TW201725355A - 檢測裝置及方法 - Google Patents

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史堤芬 密卻爾 懷特
卡傑德 希傑布蘭 艾德華 艾奇瑪
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荷蘭Ｖｕ基金會
荷蘭阿姆斯特丹大學
物質基礎研究基金會
Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明提供一種微影裝置，其係將一所欲圖案施加至一基板上(通常施加至該基板之一目標部分上)之一機器。一微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。該微影裝置具有一檢測裝置，該檢測裝置具有一EUV輻射源。該輻射源發射包括一特定波長之相干輻射之一輻射光束。該光束傳播至照明光學系統，該照明光學系統將該輻射光束聚焦成照明輻射之一經聚焦光束。該照明光學系統照明該基板上之一三維產品結構，該產品結構散射使該照明輻射散射。在一偵測器之該表面上，藉由該產品結構散射之該輻射形成用於重新建構描述該三維產品結構之資料之一繞射圖案。

Description

檢測裝置及方法
本發明係關於可用以(例如)在藉由微影技術進行器件製造中執行度量衡的檢測裝置及方法。
微影裝置為將所欲圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經逐次地圖案化之鄰近目標部分的網路。 在微影製程中，需要頻繁地對所形成結構進行量測(例如)以用於製程控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(器件中兩個層之對準準確度)之特殊化工具。近來，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。 已知散射計之實例常常依賴於提供專用度量衡目標。舉例而言，方法可需要呈簡單光柵之形式之目標，該光柵足夠大以使得量測光束產生小於該光柵之光點(亦即，該光柵填充不足)。在所謂的重新建構方法中，可藉由模擬散射輻射與目標結構之數學模型之相互作用來計算光柵之性質。調整該模型之參數直至經模擬相互作用產生類似於自真實目標所觀測到之繞射圖案的繞射圖案為止。 除了藉由重新建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此裝置來量測基於繞射之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像的基於繞射之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。在諸如US2011102753A1及US20120044470A之眾多公開專利申請案中可找到暗場成像度量衡之實例。可使用複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。已知散射計傾向於使用在可見或近IR波範圍內之光，此要求光柵比性質實際上受到關注之實際產品結構粗略得多。可使用具有短得多之波長之深紫外線(DUV)或極紫外線(EUV)輻射來界定此等產品特徵。不幸地，此等波長通常不可用於或不能用於度量衡。由(例如)非晶碳製成之產品結構可對具有較短波長之輻射不透明。 另一方面，現代產品結構之尺寸如此小以使得其不能藉由光學度量衡技術而成像。舉例而言，小特徵包括藉由多重圖案化製程及/或間距倍增而形成之特徵。因此，用於大容量度量衡之目標常常使用比疊對誤差或臨界尺寸為所關注性質之產品大得多的特徵。量測結果僅與真實產品結構之尺寸間接地相關，且可不準確，此係由於度量衡目標不遭受微影裝置中之光學投影及/或製造製程之其他步驟中之不同處理下之相同失真。儘管掃描電子顯微法(SEM)能夠直接地解析此等現代產品結構，但SEM之耗時比光學量測之耗時多得多。諸如使用接觸墊來量測電性質之其他技術亦為吾人所知，但其僅提供真實產品結構之間接證據。 本發明人已考慮是否可應用與波長與所關注產品結構相當之輻射組合的相干繞射成像(CDI)之技術以量測器件結構之性質。CDI亦被稱為無透鏡成像，此係由於無需實體透鏡或鏡面來聚焦物件之影像。自所俘獲光場合成地計算所欲影像。 已表明使用無透鏡成像以擷取二維結構之影像。舉例而言，已經針對透射及反射幾何佈置兩者而獲得二維結構，從而達成22 nm橫向空間解析率(「Lensless diffractive imagine withultra-broadband table-top sources:from infrared to extreme-ultraviolet wavelengths」M.D.Seaberg等人，Optics Express 19，22470(2011))。另外，已表明有可能在極紫外線(EUV)波長處使用無透鏡成像經由薄金屬層成像(S.Witte等人，Light:Science & Applications，e163(2014))。 然而，使用此等方法，並不可能獲得關於給定結構之三維性質之資訊(詳言之深度資訊)。實際上，並不可能獲得關於結構內部之經圖案化層之資訊。在產品結構通常包含若干經圖案化層之條件下，此為缺點。此外，諸如SEM之現有檢測方法亦不提供關於多層結構之任何深度資訊。
本發明旨在提供一種用於執行上文所描述之類型之量測的替代性檢測裝置及方法。 本發明人已判定有可能自反射頻譜之振幅及相位擷取關於三維或多層產品結構之深度資訊。在下文中，術語「三維產品結構」、「多層產品結構」及「產品結構」可互換使用以描述由複數個經圖案化層構成之產品結構。此途徑被稱為光學相干斷層攝影術(OCT)，且用於其他領域中之深度成像(諸如，醫學成像)。在OCT中，使用已知參考波經由干涉法擷取經量測頻譜之相位，如論文「Optical Coherence Tomography」Huang等人，Science 254，1178(1991)中詳細地描述。 習知地，在OCT中，使用基於透鏡之光學系統擷取待成像之物件之橫向結構。使用寬頻帶光源藉由光譜測定法或使用窄頻帶光源藉由使用頻率掃描獲得光譜資訊。 本發明人已意識到有可能藉由使用類似於擷取橫向空間資訊所使用的演算法的數值相位擷取演算法替換傳統OCT之干涉式偵測而以類似方式在EUV波長下執行三維無透鏡成像。 根據本發明之第一態樣，提供獲得描述三維產品結構之資料之方法，該方法包含以下步驟： (a)    藉由照明輻射照明該三維產品結構，該照明輻射具有至少一個可控制特性； (b)    俘獲在該輻射由三維產品結構散射之後由該輻射形成之複數個繞射圖案，藉由具有至少一個可控制特性之特定值之照明輻射形成每一繞射圖案；以及 (c)    基於該等所俘獲複數個繞射圖案重新建構描述該三維產品結構之資料。 根據本發明之第二態樣，提供檢測裝置，其包含： 照明光學系統，其可經操作以藉由照明輻射照明基板上之三維產品結構，該照明輻射具有至少一個可控制特性； 偵測器，其可經操作以俘獲在該輻射由該三維產品結構散射之後由該輻射形成之複數個繞射圖案，藉由具有該至少一個可控制特性之特定值之照明輻射形成每一繞射圖案；以及 處理單元，其可經操作以基於該等所俘獲複數個繞射圖案重新建構描述該三維產品結構之資料。 此方法及裝置可用於執行所謂的「無透鏡」成像。此避免與提供用於較短波長之成像光學件相關聯的困難。所獲得且用以量測該結構之性質之影像可被稱為「合成影像」，此係由於其從未存在於實體世界中：其僅作為資料而存在且係藉由自表示散射輻射場之資料之計算而獲得。 本發明又進一步提供一種製造器件之方法，其中藉由微影製程而在一系列基板上形成三維產品結構，其中藉由如上文所闡述的根據本發明之方法來量測一或多個經處理基板上之該等產品結構之性質，且其中使用該等經量測性質以調整該微影製程之參數以用於另外基板之處理。 本發明又進一步提供一種電腦程式產品，其含有用於實施如上文所闡述的根據本發明之方法中之重新建構步驟的機器可讀指令之一或多個序列。 下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外態樣、特徵及優點，以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的係呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；以及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各個組件，且充當用於設定及量測圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考件。 照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。舉例而言，在使用極紫外線(EUV)輻射之裝置中，通常將使用反射光學組件。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所欲位置。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中之所欲圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 如此處所描繪，該裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。或者，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。 在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為輻射源形成微影裝置之部件，且憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而將輻射光束自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱為輻射系統。 照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可被用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所欲均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(圖1中並未明確地描繪)以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，遮罩) MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等者被稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩）MA上之情形下，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於晶粒內、在器件特徵當中，在此狀況下，需要使該等標記儘可能地小，且相比於鄰近特徵無需任何不同成像或製程條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統。 可在多種模式下使用所描繪裝置。在掃描模式下，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台） MT之速度及方向。在掃描模式下，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂的「無光罩」微影中，使可程式化圖案化器件保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。 亦可採用對上文所描述之使用模式之組合及/或變體或完全不同之使用模式。 微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站EXP及量測站MEA-在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此使得裝置之產出率能夠實質增加。預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在其處於量測站以及處於曝光站處時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影裝置為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。 如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影單元或叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出口I/O1、I/O2拾取基板、在不同處理裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等器件在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以使產出率及處理效率最大化。 為了正確且一致地曝光由微影裝置所曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測性質，諸如，後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)，等等。因此，經定位有微影單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET接納已在微影單元中經處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整。 在度量衡系統MET內，檢測裝置用以判定基板之性質，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之性質如何在不同層間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影單元LC中，或可為獨立器件。為了實現最快速的量測，可需要使檢測裝置緊接地在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之性質。然而，並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度以對潛影進行有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後採取量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板所進行之第一步驟且增大抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛影(semi-latent)。亦有可能對經顯影抗蝕劑影像進行量測-此時已移除抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分。並且，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。 運用度量衡系統MET之度量衡步驟亦可在抗蝕劑圖案已被蝕刻至產品層中之後進行。後一可能性限制重工有缺陷之基板的可能性，但可提供關於製造製程之整體效能之額外資訊。 圖3說明可經受藉由度量衡系統MET之量測的三維產品結構之特性。將假定已經使用上文關於圖1及2所描述之類型之系統藉由光學微影形成產品結構。本發明適用於對藉由任何技術形成之微觀結構之量測，然而，不僅為光學微影。基板W具有形成於目標部分C中之產品結構，目標部分C可對應於(例如)微影裝置之場。在每一場內，可界定數個器件區域D，每一器件區域D對應於(例如)一單獨積體電路晶粒。 在每一器件區域D內，藉由微影處理形成之產品結構經配置以形成功能電子組件。所說明的產品可例如包含DRAM記憶體晶片。其在每一方向上可具有幾毫米之尺寸。產品包含數個記憶體陣列區域302及數個邏輯區域304。在記憶體陣列區域302內，子區域306包含記憶體單元結構之個別陣列。在此等子區域內，產品結構可為週期性的。使用已知重新建構技術，可出於量測目的而採用此週期性。另一方面，在邏輯區域304中，該結構可包含以非週期性方式配置之短柱結構(stub-structure)。習知重新建構技術不適合於此等結構，且本發明特別地應用無透鏡成像以在此等非週期性區域中實現度量衡。 在圖3之右側，展示週期性產品結構306之小部分(僅平面視圖)及非週期性結構304之小部分(平面視圖及橫截面)。再次，該週期性結構可為DRAM記憶體單元陣列之週期性結構，但僅出於實例起見而被使用。在實例結構中，形成字線308及位元線310之導體貫穿週期性結構而在X及Y方向上延伸。將字線之間距標記為Pw 及將位元線之間距標記為Pb 。舉例而言，此等間距中之每一者可為幾十奈米。作用區域312之陣列以傾斜定向而形成於字線及位元線下方。作用區域係由線特徵之陣列形成，但在位置312a處被切割以被縱向地劃分。可(例如)使用切割光罩而藉由微影步驟來進行切割，在314處以點線外形所展示。形成作用區域312之製程因此為多重圖案化製程之實例。位元線接點316形成於諸位置處以連接每一位元線310與其下方之作用區域312。熟習此項技術者將瞭解，實例產品結構中所展示的不同類型之特徵在Z方向上分離，該等特徵在微影製造製程期間形成於連續層中。 在圖3中之右側亦展示非週期性產品結構304之部分，該部分可為DRAM產品之邏輯區域之部分，僅僅作為實例。此結構可包含例如作用區域320及導體322、324。僅在平面視圖中示意性地展示該等導體。在橫截面中可看出，作用區域320形成於底部層326中，導體322形成於中間層328中，且導體324形成於頂部層330中。術語「頂部層」係指圖中所展示之製造狀態，其可或可不為成品中之頂部層。形成接點332以在所欲點處互連導體322及324。 經製造器件之最終效能關鍵地取決於產品結構之各種特徵經由微影及其他處理步驟之定位及尺寸標註的準確度。儘管圖3展示理想或標稱產品結構304及306，但藉由真實的、不完美的微影製程而製成之產品結構將產生稍微不同的結構。下文將參看圖6來說明不完美的產品結構。 疊對誤差可造成不完美地發生或在錯誤地點發生切割、接觸或其他修改。尺寸(CD)誤差可導致切割太大或太小(在極端狀況下，錯誤地切割相鄰線，或未能完全地切割預定柵格線)。器件之效能可受到微影效能之其他參數影響，諸如CD均一性(CDU)、線邊緣粗糙度(LER)及其類似者。出於上文所提及之原因，需要直接地對此等結構執行度量衡以針對CD、疊對及其類似者來判定微影製程之效能。 為了對邏輯區域304中之產品結構之區段執行度量衡，指示輻射光點S。在使用上文所提及之實例DRAM結構的情況下，光點直徑可為(例如) 10微米或更小。 圖4以示意性形式說明用於圖2之度量衡系統MET中之檢測裝置400。此裝置用於以在極UV (EUV)及軟x射線(SXR)範圍內之波長下實施所謂的無透鏡成像。舉例而言，所使用之輻射可處於小於50奈米(視情況小於20奈米，或甚至小於5奈米或小於2奈米)之經選擇波長。 檢測裝置400包含EUV輻射源402、照明光學系統404、基板支撐件406、偵測器408及處理器410。源402包含例如基於高次諧波產生(HHG)技術之EUV輻射產生器。此等源可購自(例如)美國Boulder Colorado之KMLabs (http://www.kmlabs.com/)。輻射源之主要組件為泵浦雷射420及HHG氣室422。氣體供應器424將合適的氣體供應至氣室，在該氣室中視情況藉由電源426電離該氣體。泵浦雷射可例如為具有光學放大器之基於光纖之雷射，從而產生每脈衝持續小於1 ns(1奈秒)的紅外線輻射之脈衝，其中脈衝重複率視需要高達若干兆赫茲。典型脈衝持續時間可在亞皮秒範圍內。波長可例如在1 μm(1微米)之區內。將雷射脈衝作為輻射之第一光束428遞送至HHG氣室422，其中將輻射之一部分轉換成較高頻率。經濾光輻射光束430包括具有所欲EUV波長之相干輻射。出於相干繞射成像之目的之輻射應空間上相干，但其可含有多個波長。若該輻射亦為單色的，則可簡化無透鏡成像計算，但在運用HHG的情況下較易於產生具有若干波長之輻射。此等情形為設計選擇之事項，且甚至可為同一裝置內之可選擇選項。可提供一或多個濾光器件432。舉例而言，諸如鋁(Al)薄膜之濾光片可用以切斷基諧IR輻射以免進一步傳遞至檢測裝置中。可提供光柵以自氣室中產生之波長當中選擇一或多個特定諧波波長。應記住，所欲EUV輻射在空氣中行進時會被吸收，所以可在真空環境內含有輻射路徑中之一些或全部。輻射源402及照明光學件404之各種組件可為可調整的以在同一裝置內實施不同度量衡「配方(recipe)」。舉例而言，可使不同波長及/或偏振為可選擇的。 對於大容量製造應用，對合適的源之選擇將由成本及硬體大小導引，不僅由理論能力導引，而且此處將HHG源選為實例。原則上可應用的其他類型之源亦為可用的或在開發中。實例為同步加速器源、自由電子雷射(free electron laser；FEL)源及經濾光基於電漿之源。T. 取決於在檢測中之結構之材料，不同波長可提供至較低層中的所欲位準之穿透以用於成像內埋式結構。舉例而言，可使用高於4奈米或5奈米之波長。可使用高於12奈米之波長，此係由於此等波長展示尤其通過矽材料之較強穿透，且可自明亮的小型HHG源得到。舉例而言，可使用在12奈米至16奈米範圍內之波長。替代地或另外，可使用亦展現良好穿透之較短波長。舉例而言，在實際源變得可用時，可使用短於2奈米之波長。因此可考慮在高於0.1奈米且低於50奈米之範圍內之波長，包括(例如) 1奈米至2奈米之範圍。該裝置可為獨立器件，或併入於微影裝置LA或微影製造單元LC中。其亦可整合於微影製造設施之其他裝置(諸如蝕刻工具)中。當然，該裝置可結合諸如散射計及SEM裝置之其他裝置而使用，作為較大度量衡系統之部分。 自輻射源402，經濾光輻射光束430進入檢測腔室440，在其中包括產品結構之基板W係由基板支撐件406固持以供檢測。產品結構被標註為304，此指示該裝置經特定地調適以用於對非週期性結構(諸如圖3中所展示之產品之邏輯區域304)進行度量衡。檢測腔室440內之氛圍係由真空泵442維持為接近真空，使得EUV輻射可在無不當衰減的情況下傳遞通過該氛圍。照明光學件404具有將經濾光輻射光束430聚焦成照明輻射444之聚焦光束之功能，且可包含例如在兩個維度上彎曲之鏡面或一系列在一個維度上彎曲之鏡面。執行聚焦以達成當投影至產品結構上時直徑為大約10微米之圓形光點。基板支撐件406包含例如X-Y平移平台446及旋轉平台448，藉由該等平台可使基板W之任何部分在所欲定向上朝照明輻射444之光束之焦點移動。因此，輻射光點S形成於所關注之結構上。亦可提供基板在一或多個維度上之傾斜。為了輔助光點S與所欲產品結構之對準及聚焦，輔助光學件450在處理器之控制下使用輔助輻射452。 偵測器408俘獲由產品結構304在兩個維度上在角度θ之範圍內散射的輻射460。鏡面射線462表示輻射之「直通式(straight through)」部分。此鏡面射線可視情況由光闌(未展示)阻擋，或傳遞通過偵測器408中之孔徑。在實務實施中，可拍攝在具有及沒有中心光闌的情況下之影像並組合以獲得繞射圖案之高動態範圍(HDR)影像。繞射角之範圍可標繪於假想球464 (在此項技術中被稱為埃瓦爾德(Ewald)球)上，而偵測器408之表面將較宜為平坦的。偵測器408可為(例如)包含像素陣列之CCD影像偵測器。 圖5 (未按比例)說明繞射角(及因此，埃瓦爾德球464上之點)至平面偵測器408上之像素的映射。像素陣列之維度在偽透視表示中被標註為U、V。繞射輻射460係在界定埃瓦爾德球464之中心之點處由樣本產品結構偏轉。繞射輻射之兩個射線460a及460b係由產品結構以相對於鏡面射線462之各別角度θ而散射。每一射線460a、460b傳遞通過(假想)埃瓦爾德球上之一點，照射於偵測器408之(實際) U-V平面中之特定點上，其中射線460a、460b係由對應像素偵測器偵測。在知道檢測腔室內之裝置之幾何形狀的情況下，處理器410能夠將由偵測器408所俘獲之影像中之像素位置映射至埃瓦爾德球462上之角位置。出於方便起見，使反射輻射之鏡面部分462與圖中之水平方向及垂直於偵測器408之平面之方向對準，但可選擇任何座標系統。因此，可將偵測器408上之徑向距離r映射至角度θ。第二角座標φ表示在圖之平面外之偏轉，且亦可自偵測器上之位置被映射。此說明中僅展示φ = 0之射線，對應於偵測器上之線466上之像素。 返回至圖4，將像素資料467自偵測器408傳送至處理器410。在使用無透鏡成像的情況下，可自影像偵測器上所俘獲之繞射圖案重新建構目標之3-D影像(模型)。自經重新建構影像，由處理器410計算諸如疊對及CD之偏差之量測，且將該等量測遞送至微影製造設施之操作者及控制系統。應注意，處理器410原則上可遠離光學硬體及檢測腔室。可在本端處理單元與遠端處理單元之間劃分處理器之功能，而不脫離本文中所揭示之原理。舉例而言，本端處理器可控制該裝置以自一或多個基板上之一或多個產品結構俘獲影像，而遠端處理器處理像素資料以獲得結構之量測。同一處理器或又一處理器可形成監督控制系統SCS或微影裝置控制器LACU之部分，且使用該等量測以改良未來基板上之效能。 現將參看圖6及7來描述用於獲得描述三維產品結構之資料之例示性裝置及對應方法。在此實例中，圖6中所示之檢測裝置用於執行該方法之步驟。為了易於與圖4之檢測裝置進行比較，藉由類似於圖4中所使用之參考符號但具有前綴「6」而非「4」的參考符號來標註檢測裝置600之各部分。應瞭解，為清楚起見，在下文中並未描述圖4之檢測裝置400之一些特徵或元件，但此類特徵或元件仍然可存在。 檢測裝置600包含EUV輻射源602，其發射輻射光束630。輻射光束包括具有所欲EUV波長之相干輻射，且可藉由如上文所描述之適當之濾光機制經濾光。輻射光束可具有至少一個可控制特性。光束傳播至照明光學系統604，其將輻射光束聚焦成照明輻射644之聚焦光束。照明光學系統可包含例如在兩個維度上彎曲之鏡面或一系列在一個維度上彎曲之鏡面。在第一步驟701中，照明光學系統藉由將輻射光束聚焦成基板W上之實質上圓形光點S而照明三維產品結構668。在本實例中，產品結構668為週期性產品結構，例如DRAM記憶體單元陣列(實質上與圖3之週期性結構306相同)，但當然，應瞭解，例示性方法適用於任何類型的產品結構(諸如，來自圖3之結構304)。 在第二步驟702中，偵測器608俘獲藉由三維產品結構668散射之輻射660。在偵測器之表面上，藉由產品結構散射之輻射形成所謂的繞射圖案。在本實例中，藉由偵測器俘獲複數個繞射圖案670，藉由具有輻射光束630之至少一個可控制特性之特定值的輻射形成每一繞射圖案。隨後將所俘獲繞射圖案傳輸至處理單元610。 在第三步驟703中，所記錄繞射圖案670用於重新建構表示三維產品結構672之資料。在本實例中，藉由使用相位擷取演算法來執行重新建構。在一個實例中，對該複數個繞射圖案中之每一繞射圖案個別地執行相位擷取。在另一實例中，同時藉由使用整合相位擷取演算法對所有所記錄繞射圖案執行相位擷取。 應瞭解，檢測裝置600可包含除上文所描述之光學組件之外的另外光學組件。舉例而言，可在必要時使用額外成像光學件(包括(但不限於)菲涅爾(Fresnel)波帶片或彎曲/多層鏡面)(例如，以改良裝置之某些功能態樣)。 另外，應瞭解，上述方法可包含額外方法步驟。在一個實例中，該方法可另外包含基於資料重新建構產品結構之三維影像之步驟。 另外，應瞭解，儘管特定無透鏡成像方法描述於上文(及實際上下文)中，但此應僅被視為例示性的。其他無透鏡成像方法可同樣很好地用作用於實施獲得三維影像之上述方法的基礎，該等方法包括(但不限於)Gerchberg-Saxon方法、多波長菲涅爾繞射、多高度菲涅爾繞射或疊層成像(ptychography)。 此外，應瞭解，儘管上述裝置及方法利用在EUV波長下之輻射，但上述方法本質上與波長無關。換言之，可使用適合於成像特定產品結構的具有任何波長之輻射來應用上述方法。 現將參看圖8及9來描述用於獲得描述三維產品結構之資料之裝置及方法之另一實例。此實例使用實質上與圖6中所示之檢測裝置相同的檢測裝置以執行該方法。為了易於與圖6之示意圖進行比較，藉由類似於圖6中所使用之參考符號但具有前綴「8」而非「6」的參考符號來標註光學系統800之一些部分。出於此原因，在下文中將僅詳細描述檢測裝置800之不同於檢測裝置600之元件的元件。 檢測裝置800包含輻射源802，諸如EUV輻射源。 在此實例中，輻射源經調適以在任何時間僅發射單一波長，但在波長光譜內為可調諧的。此使得輻射光束830之波長能夠隨時間推移而改變以便使得能夠使用不同波長進行量測。 在第一步驟901中，輻射源802經調適以輸出在特定波長下之輻射。該波長可形成複數個波長之部分。可例如由使用者或由控制實體預定該複數個波長，或可基於先前繞射圖案來界定該複數個波長。該複數個波長可包含在特定波長光譜內。 在第二步驟902中，由照明輻射844之聚焦光束來照明產品結構868，照明輻射具有特定波長。在第三步驟903中，偵測器808俘獲繞射圖案870，如上文所描述。 針對該複數個波長中之波長中之每一者而重複步驟901至903。換言之，針對該複數個波長中之每一者俘獲單獨繞射圖案。隨後，將所俘獲繞射圖案870傳輸至處理單元810。 在第四步驟904中，所俘獲繞射圖案870用於重新建構描述三維產品結構之資料，如上文參看圖6及7所描述。 現將參看圖10及11描述用於獲得描述三維產品結構之資料之檢測裝置及方法之另一實例。為了易於與圖6之示意圖進行比較，藉由類似於圖6中所使用之參考符號但具有前綴「10」而非「6」的參考符號來標註光學系統1000之一些部分。出於此原因，在下文中將僅詳細描述檢測裝置1000之不同於檢測裝置600之元件的元件。 在第一步驟1101中，輻射源1002輸出具有第一波長光譜之輻射光束1030。波長光譜包含複數個波長。輻射光束傳播至照明光學系統1004，其將輻射光束聚焦成照明輻射1044之聚焦光束。 檢測裝置包含光學元件，諸如光學濾光片1074。在一個實例中，該光學元件可直接位於偵測器1008前方(在圖10中藉由參考數字1074a指示)。或者，該光學元件可定位於輻射源1002之輸出與照明光學系統1004之間(如在圖10中藉由參考數字1074b指示)。該光學元件經組態以僅讓具有特定波長之輻射通過且阻擋所有其他波長(亦被稱作「帶通」濾光片)。可改變光學元件1074之通過波長以便允許藉由具有不同波長之輻射來照明產品結構。換言之，光學元件1074與圖8中之可調諧輻射源802達成相同效應。光學元件1074可以任何合適之方式實施。舉例而言，該光學元件可(但不限於)包含以下各者中之任一者：快速可替換濾光片(例如，旋轉濾光片輪)、掃描單色器或聲光可調諧濾光片。 在第二步驟1102中，將該光學元件之通過波長設定為第一波長，該第一波長包含於該複數個波長中。具有第一波長之照明輻射接著照明產品結構1068。 在第三步驟1103中，藉由產品結構1068散射之輻射1060在其到達偵測器1008處之前由光學元件1074濾光。在經濾光之後，經濾光散射輻射實質上包含具有第一波長之輻射。 應瞭解，同樣有可能對輻射光束1030或照明輻射1044之聚焦光束而非對散射輻射1060執行濾光步驟。可基於外部因素判定光學元件1074之位置選擇，外部因素諸如對檢測裝置之光學濾光器或其他組件的實體空間要求。 在第四步驟1104中，藉由偵測器1008俘獲散射輻射。在本實例中，經濾光散射輻射將在偵測器之表面上形成繞射圖案1070。 針對該複數個波長中之波長中之每一者而重複步驟1102至1104，以便逐步地俘獲在波長中之每一者下之一個繞射圖案。換言之，針對該複數個波長中之每一波長俘獲單獨繞射圖案。隨後，將所俘獲繞射圖案傳輸至處理單元1010。 在第五步驟1105中，所俘獲繞射圖案1070用於重新建構描述三維產品結構之資料，如上文參看圖6及7所描述。 現將參看圖12及13描述用於獲得描述三維產品結構之資料之檢測裝置及方法之另一實例。為了易於與圖6之示意圖進行比較，藉由類似於圖6中所使用之參考符號但具有前綴「12」而非「6」的參考符號來標註光學系統1200之一些部分。出於此原因，在下文中將僅詳細描述檢測裝置1200之不同於檢測裝置600之元件的元件。 在此實例中，檢測裝置包含發射具有第一波長光譜之輻射1224之輻射源1202，該波長光譜包含複數個波長。 檢測裝置包括干涉計1278，其包含分束器1284、固定反射元件1280及可移動反射元件1282。以已知方式使用干涉計以產生第一與第二輻射脈衝1288，該等脈衝具有第一輻射脈衝與第二輻射脈衝之間的時延t。時延t可改變。實際上，可產生複數個脈衝，而非產生第一輻射脈衝與第二輻射脈衝。複數個脈衝中之每一脈衝可具有自身與前一脈衝之間的時延。脈衝之間的時延可例如在0 fs與200 fs(飛秒)之間遞增地改變。原則上，可使用任何合適之時延範圍。在下文中，將參看第一輻射脈衝與第二輻射脈衝，但應瞭解，可選擇及使用複數個脈衝中之任何兩個連續脈衝。 在第一步驟1301中，藉由具有第一時延t之第一與第二時延輻射脈衝1288來照明產品結構1298。第一時延t包含於複數個時延中。可以任何合適之方式判定待使用之個別時延值。在一個實例中，使用者可預定義時延值。在另一實例中，可基於先前量測資料或統計資料而界定時延值。在又一實例中，時延值可為一系列遞增地增加之時延。 在第二步驟1302中，在偵測器1208處接收已經藉由產品結構散射之第一與第二散射輻射脈衝1260。自第一散射輻射脈衝與第二散射輻射脈衝，接著重新建構繞射圖案。 在第三步驟1303中，將第一輻射脈衝與第二輻射脈衝之間的時延t改變為包含於該複數個時延中之另一時延值。 針對該複數個時延中之時延中之每一者而重複步驟1301至1303，以形成複數個繞射圖案1270。隨後將繞射圖案傳輸至處理單元1210。 在第四步驟1304中，以類似於上文參看圖6及7所描述之方式的方式基於該複數個繞射圖案1270而重新建構描述三維產品結構1272之資料。 與光學系統硬體相關聯，一實施例可包括電腦程式，其含有界定重新建構繞射圖案及/或描述三維產品結構之資料之方法以及控制檢測裝置400以實施照明模式及彼等度量衡配方之其他態樣的機器可讀指令之一或多個序列。可(例如)在用於影像計算/控制程序之單獨電腦系統中執行此電腦程式。或者，可在圖4、6、8、10或12之裝置中之處理單元PU及/或圖1及2之控制單元LACU內完全或部分執行計算步驟。亦可提供其中儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。 儘管上文已特定地參考在光學微影之內容背景中的本發明之實施例之使用，但將瞭解，本發明可用於其他應用中，例如，壓印微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化抗蝕劑。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 在以下經編號條項中提供根據本發明之另外實施例： 1.    一種獲得描述一三維產品結構之資料之方法，該方法包含以下步驟： (a)  藉由照明輻射照明該三維產品結構，該照明輻射具有至少一個可控制特性； (b)  俘獲在該輻射由該三維產品結構散射之後由該輻射形成之複數個繞射圖案，其中藉由照明輻射形成每一繞射圖案，該照明輻射具有該至少一個特性之一特定值；以及 (c)  基於該等所俘獲複數個繞射圖案重新建構描述該三維產品結構之該資料。 2.    如條項1之方法，其中重新建構步驟包含對該等所俘獲繞射圖案執行相位擷取。 3.    如條項1或2之方法，其中該照明輻射包含具有一第一波長光譜之輻射，該第一波長光譜包含第一複數個波長。 4.    如條項3之方法，其中俘獲步驟包含使用一光學元件以在該第一複數個波長中之該等波長中之每一者處逐步地俘獲該複數個繞射圖案中之一個繞射圖案。 5.    如條項4之方法，其中該光學元件包含以下各者中之至少一者：一旋轉濾光片輪、一掃描單色器或一聲光濾波器。 6.    如條項3之方法，其中照明步驟包含提供第一相干輻射脈衝與第二相干輻射脈衝，該第二輻射脈衝具有複數個時延中之一者，且其中 俘獲步驟包含： (i) 在該第一相干輻射脈衝與該第二相干輻射脈衝由該產品表面散射之後接收由該第一相干輻射脈衝與該第二相干輻射脈衝形成之第一散射輻射脈衝與第二散射輻射脈衝； (ii) 基於該第一散射輻射脈衝與該第二散射輻射脈衝重新建構一繞射圖案；以及 對於該複數個時延中之每一時延，重複步驟(i)及(ii)。 7.    如條項1或2之方法，其中照明步驟包含調適一輻射源以輸出具有一單一波長之照明輻射，且進一步包含對於第二複數個波長中之每一波長重複步驟(a)及(b)。 8.    如任何先前條項之方法，其進一步包含基於該資料重新建構該三維產品結構之一三維影像。 9.    一種檢測裝置，其包含用於實施如條項1至8中任一項之該方法之構件。 10.  如條項9之檢測裝置，其進一步包含： 一照明光學系統，其可經操作以藉由照明輻射照明一基板上之一三維產品結構，該照明輻射具有至少一個可控制特性； 一偵測器，其可經操作以俘獲在該輻射由該三維產品結構散射之後由該輻射形成之複數個繞射圖案，藉由具有該至少一個可控制特性之一特定值之照明輻射形成每一繞射圖案；以及 一處理單元，其可經操作以基於該等所俘獲複數個繞射圖案重新建構描述該三維產品結構之資料。 11.  如條項10之檢測裝置，其中該處理單元可經操作以對該等所俘獲繞射圖案執行相位擷取。 12.  如條項10或11之檢測裝置，其中該照明輻射包含具有一第一波長光譜之輻射，該第一波長光譜包含複數個波長。 13.  如條項12之檢測裝置，其進一步包含可經操作以逐步地俘獲在該複數個波長中之該等波長中之一者處之每一繞射圖案的一光學元件。 14.  如條項13之檢測裝置，其中該光學元件包含以下各者中之至少一者：一旋轉濾光片輪、一掃描單色器或一聲光濾波器。 15.  如條項12之檢測裝置，其中該照明光學系統進一步可經操作以提供第一相干輻射脈衝與第二相干輻射脈衝，該第二輻射脈衝具有複數個時延中之一者，且其中： 該偵測器進一步可經操作以 (i) 在該第一相干輻射脈衝與該第二相干輻射脈衝由該產品表面散射之後接收由該第一相干輻射脈衝與該第二相干輻射脈衝形成之第一散射輻射脈衝與第二散射輻射脈衝； 該處理單元進一步可經操作以 (ii) 基於該第一散射輻射脈衝與該第二散射輻射脈衝重新建構一繞射圖案；以及 對於該複數個時延中之每一時延，重複步驟(i)及(ii)。 16.  如條項9至11中任一項之檢測裝置，其中該照明光學系統包含一輻射源，該輻射源可調適以輸出具有一單一波長之照明輻射，且 其中該照明光學系統及該偵測器兩者可經操作以針對第二複數個波長中之每一波長分別照明該三維產品結構及俘獲複數個繞射圖案。 17.  如條項9至16中任一項之檢測裝置，其中該處理單元進一步可經操作以重新建構該產品結構之一三維影像。 18.  一種微影裝置，其包含如條項9至17中任一項之一檢測裝置。 19.  一種製造器件之方法，其中藉由一微影製程而將器件特徵及度量衡目標形成於一系列基板上，其中藉由如條項1至8中任一項中所描述之一方法來量測一或多個經處理基板上之該等度量衡目標之性質，且其中使用該等經量測性質以調整該微影製程之參數以用於另外基板之處理。 20.  一種電腦程式產品，其包含用於使得一處理器執行如條項1至8中任一項中所描述之一方法之該重新建構步驟(c)的機器可讀指令。 21.  如條項20之電腦程式產品，其進一步包含用於使得一處理器執行條項6中所描述之一方法之該重新建構步驟(i)的指令。 22.  一種微影系統，其包含： 一微影裝置，該微影裝置包含： 一照明光學系統，其經配置以照明一圖案， 一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；以及 如條項8至17中任一項之一檢測裝置， 其中該微影裝置經配置以使用藉由該檢測裝置計算之一或多個參數以將該圖案施加至另外基板。 對特定實施例之前述說明將因此充分地揭露本發明之一般本質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及導引進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
302‧‧‧記憶體陣列區域
304‧‧‧非週期性產品結構/邏輯區域/產品結構
306‧‧‧週期性產品結構/子區域
308‧‧‧字線
310‧‧‧位元線
312‧‧‧作用區域
312a‧‧‧位置
316‧‧‧位元線接點
320‧‧‧作用區域
322‧‧‧導體
324‧‧‧導體
326‧‧‧底部層
328‧‧‧中間層
330‧‧‧頂部層
332‧‧‧接點
400‧‧‧檢測裝置
402‧‧‧EUV輻射源/源/輻射源
404‧‧‧照明光學系統/照明光學件
406‧‧‧基板支撐件
408‧‧‧偵測器
410‧‧‧處理器
420‧‧‧泵浦雷射
422‧‧‧HHG氣室
424‧‧‧氣體供應器
426‧‧‧電源
428‧‧‧輻射之第一光束
430‧‧‧經濾波輻射光束/輻射光束
432‧‧‧濾光器件
440‧‧‧檢測腔室
442‧‧‧真空泵
444‧‧‧照明輻射
446‧‧‧X-Y平移平台
448‧‧‧旋轉平台
450‧‧‧輔助光學件
452‧‧‧輔助輻射
460‧‧‧輻射
460a‧‧‧射線
460b‧‧‧射線
462‧‧‧鏡面射線
464‧‧‧假想球
466‧‧‧線
467‧‧‧像素資料
600‧‧‧檢測裝置
602‧‧‧EUV輻射源
604‧‧‧照明光學系統
608‧‧‧偵測器
610‧‧‧處理單元
630‧‧‧輻射光束
644‧‧‧照明輻射
660‧‧‧輻射
668‧‧‧三維產品結構/產品結構
670‧‧‧繞射圖案
672‧‧‧三維產品結構
701‧‧‧第一步驟
702‧‧‧第二步驟
703‧‧‧第三步驟
800‧‧‧光學系統
802‧‧‧輻射源
808‧‧‧偵測器
810‧‧‧處理單元
830‧‧‧輻射光束
844‧‧‧照明輻射
868‧‧‧產品結構
870‧‧‧繞射圖案
901‧‧‧第一步驟
902‧‧‧第二步驟
903‧‧‧第三步驟
904‧‧‧第四步驟
1000‧‧‧檢測裝置/光學系統
1002‧‧‧輻射源
1004‧‧‧照明光學系統
1008‧‧‧偵測器
1010‧‧‧處理單元
1030‧‧‧輻射光束
1044‧‧‧照明輻射
1060‧‧‧輻射/散射輻射
1068‧‧‧產品結構
1070‧‧‧繞射圖案
1074‧‧‧光學元件
1074a‧‧‧參考數字
1074b‧‧‧參考數字
1101‧‧‧第一步驟
1102‧‧‧第二步驟
1103‧‧‧第三步驟
1104‧‧‧第四步驟
1105‧‧‧第五步驟
1200‧‧‧光學系統/檢測裝置
1202‧‧‧輻射源
1208‧‧‧偵測器
1210‧‧‧處理單元
1224‧‧‧輻射
1260‧‧‧第一與第二散射輻射脈衝
1268‧‧‧產品結構
1270‧‧‧繞射圖案
1272‧‧‧三維產品結構
1278‧‧‧干涉計
1280‧‧‧固定反射元件
1282‧‧‧可移動反射元件
1284‧‧‧分束器
1288‧‧‧第一與第二輻射脈衝
1301‧‧‧第一步驟
1302‧‧‧第二步驟
1303‧‧‧第三步驟
1304‧‧‧第四步驟
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
D‧‧‧器件區域
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出口
I/O2‧‧‧輸入/輸出口
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元/微影裝置控制器
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元/微影單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧量測站
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧圖案化器件支撐件
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧機器人
S‧‧‧光點
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源/源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現將參看隨附示意性圖式僅藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置； 圖2描繪可使用根據本發明之檢測裝置的微影製造單元或叢集； 圖3示意性地說明在週期性區域及非週期性區域中具有標稱形式之三維產品結構； 圖4示意性地說明用於量測圖3之三維產品結構之檢測裝置； 圖5 (未按比例)說明繞射角至圖4之裝置中之平面偵測器上之像素的映射； 圖6示意性地說明根據本發明之一實施例的用於獲得描述三維產品結構之資料之檢測裝置； 圖7說明用於使用例如圖6之裝置獲得描述三維產品結構之資料之方法； 圖8示意性地說明根據本發明之另一實施例的用於獲得描述三維產品結構之資料之檢測裝置； 圖9說明用於使用例如圖8之裝置獲得描述三維產品結構之資料之方法； 圖10示意性地說明根據本發明之另一實施例的用於獲得描述三維產品結構之資料之檢測裝置； 圖11說明用於使用例如圖10之裝置獲得描述三維產品結構之資料之方法； 圖12示意性地說明根據本發明之一實施例的用於獲得描述三維產品結構之資料之檢測裝置；以及 圖13說明用於使用例如圖12之裝置獲得描述三維產品結構之資料之方法。
600‧‧‧檢測裝置
602‧‧‧EUV輻射源
604‧‧‧照明光學系統
608‧‧‧偵測器
610‧‧‧處理單元
630‧‧‧輻射光束
644‧‧‧照明輻射
660‧‧‧輻射
668‧‧‧三維產品結構/產品結構
670‧‧‧繞射圖案
672‧‧‧三維產品結構
S‧‧‧光點
W‧‧‧基板

Claims (12)

  1. 一種獲得描述一三維產品結構之資料之方法，該方法包含以下步驟： (a) 藉由照明輻射照明該三維產品結構，該照明輻射具有至少一個可控制特性； (b) 俘獲在該輻射由該三維產品結構散射之後由該輻射形成之複數個繞射圖案，其中藉由照明輻射形成每一繞射圖案，該照明輻射具有該至少一個特性之一特定值；以及 (c) 基於該等所俘獲複數個繞射圖案重新建構描述該三維產品結構之該資料。
  2. 如請求項1之方法，其中該重新建構步驟包含對該等所俘獲繞射圖案執行相位擷取。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該照明輻射包含具有一第一波長光譜之輻射，該第一波長光譜包含第一複數個波長。
  4. 如請求項3之方法，其中該俘獲步驟包含使用一光學元件在該第一複數個波長中之該等波長中之每一者處逐步地俘獲該複數個繞射圖案中之一個繞射圖案。
  5. 如請求項4之方法，其中該光學元件包含以下各者中之至少一者：一旋轉濾光片輪、一掃描單色器或一聲光濾波器。
  6. 如請求項3之方法，其中該照明步驟包含提供第一相干輻射脈衝與第二相干輻射脈衝，該第二輻射脈衝具有複數個時延中之一者，且其中 該俘獲步驟包含： (i) 在該第一相干輻射脈衝與該第二相干輻射脈衝由該產品表面散射之後接收由該第一相干輻射脈衝與該第二相干輻射脈衝形成之第一散射輻射脈衝與第二散射輻射脈衝； (ii) 基於該第一散射輻射脈衝與該第二散射輻射脈衝重新建構一繞射圖案；以及 對於該複數個時延中之每一時延，重複步驟(i)及(ii)。
  7. 如請求項1或2之方法，其中該照明步驟包含調適一輻射源以輸出具有一單一波長之照明輻射， 且進一步包含對於第二複數個波長中之每一波長重複步驟(a)及(b)。
  8. 如請求項1或2之方法，其進一步包含基於該資料重新建構該三維產品結構之一三維影像。
  9. 一種檢測裝置，其包含用於實施如請求項1至8中任一項之方法之構件。
  10. 一種製造器件之方法，其中器件特徵及度量衡目標藉由一微影製程而形成於一系列基板上，其中一或多個經處理基板上之該等度量衡目標之性質藉由如請求項1至8中任一項之一方法予以量測，且其中該等經量測性質用以調整該微影製程之參數以用於另外基板之處理。
  11. 一種電腦程式產品，其包含用於使得一處理器執行如請求項1至8中任一項之一方法之重新建構步驟(c)的機器可讀指令。
  12. 如請求項11之電腦程式產品，其進一步包含用於使得一處理器執行如請求項6之一方法之重新建構步驟(i)的指令。
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