JP2002350128A - 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 - Google Patents
立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法Info
- Publication number
- JP2002350128A JP2002350128A JP2001162587A JP2001162587A JP2002350128A JP 2002350128 A JP2002350128 A JP 2002350128A JP 2001162587 A JP2001162587 A JP 2001162587A JP 2001162587 A JP2001162587 A JP 2001162587A JP 2002350128 A JP2002350128 A JP 2002350128A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measured
- measurement
- dimensional shape
- probe
- measuring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
- G01Q30/02—Non-SPM analysing devices, e.g. SEM [Scanning Electron Microscope], spectrometer or optical microscope
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
- G01B11/2441—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures using interferometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/20—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring contours or curvatures, e.g. determining profile
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/868—Scanning probe structure with optical means
Abstract
(57)【要約】
【課題】 計測対象表面を汚染したり傷つけることな
く、高精度な表面形状計測を行う。これにより被計測物
のマーク形成部の表層膜形成後の位置検出オフセット値
を効率よく検出し、高速、高精度な位置合わせを行う。 【解決手段】 被計測物の表面の立体形状を計測する際
に、光計測プロファイラ（例えば、ミラウ干渉計方式）
等の接触する可能性のない第１の計測手段により被計測
物に対して非接触に計測を行い、第１の計測手段で計測
した結果を考慮して、ＡＦＭ、触針式プロファイラ等の
接触する可能性のある第２の計測手段により再度計測す
る。第２の計測手段の計測動作を制御する動作制御手段
は、第１の計測手段による計測結果に基づいて、プロー
ブやスタイラスが被計測物表面に強く接触しないように
しながら被計測物の表面を走査させる。
く、高精度な表面形状計測を行う。これにより被計測物
のマーク形成部の表層膜形成後の位置検出オフセット値
を効率よく検出し、高速、高精度な位置合わせを行う。 【解決手段】 被計測物の表面の立体形状を計測する際
に、光計測プロファイラ（例えば、ミラウ干渉計方式）
等の接触する可能性のない第１の計測手段により被計測
物に対して非接触に計測を行い、第１の計測手段で計測
した結果を考慮して、ＡＦＭ、触針式プロファイラ等の
接触する可能性のある第２の計測手段により再度計測す
る。第２の計測手段の計測動作を制御する動作制御手段
は、第１の計測手段による計測結果に基づいて、プロー
ブやスタイラスが被計測物表面に強く接触しないように
しながら被計測物の表面を走査させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプロファイラ［ｐｒ
ｏｆｉｌｅｒ］と呼ばれている立体形状計測装置および
立体形状計測方法に関するものである。特に、半導体製
造においてＣＭＰ工程（化学的機械的平坦化工程）のプ
ロセス管理に使用されているＡＦＭ（原子間力顕微鏡）
に関するものである。また、本発明は、上記立体形状計
測系を位置合わせマーク等のオフセット検出に適用した
オフセットアナライザに関するものである。
ｏｆｉｌｅｒ］と呼ばれている立体形状計測装置および
立体形状計測方法に関するものである。特に、半導体製
造においてＣＭＰ工程（化学的機械的平坦化工程）のプ
ロセス管理に使用されているＡＦＭ（原子間力顕微鏡）
に関するものである。また、本発明は、上記立体形状計
測系を位置合わせマーク等のオフセット検出に適用した
オフセットアナライザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造用の投影露光装置において
は、集積回路の微細化、高密度化に伴いレチクル面上の
回路パターンをウエハ面上に、より高い解像力で投影露
光できることが要求されている。回路パターンの投影解
像力は、投影光学系の開口数（ＮＡ）と露光波長（λ）
に依存するので、露光波長を固定にして投影光学系のＮ
Ａを大きくする方法が製品に適用されてきており、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ発振波長である２４８ｎｍを使用した
例においてＮＡ０．６以上の露光装置が既に製品化され
ている。この高ＮＡ化に伴い、光学深度はＮＡの二乗分
の一で減少するので、この問題を解決する為に平坦化技
術であるＣＭＰ工程が導入されている。
は、集積回路の微細化、高密度化に伴いレチクル面上の
回路パターンをウエハ面上に、より高い解像力で投影露
光できることが要求されている。回路パターンの投影解
像力は、投影光学系の開口数（ＮＡ）と露光波長（λ）
に依存するので、露光波長を固定にして投影光学系のＮ
Ａを大きくする方法が製品に適用されてきており、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ発振波長である２４８ｎｍを使用した
例においてＮＡ０．６以上の露光装置が既に製品化され
ている。この高ＮＡ化に伴い、光学深度はＮＡの二乗分
の一で減少するので、この問題を解決する為に平坦化技
術であるＣＭＰ工程が導入されている。
【０００３】図１にＣＭＰ工程の一例としてメタルＣＭ
Ｐの処理工程と平坦化したウエハの構成を示す。同図に
示すメタルＣＭＰでは、第１工程で表面のＳｉＯ2 がエ
ッチングされたウエハは、表面にタングステンを堆積さ
れ（第２工程）、ＣＭＰ処理によりタングステンの不要
な部分が除かれ（第３工程）、その上にＡｌ／Ｓｉ／Ｃ
ｕが堆積され（第４工程）、最後にＴｉＮが堆積される
（第５工程）。
Ｐの処理工程と平坦化したウエハの構成を示す。同図に
示すメタルＣＭＰでは、第１工程で表面のＳｉＯ2 がエ
ッチングされたウエハは、表面にタングステンを堆積さ
れ（第２工程）、ＣＭＰ処理によりタングステンの不要
な部分が除かれ（第３工程）、その上にＡｌ／Ｓｉ／Ｃ
ｕが堆積され（第４工程）、最後にＴｉＮが堆積される
（第５工程）。
【０００４】ＣＭＰの平坦化プロセスにおいて、特に図
１に示すようなメタルＣＭＰでは、装置要因誤差により
最適条件を維持することが難しく、頻繁にＣＭＰ後のウ
エハのパターン形状を計測して均一となるよう、ＣＭＰ
装置のパラメータ等を管理する必要が生じている。
１に示すようなメタルＣＭＰでは、装置要因誤差により
最適条件を維持することが難しく、頻繁にＣＭＰ後のウ
エハのパターン形状を計測して均一となるよう、ＣＭＰ
装置のパラメータ等を管理する必要が生じている。
【０００５】この誤差の影響例としては、例えば半導体
露光装置におけるアライメント精度の劣化が挙げられ
る。つまり使用するアライメントマークの構造がＣＭＰ
工程により非対称となり、グローバルアライメントにお
いて、図２に示される回転エラーや図３に示される倍率
エラーが発生し、精度の低下という問題が生じる要因と
なっている。
露光装置におけるアライメント精度の劣化が挙げられ
る。つまり使用するアライメントマークの構造がＣＭＰ
工程により非対称となり、グローバルアライメントにお
いて、図２に示される回転エラーや図３に示される倍率
エラーが発生し、精度の低下という問題が生じる要因と
なっている。
【０００６】図４に実際のアライメントマークの上をＡ
ＦＭで計測したデータを示す。このデータは、アライメ
ントマークの上にレジストを塗布したもので、アライメ
ントマークの構造は図１に示したメタルＣＭＰと呼ばれ
ているものである。図４から判るように、ウエハＷの左
右のショット（ｐａｔｔｅｒｎＡ，Ｃ）と真中のショッ
ト（ｐａｔｔｅｒｎＢ）でのアライメントマーク上のレ
ジスト形状を比較すると、真中のショットでの表面形状
は対称であるが、左右のショットの表面形状は非対称
で、その非対称性が左右で反転していることが判る。こ
の非対称性が左右で反転しているので、グローバルアラ
イメントを行うと図２で示した様な回転エラーとなる。
ＦＭで計測したデータを示す。このデータは、アライメ
ントマークの上にレジストを塗布したもので、アライメ
ントマークの構造は図１に示したメタルＣＭＰと呼ばれ
ているものである。図４から判るように、ウエハＷの左
右のショット（ｐａｔｔｅｒｎＡ，Ｃ）と真中のショッ
ト（ｐａｔｔｅｒｎＢ）でのアライメントマーク上のレ
ジスト形状を比較すると、真中のショットでの表面形状
は対称であるが、左右のショットの表面形状は非対称
で、その非対称性が左右で反転していることが判る。こ
の非対称性が左右で反転しているので、グローバルアラ
イメントを行うと図２で示した様な回転エラーとなる。
【０００７】この為、ＡＦＭ等のプロファイラによりＣ
ＭＰ後のマークについてレジスト形状が対称となってい
るか計測して、ＣＭＰのプロセス管理を行うことが、ア
ライメントの高精度維持の為に必要である。また、前述
のパターンの対称性以外に、プラナリティー［Ｐｌａｎ
ａｒｉｔｙ］、オーバー／アンダーエッチング、ダイシ
ング［Ｄｉｓｈｉｎｇ］、酸素腐食［Ｏｘｉｄｅ Ｅｒ
ｏｓｉｏｎ］と呼んでいる特性についても、同様に管理
する必要がある。
ＭＰ後のマークについてレジスト形状が対称となってい
るか計測して、ＣＭＰのプロセス管理を行うことが、ア
ライメントの高精度維持の為に必要である。また、前述
のパターンの対称性以外に、プラナリティー［Ｐｌａｎ
ａｒｉｔｙ］、オーバー／アンダーエッチング、ダイシ
ング［Ｄｉｓｈｉｎｇ］、酸素腐食［Ｏｘｉｄｅ Ｅｒ
ｏｓｉｏｎ］と呼んでいる特性についても、同様に管理
する必要がある。
【０００８】このＣＭＰのプロセス管理に使用する立体
形状計測手段（プロファイラ）は、非光学的なものと光
学的なものとに二分できる。非光学的なものとしてＡＦ
Ｍと触針式プロファイラ、光学的なものとして干渉計を
使用したプロファイラについて、具体的な例を挙げて説
明を以下に行う。
形状計測手段（プロファイラ）は、非光学的なものと光
学的なものとに二分できる。非光学的なものとしてＡＦ
Ｍと触針式プロファイラ、光学的なものとして干渉計を
使用したプロファイラについて、具体的な例を挙げて説
明を以下に行う。
【０００９】ＡＦＭとしては、ＣＤ（クリティカルディ
メンション）の測定、例えば線幅、ピッチと深さ、側壁
角度、ラフネス等を計測することをターゲットとして開
発された、デジタルインストルメント［Ｄｉｇｉｔａｌ
Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ］社製、ディメンジョン・メト
ロロジーＡＦＭが挙げられる。この装置構成を図５に示
す。同図に示すように垂直方向の検出原理は、探針（プ
ローブ９）の先端（半径５〜２０ｎｍ）を被計測物表面
に、原子間力の働く位置まで近づけて、そのプローブ９
の位置を光センサ１０（垂直分解能０．８ｎｍ）で検出
するもので、水平方向には最大７０μｍの範囲でピエゾ
圧電素子により駆動（水平分解能１ｎｍ）して、被計測
物の立体形状計測を可能としている。
メンション）の測定、例えば線幅、ピッチと深さ、側壁
角度、ラフネス等を計測することをターゲットとして開
発された、デジタルインストルメント［Ｄｉｇｉｔａｌ
Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ］社製、ディメンジョン・メト
ロロジーＡＦＭが挙げられる。この装置構成を図５に示
す。同図に示すように垂直方向の検出原理は、探針（プ
ローブ９）の先端（半径５〜２０ｎｍ）を被計測物表面
に、原子間力の働く位置まで近づけて、そのプローブ９
の位置を光センサ１０（垂直分解能０．８ｎｍ）で検出
するもので、水平方向には最大７０μｍの範囲でピエゾ
圧電素子により駆動（水平分解能１ｎｍ）して、被計測
物の立体形状計測を可能としている。
【００１０】計測モードとしては、接触式でも非接触式
でもない、タッピングモードと呼んでいる、プローブ９
を２００〜４００Ｋｈｚの共振周波数で振動させて計測
するモードが有効である。
でもない、タッピングモードと呼んでいる、プローブ９
を２００〜４００Ｋｈｚの共振周波数で振動させて計測
するモードが有効である。
【００１１】触針式プロファイラとしては、３００ｍｍ
ウエハ全域の計測可能な、ＫＬＡ−テンコール［ＫＬＡ
−Ｔｅｎｃｏｒ］社製、ＨＲＰ２４０ＥＴＣＨ（ＨＲ
Ｐ：高分解プロファイラ）が挙げられる。この装置構成
を図６に示す。同図に示される垂直方向の検出原理は、
ＡＦＭでのプローブと同じ働きをするスタイラス１３の
先端（半径２０〜４０ｎｍ）により、被計測物表面を超
低針圧でなぞり、そのスタイラス１３の位置を、静電容
量センサ１４（垂直分解能０．０２ｎｍ）で検出するも
ので、水平方向に最大９０μｍのミクロな領域をピエゾ
圧電素子で駆動（水平分解能１ｎｍ）するステージ（不
図示）と、最大３００ｍｍのマクロな領域を測定するモ
ータ駆動ステージ（不図示）と、の２つのステージを組
み合わせて使用することで立体形状計測を可能としてい
る。
ウエハ全域の計測可能な、ＫＬＡ−テンコール［ＫＬＡ
−Ｔｅｎｃｏｒ］社製、ＨＲＰ２４０ＥＴＣＨ（ＨＲ
Ｐ：高分解プロファイラ）が挙げられる。この装置構成
を図６に示す。同図に示される垂直方向の検出原理は、
ＡＦＭでのプローブと同じ働きをするスタイラス１３の
先端（半径２０〜４０ｎｍ）により、被計測物表面を超
低針圧でなぞり、そのスタイラス１３の位置を、静電容
量センサ１４（垂直分解能０．０２ｎｍ）で検出するも
ので、水平方向に最大９０μｍのミクロな領域をピエゾ
圧電素子で駆動（水平分解能１ｎｍ）するステージ（不
図示）と、最大３００ｍｍのマクロな領域を測定するモ
ータ駆動ステージ（不図示）と、の２つのステージを組
み合わせて使用することで立体形状計測を可能としてい
る。
【００１２】さらにディッピングモードと呼んでいる、
計測地点でサンプルに上からスタイラス１３を降ろして
きて所定の針圧まで接触し、計測後スタイラス１３を上
部に上げ、計測方向にスタイラス１３を移動させその後
再度スタイラス１３を降ろすモードもあり、このモード
で、高アスペクト比のサンプルの計測を可能としてい
る。
計測地点でサンプルに上からスタイラス１３を降ろして
きて所定の針圧まで接触し、計測後スタイラス１３を上
部に上げ、計測方向にスタイラス１３を移動させその後
再度スタイラス１３を降ろすモードもあり、このモード
で、高アスペクト比のサンプルの計測を可能としてい
る。
【００１３】光学式で非接触検出のプロファイラとし
て、色々な光学方式のものがあるが、その中のひとつと
して、３次元表面構造解析顕微鏡である、ツァイゴ［Ｚ
ｙｇｏ］社製のニュービュー［ＮｅｗＶｉｅｗ］を挙げ
るとする。この顕微鏡の検出原理は、図７および８に示
すようなミラウ［Ｍｉｒｏｕ］干渉計方式である。同図
に示すように、干渉計型対物レンズ７の内部には、参照
光を作るハーフミラー１１と内部参照鏡１２を構成す
る。この参照光と被計測物表面からの反射光とをビーム
スプリッタ５で取り出し、被計測物表面と光学的な共役
面に置いた受光素子（ＣＣＤカメラ８）上で、干渉像を
作成する。この装置では光源４として白色光源であるハ
ロゲンランプを使用し白色干渉像を撮像しているが、波
長フィルターを加えることで単色照明として、位相測定
も可能としている。垂直方向の検出には、対物レンズ７
を垂直走査駆動部６のピエゾ圧電素子により駆動し、そ
の駆動位置を静電容量センサ（不図示）により、クロー
ズドループにより制御することと、複数のフォーカス面
での干渉像をコンピュータ内に取りこみ、ツァイゴ社独
自に開発した、ＦＤＡ［Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｏｍａ
ｉｎ Ａｎａｌｙｓｉｓ］と呼んでいる、高速フーリエ
変換（ＦＦＴ）を使用した周波数領域解析の処理によ
り、垂直分解能０．１ｎｍで、高さデータに変換してい
る。光学系の、被計測物からＣＣＤカメラ８までの結像
倍率と、ＣＣＤカメラ８の画素ピッチで、水平分解能
（最高０．１μｍ／ｐｉｘｅｌ）と水平方向の検出範囲
は決定される。
て、色々な光学方式のものがあるが、その中のひとつと
して、３次元表面構造解析顕微鏡である、ツァイゴ［Ｚ
ｙｇｏ］社製のニュービュー［ＮｅｗＶｉｅｗ］を挙げ
るとする。この顕微鏡の検出原理は、図７および８に示
すようなミラウ［Ｍｉｒｏｕ］干渉計方式である。同図
に示すように、干渉計型対物レンズ７の内部には、参照
光を作るハーフミラー１１と内部参照鏡１２を構成す
る。この参照光と被計測物表面からの反射光とをビーム
スプリッタ５で取り出し、被計測物表面と光学的な共役
面に置いた受光素子（ＣＣＤカメラ８）上で、干渉像を
作成する。この装置では光源４として白色光源であるハ
ロゲンランプを使用し白色干渉像を撮像しているが、波
長フィルターを加えることで単色照明として、位相測定
も可能としている。垂直方向の検出には、対物レンズ７
を垂直走査駆動部６のピエゾ圧電素子により駆動し、そ
の駆動位置を静電容量センサ（不図示）により、クロー
ズドループにより制御することと、複数のフォーカス面
での干渉像をコンピュータ内に取りこみ、ツァイゴ社独
自に開発した、ＦＤＡ［Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｏｍａ
ｉｎ Ａｎａｌｙｓｉｓ］と呼んでいる、高速フーリエ
変換（ＦＦＴ）を使用した周波数領域解析の処理によ
り、垂直分解能０．１ｎｍで、高さデータに変換してい
る。光学系の、被計測物からＣＣＤカメラ８までの結像
倍率と、ＣＣＤカメラ８の画素ピッチで、水平分解能
（最高０．１μｍ／ｐｉｘｅｌ）と水平方向の検出範囲
は決定される。
【００１４】ＣＭＰのプロセス管理においては、使用す
るプロファイラは、ＡＦＭや触針式プロファイラ等の非
光学的なものでも光学的なものでも、精度的な仕様を満
たすものであればその方式は何ら問題はない。ただ水平
方向の分解能を優先すると、ＡＦＭや触針式といった光
を使用しないプロファイラが有利である。
るプロファイラは、ＡＦＭや触針式プロファイラ等の非
光学的なものでも光学的なものでも、精度的な仕様を満
たすものであればその方式は何ら問題はない。ただ水平
方向の分解能を優先すると、ＡＦＭや触針式といった光
を使用しないプロファイラが有利である。
【００１５】この理由は、光計測プロファイラにおいて
は、水平方向の分解能がその光学条件（ＮＡ、λ等）で
決まる為、１００ｎｍ以下の分解能を得る事ができない
為である。一方、例えばＡＦＭの実際にサンプル（＝被
計測物）に接触する可能性のあるプローブの先端形状
は、半径５〜２０ｎｍであり、明らかに光学式のものに
比べて水平分解能に優れているといえる。
は、水平方向の分解能がその光学条件（ＮＡ、λ等）で
決まる為、１００ｎｍ以下の分解能を得る事ができない
為である。一方、例えばＡＦＭの実際にサンプル（＝被
計測物）に接触する可能性のあるプローブの先端形状
は、半径５〜２０ｎｍであり、明らかに光学式のものに
比べて水平分解能に優れているといえる。
【００１６】以上の理由により、現状では水平方向を最
も高い分解能で計測し、高精度でＣＭＰ等のプロセス管
理を行う為に使用するプロファイラとして、ＡＦＭや触
針式といった非光学的なプロファイラを使用しているの
が現状である。
も高い分解能で計測し、高精度でＣＭＰ等のプロセス管
理を行う為に使用するプロファイラとして、ＡＦＭや触
針式といった非光学的なプロファイラを使用しているの
が現状である。
【００１７】また、上で述べた集積回路の微細化や高密
度化に伴う、レチクルとウエハとの正確な位置合わせの
要求等に対応するため、特開２０００−２２８３５６号
公報では、物体のマーク形成部の表層膜形成後の位置検
出オフセット値をＡＦＭ等の表面形状計測系により算出
し、このオフセット値を用いて膜を形成されたマークの
位置検出を行う方法を開示している。
度化に伴う、レチクルとウエハとの正確な位置合わせの
要求等に対応するため、特開２０００−２２８３５６号
公報では、物体のマーク形成部の表層膜形成後の位置検
出オフセット値をＡＦＭ等の表面形状計測系により算出
し、このオフセット値を用いて膜を形成されたマークの
位置検出を行う方法を開示している。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、水平方
向の分解能を優先する為にＡＦＭや触針式プロファイラ
を使用すると、ウエハ面への汚染の可能性があることが
判明した。この原因は、ＡＦＭや触針式プロファイラに
おいては、計測値として使用しない場合に、その計測す
る為のプローブが、ウエハ表面に強く接触する場合があ
るからである。
向の分解能を優先する為にＡＦＭや触針式プロファイラ
を使用すると、ウエハ面への汚染の可能性があることが
判明した。この原因は、ＡＦＭや触針式プロファイラに
おいては、計測値として使用しない場合に、その計測す
る為のプローブが、ウエハ表面に強く接触する場合があ
るからである。
【００１９】例えば、ＡＦＭにおいては、その名の通り
原子間力を計測値としている訳であるが、図９に示すよ
うに、ウエハのアライメントマークの凹凸形状に起因し
て、今の計測している地点から、次の計測地点におい
て、ＡＦＭとウエハ間が近くになると、１回ＡＦＭのプ
ローブは、ウエハ表面に強く接触してしまい、予め設定
した原子間力を発生しないので、それから原子間力とな
る距離に離して、計測値とする。アライメントマークの
形状にもよることであるが、原子間力を発生する距離以
上の変化は多々あるので、実際には、プローブが計測表
面に強く接触することはよくあり、このことでプローブ
の形状が変形すれば、計測値が変化する。これがプロー
ブの寿命を決める一因であり、プローブ先端形状が微細
なほどこの寿命は短い。
原子間力を計測値としている訳であるが、図９に示すよ
うに、ウエハのアライメントマークの凹凸形状に起因し
て、今の計測している地点から、次の計測地点におい
て、ＡＦＭとウエハ間が近くになると、１回ＡＦＭのプ
ローブは、ウエハ表面に強く接触してしまい、予め設定
した原子間力を発生しないので、それから原子間力とな
る距離に離して、計測値とする。アライメントマークの
形状にもよることであるが、原子間力を発生する距離以
上の変化は多々あるので、実際には、プローブが計測表
面に強く接触することはよくあり、このことでプローブ
の形状が変形すれば、計測値が変化する。これがプロー
ブの寿命を決める一因であり、プローブ先端形状が微細
なほどこの寿命は短い。
【００２０】ここで、プローブの材質はシリコン系のも
のであるが、これがＣＭＰプロセス管理用ウエハに強く
接触するので、汚染の可能性を否定できない。また、レ
ジスト表面を計測する場合には、レジストは、シリコン
に比較すると柔らかいので、プローブが強く接触すると
表面を傷つけてしまう可能性もある。
のであるが、これがＣＭＰプロセス管理用ウエハに強く
接触するので、汚染の可能性を否定できない。また、レ
ジスト表面を計測する場合には、レジストは、シリコン
に比較すると柔らかいので、プローブが強く接触すると
表面を傷つけてしまう可能性もある。
【００２１】この為、現状のＣＭＰプロセス管理におい
て、ＡＦＭ等で計測したウエハは汚染の可能性がある
為、計測後、元のプロセスラインに戻らずに廃却されて
いる。また、たとえ計測後洗浄により綺麗にして汚染を
完全に解消できるとしても、洗浄している時間が半導体
デバイス製造全体のスループット低下の原因となるとい
う問題もある。
て、ＡＦＭ等で計測したウエハは汚染の可能性がある
為、計測後、元のプロセスラインに戻らずに廃却されて
いる。また、たとえ計測後洗浄により綺麗にして汚染を
完全に解消できるとしても、洗浄している時間が半導体
デバイス製造全体のスループット低下の原因となるとい
う問題もある。
【００２２】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決し、計測対象表面を汚染したり傷つけることなく、高
精度な表面形状計測を行うことにある。また、本発明の
更なる目的は、被計測物のマーク形成部の表層膜形成後
の位置検出オフセット値を効率よく検出し、高速、高精
度な位置合わせを行うことにある。
決し、計測対象表面を汚染したり傷つけることなく、高
精度な表面形状計測を行うことにある。また、本発明の
更なる目的は、被計測物のマーク形成部の表層膜形成後
の位置検出オフセット値を効率よく検出し、高速、高精
度な位置合わせを行うことにある。
【００２３】なお、本明細書において、ＡＦＭや触針式
のプロファイラを接触の可能性のあるプロファイラと表
現し、光プロファイラの様な完全に非接触計測の方式の
ものを接触の可能性の無いプロファイラと表現するもの
とする。
のプロファイラを接触の可能性のあるプロファイラと表
現し、光プロファイラの様な完全に非接触計測の方式の
ものを接触の可能性の無いプロファイラと表現するもの
とする。
【００２４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の立体形状計測装置および方法は、被計測物
の表面の立体形状を計測する際に、光計測プロファイラ
（例えば、ミラウ干渉計方式）等の接触する可能性のな
い第１の計測手段により被計測物の表面に対して非接触
に計測を行い、第１の計測手段で計測した結果を考慮し
て、ＡＦＭ、触針式プロファイラ等の接触する可能性の
ある第２の計測手段により再度計測することを特徴とす
る。このため本発明の立体形状計測装置は、第２の計測
手段の計測動作を制御する動作制御手段を有する。
め、本発明の立体形状計測装置および方法は、被計測物
の表面の立体形状を計測する際に、光計測プロファイラ
（例えば、ミラウ干渉計方式）等の接触する可能性のな
い第１の計測手段により被計測物の表面に対して非接触
に計測を行い、第１の計測手段で計測した結果を考慮し
て、ＡＦＭ、触針式プロファイラ等の接触する可能性の
ある第２の計測手段により再度計測することを特徴とす
る。このため本発明の立体形状計測装置は、第２の計測
手段の計測動作を制御する動作制御手段を有する。
【００２５】本発明における第１の計測手段として上述
したミラウ干渉計方式の光計測プロファイラを用いる場
合、被計測物の表面に向けて観察光を照射し、被計測物
に反射する前の観察光の一部を参照光としてハーフミラ
ーで取り出し、被計測物の表面から反射した反射光と参
照光との干渉像をＣＣＤカメラのような受光素子により
撮像することにより、被計測物の表面の高さを計測す
る。
したミラウ干渉計方式の光計測プロファイラを用いる場
合、被計測物の表面に向けて観察光を照射し、被計測物
に反射する前の観察光の一部を参照光としてハーフミラ
ーで取り出し、被計測物の表面から反射した反射光と参
照光との干渉像をＣＣＤカメラのような受光素子により
撮像することにより、被計測物の表面の高さを計測す
る。
【００２６】また、第２の計測手段として上述したＡＦ
Ｍを用いる場合、第１の計測手段による計測結果に基づ
いて、原子間力顕微鏡における被計測物の表面の高さを
検知するための探針（プローブ）先端と被計測物の表面
との相対位置合わせを行い、プローブ先端が被計測物の
表面に接触しないように被計測物の表面上を走査し、プ
ローブに原子間力の働く位置においてプローブの高さを
検出する。
Ｍを用いる場合、第１の計測手段による計測結果に基づ
いて、原子間力顕微鏡における被計測物の表面の高さを
検知するための探針（プローブ）先端と被計測物の表面
との相対位置合わせを行い、プローブ先端が被計測物の
表面に接触しないように被計測物の表面上を走査し、プ
ローブに原子間力の働く位置においてプローブの高さを
検出する。
【００２７】一方、第２の計測手段として上述した触針
式プロファイラを用いる場合、第１の計測手段による計
測結果に基づいて、触針式プロファイラにおける被計測
物の表面の高さを検知するための探針（スタイラス）先
端と被計測物の表面との相対位置合わせを行い、スタイ
ラス先端が被計測物の表面に接触する針圧が５０ｎＮを
超えないように被計測物の表面を走査し、被計測物の表
面に接触したときのスタイラスの高さを検出する。
式プロファイラを用いる場合、第１の計測手段による計
測結果に基づいて、触針式プロファイラにおける被計測
物の表面の高さを検知するための探針（スタイラス）先
端と被計測物の表面との相対位置合わせを行い、スタイ
ラス先端が被計測物の表面に接触する針圧が５０ｎＮを
超えないように被計測物の表面を走査し、被計測物の表
面に接触したときのスタイラスの高さを検出する。
【００２８】さらに、本発明において、第１の計測手段
の計測結果から得られる被計測物の表面の段差や凹凸の
有無に応じて、プローブまたはスタイラスの表面走査速
度を調節することが好ましい。具体的には、第１の計測
手段による計測結果を考慮し、表面が平坦である領域
は、プローブまたはスタイラスの走査速度を速くし、段
差や凹凸のある領域、特に、半導体ウエハにおいてはア
ライメントマークの形成領域は、走査速度を遅くする。
の計測結果から得られる被計測物の表面の段差や凹凸の
有無に応じて、プローブまたはスタイラスの表面走査速
度を調節することが好ましい。具体的には、第１の計測
手段による計測結果を考慮し、表面が平坦である領域
は、プローブまたはスタイラスの走査速度を速くし、段
差や凹凸のある領域、特に、半導体ウエハにおいてはア
ライメントマークの形成領域は、走査速度を遅くする。
【００２９】さらに、本発明において、被計測物の表面
走査を行う際に、プローブまたはスタイラスを上下に振
動させながら原子間力の働く位置または被計測物の表面
に接触する位置を検出する、つまり上述のタッピングモ
ードまたはディッピングモードで動作することが好まし
い。
走査を行う際に、プローブまたはスタイラスを上下に振
動させながら原子間力の働く位置または被計測物の表面
に接触する位置を検出する、つまり上述のタッピングモ
ードまたはディッピングモードで動作することが好まし
い。
【００３０】本発明の位置合わせ方法は、第１物体上の
パターンをレジストを塗布した第２物体上に転写する際
に、位置合わせ検出系により第１物体と第２物体との相
対位置合わせを実行する際に、上述した本発明の立体形
状計測装置を用いて第２物体上のアライメントマーク形
成部のレジスト塗布後のアライメントオフセット値を得
て、相対位置合わせにアライメントオフセット値を用い
ることを特徴とする。この方法によれば、前述のＣＭＰ
プロセス管理におけるＡＦＭや触針式プロファイラとい
った接触の可能性のあるプロファイラ使用時のウエハ面
への汚染の可能性を解消することが可能となる。
パターンをレジストを塗布した第２物体上に転写する際
に、位置合わせ検出系により第１物体と第２物体との相
対位置合わせを実行する際に、上述した本発明の立体形
状計測装置を用いて第２物体上のアライメントマーク形
成部のレジスト塗布後のアライメントオフセット値を得
て、相対位置合わせにアライメントオフセット値を用い
ることを特徴とする。この方法によれば、前述のＣＭＰ
プロセス管理におけるＡＦＭや触針式プロファイラとい
った接触の可能性のあるプロファイラ使用時のウエハ面
への汚染の可能性を解消することが可能となる。
【００３１】
【発明の実施の形態】（実施形態１）以下に図面を使用
して本発明の詳細な説明を行う。図１０は本発明による
立体形状計測系の一実施形態を示す。同図中ＮＣＰは接
触の可能性の無いプロファイラで、図７，８に示すよう
なミラウ干渉を使用した光計測プロファイラである。Ｃ
Ｐは接触可能性のあるプロファイラで、図５に示したＡ
ＦＭと同様の構成である。
して本発明の詳細な説明を行う。図１０は本発明による
立体形状計測系の一実施形態を示す。同図中ＮＣＰは接
触の可能性の無いプロファイラで、図７，８に示すよう
なミラウ干渉を使用した光計測プロファイラである。Ｃ
Ｐは接触可能性のあるプロファイラで、図５に示したＡ
ＦＭと同様の構成である。
【００３２】次に、本実施形態の立体形状計測系による
計測順に関して説明を行う。本実施形態の立体形状計測
系に搬送され、Ｚチルト、θステージを含むＸＹ方向の
干渉計を具備するＸＹステージ３上のウエハチャック２
に載置されたＣＭＰウエハ１は、まず表面形状へ接触の
可能性の無いプロファイラＮＣＰで計測される。
計測順に関して説明を行う。本実施形態の立体形状計測
系に搬送され、Ｚチルト、θステージを含むＸＹ方向の
干渉計を具備するＸＹステージ３上のウエハチャック２
に載置されたＣＭＰウエハ１は、まず表面形状へ接触の
可能性の無いプロファイラＮＣＰで計測される。
【００３３】次に、ＣＭＰウエハ１は表面形状へ接触の
可能性の有るプロファイラＣＰで計測される。すなわ
ち、ＸＹステージ３によりプローブ９でウエハ１表面を
所定の方向に走査しながら、プローブ９に原子間力の働
く高さにおいてプローブ９の高さを光センサ１０により
検出する。このとき、表面が平坦である領域は、プロー
ブ９の走査速度を速くし、段差部分にさしかかった時に
走査速度を遅くすることにより、計測時間を短縮すると
ともに重要部分の解像度を向上させている。プローブ９
は、高速で上下に振動させながら原子間力の働く高さを
探査するので、走査速度を遅くすることで水平方向の分
解能を上げることができる。
可能性の有るプロファイラＣＰで計測される。すなわ
ち、ＸＹステージ３によりプローブ９でウエハ１表面を
所定の方向に走査しながら、プローブ９に原子間力の働
く高さにおいてプローブ９の高さを光センサ１０により
検出する。このとき、表面が平坦である領域は、プロー
ブ９の走査速度を速くし、段差部分にさしかかった時に
走査速度を遅くすることにより、計測時間を短縮すると
ともに重要部分の解像度を向上させている。プローブ９
は、高速で上下に振動させながら原子間力の働く高さを
探査するので、走査速度を遅くすることで水平方向の分
解能を上げることができる。
【００３４】また、このとき既に、表面形状へ接触の可
能性の無いプロファイラＮＣＰにより、ＣＭＰウエハ１
の表面形状情報は、（水平方向の分解能は落ちるが）判
明している為、この情報の元に表面形状へ接触の可能性
の有るプロファイラＣＰであるＡＦＭのプローブの初期
値（ＣＭＰウエハ１とプローブ９の距離）を設定する。
能性の無いプロファイラＮＣＰにより、ＣＭＰウエハ１
の表面形状情報は、（水平方向の分解能は落ちるが）判
明している為、この情報の元に表面形状へ接触の可能性
の有るプロファイラＣＰであるＡＦＭのプローブの初期
値（ＣＭＰウエハ１とプローブ９の距離）を設定する。
【００３５】このことで、前述した図５に示したよう
に、被計測物表面が急峻に変化して、ＣＭＰウエハ１と
プローブ９の距離が、近くに寄る場合にも、最初から所
定の原子間力となる距離にプローブ９を設定するよう制
御可能となり、計測物であるＣＭＰウエハ１へ、不要な
強い力で接触するのを防ぐことができ、そのことで、ウ
エハ１への汚染を防ぐことができる。また、強い接触を
回避する為にプローブ９の時間的な形状変化も少なくな
り、立体形状計測の経時変化もなくなるので、より高精
度な計測が可能となり、プローブ９の使用寿命を延ばす
効果が発生する。
に、被計測物表面が急峻に変化して、ＣＭＰウエハ１と
プローブ９の距離が、近くに寄る場合にも、最初から所
定の原子間力となる距離にプローブ９を設定するよう制
御可能となり、計測物であるＣＭＰウエハ１へ、不要な
強い力で接触するのを防ぐことができ、そのことで、ウ
エハ１への汚染を防ぐことができる。また、強い接触を
回避する為にプローブ９の時間的な形状変化も少なくな
り、立体形状計測の経時変化もなくなるので、より高精
度な計測が可能となり、プローブ９の使用寿命を延ばす
効果が発生する。
【００３６】以上説明してきたように、立体形状計測系
として、表面形状へ接触の可能性の無いプロファイラＮ
ＣＰと表面形状へ接触の可能性の有るプロファイラＣＰ
の両方を構成し、まず表面形状へ接触の可能性の無いプ
ロファイラＮＣＰで計測し、次に、その情報をもとに接
触の可能性の有るプロファイラＣＰで計測する事で、Ｃ
ＭＰウエハ１への汚染の可能性を防ぎ、水平方向に対し
て高分解能な計測が可能となり、ＣＭＰ等の平坦化プロ
セスの管理を高精度に行うことが可能となる。
として、表面形状へ接触の可能性の無いプロファイラＮ
ＣＰと表面形状へ接触の可能性の有るプロファイラＣＰ
の両方を構成し、まず表面形状へ接触の可能性の無いプ
ロファイラＮＣＰで計測し、次に、その情報をもとに接
触の可能性の有るプロファイラＣＰで計測する事で、Ｃ
ＭＰウエハ１への汚染の可能性を防ぎ、水平方向に対し
て高分解能な計測が可能となり、ＣＭＰ等の平坦化プロ
セスの管理を高精度に行うことが可能となる。
【００３７】（他の実施形態）図１０に示した様に、本
発明の一形態に係る立体形状計測系として、接触の可能
性の無いプロファイラＮＣＰ（ミラウ干渉を使用した光
計測プロファイラ）と接触の可能性のあるプロファイラ
ＣＰ（ＡＦＭ）の両方を構成していた。しかしながら、
この接触の可能性の無いプロファイラＮＣＰと接触の可
能性のあるプロファイラＣＰの両方を同一な装置として
構成せずに、別の構成として、接触の可能性の無いプロ
ファイラＮＣＰでの計測結果を、接触の可能性のあるプ
ロファイラＣＰで計測する時にネットワークや、ＦＤ等
のオフラインで情報伝達することでも本発明の目的は達
成される。
発明の一形態に係る立体形状計測系として、接触の可能
性の無いプロファイラＮＣＰ（ミラウ干渉を使用した光
計測プロファイラ）と接触の可能性のあるプロファイラ
ＣＰ（ＡＦＭ）の両方を構成していた。しかしながら、
この接触の可能性の無いプロファイラＮＣＰと接触の可
能性のあるプロファイラＣＰの両方を同一な装置として
構成せずに、別の構成として、接触の可能性の無いプロ
ファイラＮＣＰでの計測結果を、接触の可能性のあるプ
ロファイラＣＰで計測する時にネットワークや、ＦＤ等
のオフラインで情報伝達することでも本発明の目的は達
成される。
【００３８】また、実施形態１においては、接触の可能
性のないプロファイラＮＣＰとしてミラウ干渉を使用し
た光計測プロファイラを使用する方法を挙げて説明を行
ってきたが、接触の可能性のないプロファイラは、これ
に限定するものではない。例えばコンフォーカル検出系
でも良いし、ＡＦＭにおける非接触モードで使用するこ
とでも本発明の目的は達成される（要は確実に計測物体
に接触しない検出系でプリ計測すれば良いのである）。
性のないプロファイラＮＣＰとしてミラウ干渉を使用し
た光計測プロファイラを使用する方法を挙げて説明を行
ってきたが、接触の可能性のないプロファイラは、これ
に限定するものではない。例えばコンフォーカル検出系
でも良いし、ＡＦＭにおける非接触モードで使用するこ
とでも本発明の目的は達成される（要は確実に計測物体
に接触しない検出系でプリ計測すれば良いのである）。
【００３９】また、接触の可能性のあるプロファイラも
ＡＦＭに限るものではなく、ウエハへの汚染が事実上発
生しないように制御可能であればよい。例えば、触針式
プロファイラを用いて、ウエハ表面に接触するスタイラ
スの針圧が常に５０ｎＮ以下となるように制御するもの
であってもよい。この場合も上記ＡＦＭと同様にウエハ
表面形状の計測を行うことができる。
ＡＦＭに限るものではなく、ウエハへの汚染が事実上発
生しないように制御可能であればよい。例えば、触針式
プロファイラを用いて、ウエハ表面に接触するスタイラ
スの針圧が常に５０ｎＮ以下となるように制御するもの
であってもよい。この場合も上記ＡＦＭと同様にウエハ
表面形状の計測を行うことができる。
【００４０】（オフセットアナライザの実施形態）次
に、上記実施形態等で説明した本発明の立体形状計測系
を半導体デバイス製造におけるオフセットアナライザに
適用した実施形態について説明する。なお、以下の説明
では露光装置をステッパ、露光装置に搭載されている位
置合わせ装置の位置合わせ検出系をアライメントスコー
プとし、該位置合わせ装置外において、ウエハを事前計
測する装置をオフセットアナライザと呼ぶこととする。
オフセットアナライザではレジスト塗布前／後のウエハ
表面形状を計測し、計測したレジストとウエハマークの
３次元的な相対位置関係から、その後の位置合わせ装置
における位置合わせ検出系の信号に合うようにアライメ
ントオフセットを算出する。オフセットアナライザの検
出には勿論光学式のものも用いることができるが、特許
公報２７３５６３２号公報に示したような走査型トンネ
ル顕微鏡や、特開平５−２１７８６１号公報に示されて
いるような原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の分解能の高い
方式を用いることもできる。ＡＦＭ等は、露光装置に組
み込まれた形の形態も従来知られている。本実施形態
は、この分解能の高いＡＦＭを利用するものである。
に、上記実施形態等で説明した本発明の立体形状計測系
を半導体デバイス製造におけるオフセットアナライザに
適用した実施形態について説明する。なお、以下の説明
では露光装置をステッパ、露光装置に搭載されている位
置合わせ装置の位置合わせ検出系をアライメントスコー
プとし、該位置合わせ装置外において、ウエハを事前計
測する装置をオフセットアナライザと呼ぶこととする。
オフセットアナライザではレジスト塗布前／後のウエハ
表面形状を計測し、計測したレジストとウエハマークの
３次元的な相対位置関係から、その後の位置合わせ装置
における位置合わせ検出系の信号に合うようにアライメ
ントオフセットを算出する。オフセットアナライザの検
出には勿論光学式のものも用いることができるが、特許
公報２７３５６３２号公報に示したような走査型トンネ
ル顕微鏡や、特開平５−２１７８６１号公報に示されて
いるような原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）等の分解能の高い
方式を用いることもできる。ＡＦＭ等は、露光装置に組
み込まれた形の形態も従来知られている。本実施形態
は、この分解能の高いＡＦＭを利用するものである。
【００４１】以下、図１１を用いて、本形態のオフセッ
トアナライザを配置して計測を行うときの半導体デバイ
ス製造におけるウエハと情報の流れについて説明する。
本実施形態では半導体製造において、重ね合せ精度を最
も必要とする複数の形状のパターンとアライメントマー
クと重ね合せ検査装置用マークを計測し、該計測値同士
を比較して相互のオフセットを求め、ウエハプロセス誤
差であるウエハ誘因シフトＷＩＳ［Ｗａｆｅｒ Ｉｎｄ
ｕｃｅｄ Ｓｈｉｆｔ］を低減するものである。
トアナライザを配置して計測を行うときの半導体デバイ
ス製造におけるウエハと情報の流れについて説明する。
本実施形態では半導体製造において、重ね合せ精度を最
も必要とする複数の形状のパターンとアライメントマー
クと重ね合せ検査装置用マークを計測し、該計測値同士
を比較して相互のオフセットを求め、ウエハプロセス誤
差であるウエハ誘因シフトＷＩＳ［Ｗａｆｅｒ Ｉｎｄ
ｕｃｅｄ Ｓｈｉｆｔ］を低減するものである。
【００４２】ウエハ１は、まず、処理Ｓ１で示すよう
に、レジストを塗布する前にオフセットアナライザＯＡ
に運ばれ、ウエハ１上の前述の複数のパターンと前記ア
ライメントマークあるいは重ね合せ検査装置用マーク間
の相対位置関係をＡＦＭ等で計測する。本実施形態で
は、実素子を直接計測しているが、専用のレチクルを使
用して作成したレジストパターンをＡＦＭの走査可能範
囲の中に入るようにして計測するものであってもよい。
本実施形態ではオフセットアナライザＯＡのＸＹステー
ジが広範囲にわたって動くため、予め顕微鏡等により高
精度にマーク位置を検出しておき、高精度に該マーク位
置付近のみを走査することが好ましい。このようにし
て、レジスト塗布前に例えばゲートパターンや重ね合せ
検査装置用マークやアライメントマークについての位置
関係をＸＹステージ基準に計測する。
に、レジストを塗布する前にオフセットアナライザＯＡ
に運ばれ、ウエハ１上の前述の複数のパターンと前記ア
ライメントマークあるいは重ね合せ検査装置用マーク間
の相対位置関係をＡＦＭ等で計測する。本実施形態で
は、実素子を直接計測しているが、専用のレチクルを使
用して作成したレジストパターンをＡＦＭの走査可能範
囲の中に入るようにして計測するものであってもよい。
本実施形態ではオフセットアナライザＯＡのＸＹステー
ジが広範囲にわたって動くため、予め顕微鏡等により高
精度にマーク位置を検出しておき、高精度に該マーク位
置付近のみを走査することが好ましい。このようにし
て、レジスト塗布前に例えばゲートパターンや重ね合せ
検査装置用マークやアライメントマークについての位置
関係をＸＹステージ基準に計測する。
【００４３】続く処理Ｓ２で、ウエハ１はコータＣＴに
運ばれてレジストが塗布され、処理Ｓ３で再度オフセッ
トアナライザＯＡに運ばれてアライメントマークの上の
レジスト形状を再びＡＦＭで計測する。
運ばれてレジストが塗布され、処理Ｓ３で再度オフセッ
トアナライザＯＡに運ばれてアライメントマークの上の
レジスト形状を再びＡＦＭで計測する。
【００４４】ウエハ１は、次に処理Ｓ４でステッパＳＴ
に運ばれてアライメントスコープによりアライメントマ
ークの信号が検出される。続く処理Ｓ５では、予めオフ
セットアナライザＯＡでレジスト塗布前後で求めたレジ
ストとウエハマークとの３次元的な相対位置関係および
アライメントスコープにより得られたアライメントマー
ク信号に基づいて、アライメントマーク信号とウエハマ
ーク位置との関係を求めてアライメント計測のオフセッ
トを算出しステッパＳＴに送る。ステッパＳＴでは送ら
れてきたオフセットをもとにアライメントして露光を行
ない、全てのショットの露光終了後、処理Ｓ６では、ウ
エハ１は現像のためデベロッパＤＶへ搬送される。現像
後、処理Ｓ７に移行し、処理Ｓ１で求めたオフセットを
使ってアライメント成分とディストーション成分とを分
離し、トータルオーバーレイの検証を行う。前述のよう
に重ね合せ検査装置ＯＭＴ用マークと、実際に重ね合せ
精度を最も必要とするパターンのディストーションとの
間にはオフセットがあるため、該オフセットの使用は必
要項目である。その後、周知の手法により、いくつかの
処理を経て回路を形成し、最終的に半導体デバイスを得
る。
に運ばれてアライメントスコープによりアライメントマ
ークの信号が検出される。続く処理Ｓ５では、予めオフ
セットアナライザＯＡでレジスト塗布前後で求めたレジ
ストとウエハマークとの３次元的な相対位置関係および
アライメントスコープにより得られたアライメントマー
ク信号に基づいて、アライメントマーク信号とウエハマ
ーク位置との関係を求めてアライメント計測のオフセッ
トを算出しステッパＳＴに送る。ステッパＳＴでは送ら
れてきたオフセットをもとにアライメントして露光を行
ない、全てのショットの露光終了後、処理Ｓ６では、ウ
エハ１は現像のためデベロッパＤＶへ搬送される。現像
後、処理Ｓ７に移行し、処理Ｓ１で求めたオフセットを
使ってアライメント成分とディストーション成分とを分
離し、トータルオーバーレイの検証を行う。前述のよう
に重ね合せ検査装置ＯＭＴ用マークと、実際に重ね合せ
精度を最も必要とするパターンのディストーションとの
間にはオフセットがあるため、該オフセットの使用は必
要項目である。その後、周知の手法により、いくつかの
処理を経て回路を形成し、最終的に半導体デバイスを得
る。
【００４５】図１２は本発明を適用したオフセットアナ
ライザのハードウエア構成を示したものである。同図に
示すように、オフセットアナライザは、ウエハ１を支持
するチャック２、該チャック２を三次元的に移動させる
ＸＹＺステージ３、レジスト有り／無しの状態で表面計
測をするＡＦＭ等の接触の可能性のあるプロファイラＣ
Ｐ、光計測プロファイラ等の非接触プロファイラＮＣ
Ｐ、オフセットアナライザ全体を制御し、かつ検出され
た表面形状からアライメント用パターンのオフセットを
算出するシミュレータを有するＣＰＵ１５で構成されて
いる。このＣＰＵ１５で算出したオフセット情報は、ス
テッパおよび重ね合わせ検査装置へ送信される。
ライザのハードウエア構成を示したものである。同図に
示すように、オフセットアナライザは、ウエハ１を支持
するチャック２、該チャック２を三次元的に移動させる
ＸＹＺステージ３、レジスト有り／無しの状態で表面計
測をするＡＦＭ等の接触の可能性のあるプロファイラＣ
Ｐ、光計測プロファイラ等の非接触プロファイラＮＣ
Ｐ、オフセットアナライザ全体を制御し、かつ検出され
た表面形状からアライメント用パターンのオフセットを
算出するシミュレータを有するＣＰＵ１５で構成されて
いる。このＣＰＵ１５で算出したオフセット情報は、ス
テッパおよび重ね合わせ検査装置へ送信される。
【００４６】図１３は、図１２に示すようなオフセット
アナライザにおける、アライメントマークの測定とシミ
ュレーションの流れを示す図である。同図に示すよう
に、まず、プロセスウエハについて、レジスト無し／有
りの各々の状態（ＷＯ／Ｗレジスト）で、顕微鏡により
アライメントマークを計測し、プロファイラによりマー
クのトポグラフィーを計測する。顕微鏡による計測信号
は、信号シミュレータＳＳに送信され、信号シミュレー
タＳＳではＮＡ、λ、ＴＩＳ、プロセス等を変えなが
ら、計測信号や計測エラーをシミュレートする。
アナライザにおける、アライメントマークの測定とシミ
ュレーションの流れを示す図である。同図に示すよう
に、まず、プロセスウエハについて、レジスト無し／有
りの各々の状態（ＷＯ／Ｗレジスト）で、顕微鏡により
アライメントマークを計測し、プロファイラによりマー
クのトポグラフィーを計測する。顕微鏡による計測信号
は、信号シミュレータＳＳに送信され、信号シミュレー
タＳＳではＮＡ、λ、ＴＩＳ、プロセス等を変えなが
ら、計測信号や計測エラーをシミュレートする。
【００４７】本形態のオフセットアナライザはウエハ誘
因シフトＷＩＳによるアライメントマーク形状の非対称
性による精度劣化を防ぐことができるので、半導体形成
時、ＣＭＰ等のプロセスの影響を受けず、また実際に即
したディストーションの計測も可能なため、高精度、か
つ高スループットの位置合わせを可能とする。また、ウ
エハプロセスにおける複雑な最適化も不要で、ＣＯＯ
（Ｃｏｓｔ Ｏｆ Ｏｗｎｅｒｓｈｉｐ）向上が可能と
なる。
因シフトＷＩＳによるアライメントマーク形状の非対称
性による精度劣化を防ぐことができるので、半導体形成
時、ＣＭＰ等のプロセスの影響を受けず、また実際に即
したディストーションの計測も可能なため、高精度、か
つ高スループットの位置合わせを可能とする。また、ウ
エハプロセスにおける複雑な最適化も不要で、ＣＯＯ
（Ｃｏｓｔ Ｏｆ Ｏｗｎｅｒｓｈｉｐ）向上が可能と
なる。
【００４８】
【発明の効果】本発明によればウエハ上のマーク等の表
面形状を計測する場合、事前にその表面形状を接触の可
能性の無い第１の計測手段で計測し、次に水平方向に高
分解能をもつ接触の可能性のある第２の計測手段を、第
１の計測手段での計測結果に基づいて制御する事で、被
計測物表面に汚染を発生せずに高精度な立体形状計測が
可能となる。
面形状を計測する場合、事前にその表面形状を接触の可
能性の無い第１の計測手段で計測し、次に水平方向に高
分解能をもつ接触の可能性のある第２の計測手段を、第
１の計測手段での計測結果に基づいて制御する事で、被
計測物表面に汚染を発生せずに高精度な立体形状計測が
可能となる。
【図１】 メタルＣＭＰと呼ばれるアライメントマーク
の構造を示す図である。
の構造を示す図である。
【図２】 アライメントエラーに回転誤差が発生した例
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 アライメントエラーに倍率誤差が発生した例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】 実際のアライメントマークの上をＡＦＭで計
測したデータを示す図である。
測したデータを示す図である。
【図５】 ＡＦＭの装置構成を示した図である。
【図６】 ＨＲＰの装置構成を示した図である。
【図７】 ミラウ干渉計の対物レンズ付近を示す図であ
る。
る。
【図８】 ミラウ干渉計の装置全体を示す図である。
【図９】 ＡＦＭのプローブと計測サンプル付近を示す
図である。
図である。
【図１０】 本発明に係る立体形状計測系の装置構成を
示した図である。
示した図である。
【図１１】 オフセットアナライザを配置して実素子計
測を行うときのウエハと情報の流れを示す概念図であ
る。
測を行うときのウエハと情報の流れを示す概念図であ
る。
【図１２】 オフセットアナライザのハードウエア構成
を示す概念図である。
を示す概念図である。
【図１３】 オフセットアナライザにおける計測とシミ
ュレーションの流れを示す図である。
ュレーションの流れを示す図である。
１，Ｗ：ウエハ、２：ウエハチャック、３：干渉計付き
ＸＹステージ（含むＺチルト，θステージ）、４：光
源、５：ビームスプリッタ、６：ピエゾ駆動系、７：ミ
ラウ対物系、８：ＣＣＤカメラ、９：プローブ、１０：
光センサ、ＮＣＰ：接触の可能性の無いプロファイラ、
ＣＰ：接触の可能性の有るプロファイラ。
ＸＹステージ（含むＺチルト，θステージ）、４：光
源、５：ビームスプリッタ、６：ピエゾ駆動系、７：ミ
ラウ対物系、８：ＣＣＤカメラ、９：プローブ、１０：
光センサ、ＮＣＰ：接触の可能性の無いプロファイラ、
ＣＰ：接触の可能性の有るプロファイラ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０１Ｎ 13/10 Ｇ０１Ｎ 13/16 Ａ 13/16 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｇ１２Ｂ 1/00 ６０１Ｄ Ｇ１２Ｂ 21/08 Ｇ０１Ｂ 11/24 Ｄ (72)発明者 松本 隆宏 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 2F065 AA24 AA25 AA53 BB17 BB27 CC17 FF04 FF52 GG02 JJ03 JJ26 PP12 PP13 2F069 AA42 AA66 BB40 CC06 DD13 DD19 GG04 GG07 GG11 HH04 JJ14 JJ17 LL03 MM32 MM34 MM38
Claims (19)
- 【請求項１】 被計測物の表面の立体形状を計測するた
めの立体形状計測装置において、前記被計測物の表面に
対して非接触に計測を行う第１の計測手段と、前記被計
測物の表面に接触する可能性のある第２の計測手段と、
前記第１の計測手段で計測した結果を考慮して前記第２
の計測手段の計測動作を制御する動作制御手段とを有す
ることを特徴とする立体形状計測装置。 - 【請求項２】 前記第１の計測手段が光計測プロファイ
ラであることを特徴とする請求項１に記載の立体形状計
測装置。 - 【請求項３】 前記光計測プロファイラは、前記被計測
物の表面に向けて観察光を照射するための光源と、前記
被計測物に反射する前の前記観察光の一部を参照光とし
て取り出すためのハーフミラーと、前記被計測物の表面
から反射した反射光と前記参照光との干渉像を撮像する
ための受光素子とを有することを特徴とする請求項２に
記載の立体形状計測装置。 - 【請求項４】 前記第２の計測手段が、原子間力顕微鏡
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の立体形状計測装置。 - 【請求項５】 前記動作制御手段は、前記第１の計測手
段による計測結果に基づいて、前記原子間力顕微鏡にお
ける前記被計測物の表面の高さを検知するための探針先
端と前記被計測物の表面との相対位置合わせを行い、前
記探針の先端が前記被計測物の表面に接触しないように
前記被計測物の表面上を走査させ、この探針に原子間力
の働く位置においてこの探針の高さを検出するものであ
ることを特徴とする請求項４に記載の立体形状計測装
置。 - 【請求項６】 前記第２の計測手段が、触針式プロファ
イラであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
項に記載の立体形状計測装置。 - 【請求項７】 前記動作制御手段は、前記第１の計測手
段による計測結果に基づいて、前記触針式プロファイラ
における前記被計測物の表面の高さを検知するための探
針先端と前記被計測物の表面との相対位置合わせを行
い、この探針先端が前記被計測物の表面に接触する針圧
が５０ｎＮを超えないように前記被計測物の表面を走査
させ、この探針が前記被計測物の表面に接触したときの
高さを検出することを特徴とする請求項６に記載の立体
形状計測装置。 - 【請求項８】 前記動作制御手段は、前記第１の計測系
の計測結果から得られる前記被計測物の表面の段差の有
無に応じて、前記探針の表面走査速度を調節するもので
あることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記
載の立体形状計測装置。 - 【請求項９】 前記動作制御手段は、前記被計測物の表
面走査を行う際に、前記探針を上下に振動させながら前
記原子間力の働く位置または前記被計測物の表面に接触
する位置を検出することを特徴とする請求項１〜８のい
ずれか１項に記載の立体形状計測装置。 - 【請求項１０】 被計測物の表面の立体形状を計測する
際に、第１の計測工程で前記被計測物に対して非接触に
計測を行い、前記第１の計測工程で計測した結果を考慮
して、接触する可能性のある第２の計測工程により再度
計測することを特徴とする立体形状計測方法。 - 【請求項１１】 前記第１の計測工程は、光計測プロフ
ァイラを用いて行うことを特徴とする請求項１０に記載
の立体形状計測方法。 - 【請求項１２】 前記光計測プロファイラは、前記被計
測物の表面に向けて観察光を照射し、前記被計測物に反
射する前の前記観察光の一部を参照光としてハーフミラ
ーで取り出し、前記被計測物の表面から反射した反射光
と前記参照光とを干渉させることにより、前記被計測物
の表面の高さを計測するものであることを特徴とする請
求項１１に記載の立体形状計測方法。 - 【請求項１３】 前記第２の計測工程が、原子間力顕微
鏡を用いて行うものであることを特徴とする請求項１０
〜１２のいずれか１項に記載の立体形状計測方法。 - 【請求項１４】 前記第１の計測工程による計測結果に
基づいて、前記原子間力顕微鏡における前記被計測物の
表面の高さを検知するための探針先端と前記被計測物の
表面との相対位置合わせを行い、前記探針先端が前記被
計測物の表面に接触しないように前記被計測物の表面上
を走査し、この探針に原子間力の働く位置においてこの
探針の高さを検出することを特徴とする請求項１３に記
載の立体形状計測方法。 - 【請求項１５】 前記第２の計測工程が、触針式プロフ
ァイラを用いて行うものであることを特徴とする請求項
１０〜１２のいずれか１項に記載の立体形状計測方法。 - 【請求項１６】 前記第１の計測工程による計測結果に
基づいて、前記触針式プロファイラにおける前記被計測
物の表面の高さを検知するための探針先端と前記被計測
物の表面との相対位置合わせを行い、この探針先端が前
記被計測物の表面に接触する針圧が５０ｎＮを超えない
ように前記被計測物の表面を走査し、この探針が前記被
計測物の表面に接触したときの高さを検出することを特
徴とする請求項１５に記載の立体形状計測方法。 - 【請求項１７】 前記第１の計測工程の計測結果から得
られる前記被計測物の表面の段差の有無に応じて、前記
探針の表面走査速度を調節することを特徴とする請求項
１０〜１６のいずれか１項に記載の立体形状計測方法。 - 【請求項１８】 前記被計測物の表面走査を行う際に、
前記探針を上下に振動させながら前記原子間力の働く位
置または前記被計測物の表面に接触する位置を検出する
ことを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか１項に記
載の立体形状計測方法。 - 【請求項１９】 第１物体上のパターンをレジストを塗
布した第２物体上に転写する際に、前記第１物体と第２
物体との相対位置合わせを実行する位置合わせ方法にお
いて、請求項１〜９のいずれか１項に記載の立体形状計
測装置を用いて前記第２物体上のアライメントマーク形
成部のレジスト塗布後のアライメントオフセット値を得
て、前記相対位置合わせに前記アライメントオフセット
値を用いることを特徴とする位置合わせ方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162587A JP2002350128A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 |
| US10/156,921 US6950179B2 (en) | 2001-05-30 | 2002-05-30 | Shape measuring apparatus, shape measuring method, and aligning method |
| US11/130,073 US7271882B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-05-17 | Shape measuring apparatus, shape measuring method, and aligning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001162587A JP2002350128A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350128A true JP2002350128A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=19005688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001162587A Pending JP2002350128A (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6950179B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002350128A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595138B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 표면 상태 감지 장치의 운영 방법 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002350128A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Canon Inc | 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 |
| US6624894B2 (en) * | 2001-06-25 | 2003-09-23 | Veeco Instruments Inc. | Scanning interferometry with reference signal |
| JP4353498B2 (ja) | 2002-04-30 | 2009-10-28 | キヤノン株式会社 | 管理装置及び方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータプログラム |
| JP4018438B2 (ja) | 2002-04-30 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 半導体露光装置を管理する管理システム |
| JP2003324055A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Canon Inc | 管理システム及び装置及び方法並びに露光装置及びその制御方法 |
| US7069104B2 (en) | 2002-04-30 | 2006-06-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Management system, management apparatus, management method, and device manufacturing method |
| US7916308B2 (en) * | 2003-04-01 | 2011-03-29 | Seagate Technology Llc | Method and optical profiler |
| US7184853B2 (en) * | 2005-05-18 | 2007-02-27 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Lithography method and system with correction of overlay offset errors caused by wafer processing |
| JP4958614B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2012-06-20 | キヤノン株式会社 | パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ装置 |
| US7720560B2 (en) * | 2007-07-26 | 2010-05-18 | International Business Machines Corporation | Semiconductor manufacturing process monitoring |
| US20120029985A1 (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Neptune Rewards, LLC | System And Method For Managing Recyclable Materials |
| US8593644B2 (en) * | 2010-12-13 | 2013-11-26 | Southwest Research Institute | White light optical profilometer for measuring complex surfaces |
| JP5713660B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-05-07 | キヤノン株式会社 | 形状測定方法 |
| JP2013178231A (ja) * | 2012-02-01 | 2013-09-09 | Canon Inc | 検査装置、検査方法、リソグラフィ装置及びインプリント装置 |
| US9113044B2 (en) * | 2012-11-15 | 2015-08-18 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence | Sensor node |
| TWI585367B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-06-01 | Mas Automation Corp | The method of detecting the level height between the parallel plates and the device |
| JP7263088B2 (ja) * | 2019-04-08 | 2023-04-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法 |
| TWI758622B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-03-21 | 晟耀光電科技股份有限公司 | ２ｄ及３ｄ量測裝置及ｌｃｄ面板的檢測方法 |
| US20220122276A1 (en) * | 2020-10-21 | 2022-04-21 | Karam Peter | Forensic certification of artwork |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59100805A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-11 | Canon Inc | 物体観察装置 |
| JPH0785466B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-09-13 | キヤノン株式会社 | 位置合せ装置 |
| JP2557911B2 (ja) * | 1987-10-30 | 1996-11-27 | 大阪精密機械 株式会社 | 被検面の形状誤差の光学的検出装置 |
| US5133603A (en) * | 1988-10-18 | 1992-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for observing alignment marks on a mask and wafer |
| JP2735632B2 (ja) | 1989-07-14 | 1998-04-02 | 日本電信電話株式会社 | 露光パタン検出方法、露光パタン位置検出方法およびパタン重ね合わせ露光方法 |
| JP3074579B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ補正方法 |
| US5448399A (en) * | 1992-03-13 | 1995-09-05 | Park Scientific Instruments | Optical system for scanning microscope |
| JPH08152430A (ja) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Seiko Instr Inc | 位置合わせ機能付き顕微鏡 |
| TWI249760B (en) * | 1996-07-31 | 2006-02-21 | Canon Kk | Remote maintenance system |
| CN1244021C (zh) * | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 光刻装置和曝光方法 |
| US5955661A (en) * | 1997-01-06 | 1999-09-21 | Kla-Tencor Corporation | Optical profilometer combined with stylus probe measurement device |
| JP3002977B1 (ja) * | 1998-07-08 | 2000-01-24 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 走査用プローブおよび走査型プローブ顕微鏡 |
| JP4846888B2 (ja) * | 1998-12-01 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法 |
| US6690473B1 (en) * | 1999-02-01 | 2004-02-10 | Sensys Instruments Corporation | Integrated surface metrology |
| JP2002350128A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-04 | Canon Inc | 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 |
-
2001
- 2001-05-30 JP JP2001162587A patent/JP2002350128A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-30 US US10/156,921 patent/US6950179B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-05-17 US US11/130,073 patent/US7271882B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595138B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 표면 상태 감지 장치의 운영 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050206877A1 (en) | 2005-09-22 |
| US6950179B2 (en) | 2005-09-27 |
| US7271882B2 (en) | 2007-09-18 |
| US20020180983A1 (en) | 2002-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002350128A (ja) | 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法 | |
| US8513625B2 (en) | Track-based metrology method and apparatus | |
| US6392229B1 (en) | AFM-based lithography metrology tool | |
| US7339662B2 (en) | Exposure apparatus and a device manufacturing method using the same | |
| TWI564678B (zh) | 估計圖案化器件之變形及／或其位置之改變 | |
| KR100609116B1 (ko) | 프로세스 단계를 특성화하는 방법 및 디바이스 제조방법 | |
| JP4837010B2 (ja) | エンティティの測定値間の類似性を特徴付ける方法、コンピュータプログラムおよびデータキャリア | |
| JP2017509016A (ja) | データ処理装置を用いたリソグラフィ装置 | |
| US20090123874A1 (en) | Exposure method, exposure apparatus, and method for manufacturing device | |
| US9046788B2 (en) | Method for monitoring focus on an integrated wafer | |
| JP4434372B2 (ja) | 投影露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2009192271A (ja) | 位置検出方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| KR102222149B1 (ko) | 레벨 센서 장치, 기판에 걸친 토포그래피 변동을 측정하는 방법, 리소그래피 프로세스에 관련된 물리적 파라미터의 변동을 측정하는 방법, 및 리소그래피 장치 | |
| JP2001345250A (ja) | 位置合せ方法、位置合せ装置、プロファイラ、露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場、および露光装置の保守方法 | |
| JP4392914B2 (ja) | 面位置検出装置、露光装置、およびデバイス製造方法 | |
| JP4072408B2 (ja) | 位置検出方法 | |
| CN111886548B (zh) | 量测方法和相关装置 | |
| KR102353128B1 (ko) | 기판 내의 응력을 결정하는 방법들, 리소그래피 공정을 제어하는 제어 시스템, 리소그래피 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품 | |
| JPH09280816A (ja) | 位置検出系性能評価方法及びそれを用いた位置検出装置 | |
| JP4314082B2 (ja) | アライメント方法 | |
| JP4383945B2 (ja) | アライメント方法、露光方法、及び露光装置 | |
| TW202234173A (zh) | 度量衡方法及設備 | |
| JPH11329943A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH1083952A (ja) | 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP2004186313A (ja) | 露光装置 |