JP2002329662A - オーバレイキー及びその製造方法とこれを利用したオーバレイ精度の測定方法 - Google Patents
オーバレイキー及びその製造方法とこれを利用したオーバレイ精度の測定方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
レイ精度を測定できるオーバレイキーおよびその製造方
法とこれを利用したオーバレイ精度の測定方法を提供す
る。 【解決手段】 オーバレイキーは第1主オーバレイパタ
ーンと第1補助オーバレイパターンを備える第1オーバ
レイキー、及び第2主オーバレイパターンと第2補助オ
ーバレイパターンを備える第2オーバレイキーを有して
おり、第2補助オーバレイパターンは第1補助オーバレ
イパターンに対応する位置に形成される。
Description
レイキー(overlay key)及びこれを利用し
てオーバレイ精度を測定する方法に関する。
って、ウェーハ上に形成されるパターンが稠密になって
いる。特にセル領域では周辺領域に比べてパターン密度
が非常に高い。これらのセル領域や周辺領域に形成され
る素子は薄膜蒸着工程及び薄膜のパターニング工程を何
度も反復遂行して製造される。
ォトエッチング工程で最も重要な要素の一つは、先行ス
テップでウェーハ上に既に形成された薄膜と現在のステ
ップで新しくパターニングされる薄膜との間のミスアラ
イメント精度(不整合の度合)、すなわちオーバレイ精
度である。このようなウェーハ上に既に形成された薄膜
と新しくパターニングされる薄膜との間のオーバレイ精
度を測定するためには、オーバレイキーが用いられる。
キーを図示したものである。オーバレイキー100は第
1オーバレイキー10と第2オーバレイキー15とを有
する。そして、第1オーバレイキー10と第2オーバレ
イキー15との間の距離を測定することによって、先行
ステップでウェーハ上に既に形成された薄膜と現在のス
テップで形成される薄膜との間のオーバレイ精度を測定
することができる。
キー15と第1オーバレイキー10との間の距離を測定
してオーバレイ精度を決定するために、オーバレイ測定
装置を利用した光学的な方法が用いられている。より具
体的には、先行ステップで形成された第1オーバレイキ
ーと現在のステップで形成された第2オーバレイキーと
の間の光学的コントラスト差を光学顕微鏡を通して測定
してオーバレイ精度を測定する。
ーバレイキーを利用したオーバレイ測定方法を説明する
と次のようになる。
平面構造を図示したものであって、図37は図36の2
B−2B線に沿うオーバレイキーの断面構造を図示した
ものである。
イ測定装置(図示せず)によって測定される範囲を示
す。このような測定されるべき範囲は、図35を参照す
ると、最大でも、第2オーバレイキー15の2本の平行
した外側ラインが外へ延長した仮想のラインによって定
義された領域内であって前記第2オーバレイキー15の
各々の辺(図35の11参照)に対応した部分内に制限
される。
に前記オーバレイ測定装置を位置させた後、前記オーバ
レイキー100に光106が照射される。前記オーバレ
イキー100に照射された光は第1オーバレイキー10
と第2オーバレイキー15から反射されて前記オーバレ
イ測定装置の光センサーに向かう。
ーバレイキー15の夫々の両端部では入射された光は散
乱される。したがって、上記の両端部では少量の反射光
のみが前記光センサーに向かう。その結果、光センサー
によって検出された光は図37に示されるような波形
(分布)Sを形成する。波形Sから分かるように、前記
第1オーバレイキー10と第2オーバレイキー15間の
距離d1、d2を測定することによって、ミスアライメ
ント精度、すなわちオーバレイ精度を測定できる。すな
わちオーバレイ精度は(d1−d2)/2となる。
は、オーバレイ測定装置内の光学顕微鏡を通してオーバ
レイキーのオーバレイ精度を測定するものである。しか
しながら、このような従来のオーバレイ測定方法によれ
ば、第2オーバレイキーは常にフォトレジストで作られ
るために第2オーバレイキーからの反射光についてはコ
ントラストが高くなり計測信頼度が高い反面、第1オー
バレイキーに関しては、第1オーバレイキー形成後に多
段階の後続工程が進められるため、第1オーバレイキー
の上に薄膜が積層されて、第1オーバレイキーからの反
射光についてのコントラストが低くなるとともに、キー
の変形などが発生して計測信頼度が低下する。
合には、金属グレーン(metalgrain)の存在
によりオーバレイ測定の誤差が大きくなる。また、金属
蒸着装備によってオーバレイキー上に金属膜が非対称的
に蒸着される場合が発生するためにオーバレイ精度に対
する計測信頼度が低下する。また、CMP工程(化学的
機械的研磨工程)進行後には、オーバレイキーの変形な
どが発生してオーバレイ測定誤差が大きくなるという問
題点がある。
る場合には大きな計測誤差が発生するが、これを確認す
るためにはウェーハを垂直方向に切断してその断面をS
EMで観察することによってオーバレイ精度を測定する
しかなく、更に垂直に切断されてしまったウェーハは捨
てるしかなかった。
測定信頼度を有するオーバレイキーを提供することにあ
る。
レイ精度を測定できるオーバレイキーを提供することに
ある。
度を有するオーバレイ精度を測定する方法を提供するこ
とにある。
レイ精度を測定する方法を提供することにある。
の本発明のオーバレイキーは、第1主オーバレイパター
ン及び第1補助オーバレイパターンを備える第1オーバ
レイキーと、第2主オーバレイパターン及び第2補助オ
ーバレイパターンを備える第2オーバレイキーとを有し
ており、前記第2補助オーバレイパターンは前記第1補
助オーバレイパターンに対応する位置に形成されること
を特徴とする。
1主オーバレイパターンと第1補助オーバレイパターン
とを備える第1オーバレイキーをウェーハ上に形成する
段階と、前記第1オーバレイキーが形成された前記ウェ
ーハ全面に中間層を形成する段階と、第2主オーバレイ
パターンと前記第1補助オーバレイパターンに対応する
位置に形成される第2補助オーバレイパターンとを備え
る第2オーバレイキーを前記中間層上に形成する段階
と、前記第2補助オーバレイパターンをマスクとして用
いて中間層をエッチングして前記第2補助オーバレイパ
ターンを中間層に転写する段階と、を含む。
は、第1主オーバレイパターン及び第1補助オーバレイ
パターンを備える第1オーバレイキーと、第2主オーバ
レイパターン及び前記第1補助オーバレイパターンに対
応する位置に形成された第2補助オーバレイパターンを
備える第2オーバレイキーを提供する段階と、前記第1
及び第2主オーバレイパターンを利用して第1オーバレ
イ精度を測定する段階と、前記第1及び第2補助オーバ
レイパターンを利用して第2オーバレイ精度を測定する
段階と、前記第1及び第2オーバレイ精度を相互に比較
する段階とを含むことを特徴とする。
利用して測定され、前記第2オーバレイ精度はインライ
ンSEM(in−line scanning ele
ctron microscope)を利用して測定さ
れる。
状部分(フレーム状部分)を有する。前記第1補助オー
バレイパターンは前記第1オーバレイキーのコーナー部
に形成される。前記第1主オーバレイパターンの長さは
前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長さと
同一である。前記第1主オーバレイパターンは前記第2
主オーバレイパターンの平行した2本の外側ラインを延
長した仮想のラインにより定義される領域に位置する。
前記第1補助オーバレイパターンは相互に離隔された複
数の棒状のパターンを有していてもよい。前記第2補助
オーバレイパターンは相互に離隔された複数の穴状のパ
ターンを有していてもよい。隣接した2本の棒状のパタ
ーンの間隔は上記穴状のパターンの幅より狭い。前記第
2補助オーバレイパターンは、第1補助オーバレイパタ
ーンにおける前記棒状のパターンより狭い幅を有した複
数の第2の棒状のパターンを有している。また、他の例
として、前記第1補助オーバレイパターンは複数の穴状
のパターンを有しており、前記第2補助オーバレイパタ
ーンは複数の棒状のパターンを有しており、前記第1補
助オーバレイパターンの穴状のパターンの幅は前記第2
補助オーバレイパターンの棒状のパターンの幅より大き
い、という構成を採用することもできる。前記第1及び
第2オーバレイキーは実質的に矩形の形状を有していて
もよい。前記第1補助オーバレイパターンは前記第1オ
ーバレイキーのコーナー部に隣接した位置に形成され
る。
明するために本発明による一実施例を添付図面を参照し
ながら詳細に説明する。
よるオーバレイキーの構造を図示する。本発明のオーバ
レイキー200は第1及び第2オーバレイキー20、2
5で構成される。前記第1及び第2オーバレイキー2
0、25は少なくとも枠形状部分(フレーム形状部分)を
有する。しかし、前記第1及び第2オーバレイキー2
0、25の形態は、後述するように、この場合に制限さ
れない。前記第1オーバレイキー20は第1主オーバレ
イパターン300と第1補助オーバレイパターン310
とを備えており、前記第2オーバレイキー25は第2主
オーバレイパターン320と第2補助オーバレイパター
ン330とを備えている。
前記第2オーバレイキー25の2本の平行した外側ライ
ンを外へ延長した仮想のラインにより定義された第1オ
ーバレーキー上の領域に位置しており、第2オーバレイ
キー25の各辺に対応して形成される。一方、前記第1
補助オーバレイパターン310は前記第1オーバレイキ
ー20のコーナー部分に形成される。前記第1主オーバ
レイパターン300の長さは、前記第2主オーバレイパ
ターン320の対応する側辺の長さと同一であることが
好ましい。しかしながら、前記第1主オーバレイパター
ン300の長さは、前記第2主オーバレイパターン32
0の対応する側辺の長さよりも長くてもかまわない。ま
た、前記第2補助オーバレイパターン330は前記第1
補助オーバレイパターン310と対応する位置に形成さ
れる。
1及び第2オーバレイキー20、25が相互にアライン
(整合)された際、前記第1主オーバレイパターン30
0は前記第2主オーバレイパターン320に対応して、
前記第1補助オーバレイパターン310は前記第2補助
オーバレイパターン330に対応する。しかしながら、
第2補助オーバレイパターン330は第1補助オーバレ
イパターン310に対応する位置に形成される一方、前
記第2主オーバレイパターン320は前記第1主オーバ
レイパターン300に対応しない位置に形成される。
ターン300、320は、オーバレイ測定装置を利用し
て、前記第1及び第2オーバレイキー間のミスアライメ
ント精度、すなわち、先行して形成された層と現在形成
された層との間のオーバレイ精度を測定するために用い
られる。前記第1及び第2補助オーバレイパターン31
0、330は、インラインSEMを利用して、前記第1
及び第2オーバレイキー20、25間のオーバレイ精度
を測定するために用いられる。
に、本発明はオーバレイ測定装置の光学顕微鏡を用いる
光学的な方法のみならず、インラインSEMを利用する
検査を利用する。前記光学的な方法によって測定された
オーバレイ精度とインラインSEMを利用して測定され
たオーバレイ精度は相互に比較される。したがって、オ
ーバレイ精度を正確に測定することができて、高い測定
信頼度を提供することができる。
第2補助オーバレイパターンを図示する。図4は第1補
助オーバレイパターン310を示した図面である。図4
に示したように、第1補助オーバレイパターン310は
規則的な間隔d41で相互に離隔された複数本の棒状パ
ターン(以下「バーパターン」という)311を含む。
した図面である。図5に示したように、前記第2補助オ
ーバレイパターンは規則的な間隔で相互に離隔された複
数個の穴状パターン(以下「ホールパターン」という)
331を含んでいる。望ましくは、前記第2補助オーバ
レイパターンにおける前記ホールパターン331の幅d
42は前記第1補助オーバレイパターン310における
隣接した2本のバーパターン331間の間隔d41より
大きい。
助オーバレイパターン310、330が相互にアライン
された際、オーバレイ精度すなわちオーバレイ精度を測
定するために、前記第2補助オーバレイパターン330
における前記ホールパターン331の両エッジから前記
第1補助オーバレイパターン310の前記バーパターン
311の両エッジまでの距離が各々測定される。
に沿って切断された断面図であって、本発明のオーバレ
イキーを製造するための工程を図示する。
ーハ201上に蒸着される。
キー20を形成するためのマスク(図示せず)を利用し
て、前記下部層202がパターニングされて第1主オー
バレイパターン300(図示せず)と前記第1補助オー
バレイパターン310を有した第1オーバレイキー20
を形成する。前記第1補助オーバレイパターン310は
前記複数のバーパターン311を含んでいる。
203が前記複数本のバーパターン311を覆いながら
前記ウェーハ201の全面上に蒸着される。ここでは、
前記絶縁層203のみが前記ウェーハ201上に蒸着さ
れているが、前記第2オーバレイキー25が形成される
までに、他の多くの後続工程を遂行できる。たとえば、
絶縁層203以外の膜を積層することもでき、CMPな
どの処理がされてもよいその後、図10に示したよう
に、フォトレジストが前記層間絶縁膜203の全面に塗
布される。第2オーバレイキー25を形成するためのマ
スク(図示せず)を利用して、前記フォトレジストをパ
ターニングして第2主オーバレイパターン320(図示
せず)と第2補助オーバレイパターン330とを有する
第2オーバレイキー25を形成する。前記第2補助オー
バレイパターン330は複数のホールパターン331を
有しており、前記第2補助オーバレイパターン330は
前記第1補助オーバレイパターン310に対応する位置
に形成される。
及び第2オーバレイキー20、25間のミスアライメン
トの精度をインラインSEMを利用して測定するため
に、前記層間絶縁層203をエッチングする。すなわ
ち、前記第2補助オーバレイパターン330をマスクと
して用いて前記層間絶縁層203をエッチングする。そ
の結果、前記第2補助オーバレイパターン330が前記
層間絶縁層203に転写される。したがって、前記層間
絶縁層203は前記第2補助オーバレイパターン330
の前記ホールパターン331に対応するコンタクトホー
ルパターン204を有することとなる。
測定する方法は次のとおりである。まず、図36及び図
37に示したように、まずオーバレイ測定装置の光学顕
微鏡を利用して前記第1及び第2主オーバレイパターン
300、320のオーバレイ精度を測定する。その後、
図11に示したように前記コンタクトホールパターン2
04を前記層間絶縁層203に形成した後、相互にアラ
インされた前記第1及び第2補助オーバレイパターン3
10、330をインラインSEMを利用して観察して図
12のイメージを得る。前記第1補助オーバレイパター
ン310の前記バーパターン311と前記第2補助オー
バレイパターン330のホールパターン331との間の
距離d51、d52をインラインSEMを利用して測定
することによって、前記第1及び第2補助オーバレイパ
ターン310、330間のオーバレイ精度を測定するこ
とができる。
ターン300、320間のミスアライメントの精度と前
記第1及び第2補助オーバレイパターン310、330
間のミスアライメントの精度とを比較する。
るために、本発明の実施例は2種の測定法、すなわち光
学測定法とインラインSEM測定法を併用する。したが
って、先行して形成された層と現在形成される層との間
のオーバレイ精度を、製造工程中であっても測定するこ
とができて、オーバレイ精度を非常に正確に測定するこ
とができるようになる。
例によるオーバレイキー200において、補助オーバレ
イパターン400の第2例を図示したものである。
示す平面図である。前記第1補助オーバレイパターン4
10は規則的な間隔d72で相互に離隔された複数本の
第1バーパターン411を有している。前記第1バーパ
ターン411は幅d71を有しており、間隔d72と幅
d71の合計はd73になる。
示す平面図である。前記第2補助オーバレイパターン4
30は規則的な間隔d75で相互に離隔された複数本の
第2バーパターン431を有している。前記第2バーパ
ターン431は幅d74を有しており、間隔d75と幅
d74の合計はd76になる。
であって、前記第1バーパターン411の幅d71は前
記第2バーパターン431の幅d74より大きく、間隔
d72が間隔d76より狭い。図15に示したように、
前記第1及び第2バーパターン411、431は互いに
対応する位置に配設される。
を沿って切断された断面図であって、インラインSEM
を利用してオーバレイ精度を測定するために前記第2補
助オーバレイパターン430を前記層間絶縁層に転写し
た後完成された補助オーバレイパターンを示す。
2補助オーバレイパターン430のバーパターン431
は同一な形態と配置を有する。したがって、前記層間絶
縁層のパターン222の両エッジと前記第1補助オーバ
レイパターン410のバーパターン411の両エッジ間
の距離d81、d82を各々測定することによってオー
バレイ精度を測定することができる。
オーバレイパターンの第3実施例を示す平面図である。
図17は第1補助オーバレイパターンを示す。図17に
示したように、第1補助オーバレイパターン510は複
数のホールパターン511を含んでいる。前記ホールパ
ターン511は幅d91を有する。図18は第2補助オ
ーバレイパターン530を示す。図18に示したよう
に、前記第2補助オーバレイパターン530は複数のバ
ーパターン531を含んでいる。前記バーパターン53
1は幅d92を有する。
バレイパターン510のホールパターン511と前記第
2補助オーバレイパターン530のバーパターン531
は相互に対応する位置に配設される。望ましくは前記第
1補助オーバレイパターン510の前記ホールパターン
511の幅d91は前記第2補助オーバレイパターン5
30のバーパターン531の幅d92より広い。
切断された断面図であって、インラインSEMを利用し
てオーバレイ精度を測定するために、前記第2補助オー
バレイパターン530が前記層間絶縁膜に転写された後
における完成された補助オーバレイパターンを示す。前
記層間絶縁層のパターン232と前記第2補助オーバレ
イパターン530のバーパターン531は同一な形態と
配置を有する。したがって、前記絶縁層の該パターン2
32と前記第1補助オーバレイパターン510のホール
パターン511間の距離d11、d12を各々測定する
ことによってオーバレイ精度を測定することができる。
例によるオーバレイキーの構造を図示したものである。
図21及び図22に示したように、前記オーバレイキー
600は第1及び第2オーバレイキー30、35を有し
ている。前記第1及び第2オーバレイキー30、35は
矩形形状となっている。前記第1オーバレイキー30は
第1主オーバレイパターン640及び第1補助オーバレ
イパターン610を有している。前記第2オーバレイキ
ー35は第2主オーバレイパターン620及び第2補助
オーバレイパターン630を有している。前記第1補助
オーバレイパターン610は、前記第2オーバレイキー
35の2本の平行した外側ラインを外へ延長した仮想の
ラインによって定義された領域内に位置せず、前記第2
オーバレイキー35の各辺に対応しない第1オーバレイ
キー30の一部分に形成される。換言すれば、前記第1
補助オーバレイパターン610は前記第1オーバレイキ
ー30のコーナー部に形成される。前記第2オーバレイ
キー35の前記第2補助オーバレイパターン630は前
記第1補助オーバレイパターン610に対応する位置に
形成される。また、前記第1主オーバレイパターン64
0の長さは前記第2主オーバレイパターン620の対応
する辺の長さと同一である。しかしながら、前記第1主
オーバレイパターン640の長さは前記第2主オーバレ
イパターン620の対応する辺の長さよりも長くてもよ
い。
第1及び第2オーバレイキー30、35が相互にアライ
ンされる際、前記第1主オーバレイパターン640は前
記第2主オーバレイパターン620に対応して、前記第
1補助オーバレイパターン610は前記第2補助オーバ
レイパターン630に対応する。
ターン640、620は、オーバレイ測定装置を利用し
て、前記第1及び第2オーバレイキー間のミスアライメ
ントの精度、すなわち、先行して形成された層と現在形
成される層との間のオーバレイ精度を測定することに用
いられる。また、前記第1及び第2補助オーバレイパタ
ーン610、630は、インラインSEMを利用して、
前記第1及び第2オーバレイキー30、35間のオーバ
レイ精度を測定することに用いられる。
610、630は、図4ないし図6、図13ないし図1
5、及び図17ないし図19に示されたものと同様に、
多様な形態を有することができる。
例によるオーバレイキーの構造を図示したものである。
図24及び図25に示したように、オーバレイキー70
0は第1及び第2オーバレイキー40、45を含んでい
る。前記第1及び第2オーバレイキー40、45は実質
的に矩形形状を有する。前記第1オーバレイキー40は
第1主オーバレイパターン740及び第1補助オーバレ
イパターン710を有している。前記第2オーバレイキ
ー45は第2主オーバレイパターン720及び第2補助
オーバレイパターン730を有している。
は、前記第2オーバレイキー45の2本の平行した外側
ラインを外へ延長した仮想のラインによって定義される
領域に位置することなく、前記第2オーバレイキー45
の各辺に対応しない第1オーバレイキー40の外側領域
に形成される。より具体的には、前記第1補助オーバレ
イパターン710は前記第1オーバレイキー40のコー
ナー部に隣接した第1主オーバレイパターン740の外
側に形成される。前記第2オーバレイキー45の前記第
2補助オーバレイパターン730は前記第1補助オーバ
レイパターン710に対応する位置に形成される。ま
た、前記第1主オーバレイパターン740の長さは前記
第2主オーバレイパターン720の対応する辺の長さよ
り長いか又は同一である。
第1及び第2オーバレイキー40、45が相互にアライ
ンされる際、前記第1主オーバレイパターン740は前
記第2主オーバレイパターン720に対応して、前記第
1補助オーバレイパターン710は前記第2補助オーバ
レイパターン730に対応する。
ターン740、720は、オーバレイ測定装置を利用し
て、前記第1及び第2オーバレイキー間のミスアライメ
ントの精度、すなわち先行して形成された層と現在形成
される層との間のオーバレイ精度を測定することに用い
られる。また、前記第1及び第2補助オーバレイパター
ン710、730は、インラインSEMを利用して、前
記第1及び第2オーバレイキー40、45間のオーバレ
イ精度を測定することに用いられる。
710、730は、図4ないし図6、図13ないし図1
5、及び図17ないし図19に示したものと同様に、多
様な形態を有することができる。
例によるオーバレイキーの構造を図示したものである。
図27及び13Bに示したように、オーバレイキー80
0は第1及び第2オーバレイキー50、55を含んでい
る。前記第1及び第2オーバレイキー50、55は少な
くとも環状部分を有している。前記第1オーバレイキー
50は第1主オーバレイパターン840及び第1補助オ
ーバレイパターン810を有している。前記第2オーバ
レイキー55は第2主オーバレイパターン820及び第
2補助オーバレイパターン830を有している。
は、前記第2オーバレイキー55の2本の平行した外側
ラインを外へ延長した仮想のラインによって定義される
領域に位置することなく、前記第2オーバレイキー55
の各辺に対応しない第1オーバレイキー50の内側領域
に形成される。換言すれば、前記第1補助オーバレイパ
ターン810は、前記第1オーバレイキー50のコーナ
ー部に隣接した第1主オーバレイパターン840の内側
に形成される。前記第2オーバレイキー55の前記第2
補助オーバレイパターン830は前記第1補助オーバレ
イパターン810に対応する位置に形成される。
第1及び第2オーバレイキー50、55が相互にアライ
ンされる際、前記第1主オーバレイパターン840は前
記第2主オーバレイパターン820に対応して、前記第
1補助オーバレイパターン810は前記第2補助オーバ
レイパターン830に対応する。
ターン840、820は、オーバレイ測定装置を利用し
て、前記第1及び第2オーバレイキー間のミスアライメ
ントの精度、すなわち先行して形成された層と現在形成
される層との間のオーバレイ精度を測定することに用い
られる。また、前記第1及び第2補助オーバレイパター
ン810、830は、インラインSEMを利用して、前
記第1及び第2オーバレイキー50、55間のオーバレ
イ精度を測定することに用いられる。
810、830は、図4ないし図6、図13ないし図1
5、及び図17ないし図19に示されたものと同様に、
多様な形態を有することができる。
例によるオーバレイキーの構造を図示したものである。
図30及び14Bに示したように、オーバレイキー90
0は第1及び第2オーバレイキー60、65を含んでい
る。前記第1及び第2オーバレイキー60、65は少な
くとも枠形状部分を有している。前記第1オーバレイキ
ー60は第1主オーバレイパターン940及び第1補助
オーバレイパターン910を有している。前記第2オー
バレイキー65は第2主オーバレイパターン920及び
第2補助オーバレイパターン930を有している。
は、前記第2オーバレイキー65の2本の平行した外側
ラインを外へ延長した仮想のラインによって定義される
領域に位置することなく、前記第2オーバレイキー65
の各辺に対応しない第1オーバレイキー60の外側領域
に形成される。具体的には、前記第1補助オーバレイパ
ターン910は前記第1オーバレイキー60のコーナー
部に隣接した第1主オーバレイパターン940の外側に
形成される。前記第2オーバレイキー65の前記第2補
助オーバレイパターン930は前記第1補助オーバレイ
パターン910に対応する位置に形成される。
第1及び第2オーバレイキー60、65が相互にアライ
ンされる際、前記第1主オーバレイパターン940は前
記第2主オーバレイパターン920に対応して、前記第
1補助オーバレイパターン910は前記第2補助オーバ
レイパターン930に対応する。
ターン940、920は、オーバレイ測定装置を利用し
て、前記第1及び第2オーバレイキー間のミスアライメ
ントの精度、すなわち先行して形成された層と現在形成
される層との間のオーバレイ精度を測定することに用い
られる。また、前記第1及び第2補助オーバレイパター
ン910、930は、インラインSEMを利用して、前
記第1及び第2オーバレイキー60、65間のオーバレ
イ精度を測定することに用いられる。
910、930は、図4ないし図6、図13ないし7
C、及び図17ないし9Cに示したものと同様に、多様
な形態を有することができる。
参照して説明したが、該技術分野の熟練された当業者は
特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から
外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させるこ
とができるものと理解される。
は、光学的な方法を利用してオーバレイ精度を測定する
ために用いられる主オーバレイパターンと、インライン
SEMを利用してオーバレイ精度を測定するために用い
られる補助オーバレイパターンを有しているので、オー
バレイ精度を正確に測定できて、また製造工程中におい
ても測定できる。
ーを示した図面である。
キーを示した図面である。
の全体を示した図面である。
にアラインされた状態の一例である。
するための工程を示す工程図である。
インラインSEM上のイメージを示す図である。
る。
る。
互にアラインされた状態の他の例である。
図である。
る。
る。
互にアラインされた状態の他の例である。
る。
キーを示した図面である。
イキーを示した図面である。
ーの全体を示した図面である。
キーを示した図面である。
イキーを示した図面である。
ーの全体を示した図面である。
キーを示した図面である。
イキーを示した図面である。
ーの全体を示した図面である。
キーを示した図面である。
イキーを示した図面である。
ーの全体を示した図面である。
た図面である。
た図面である。
した図面である。
イキーを利用してオーバレイ精度を測定する方法を説明
するための図である。
イキーを利用してオーバレイ精度を測定する方法を説明
するための図である。
Claims (50)
- 【請求項1】 第1主オーバレイパターン及び第1補助
オーバレイパターンを備える第1オーバレイキーと、 第2主オーバレイパターン及び第2補助オーバレイパタ
ーンを備える第2オーバレイキーと、を有しており、 前記第2補助オーバレイパターンは前記第1補助オーバ
レイパターンに対応する位置に形成されていることを特
徴とするオーバレイキー。 - 【請求項2】 前記第1オーバレイキー及び第2オーバ
レイキーは、少なくとも枠形状部分を含んでいることを
特徴とする請求項1に記載のオーバレイキー。 - 【請求項3】 前記第1補助オーバレイパターンは、前
記第1オーバレイキーのコーナー部に形成されているこ
とを特徴とする請求項2に記載のオーバレイキー。 - 【請求項4】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長
さと同一であることを特徴とする請求項3に記載のオー
バレイキー。 - 【請求項5】 前記第1主オーバレイパターンは、前記
第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライン
を延長した仮想のラインにより定義された領域に位置す
ることを特徴とする請求項4に記載のオーバレイキー。 - 【請求項6】 前記第1補助オーバレイパターンは、相
互に離隔された複数の棒状のパターンを有していること
を特徴とする請求項1に記載のオーバレイキー。 - 【請求項7】 前記第2補助オーバレイパターンは、相
互に離隔された複数の穴状のパターンを有していること
を特徴とする請求項6に記載のオーバレイキー。 - 【請求項8】 隣接した2本の棒状のパターンの間隔
は、前記穴状のパターンの幅より狭いことを特徴とする
請求項7に記載のオーバレイキー。 - 【請求項9】 前記第2補助オーバレイパターンは、前
記棒状のパターンより狭い幅を持つ複数の第2の棒状の
パターンを有することを特徴とする請求項6に記載のオ
ーバレイキー。 - 【請求項10】 前記第1補助オーバレイパターンは、
複数の穴状のパターンを有することを特徴とする請求項
1に記載のオーバレイキー。 - 【請求項11】 前記第2補助オーバレイパターンは、
複数の棒状のパターンを有することを特徴とする請求項
10に記載のオーバレイキー。 - 【請求項12】 前記第1補助オーバレイパターンにお
ける穴状のパターンの幅は、前記第2補助オーバレイパ
ターンにおける棒状のパターンの幅より大きいことを特
徴とする請求項11に記載のオーバレイキー。 - 【請求項13】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に隣接した位置に
形成されることを特徴とする請求項2に記載のオーバレ
イキー。 - 【請求項14】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長
さと同一であることを特徴とする請求項13に記載のオ
ーバレイキー。 - 【請求項15】 前記第1主オーバレイパターンは、前
記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライ
ンを延長した仮想のラインにより定義された領域に位置
することを特徴とする請求項14に記載のオーバレイキ
ー。 - 【請求項16】 前記第1及び第2オーバレイキーは、
実質的に矩形の形状を有していることを特徴とする請求
項1に記載のオーバレイキー。 - 【請求項17】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に形成されること
を特徴とする請求項16に記載のオーバレイキー。 - 【請求項18】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長
さと同一であることを特徴とする請求項17に記載のオ
ーバレイキー。 - 【請求項19】 前記第1主オーバレイパターンは、前
記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライ
ンを延長した仮想のラインにより定義された領域に位置
することを特徴とする請求項18に記載のオーバレイキ
ー。 - 【請求項20】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に隣接した位置に
形成されることを特徴とする請求項16に記載のオーバ
レイキー。 - 【請求項21】 前記主オーバレイパターンの長さは、
前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長さと
同一であることを特徴とする請求項20に記載のオーバ
レイキー。 - 【請求項22】 前記第1主オーバレイパターンは、前
記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライ
ンを延長した仮想のラインにより定義される領域に位置
することを特徴とする請求項21に記載のオーバレイキ
ー。 - 【請求項23】 前記第1及び第2主オーバレイパター
ンは、光学顕微鏡を用いてオーバレイ精度を測定するた
めのものであって、前記第1及び第2補助オーバレイパ
ターンはインラインSEMを利用してオーバレイ精度を
測定するためのものであることを特徴とする請求項1に
記載のオーバレイキー。 - 【請求項24】 第1主オーバレイパターン及び第1補
助オーバレイパターンを備える第1オーバレイキーと、 第2主オーバレイパターン及び第2補助オーバレイパタ
ーンを備える第2オーバレイキーと、を有しており、 前記第2主オーバレイパターンは前記第1主オーバレイ
パターンに対応しない位置に形成されていることを特徴
とするオーバレイキー。 - 【請求項25】 第1主オーバレイパターンと第1補助
オーバレイパターンとを備える第1オーバレイキーをウ
ェーハ上に形成する段階と、 前記第1オーバレイキーが形成された前記ウェーハ全面
に中間層を形成する段階と、 第2主オーバレイパターンと前記第1補助オーバレイパ
ターンに対応する位置に形成される第2補助オーバレイ
パターンとを備える第2オーバレイキーを前記中間層上
に形成する段階と、 前記第2補助オーバレイパターンをマスクとして用いて
中間層をエッチングして前記第2補助オーバレイパター
ンを中間層に転写する段階と、を含むオーバレイキー製
造方法。 - 【請求項26】 光学顕微鏡を利用して前記第1及び第
2主オーバレイパターンからオーバレイ精度を測定する
段階と、 インラインSEMを利用して前記第1及び第2補助オー
バレイパターンからオーバレイ精度を測定する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載のオー
バレイキー製造方法。 - 【請求項27】 前記第1及び第2オーバレイキーは、
枠形状部分を含んでいることを特徴とする請求項25に
記載のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項28】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に形成されている
ことを特徴とする請求項27に記載のオーバレイキー製
造方法。 - 【請求項29】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長
さと同一であることを特徴とする請求項28に記載のオ
ーバレイキー製造方法。 - 【請求項30】 前記第1主オーバレイパターンは、前
記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライ
ンを延長した仮想のラインにより定義された領域に位置
することを特徴とする請求項29に記載のオーバレイキ
ー製造方法。 - 【請求項31】 前記第1補助オーバレイパターンは、
相互に離隔された複数の棒状のパターンを有しているこ
とを特徴とする請求項25に記載のオーバレイキー製造
方法。 - 【請求項32】 前記第2補助オーバレイパターンは、
相互に離隔された複数の穴状のパターンを有しているこ
とを特徴とする請求項31に記載のオーバレイキー製造
方法。 - 【請求項33】 隣接した2本の棒状のパターンの間隔
は、前記穴状のパターンの幅より狭いことを特徴とする
請求項32に記載のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項34】 前記第2補助オーバレイパターンは、
前記棒状のパターンより狭い幅を持つ複数の第2の棒法
のパターンを有したことを特徴とする請求項31に記載
のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項35】 前記第1補助オーバレイパターンは、
複数の穴状のパターンを有したことを特徴とする請求項
25に記載のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項36】 前記第2補助オーバレイパターンは、
複数の棒状のパターンを有することを特徴とする請求項
35に記載のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項37】 前記第1補助オーバレイパターンにお
ける穴状のパターンの幅は、前記第2補助オーバレイパ
ターンにおける棒状のパターンの幅より大きいことを特
徴とする請求項36に記載のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項38】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に隣接した位置に
形成されることを特徴とする請求項27に記載のオーバ
レイキー製造方法。 - 【請求項39】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長
さと同一であることを特徴とする請求項38に記載のオ
ーバレイキー製造方法。 - 【請求項40】 前記第1主オーバレイパターンは、前
記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライ
ンを延長した仮想のラインにより定義された領域に位置
することを特徴とする請求項39に記載のオーバレイキ
ー製造方法。 - 【請求項41】 前記第1及び第2オーバレイキーは、
実質的に矩形の形状を有していることを特徴とする請求
項25に記載のオーバレイキー製造方法。 - 【請求項42】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に形成されること
を特徴とする請求項41に記載のオーバレイキー製造方
法。 - 【請求項43】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長
さと同一であることを特徴とする請求項42に記載のオ
ーバレイキー製造方法。 - 【請求項44】 前記第1主オーバレイパターンは、前
記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外側ライ
ンを延長した仮想のラインにより定義された領域に位置
することを特徴とする請求項43に記載のオーバレイキ
ー製造方法。 - 【請求項45】 前記第1補助オーバレイパターンは、
前記第1オーバレイキーのコーナー部に隣接した位置に
形成されることを特徴とする請求項41に記載のオーバ
レイキー製造方法。 - 【請求項46】 前記主オーバレイパターンの長さは、
前記第2主オーバレイパターンの対応する側辺の長さと
同一であることを特徴とする請求項45に記載のオーバ
レイキー製造方法。 - 【請求項47】 前記第1主オーバレイパターンの長さ
は、前記第2主オーバレイパターンの平行した2本の外
側ラインを延長した仮想のラインにより定義される領域
に位置することを特徴とする請求項46に記載のオーバ
レイキー製造方法。 - 【請求項48】 前記第2主オーバレイパターンは前記
第1主オーバレイパターンに対応しない位置に形成され
ることを特徴とする請求項25に記載のオーバレイキー
製造方法。 - 【請求項49】 第1主オーバレイパターン及び第1補
助オーバレイパターンを備える第1オーバレイキーと、
第2主オーバレイパターン及び前記第1補助オーバレイ
パターンに対応する位置に形成された第2補助オーバレ
イパターンを備える第2オーバレイキーとを提供する段
階と、 前記第1及び第2主オーバレイパターンを利用して第1
オーバレイ精度を測定する段階と、 前記第1及び第2補助オーバレイパターンを利用して第
2オーバレイ精度を測定する段階と、 前記第1及び第2オーバレイ精度を相互に比較する段階
と、を含むことを特徴とするオーバレイ精度を測定する
方法。 - 【請求項50】 前記第1オーバレイ精度は、光学顕微
鏡を利用して測定され、前記第2オーバレイ精度はイン
ラインSEMを利用して測定されることを特徴とする請
求項49に記載のオーバレイ精度を測定する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR2001-012005 | 2001-03-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002329662A true JP2002329662A (ja) | 2002-11-15 |
JP4381646B2 JP4381646B2 (ja) | 2009-12-09 |
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ID=19706639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6936931B2 (ja) |
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2001
- 2001-03-08 KR KR10-2001-0012005A patent/KR100399597B1/ko active IP Right Grant
- 2001-10-26 TW TW090126513A patent/TWI243443B/zh not_active IP Right Cessation
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2002
- 2002-01-14 US US10/043,329 patent/US6936931B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-27 JP JP2002051868A patent/JP4381646B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020072044A (ko) | 2002-09-14 |
US6936931B2 (en) | 2005-08-30 |
US7282422B2 (en) | 2007-10-16 |
US20020127483A1 (en) | 2002-09-12 |
JP4381646B2 (ja) | 2009-12-09 |
TWI243443B (en) | 2005-11-11 |
KR100399597B1 (ko) | 2003-09-26 |
US20050242448A1 (en) | 2005-11-03 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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