JP6956604B2 - 基板処理装置および物品製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置および物品製造方法に関する。

近年、半導体メモリの製造分野ではますます回路の微細化が進み、要求される回路線幅は０．０１μｍ以下に達している。この要求を満たすにはリソグラフイー工程で回路パターンを露光によって基板に転写する露光装置の解像力を向上させなければならない。これについては、投影レンズの開口数を大きくすることで解像力の向上を図ってきたが、開口数の増加は焦点深度を減少させる。このため投影レンズの焦点深度は非常に短くなった。この非常に短い焦点深度に対応するために、基板に要求される平面度が厳しくなっている。基板とそれをチャックする基板チャックとの間に微小なパーティクル（異物）、例えばレジスト砕片が挟まることがある。そのようなことが起こると、基板は、パーティクルの上の部分が盛り上がる。そのために局所的なデフォーカスが生じ、これによってチップ不良を生じさせる。これは露光工程における歩留りを低下させる原因とする。

特許文献１には、ウエハステージ上のチャックの表面とクリーニング用基板の下面とを接触させて、チャックをその表面に平行な面内で運動させることによってチャックの表面をクリーニングする機能を有する半導体製造装置が記載されている。特許文献２には、ウエハチャックをクリーニングするクリーニングプレートをウエハチャックの表面に接触させクリーニングプレートを回転させることによってウエハチャックの表面をクリーニングする機能を有する半導体露光装置が記載されている。

特願平７−１３０６３７号公報 特開平９−２８３４１８号公報

基板チャックのチャック面のクリーニングの繰り返しによりクリーニングプレートのクリーニング面は、摩耗によって平坦度が低下しうる。また、クリーニングプレートを保持するための部材の構造によっても、クリーニングプレートのクリーニング面の平坦度が低下しうる。また、クリーニングプレートを保持するための部材の公差等によっても、クリーニングプレートのクリーニング面の平坦度が低下しうる。クリーニング面の平坦度が低いと、基板チャックのチャック面の要求精度を満たすようにクリーニングすることが難しい。

本発明は、基板チャックのチャック面のクリーニングに有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、基板をチャックするチャック面を有する基板チャックを保持する基板ステージと、前記基板ステージを駆動するステージ駆動機構と、前記チャック面をクリーニングするためのクリーニング面を有するクリーニングプレートを駆動するプレート駆動機構と、前記クリーニングプレートに対して前記基板チャックが相対的に移動することによって前記チャック面がクリーニングされるように、前記ステージ駆動機構および前記プレート駆動機構の少なくとも一方の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記チャック面の高さ分布を示すチャック面情報と前記クリーニング面の高さ分布を示すクリーニング面情報とに基づいて前記動作を制御する。

本発明によれば、基板チャックのチャック面のクリーニングに有利な技術が提供される。

本発明の基板処理装置の一実施形態の露光装置の構成を示す図。 クリーニングプレートを使って基板チャックのチャック面をクリーニングする処理を模式的に示す図。 クリーニングプレートと把持部との位置関係（ａ）およびクリーニング処理におけるクリーニングプレートに対するチャック面の相対的な移動（ｂ）を例示する図。 基板チャックのチャック面の高さ分布（チャック面情報）の一例を模式的に示す図。 基板チャックのチャック面をクリーニングするクリーニング処理の流れを示す図。 方位角ＡＺ＝０におけるチャック面の第２領域と窪み領域との関係、および、第２領域と対面領域との関係を例示する図。 方位角ＡＺ＝ａｚ１におけるチャック面の第２領域と窪み領域との関係、および、第２領域と対面領域との関係を例示する図。 チャック面の第２領域の配置に関する他の例を示す図。 図８の例の第２領域と、ＡＺ＝０における窪み領域および対面領域との関係を例示する図。 図８の例の第２領域と、ＡＺ＝ａｚ２における窪み領域および対面領域との関係を例示する図。 図８の例の第２領域と、ＡＺ＝ａｚ３における窪み領域および対面領域との関係を例示する図。 図８に例示されたチャック面をクリーニングした後のチャック面情報を例示する図。 図１２のチャック面情報に基づいて更新されたクリーニング面情報（窪み領域および対面領域）を例示する図。 次の処理における方位角を例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。以下では、本発明に係る基板処理装置をパターン形成装置としての露光装置に適用した例を説明するが、本発明は、例えば、プラズマ処理装置、イオン注入装置、研磨装置（ＣＭＰ装置を含む）または検査装置等のような他の基板処理装置に適用することもできる。また、パターン形成装置の概念には、露光装置の他、インプリント装置が含まれうる。

図１には、本発明の基板処理装置の一実施形態の露光装置ＥＸの構成が示されている。露光装置ＥＸは、照明系１、原版ステージ３、計測器４、投影光学系５、基板チャック８、基板ステージ１３、基板ステージ駆動機構１４、計測器７、支持ベース、フォーカス計測器１０、プレート駆動機構３０および制御部１８を備えうる。この明細書および添付図面では、投影光学系５の光軸ＡＸに平行な方向をＺ軸とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の値で特定されうる情報である。

原版ステージ３は、原版（レチクル）２をチャック（保持）する。原版ステージ３は、不図示の原版ステージ駆動機構によって、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関して駆動される。計測器４は、原版ステージ３の位置（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）および姿勢（θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸）を計測する。投影光学系５は、原版２のパターンを基板９に投影する。基板チャック８は、基板９をチャック（保持）する。基板ステージ１３は、基板チャック８を保持する。基板ステージ駆動機構１４は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関して基板ステージ１３を駆動する。計測器７は、基板ステージ１３の位置（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸）および姿勢（θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸）を計測する。支持ベース１５は、基板ステージ１３を支持する。フォーカス計測器１０は、基板９の表面の高さおよび姿勢（θＸ軸、θＹ軸）を計測する。

プレート駆動機構３０は、クリーニングプレート２０を把持部３１によって把持し駆動する。プレート駆動機構３０は、例えば、クリーニングプレート２０をＺ軸およびθＺ軸に関して駆動するように構成されうる。クリーニングプレート２０は、基板チャック８のチャック面８１（基板９をチャックする面）をクリーニングするためのクリーニング面２１を有する。制御部１８は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。

図２には、クリーニングプレート２０を使って基板チャック８のチャック面８１をクリーニングするクリーニング処理が模式的に示されている。基板チャック８のチャック面８１のクリーニング処理では、制御部１８は、所定の作業領域においてチャック面８１にクリーニングプレート２０のクリーニング面２１が接触するように、基板ステージ駆動機構１４およびプレート駆動機構３０を制御する。そして、制御部１８は、クリーニングプレート２０に対してチャック面８１が相対的に移動するように基板ステージ駆動機構１４の動作を制御する。これによって、基板チャック８のチャック面８１のクリーニングがなされる。ここで、制御部１８は、チャック面８１のクリーニングがなされるように基板ステージ駆動機構１４およびプレート駆動機構３０の少なくとも一方の動作を制御するように構成されてもよい。制御部１８は、チャック面８１の高さ分布を示すチャック面情報とクリーニング面２１の高さ分布を示すクリーニング面情報とに基づいて駆動制御情報を生成しうる。高さ分布は、２次元空間内の複数の位置における高さをマッピングした情報でありうる。

図３（ａ）には、クリーニングプレート２０と把持部３１との位置関係が例示されている。図３（ａ）は、下方から見た図である。クリーニング面２１は、有効領域６１と、非有効領域４０とを含み、非有効領域４０は、有効領域６１より窪んだ窪み領域４１を含みうる。有効領域６１は、平坦な領域であり、基板チャック８のチャック面８１のクリーニング処理において、チャック面８１に接触し、チャック面８１のクリーニングに寄与する領域である。非有効領域４０の窪み領域４１は、有効領域６１より窪んでいるために、基板チャック８のチャック面８１のクリーニング処理において、チャック面８１に接触しないか、チャック面８１に対する接触圧が有効領域６１よりも低い領域である。

図３（ｂ）には、クリーニング処理におけるクリーニングプレート２０に対するチャック面８１の相対的な移動が例示的に示されている。制御部１８は、クリーニングプレート２０に対する基板チャック８（チャック面８１）の相対的な移動においてチャック面８１の中心Ｃが、中心Ｃからずれた点Ａの周りを公転するように、該相対的な移動を制御しうる。換言すると、制御部１８は、基板チャック８が偏心運動をするように該相対的な移動を制御しうる。有効領域６１は、クリーニングプレート２０に対して基板チャック８が相対的に移動する期間の一部において窪み領域４１がチャック面８１に対して対面する対面領域４２を含みうる。対面領域４２によるチャック面８１のクリーニング効果は、有効領域６１によるチャック面８１のクリーニング効果より低い。

制御部１８は、クリーニングプレート２０に対する基板チャック８の相対的な移動においてクリーニングプレート２０の中心が、該中心からずれた点の周りを公転するように、該相対的な移動を制御してもよい。換言すると、制御部１８は、クリーニングプレート２０が偏心運動をするように該相対的な移動を制御してもよい。

窪み領域４１は、例えば、把持部３１によって把持される領域（即ち、把持部３１の構造に起因する領域）でありうる。あるいは、窪み領域４１は、基板チャック８のチャック面８１のクリーニング処理の繰り返しによってクリーニング面２１（有効領域６１）が摩耗することによって生じうる。あるいは、窪み領域４１は、クリーニングプレート２０を保持するための把持部３１の公差によって生じうる。θＺ軸に関するクリーニングプレート２０（クリーニング面２１）の姿勢は、方位角ＡＺで示される。θＺ軸に関するクリーニングプレート２０（クリーニング面２１）の姿勢（方位角ＡＺ）は、例えば、プレート駆動機構３０によって制御可能である。窪み領域４１は、クリーニング面２１の高さ分布を示すクリーニング面情報に基づいて特定されうる。

図４には、基板チャック８のチャック面８１の高さ分布（または、該高さ分布を示すチャック面情報）の一例が模式的に示されている。図４の例において、チャック面８１の上にパーティクルＰが付着していて、これによってチャック面８１に凹凸が形成され、平坦度が低下している。チャック面８１は、第１領域（平坦な領域、あるいは、パーティクルＰが存在しない領域）と、第１領域より突出した第２領域（パーティクルＰが存在する領域）とを含みうる。制御部１８は、チャック面情報に基づいて第２領域を特定し、クリーニング面２１の有効領域６１によってチャック面８１の第２領域がクリーニングされるように基板ステージ駆動機構１４およびプレート駆動機構３０の少なくとも一方の動作を制御しうる。

制御部１８は、管理部１８１を含みうる。管理部１８１は、チャック面情報を該チャック面情報に係るチャック面８１を有する基板チャック８と対応付けて管理しうる。あるいは、管理部１８１は、チャック面情報を基板チャック８と対応付けて管理するとともに、その基板チャック８のチャック面８１のクリーニングに使用されるクリーニングプレート２０のクリーニング面情報を管理しうる。管理部１８１は、例えば、新たなチャック面情報を取得する度に、登録されているチャック面情報をその新たなチャック面情報によって更新する。チャック面情報は、不図示の計測装置による計測によって生成されてもよいし、基板チャック８によって基板９がチャックされた状態でフォーカス計測器１０によって基板９の全域にわたって基板９の表面の高さを計測することによって生成されてもよい。基板チャック８のチャック面８１にパーティクルＰが付着している場合、それは基板９の表面の高さ計測の結果に表れうる。基板９の表面が他の領域よりも高い領域を有する場合、チャック面８１は、該高い領域の下方にパーティクルを有しうる。

図５には、基板チャック８のチャック面８１をクリーニングするクリーニング処理の流れが例示的に示されている。このクリーニング処理は、制御部１８によって制御される。工程Ｓ１０１では、制御部１８は、クリーニングプレート２０のクリーニング面２１の高さ分布を示すクリーニング面情報を取得する。クリーニング面情報は、クリーニング面２１のうち窪み領域４１を特定する情報でありうる。あるいは、クリーニング面情報は、クリーニング面２１のうち非有効領域４０を特定する情報でありうる。あるいは、クリーニング面情報は、クリーニング面２１のうち窪み領域４１および対面領域４２のそれぞれを特定する情報でありうる。クリーニングプレート２０が最初に使用される場合には、クリーニング面情報は、クリーニング面２１の全域が平坦であることを示す情報（即ち、全域が有効領域６１であることを示す情報）であってもよい。以下では、工程Ｓ１０１において、制御部１８が図３（ａ）に示される窪み領域４１および対面領域４２をそれぞれ特定するクリーニング面情報を取得するものとして説明する。

工程Ｓ１０２では、制御部１８は、基板チャック８のチャック面８１の高さ分布を示すチャック面情報を取得する。チャック面情報は、不図示の計測装置による計測によって生成されてもよいし、基板チャック８によって基板９がチャックされた状態でフォーカス計測器１０によって基板９の全域にわたって基板９の表面の高さを計測することによって生成されてもよい。あるいは、チャック面情報は、オペレータによって提供されてもよい。以下では、工程Ｓ１０２において、制御部１８が図４に示される第２領域（パーティクルＰが存在する領域）を特定するチャック面情報を取得するものとして説明する。

工程Ｓ１０３では、制御部１８は、クリーニングプレート２０の複数の方位角ＡＺのそれぞれに関して、窪み領域４１と第２領域（パーティクルＰが存在する領域）との重なり、および、対面領域４２と第２領域との重なりを評価して評価値を求める。例えば、制御部１８は、方位角ＡＺを所定角（例えば、１度）ずつ変化させながら、各方位角ＡＺにおいて、窪み領域４１と第２領域（パーティクルＰが存在する領域）との重なり、および、対面領域４２と第２領域との重なりを評価する。この評価は、例えば、各方位角ＡＺについて、窪み領域４１と第２領域とが重なる領域の面積、および、対面領域４２と第２領域とが重なる領域の面積を求めるものでありうる。また、評価値は、窪み領域４１と第２領域とが重なる領域の面積、および、対面領域４２と第２領域とが重なる領域の面積でありうる。この場合、評価値としての面積が小さいほど評価結果が優れている。

工程Ｓ１０４では、制御部１８は、工程Ｓ１０３における評価の結果に基づいて、クリーニングプレート２０の方位角ＡＺを決定する。方位角ＡＺは、基板チャック８とクリーニングプレート２０との相対的な方位角（方位角差）として理解することもできる。方位角ＡＺは、クリーニング処理におけるクリーニングプレート２０に対するチャック面８１の相対的な移動を制御するパラメータである。一例において、制御部１８は、窪み領域４１と第２領域とが重なる領域の面積が最も小さいクリーニングプレート２０の方位角ＡＺを決定する。ここで、窪み領域４１と第２領域とが重なる領域の面積が最も小さいクリーニングプレート２０の方位角ＡＺが複数存在する場合には、複数の方位角ＡＺのうち対面領域４２と第２領域とが重なる領域の面積が最も小さい方位角ＡＺが選択されうる。あるいは、複数の方位角ＡＺのうちクリーニングプレート２０の回転駆動量が最も小さい方位角ＡＺが選択されうる。

図６には、方位角ＡＺ＝０における第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と窪み領域４１との関係、および、第２領域と対面領域４２との関係が例示されている。図６の例では、第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と窪み領域４１とが重なった領域が存在する。したがって、ＡＺ＝０においてクリーニング処理を実行すると、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルＰが除去されない領域が残ることが推定される。また、図６の例では、第２領域と対面領域４２とが重なった領域が存在する。よって、第２領域と対面領域４２との重なりが存在するという観点でも、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルＰが除去されない領域が残ることが推定される。

図７には、ＡＺ＝ａｚ１における第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と窪み領域４１との関係、および、第２領域と対面領域４２との関係が例示されている。図７の例では、第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と窪み領域４１とが重なった領域が存在しない。したがって、ＡＺ＝ａｚ１においてクリーニング処理を実行すると、良好なクリーニング結果が得られることが推定される。また、図７の例では、第２領域と対面領域４２とが重なった領域も存在しない。よって、第２領域と対面領域４２との重なりが存在しないという観点でも、良好なクリーニング結果が得られることが推定される。図７の例における評価結果は、図６の例における評価結果よりも優れている。

図８には、チャック面８１の第２領域（パーティクルＰが存在する領域）の配置に関する他の例が示されている。図９には、図８の例の第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と、ＡＺ＝０における窪み領域４１および対面領域４２との関係が例示されている。図９の例では、ＡＺ＝０において、第２領域と窪み領域４１とが重なった領域が存在する。したがって、ＡＺ＝０においてクリーニング処理を実行すると、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルＰが除去されない領域が残ることが推定される。また、図９の例では、第２領域と対面領域４２とが重なった領域が存在する。よって、第２領域と対面領域４２との重なりが存在するという観点でも、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルＰが除去されない領域が残ることが推定される。

図１０には、図８の例の第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と、ＡＺ＝ａｚ２における窪み領域４１および対面領域４２との関係が例示されている。図１０の例では、第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と窪み領域４１とが重なった領域が存在する。したがって、ＡＺ＝０においてクリーニング処理を実行すると、クリーニング不良が発生すること、即ち、パーティクルＰが除去されない領域が残ることが推定される。

図１１には、図８の例の第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と、ＡＺ＝ａｚ３における窪み領域４１および対面領域４２との関係が例示されている。図１１の例では、第２領域（パーティクルＰが存在する領域）と窪み領域４１とが重なった領域が存在しない。したがって、ＡＺ＝ａｚ３においてクリーニング処理を実行すると、良好なクリーニング結果が得られることが推定される。ただし、図１１の例では、第２領域と対面領域４２とが重なった領域が存在する。一例では、図８の例のような第２領域の配置において、図９、図１０、図１１のようなクリーニングプレート２０（クリーニング面２１）の方位角ＡＺにおける評価結果を比較すると、図１１の方位角ＡＺ＝ａｚ３の評価結果が最も優れている。ここで、図１１の方位角ＡＺ＝ａｚ３においては第２領域と対面領域４２とが重なった領域が存在する。仮に第２領域と窪み領域４１とが重ならず、かつ、第２領域と対面領域４２とが重ならない方位角ＡＺが存在する場合には、その方位角ＡＺにおける評価結果が最も優れていることになる。

工程Ｓ１０５では、制御部１８は、クリーニングプレート２０の方位角ＡＺが工程Ｓ１０４で決定した方位角ＡＺになるようにプレート駆動機構３０を制御する。また、工程Ｓ１０５では、制御部１８は、基板チャック８のチャック面８１にクリーニングプレート２０のクリーニング面２１が接触するようにプレート駆動機構３０を制御する。工程Ｓ１０６では、クリーニングプレート２０に対してチャック面８１が相対的に移動するように基板ステージ駆動機構１４を制御する。クリーニングプレート２０に対するチャック面８１の相対的な移動は、例えば、図３（ｂ）の例に従いうる。これによって、基板チャック８のチャック面８１のクリーニングがなされる。ここで、基板チャック８のチャック面８１にクリーニングプレート２０のクリーニング面２１が接触する前に、基板ステージ駆動機構１４による基板チャック８（基板ステージ１３）の駆動が開始されてもよい。

以上の例では、工程Ｓ１０３で求めた評価値に基づいて工程Ｓ１０４でクリーニングプレート２０の方位角ＡＺを決定するが、工程Ｓ１０３で求めた評価値に基づいて、クリーニングプレート２０に対するチャック面８１の相対的な移動の軌跡が決定されてもよい。

工程Ｓ１０７では、制御部１８は、基板チャック８のチャック面８１の高さ分布を示すチャック面情報を取得する。チャック面情報は、不図示の計測装置による計測によって生成されてもよいし、基板チャック８によって基板９がチャックされた状態でフォーカス計測器１０によって基板９の全域にわたって基板９の表面の高さを計測することによって生成されてもよい。

工程Ｓ１０８では、制御部１８（の管理部１８１）は、工程Ｓ１０７で取得したチャック面情報に基づいてクリーニング面情報を更新する。例えば、工程Ｓ１０２で取得したチャック面情報が図８のチャック面情報であり、工程Ｓ１０４で決定した方位角ＡＺが図１１に示されるようにＡＺ＝ａｚ３であり、工程Ｓ１０７で取得したチャック面情報が図１２のチャック面情報であるものとする。図１２のチャック面情報は、クリーニング処理の後にパーティクルＰ２が残った領域（クリーニング不良が発生した不良発生領域）があることを示している。これは、クリーニングプレート２０のクリーニング面２１のうちパーティクルＰ２が残った領域（不良発生領域）に対面させた領域が、他の領域より窪んだ領域であること意味する。したがって、制御部１８は、図１３に例示されるように、クリーニング処理の結果に基づいて不良発生領域を特定し、該不良発生領域に対面させた領域が他の領域より窪んだ領域であるものとしてクリーニング面情報を更新しうる。具体的には、制御部１８は、窪み領域４１、対面領域４２をそれぞれ窪み領域４１’、対面領域４２’に更新しうる。窪み領域４１’は、窪み領域４１より大きく、対面領域４２’は、対面領域４２より大きい。

このようにして更新されたクリーニング面情報は、次に実行されるクリーニング処理の工程Ｓ１０１において制御部１８によって取得される。よって、次に実行されるクリーニング処理では、工程Ｓ１０４において、制御部１８は、図１４に例示されるようにクリーニングプレート２０の方位角ＡＺを方位角ＡＺ＝ａｚ４に決定することができる。

上記の例では、工程Ｓ１０８において、１回のクリーニング（工程Ｓ１０６）の結果に基づいてクリーニング面情報を更新するが、複数回のクリーニング（工程Ｓ１０６）の結果に基づいてクリーニング面情報を更新してもよい。また、複数回のクリーニング（工程Ｓ１０６）の結果に基づいて機械学習によってクリーニング面情報を更新してもよい。

以上のように、本実施形態によれば、クリーニングプレートのクリーニング面および基板チャックのチャック面の状態に応じてクリーニングを効率的に行うことができる。

以下、本発明の一実施形態の物品製造方法について説明する。物品製造方法は、露光装置ＥＸ等のパターン形成装置によって基板にパターンを形成する工程と、パターンが形成された基板の処理を行う工程とを含み、処理が行われた基板から物品を製造する。パターン形成装置が露光装置である場合、基板は、フォトレジスト膜を有する基材であり、パターンを形成する工程において、フォトレジスト膜に原版に対応するパターン（潜像）が形成されうる。パターン（潜像）が形成されたフォトレジスト膜を有する基材が現像処理を受けることによってフォトレジストパターンが形成されうる。フォトレジストパターンは、例えば、基材にパターンを形成したり、基材にイオンを注入したりするために使用されうる。パターン形成装置がインプリント装置である場合、基板の上にインプリント材の硬化物によってパターンが形成される。インプリント材の硬化物によってパターンは、該パターンの下地層をパターニングしたり、基板にイオンを注入したりするために使用されうる。

ＥＸ：露光装置（基板処理装置）、８：基板チャック、８１：チャック面、１３：基板ステージ、１４：ステージ駆動機構、２０：クリーニングプレート、２１：クリーニング面、３０：プレート駆動機構、４０：非有効領域、４１：窪み領域、４２：対面領域、６１：有効領域、ＡＺ：方位角、Ｐ：パーティクル

Claims (13)

1. 基板をチャックするチャック面を有する基板チャックを保持する基板ステージと、
   前記基板ステージを駆動するステージ駆動機構と、
   前記チャック面をクリーニングするためのクリーニング面を有するクリーニングプレートを駆動するプレート駆動機構と、
   前記クリーニングプレートに対して前記基板チャックが相対的に移動することによって前記チャック面がクリーニングされるように、前記ステージ駆動機構および前記プレート駆動機構の少なくとも一方の動作を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、前記チャック面の高さ分布を示すチャック面情報と前記クリーニング面の高さ分布を示すクリーニング面情報とに基づいて前記動作を制御する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記クリーニング面は、有効領域と、非有効領域とを含み、前記非有効領域は、前記有効領域より窪んだ窪み領域を含み、
   前記チャック面は、第１領域と、前記第１領域より突出した第２領域とを含み、
   前記制御部は、前記チャック面情報に基づいて前記第２領域を特定し、前記有効領域によって前記第２領域がクリーニングされるように前記動作を制御する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記非有効領域は、前記クリーニングプレートに対して前記基板チャックが相対的に移動する期間の一部において前記窪み領域が前記チャック面に対面する対面領域を含む、
   ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記制御部は、前記クリーニングプレートに対する前記基板チャックの相対的な移動において前記チャック面の中心が前記中心からずれた点の周りを公転するように前記ステージ駆動機構の動作を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記クリーニングプレートに対する前記基板チャックの相対的な移動において前記クリーニング面の中心が前記中心からずれた点の周りを公転するように、前記プレート駆動機構の動作を制御する、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記制御部は、前記チャック面情報および前記クリーニング面情報に基づいて前記チャック面に対する前記クリーニング面の相対的な方位角を決定する、
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記チャック面情報を計測によって生成する計測器を更に備える、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記計測器は、前記チャック面によって保持された前記基板の表面の高さ分布を計測した結果に基づいて前記チャック面情報を生成する、
   ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記制御部は、前記チャック面のクリーニングの後における前記チャック面情報に基づいて前記クリーニング面情報を更新する、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
10. 前記制御部は、前記クリーニングの後における前記チャック面情報に基づいてクリーニング不良が発生した不良発生領域を特定し、前記クリーニング面のうち前記クリーニングにおいて前記不良発生領域に対面させた領域が他の領域より窪んだ領域であるものとして前記クリーニング面情報を更新する、
    ことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記制御部は、前記チャック面情報を前記基板チャックと対応付けて管理する管理部を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
12. 前記基板にパターンを形成するパターン形成装置として構成されている、
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
13. 請求項１２に記載の基板処理装置によって前記基板にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板の処理を行う工程と、
    を含み、前記処理が行われた前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。

Images