JP2019074566A - 決定方法、形成方法、物品の製造方法、プログラム、およびリソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】原版のパターンを基板に転写する際のスループットおよび重ね合わせ誤差の点で有利な技術を提供する。【解決手段】基板における複数の部分領域に転写すべき複数の部分パターンを含む原版のパターンを、前記複数の部分領域に分割して転写するためのグループを決定する決定方法は、前記基板上における前記複数の部分領域間での相対位置の誤差を示す情報を取得する第１工程と、前記第１工程で取得された前記情報に基づいて、前記相対位置の誤差が許容範囲内に収まる部分領域同士が、前記原版の部分パターンを一回の転写動作で転写する１つのグループに振り分けられるように、前記複数の部分領域をグループ分けする第２工程と、を含む。【選択図】図９

Description

本発明は、原版のパターンを分割して転写するグループを決定する決定方法、基板にパターンを形成する形成方法、物品の製造方法、プログラム、およびリソグラフィ装置に関する。

近年、ファンアウトウェハレベルパッケージング（ＦＯＷＬＰ：Fan Out WaferLevel Packaging）と呼ばれる半導体デバイスのパッケージング方法が、半導体デバイス製造工程に取り入れられてきている。ＦＯＷＬＰとは、前工程処理が終了してダイシングされた複数の半導体チップを並べてモールド材などで固定することにより構成された基板（再構成基板とも呼ぶ）に対し、リソグラフィ技術を用いて配線層や電極パッドなどを形成する方法である。

再構成基板における複数の半導体チップは、固定する前の複数の半導体チップの配列精度が不十分であったり、複数の半導体チップを固定するときに各チップに意図しない力が加わったりすることで、位置ずれや回転ずれなどが個別に生じることがある。特許文献１には、描画装置により基板上に形成すべき配線パターンのデータを、該基板における複数のチップの配列に応じて補正する方法が開示されている。

特開２０１３−５８５２０号公報

露光装置などのように原版を用いて基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置では、スループットを向上させるため、基板における複数の半導体チップ（部分領域）に対して配線パターンを一回の転写動作で（一括して）転写する場合がある。この場合、一回の転写動作で配線パターンが転写されうる複数の半導体チップに位置ずれや回転ずれなどが個別に生じていると、配線パターンに対する重ね合わせ誤差が許容範囲内に収まらずに配線パターンに接続されない半導体チップが存在することがある。

そこで、本発明は、原版のパターンを基板に転写する際のスループットおよび重ね合わせ誤差の点で有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての決定方法は、基板における複数の部分領域に転写すべき複数の部分パターンを含む原版のパターンを、前記複数の部分領域に分割して転写するためのグループを決定する決定方法であって、前記基板上における前記複数の部分領域間での相対位置の誤差を示す情報を取得する第１工程と、前記第１工程で取得された前記情報に基づいて、前記相対位置の誤差が許容範囲内に収まる部分領域同士が、前記原版の部分パターンを一回の転写動作で転写する１つのグループに振り分けられるように、前記複数の部分領域をグループ分けする第２工程と、を含むことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、原版のパターンを基板に転写する際のスループットおよび重ね合わせ誤差の点で有利な技術を提供することができる。

露光装置の構成を示す概略図である。 再構成基板を示す図である。 再構成基板における転写領域を示す図である。 １つの転写領域に含まれる複数の半導体チップの配置を示す拡大図である。 露光装置で用いられるマスクのパターンを示す図である。 配列誤差が生じている再構成基板を示す図である。 １つの転写領域に含まれる複数の半導体チップの配置を示す拡大図である。 配列誤差が生じている複数の半導体チップに対し、一回の転写動作でマスクのパターンを転写した例を示す図である。 マスクのパターンの転写方法を示すフローチャートである。 複数の半導体チップをグループ分けし、グループごとにマスクのパターンを転写した例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の説明において、ＸＹ方向（Ｘ方向、Ｙ方向）は、基板（再構成基板）の面と平行な方向を示し、Ｚ方向は、基板（再構成基板）の面と垂直な方向を示すものとする。また、以下の実施形態では、ＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Packaging）を例示して説明する。

＜第１実施形態＞
［リソグラフィ装置について］
まず、ＦＯＷＬＰに用いられるリソグラフィ装置（パターン形成装置）について、図１を参照しながら説明する。ここでは、リソグラフィ装置として、原版（マスク）のパターンを基板に転写する（基板を露光する）露光装置をＦＯＷＬＰに適用する例ついて説明する。しかしながら、それに限られず、例えば、原版（モールド）を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置などのリソグラフィ装置もＦＯＷＬＰに適用することができる。また、以下の説明では、ＦＯＷＬＰに適用する露光装置としてステッパを用いる例について説明するが、該露光装置としてスキャナ（走査露光装置）が用いられてもよい。

図１は、露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、射出部１と、照明光学系２と、マスクステージ３と、投影光学系４と、基板ステージと、検出部６と、制御部７とを含みうる。制御部７は、例えばＣＰＵやメモリ（記憶部）などを有するコンピュータを含み、露光装置１００における露光処理を制御する（露光装置１００の各部を制御する）。

射出部１は、例えば水銀ランプやエキシマレーザなどの光源を含み、基板９を露光する光を射出する。照明光学系２は、射出部１から射出された光を整形し、マスクステージ３により保持されたマスク８を照明する。本実施形態の照明光学系２は、それに含まれるマスキングブレードなどの視野絞り（遮光部材）により、マスク８の照明領域の寸法を変更し、マスク８の一部の領域のみを照明することができる。投影光学系４は、所定の投影倍率を有し、照明光学系２により照明された照明領域におけるマスク８のパターンを基板９に投影する。基板ステージ５は、基板９を保持して移動可能に構成される。基板ステージ５は、不図示の干渉計やエンコーダなどにより位置や姿勢が制御される。検出部６は、投影光学系４を介さずに基板９に形成されたマークを検出するスコープ（いわゆる、オフアクシススコープ）を含みうる。

このように構成された露光装置１００は、基板９を露光する露光処理を、基板９（基板ステージ５）をステップ移動させながら繰り返し行うことにより、１枚の基板上にパターンを形成することができる。露光処理とは、具体的には、マスク８に形成されたパターンを投影光学系４を介して基板９（基板上に予め塗布された感光剤）に投影して基板９に転写する処理（転写処理）のことである。以下では、基板９をステップ移動させずに（基板９の位置を変更せずに）マスク８のパターン全体を転写可能な基板上の領域、即ち、マスク８のパターン領域（パターンが形成された領域）に対応する基板上の領域のことを「転写領域」と呼ぶことがある。

［ＦＯＷＬＰについて］
次に、ＦＯＷＬＰについて説明する。ＦＯＷＬＰとは、図２に示すようにダイシングされて互いに独立（分離）した複数の半導体チップ１１を並べてモールド材１２（樹脂）などでウェハ形状に固定することにより再構成された基板９（再構成基板）の上にパターンを形成する方法である。ＦＯＷＬＰでは、例えば、露光装置１００などのリソグラフィ装置を用いて、基板９をステップ移動させながら、マスク８のパターン（配線パターンや電極パッドなどの回路パターン）を、基板における複数の転写領域１０の各々に転写する。このとき、スループット（生産性）の観点から、基板における複数の転写領域１０の各々には、複数の半導体チップ１１が含まれることが好ましい。そのため、露光装置１００では、１つの転写領域１０に含まれる複数の半導体チップ１１に転写すべき複数の部分パターン（パターン要素）を含むマスク８が用いられうる。これにより、１つの転写領域１０に含まれる複数の半導体チップ１１に対し、一回の転写動作で（例えば、一括して、同時に）マスク８のパターンを転写することが可能となる。図３では、図２に示す基板９（再構成基板）において、マスク８のパターン領域に対応する転写領域１０が太線四角で示されており、各転写領域１０に複数（９個）の半導体チップ１１が含まれる例が示されている。

図４は、１つの転写領域１０に含まれる複数（９個）の半導体チップ１１の配置を示す拡大図である。図４に示す例では、外部と電気的な接続を行うためのパッド１３（パターン）が各半導体チップ１１に形成されている。また、図５は、露光装置１００で用いられるマスク８のパターンを示す図である。マスク８のパターンは、１つの転写領域１０に含まれる複数（９個）の半導体チップ１１に転写すべき複数（９個）の部分パターン１４（例えば配線パターンやビアパターンなどの回路パターン）を含む。図５に示す例では、破線の四角で示すように、４つの太丸で１つの部分パターン１４が規定されている。露光装置１００は、このような複数の部分パターン１４を有するマスク８を用いて、基板ステージ５により基板９をステップ移動させながら、複数の転写領域１０の各々に当該マスク８のパターンを順次転写していく。

ここで、本実施形態では、１つの半導体チップ１１が配置された基板上の領域を、マスク８における１つの部分パターン１４を転写すべき基板上の部分領域として説明するが、それに限られるものではない。例えば、半導体チップ１１が配置された領域とその周辺におけるモールド材１２上の領域とを含む領域を、該部分領域としてもよい。

再構成基板における複数の半導体チップ１１は、固定する前の複数の半導体チップ１１の配列精度が不十分であったり、複数の半導体チップ１１を固めるときに各チップに意図しない力が加わったりすることがある。その結果、例えば図６に示すように、複数の半導体チップ１１の各々について位置ずれや回転ずれなどが個別に生じ、本来配置されるべき目標位置（点線の交点位置）からずれた位置に配置されてしまう。このような配列誤差が生じている基板９では、マスク８における複数の部分パターン１４を複数の半導体チップ１１に一回の転写動作で転写すると、該部分パターン１４に対する重ね合わせ誤差が許容範囲に収まらない半導体チップ１１が存在することがある。つまり、この場合、部分パターン１４がパッド１３に重ならずに、電気的に接続不良となる半導体チップ１１が生じてしまうこととなる。

例えば、図７に示すように配列誤差が生じている複数の半導体チップ１１に対し、図５に示すマスク８のパターンを一回の転写動作で転写する場合を想定する。この場合、半導体チップ１１ａのパッド１３に対してマスク８の部分パターン１４を位置合わせすると、図８に示すように、半導体チップ１１ｂ〜１１ｃについては、マスク８の部分パターン１４をパッド１３に重ね合わせることができる。その一方で、半導体チップ１１ｄ〜１１ｇについては、マスク８の部分パターン１４をパッド１３に重ね合わせることができず、電気的に接続不良となり、不良品となってしまう。

そこで、本実施形態では、各転写領域１０に含まれる複数の半導体チップ１１（部分領域）について、マスク８のパターンを分割して転写するためのグループを決定し、決定したグループごとにマスク８のパターンを基板上に転写する。これにより、基板９における複数の半導体チップ１１の各々に配列誤差が生じている場合であっても、マスク８の部分パターン１４と各半導体チップ１１のパターン（パッド１３）との重ね合わせ誤差を許容範囲内に収めることができる。つまり、マスク８の部分パターン１４がパッド１３に重なり合わずに不良品となる半導体チップを低減することができる。

［マスクのパターンの転写方法］
本実施形態に係るマスク８のパターンの転写方法（パターン形成方法）について、図９を参照しながら説明する。図９は、本実施形態に係るマスク８のパターンの転写方法を示すフローチャートである。本実施形態では、図９に示すフローチャートの各工程が制御部７によって行われる例について説明する。

Ｓ１１では、制御部７は、基板９（再構成基板）を基板ステージ５の上に搬送するように基板搬送機構（不図示）を制御し、基板９を保持するように基板ステージ５を制御する。Ｓ１２では、制御部７は、基板上における複数の半導体チップ１１間（部分領域間）での相対位置の誤差を示す情報を取得する。複数の半導体チップ１１間での相対位置の誤差とは、基板上において複数の半導体チップ１１間に本来形成されるべき目標相対位置（設計相対位置）からの誤差のことであり、該相対位置の誤差を示す情報を以下では「誤差情報」と呼ぶことがある。ここで、誤差情報は、例えば、半導体チップ１１間での相対的な位置すれ量、位置ずれの方向、およびＺ軸周りの相対的な回転ずれの少なくとも１つの情報を含みうる。

例えば、制御部７は、基板ステージ５により基板９を移動させながら、基板上における複数の半導体チップ１１間での相対位置を計測することにより、誤差情報を取得することができる。より具体的には、制御部７は、基板ステージ５により基板９を移動させながら、各半導体チップ１１に設けられたアライメントマーク、もしくは特徴的なパターン（例えばパッド１３）を検出部６（スコープ）に検出させる。以下では、アライメントマークもしくは特徴的なパターンを総称して、単に「マーク」と呼ぶことがある。そして、制御部７は、スコープの視野内におけるマークの位置座標と、当該マークが検出されたときの基板ステージ５の位置情報とに基づいて、各半導体チップ１１についての基板上の位置を求める（目標位置からの位置ずれを求めてもよい）。このように各半導体チップ１１についての基板上の位置を計測することにより、誤差情報を取得することができる。取得した誤差情報は、記憶部によって記憶されうる。

検出部６によって検出する各半導体チップ１１のマークの数は、複数の半導体チップ１１間での相対位置を計測する精度、および計測に要する時間などに応じて設定することができる。例えば、複数の半導体チップ１１間でのＸＹ方向の位置ずれのみを計測する場合には、各半導体チップ１１に設けられた１つのマークのみを検出部６に検出させるとよい。また、複数の半導体チップ１１間でのＸＹ方向の位置ずれに加えて回転ずれも計測する場合には、各半導体チップ１１に設けられた２以上のマークを検出部６に検出させるとよい。ここで、本実施形態では、露光装置１００の内部において複数の半導体チップ１１間での相対位置を計測する例について説明したが、それに限られず、露光装置１００の外部の計測装置などを用いて該相対位置を計測してもよい。

Ｓ１３では、制御部７は、Ｓ１２で取得した誤差情報に基づいて、基板上における各転写領域１０について複数の半導体チップ１１（部分領域）をグループ分けする。Ｓ１３のグループ分け処理の詳細については後述する。Ｓ１４では、制御部７は、基板上における複数の転写領域１０のうち、マスク８のパターンを転写すべき対象の転写領域１０（以下、対象転写領域）が露光位置に配置されるように基板ステージ５を制御する。露光位置とは、投影光学系３によりマスクのパターンが投影される位置のことである。Ｓ１５では、制御部７は、Ｓ１３でグループ分けした情報に基づいて、照明光学系２の視野絞りによってマスク８の照明領域を変更しながら、対象転写領域に対してグループごとにマスク８のパターンを転写する。Ｓ１６では、制御部７は、次にマスク８のパターンを転写すべき転写領域１０（次の転写領域）があるか否かを判定する。次の転写領域がある場合にはＳ１４に進み、次の転写領域がない場合にはＳ１７に進む。Ｓ１７では、制御部７は、基板搬送機構（不図示）を制御して基板ステージ５の上から基板９を搬出する。

次に、Ｓ１３のグループ分け処理の例について説明する。グループ分け処理は、半導体チップ１１のパターンに対する重ね合わせ誤差が許容範囲内に収まるようにマスク８の部分パターン１４を一回の転写動作で転写可能な半導体チップ１１を１つのグループに振り分けることによって行われる。許容範囲は、半導体チップ１１のパターンの寸法とマスク８の部分パターンの寸法とに基づいて適宜設定されうる。本実施形態の場合、許容範囲は、半導体チップ１１に形成された１つのパッド１３の寸法と、該パッド１３に転写されるべきマスク８のパターン（部分パターン１４における１つの太丸）の寸法との合計値に設定されうる。それらの寸法は、設計値であっても計測値であってもよい。

例えば、制御部７は、Ｓ１２で取得した誤差情報に基づいて、相対位置の誤差が閾値以下である半導体チップ１１同士（部分領域同士）が、マスク８の部分パターンを一回の転写動作で転写する１つのグループに振り分けられるようにグループ分けを行う。具体的には、制御部７は、Ｓ１２で取得した誤差情報に基づいて、複数の半導体チップ１１のうち、相対位置の誤差が閾値未満となる（即ち、目標位置に対する位置ずれの傾向が同様である）少なくとも２つの半導体チップ１１を選択（探索）する。このように選択された少なくとも２つの半導体チップ１１については、マスク８の部分パターン１４を一回の転写動作で転写したときの重ね合わせ誤差も許容範囲内に収まりうる。そのため、制御部７は、選択した少なくとも２つの半導体チップ１１が１つのグループに属するようにグループ分けを行う。また、制御部７は、相対位置の誤差が閾値以上となる半導体チップ１１同士（部分領域同士）については互いに異なるグループに振り分けられるようにグループ分けを行う。閾値は、重ね合わせ誤差の許容範囲と同様に、半導体チップ１１のパターン（パッド１３）の寸法およびマスク８の部分パターン１４の寸法等に基づいて設定されうる。

ここで、制御部７は、Ｓ１３において、各グループにおける半導体チップ１１が基板上で連続して配置するようにグループ分けを行うことが好ましい。即ち、同じグループに属する２つの半導体チップ１１の間に、異なるグループの半導体チップ１１が含まれないようにグループ分けを行うことが好ましい。このようにグループ分けを行うのは、グループごとにマスク８のパターンを転写する際に、照明光学系２の視野絞りによってマスク８の照明範囲を変更するからである。

図１０は、図７に示す複数の半導体チップ１１を複数のグループにグループ分けし、グループごとにマスク８のパターン（部分パターン１４）を転写した例を示す図である。半導体チップ１１ａ〜１１ｃでは、目標位置（点線の交点位置）からの位置ずれが小さく、相対位置の誤差が閾値未満であり、マスク８のパターンを一括して転写しても重ね合わせ誤差が許容範囲に収まると推定されるため、同じグループに振り分けられる。そして、照明光学系２の視野絞りにより変更された照明領域１５ａでマスク８のパターンが転写される。また、半導体チップ１１ｄ〜１１ｅでは、目標位置からの位置ずれの傾向が同様であり、目標位置に対して同じ方向にほぼ同じ量だけ位置ずれが生じている。つまり、これらの半導体チップ１１ｄ〜１１ｅは、相対位置の誤差が閾値未満であり、マスク８のパターンを一括して転写しても重ね合わせ誤差が許容範囲に収まると推定されるため、同じグループに振り分けられる。そして、照明光学系２の視野絞りにより変更された照明領域１５ｂでマスク８のパターンが転写される。半導体チップ１１ｆおよび１１ｉでは、目標位置からの位置ずれの傾向が同様であり、目標位置に対して同じ方向にほぼ同じ量だけ位置ずれが生じているため、同じグループに振り分けられ、照明領域１５ｃでマスク８のパターンが転写される。半導体チップ１１ｇおよび１１ｈはそれぞれ、目標位置からの位置ずれの傾向が他の半導体チップ１１とは異なり、相対位置の誤差が閾値以上であるため、独立したグループに振り分けられる。半導体チップ１１ｇは照明領域１５ｄで、半導体チップ１１ｈは照明領域１５ｅでマスク８のパターンがそれぞれ転写される。

次に、Ｓ１３のグループ分け処理の他の例について説明する。例えば、制御部７は、グループ分けする対象の転写領域１０に含まれる複数の半導体チップ１１の中から、２つの半導体チップ１１を選択する。選択される２つの半導体チップ１１は、互いに隣り合っていることが好ましい。制御部７は、選択した２つの半導体チップ１１にマスク８のパターンを一回の転写動作で転写した場合における半導体チップ１１のパターンとマスク８の部分パターン１４との重ね合わせ誤差を、該２つの半導体チップ１１の各々について推定（算出）する。そして、当該２つの半導体チップ１１の双方において、推定された重ね合わせ誤差が許容範囲に収まる場合には、それらを同じグループに振り分ける。一方、当該２つの半導体チップ１１のいずれかにおいて、推定された重ね合わせ誤差が許容範囲に収まらない場合には、それらを異なるグループに振り分ける。制御部７は、このような処理を、対象の転写領域１０に含まれる複数の半導体チップ１１に対し、選択する半導体チップの組み合わせを変更して繰り返し行う。これにより、重ね合わせ誤差がそれぞれ許容範囲に収まるように複数の半導体チップ１１をグループ分けすることができる。

ここで、制御部７は、Ｓ１３の工程において、グループの数が可能な限り少なくなるように複数の半導体チップ１１をグループ分けすることが、スループットの観点から好ましい。また、制御部７は、上記の方法でグループ化の処理を行うと、半導体チップ１１の数が互いに異なる少なくとも２種類のグループを含むように複数の半導体チップをグループ分けすることができる。さらに、本実施形態では、上述したグループ分けの処理が制御部７によって行われる例について説明したが、それに限られるものではなく、例えば、露光装置１００の外部コンピュータ（情報処理装置）によって行われてもよい。この場合、Ｓ１３の工程では、制御部７は、当該外部コンピュータでグループ分けされた情報を取得することとなる。

上述したように、本実施形態では、転写領域１０に含まれる複数の半導体チップ１１について、マスク８のパターンを分割して転写するためのグループを決定し、決定したグループごとにマスク８のパターンを転写する。これにより、スループットの低下を抑えつつ、マスク８のパターンの重ね合わせ誤差が許容範囲に収まらずに不良品となる半導体チップ１１を低減することができる。

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係るマスクのパターンの転写方法について説明する。第２実施形態では、第１実施形態と比べ、図９のフローチャートにおけるＳ１３の工程が異なり、それ以外の構成および工程は同様である。第２実施形態では、Ｓ１３の工程において、制御部７は、各グループに含まれる半導体チップ１１（部分領域）の数が互いに同じになるように、複数の半導体チップ１１のグループ分けを行う。好ましくは、制御部７は、マスク８のパターンの転写処理を１枚の基板９にわたって行う際に、照明領域のサイズが変わらないようにグループ分けを行う。つまり、各グループに含まれる半導体チップ１１の配置が互いに同じになるようにグループ分けを行う。

制御部７は、Ｓ１２で取得した誤差情報に基づいて、１回の転写処理でマスク８のパターンを転写する半導体チップ１１の数を決定する。具体的には、互いに隣接するｎ個の半導体チップ１１に対して一回の転写動作でマスク８のパターンを転写したときの重ね合わせ誤差を推定し、ｎ個の部分領域の全てについての重ね合わせ誤差が許容範囲に収まる最も大きいｎの値を求める。このように求めたｎの値が、一回の転写動作でマスク８のパターンを転写する半導体チップ１１の数（即ち、各グループに振り分けられる半導体チップ１１の数）となる。制御部７は、求めた数に従って、複数の半導体チップ１１のグループ分けを行う。グループ分けの方法としては、第１実施形態で説明した方法が用いられうる。

第２実施形態によれば、基板９における半導体チップ１１の配列が目標配列に近いほど大きな照明領域でマスク８のパターンが基板上に転写される。そして、半導体チップ１１の配列が目標配列から離れるほど小さな照明領域で、極端な場合には１つの半導体チップ１１ごとにマスク８のパターンが基板上に転写される。これにより、１枚の基板９に対する転写処理では、視野絞りによる照明領域の変更が行われないため、照明領域の変更に要する時間を削減できる。

ここで、上述した第１実施形態および第２実施形態では露光装置１００を用いたため、グループごとに原版（マスク）のパターンを基板上に転写する際には、照明光学系の視野絞りにより照明領域を変更した。露光装置の代わりにインプリント装置を用いる場合には、グループごとに原版（モールド）のパターンを基板上に転写する際に、グループごとにインプリント材の塗布範囲を変更したり、グループごとに原版を交換したりしうる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記の方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

＜その他の実施例＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：射出部、２：照明光学系、３：マスクステージ、４：投影光学系、５：基板ステージ、６：検出部、７：制御部、８：マスク、９：基板、１００：露光装置

Claims (12)

1. 基板における複数の部分領域に転写すべき複数の部分パターンを含む原版のパターンを、前記複数の部分領域に分割して転写するためのグループを決定する決定方法であって、
   前記基板上における前記複数の部分領域間での相対位置の誤差を示す情報を取得する第１工程と、
   前記第１工程で取得された前記情報に基づいて、前記相対位置の誤差が許容範囲内に収まる部分領域同士が、前記原版の部分パターンを一回の転写動作で転写する１つのグループに振り分けられるように、前記複数の部分領域をグループ分けする第２工程と、
   を含むことを特徴とする決定方法。
2. 前記第２工程では、前記相対位置の誤差が許容範囲内に収まらない部分領域同士が互いに異なるグループに振り分けられるように、前記複数の部分領域をグループ分けする、ことを特徴とする請求項１に記載の決定方法。
3. 前記第２工程では、各グループにおける部分領域が前記基板上で連続して配列するように、前記複数の部分領域をグループ分けする、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
4. 前記第２工程で前記複数の部分領域をグループ分けして得られた複数のグループは、部分領域の数が互いに異なる少なくとも２種類のグループを含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の決定方法。
5. 前記第２工程で前記複数の部分領域をグループ分けして得られた複数のグループは、部分領域の数が互いに同じである、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の決定方法。
6. 前記基板は、前記複数の部分領域をそれぞれ有する複数の転写領域を含み、
   前記複数の転写領域の各々について前記第１工程と前記第２工程とが行われる、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の決定方法。
7. 前記基板は、互いに独立した複数のチップが前記複数の部分領域として並べて固定されることにより構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の決定方法。
8. 基板上にパターンを形成する形成方法であって、
   請求項１乃至７のいずれか１項に記載の決定方法を用いて、前記基板における複数の部分領域に転写すべき複数の部分パターンを含む原版のパターンを、前記複数の部分領域に分割して転写するためのグループを決定する決定工程と、
   前記決定工程で決定されたグループごとに前記原版の部分パターンを部分領域に転写する転写工程と、
   を含むことを特徴とする形成方法。
9. 前記転写工程では、前記原版を照明する照明領域を変更することにより、グループごとに前記原版の部分パターンを部分領域に転写する、ことを特徴とする請求項８に記載の形成方法。
10. 請求項８又は９に記載の形成方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、
    前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、を含み、
    加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
11. 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の決定方法の各工程をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
12. 基板における複数の部分領域に転写すべき複数の部分パターンを含む原版のパターンを、前記複数の部分領域に分割して転写するリソグラフィ装置であって、
    前記複数の部分領域への前記原版のパターンの転写を制御する制御部を含み、
    前記制御部は、
    前記基板上における前記複数の部分領域間での相対位置の誤差を示す情報を取得し、
    前記情報に基づいて、前記相対位置の誤差が許容範囲内に収まる部分領域同士が、前記原版の部分パターンを一回の転写動作で転写する１つのグループに振り分けられるように、前記複数の部分領域をグループ分けし、
    グループごとに前記原版の部分パターンを部分領域に転写する、ことを特徴とするリソグラフィ装置。

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