JP2018081281A - 露光装置、露光方法、および物品の製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、および物品の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】基板の高さ方向の位置合わせを精度よく行うために有利な技術を提供する。【解決手段】投影光学系を介して基板を露光する露光装置は、前記投影光学系からの光の光路領域内における複数の計測点で前記基板の高さを計測する計測部と、前記計測部による計測結果に基づいて前記基板の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御するとともに、前記基板のショット領域を露光位置に配置して当該ショット領域を露光する動作を制御する制御部と、を含み、前記ショット領域は、パターンを形成すべき複数の部分領域を含み、前記制御部は、前記計測部に前記基板の高さを計測させるときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数が、前記ショット領域を前記露光位置に配置したときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数よりも多くなるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させる。【選択図】図８

Description

本発明は、露光装置、露光方法、および物品の製造方法に関する。
近年、ＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Packaging）と呼ばれる半導体デバイスのパッケージング方法が、半導体デバイス製造工程に取り入れられてきている。ＦＯＷＬＰとは、前工程処理が終了してダイシングされた複数の半導体チップを並べてモールド材などで固めることにより構成された基板（再構成基板とも呼ぶ）の上に、露光装置を用いて配線層や電極パッドなどを形成する方法である。
露光装置では、投影光学系の結像面（フォーカス面）に基板の表面を配置するため、投影光学系からの光の光路領域内における複数の計測点で基板の高さを計測し、その計測結果に基づいて、高さ方向における基板の位置合わせが行われる。しかしながら、例えば、再構成基板ではモールド材の平坦化が難しいことや、基板上に形成された層の一部が除去されていることなどにより、露光装置により露光処理を行う対象の基板に段差が形成されていることがある。このような基板では、当該段差により高さが互いに異なる２つの領域にそれぞれ計測点が配置されると、複数の計測点での計測結果に基づいて、高さ方向における基板の位置合わせを精度よく行うことが困難になりうる。特許文献１には、複数の計測点（センサ）での基板の高さの計測結果のうち、基板の高さ方向の位置合わせに用いる計測点を選択する方法が開示されている。
特開２００２−１００５５２号公報
露光装置では、複数の計測点での計測結果のうち可能な限り多くの計測結果を用いる方が、高さ方向における基板の位置合わせを精度よく行う上で好ましい。
そこで、本発明は、基板の高さ方向の位置合わせを精度よく行うために有利な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、前記投影光学系からの光の光路領域内における複数の計測点で前記基板の高さを計測する計測部と、前記計測部による計測結果に基づいて前記基板の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御するとともに、前記基板のショット領域を露光位置に配置して当該ショット領域を露光する動作を制御する制御部と、を含み、前記ショット領域は、パターンを形成すべき複数の部分領域を含み、前記制御部は、前記計測部に前記基板の高さを計測させるときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数が、前記ショット領域を前記露光位置に配置したときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数よりも多くなるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させる、ことを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、基板の高さ方向の位置合わせを精度よく行うために有利な技術を提供することができる。
第１実施形態の露光装置を示す概略図である。 投影光学系からの光の照射領域と、その内側に配置された複数の計測点とを示す図である。 基板（再構成基板）を示す図である。 複数の半導体チップの各々に対して配線層および電極パッドを形成した状態を示す図である。 再構成基板の断面を示す図である。 配線層が形成された後の再構成基板の断面を示す図である。 露光位置にショット領域を配置した状態を示す図である。 露光位置からシフトしたシフト位置にショット領域を配置した状態を示す図である。 基板のショット領域を露光する方法を示すフローチャートである。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１０について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１０を示す概略図である。第１実施形態の露光装置１０は、例えば、光源１と、照明光学系２と、マスクステージ３と、投影光学系４と、基板ステージ５と、計測部６と、制御部７とを含み得る。制御部７は、例えばＣＰＵやメモリを有し、露光装置１０の各部を制御する（基板９のショット領域を露光する動作を制御する）。また、本実施形態では、投影光学系４から射出された光の光軸と平行な方向をＺ方向とし、当該光軸に垂直かつ互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。
光源１は、例えばｉ線水銀ランプやエキシマレーザなどで構成され、基板９を露光するための光（露光光）を射出する。照明光学系２は、光源１から射出された光を導光し、マスクステージ３により保持されたマスク８を均一に照明する。投影光学系４は、所定の投影倍率を有し、マスク８に形成されたパターンを基板９に投影する。基板ステージ５は、基板９を保持して移動可能に構成されており、その位置や姿勢が、不図示の干渉計やエンコーダなどの位置計測機構によって高精度に管理される。
このように構成された露光装置１０では、基板９のショット領域を露光位置に配置し、投影光学系４からの光で当該ショット領域を露光する露光処理を行う。即ち、露光処理は、当該ショット領域上に供給（塗布）されたレジストやポリイミドなどの感光性材料を、投影光学系４からの光（マスクのパターン像）により露光して反応させる処理のことである。このような露光処理は、基板ステージ５をステップ移動させながら、基板９における複数のショット領域の各々について順次行われる。そして、基板９の現像処理を経ることにより、基板９（具体的には基板上の感光性材料）にパターンを形成することができる。ここで、ショット領域とは、１回の露光処理において一括して露光される基板９の領域のことである（即ち、露光処理において、投影光学系４からの光の照射領域に配置される基板９の領域のことである）。投影光学系４からの光の照射領域とは、投影光学系４から射出された光の光路領域のことである。また、露光位置とは、投影光学系４からの光でショット領域を露光する際に当該ショット領域を配置する位置のことである。即ち、露光位置とは、照射領域（投影光学系４からの光の光路領域）に対してショット領域を位置決めしたときの当該ショットの位置のことである。
また、露光装置１０では、露光処理の前に、投影光学系４の結像面（フォーカス面）に基板９の表面が一致するように、基板９の高さおよび傾きの少なくとも一方が制御される。そのため、露光装置１０には、投影光学系４からの光の照射領域内における複数の計測点で基板９の高さを計測する計測部６（フォーカスセンサ）が設けられる。計測部６は、図２に示すように、投影光学系４からの光の照射領域４ａ内（光路領域内）における複数の計測点６ａの配置（レイアウト）が固定されており、複数の計測点６ａの各々において基板９の高さを計測するように構成されている。そして、計測部６は、基板９に光を斜入射させて反射された光を受光する斜入射型の光センサを複数含み、それら複数の光センサによって複数の計測点６ａで基板の高さを計測する。これにより、露光装置１０（制御部７）は、複数の計測点６ａでの基板９の高さの計測結果に基づいて、基板９の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御することができる。図２は、投影光学系４からの光の照射領域４ａと、その内側に配置された複数の計測点６ａとを示す図である。
ここで、本実施形態の計測部６は、基板９に光を斜入射させる光センサを含むように構成されているが、それに限られるものではなく、静電容量センサや圧力センサなどのセンサを含むように構成されてもよい。また、図２に示す例では、照射領域４ａ内に９つの計測点６ａが格子状に配置されているが、照射領域４ａ内に配置される計測点６ａの数および位置はこれに限定されるものではない。なお、以下では、基板９の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御することを、単に「高さ方向における基板９の位置合わせ」という場合もある。
近年、ＦＯＷＬＰと呼ばれる半導体デバイスのパッケージング方法が、半導体デバイスの製造工程に取り入れられてきている。ＦＯＷＬＰでは、図３に示すように、前工程処理が終了してダイシングされた複数の半導体チップ９ａを並べてモールド材９ｂなどで固めることにより構成された基板９が用いられる。このような基板９は、再構成基板とも呼ばれる。そして、このような基板９（再構成基板）に対して、露光装置などによるマイクロリソグラフィ技術を用いて、図４に示すような配線層１１（配線１１ａ）や電極パッド１２などが形成される。図４は、複数（４つ）の半導体チップ９ａの各々に対して配線層１１および電極パッド１２を形成した状態を示す図である。配線層１１や電極パッド１２は、図４から分かるように、半導体チップ９ａの上のみならず、モールド材９ｂの上にも形成されうる。また、図４に示す例では、各半導体チップ９ａに対して配線層１１が形成されているが、例えば、複数の半導体チップ９ａ同士を接続するための配線層が、当該複数の半導体チップ９ａの上に形成されることもある。
再構成基板では、例えばモールド材の平坦化が難しく、基板表面のうちモールド材が露出している領域において表面粗さが大きかったり（図５（ａ）参照）、凹みが生じていたり（図５（ｂ）参照）、凸部が生じていたり（図５（ｃ）参照）することがある。つまり、露光装置１０により露光処理を行う対象の基板９に、パターンを形成すべき領域（半導体チップ９ａを含む領域）に対して高さが異なる段差領域が形成されていることがある。また、基板上に形成された層の一部が除去されていることにより、段差領域が形成されていることもある。例えば、再構成基板上に形成される配線層１１は、一般に、基板９の全面に形成されたシード層を導体としてメッキ処理により形成されうる。このようなシード層は、再構成基板をダイシングする際に、それに用いられるダイシングブレードの摩耗（劣化）を速めてしまう。そのため、ダイシングブレードによって切断されうる切断領域１３上のシード層は、配線層１１を形成した後に除去される。その結果、配線層１１が形成された後の基板９では、図６に示すように、切断領域１３が、パターンとしての電極パッド１２を形成すべき領域（配線層１１が形成された領域）より高さの低い段差領域となる。
このように段差領域が形成された基板９では、複数の計測点６ａでの基板９の高さを計測部６に計測させる際、複数の計測点６ａのうちの幾つかの計測点６ａが段差領域（例えば切断領域１３）に配置されることがある。この場合、複数の計測点６ａでの計測結果に基づいて高さ方向における基板９の位置合わせを精度よく行うことが困難になりうる。また、複数の計測点６ａでの計測結果のうち、段差領域に配置された計測点での計測結果を用いずに基板９の高さ方向の位置合わせを行う方法もあるが、当該位置合わせを精度よく行うためには、可能な限り多くの計測結果を用いることが好ましい。
そこで、本実施形態の露光装置１０は、露光位置からシフトした位置（即ち、照射領域４ａに対してシフトした位置（以下、シフト位置と称する））にショット領域９１を配置した状態において、計測部６に複数の計測点６ａで基板９の高さを計測させる。シフト位置は、計測部６に基板９の高さを計測させるときに複数の部分領域９２に配置される計測点６ａの数が、ショット領域９１を露光位置に配置したときに複数の部分領域９２に配置される計測点６ａの数よりも多くなるように決定された位置のことである。このようなシフト位置は、基板９における複数の部分領域９２の配置（レイアウト）を示す情報（以下、配置情報と称する）に基づいて決定されうる。
例えば、ショット領域９１に、配線層１１がそれぞれ形成された複数の部分領域９２が互いに離隔して配置されており、当該ショット領域９１を一括に露光して、複数の部分領域９２の各々の上にパターン（電極パッド１２）を形成する場合を想定する。この場合において、図７に示すようにショット領域９１を照射領域４ａに位置決めすると（ショット領域９１を露光位置に配置すると）、複数の計測点６ａのうちの幾つかの計測点６ａが、複数の部分領域９２の間の切断領域１３（段差領域）に配置されうる。そのため、この状態では、複数の計測点６ａでの計測結果に基づいて、高さ方向における基板９の位置合わせを精度よく行うことが困難である。
そのため、本実施形態の露光装置１０は、図７に示す状態よりも複数の部分領域９２に配置される計測点６ａの数が多くなるように、シフト位置にショット領域９１を配置させる（図８参照）。図８に示す例では、全ての計測点６ａが複数の部分領域９２に配置されているが、全ての計測点６ａを複数の部分領域９２に配置しなくてもよい。このようにショット領域９１をシフト位置に配置させることにより、複数の計測点６ａでの計測結果に基づいて、高さ方向における基板９の位置合わせを精度よく行うことができる。ここで、図７および図８は、配線層１１がそれぞれ形成された複数の部分領域９２を含むショット領域９１を示す図であり、配線層１１に形成された配線１１ａは、図を見やすくするために省略している。また、複数の部分領域９２の各々は、パターンを形成すべき領域のことであり、例えば、１つの半導体チップが配置された領域を含みうる。
以下に、本実施形態の露光装置１０において基板９のショット領域９１を露光する方法を、図９を参照しながら説明する。図９は、基板９のショット領域９１を露光する方法を示すフローチャートである。図９に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって制御される。ここでは、図７および図８に示すように、露光処理を行うべきショット領域９１には、配線層１１がそれぞれ形成された複数の部分領域９２が互いに離隔して配置されており、複数の部分領域９２の間には切断領域１３（段差領域）が形成されているものとする。しかしながら、それに限られるものではなく、当該複数の部分領域９２は互いに離隔して配置されていなくてもよい。
Ｓ１１では、制御部７は、基板９における複数の部分領域９２の配置を示す配置情報を取得する。配置情報は、基板９における複数の部分領域９２の配置を示す情報に加えて、複数の部分領域９２の各々の大きさを示す情報を含んでもよい。また、配置情報は、例えば、各部分領域９２の配置や大きさを露光装置１０の内部または外部の計測装置によって計測（グローバルアライメント計測）した結果から得られてもよいし、各部分領域９２の配置や大きさを示す設計データから得られてもよい。さらに、配置情報は、露光装置１０に設けられたコントロールパネルを介して、または通信Ｉ／Ｆを介してユーザによって入力された情報であってもよい。ここで、本実施形態の配置情報は、パターンを形成すべき部分領域９２の配置を示す情報であるが、例えば、複数の半導体チップ９ａの配置を示す情報、配線層１１や電極パッド１２を形成すべき領域を示す情報、切断領域１３の配置を示す情報であってもよい。しかしながら、これらの情報は、パターンを形成すべき部分領域９２の配置を示す情報を表しているとも言える。
Ｓ１２では、制御部７は、ショット領域９１が露光位置に配置された場合において複数の計測点６ａの各々が基板上のどの位置に配置されるのかを、Ｓ１１で取得した配置情報に基づいて推定する（算出する）。即ち、制御部７は、配置情報に基づいて、ショット領域９１が露光位置に配置された場合における各計測点６ａのショット領域９１上の位置を推定する。図７に示す例では、９個の計測点６ａのうち、４個の計測点６ａが複数の部分領域９２のいずれかに配置されており、残りの５個の計測点が切断領域１３に配置されている。
Ｓ１３では、制御部７は、ショット領域９１が露光位置に配置されたときよりも複数の部分領域９２に配置される計測点６ａの数が多くなるように、ショット領域９１を配置させるシフト位置を決定する。シフト位置とは、前述のように、露光位置からシフトした位置のことである。例えば、制御部７は、Ｓ１１で取得した配置情報、およびＳ１２で求めた各計測点６ａのショット領域上の位置情報に基づいて当該シフト位置を決定する。このとき、制御部７は、可能な限り多くの計測点６ａ（複数の計測点６ａのうち２／３以上の計測点６ａ（好ましくは、全ての計測点６ａ））が複数の部分領域９２に配置されるようにシフト位置を決定するとよい。ここで、制御部７は、Ｓ１３において、可能な限り多くの計測点６ａが、各部分領域９２のうちの半導体チップ９ａ上に配置されるように、シフト位置を決定してもよい。この場合において、制御部７は、可能であれば、全ての計測点６ａが半導体チップ９ａ上に配置されるように、シフト位置を決定するとよい。
また、制御部７は、複数の計測点６ａのうちの基準計測点が複数の部分領域９２のいずれかに配置されるようにシフト位置を決定するとよい。基準計測点とは、複数の計測点６ａでの計測結果の基準となる計測点であり、本実施形態では、９個の計測点６ａのうち、中心に配置されている計測点６ａ’のことである。つまり、基準計測点で計測された基板９の高さが、複数の計測点６ａの各々で計測された基板９の高さの基準として用いられる。さらに、制御部７は、上述した条件の少なくとも１つを満たし、且つ露光位置に対するショット領域９１の位置ずれが最小になるようにシフト位置を決定することが好ましい。このように、シフト位置を決定することにより、ショット領域９１を露光するために当該ショット領域９１を露光位置に配置する時間（即ち、ショット領域９１を照射領域４ａに位置決めする時間）を短縮させることができ、スループットの点で有利となる。
Ｓ１４では、制御部７は、Ｓ１３で決定したシフト位置にショット領域９１を配置させる。シフト位置へのショット領域９１の配置は、例えば、基板ステージ５を移動させることによって行われうる。これにより、図８に示すように、ショット領域９１が露光位置に配置されている状態よりも複数の部分領域９２に配置される計測点６ａの数を多くすることができる。Ｓ１５では、制御部７は、ショット領域９１をシフト位置に配置した状態において、複数の計測点６ａで基板９の高さを計測部６に計測させる。
Ｓ１６では、制御部７は、Ｓ１５において複数の計測点６ａで基板の高さを計測した結果に基づいて、高さ方向における基板９の位置合わせを行う（基板９の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御する）。これにより、複数の部分領域９２の表面を投影光学系４の結像面に配置することができる。ここで、Ｓ１４においてショット領域９１をシフト位置に配置させたとしても、複数の部分領域９２に配置されていない計測点６ａが生じることがある。この場合、制御部７は、配置情報に基づいて、ショット領域９１をシフト位置に配置させた後の複数の計測点６ａのうち、複数の部分領域９２に配置された計測点６ａを選択する。そして、選択された計測点６ａでの計測結果に基づいて、高さ方向における基板９の位置合わせを行うとよい。即ち、複数の部分領域９２に配置されていない計測点６ａ（例えば、切断領域１３に配置された計測点６ａ）での計測結果を用いずに、高さ方向における基板９の位置合わせを行うとよい。
Ｓ１７では、制御部７は、例えば基板ステージ５を移動させることにより、図７に示すように、照射領域４ａにショット領域９１を位置決めする（即ち、ショット領域９１を露光位置に配置する）。Ｓ１８では、制御部７は、露光位置に配置されたショット領域９１を露光する（ショット領域９１を露光する動作を制御する）。このようにして、パターンを形成すべき複数の部分領域９２を有するショット領域９１の露光処理が行われる。
上述したように、本実施形態の露光装置１０は、ショット領域９１が露光位置に配置されている状態よりも複数の部分領域９２に配置される計測点６ａの数が多くなるように、ショット領域９１をシフト位置に配置させる。そして、ショット領域９１をシフト位置に配置させた状態において、複数の計測点６ａで基板９の高さを計測部６に計測させる。これにより、複数の計測点６ａでの計測結果に基づいて、高さ方向における基板９の位置合わせを精度よく行うことができる。
ここで、本実施形態では、露光処理を行うべきショット領域９１に、配線層１１がそれぞれ形成された複数の部分領域９２が互いに離隔して配置されており、当該複数の部分領域９２の各々にパターン（電極パッド１２）を形成する例について説明した。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、配線層１１などの層が形成されていない再構成基板を基板９として用いた場合であっても、上述の例と同様に露光処理を行うことができる。この場合、ショット領域９１に含まれる複数の部分領域９２の各々は、１つの半導体チップ９ａが配置された領域となる。そして、複数の計測点６ａで基板９の高さを計測部６に計測させる際、より多くの計測点６ａが複数の半導体チップ９ａ上に配置されるように、ショット領域９１をシフト位置に配置させる。また、本実施形態では、再構成基板を基板９として用いたが、それに限られず、再構成基板以外の基板であっても、上述の例と同様に露光処理を行うことができる（本発明を適用することができる）。特に、段差領域が生じている基板に対して有効である。
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
１：光源、２：照明光学系、３：マスクステージ、４：投影光学系、４ａ：照射領域、５：基板ステージ、６：計測部、６ａ：計測点、７：制御部、８：マスク、９：基板、１０：露光装置
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板上のショット領域を露光する露光装置であって、前記ショット領域の複数の計測点において前記基板の高さを計測する計測部と、前記計測部による計測結果に基づいて前記基板の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御するとともに、前記基板のショット領域を露光位置に配置して当該ショット領域を露光する動作を制御する制御部と、を含み、前記ショット領域は、パターンを形成すべき複数の部分領域を含み、前記制御部は、前記計測部が前記基板の高さを計測するときに前記部分領域の上に位置する計測点の数が、前記ショット領域を前記露光位置に配置したときに前記部分領域の上に位置する計測点の数よりも多くなるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させる、ことを特徴とする。

Claims (11)

  1. 投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
    前記投影光学系からの光の光路領域内における複数の計測点で前記基板の高さを計測する計測部と、
    前記計測部による計測結果に基づいて前記基板の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御するとともに、前記基板のショット領域を露光位置に配置して当該ショット領域を露光する動作を制御する制御部と、
    を含み、
    前記ショット領域は、パターンを形成すべき複数の部分領域を含み、
    前記制御部は、前記計測部に前記基板の高さを計測させるときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数が、前記ショット領域を前記露光位置に配置したときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数よりも多くなるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させる、ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記複数の計測点は、基準計測点を含み、
    前記基準計測点で計測された前記基板の高さは、前記複数の計測点の各々で計測された前記基板の高さの基準として用いられ、
    前記制御部は、前記複数の計測点で前記基板の高さを計測するときに前記基準計測点が前記複数の部分領域のいずれかに配置されるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させる、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
  3. 前記制御部は、前記複数の計測点で前記基板の高さを計測するときに前記複数の計測点のうちの２／３以上の計測点が前記複数の部分領域のいずれかに配置されるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
  4. 前記制御部は、前記基板における前記複数の部分領域の配置を示す情報に基づいて、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置する、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  5. 前記制御部は、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置して前記計測部に前記基板の高さを計測させた後、前記ショット領域を前記露光位置に配置して前記ショット領域を露光する動作を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  6. 前記制御部は、前記基板における前記複数の部分領域の配置を示す情報に基づいて、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置したときに前記複数の部分領域に配置された計測点を前記複数の計測点から選択し、選択された計測点での計測結果に基づいて前記基板の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  7. 前記複数の計測点は、前記光路領域内における配置が固定されている、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  8. 基板を保持して移動可能なステージを含み、
    前記制御部は、前記ステージを移動させることにより、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  9. 前記基板は、複数の半導体チップがモールド材によって固定された基板を含み、
    前記複数の部分領域の各々は、１つの半導体チップが配置された領域を含む、ことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置。
  10. 請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。
  11. 投影光学系を介して基板を露光する露光方法であって、
    前記投影光学系からの光の光路領域内における複数の計測点で前記基板の高さを計測する計測工程と、
    前記計測工程での計測結果に基づいて前記基板の高さおよび傾きの少なくとも一方を制御する制御工程と、
    前記基板のショット領域を露光位置に配置して当該ショット領域を露光する露光工程と、
    を含み、
    前記ショット領域は、パターンを形成すべき複数の部分領域を含み、
    前記計測工程では、前記基板の高さを計測するときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数が、前記ショット領域を前記露光位置に配置したときに前記複数の部分領域に配置される計測点の数よりも多くなるように、前記露光位置からシフトした位置に前記ショット領域を配置する、ことを特徴とする露光方法。
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