JP2011044490A

JP2011044490A - 観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法

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Publication number: JP2011044490A
Application number: JP2009190310A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Arai; 洋一新井
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2009-08-19
Filing date: 2009-08-19
Publication date: 2011-03-03

Abstract

【課題】マスクを保持するための保持面に異物が付着しているか否かを確認できる観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】観察装置５０は、パターンが形成されたレチクルを保持する保持面を観察するＣＩＳ５６と、ＣＩＳ５６を収容し、レチクルの形状に対応する形状を有する筐体５３と、を備えている。
【選択図】図５

Description

本発明は、観察装置、該観察装置を備える露光装置及び該露光装置を用いるデバイスの製造方法に関するものである。

一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクを保持するレチクルステージと、感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板を保持するウエハステージとを備えている。そして、照明光学系から射出される露光光でマスクを照明し、該マスクを介した露光光で基板を照射することにより、該基板にはパターンが形成される（特許文献１参照）。

ところで、レチクルステージには、マスクを保持するための保持面が設けられている。塵や埃などの異物が付着した保持面でマスクを保持した場合、該マスクのパターン形成面の平面度が低下し、結果として、ウエハに形成されるパターンの少なくとも一部に歪みが発生するおそれがある。そこで、近年では、レチクルステージの保持面を清掃するための清掃装置を備える露光装置が提案されている。

こうした清掃装置は、保持面を清掃（一例として払拭）するための清掃部材と、該清掃部材を移動させるための移動機構とを備えている。ステージのメンテナンス時には、清掃装置が所定の清掃位置に移動すると、清掃部材の先端がステージの保持面に接触する。そして、移動機構の駆動によって清掃部材が保持面に沿って摺動することにより、保持面が清掃されていた。

米国特許第５５５９５８２号明細書

ところで、上記清掃装置は、清掃部材による保持面の清掃が完了した後、露光光の光路外に設定される退避位置に退避する。その後、マスクを保持面で保持させた状態で試験的に露光処理を実行し、基板に形成されたパターンの形状に基づき清掃が再度必要か否かの判断がなされる。すなわち、従来の清掃装置を備える露光装置では、清掃装置による保持面の清掃によって該保持面から異物が確実に除去できたか否かが、実際に露光処理を行なわないことには確認できなかった。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクを保持するための保持面に異物が付着しているか否かを確認できる観察装置、露光装置及びデバイスの製造方法を提供することにある。

上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１５に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の観察装置は、パターンが形成されたマスク（Ｒ）を保持する保持面（２３ａ）を観察する観察部（５６）と、前記観察部（５６）を収容し、前記マスク（Ｒ）の形状に対応する形状を有する筐体（５３）と、を備えることを要旨とする。

上記構成によれば、マスク（Ｒ）の保持面（２３ａ）と該保持面（２３ａ）に対向配置される投影光学系との間に、観察装置を配置することにより、保持面（２３ａ）を観察することが可能になる。そのため、保持面（２３ａ）に異物が付着しているか否かが確認可能である。

なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。

本発明によれば、マスクを保持するための保持面に異物が付着しているか否かを確認できる。

本実施形態における露光装置を示す概略構成図。レチクル搬送装置の構成を示す概略構成図。真空レチクルライブラリの構成を模式的に示す側断面図。（ａ）（ｂ）（ｃ）はレチクルが搬送される様子を示す作用図。観察装置を模式的に示す斜視図。（ａ）は観察装置を示す概略平面図、（ｂ）は図６（ａ）の６−６線矢視断面図。ＣＩＳを模式的に示す分解斜視図。制御装置の電気的構成の概略を示すブロック図。（ａ）（ｂ）（ｃ）は第１静電吸着保持装置の吸着面の清掃が行なわれる様子を示す作用図。吸着面の清掃が行なわれる様子を模式的に示す一部拡大側断面図。別の実施形態における観察装置の要部を模式的に示す側断面図。他の別の実施形態における観察装置を模式的に示す平面図。更なる他の別の実施形態における観察装置を模式的に示す側断面図。デバイスの製造例のフローチャート。半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。

以下に、本発明を具体化した一実施形態について図１〜図１０に基づき説明する。なお、本実施形態では、投影光学系の光軸に平行な方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向をＹ軸方向とし、その走査方向に直交する非走査方向をＸ軸方向として説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向ともいう。

図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、光源装置１２から射出される、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置である。こうした露光装置１１は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気に設定される露光チャンバ１３（図１では二点鎖線で囲まれた部分）を備え、該露光チャンバ１３には、連結部１４を介して光源装置１２が接続されている。また、露光チャンバ１３内には、光源装置１２から露光チャンバ１３内に供給された露光光ＥＬで所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを照明する照明光学系１５と、パターンの形成されたパターン形成面Ｒａが−Ｚ方向側（図１では下側）に位置するようにレチクルＲを保持するレチクルステージ１６とが設けられている。また、露光チャンバ１３内には、レチクルＲを介した露光光ＥＬでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハＷを照射する投影光学系１７と、露光面（感光性材料が塗布されたウエハ表面）Ｗａが＋Ｚ方向側（図１では上側）に位置するようにウエハＷを保持するウエハステージ１８とが設けられている。また、露光装置１１には、レチクルＲを搬送するためのレチクル搬送装置１９（図２参照）が設けられると共に、ウエハステージ１８の＋Ｙ方向側には、ウエハＷを搬送するための図示しないウエハ搬送装置が設けられている。

光源装置１２は、波長が５〜２０ｎｍのＥＵＶ光を露光光ＥＬとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のＥＵＶ光発生物質（ターゲット）を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放射される。こうした露光光ＥＬは、図示しない集光光学系によって集光されて露光チャンバ１３内に出力される。

照明光学系１５は、図１に示すように、露光チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体２０（図１では実線で囲まれた部分）を備えている。この筐体２０内には、光源装置１２から筐体２０内に入射された露光光ＥＬを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられている。そして、各反射ミラーによって順に反射された露光光ＥＬは、後述する鏡筒２５内に設置された折り返し用の反射ミラー２１に入射し、該反射ミラー２１で反射した露光光ＥＬがレチクルステージ１６に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１５を構成する各反射ミラー（折り返し用の反射ミラー２１も含む。）の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。

レチクルステージ１６は、投影光学系１７の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着するための第１静電吸着保持装置２２を備えている。この第１静電吸着保持装置２２は、誘電性材料から構成され且つ吸着面２３ａを有する基体２３と、該基体２３内に配置される図示しない複数の電極部とから構成されている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体２３から発生されるクーロン力により、吸着面２３ａにレチクルＲが静電吸着される。

また、レチクルステージ１６は、レチクルステージ駆動部２４の駆動によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、レチクルステージ駆動部２４は、第１静電吸着保持装置２２に保持されるレチクルＲをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、レチクルステージ駆動部２４は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθｚ方向に微動させることが可能である。なお、レチクルＲのパターン形成面Ｒａに露光光ＥＬが照明される場合、該パターン形成面Ｒａの一部には、Ｘ軸方向に延びる略円弧状の照明領域が形成される。

投影光学系１７は、露光光ＥＬでレチクルＲのパターン形成面Ｒａを照明することにより形成されたパターンの像を所定の縮小倍率（例えば１／４倍）に縮小させる光学系であって、露光チャンバ１３の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒２５を備えている。この鏡筒２５内には、複数枚（一例としては６枚であって、図１では１枚のみ図示）の反射型のミラー２６が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、各ミラー２６に順に反射され、ウエハステージ１８に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各ミラー２６の反射面には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜である反射層がそれぞれ形成されている。

ウエハステージ１８は、ウエハＷを静電吸着するための第２静電吸着保持装置２７を備え、該第２静電吸着保持装置２７は、誘電性材料から構成され且つ吸着面２８ａを有する基体２８と、該基体２８内に配置される図示しない複数の電極部とから構成されている。そして、図示しない電圧印加部から電圧が各電極部にそれぞれ印加された場合、基体２８から発生されるクーロン力により、吸着面２８ａにウエハＷが静電吸着される。また、ウエハステージ１８には、第２静電吸着保持装置２７を保持する図示しないウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整する図示しないＺレベリング機構とが組み込まれている。

こうしたウエハステージ１８は、ウエハステージ駆動部２９によって、Ｙ軸方向に移動可能である。すなわち、ウエハステージ駆動部２９は、第２静電吸着保持装置２７に保持されるウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる。また、ウエハステージ駆動部２９は、第２静電吸着保持装置２７に保持されるウエハＷをＸ軸方向に所定ストローク移動させることが可能であると共に、Ｚ軸方向に微動させることが可能である。

そして、ウエハＷの一つのショット領域にレチクルＲのパターンを形成する場合、照明光学系１５によって照明領域をレチクルＲに形成した状態で、レチクルステージ駆動部２４の駆動によって、レチクルＲをＹ軸方向（例えば、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側）に所定ストローク毎に移動させるとともに、ウエハステージ駆動部２９の駆動によって、ウエハＷをレチクルＲのＹ軸方向に沿った移動に対して投影光学系１７の縮小倍率に応じた速度比でＹ軸方向（例えば、−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側）に同期して移動させる。そして、一つのショット領域へのパターンの形成が終了した場合、ウエハＷの他のショット領域に対するパターンの形成が連続して行われる。

次に、レチクル搬送装置１９について図２〜図４に基づき説明する。なお、図２では、明細書の説明理解の便宜上、各光学系１５，１７及びウエハステージ１８の図示を省略する。

図２に示すように、露光チャンバ１３の＋Ｙ方向側には、レチクルＲを大気圧雰囲気の外部から露光チャンバ１３内に搬入する際にレチクルＲが一時的に配置されるロードロック室３０と、該ロードロック室３０内を真空排気するべく駆動する真空排気装置３１とが設けられている。ロードロック室３０の−Ｘ方向側には第１開閉扉３２が設けられており、該第１開閉扉３２が開状態である場合にはロードロック室３０内と外部とが連通状態になる。また、ロードロック室３０の−Ｙ方向側（図２では上側）には第２開閉扉３３が設けられている。この第２開閉扉３３は、ロードロック室３０内に設置されるレチクルＲを後述するロボットチャンバ３５側に搬送する際に開状態になる。

こうしたロードロック室３０の−Ｘ方向側（図２では右側）には、ロードロック室３０外に配置される大気レチクルライブラリ（図示略）に保管されるレチクルＲをロードロック室３０内に搬送するための大気側ロボット３４が設けられている。この大気側ロボット３４は、ロードロック室３０内の圧力が大気圧に調整されると共に第１開閉扉３２が開状態である場合に、大気レチクルライブラリから所定のレチクルＲをロードロック室３０内に搬送すべく駆動する。その後、大気側ロボット３４のアーム３４ａがロードロック室３０外に移動し、第１開閉扉３２が閉状態になった場合に、真空排気装置３１は、ロードロック室３０内を真空状態にすべく駆動する。なお、ロードロック室３０の内圧を大気圧にする場合には、該ロードロック室３０内に窒素などの不活性ガスが供給される。

また、ロードロック室３０と露光チャンバ１３との間には、露光チャンバ１３に連通し、且つ露光チャンバ１３内と同程度の真空度を有するロボットチャンバ３５が設けられている。このロボットチャンバ３５内は、第２開閉扉３３が開状態である場合に、ロードロック室３０内と連通状態になる。また、ロボットチャンバ３５内には、レチクルＲを露光チャンバ１３内に搬送するための真空側ロボット３６が設けられている。この真空側ロボット３６には、レチクルＲを把持するための把持部３６ａと、複数（図２では２つ）のアーム部３６ｂとが設けられている。また、真空側ロボット３６には、把持部３６ａをＺ軸方向に沿って移動させるための昇降機構３６ｃ（図４参照）が設けられている。

ロボットチャンバ３５の−Ｘ方向側には、図２及び図３に示すように、各チャンバ１３，３５と同程度の真空度に調整され、且つ複数枚のレチクルＲが保管される真空レチクルライブラリ３７が設けられている。この真空レチクルライブラリ３７には、真空側ロボット３６の駆動によって、ロードロック室３０内に設置されたレチクルＲが搬送される。こうした真空レチクルライブラリ３７には、複数枚（図３では２枚）のレチクルＲをＺ軸方向に並んで保管できるように、各レチクルＲを保持するための複数（図３では２つ）の第１保持部３８がＺ軸方向に沿って配置されている。また、第１保持部３８の−Ｚ方向側（図３では下側）には、後述する観察装置５０を保持するための第２保持部３９が設けられている。この第２保持部３９は、第１保持部３８と略同一構成である。また、真空レチクルライブラリ３７の側壁において観察装置５０の設置位置と対応する位置には、電力供給部４０に電気的に接続される充電端子４１が設けられている。この充電端子４１は、観察装置５０が第２保持部３９で保持される場合に、観察装置５０に設けられる後述する被充電端子６２に電気的に接続される。

なお、本実施形態において、レチクルＲは、クリーンフィルターポット４２内に収容された状態で真空レチクルライブラリ３７内に搬送される。クリーンフィルターポット４２は、略矩形板状をなす第１蓋部４３と、該第１蓋部４３の外郭形状と対応した有底略矩形箱状をなす第２蓋部４４とから構成されている。また、第１蓋部４３上には、レチクルＲのパターン形成面Ｒａが第１蓋部４３に接触することを回避するための複数（図３では２つのみ図示）の支持台４５が設けられている。そして、各蓋部４３，４４によって囲み形成された内部空間４６内には、各支持台４５に支持された状態でレチクルＲが収容されている。

また、ロボットチャンバ３５の＋Ｘ方向側（図２では左側）には、図２に示すように、各チャンバ１３，３５内と同程度の真空度に調整されるクリーンフィルタポッドオープナ（以下、ＣＦＰオープナという。）４７が設けられている。このＣＦＰオープナ４７内には、真空側ロボット３６の駆動によって、真空レチクルライブラリ３７に保管される各クリーンフィルターポット４２の何れか一つのクリーンフィルターポット４２が搬送される。こうしたＣＦＰオープナ４７内には、クリーンフィルターポット４２からレチクルＲを取り出すための図示しないオープン機構と、レチクルＲの温度を露光チャンバ１３内の温度に接近させるための図示しない温調機構とが設けられている。

ＣＦＰオープナ４７内でクリーンフィルターポット４２から取り出されたレチクルＲをレチクルステージ１６側に受け渡す場合、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す手順で行なわれる。すなわち、図４（ａ）に示すように、真空側ロボット３６は、その把持部３６ａでＣＦＰオープナ４７内のレチクルＲを把持し、該レチクルＲを露光チャンバ１３内に移動させるべく駆動する。そして、真空側ロボット３６は、図４（ｂ）に示すように、その把持部３６ａで把持するレチクルＲを第１静電吸着保持装置２２の直下位置まで移動させるべく駆動する。続いて、真空側ロボット３６の昇降機構３６ｃは、図４（ｃ）に示すように、レチクルＲにおいてパターン形成面Ｒａの反対側に位置する被吸着面Ｒｂが第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに当接するように駆動する。すると、第１静電吸着保持装置２２内の各電極部に電圧がそれぞれ印加され、吸着面２３ａにはレチクルＲが静電吸着される。その後、真空側ロボット３６は、その把持部３６ａ及び各アーム部３６ｂをロボットチャンバ３５側に退避させるように駆動し、レチクルＲを用いたウエハＷへの露光処理が開始される。

レチクルステージ１６においてレチクルＲを保持する吸着面２３ａに塵などの異物が付着したとすると、該吸着面２３ａで保持されるレチクルＲのパターン形成面Ｒａの平面度が悪化する。この状態で露光処理が行なわれると、ウエハの各ショット領域に形成されるパターンの少なくとも一部に歪みが生じるおそれがある。そこで、露光装置１１では、メンテナンスの一種として、レチクルＲを保持する吸着面２３ａの清掃が定期的又は不定期で行なわれる。本実施形態では、吸着面２３ａの清掃時に、清掃機能を有する観察装置５０が用いられる。

次に、本実施形態の観察装置５０について図５〜図８に基づき説明する。
図５に示すように、観察装置５０は、平面視略矩形状のベース部５１と略四角環状の枠体部５２とを有する筐体５３を備えている。枠体部５２の一辺（図６（ａ）における下側の辺）には、後述する被充電端子６２のための凹部５２ａが形成されており、該凹部５２ａは、観察装置５０が真空レチクルライブラリ３７内で第２保持部３９に保持される場合に充電端子４１と対向する位置に配置されている。筐体５３の厚みＨ１は、レチクルＲの厚み（即ち、Ｚ軸方向における幅）と同等もしくは許容誤差（例えば、製造誤差、加工誤差）の範囲内である。また、筐体５３の長手方向でもある第１の方向Ａにおける幅Ｈ２は、レチクルＲのＹ軸方向における幅と同等もしくは許容誤差の範囲内であると共に、筐体５３の短手方向でもある第２の方向Ｂにおける幅Ｈ３は、レチクルＲのＸ軸方向における幅と同等もしくは許容誤差の範囲内である。また、筐体５３の第１の方向Ａにおける一端部側（図６（ａ）では右側であって、以下、＋Ａ方向という。）には、回収部５４が設けられている。この回収部５４内には、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの清掃時に該吸着面２３ａから除去された異物Ｄ（図１０参照）の一部が回収される。

図６（ａ）（ｂ）に示すように、筐体５３内において＋Ａ方向側の一端部側（図６（ａ）（ｂ）では右端側）には、第２の方向Ｂに延び、且つ砥石などで構成される清掃部材（本実施形態では、以下、払拭部材５５として説明する）が固定されている。この払拭部材５５の第２の方向Ｂにおける長さＬ１は、レチクルＲのＸ軸方向における長さと実質的に同じであると共に、払拭部材５５の第１の方向Ａにおける長さＬ２は、レチクルＲのＹ軸方向における長さよりも短い。また、払拭部材５５は、その第１の方向Ａ及び第２の方向Ｂと直交する第３の方向（図６（ｂ）では上下方向）Ｃにおける先端面５５ａが筐体５３から外部に突出するように形成されている。なお、各図では、払拭部材５５の第３の方向Ｃにおける長さが誇張してそれぞれ描かれている。

また、筐体５３の第１の方向Ａにおける一端部側で、かつ払拭部材５５に対して筐体５３の中央部側（図６（ａ）では左側であって、以下、−Ａ方向側という。）には、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）５６が設けられている。すなわち、払拭部材５５及びＣＩＳ５６は、第１の方向Ａにおいて、筐体５３の一端部側から中央部に向かって互いに隣り合うようにそれぞれ配置されている。こうしたＣＩＳ５６は、第２の方向Ｂに延びるように形成されており、その第２の方向Ｂにおける長さは、払拭部材５５の第２の方向Ｂにおける長さＬ１と同等である。また、ＣＩＳ５６は、その第３の方向Ｃにおける先端部５６ａが払拭部材５５の先端面５５ａより、第３の方向Ｃにおいて低い位置に位置するように形成されている。なお、本実施形態においてＣＩＳ５６の先端部５６ａは、筐体５３の枠体部５２の端部と第３の方向Ｃにおいて略同一位置に位置している。

こうしたＣＩＳ５６は、図７に示すように、第１の方向Ａの長さが短く且つ第２の方向Ｂの長さが長い略矩形状のプリント基板５６１と、該プリント基板５６１上に配置される略直方体状のセンサ本体５６２とを備えている。このセンサ本体５６２の−Ｃ方向側（図７における下側）及び＋Ｃ方向側（図７における上側）には、第２の方向Ｂに延びる溝部５６３，５６４がそれぞれ形成されており、該各溝部５６３，５６４は、互いに連通している。そして、溝部５６３内には、プリント基板５６１上に設置され且つ第２の方向Ｂに延びる光電変換素子としてＣＭＯＳ（Complementary MOS ）センサ５６５が配置されている。また、溝部５６４内においてＣＭＯＳセンサ５６５と対向する位置には、第２の方向Ｂに延びるロッドレンズアレイ５６６が配置されている。また、溝部５６４内においてロッドレンズアレイ５６６の＋Ａ方向側には、第２の方向Ｂに延びる光源部５６７（例えば、ＬＥＤやキセノン管など）が配置されている。さらに、センサ本体５６２の＋Ｃ方向側には、略矩形状のガラス板５６８が設けられており、該ガラス板５６８の＋Ｃ方向側の面が、ＣＩＳ５６の先端部５６ａとされる。そして、ＣＩＳ５６は、その先端部５６ａに対向した部分を接触することなく観察することが可能である。

また、筐体５３内においてＣＩＳ５６よりも中央部側（−Ａ方向側）には、制御装置５７が設けられている。この制御装置５７は、図８に示すように、電力が充電されるバッテリー部５８と、ＣＩＳ５６と各種情報の送受信を行なうセンサ制御部５９と、露光チャンバ１３外に配置されるホストコンピュータ６１との間で情報（後述する観察情報など）や制御指令の送受信を無線で行なう通信部６０とを備えている。バッテリー部５８には、枠体部５２の凹部５２ａ内に配置される被充電端子６２が設けられている。この被充電端子６２は、観察装置５０が真空レチクルライブラリ３７内で第２保持部３９に保持される場合に、充電端子４１に電気的に接続される。すなわち、バッテリー部５８は、観察装置５０が真空レチクルライブラリ３７内で保管される場合に充電端子４１を介して電力供給部４０によって充電される。そして、バッテリー部５８からは、ＣＩＳ５６、センサ制御部５９及び通信部６０に電力が供給される。

センサ制御部５９には、ハードウェア及びソフトウェアのうち少なくとも一方によりそれぞれ実現される機能部分として情報処理部６３が設けられている。この情報処理部６３は、ＣＩＳ５６による観察結果の画像処理を行なう。すなわち、情報処理部６３は、ＣＩＳ５６からの電気信号に基づき、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに関する画像情報を生成する。そして、情報処理部６３からは、生成した画像情報が通信部６０に出力される。

通信部６０は、無線方式の通信機器である。通信部６０からは、情報処理部６３から入力された画像情報がホストコンピュータ６１に向けて無線で送信される。そして、ホストコンピュータ６１では、観察装置５０の通信部６０から送信された画像情報に基づいた画像が表示画面６４に表示される。

次に、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの清掃方法について図９（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図１０に基づき説明する。
さて、吸着面２３ａの清掃時には、初めに、第１静電吸着保持装置２２でレチクルＲを保持しているか否かが確認される。そして、第１静電吸着保持装置２２がレチクルＲを保持していないことが確認されると、真空レチクルライブラリ３７に保管される観察装置５０は、真空側ロボット３６の把持部３６ａに把持される。すると、観察装置５０は、図９（ａ）に示すように、真空側ロボット３６の駆動によって、露光チャンバ１３内に搬送され、その後、図９（ｂ）に示すように、レチクルステージ１６と投影光学系１７との間の所定空間に予め設定された観察用位置まで搬送される。すなわち、観察装置５０は、第１静電吸着保持装置２２の直下位置に配置される。このとき、観察装置５０の払拭部材５５は、第１静電吸着保持装置２２の＋Ｙ軸方向における端部よりも＋Ｙ方向側（図９（ｂ）では左側）に位置している。なお、この状態では、観察装置５０の払拭部材５５は、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに接触していない。

すると、第１静電吸着保持装置２２は、レチクルステージ駆動部２４の駆動に基づき−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側に向けて移動する。この移動方向は、走査露光時におけるレチクルＲの移動方向と同じ方向である。この際に、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａは、観察装置５０のＣＩＳ５６によって観察される。そして、第１静電吸着保持装置２２がＣＩＳ５６よりも−Ｙ方向側まで移動すると、吸着面２３ａ全体がＣＩＳ５６によって観察されたことになる。こうしたＣＩＳ５６による観察結果に基づいた画像情報は、通信部６０を介して無線でホストコンピュータ６１側に送信される。すると、このホストコンピュータ６１の表示画面６４には、画像情報に基づく画像が表示される。そのため、作業者は、表示画面６４を視認することにより、露光チャンバ１３内に入ることなく、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの様子を確認することが可能である。

そして、表示画面６４を確認した作業者によって、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに異物Ｄが付着している（又は異物Ｄの付着量が許容範囲外である）と判断されると、図示しない主制御装置からの制御指令に基づきレチクルステージ駆動部２４が駆動する。すると、第１静電吸着保持装置２２は、観察装置５０の払拭部材５５よりも−Ｙ方向側に配置される。そして、真空側ロボット３６の昇降機構３６ｃの駆動によって、払拭部材５５の先端面５５ａは、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａとＺ軸方向において略同一位置に配置される。

すると、第１静電吸着保持装置２２は、レチクルステージ駆動部２４の駆動に基づき−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側に向けて移動する。すなわち、図１０に示すように、第１静電吸着保持装置２２は、その吸着面２３ａに払拭部材５５の先端面５５ａが摺接する状態で移動する。なお、筐体５３の枠体部５２の端部は、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに接触しない。そして、払拭部材５５は、その先端面５５ａが吸着面２３ａに対して相対的にＹ軸方向に沿って摺動することにより、該吸着面２３ａを払拭する。このとき、観察装置５０は、真空側ロボット３６によって、観察用位置で吸着面２３ａ、即ち第１静電吸着保持装置２２に対して固定された状態で配置される。そして、払拭部材５５に対して吸着面２３ａがＹ軸方向に相対移動することによって、吸着面２３ａに異物Ｄが付着していた場合、該異物Ｄは、払拭部材５５によって剥離される。そして、剥離された異物Ｄの一部は、払拭部材５５の＋Ｙ方向側に位置する回収部５４内に回収されると共に、残りの異物Ｄは、払拭部材５５とＣＩＳ５６との間の隙間内に入り込む。その後、図９（ｃ）に示すように、第１静電吸着保持装置２２の移動によって、その吸着面２３ａの−Ｙ方向側の端部の払拭部材５５による払拭が完了すると、レチクルステージ駆動部２４の駆動が一旦停止する。

その後、第１静電吸着保持装置２２は、レチクルステージ駆動部２４の駆動によって、＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に移動する。このとき、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａは、ＣＩＳ５６によって非接触で観察される。そして、第１静電吸着保持装置２２がＣＩＳ５６よりも−Ｙ方向側まで移動すると、吸着面２３ａ全体がＣＩＳ５６によって観察されたことになる。こうしたＣＩＳ５６による観察結果に基づいた画像情報は、通信部６０を介して無線でホストコンピュータ６１側に送信される。すると、このホストコンピュータ６１の表示画面６４には、画像情報に基づく画像が表示される。

そして、表示画面６４を確認した作業者によって、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに未だ異物Ｄが付着している（又は異物Ｄの付着量が許容範囲外である）と判断されると、図示しない主制御装置からの制御指令に基づきレチクルステージ駆動部２４が駆動する。すると、第１静電吸着保持装置２２が＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に向けて移動することにより、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａは、払拭部材５５によって再び払拭される。すなわち、一回の払拭で吸着面２３ａから異物Ｄが完全に除去できなかった場合には、再び払拭部材５５による吸着面２３ａの払拭が行なわれる。２回目の払拭が完了した後、第１静電吸着保持装置２２を＋Ｙ方向側から−Ｙ方向側に移動させると、ＣＩＳ５６による吸着面２３ａの観察が再び行なわれる。この観察結果に基づき吸着面２３ａから異物Ｄが完全に除去された（又は異物Ｄの付着量が許容範囲内である）と作業者によって判断された場合には、真空側ロボット３６の駆動によって、観察装置５０は、真空レチクルライブラリ３７内に移動して保管される。

したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａと投影光学系１７との間に観察装置５０を配置することにより、吸着面２３ａを観察することができる。そのため、吸着面２３ａに異物Ｄが付着しているか否かを容易に確認できる。

（２）また、観察装置５０は、レチクルＲの大きさに対応した大きさであるため、露光装置１１に一般的に設けられるレチクル搬送装置１９を用いることにより、観察装置５０を、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの観察可能な位置に設置できる。したがって、観察装置５０専用の搬送装置を設けなくてもよい分、露光装置１１全体の大型化及び部品点数の増加を抑制できる。

（３）なお、レチクルＲの大きさは統一規格によって規格化されている。そのため、本実施形態の観察装置５０を用いたレチクルＲを保持する保持面の清掃を、既存の露光装置１１でも行なうことができる。

（４）また、観察装置５０を用いることにより、露光チャンバ１３内の真空状態を維持したままで、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａを観察できる。そのため、露光チャンバ１３内を大気圧雰囲気にした後、露光チャンバ１３内に作業者が直接入って吸着面２３ａをファイバスコープなどの撮像装置を用いて観察する場合に比して、容易に吸着面２３ａを観察することができる。また、吸着面２３ａの観察及び清掃にかかる時間を大幅に短縮できる。

（５）本実施形態の観察装置５０には、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａを清掃するための払拭部材５５が設けられているため、一つの観察装置５０で、吸着面２３ａの観察と清掃を行なうことができる。

（６）払拭部材５５の第２の方向Ｂにおける長さＬ１は、レチクルＲのＸ軸方向における長さと略同等である。そのため、払拭部材５５を、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに対してＹ軸方向に沿って相対移動させることにより、吸着面２３ａにおいてレチクルＲを吸着する部分の清掃を行なうことができる。したがって、吸着面２３ａの清掃時間の短縮に貢献でき、ひいては露光処理の速やかな再開に貢献できる。

（７）観察装置５０には、払拭部材５５による払拭によって第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａから剥離した異物Ｄを回収するための回収部５４が設けられている。そのため、吸着面２３ａから剥離した異物Ｄが露光チャンバ１３内で浮遊することを抑制できる。すなわち、吸着面２３ａから剥離した異物Ｄが投影光学系１７のミラー２６に付着することに起因したパターンの像の乱れを抑制できる。

（８）また、観察装置５０には、ＣＩＳ５６での観察結果に基づき画像情報を生成する情報処理部６３と、該情報処理部６３で生成された画像情報を外部に送信する通信部６０とが設けられている。すなわち、ＣＩＳ５６での観察結果に基づく画像を、作業者は速やかに確認することができる。したがって、作業者は、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに対する清掃が再び必要であるか否かを速やかに判断でき、ひいては露光処理の速やかな再開に貢献できる。

（９）観察装置５０に設けられたバッテリー部５８は、観察装置５０が真空レチクルライブラリ３７内で保管される際に充電される。そのため、電力不足によって第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａを観察できなくなることを抑制できる。また、バッテリーや電池の交換などのために観察装置５０を定期的に露光装置１１外に取り出す手間を省くことができる。

（１０）また、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの清掃時には、レチクルステージ駆動部２４の駆動によって第１静電吸着保持装置２２がＹ軸方向に沿って移動することにより、その吸着面２３ａの清掃が行なわれる。そのため、観察装置５０に払拭部材５５を移動させる機構を設ける必要がない分、観察装置５０の簡略化に貢献できる。また、観察装置５０をＹ軸方向に沿って移動させるための機構を新たに設ける必要がない分、露光装置１１全体の複雑化を回避できる。

（１１）本実施形態では、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａに異物Ｄが付着しているか否かを、観察装置５０を用いることにより確認できる。そのため、従来のように吸着面２３ａに異物Ｄが付着しているかを確認するために試験的に露光処理を行ない、その露光結果を確認する手間を省くことができる。したがって、吸着面２３ａに異物Ｄが付着しているか否かを速やかに確認できるため、ウエハＷに対する露光処理を速やかに再開させることができる。

なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・実施形態において、観察装置５０は、図１１に示すように、払拭部材５５を第３の方向Ｃ（即ち、吸着面２３ａに対して接離する方向）に進退移動させるための変位機構７０を設けてもよい。変位機構７０としては、例えば圧電素子やＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）を備えた構成であってもよい。このように構成することにより、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａのＹ軸方向における位置毎に、払拭部材５５の吸着面２３ａに対する押圧力を変更できる。そのため、異物Ｄの付着量の多い部分に対して大きな押圧力を付与することにより、吸着面２３ａから異物Ｄを剥離させ易くできる。また、異物Ｄの付着量の少ない（又は無い）部分に対する押圧力を小さくする（又は０（零）にする）ことにより、払拭部材５５を用いた吸着面２３ａの払拭に基づく該吸着面２３ａの劣化具合の進行を遅くできる。

また、観察装置５０は、図１１に示すように、払拭部材５５とＣＩＳ５６との間に回収部７１を設けてもよい。また、観察装置５０は、回収部５４を省略した構成でもよい。
・実施形態において、払拭部材５５に代表される清掃部材は、吸着面２３ａを払拭可能な部材であれば合成ゴムから構成された部材であってもよいし、不織布で構成された部材であってもよい。

また、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａを清掃するための清掃部は、吸着面２３ａに対して気体（窒素などの不活性ガス）を噴射する噴射機構と、気体及び吸着面２３ａから剥離した異物Ｄを回収する回収機構とを備えた構成でもよい。

・実施形態において、観察装置５０は、充電式のバッテリー部５８の代りに、交換式の電池（乾電池など）を設けた構成であってもよい。この場合、観察装置５０を、露光装置１１外に定期的に取り出し、電池を交換してもよい。

・実施形態において、通信部６０は、無線式でなくてもよい。この場合、観察装置５０には、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの観察結果を記憶させるメモリを設けてもよい。そして、真空レチクルライブラリ３７側には、観察装置５０に設けられたメモリに対する接続端子をさらに設けてもよい。この場合、観察装置５０を真空レチクルライブラリ３７に戻した場合に、観察装置５０のＣＩＳ５６による観察結果をメモリから接続端子を介してホストコンピュータ６１側に送信させることが可能になる。

・実施形態において、観察装置５０は、払拭部材５５の配置位置とＣＩＳ５６の配置位置とを並び替えた構成でもよい。この場合、ＣＩＳ５６は、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａにおいて払拭部材５５による払拭が完了した部分を観察できる。すなわち、第１静電吸着保持装置２２を−Ｙ方向側から＋Ｙ方向側に一回移動させるだけで、吸着面２３ａの清掃と、清掃後の吸着面２３ａの観察とを行なうことができる。

・実施形態において、観察装置５０は、払拭部材５５を第１の方向Ａに沿って相対移動可能に構成してもよい。例えば、図１２に示すように、観察装置５０は、第１の方向Ａに沿って相対移動可能な払拭部材５５と、アクチュエータ７５と、該アクチュエータ７５の駆動力を払拭部材５５に伝達する伝達部７６とを備えた構成であってもよい。この場合、アクチュエータ７５の駆動によって伝達部７６が回転すると、該回転に応じて払拭部材５５が第１の方向Ａに沿って移動することになる。

こうした構成では、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａの清掃時にレチクルステージ駆動部２４を駆動させなくてもよい。また、アクチュエータ７５とレチクルステージ駆動部２４とを共に駆動させることにより、吸着面２３ａの清掃効率を向上させることができる。

・実施形態において、観察装置５０は、図１３に示すように、第１の方向Ａに沿って互いに離間した位置に配置される複数（図１３では２つ）の払拭部材５５を備えた構成であってもよい。この場合、各払拭部材５５の何れか一方を＋Ａ方向側（図１３では左端部）に配置し、他方を第１の方向Ａにおける中央部に配置してもよい。このように構成すると、第１静電吸着保持装置２２のＹ軸方向における移動量を上記実施形態の場合の半分程度にしても、吸着面２３ａの清掃を完了させることができる。すなわち、吸着面２３ａの清掃効率を向上させることができる。

また、ＣＩＳ５６を、各払拭部材５５に対応して複数（図１３の場合には２つ）設けてもよい。
・実施形態において、観察装置５０は、第１静電吸着保持装置２２の吸着面２３ａを清掃するための機構を省略した構成であってもよい。このように構成しても、吸着面２３ａを簡単に観察することができる。

この場合、吸着面２３ａを清掃するための清掃部を設けた清掃装置を、観察装置５０とは別途設けてもよい。こうした清掃装置は、上記実施形態の観察装置５０からＣＩＳ５６及び制御装置５７を省略した構成であってもよい。また、清掃装置は、観察装置５０と略同等の大きさであることが望ましい。

・実施形態において、第１静電吸着保持装置２２は、基体２３の吸着面２３ａから−Ｚ方向側に突出する多数のピンを設けた構成であってもよい。この場合、レチクルＲは、基体２３から発生されるクーロン力により、各ピンの先端（即ち、−Ｚ方向側の端部）によって形成される保持面に保持される。この場合、観察装置５０は、その払拭部材５５によって各ピンの先端によって形成される保持面の清掃を行なうと共に、そのＣＩＳ５６によって各ピンの先端によって形成される保持面の観察を行なう。すなわち、観察装置５０は、その払拭部材５５によって各ピンの先端を清掃すると共に、そのＣＩＳ５６によって各ピンの先端を観察することになる。

・実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。

・実施形態において、光源装置１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ_２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ_２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ_２レーザ（１２６ｎｍ）等を供給可能な光源であってもよい。また、光源装置１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。

・実施形態において、光源装置１２は、放電型プラズマ光源を有する装置でもよい。
・実施形態において、露光装置１１を、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化してもよい。

次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図１４は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。

まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。

次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。

図１５は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）においては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。

基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。

１１…露光装置、１５…照明光学系、１６…マスク保持装置としてのレチクルステージ、１７…投影光学系、１９…レチクル搬送装置、２３ａ…保持面としての吸着面、２４…駆動装置を構成するレチクルステージ駆動部（移動装置）、２９…駆動装置を構成するウエハステージ駆動部、５０…観察装置、５３…筐体、５４，７１…回収部、５５…清掃部を構成する払拭部材、５５ａ…清掃面としての先端面、５６…観察部としてのＣＩＳ、５８…バッテリー部、６０…送信部としての通信部、６１…ホストコンピュータ、６３…情報処理部、７０…清掃部を構成する変位機構、７５…清掃部を構成するアクチュエータ、７６…清掃部を構成する伝達部、ＥＬ…放射ビームとしての露光光、Ｒ…マスクとしてのレチクル。

Claims

パターンが形成されたマスクを保持する保持面を観察する観察部と、
前記観察部を収容し、前記マスクの形状に対応する形状を有する筐体と、を備えることを特徴とする観察装置。
前記筐体に設けられ、前記保持面を清掃可能な清掃部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の観察装置。
前記清掃部は、前記筐体に対して、前記保持面を清掃する清掃方向に対応する第１の方向に沿って移動可能に設けられることを特徴とする請求項２に記載の観察装置。
前記清掃部は、前記清掃方向と交差する交差方向に対応する第２の方向における長さが前記保持面の前記交差方向における長さと略同じとなる清掃面を有することを特徴とする請求項３に記載の観察装置。
前記清掃の面前記第１の方向における長さは、前記保持面の前記清掃方向における長さより短いことを特徴とする請求項４に記載の観察装置。
前記観察部は、前記第１の方向に関して前記清掃部と隣接することを特徴とする請求項３〜請求項５のうち何れか一項に記載の観察装置。
前記清掃部及び前記観察部は、前記第１の方向において、前記観察部、前記清掃部の順に配置されていることを特徴とする請求項３〜請求項６のうち何れか一項に記載の観察装置。
前記清掃部の前記第１の方向における両側のうち少なくとも一方に配置される回収部をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の観察装置。
前記筐体に設けられ、前記観察部から出力される観察情報を処理する情報処理部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項８のうち何れか一項に記載の観察装置。
前記情報処理部での処理結果を、前記筐体外に配置される情報処理端末に無線で送信する送信部をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の観察装置。
前記筐体に設けられるバッテリー部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の観察装置。
前記清掃部は、先端が前記保持面に当接可能な払拭部材を有することを特徴とする請求項２〜請求項８のうち何れか一項に記載の観察装置。
前記清掃部を、前記保持面の法線方向に対応する第３の方向に沿って変位させるための変位機構をさらに備えることを特徴とする請求項２〜請求項１２のうち何れか一項に記載の観察装置。
所定のパターンが形成されたマスクに放射ビームを導く照明光学系と、
前記マスクを保持するための保持面を有するマスク保持装置と、
前記マスクを介した放射ビームを感光性材料が塗布された基板に照射する投影光学系と、
請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載の観察装置を、前記マスク保持装置と前記投影光学系との間の所定空間に予め設定される観察用位置に搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする露光装置。
前記保持面を前記清掃方向に沿って移動させる移動装置をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
前記マスク及び前記基板を所定の走査方向に沿って同期移動させる駆動装置を備え、
前記清掃方向は、前記走査方向と同一方向であることを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
前記搬送装置は、前記マスクを、前記マスク保持装置の前記保持面に搬送する装置であることを特徴とする請求項１４〜請求項１６のうち何れか一項に記載の露光装置。
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項１４〜請求項１７のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。