TWI814909B - 多層對位標記及其對位方法 - Google Patents
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Abstract
一種多層對位標記(multi-layer alignment mark)，包括：複數個第一圖案
單元以及複數個第二圖案單元。第一圖案單元位於基材表面上，具有第一週期間距(periodic pitch)，並且沿著第一方向平行排列。第二圖案單元位於基材表面上，具有第二週期間距，並沿著第一方向與第一圖案單元交錯排列。
Description
本發明是有關於一種對位標記(alignment mark)及其對位方法，且特別是有關於一種多層(multi-layer)對位標記及其對位方法。
典型的半導體和積體電路元件，是一種包括尺寸小於1微米的多層結構。在製作半導體和積體電路元件過程中，多層結構必須經歷各種處理步驟，例如提供光罩、塗佈光阻、蝕刻和沈積製程。而在些步驟中，需將目前的處理層中特定位置的材料加以移除，或使其與下方的另一層重疊。不同層之間適當的對準是必要的。因此，需要經常性的執行覆蓋測量(overlay measurements)以驗證對準正確性。若缺乏正確的對準通常會導致錯誤的規範測量，而無法符合製程要求，進而造成半導體和積體電路元件失效。
典型的覆蓋測量，是採用光學方法來測量對位標記在半導體結構的不同層上的相對位置。更具體的說，需要在半導體結構的每個材料層上形成對位標記。當兩個上下堆疊二材料層的兩個對位標記重疊，且相對於彼此居中時，即可判定這兩個材料層彼此適當地對準。為了節省空間，對位標記一般是形成於半導體結構的切割道(scribe line)的位置上。
然而，隨著現代積體電路關鍵尺寸的微縮化，以及元件密度逐漸增加，半導體和積體電路元件結構的堆疊數量更多而且更為複雜。若每形成一個的材料層，都必須單獨新增一個對位標記，並執行一次層覆蓋測量，不僅浪費製程工序和測量時間，且容易導致切割道空間不足的問題。
因此有需要提供一種先進的介電層的製作方法及其應用，以解決習知技術所面臨的問題。
本說明書的一實施例是揭露一種多層對位標記(multi-layer alignment mark)，包括：複數個第一圖案單元以及複數個第二圖案單元。第一圖案單元位於基材表面上，具有第一週期間距(periodic pitch)，並且沿著第一方向平行排列。第二圖案單元位於基材表面上，具有第二週期間距，並沿著第一方向與第一圖案單元交錯排列。
本說明書的另一實施例是揭露一種以多層對位方法，包括下述步驟：首先，提供一個多層對位標記，包括複數個第一圖案單元以及複數個第二圖案單元。其中，第一圖案單元，位於基材表面上，具有第一週期間距，並且沿著第一方向平行排列。第二圖案單元位於基材表面上，具有第二週期間距，並沿著第一方向與第一圖案單元交錯排列。接著，同時量測多層對位標記與位於基材表面上方的第一材質層上的第一目標圖案以及位於基材表面上方的第二材質層上的第二目標圖案的對準誤差。
根據上述，本說明書的實施例係提出一種多層對位標記及其
對位方法。其係在基材表面上容納至少二組彼此交錯排列，且涵蓋面積重疊的對位圖案組。其中，不同的對位圖案組分別具有複數個案單元，各種不同的複數個圖案單元分別以不同的週期間距，同時沿著相同方向排列，形成一個複合的對位標記。藉由不同的對位圖案組分別來與堆疊於基材表面上的不同材質層上的不同目標圖案對應，採用散射量測技術(Diffraction-Based-Overlay，DBO)進行覆蓋測量，可以同時判斷不同材質層與基材之間的對位誤差。與傳統獨立對位標記相比，具有減少節省半導體元件製程空間，以及對位工序的技術優勢。
100、200、300、500:多層對位標記
101、201:基材
101a、201a:基材表面
102:金屬材料層
103、203:蝕刻製程
200a:凹陷部
310:第一對位圖案組
320:第二對位圖案組
310A、310B、310C、310D、310E:第一圖案單元
320A、320B、320C、320D、320E:第二圖案單元
402、602:第一材質層
410、610:第一目標圖案
410A、410B、410C、410D、410E:第一目標單元
403、603:第二材質層
420、620:第二目標圖案
420A、420B、420C、420D、420E:第二目標單元
530:第三圖案組
530A、530B、530C、530D、530E:第三圖案單元
540:第四圖案組
540A、540B、540C、540D、540E:第四圖案單元
550:第五圖案組
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560:第六圖案組
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570:第七圖案組
570A、570B、570C、570D、570E:第七圖案單元
580:第八圖案組580
580A、580B、580C、580D、580E:第八圖案單元
A1、A2、A3、A4:區域
L1:第一方向
L2:第二方向
P1:第一週期間距
P2:第二週期間距
P3:第三週期間距
P4:第四週期間距
W1、W2:短棒狀結構短軸的寬度
H1、H2:短棒狀結構長軸的長度
Θ:非平角
為了對本發明之上述實施例及其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，特舉數個較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：第1A圖和第1B圖係根據本說明書的一實施例所繪示的一種多層對位標記的部分製程結構剖面圖；第2圖係根據本說明書的另一實施例所繪示的一種多層對位標記的部分製程結構剖面圖；第3圖係根據本說明書的一實施例所繪示的多層對位標記的上視圖；第4圖係根據本說明書的一實施例，採用第3圖的多層對位標記與堆疊於基材表面上方的第一材質層和第二材質層進行對位的操作結構示意圖；第5圖係根據本說明書的另一實施例所繪示位於基材表面上的多層對位標記的上視圖；
第6A圖是係根據本說明書的一實施例所繪示堆疊於基材表面上方之第一材質層的部分結構上視圖；以及第6B圖是係根據本說明書的一實施例所繪示堆疊於基材表面上方之第二材質層的部分結構上視圖。
本說明書是提供一種多層對位標記及其對位方法，具有節省半導體元件製程空間，以及減少對位工序的技術優勢。為讓本說明書上述實施例和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉數種對位標記及其對位方法，作為較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
但必須注意的是，這些特定的實施案例與方法，並非用以限定本發明。本發明仍可採用其他特徵、元件、方法及參數來加以實施。較佳實施例的提出，僅係用以例示本發明的技術特徵，並非用以限定本發明的申請專利範圍。該技術領域中具有通常知識者，將可根據以下說明書的描述，在不脫離本發明的精神範圍內，作均等的修飾與變化。在不同實施例與圖式之中，相同的元件，將以相同的元件符號加以表示。
請參照第1A圖和第1B圖，第1A圖和第1B圖係根據本說明書的一實施例所繪示的一種多層對位標記100的部分製程結構剖面圖。在本實施例中，多層對位標記100可以是形成於半導體基材101表面101a上的一種圖案化材料層。多層對位標記100的形成，包括下述步驟：首先提供一半導體基材101(如第1A圖所繪示)。在本說明書的一些實施例中，半導體基材101可以是由半導體材質，例如矽(silicon，Si)、鍺(germanium，
Ge)，或化合半導體材質，例如砷化鎵(gallium arsenide，GaAs)，所構成。但在另一些實施例中，半導體基材101也可以是一種絕緣層上覆矽(Silicon on Insulator，SOI)基板。在本實施例之中，半導體基材101較佳是一種矽基材，例如是矽晶圓。
接著，沉積製程，例如低壓化學氣相沉積(Low-pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)製程、蒸鍍製程或濺鍍製程，在基材101表面101a上形成一個金屬材料層102。之後，再以蝕刻製程103圖案化金屬材料層102藉以在半導體基材101(例如矽晶圓的切割道(未繪示))上形成複數個金屬突出部100a。其中，多層對位標記100即是由複數個金屬突出部100a所構成的一種圖案標記(如第1B圖所繪示)。
但多層對位標記100的材料並不以此為限。在本說明書的另一些實施例中，多層對位標記100也可以藉由蝕刻製程103圖案化位於基材101表面101a上的其他材料層，例如介電層、金屬矽化物(silicide)層或半導體材料層來形成。
請參照第2圖，第2圖係根據本說明書的另一實施例所繪示的一種多層對位標記200的部分製程結構剖面圖。在本實施例中，多層對位標記200可以是藉由蝕刻製程203直接圖案化基材201，以於基材201表面201a上形成具有複數個凹陷部200a的一種圖案標記。
請參照第3圖，第3圖係根據本說明書的一實施例所繪示的多層對位標記300的上視圖。多層對位標記300位於基材101表面101a上，且具有一個第一對位圖案組310和一個第二對位圖案組320。第一對位圖案組310包含複數個第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E，
以第一週期間距P1，沿著第一方向L1平行排列。第二對位圖案組320包含複數個第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E，以第二週期間距P2，沿著第一方向L1平行排列。且第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E與第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E交錯排列。
詳言之，在本實施例中，每一個第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E都具有一個尺寸相同的短棒狀結構；每一個短棒狀結構具有寬度為W1的短軸和一個長度為H1長軸，且彼此平行。其中，第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E的長軸都垂直第一方向L1。任意相鄰兩個第一圖案單元310A和310B(310B和310C、310C和310D)之間，都相距有一個第一週期間距P1。每一個第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E都具有一個尺寸相同的短棒狀結構。每一個短棒狀結構具有寬度為W2的短軸和一個長度為H2長軸，且彼此平行。其中，第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E的長軸都垂直第一方向L1。任意相鄰兩個第二圖案單元320A和320B(320B和320C；320C和320D；320D和320E)之間，都相距有一個第二週期間距P2。
任意相鄰兩個第一圖案單元之間，都穿插一個第二圖案單元。例如，第一圖案單元310A和310B之間穿插有第二圖案單元320B；第一圖案單元310B和310C之間穿插有第二圖案單元320C；第一圖案單元310C和310D之間穿插有第二圖案單元320D；及第一圖案單元310D和310E之間穿插有第二圖案單元320E。換言之，在第一對位圖案組310(第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E)所涵蓋的的區域A1之內，
同時可以容納第二對位圖案組320(第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E)。
第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E的第一週期間距P1，至少要大於第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E之短棒狀結構的寬度W2。第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E的第二週期間距P2，也至少要大於第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E之短棒狀結構的寬度W1。在本實施例中，第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E的長軸長度H1，可以實質上等於(但不以此為限)第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E的長軸長度H2。第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E的短軸寬度W1，可以實質上大於(但不以此為限)第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E的短軸寬度W2。
另外值得注意的是，雖然在本實施例中第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E和第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E是以一對一的方式(任意相鄰兩個第一圖案單元之間，穿插一個第二圖案單元)彼此穿插交錯排列。但第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E與第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E的交錯排列方式並不以此為限。例如在本說明書的一些實施例中，可以任意相鄰兩個第一圖案單元之間，可以穿插複數個第二圖案單元(未繪示)。在另一些實施例中，則可以在任意相鄰兩個第二圖案單元之間，穿插複數個第一圖案單元(未繪示)。
請參照第4圖，第4圖係根據本說明書的一實施例，採用第
3圖的多層對位標記300與堆疊於基材101表面101a上方的第一材質層402和第二材質層403進行對位的操作結構示意圖。其中，多層對位標記300中的第一對位圖案組310，與位於第一材質層402上的第一目標圖案410相互對應；多層對位標記300中的第二對位圖案組320，則與位於第二材質層403上的第二目標圖案420相互對應。
其中，第一目標圖案410具有與第一對位圖案組310的第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E，尺寸和排列方式相同的複數個第一目標單元410A、410B、410C、410D和410E。第二目標圖案420具有與第二對位圖案組320的第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E，尺寸和排列方式相同的複數個第二目標單元420A、420B、420C、420D和420E。在本說明書的一些實施例中，可以採用第1A圖至第1B圖或第2圖所繪示的方式，分別在第一材質層402和第二材質層403上形成第一目標圖案410和第二目標圖案420。由於形成圖案的類似方法已詳述如上，故不在此贅述。
當第一材質層402形成於基材101表面101a上方時，第一對位圖案組310和第一目標圖案410會上下堆疊，若第一對位圖案組310中的第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E與第一目標圖案410中的第一目標單元410A、410B、410C、410D和410E在往基材101表面101a垂直投影的方向上彼此居中對應，即可判定第一材質層402與基材101彼此適當地對準。同樣地，當第二材質層403形成於基材101表面101a上方時，第二對位圖案組320和第二標圖案420會上下堆疊，若第二對位圖案組320中的第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E
與第二目標圖案420中的第二目標單元420A、420B、420C、420D和420E，在往基材101表面101a垂直投影的方向上彼此居中對應，即可判定第二材質層402與基材101彼此適當地對準。
在本說明書的一些實施例中，當針對第一材質層402與基材101進行對位時，可以採用散射量測技術，來量測第一對位圖案組310中的第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E與第一目標圖案410中的第一目標單元410A、410B、410C、410D和410E之間的第一覆蓋誤差(overlay error)。當針對第二材質層403與基材101的進行對位時，亦可以採用散射量測技術，來量測第二對位圖案組320中的第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E與第二目標圖案420中的第二目標單元420A、420B、420C、420D和420E之間的第二覆蓋誤差。
由於第一材質層402先於第二材質層403形成於基材101表面101a之上，因此第一材質層402與基材101之間的對位操作，可以早於第二材質層403與基材101之間的對位操作。但在一些實施例中，可以在第一材質層402和第二材質層403都已形成於基材101表面101a上之後，再進行一次對位操作，同時量測第一材質層402和基材101之間的第一覆蓋誤差以及第二材質層403和基材101之間的第二覆蓋誤差，藉以減少/節省一次對位工序。另外由於，用來分別與第一材質層402和第二材質層403進行對位的第一對位圖案組310和第二對位圖案組320，可藉由一次製程同時形成在基材101表面101a，亦可減少半導體和積體電路元件製程製作對位標記的工序。
請參照第5圖，第5圖係根據本說明書的另一實施例所繪示
位於基材501表面501a上的多層對位標記500的上視圖。多層對位標記500的結構大致與第3圖所繪示的多層對位標記300相似，差別在於多層對位標記500除了包括第一對位圖案組310和第二對位圖案組320之外，更包括複數個位在不相同區域中，且圖案單元的形狀、尺寸和排列方式分別與第一對位圖案組310和第二對位圖案組320不同或相同的對位圖案組。
例如，在本實施例中，多層對位標記500還包括位於區域A2中，且圖案單元的形狀、尺寸和排列方式分別與第一對位圖案組310和第二對位圖案組320相同的第三圖案組530和第四圖案組540；位於區域A3中，且圖案單元的形狀、尺寸和排列方式分別與第一對位圖案組310和第二對位圖案組320不同的第五圖案組550和第六圖案組560；以及位於區域A4中，且圖案單元的形狀、尺寸和排列方式分別與第一對位圖案組310和第二對位圖案組320不同的第七圖案組570和第八圖案組580。
詳言之，多層對位標記500的第三圖案組530包括複數個第三圖案單元530A、530B、530C、530D和530E；對位標記500的第四圖案組540包括複數個第四圖案單元540A、540B、540C、540D和540E。第三圖案單元530A、530B、530C、530D和530E以第三週期間距P3，沿著第一方向L1平行排列；第四圖案單元540A、540B、540C、540D和540E以第四週期間距P4，沿著第一方向L1平行排列；且第三圖案單元530A、530B、530C、530D和530E和第四圖案單元540A、540B、540C、540D和540E彼此穿插交錯排列於區域A2之中，並與區域A1相互鄰接(即位於區域A1的斜對角)。
在本實施例中，第三圖案單元530A、530B、530C、530D和530E的基本結構(形狀、尺寸)和排列方式與第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E相同；第四圖案單元540A、540B、540C、540D和540E的基本結構與第第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E相同。第三週期間距P3等於第一週期間距P1；且第四週期間距P4等於第二週期間距P2。
多層對位標記500的第五圖案組550包括複數個第五圖案單元550A、550B、550C、550D和550E；對位標記500的第六圖案組560包括複數個第六圖案單元560A、560B、560C、560D和560E。第五圖案單元550A、550B、550C、550D和550E以第五週期間距P5，沿著第二方向L2平行排列；第六圖案單元560A、560B、560C、560D和560E以第六週期間距P6，沿著第二方向L2平行排列；且第五圖案單元550A、550B、550C、550D和550E與第六圖案單元560A、560B、560C、560D和560E彼此穿插交錯排列於區域A3之中，並與區域A1相互鄰接(位於區域A1的右邊)。第二方向L2與第一方向L1夾一個非平角(即非180°角)Θ。
在本實施例中，第五圖案單元550A、550B、550C、550D和550E的基本結構(形狀和尺寸)與第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E相同，但排列方向不同；第六圖案單元560A、560B、560C、560D和560E的基本結構與第第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E相同，但排列方向不同。第五週期間距P5等於第一週期間距P1；且第六週期間距P6等於第二週期間距P2。第二方向L2與第一方向L1垂
直(即夾90°角)。
多層對位標記500的第七圖案組570包括複數個第七圖案單元570A、570B、570C、570D和570E；對位標記500的第八圖案組580包括複數個第八圖案單元580A、580B、580C、580D和580E。第七圖案單元570A、570B、570C、570D和570E以第七週期間距P7，沿著第二方向L2平行排列；第八圖案單元580A、580B、580C、580D和580E以第八週期間距P8，沿著第二方向L2平行排列；且第七圖案單元570A、570B、570C、570D和570E與第八圖案單元580A、580B、580C、580D和580E彼此穿插交錯排列於區域A4之中，並與區域A1相互鄰接(位於區域A1的下邊)。
在本實施例中，第七圖案單元570A、570B、570C、570D和570E的基本結構(形狀和尺寸)與第一圖案單元310A、310B、310C、310D和310E相同，但排列方向不同；第八圖案單元580A、580B、580C、580D和580E的基本結構與第第二圖案單元320A、320B、320C、320D和320E相同，但排列方向不同。第七週期間距P7等於第一週期間距P1；且第八週期間距P8等於第二週期間距P2。
值得注意的是，對位標記500的結構安排並不以此為限。在其他實施例中，多層對位標記還可以包括其他圖案單元的形狀、尺寸和排列角度、週期間距與上述圖案單元相同或相異的其他圖案組。
請參照第6A圖和第6B圖，第6A圖是係根據本說明書的一實施例所繪示堆疊於基材501表面501a上方之第一材質層602的部分結構上視圖。第6B圖是係根據本說明書的一實施例所繪示堆疊於基材501
表面501a上方之第二材質層603的部分結構上視圖。當多層對位標記500藉由第4圖說所描述的方式，分別與位於基材101上方的第一材質層602和第二材質層603進行對位時，多層對位標記500中的第一對位圖案組310、第三對位圖案組530、第五對位圖案組550和第七對位圖案組570所構成的對位圖案，會與位於第一材質層501上的第一目標圖案610相互對應；多層對位標記500中的第二對位圖案組320、第四對位圖案組540、第六對位圖案組560和第八對位圖案組580所構成的對位圖案，則會與位於第二材質層602上的第二目標圖案620相互對應。
且當第一目標圖案410與由第一對位圖案組310、第三對位圖案組530、第五對位圖案組550和第七對位圖案組570所構成的對位圖案，在往基材101表面101a垂直投影的方向上彼此居中對應，即可判定第一材質層501與基材101彼此適當地對準。當第二目標圖案620與由第二對位圖案組320、第四對位圖案組540、第六對位圖案組560和第八對位圖案組580所構成的對位圖案，在往基材101表面101a垂直投影的方向上彼此居中對應，即可判定第二材質層602與基材101彼此適當地對準。
由於，由第一對位圖案組310、第三對位圖案組530、第五對位圖案組550和第七對位圖案組570所構成的對位圖案，以及由第二對位圖案組320、第四對位圖案組540、第六對位圖案組560和第八對位圖案組580所構成的對位圖案，都分別具有至少四組位置不同區域(區域A1、A2、A3和A4)，分別沿著二種不同方向(例如方向L1和L2)排列的圖案單元。因此，所量測到的第一覆蓋誤差以及第二覆蓋誤差的變異程度
(variation)會大幅下降；可以提高第一材質層602和基材101之間以及的第二材質層603和基材101之間的對位精確度(accuracy)。
根據上述，本說明書的實施例係提出一種多層對位標記及其對位方法。其係在基材表面上容納至少二組彼此交錯排列，且涵蓋面積重疊的對位圖案組。其中，不同的對位圖案組分別具有複數個案單元，各種不同的複數個圖案單元分別以不同的週期間距，同時沿著相同方向排列，形成一個複合的對位標記。藉由不同的對位圖案組來與分別堆疊於基材表面上的不同材質層上的不同目標圖案對應，採用散射量測技術進行覆蓋測量，可以同時判斷不同材質層與基材之間的對位誤差。與傳統獨立對位標記相比，具有節省半導體元件製程空間，以及減少對位工序的技術優勢。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何該技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:多層對位標記
101:基材
101a:基材表面
310:第一對位圖案組
320:第二對位圖案組
310A、310B、310C、310D、310E:第一圖案單元
320A、320B、320C、320D、320E:第二圖案單元
402:第一材質層
410:第一目標圖案
410A、410B、410C、410D、410E:第一目標單元
403:第二材質層
420:第二目標圖案
420A、420B、420C、420D、420E:第二目標單元
L1:第一方向
Claims (11)
- 一種多層對位標記(multi-layer alignment mark)，包括：複數個第一圖案單元，位於一基材表面上，具有一第一週期間距(periodic pitch)，並且沿著一第一方向平行排列；以及複數個第二圖案單元，位於該基材表面，具有一第二週期間距，並沿著該第一方向與該複數個第一圖案單元交錯排列，且該複數個第一圖案單元之任意兩相鄰者之間，都穿插該複數個第二圖案單元之一者。
- 如請求項1所述之多層對位標記，其中該複數個第一圖案單元構成一第一對位圖案組，用以與位於該基材表面上方的一第一材質層上的一第一目標圖案對應；該複數個第二圖案單元構成一第二對位圖案組，用以與位於該基材表面上方的一第二材質層上的一第二目標圖案對應。
- 如請求項1所述之多層對位標記，該第一對位圖案組和該第二對位圖案組位於該基材表面的一第一區域。
- 如請求項1所述之多層對位標記，更包括：複數個第三圖案單元，位於該基材表面，具有一第三週期間距，並且沿著該第一方向與該複數個第一圖案單元和該複數個第二圖案單元交錯排列。
- 如請求項1所述之多層對位標記，更包括： 複數個第四圖案單元，位於該基材表面，具有一第四週期間距，並且沿著一第二方向平行排列；以及複數個第五圖案單元，位於該基材表面，具有一第五週期間距，並沿著該第二方向與該些第四圖案單元交錯排列。
- 如請求項5所述之多層對位標記，其中該第一方向和該第二方向夾一非平角(非180°角)。
- 如請求項1所述之多層對位標記，其中該複數個第一圖案單元和該複數個第二圖案單元之至少一者，係包含於在形成於該基材表面上的一圖案化金屬層之中。
- 如請求項1所述之多層對位標記，其中該複數個第一圖案單元和該複數個第二圖案單元之至少一者，係由形成於該基材表面中的複數個凹陷部所構成。
- 一種多層對位方法，包括：提供一多層對位標記，包括：複數個第一圖案單元，位於一基材表面上，具有一第一週期間距，並且沿著一第一方向平行排列；以及複數個第二圖案單元，位於該基材表面上，具有一第二週期間距，並沿著該第一方向與該複數個第一圖案單元交錯排列，且該複數個第一圖案單元之任意兩相鄰者之間，都穿插該複數個第二圖案單元之一者；以及 同時量測該多層對位標記與位於該基材表面上方的一第一材質層上的一第一目標圖案，以及位於該基材表面上方的一第二材質層上的一第二目標圖案的對準誤差。
- 如請求項9所述之多層對位方法，其中同時量測該多層對位標記與該第一目標圖案以及該第二目標圖案對準誤差的步驟，包括：計算該複數個第一圖案單元與該第一目標圖案的一第一覆蓋誤差(overlay error)；以及計算該複數個第二圖案單元與該第二目標圖案的一第二覆蓋誤差。
- 如請求項9所述之多層對位方法，其中計算該第一覆蓋誤差和該第二覆蓋誤差的步驟，包括一散射量測技術(Diffraction-Based-Overlay，DBO)。
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