JPH09312249A - パターン細り検査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法 - Google Patents
パターン細り検査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法Info
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- JPH09312249A JPH09312249A JP8126191A JP12619196A JPH09312249A JP H09312249 A JPH09312249 A JP H09312249A JP 8126191 A JP8126191 A JP 8126191A JP 12619196 A JP12619196 A JP 12619196A JP H09312249 A JPH09312249 A JP H09312249A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターンの細り程度を、簡単に、しかも正確
に検査することができるパターン細り検査用パターン及
びそれを用いたパターン細り検査方法を提供する。 【解決手段】 パターン細り検査用のパターンにおい
て、チップアレイに対して平面的にＬ字形状に形成さ
れ、かつ段差を有する下地パターン５と、この下地パタ
ーン５に平面的に直交するＬ字形状の上層Ａｌレジスト
パターン６とを設け、矢印で示すように、下地パターン
５の段差上のＬ字形状の上層Ａｌレジストパターン６を
９０°方向より検査する。
に検査することができるパターン細り検査用パターン及
びそれを用いたパターン細り検査方法を提供する。 【解決手段】 パターン細り検査用のパターンにおい
て、チップアレイに対して平面的にＬ字形状に形成さ
れ、かつ段差を有する下地パターン５と、この下地パタ
ーン５に平面的に直交するＬ字形状の上層Ａｌレジスト
パターン６とを設け、矢印で示すように、下地パターン
５の段差上のＬ字形状の上層Ａｌレジストパターン６を
９０°方向より検査する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
ス（フォトリソ工程）において、特に、高反射基板上に
パターンニングする際に発生し易くなるパターン細り検
査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法に
関するものである。
ス（フォトリソ工程）において、特に、高反射基板上に
パターンニングする際に発生し易くなるパターン細り検
査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】このような分野の技術としては、例え
ば、特開昭６３−２８７９５３号公報、特開平２−２９
１１４２号公報、特開平４−００２１１４号公報に開示
されるものがあった。このような半導体製造プロセスに
おけるフォトリソ工程において、露光機、（反射プロジ
ェクションアライナー／ステッパ）にて、特にＡｌ工程
等の高反射基板上にパターンニングを行う場合、下地段
差上のレジストパターンが選択的に細り易くなる傾向が
ある。
ば、特開昭６３−２８７９５３号公報、特開平２−２９
１１４２号公報、特開平４−００２１１４号公報に開示
されるものがあった。このような半導体製造プロセスに
おけるフォトリソ工程において、露光機、（反射プロジ
ェクションアライナー／ステッパ）にて、特にＡｌ工程
等の高反射基板上にパターンニングを行う場合、下地段
差上のレジストパターンが選択的に細り易くなる傾向が
ある。
【０００３】その主要因としては、段差上下でのレジス
ト膜厚差により、適性露光量及びフォーカス値が異なる
ことが考えられるが、具体的な検査方法がなく、実デバ
イス内でのパターン検査にて対応しているのが現状であ
る。
ト膜厚差により、適性露光量及びフォーカス値が異なる
ことが考えられるが、具体的な検査方法がなく、実デバ
イス内でのパターン検査にて対応しているのが現状であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の実デバイス内でのパターン検査では、デバイス
の種類が多く、どこにパターン細りが発生するのかを、
機種毎に確認しておく必要があり、しかも、その特定パ
ターンを実作業者が、通常の検査にて確認するのは、極
めて困難である。
た従来の実デバイス内でのパターン検査では、デバイス
の種類が多く、どこにパターン細りが発生するのかを、
機種毎に確認しておく必要があり、しかも、その特定パ
ターンを実作業者が、通常の検査にて確認するのは、極
めて困難である。
【０００５】本発明は、上記問題点を除去し、パターン
細りの程度を、簡単に、しかも正確に検査することがで
きるパターン細り検査用パターン及びそれを用いたパタ
ーン細り検査方法を提供することを目的とする。
細りの程度を、簡単に、しかも正確に検査することがで
きるパターン細り検査用パターン及びそれを用いたパタ
ーン細り検査方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕パターン細り検査用パターンにおいて、チップア
レイに対して平面的にＬ字形状に形成され、かつ段差を
有する下地パターンと、この下地パターンに平面的に直
交するＬ字形状の上層パターンとを設けるようにしたも
のである。
成するために、 〔１〕パターン細り検査用パターンにおいて、チップア
レイに対して平面的にＬ字形状に形成され、かつ段差を
有する下地パターンと、この下地パターンに平面的に直
交するＬ字形状の上層パターンとを設けるようにしたも
のである。
【０００７】したがって、簡単な構造で、露光機が有し
ている光学系的な９０°収差の度合いが判り、その度合
いにより、良／否の判定を簡単に行うことができる。 〔２〕パターン細り検査用パターンにおいて、チップア
レイに対して４５°回転させるとともに、平面的にＬ字
形状に形成され、かつ段差を有する下地パターンと、こ
の下地パターンに平面的に直交するＬ字形状の上層パタ
ーンとを設けるようにしたものである。
ている光学系的な９０°収差の度合いが判り、その度合
いにより、良／否の判定を簡単に行うことができる。 〔２〕パターン細り検査用パターンにおいて、チップア
レイに対して４５°回転させるとともに、平面的にＬ字
形状に形成され、かつ段差を有する下地パターンと、こ
の下地パターンに平面的に直交するＬ字形状の上層パタ
ーンとを設けるようにしたものである。
【０００８】したがって、簡単な構造で、露光機が有し
ている光学系的な４５°収差の度合いが判り、その度合
いにより、良／否の判定を簡単に行うことができる。 〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のパターン細り検査用
パターンにおいて、前記下地パターンは凹形状の層間絶
縁膜であり、前記上層パターンは金属配線膜である。
ている光学系的な４５°収差の度合いが判り、その度合
いにより、良／否の判定を簡単に行うことができる。 〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載のパターン細り検査用
パターンにおいて、前記下地パターンは凹形状の層間絶
縁膜であり、前記上層パターンは金属配線膜である。
【０００９】したがって、段差が厳しい又は構造的にノ
ッチが出やすい工程でも、パターン細り検査を十分に行
うことができる。 〔４〕上記〔１〕又は〔２〕記載のパターン細り検査用
パターンにおいて、前記下地パターンは凸形状の多結晶
シリコン膜または金属シリサイド膜であり、前記上層パ
ターンは金属配線膜である。
ッチが出やすい工程でも、パターン細り検査を十分に行
うことができる。 〔４〕上記〔１〕又は〔２〕記載のパターン細り検査用
パターンにおいて、前記下地パターンは凸形状の多結晶
シリコン膜または金属シリサイド膜であり、前記上層パ
ターンは金属配線膜である。
【００１０】したがって、段差が厳しい又は構造的にノ
ッチが出やすい工程でも、パターン細り検査を十分に行
うことができる。 〔５〕上記〔１〕、〔２〕、〔３〕又は〔４〕記載のパ
ターン細り検査用パターンにおいて、前記上層パターン
はアルミニウム膜である。したがって、高反射基板上へ
のパターンニングにおけるパターン細り検査を十分に行
うことができる。
ッチが出やすい工程でも、パターン細り検査を十分に行
うことができる。 〔５〕上記〔１〕、〔２〕、〔３〕又は〔４〕記載のパ
ターン細り検査用パターンにおいて、前記上層パターン
はアルミニウム膜である。したがって、高反射基板上へ
のパターンニングにおけるパターン細り検査を十分に行
うことができる。
【００１１】〔６〕パターン細り検査用パターンにおい
て、１チップ内の空きスペース内に９０°収差の検査用
パターンと４５°収差の検査用パターンとを配置するよ
うにしたものである。このように、９０°収差の検査用
パターンと、４５°収差の検査用パターンとの両方を同
一チップ内に配置しておくようにしたので、検査工程に
応じて、いずれかの検査パターンを自由に選択すること
ができる。
て、１チップ内の空きスペース内に９０°収差の検査用
パターンと４５°収差の検査用パターンとを配置するよ
うにしたものである。このように、９０°収差の検査用
パターンと、４５°収差の検査用パターンとの両方を同
一チップ内に配置しておくようにしたので、検査工程に
応じて、いずれかの検査パターンを自由に選択すること
ができる。
【００１２】〔７〕パターン細り検査方法において、１
チップ内の空きスペース内にチップアレイに対して平面
的にＬ字形状に形成され、かつ段差を有する下地パター
ンと、この下地パターンに平面的に直交するＬ字形状の
上層パターンとを具備するパターン細り検査用パターン
を配置し、段差上のレジストパターンをＸ方向及びＹ方
向より検査するようにしたものである。
チップ内の空きスペース内にチップアレイに対して平面
的にＬ字形状に形成され、かつ段差を有する下地パター
ンと、この下地パターンに平面的に直交するＬ字形状の
上層パターンとを具備するパターン細り検査用パターン
を配置し、段差上のレジストパターンをＸ方向及びＹ方
向より検査するようにしたものである。
【００１３】したがって、露光機が有している光学系的
な９０°収差の度合いが判り、その度合いにより、パタ
ーン細り検査を十分に行うことができる。 〔８〕パターン細り検査方法において、１チップ内の空
きスペース内にチップアレイに対して４５°回転させる
とともに、平面的にＬ字形状に形成され、かつ段差を有
する下地パターンと、この下地パターンに平面的に直交
するＬ字形状の上層パターンとを具備するパターン細り
検査用パターンを配置し、段差上のレジストパターンを
Ｘ方向及びＹ方向より検査するようにしたものである。
な９０°収差の度合いが判り、その度合いにより、パタ
ーン細り検査を十分に行うことができる。 〔８〕パターン細り検査方法において、１チップ内の空
きスペース内にチップアレイに対して４５°回転させる
とともに、平面的にＬ字形状に形成され、かつ段差を有
する下地パターンと、この下地パターンに平面的に直交
するＬ字形状の上層パターンとを具備するパターン細り
検査用パターンを配置し、段差上のレジストパターンを
Ｘ方向及びＹ方向より検査するようにしたものである。
【００１４】したがって、露光機が有している光学系的
な４５°収差の度合いが判り、その度合いにより、パタ
ーン細り検査を十分に行うことができる。
な４５°収差の度合いが判り、その度合いにより、パタ
ーン細り検査を十分に行うことができる。
〔９〕パターン細り検査方法において、１チップ内の空
きスペース内に９０°収差の検査用パターンと４５°収
差の検査用パターンの両方を配置し、その検査工程に応
じチップアレイに対し、自由に９０°収差の検査用パタ
ーンと４５°収差の検査用パターンかを選択し、パター
ン細りの検査を行うようにしたものである。
きスペース内に９０°収差の検査用パターンと４５°収
差の検査用パターンの両方を配置し、その検査工程に応
じチップアレイに対し、自由に９０°収差の検査用パタ
ーンと４５°収差の検査用パターンかを選択し、パター
ン細りの検査を行うようにしたものである。
【００１５】したがって、９０°収差の検査用パターン
と、４５°収差の検査用パターンのいずれかの検査パタ
ーンを自由に選択して、検査工程に適合したパターン細
り検査を行うことができる。 〔１０〕上記〔７〕又は〔８〕記載のパターン細り検査
方法において、前記段差上のレジストパターン寸法を実
測し、検量グラフと整合をとることにより、フォーカス
ずれ量を定量化するようにしたものである。
と、４５°収差の検査用パターンのいずれかの検査パタ
ーンを自由に選択して、検査工程に適合したパターン細
り検査を行うことができる。 〔１０〕上記〔７〕又は〔８〕記載のパターン細り検査
方法において、前記段差上のレジストパターン寸法を実
測し、検量グラフと整合をとることにより、フォーカス
ずれ量を定量化するようにしたものである。
【００１６】したがって、検量グラフより、フォーカス
ずれ量を測長するだけで、定量化が可能となり、露光機
へのフォーカス補正量を容易に算出することができる。
つまり、段差上のレジストパターン寸法を測ることによ
り、収差の度合いを定量的に確認することができ、露光
機への収差補正も簡単に行うことができる。
ずれ量を測長するだけで、定量化が可能となり、露光機
へのフォーカス補正量を容易に算出することができる。
つまり、段差上のレジストパターン寸法を測ることによ
り、収差の度合いを定量的に確認することができ、露光
機への収差補正も簡単に行うことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す９０°収差の検査用パターン（その
１）の平面図、図２はその検査用パターン（その１）の
断面図、図３はその検査用パターン（その２）の平面
図、図４はその検査用パターン（その２）の断面図であ
る。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す９０°収差の検査用パターン（その
１）の平面図、図２はその検査用パターン（その１）の
断面図、図３はその検査用パターン（その２）の平面
図、図４はその検査用パターン（その２）の断面図であ
る。
【００１８】図２に示すように、Ｓｉ基板１上にＳｉＯ
2 膜２を形成し、このＳｉＯ2 膜２にＡＣ（アクティ
ブ）パターンである凹形状段差３を形成する。なお、こ
の実施例では、凹形状段差３について述べているが、こ
れに限定されるものではなく、抜きパターンなら何でも
良い。例えば、図４に示すような、２Ｃパターン（ＢＰ
ＳＧ）等や１Ｇ（第１ゲート）（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ／Ｗ−
Ｓｉ）のような凸形状段差１２（残しパターンなら何で
も良い）を、図１又は図３に示すように、チップアレイ
に対して平面的にＬ字形状の下地パターン５，１５とし
て形成する〔この時のＬ字形状パターン幅は、各工程：
ＡＣ（アクティブ）パターンや、１Ｇ（第１ゲート）パ
ターン等にかかわらず、実デバイスのワード線幅と同値
とする〕。なお、４はＡｌレジスト、Ｏは下地パターン
７，１７の起点、１１はＳｉ基板、１３はＳｉＯ2 膜で
ある。
2 膜２を形成し、このＳｉＯ2 膜２にＡＣ（アクティ
ブ）パターンである凹形状段差３を形成する。なお、こ
の実施例では、凹形状段差３について述べているが、こ
れに限定されるものではなく、抜きパターンなら何でも
良い。例えば、図４に示すような、２Ｃパターン（ＢＰ
ＳＧ）等や１Ｇ（第１ゲート）（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ／Ｗ−
Ｓｉ）のような凸形状段差１２（残しパターンなら何で
も良い）を、図１又は図３に示すように、チップアレイ
に対して平面的にＬ字形状の下地パターン５，１５とし
て形成する〔この時のＬ字形状パターン幅は、各工程：
ＡＣ（アクティブ）パターンや、１Ｇ（第１ゲート）パ
ターン等にかかわらず、実デバイスのワード線幅と同値
とする〕。なお、４はＡｌレジスト、Ｏは下地パターン
７，１７の起点、１１はＳｉ基板、１３はＳｉＯ2 膜で
ある。
【００１９】次いで、その下地パターン（段差）５，１
５上に、Ａｌフォトリソ工程にて、下地段差と交差する
よう反対向きにＬ字形状の上層パターン６，１６を形成
する。この時のＬ字形状の上層パターン６，１６の幅
は、Ａｌホトリソ工程での実パターン配線幅と同値と
し、下地パターン５，１５に対し３本程度形成させる
（本数は、多くてもかまわない）。
５上に、Ａｌフォトリソ工程にて、下地段差と交差する
よう反対向きにＬ字形状の上層パターン６，１６を形成
する。この時のＬ字形状の上層パターン６，１６の幅
は、Ａｌホトリソ工程での実パターン配線幅と同値と
し、下地パターン５，１５に対し３本程度形成させる
（本数は、多くてもかまわない）。
【００２０】図５に示すように、これらのパターン細り
検査パターン２３を、１チップ２１内のセル２２から外
れた空きスペース内にチップ毎に挿入させ、段差上のレ
ジストパターンをＸ方向及びＹ方向よりチェックし、パ
ターン細りの程度を確認する。すなわち、図１又は図３
において矢印で示すように、下地パターン５，１５の段
差上のＬ字形状の上層Ａｌレジストパターン６，１６を
９０°方向より検査する。
検査パターン２３を、１チップ２１内のセル２２から外
れた空きスペース内にチップ毎に挿入させ、段差上のレ
ジストパターンをＸ方向及びＹ方向よりチェックし、パ
ターン細りの程度を確認する。すなわち、図１又は図３
において矢印で示すように、下地パターン５，１５の段
差上のＬ字形状の上層Ａｌレジストパターン６，１６を
９０°方向より検査する。
【００２１】この時に、明らかにパターン細りが確認で
きるようであれば、段差上のレジストパターン寸法まで
実測（測長機はＳＥＭ測長機が良い）し、パターン細り
の度合いを数値化する。図６は本発明の第２の実施例を
示す４５°収差の検査用パターンの平面図である。
きるようであれば、段差上のレジストパターン寸法まで
実測（測長機はＳＥＭ測長機が良い）し、パターン細り
の度合いを数値化する。図６は本発明の第２の実施例を
示す４５°収差の検査用パターンの平面図である。
【００２２】本発明の第１実施例で示した９０°収差の
検査用パターンの起点Ｏ（７，１７）を中心として、θ
を４５°だけ（左右どちらでもよい）、回転させたもの
である。そこで、図６において矢印で示すように、下地
パターン５の段差上のＬ字形状の上層Ａｌレジストパタ
ーン６を斜め（４５°）方向より検査する。
検査用パターンの起点Ｏ（７，１７）を中心として、θ
を４５°だけ（左右どちらでもよい）、回転させたもの
である。そこで、図６において矢印で示すように、下地
パターン５の段差上のＬ字形状の上層Ａｌレジストパタ
ーン６を斜め（４５°）方向より検査する。
【００２３】なお、パターン細り検査用の下地パターン
は、図７に示すように、９０°収差の検査用パターン３
３と、４５°収差の検査用パターン３４の両方を同一チ
ップ３１内に配置しておき、検査工程に応じ（例えば、
検査工程のＬ字形状の上層Ａｌレジストパターン６が９
０°方向に配置されているか、もしくは４５°方向に配
置されているか、下地パターンの段差上のレジストパタ
ーンが細りやすくなるパターンの配列方向により、９０
°か４５°の検査パターンを自由に選択することができ
る）、チップアレイに対して自由に９０°／４５°と配
置することができる。なお、図７において、３２はスク
ライブラインである。
は、図７に示すように、９０°収差の検査用パターン３
３と、４５°収差の検査用パターン３４の両方を同一チ
ップ３１内に配置しておき、検査工程に応じ（例えば、
検査工程のＬ字形状の上層Ａｌレジストパターン６が９
０°方向に配置されているか、もしくは４５°方向に配
置されているか、下地パターンの段差上のレジストパタ
ーンが細りやすくなるパターンの配列方向により、９０
°か４５°の検査パターンを自由に選択することができ
る）、チップアレイに対して自由に９０°／４５°と配
置することができる。なお、図７において、３２はスク
ライブラインである。
【００２４】次に、本発明の第４実施例について説明す
る。レジスト目標寸法での露光量にてフォーカス水準毎
にパターニングを行うと、図８に示すような、実測寸法
ΔＣＤ（μｍ）とフォーカス値（μｍ）との相関グラフ
を求めることができる。すなわち、ベストフォーカス値
（センター）では、通常ΔＣＤ（μｍ）は極値をとる傾
向にあり、フォーカスがずれると、ΔＣＤ（μｍ）が変
わる結果となり、このグラフが検量グラフとなる。ただ
し、この検量グラフは検査工程に応じ予め作成しておく
ことが必要である。この時の測長箇所はもちろん段差上
のレジストパターンである。
る。レジスト目標寸法での露光量にてフォーカス水準毎
にパターニングを行うと、図８に示すような、実測寸法
ΔＣＤ（μｍ）とフォーカス値（μｍ）との相関グラフ
を求めることができる。すなわち、ベストフォーカス値
（センター）では、通常ΔＣＤ（μｍ）は極値をとる傾
向にあり、フォーカスがずれると、ΔＣＤ（μｍ）が変
わる結果となり、このグラフが検量グラフとなる。ただ
し、この検量グラフは検査工程に応じ予め作成しておく
ことが必要である。この時の測長箇所はもちろん段差上
のレジストパターンである。
【００２５】検査工程の段差上レジストパターン寸法を
実測して、その実測した値（ΔＣＤ）が、仮にグラフ上
のＣ2 （μｍ）であったとすれば、この検量グラフよ
り、フォーカスずれ量は、Ｂ2 又はＡ2 となり、また、
Ｃ1 （μｍ）であったとすれば、この検量グラフより、
フォーカスずれ量は、Ｂ1 又はＡ1 となり、フォーカス
ずれ量を測長するだけで、定量化することができる。
実測して、その実測した値（ΔＣＤ）が、仮にグラフ上
のＣ2 （μｍ）であったとすれば、この検量グラフよ
り、フォーカスずれ量は、Ｂ2 又はＡ2 となり、また、
Ｃ1 （μｍ）であったとすれば、この検量グラフより、
フォーカスずれ量は、Ｂ1 又はＡ1 となり、フォーカス
ずれ量を測長するだけで、定量化することができる。
【００２６】以上のように構成することにより、以下の
ような効果を奏することができる。 （１）露光機（主に、反射プロジェクションアライナ
ー）は、光学系的に収差（Ｘ、Ｙフォーカス差：９０°
又は４５°収差がある）を持っているが、前述のような
パターン細り検査パターンを設けることにより、９０°
収差の度合いが判り、その度合いにより良／否の判定が
簡単に行える。
ような効果を奏することができる。 （１）露光機（主に、反射プロジェクションアライナ
ー）は、光学系的に収差（Ｘ、Ｙフォーカス差：９０°
又は４５°収差がある）を持っているが、前述のような
パターン細り検査パターンを設けることにより、９０°
収差の度合いが判り、その度合いにより良／否の判定が
簡単に行える。
【００２７】（２）パターン細り検査パターンをチップ
アレイに対し、４５°方向に配置させることにより、４
５°収差に対しても上述のような効果が期待できる。 （３）段差上のレジストパターン寸法を測ることで、収
差の度合いを定量的に確認することができ、露光機への
収差補正も簡単に行うことができる。なお、このパター
ン細り検査方法は、半導体プロセスにおけるフォトリソ
工程において、特に、高反射基板上へのパターンニング
に対して有効であるが、その他にも、段差が厳しい又は
構造的にノッチが出やすい工程でも、十分に有効であ
る。
アレイに対し、４５°方向に配置させることにより、４
５°収差に対しても上述のような効果が期待できる。 （３）段差上のレジストパターン寸法を測ることで、収
差の度合いを定量的に確認することができ、露光機への
収差補正も簡単に行うことができる。なお、このパター
ン細り検査方法は、半導体プロセスにおけるフォトリソ
工程において、特に、高反射基板上へのパターンニング
に対して有効であるが、その他にも、段差が厳しい又は
構造的にノッチが出やすい工程でも、十分に有効であ
る。
【００２８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、簡単な構造で、露
光機が有している光学系的な９０°収差の度合いが判
り、その度合いにより、良／否の判定を簡単に行うこと
ができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、簡単な構造で、露
光機が有している光学系的な９０°収差の度合いが判
り、その度合いにより、良／否の判定を簡単に行うこと
ができる。
【００３０】（２）請求項２記載の発明によれば、簡単
な構造で、露光機が有している光学系的な４５°収差の
度合いが判り、その度合いにより、良／否の判定を簡単
に行うことができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、段差が厳しい又は
構造的にノッチが出やすい工程でも、パターン細り検査
を十分に行うことができる。
な構造で、露光機が有している光学系的な４５°収差の
度合いが判り、その度合いにより、良／否の判定を簡単
に行うことができる。 （３）請求項３記載の発明によれば、段差が厳しい又は
構造的にノッチが出やすい工程でも、パターン細り検査
を十分に行うことができる。
【００３１】（４）請求項４記載の発明によれば、段差
が厳しい又は構造的にノッチが出やすい工程でも、パタ
ーン細り検査を十分に行うことができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、高反射基板上への
パターンニングにおけるパターン細り検査を十分に行う
ことができる。 （６）請求項６記載の発明によれば、９０°収差の検査
用パターンと、４５°収差の検査用パターンとの両方を
同一チップ内に配置しておくようにしたので、検査工程
に応じて、いずれかの検査パターンを自由に選択するこ
とができる。
が厳しい又は構造的にノッチが出やすい工程でも、パタ
ーン細り検査を十分に行うことができる。 （５）請求項５記載の発明によれば、高反射基板上への
パターンニングにおけるパターン細り検査を十分に行う
ことができる。 （６）請求項６記載の発明によれば、９０°収差の検査
用パターンと、４５°収差の検査用パターンとの両方を
同一チップ内に配置しておくようにしたので、検査工程
に応じて、いずれかの検査パターンを自由に選択するこ
とができる。
【００３２】（７）請求項７記載の発明によれば、露光
機が有している光学系的な９０°収差の度合いが判り、
その度合いにより、パターン細り検査を十分に行うこと
ができる。 （８）請求項８記載の発明によれば、露光機が有してい
る光学系的な４５°収差の度合いが判り、その度合いに
より、パターン細り検査を十分に行うことができる。
機が有している光学系的な９０°収差の度合いが判り、
その度合いにより、パターン細り検査を十分に行うこと
ができる。 （８）請求項８記載の発明によれば、露光機が有してい
る光学系的な４５°収差の度合いが判り、その度合いに
より、パターン細り検査を十分に行うことができる。
【００３３】（９）請求項９記載の発明によれば、９０
°収差の検査用パターンと、４５°収差の検査用パター
ンのいずれかの検査パターンを自由に選択して、検査工
程に適合したパターン細り検査を行うことができる。 （１０）請求項１０記載の発明によれば、検量グラフよ
り、フォーカスずれ量を測長するだけで、定量化が可能
となり、露光機へのフォーカス補正量を容易に算出する
ことができる。つまり、段差上のレジストパターン寸法
を測ることにより、収差の度合いを定量的に確認するこ
とができ、露光機への収差補正も簡単に行うことができ
る。
°収差の検査用パターンと、４５°収差の検査用パター
ンのいずれかの検査パターンを自由に選択して、検査工
程に適合したパターン細り検査を行うことができる。 （１０）請求項１０記載の発明によれば、検量グラフよ
り、フォーカスずれ量を測長するだけで、定量化が可能
となり、露光機へのフォーカス補正量を容易に算出する
ことができる。つまり、段差上のレジストパターン寸法
を測ることにより、収差の度合いを定量的に確認するこ
とができ、露光機への収差補正も簡単に行うことができ
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す９０°収差の検査用
パターン（その１）の平面図である。
パターン（その１）の平面図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す９０°収差の検査用
パターン（その１）の断面図である。
パターン（その１）の断面図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す９０°収差の検査用
パターン（その２）の平面図である。
パターン（その２）の平面図である。
【図４】本発明の第１実施例を示す９０°収差の検査用
パターン（その２）の断面図である。
パターン（その２）の断面図である。
【図５】本発明のパターン細り検査パターンのチップ内
の配置図である。
の配置図である。
【図６】本発明の第２実施例を示す４５°収差の検査用
パターンの平面図である。
パターンの平面図である。
【図７】本発明の第３実施例を示すパターン細り検査パ
ターンのチップ内の配置図である。
ターンのチップ内の配置図である。
【図８】本発明の第４実施例を示すパターンの実測寸法
とフォーカス値との相関を示すグラフである。
とフォーカス値との相関を示すグラフである。
１，１１ Ｓｉ基板 ２，１３ ＳｉＯ2 膜 ３ 凹形状段差 ４ Ａｌレジスト ５，１５ 下地パターン ６，１６ Ｌ字形状の上層Ａｌレジストパターン １２ 凸形状段差 ２１，３１ チップ ２３ パターン細り検査パターン ３２ スクライブライン ３３ ９０°収差の検査用パターン ３４ ４５°収差の検査用パターン
Claims (10)
- 【請求項１】 パターン細り検査用パターンにおいて、
（ａ）チップアレイに対して平面的にＬ字形状に形成さ
れ、かつ段差を有する下地パターンと、（ｂ）該下地パ
ターンに平面的に直交するＬ字形状の上層パターンとを
具備することを特徴とするパターン細り検査用パター
ン。 - 【請求項２】 パターン細り検査用パターンにおいて、
（ａ）チップアレイに対して４５°回転させるととも
に、平面的にＬ字形状に形成され、かつ段差を有する下
地パターンと、（ｂ）該下地パターンに平面的に直交す
るＬ字形状の上層パターンとを具備することを特徴とす
るパターン細り検査用パターン。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のパターン細り検査
用パターンにおいて、前記下地パターンは凹形状の層間
絶縁膜であり、前記上層パターンは金属配線膜であるこ
とを特徴とするパターン細り検査用パターン。 - 【請求項４】 請求項１又は２記載のパターン細り検査
用パターンにおいて、前記下地パターンは凸形状の多結
晶シリコン膜または金属シリサイド膜であり、前記上層
パターンは金属配線膜であることを特徴とするパターン
細り検査用パターン。 - 【請求項５】 請求項１、２、３又は４記載のパターン
細り検査用パターンにおいて、前記上層パターンはアル
ミニウム膜であることを特徴とするパターン細り検査用
パターン。 - 【請求項６】 パターン細り検査用パターンにおいて、 １チップ内の空きスペース内に９０°収差の検査用パタ
ーンと４５°収差の検査用パターンとを配置してなるこ
とを特徴とするパターン細り検査用パターン。 - 【請求項７】 パターン細り検査方法において、（ａ）
１チップ内の空きスペース内にチップアレイに対して平
面的にＬ字形状に形成され、かつ段差を有する下地パタ
ーンと、該下地パターンに平面的に直交するＬ字形状の
上層パターンとを具備するパターン細り検査用パターン
を配置し、（ｂ）段差上のレジストパターンをＸ方向及
びＹ方向より検査することを特徴とするパターン細り検
査方法。 - 【請求項８】 パターン細り検査方法において、（ａ）
１チップ内の空きスペース内にチップアレイに対して４
５°回転させるとともに平面的にＬ字形状に形成され、
かつ段差を有する下地パターンと、該下地パターンに平
面的に直交するＬ字形状の上層パターンとを具備するパ
ターン細り検査用パターンを配置し、（ｂ）段差上のレ
ジストパターンをＸ方向及びＹ方向より検査することを
特徴とするパターン細り検査方法。 - 【請求項９】 パターン細り検査方法において、１チッ
プ内の空きスペース内に９０°収差の検査用パターンと
４５°収差の検査用パターンの両方を配置し、その検査
工程に応じチップアレイに対し自由に９０°収差の検査
用パターンと４５°収差の検査用パターンかを選択し、
パターン細りの検査を行うことを特徴とするパターン細
り検査方法。 - 【請求項１０】 請求項７又は８記載のパターン細り検
査方法において、前記段差上のレジストパターン寸法を
実測し、検量グラフと整合をとることにより、フォーカ
スずれ量を定量化するようにしたことを特徴とするパタ
ーン細り検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8126191A JPH09312249A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | パターン細り検査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8126191A JPH09312249A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | パターン細り検査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09312249A true JPH09312249A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14928958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8126191A Withdrawn JPH09312249A (ja) | 1996-05-22 | 1996-05-22 | パターン細り検査用パターン及びそれを用いたパターン細り検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09312249A (ja) |
-
1996
- 1996-05-22 JP JP8126191A patent/JPH09312249A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030805 |