に大き
な残留応力を与えるかもしれず、それにより構成部品が
応力により誘起された歪みを起こし、及び／又は構成部
品が故障する危険が増す。ある実施の形態では、保護表
面層は、構成部品の全表面上に形成される。しかし、他
の実施の形態では、表面層は処理チャンバ内で蒸着材料
に晒される表面と、クリーニングステップ中にエッチン
グ剤に晒される表面上にのみ形成しても良い。
【００２１】応力により誘起された歪み又は故障の危険
を減らすため、処理キット構成部品を形成する１つの好
適な方法は、次のステップを含む。即ち、(a)機械加工
ステップで、構成部品を最終形状に近い形状に形作り、
(b)加熱処理ステップで第１機械加工ステップにより生
じた応力を緩和し、(c)追加の最終機械加工ステップを
行い、(d)構成部品を窒化する、ステップである。所望
により、ステップ(c)の後でステップ(d)の前に、別の加
熱処理ステップを行っても良い。このような処理は、処
理キット構成部品の応力を最小限にして、応力により誘
起される歪み防止する。
【００２２】上述した実施の形態のように、再使用可能
な処理キット構成部品に保護表面層を形成することによ
り、構成部品は多数のクリーニング後も適正な公差内に
あるので、構成部品は非常に長い寿命を有する。ある従
来技術のベース材料でできた処理キット構成部品は、推
奨されたクリーニング回数しかできないが、本発明の実
施の形態では、数百、数千又はそれ以上の回数クリーニ
ングを行っても、公差内にある。
【００２３】もちろん、色々の態様における本発明の改
変は、当業者に明らかであり、あることは研究の後明ら
かになり、他は、機械的、化学的、電気的設計事項であ
る。ここで使用する金属と言う言葉は、純金属、金属合
金、金属と他の成分の合金を含む。業界で知られている
ように、上述した蒸着とエッチング技術を改変すること
ができる。更に、他の処理（化学蒸着、エッチング、フ
ォトリソグラフィー等）を行うチャンバ構成、及び上述
した以外の処理キット部品を必要とする他のチャンバ構
成も、本発明の実施の形態に従って構成した処理キット
部品の利益を得ることができる。周期的な部品のクリー
ニングを必要とする処理を行う任意のチャンバは、ここ
に記載した本発明の部品の利益を得ることができる。
【００２４】更に、処理キット構成部品は、窒化物層以
外の表面層を形成しても良い。例えば、実施の形態は、
陽極酸化層、酸化物層、又はクリーニング処理中にベー
ス金属をエッチングから保護する他の材料層を備えても
良い。他の処理キット構成部品のベース材料は、ステン
レス鋼で、その上に保護層を形成することもできる。
【００２５】他の実施の形態も可能であり、その特定の
設計は、特定の用途による。従って、本発明の範囲は、
ここに記述した特定の実施の形態に限定するべきでな
く、特許請求の範囲により限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施の形態による物理蒸着用に構
成された処理チャンバの一部を断面にした概略図であ
る。
【図２】 本発明の一実施の形態による物理蒸着用に構
成された処理チャンバの一部を断面にした概略図であ
る。
【図３】 本発明の一実施の形態による蒸着リングとカ
バーリングを含む構成部品を示す側面断面図である。
【図４】 本発明の一実施の形態によるベース金属層と
保護層を示す構成部品の一部の断面図である。
【符号の説明】
21 スパッタリングチャンバ 23 真空チャンバ外囲壁 25 ガス入口 27 排気出口 29 基板支持具 31 スパッタリングターゲット 33 クランプリング 33a ベース金属層 33b 外側層 35 基板 37 シャッターディスク 39 シールド 40 リップ 42 コイル 43 コリメーター 45 絶縁リング 81 蒸着リング 82 ウェハ制限ピン 83 カバーリング 85 基板支持具
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 CA05 HA02 4M104 DD39 5F103 AA08 BB27 RR08

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 蒸着チャンバ内で使用する装置におい
    て、 ベース金属と、前記ベース金属上に形成された保護層と
    を含む再使用可能な処理キット構成部品を備え、 前記保護層は、前記ベース金属とは異なる組成を有する
    材料からなることを特徴とする装置。
  2. 【請求項２】 前記保護層は、窒化物層を含む請求項１
    に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記ベース金属は、チタンを含む請求項
    ２に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記保護層は、厚さが10/1000インチを
    超えない窒化チタンである請求項３に記載の装置。
  5. 【請求項５】 前記保護層は、厚さが5/1000インチを超
    えない窒化チタンである請求項３に記載の装置。
  6. 【請求項６】 蒸着チャンバ内で使用する装置におい
    て、 再使用可能な処理キット構成部品の形に形成されたベー
    ス金属、及び、 前記ベース金属上のエッチング停止層を備え、前記エッ
    チング停止層は、前記ベース金属とは異なるエッチング
    特性を有することを特徴とする装置。
  7. 【請求項７】 前記エッチング停止層上に、スパッタさ
    れた材料の層を備える請求項６に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記エッチング停止層は、エッチング剤
    に晒されるとき、前記スパッタされた材料の層より低い
    エッチング速度を有する請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 蒸着チャンバ内で使用する再使用可能な
    装置において、 蒸着チャンバ内で使用する構成部品の形に形成されたベ
    ース材料、及び、 エッチング作業中に前記ベース金属を保護する手段を備
    えることを特徴とする装置。
  10. 【請求項１０】 加工片上に材料をスパッタリングする
    装置において、 真空チャンバ、 前記真空チャンバ内に配置され、前記加工片上に蒸着す
    る材料からなるターゲット、及び、 前記加工片用のホルダー、及び、 前記ターゲットからスパッタされた材料を蓄積するため
    に配置された少なくとも１つの再使用可能な処理キット
    構成部品とを備え、前記処理キット構成部品は、チタン
    を含むベース金属層と、窒素を含む外側層とを備えるこ
    とを特徴とする装置。
  11. 【請求項１１】 前記外側層は、前記加工片上に堆積し
    た前記材料をエッチングするとき、エッチング停止層と
    して作用する請求項１０に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記少なくとも１つの再使用可能な処
    理キット構成部品は、シールド、ペデスタル、シャッタ
    ー、コイル、コリメーター、蒸着リング、カバーリン
    グ、クランプリングからなる群から選択される少なくと
    も１つの構成部品を含む請求項１０に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 前記外側層は、厚さが10/1000インチ
    を超えない窒化チタンである請求項１０に記載の装置。
  14. 【請求項１４】 前記ターゲットと前記ホルダーの間の
    プラズマ発生領域、及び、 前記プラズマ発生領域内にエネルギーを放射するコイル
    を備える請求項１０に記載の装置。
  15. 【請求項１５】 処理チャンバ内で複数の蒸着作業を実
    施し、再使用可能な構成部品上に材料を堆積する方法で
    あって、再使用可能な構成部品は、ベース金属と、前記
    ベース金属上のエッチング停止層とを含む方法におい
    て、 前記再使用可能な構成部品を前記処理チャンバから取外
    し、 前記再使用可能な構成部品から前記堆積した材料をエッ
    チングし、 前記エッチング停止層に到達すると、前記エッチングを
    停止することを特徴とする方法。
  16. 【請求項１６】 前記エッチングは、前記堆積した材料
    をＨ3ＰＯ4、ＨＮＯ 3、ＨＦからなる群から選択される
    少なくとも１つのエッチング剤に晒すことである請求項
    １５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記堆積した材料を少なくとも１つの
    エッチング剤に晒すことは、前記再使用可能な構成部品
    を前記エッチング液を含む槽に入れることである請求項
    １６に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記ベース金属はチタンを含み、前記
    エッチング停止層はチタンと窒素を含む請求項１５に記
    載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記エッチングを停止した後に、前記
    再使用可能な構成部品を処理チャンバ内に戻す請求項１
    ５に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 複数の蒸着作業を実施し、前記再使用
    可能な構成部品を前記処理チャンバから取外し、前記再
    使用可能な構成部品から前記堆積した材料をエッチング
    し、前記エッチングを停止し、前記再使用可能な構成部
    品を処理チャンバ内に戻す前記ステップは、同じ前記再
    使用可能な構成部品を使用して少なくとも100回行われ
    る請求項１９に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 処理キット構成部品を成形する方法に
    おいて、 本体を処理キット構成部品の形状に成形し、 前記本体上に窒化物層を形成することを特徴とする方
    法。
  22. 【請求項２２】 前記本体を処理キット構成部品の形状
    に成形することは、 チタンからなる金属本体上に第１機械加工作業を行っ
    て、所望の処理キット構成部品の形状に近い形状に成形
    し、 前記本体に第１加熱処理作業を行って、前記第１機械加
    工作業中に前記本体に生じた応力を除去し、 前記本体上に第２機械加工作業を行って、前記本体を、
    前記第１加熱処理作業よりも所望の処理キット構成部品
    の形状により近い形状に成形することを備える請求項２
    １に記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記第２機械加工作業後に、前記本体
    に第２加熱処理作業を行う請求項２２に記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記第２加熱処理作業は、前記本体上
    に窒化物層を形成する前に行われる請求項２３に記載の
    方法。
  25. 【請求項２５】 前記本体上に前記窒化物層を形成した
    後、第３加熱処理作業を行う請求項２４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記窒化物層の形成は、ＴｉＮを含み
    厚さが約1/1000インチから約10/1000インチの層を形成
    することからなる請求項２１に記載の方法。
  27. 【請求項２７】 前記窒化物層の形成は、ＴｉＮを含み
    厚さが約5/1000インチまでの層を形成することからなる
    請求項２１に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 前記窒化物層の形成は、前記本体を窒
    素を含む雰囲気に高温で晒すことにより行われる請求項
    ２１に記載の方法。
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