JP2013178231A - 検査装置、検査方法、リソグラフィ装置及びインプリント装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検出対象の異物を効率よく検出することができる検査装置を提供する。
【解決手段】異物検査装置は、照射部と検出器と決定部と制御部とを備える。前記照射部は、検査光を表面に照射する。前記検出器は、前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出する。前記決定部は、被検物の表面粗さのデータと検査対象の異物の大きさのデータとを用いて、前記異物に起因する散乱光を前記表面粗さに起因する散乱光から識別可能とする前記検査光の前記表面における照射領域を決定する。前記制御部は、前記検査光の前記表面における照射領域が前記決定部により決定された照射領域となるように前記照射部を制御する。
【選択図】図５

Description

本発明は、検査装置、検査方法、リソグラフィ装置及びインプリント装置に関する。

半導体の集積回路を製造する為のフォトリソグラフィ工程には、一般に露光装置が用いられる。また、近年では、電子ビーム露光等によって微細なパターンを形成した原版（モールド）を、樹脂材料を塗布したウエハ等の基板に押し付け（押印）て樹脂を硬化させパターンを転写するインプリント技術をフォトリソグラフィ工程に適用することも検討されている。

リソグラフィ工程の際にウエハ上に異物が存在すると、デバイスパターンの不良を招きデバイス製造の歩留りを低下させる。また、インプリント技術の場合には、ウエハ上に異物が存在すると押印時に原版の欠陥や破壊を招く。この為、デバイス製造過程においてはウエハ上の異物を検出することが可能な検査装置が必要となる。

このような異物検査装置としては、検査対象のウエハ上にレーザービームを集光させて照射し異物からの散乱光を受光し、散乱光の信号により異物を検査する暗視野検査装置が良く知られている。暗視野検査装置では、ウエハ面上の異物からの散乱光とウエハの表面粗さからの散乱光とを弁別する必要がある。

半導体デバイスの微細化に伴い要求される検出すべき異物のサイズも微細化している。検出すべき異物のサイズが小さくなると異物からの散乱光の強度が小さくなる為、ウエハ表面粗さからの散乱光との弁別が困難となる。この為、照射するレーザービームを数μｍ〜数十μｍ以下に集光し、異物からの散乱光に対してウエハの表面粗さに起因する散乱光の影響を低減することが行われている（特許文献１）。

検査光の集光径が小さくなると検査のスループットが低下してしまう為、ステージ速度を上げる必要が生じる。近年の一般的な暗視野検査装置では数千ｒｐｍでステージを回転させて検出が行われている。また、異物の暗視野検査は、ウエハだけでなく、レチクルやペリクル検査にも使用されている。レチクルやペリクルでは許容される異物サイズが異なる。この為、ペリクルおよびレチクルそれぞれで許容される異物サイズ情報を基に集光サイズを決定し効率良く異物検査することが記載されている(特許文献２)。

特開平０６-１９４３２０号公報 特許第２６７１８９６号公報

近年、半導体製造プロセスの更なる歩留まり向上の点から露光直前に異物を検査することに対する要求があり、露光装置内のインライン計測が求められている。高速ステージは振動源となり重ね合わせ精度等の露光精度の悪化を招く為、インライン計測では、ステージ速度を上げることは困難である。また、実現できたとしても、高出力光源や正確な制御等、露光装置の肥大化や高コスト化を招くことが予測される。また、露光装置内に配置可能なコンパクトな構成において、短時間で異物を検出しようとした場合、必要な異物サイズの計測ができなくなる場合がある。

また、レチクルやペリクル上の異物検査とは異なり、ウエハ上の異物検査の場合、デバイス製造プロセスの違いにより検査対象の表面粗さが異なる。異物サイズが小さくなると異物からの散乱強度が小さくなる為、異物からの散乱光とウエハの表面粗さに起因する散乱光との弁別が困難になってくる。

本発明は、検出対象の異物を効率よく検出することを目的とする。

本発明の１つの側面は、被検物の表面上の異物の検査を行う検査装置であって、検査光を前記表面に照射する照射部と、前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出する検出器と、前記被検物の表面粗さのデータと検査対象の異物の大きさのデータとを用いて、前記異物に起因する散乱光を前記表面粗さに起因する散乱光から識別可能とする前記検査光の前記表面における照射領域を決定する決定部と、前記検査光の前記表面における照射領域が前記決定部により決定された照射領域となるように前記照射部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、検出対象の異物を効率よく検出することが可能となる。

暗視野検査を説明する図である。 表面粗さのＰＳＤを示す図である。 異物検査時の光学Ｓ／Ｎを示す図である。 異物検査装置を示す図である。 異物検査のフローチャートである。

以下に、本発明の実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。図１は、異物の暗視野検査を説明する図である。暗視野検査では、検査光を角度θ１である形状及び大きさに集光して被検物の表面を照射し、被検物に付着した異物や被検物の表面により散乱された光を、受光角度θ２を中心とする受光角度範囲θ３の光を受光光学系で受光し、検出器に導き異物を検出する。

図３の（Ａ）及び（Ｂ）に照射領域のサイズと散乱光の光学Ｓ／Ｎとの関係のシミュレーション結果例を示す。光学Ｓ／Ｎとは、受光光学系で受光する異物に起因する散乱光強度Ｓと表面粗さに起因する散乱強度Ｎとの比である。検査光はアルゴンイオンレーザー４８８ｎｍの無偏光とし、照明角度θ１は６０°、受光角度θ２は０°、散乱受光角度範囲θ３は１０°とした。検査対象のウエハ（被検物）には、屈折率１．６５、消衰係数０．３５の薄膜が１００ｎｍの厚さで塗布されているとした。ウエハの表面粗さは図２に示すような３パターンの表面形状のパワースペクトル密度（ＰＳＤ）をそれぞれ想定した。表面粗さ３は表面粗さ２より粗く、表面粗さ２は表面粗さ１より粗いとする。表面粗さの２次元ＰＳＤと散乱光の角度分布には次の関係式１が成り立つ。

式１で、λは光の波長、θ_i は入射角、θ_s は散乱角、ωｉは光線の入射方向を表す。また、Ｑは偏光因子、Ｓ_２（ｆ）はＰＳＤである。Ｌ₀ は射出する放射輝度、Ｌ_ｉは入射する放射輝度である。偏光因子Ｑは入射偏光と入射角、基板の屈折率が決まれば計算できる。したがって、表面粗さによる光散乱の角度分布を計算するためには、入射する放射輝度Ｌ₁と２次元ＰＳＤが明らかになっていれば良い。

図３の（Ａ）は異物の大きさが７０ｎｍの場合、図２に示すそれぞれの表面粗さを想定したときの照射領域のサイズと光学Ｓ／Ｎとの関係を示す。異物起因の散乱光を表面粗さ起因の散乱光から識別可能とする最小の光学Ｓ／Ｎは、装置を構成する検出器や信号処理回路によって変わるが、一般的には式２の条件を満たせば２つの散乱光の信号の弁別が可能である。光学Ｓ／Ｎが５以下になると検出器及び信号処理系のノイズを考慮した場合、異物からの散乱光信号とノイズとの弁別が困難になってくる。
光学Ｓ／Ｎ＞５ (２)
図３の（Ａ）において、式２を満たす照射領域が表面粗さの違いによって異なることがわかる。表面粗さ１の場合、式２を満たす為には照射領域の面積を２８μｍ^２以下にする必要がる。同様に式２を満たす為には、表面粗さ２の場合は照射領域の面積を７μｍ^２以下に、表面粗さ３の場合は照射領域の面積を２μｍ^２以下にする必要がある。図の（Ｂ）は異物の大きさが１２０ｎｍの場合、図２に示すそれぞれの表面粗さを想定したときの照射領域のサイズと光学Ｓ／Ｎとの関係を示す。表面粗さ２の場合、式２を満たす為には照射領域の面積を４６８μｍ^２以下にする必要がある。同様に表面粗さ３の場合は照射領域の面積を１８８μｍ^２以下にする必要がある。

このように、異物サイズだけでなく被検物であるウエハの表面粗さの違いによって照射領域の必要なサイズが異なることがわかる。半導体デバイスは、回路パターンが積層した構造になっており、リソグラフィ装置は各層毎に回路パターンを形成する。また各層毎に回路パターンのピッチや構成が異なる為、製造プロセスや許容される異物欠陥も異なる。製造プロセスが異なるとウエハの表面粗さも異なる。一方、レチクルやペリクルはロット毎の表面粗さの違いはほとんど無い。したがって、ウエハ上の異物検査の場合、特許第２６７１８９６号公報に記載されているように異物サイズからだけでは照射領域の形状やサイズは決定できない。ウエハ上の異物検査の場合、検査対象の異物の大きさのデータと被検物の表面粗さのデータとから照射領域の形状や大きさを決定する必要がある。

一方、検出器の感度から検出器が必要とする散乱光の光量が決まってくる。検出器が検出する光量は検査光の照射強度と照射領域が異物を通過する時間とで決まる。照射領域が異物を通過する時間は、照射領域のサイズ及びステージの検査光に対する相対移動速度から決まる。したがって、照射強度及び照射領域のサイズが決定されると必要とする散乱光の光量を得るために許容されるステージの相対移動速度が決定される。以下に、本発明の実施例について説明する。

［実施例］
図４は、本発明の実施例に係る異物検査装置の一例の概念図である。異物検査装置は、リソグラフィ装置（不図示）の中にユニットとして構成されている。本実施例の異物検査装置を適用できるリソグラフィ装置は、基板に塗布された樹脂と型とを接触させて該樹脂を硬化させることにより樹脂にパターンを形成するインプリント装置、基板を露光する露光装置や荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置を含む。

図４において、光源１は検査光を射出する。光源１としては、レーザダイオードやアルゴンイオンレーザーやＹＡＧレーザーを用いることができる。照明光学系２は、光源１から射出された検査光を被検物であるウエハ（基板）４の表面上に所望のスポット形状、サイズで照射するような調整機構を備えている。ここで調整機構とは、例えば、複数のサイズの異なるアパーチャーを切り替える機構である。調整機構は、照明光学系２に備えられた光学素子ズーム機構等であって、スポットサイズを連続的に変化させる機構であっても良い。光源１、照明光学系２、調整機構は、制御された照射領域を有する検査光をウエハ４の表面に照射する照射部を構成している。

ステージ３は、検査対象のウエハ４を保持し回転及び直進させる。本実施例では、照明光学系２を固定しステージ３を移動可能に設けた。しかし、照明光学系２を移動可能に設けてステージ３を照明光学系２に対して相対移動可能としてもよい。ステージ３を回転及び直進させることでウエハ４の全面の異物検査が可能となる。ステージ３の回転速度は調整可能となっている。検査対象のウエハ４は、製造工程毎のプロセスの違いから表面粗さが異なっている。受光光学系５は、ウエハ４の表面上の照射領域からの散乱光を集光させる。受光光学系５は、異物からの散乱光と同時にウエハ表面からの散乱光も検出器６の上に集光させてしまう。

検出器６は、例えば光電子増倍管やフォトダイオードである。検出器６は、受光光学系５によって集光された散乱光を増幅し光電変換する。検出器６で得られた電圧信号は、信号処理回路系（不図示）にて一定の時間間隔でサンプリングした電圧信号をＡＤ変換することによって数値化される。得られた数値は散乱光の強度に相当している。制御部７は、リソグラフィ装置全体の制御部であり、検査光の照射領域のスポットサイズを制御する系、ステージ３の相対移動速度を制御する系及び外部入力部（取得部）８を含んでいる。外部入力部８を用いて、検査対象の異物の大きさのデータや、表面粗さのＰＳＤデータを外部から入力することができる。決定部９は、信号処理結果から異物サイズの弁別を演算したり、異物サイズ情報から散乱強度を算出したり、検査対象面の粗さ情報から散乱強度や光学Ｓ／Ｎを算出したりする。

図５に異物検査のシーケンスを示す。Ｓ１で、異物検査装置は、ステージ３上に置かれた検査対象のウエハ４に検査光を照射して表面粗さを検査する。このとき検査光の照射領域は、受光光学系５が受光できる範囲内で大きく、例えば、５００μｍ^２以上、具体的には、１ｍｍ^２以上の径が良い。照射領域のスポットサイズを大きくすることで、ウエハ４の表面粗さ起因の散乱光強度に対して異物からの散乱光強度は小さくなる。この為、異物からの散乱光強度を無視することが可能となり、得られた散乱光信号はウエハ４の表面粗さの散乱光強度と見なすことができる。また、ウエハ４の全面をスキャンする必要はなく、数点の代表点の計測を行い、その平均信号強度から表面粗さのデータを見積もってもよい。数点の計測なので大幅な検査時間の増加にはならない。このように事前の表面粗さ検査から、異物検査装置は、Ｓ２で、ウエハ４の表面粗さのデータを取得する。

Ｓ３で、各デバイス製造工程で必要となる検査対象の異物の大きさのデータが外部入力部８から入力される。Ｓ４で、決定部９は、Ｓ２で取得したウエハ４の表面粗さとＳ３で入力された異物サイズとに基づいて、照射領域のスポットサイズをパラメータとしたときの異物からの散乱光強度と表面粗さに起因する散乱光強度とを算出し、光学Ｓ／Ｎを求める。そして、決定部９は、求めた光学Ｓ／Ｎが事前に設定した許容値を満たす値になるような照射領域のスポットサイズを決定する。このとき決定部９は、異物からの散乱光強度を毎回算出する代わりに、各異物サイズに対する照射領域のスポットサイズと散乱強度の関係のテーブルから異物からの散乱光強度を求めても良い。同様に、ウエハ表面からの散乱強度に関してもテーブルとして持っていても良い。

Ｓ５で、決定部９は、照射領域のスポット形状を決定する。Ｓ６で、決定部９は、検出器６で必要な光量が得られるように、異物検査時の回転速度及び直進速度を含むステージ３の相対移動速度を決定する。照射領域のステージ回転方向のスポット長さに対して、ステージ回転方向に垂直な方向のスポット長さが短い形状にすると、異物を計測するときに照射領域が異物を通過する時間が長くなり、異物からの散乱トータル光量が大きくなる。一方で、ウエハ４の半径方向のスポット領域が短い為に、ウエハ４の全面を計測する場合にステージ３の直進速度を遅くする必要が生じる。

ステージ回転方向のスポット長さに対して、ステージ回転方向に垂直な方向のスポット長さが長い形状にすると、異物を計測するときに照射領域が異物を通過する時間が短くなり、異物からの散乱トータル光量が小さくなる。一方で、ウエハ４の半径方向のスポット領域が長い為にステージ３の直進速度を速くすることが可能となる。検出器６の感度から決まる必要光量に基づいて、決定部９は、許容ステージ速度が最大となるように照射領域のスポット形状を決定する。

Ｓ４及びＳ５で決定された照射領域のサイズ、形状に応じて、制御部７は照明光学系２の調整を行う。同様に、Ｓ６で決定された速度に応じて、制御部７は、ステージ３の回転速度を設定する。そして、Ｓ７で、異物検査装置は、ステージ３を決定された相対移動速度で相対移動させながら異物検査を行わせる。このように、検査対象の異物の大きさと表面粗さのデータに基づいて照射領域の形状、サイズ及びステージ３の相対移動速度を決定することで、検出対象の異物を確実にかつ短時間で検査することが可能となる。

ウエハ４の表面粗さの情報を得る為のＳ１における表面粗さの検査の代わりに、事前にウエハ表面の粗さの計測を行っても良い。例えば、Atomic Force Microscope（ＡＦＭ） を用いてウエハ４上の数点の表面の粗さを計測し、その計測結果からＰＳＤを求めることで、表面粗さ起因の散乱光分布を見積もることが可能となる。

そこで得られた表面粗さのデータは外部入力部８により入力し、内部で表面粗さ起因の散乱光強度分布を算出しても構わない。また、同じ製造プロセスのウエハの表面粗さは同じものとし、決定部９の中に事前情報として、プロセス毎に表面粗さ起因の散乱光強度データもしくはＰＳＤ情報データとしてテーブルをもっていても良い。

[インプリント方法]
本発明の検査装置がインプリント装置の中にユニットとして構成されている場合について説明する。

インプリント装置は、供給部から基板上に供給された樹脂（インプリント材）と、パターンが形成された型とを接触させることによって基板上にパターンを形成する装置である。基板上に異物が存在すると、樹脂と型とを接触させた際に異物によって型が破損する恐れがある。そのため、インプリント装置の場合は、パターンを形成する前に異物が無いか検査する必要がある。

そこで、インプリント装置でパターンを形成する前に、上述の検査装置で基板の異物検査を行い、検査が完了した基板をインプリント装置に搬入する。

具体的には、インプリント装置で次にパターンを転写する基板を検査装置に搬入して、異物の有無を検査する。この際、検査対象の異物の大きさのデータは、インプリント装置で形成するパターンサイズから求めることができる。異物の大きさのデータとは、検査装置で検出可能な異物サイズの最小値を示す。すなわち本検査装置の分解能である。設定された異物の大きさのデータよりも大きい異物を検出することができる。また、異物検査は基板全面を検査しても良いし、基板の一部の領域を検査しても良い。

基板の一部の領域を検査した場合は、異物の検査工程と検査が完了した領域にインプリント装置でパターンを形成する工程とを繰り返して、基板全面にパターンを形成する。基板の一部の領域として、型に形成されたパターンの大きさ（ショット領域）に設定することができる。ショット領域の異物を検査した後に、インプリント装置に設けられた塗布装置（ディスペンサ）を用いて検査が完了したショット領域に樹脂を供給する。樹脂が塗布されたショット領域にパターンが形成された型を位置合わせして樹脂と型とを接触させる。樹脂と型と接触させた状態で樹脂を硬化させることで基板上にパターンを形成する。パターン形成後、次にパターンを形成するショット領域の異物を検査する。このように、ショット領域毎に異物の検査とパターン形成を繰り返すことで、基板上にパターンを形成する直前に異物の検査を行うことができる。

異物検査装置で基板上に異物を検出した場合には、異物の存在するショット領域をエラーショットとしてパターンの形成を行わなかったり、異物を除去するための処理を行ったりする。また、ショット領域に複数のチップが含まれている場合には、型が破損しない程度の異物であればインプリント工程を行い基板上にパターンを形成する。検査装置で異物を検出したチップ領域はエラーチップとして情報を記憶しておく。

インプリント装置に本発明の検査装置をユニットとして構成することで、スループットの低減を抑え、異物を検査することができる。

［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述したインプリント装置を用いて基板（基板、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもない。例えば、本実施例では照明領域の形状をスポットに限定して説明をしたが、矩形形状の照明としても良い。また矩形照明形状の場合、ステージは回転及び直進駆動ではなくＸＹステージとし、光電検出器にＣＣＤやＣＭＯＳにしても構わない。このようにその要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (17)

1. 被検物の表面上の異物の検査を行う検査装置であって、
   検査光を前記表面に照射する照射部と、
   前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出する検出器と、
   前記被検物の表面粗さのデータと検査対象の異物の大きさのデータとを用いて、前記異物に起因する散乱光を前記表面粗さに起因する散乱光から識別可能とする前記検査光の前記表面における照射領域を決定する決定部と、
   前記検査光の前記表面における照射領域が前記決定部により決定された照射領域となるように前記照射部を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする検査装置。
2. 前記検査を行うときに、前記被検物を保持しながら前記照射部に対して相対移動可能なステージをさらに備え、
   前記決定部は、前記２つのデータに基づいて、前記検出器が必要とする光量の散乱光を得るように前記ステージの相対移動速度を決定し、
   前記制御部は、前記決定された相対移動速度で前記ステージを相対移動させながら前記検査を行わせる、ことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
3. 前記表面粗さのデータは、前記被検物の表面形状のパワースペクトル密度である、ことを特徴とする請求項１または２に記載の検査装置。
4. 前記被検物の表面粗さのデータと検査対象の異物の大きさのデータとを取得する取得部を有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の検査装置。
5. 前記決定部は、前記被検物の表面粗さのデータと検査対象の異物の大きさのデータとを用いて、前記検査光の前記表面における照射領域を変えた場合の前記異物に起因する散乱光の強度と前記表面粗さに起因する散乱光の強度とを算出し、前記異物に起因する散乱光の強度と前記表面粗さに起因する散乱光の強度との比に基づいて、前記検査光の前記表面における照射領域を決定することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の検査装置。
6. 前記決定部は、前記表面における照射領域のサイズを決定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の検査装置。
7. 前記決定部は、前記表面における照射領域の形状を決定することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の検査装置。
8. 被検物の表面上の異物の検査を行う検査装置であって、
   検査光を前記表面に照射する照射部と、
   前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出する検出器と、
   前記被検物の表面粗さのデータと検査対象の異物の大きさのデータとを用いて、前記検査光の前記表面における照射領域を決定する決定部と、
   前記検査光の前記表面における照射領域が前記決定部により決定された照射領域となるように前記照射部を制御する制御部と、
   を備えることを特徴とする検査装置。
9. 制御された照射領域を有する検査光に対して被検物を相対移動させながら前記被検物の表面に前記検査光を照射し前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出することによって前記表面上の異物の検査を行う検査方法であって、
   前記被検物の表面粗さのデータと前記検査の対象の異物の大きさのデータとに基づいて、前記異物に起因する散乱光を前記表面粗さに起因する散乱光から識別可能とする前記検査光の前記表面における照射領域を決定する工程と、
   前記検査光が前記決定された照射領域を持つように前記検査光を制御しながら前記検査を行う工程と、
   を含むことを特徴とする検査方法。
10. 前記決定された照射領域よりも大きな照射領域をもつ検査光を照射し前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出することによって前記被検物の表面粗さを計測して前記被検物の表面粗さのデータを取得する工程をさらに含む、ことを特徴とする請求項９に記載の検査方法。
11. 制御された照射領域を有する検査光に対して被検物を相対移動させながら前記被検物の表面に前記検査光を照射し前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出することによって前記表面上の異物の検査を行う検査方法であって、
    前記被検物の表面粗さを計測する工程と、
    前記被検物の表面粗さのデータと前記検査の対象の異物の大きさのデータとに基づいて、前記異物に起因する散乱光を前記表面粗さに起因する散乱光から識別可能とする前記検査光の前記表面における照射領域を決定する工程と、
    前記検査光が前記決定された照射領域を持つように前記検査光を制御しながら前記検査を行う工程と、
    を含むことを特徴とする検査方法。
12. 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    前記基板の表面上の異物を検査する請求項１乃至８の何れか１項に記載の検査装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
13. 請求項１２に記載のリソグラフィ装置を用いてパタ−ンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
    を含む、ことを特徴とする物品の製造方法。
14. パターンが形成された型を用いて、基板の表面上に供給されたインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
    前記基板の表面上の異物を検査する検査装置を備え、
    前記検査装置は、
    検査光を前記表面に照射する照射部と、
    前記検査光が照射された表面から生じる散乱光を検出する検出器と、
    前記被検物の表面粗さのデータと前記検査の対象の異物の大きさのデータとを用いて、照射領域を決定する決定部と、
    前記検査光の前記表面における照射領域が前記決定部により決定された照射領域となるように前記照射部を制御する制御部と、
    を備えることを特徴とするインプリント装置。
15. 前記検査装置は、前記基板の表面上の全面を検査し、
    前記インプリント装置に設けられた供給部から前記インプリント材を前記基板の表面に供給し、前記基板の表面上に供給されたインプリント材にパターンを形成することを特徴とする請求項１４に記載のインプリント装置。
16. 前記検査装置は、前記基板の表面上の一部の領域を検査し、
    前記インプリント装置に設けられた供給部から前記検査装置により検査が完了した領域の前記基板の表面に前記インプリント材を供給し、前記基板の表面上に供給されたインプリント材にパターンを形成することを特徴とする請求項１４に記載のインプリント装置。
17. 前記検査装置による異物の検査と、前記インプリント装置によるパターンの形成とを繰り返すことによって、前記基板上にパターンを形成することを特徴とする請求項１６に記載のインプリント装置。

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