JP5162006B2 - 検出装置、露光装置、および、デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 基板の裏面側に形成された被検体を赤外光を用いて検出する検出装置であって、
第1波長帯域と前記第1波長帯域よりも長波長側の第2波長帯域とを含む赤外光で前記被検体を照明する照明系と、
前記照明系により照明された前記被検体からの前記赤外光を検出する撮像素子であって、可視光、前記第1波長帯域の赤外光および前記第2波長帯域の赤外光に対する感度を有し、前記第1波長帯域の赤外光に対する感度よりも前記第2波長帯域の赤外光に対する感度が小さい撮像素子と、
前記撮像素子の前記感度の差によって生じる、前記撮像素子で検出される前記第1波長帯域の赤外光の強度値と前記第2波長帯域の赤外光の強度値との差を、低減する光学部と、
を有し、
前記光学部は、前記第1波長帯域の赤外光と前記第2波長帯域の赤外光とで互いに異なる透過率を有することによって前記強度値の差を低減する光学部材、または、前記照明系に入射させる前記第1波長帯域の赤外光の光量と前記第2波長帯域の赤外光の光量とを異ならせることによって前記強度値の差を低減する光源装置であることを特徴とする検出装置。 - 前記光学部材は、前記第1波長帯域の赤外光の強度値と前記第2波長帯域の赤外光の強度値との差をゼロにするための透過率を有することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。
- 前記検出装置は、動作モードとして、前記被検体の検出を行う検出モードと、前記被検体を検出するための準備を行う準備モードとを有し、
前記準備モードにおいて、
前記照明系は、前記第1波長帯域及び前記第2波長帯域を含む波長帯域を分割した複数の分割波長帯域の光のそれぞれで前記被検体を照明し、
前記撮像素子は、前記複数の分割波長帯域の光のそれぞれについて前記被検体からの光を検出し、
前記光学部材は、互いに異なる透過率を有して前記光の光路に交換可能に配置される複数の光学素子を含み、
前記検出装置は、
前記撮像素子で検出された前記複数の分割波長帯域の光のそれぞれの強度から前記波長帯域における強度比を求め、前記強度比に基づいて、前記複数の光学素子から前記第1波長帯域の赤外光の強度値と前記第2波長帯域の赤外光の強度値との差を低減する光学素子を選択し、前記選択した光学素子を前記検出モードにおいて前記光路に配置する制御部を更に有することを特徴とする請求項1に記載の検出装置。 - 前記制御部は、前記強度比に基づいて、前記複数の光学素子から前記第1波長帯域の赤外光の強度値と前記第2波長帯域の赤外光の強度値との差をゼロにするための透過率を有する光学素子を選択し、前記選択した光学素子を前記検出モードにおいて前記光路に配置することを特徴とする請求項3に記載の検出装置。
- 前記制御部は、前記強度比と前記第1波長帯域の赤外光の強度値と前記第2波長帯域の赤外光の強度値との差をゼロにするための透過率を有する光学素子との対応関係を記憶する記憶部を含み、前記記憶部に記憶した前記対応関係に基づいて、前記複数の光学素子から光学素子を選択し、前記選択した光学素子を前記検出モードにおいて前記光路に配置することを特徴とする請求項4に記載の検出装置。
- 前記照明系は、基板を介して、前記基板に形成された前記被検体を照明することを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記光学部材は、前記照明系の光路に配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記被検体からの光により前記被検体の像を形成する結像系を更に有し、
前記光学部材は、前記結像系の光路に配置されていることを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記光学部材の前記第2波長帯域の光の透過率が前記第1波長帯域の光の透過率より大きいことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記撮像素子は、可視光で照明された被検体からの光を検出可能であることを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の検出装置。
- レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記基板を保持するステージと、
前記基板に形成されたマークを検出する検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記ステージの位置を制御する制御部と、
を有し、
前記検出装置は、前記マークを被検体として検出する請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の検出装置を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項11に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
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JP7075278B2 (ja) * | 2018-05-08 | 2022-05-25 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置及び物品の製造方法 |
EP3572881A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-27 | ASML Netherlands B.V. | Bandwidth calculation system and method for determining a desired wavelength bandwidth for a measurement beam in a mark detection system |
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JPH03225815A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-04 | Canon Inc | 露光装置 |
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US6768539B2 (en) * | 2001-01-15 | 2004-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
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