JPH08321453A - 半導体装置用目合わせ方式 - Google Patents
半導体装置用目合わせ方式Info
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- JPH08321453A JPH08321453A JP12832195A JP12832195A JPH08321453A JP H08321453 A JPH08321453 A JP H08321453A JP 12832195 A JP12832195 A JP 12832195A JP 12832195 A JP12832195 A JP 12832195A JP H08321453 A JPH08321453 A JP H08321453A
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- Japan
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- mask
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- semiconductor device
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- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 重ね合わせ精度が良好な半導体装置用目合わ
せ方式を提供する。 【構成】 一定のピッチで配列された第１のパターン１
を有する第１のマスクを用いて半導体基板に形成された
目合わせ用パターン２に、この目合わせ用パターン２の
ピッチと異なるピッチで且つ、前記目合わせ用パターン
２に対応する第２のパターン３を有する第２のマスクを
重ね合わせることによりマスクずれを判定する。前記目
合わせ用パターン２及び第２のパターン３はＩ字形状で
あり、目合わせ用パターン２が凹状である場合には、そ
の最小線幅を０．９〜２．１μｍとし、目合わせ用パタ
ーン２が凸状である場合には、その最小線幅を２．０μ
ｍ以下とする。
せ方式を提供する。 【構成】 一定のピッチで配列された第１のパターン１
を有する第１のマスクを用いて半導体基板に形成された
目合わせ用パターン２に、この目合わせ用パターン２の
ピッチと異なるピッチで且つ、前記目合わせ用パターン
２に対応する第２のパターン３を有する第２のマスクを
重ね合わせることによりマスクずれを判定する。前記目
合わせ用パターン２及び第２のパターン３はＩ字形状で
あり、目合わせ用パターン２が凹状である場合には、そ
の最小線幅を０．９〜２．１μｍとし、目合わせ用パタ
ーン２が凸状である場合には、その最小線幅を２．０μ
ｍ以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造プロ
セスにおけるリソグラフィ工程に用いられる目合わせ方
式に関する。
セスにおけるリソグラフィ工程に用いられる目合わせ方
式に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化に伴うデバイスの微細
化、及び製造の複雑化により、製造プロセスのバラツキ
のマージンが小さくなってきている。このバラツキを押
さえるため、マスクの重ね合わせ技術は重要である。そ
して、このマスク重ね合わせ技術においては、目合わせ
マスクが有効であることが知られている。
化、及び製造の複雑化により、製造プロセスのバラツキ
のマージンが小さくなってきている。このバラツキを押
さえるため、マスクの重ね合わせ技術は重要である。そ
して、このマスク重ね合わせ技術においては、目合わせ
マスクが有効であることが知られている。
【０００３】目合わせマスクに関する技術が、特開平３
−２３８８０９号公報（Ｈ０１Ｌ２１／０２７）に示さ
れている。すなわち、図１０において、５１はＰ1＝１
０μｍピッチのＩ字状パターンを有する第１のマスクを
用いて、半導体基板の一角に、リソグラフィ技術及びエ
ッチング技術によってされた目合わせ用のパターンであ
り、凹状又は凸状の２種類の形状がある。
−２３８８０９号公報（Ｈ０１Ｌ２１／０２７）に示さ
れている。すなわち、図１０において、５１はＰ1＝１
０μｍピッチのＩ字状パターンを有する第１のマスクを
用いて、半導体基板の一角に、リソグラフィ技術及びエ
ッチング技術によってされた目合わせ用のパターンであ
り、凹状又は凸状の２種類の形状がある。
【０００４】前記公開公報に記載されている技術は、前
記目合わせ用パターン５１に対して、Ｐ2＝９．９μｍ
ピッチのＩ字状パターン５２及びＰ3＝１０．１μｍピ
ッチのＩ字状パターン５３を有する第２のマスクを重ね
て位置合わせを行っている。右方向のズレ量は、前記目
合わせ用パターン５１とＩ字状パターン５２との相互関
係をみることにより、０．１μｍ単位で最大０．５μｍ
まで読み取れ、また、前記目合わせ用パターン５１とＩ
字状パターン５３との相互関係をみることにより、左方
向のズレ量を０．１μｍ単位で最大０．５μｍまで読み
取れることができる。
記目合わせ用パターン５１に対して、Ｐ2＝９．９μｍ
ピッチのＩ字状パターン５２及びＰ3＝１０．１μｍピ
ッチのＩ字状パターン５３を有する第２のマスクを重ね
て位置合わせを行っている。右方向のズレ量は、前記目
合わせ用パターン５１とＩ字状パターン５２との相互関
係をみることにより、０．１μｍ単位で最大０．５μｍ
まで読み取れ、また、前記目合わせ用パターン５１とＩ
字状パターン５３との相互関係をみることにより、左方
向のズレ量を０．１μｍ単位で最大０．５μｍまで読み
取れることができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例にあっては、第
１のマスクのＩ字状パターンの線幅（目合わせ用パター
ン５１の線幅）Ｗが３〜５μｍと大きく、埋め込み技術
及び堆積技術の影響を大きく受け、高精度で重ね合わせ
測定を行うことができないという欠点がある。図３ａは
凹状の目合わせ用パターン５１に、高温でＡｌ５４を埋
め込んだ時の断面図である。図４ａは線幅の異なる凸状
の目合わせ用パターン５１に、高温でＡｌ５４を堆積さ
せた時の断面図、図５ａはＡｌ５４を埋め込んだ（堆積
させた）目合わせ用パターンに、第２のマスクのＩ字状
パターン５２（５３）を対応させた時の模式図である。
１のマスクのＩ字状パターンの線幅（目合わせ用パター
ン５１の線幅）Ｗが３〜５μｍと大きく、埋め込み技術
及び堆積技術の影響を大きく受け、高精度で重ね合わせ
測定を行うことができないという欠点がある。図３ａは
凹状の目合わせ用パターン５１に、高温でＡｌ５４を埋
め込んだ時の断面図である。図４ａは線幅の異なる凸状
の目合わせ用パターン５１に、高温でＡｌ５４を堆積さ
せた時の断面図、図５ａはＡｌ５４を埋め込んだ（堆積
させた）目合わせ用パターンに、第２のマスクのＩ字状
パターン５２（５３）を対応させた時の模式図である。
【０００６】線幅２．１μｍ以上の凹状の目合わせ用パ
ターン５１では、図２ａのように埋め込み量が少なくな
り、そのパターンは図５ａのようなギザギザの形状にな
って重ね合わせ測定がきわめて困難になる。また、線幅
２．０μｍ以上の凸状の目合わせ用パターン５１では、
図４ａに示すように目合わせ用パターン５１上に堆積さ
れるＡｌ５４の膜厚Ｔが大きくなる。Ａｌは、結晶粒の
成長に差が生じるので、結晶粒の大きさが２〜５μｍと
バラバラになり、また、結晶粒の方向が一定でないの
で、結晶粒の形もバラバラになり、その結果、パターン
はやはり図５ａのような形状となって、重ね合わせ測定
がきわめて困難になる。
ターン５１では、図２ａのように埋め込み量が少なくな
り、そのパターンは図５ａのようなギザギザの形状にな
って重ね合わせ測定がきわめて困難になる。また、線幅
２．０μｍ以上の凸状の目合わせ用パターン５１では、
図４ａに示すように目合わせ用パターン５１上に堆積さ
れるＡｌ５４の膜厚Ｔが大きくなる。Ａｌは、結晶粒の
成長に差が生じるので、結晶粒の大きさが２〜５μｍと
バラバラになり、また、結晶粒の方向が一定でないの
で、結晶粒の形もバラバラになり、その結果、パターン
はやはり図５ａのような形状となって、重ね合わせ測定
がきわめて困難になる。
【０００７】本発明は、半導体装置用目合わせ方式に関
し、斯かる問題点を解消するものである。
し、斯かる問題点を解消するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明における
半導体装置用目合わせ方式は、一定のピッチで配列され
た第１のパターンを有する第１のマスクを用いて半導体
基板に形成された目合わせ用パターンに、この目合わせ
用パターンのピッチと異なるピッチで且つ、前記目合わ
せ用パターンに対応する第２のパターンを有する第２の
マスクを重ね合わせることによりマスクずれを判定する
ものである。
半導体装置用目合わせ方式は、一定のピッチで配列され
た第１のパターンを有する第１のマスクを用いて半導体
基板に形成された目合わせ用パターンに、この目合わせ
用パターンのピッチと異なるピッチで且つ、前記目合わ
せ用パターンに対応する第２のパターンを有する第２の
マスクを重ね合わせることによりマスクずれを判定する
ものである。
【０００９】また、請求項２の発明における半導体装置
用目合わせ方式は、前記目合わせ用パターン及び第２の
パターンの少なくとも一方を一部に帯状部分を有する形
状とし、他方をＩ字形状としたものである。また、請求
項３の発明における半導体装置用目合わせ方式は、前記
目合わせ用パターン第１及び第２のパターンをＩ字形状
としたものである。
用目合わせ方式は、前記目合わせ用パターン及び第２の
パターンの少なくとも一方を一部に帯状部分を有する形
状とし、他方をＩ字形状としたものである。また、請求
項３の発明における半導体装置用目合わせ方式は、前記
目合わせ用パターン第１及び第２のパターンをＩ字形状
としたものである。
【００１０】また、請求項４の発明における半導体装置
用目合わせ方式は、前記目合わせ用パターンが凹状であ
って、且つ、その最小線幅が、０．９〜２．１μｍであ
るものである。また、請求項５の発明における半導体装
置用目合わせ方式は、前記目合わせ用パターンが凸状で
あって、且つ、その最小線幅が２．０μｍ以下であるも
のである。
用目合わせ方式は、前記目合わせ用パターンが凹状であ
って、且つ、その最小線幅が、０．９〜２．１μｍであ
るものである。また、請求項５の発明における半導体装
置用目合わせ方式は、前記目合わせ用パターンが凸状で
あって、且つ、その最小線幅が２．０μｍ以下であるも
のである。
【００１１】また、請求項６の発明における半導体装置
用目合わせ方式は、前記第２のパターンの最大線幅が前
記目合わせ用パターンの最小線幅と等しいか又はそれよ
りも大きいものである。また、請求項７の発明における
半導体装置用目合わせ方式は、前記第２のパターンの最
大線幅を２．０〜３．０μｍとしたものである。
用目合わせ方式は、前記第２のパターンの最大線幅が前
記目合わせ用パターンの最小線幅と等しいか又はそれよ
りも大きいものである。また、請求項７の発明における
半導体装置用目合わせ方式は、前記第２のパターンの最
大線幅を２．０〜３．０μｍとしたものである。
【００１２】
【作用】請求項１の発明にあっては、マスク重ね合わせ
技術において、目合わせ用パターン（主尺）と第２のパ
ターン（副尺）との位置関係により重ね合わせ誤差を読
み取る。請求項２の発明にあっては、目合わせ用パター
ン及び第２のパターンの一致する点が分かり易く、請求
項１の発明よりさらに読み取り値の精度が向上する。
技術において、目合わせ用パターン（主尺）と第２のパ
ターン（副尺）との位置関係により重ね合わせ誤差を読
み取る。請求項２の発明にあっては、目合わせ用パター
ン及び第２のパターンの一致する点が分かり易く、請求
項１の発明よりさらに読み取り値の精度が向上する。
【００１３】請求項３の発明にあっては、目合わせ用パ
ターン及び第２のパターンをＩ字形状としたことによ
り、請求項２の発明よりも更に目合わせ用パターン及び
第２のパターンの一致する点が分かり易くなる。請求項
４の発明にあっては、凹状の目合わせ用パターンの最小
線幅を０．９〜２．１μｍにすることで、高温でＡｌを
埋め込んでも、目合わせ用パターンの形状がくずれにく
くなり、下地ピッチが容易に確認できる。
ターン及び第２のパターンをＩ字形状としたことによ
り、請求項２の発明よりも更に目合わせ用パターン及び
第２のパターンの一致する点が分かり易くなる。請求項
４の発明にあっては、凹状の目合わせ用パターンの最小
線幅を０．９〜２．１μｍにすることで、高温でＡｌを
埋め込んでも、目合わせ用パターンの形状がくずれにく
くなり、下地ピッチが容易に確認できる。
【００１４】請求項５の発明にあっては、凸状の目合わ
せ用パターンの最小線幅を２．０μｍ以下にすること
で、高温でＡｌを堆積させても、目合わせ用パターンの
形状がくずれにくくなり、下地ピッチが容易に確認でき
る。請求項６及び７の発明にあっては、目合わせ用パタ
ーンのピッチと第２のパターンのピッチとの差が明確に
判断しやすくなる。特に、請求項７の発明にあっては、
第２のパターンの大きさが目合わせ用パターンに対しそ
れほど大きくならないので、微妙な個所での測定が可能
となる。
せ用パターンの最小線幅を２．０μｍ以下にすること
で、高温でＡｌを堆積させても、目合わせ用パターンの
形状がくずれにくくなり、下地ピッチが容易に確認でき
る。請求項６及び７の発明にあっては、目合わせ用パタ
ーンのピッチと第２のパターンのピッチとの差が明確に
判断しやすくなる。特に、請求項７の発明にあっては、
第２のパターンの大きさが目合わせ用パターンに対しそ
れほど大きくならないので、微妙な個所での測定が可能
となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本実施例による半導体装置
用目合わせマスクを示す模式図である。図２は目合わせ
用パターンの線幅と目合わせ用パターン内へのＡｌの充
填率との関係を示す図である。
き具体的に説明する。図１は本実施例による半導体装置
用目合わせマスクを示す模式図である。図２は目合わせ
用パターンの線幅と目合わせ用パターン内へのＡｌの充
填率との関係を示す図である。
【００１６】図３ｂ、図３ｃは凹状の目合わせ用パター
ンに、高温でＡｌ５４を埋め込んだ時の断面図である。
図４ｂは線幅の異なる凸状の目合わせ用パターンに、高
温でＡｌ５４を堆積させた時の断面図、図５ｂはＡｌ５
４を埋め込んだ（堆積させた）目合わせ用パターンに、
第２のマスクのＩ字状パターンを対応させた時の模式図
である。
ンに、高温でＡｌ５４を埋め込んだ時の断面図である。
図４ｂは線幅の異なる凸状の目合わせ用パターンに、高
温でＡｌ５４を堆積させた時の断面図、図５ｂはＡｌ５
４を埋め込んだ（堆積させた）目合わせ用パターンに、
第２のマスクのＩ字状パターンを対応させた時の模式図
である。
【００１７】第１のマスクのＩ字状パターン１は１０μ
ｍピッチで並べてある。尚、図では便宜上、この第１の
マスクのＩ字状パターン１を用いて半導体基板上に形成
した目合わせ用パターン２を示している。第１のマスク
のＩ字状パターン１を転写しているので、ピッチや線幅
などの大きさ（寸法）は当然等しい。従って、以下の説
明では、Ｉ字状パターン１と同義的に目合わせ用パター
ン２の用語を用いる。
ｍピッチで並べてある。尚、図では便宜上、この第１の
マスクのＩ字状パターン１を用いて半導体基板上に形成
した目合わせ用パターン２を示している。第１のマスク
のＩ字状パターン１を転写しているので、ピッチや線幅
などの大きさ（寸法）は当然等しい。従って、以下の説
明では、Ｉ字状パターン１と同義的に目合わせ用パター
ン２の用語を用いる。
【００１８】まず、目合わせ用パターン２が凹状の場合
について説明する。図２と図３ｃから、目合わせ用パタ
ーン２の線幅Ｗが０．９μｍ以下になると、Ａｌ５４で
完全に埋め込まれることがわかる。従って、目合わせ用
パターン２が見えない状態になるので、第２のマスクの
Ｉ字状パターン３を対応させることができず重ね合わせ
は測定できない。
について説明する。図２と図３ｃから、目合わせ用パタ
ーン２の線幅Ｗが０．９μｍ以下になると、Ａｌ５４で
完全に埋め込まれることがわかる。従って、目合わせ用
パターン２が見えない状態になるので、第２のマスクの
Ｉ字状パターン３を対応させることができず重ね合わせ
は測定できない。
【００１９】図２と図３ｂから、目合わせ用パターン２
の線幅を０．９〜２．１μｍにすると、Ａｌ５４の充填
率が約７０％となり、目合わせ用パターン２のエッジが
図５ｂのように鮮明になる。従って、目合わせ用パター
ン２に、第２のマスクのＩ字状パターン３を対応させる
ことは容易であり、重ね合わせ測定も可能になり、測定
精度も向上する。目合わせ用パターン２（第１のマスク
のＩ字状パターン１）の線幅は、光学顕微鏡の分解能が
１０００倍であるので、これを考慮すると、２．０μｍ
が望ましい。
の線幅を０．９〜２．１μｍにすると、Ａｌ５４の充填
率が約７０％となり、目合わせ用パターン２のエッジが
図５ｂのように鮮明になる。従って、目合わせ用パター
ン２に、第２のマスクのＩ字状パターン３を対応させる
ことは容易であり、重ね合わせ測定も可能になり、測定
精度も向上する。目合わせ用パターン２（第１のマスク
のＩ字状パターン１）の線幅は、光学顕微鏡の分解能が
１０００倍であるので、これを考慮すると、２．０μｍ
が望ましい。
【００２０】次に、目合わせ用パターン２が凸状の場合
について説明する。目合わせ用パターン２の線幅を２．
０μｍ未満にすると、図４ｂに示すように、堆積したＡ
ｌの膜厚Ｔが小さくなりＡｌの結晶粒の成長性、及び結
晶粒の方向性の違いに影響されることなく、目合わせ用
パターン２が図５ｂの状態になる。このような状態の下
地パターンに、第２のパターンを対応させることは容易
であり、重ね合わせ精度も向上する。目合わせ用パター
ン２（第１のマスクのＩ字状パターン１）の線幅は、上
述と同様、光学顕微鏡の分解能を考慮して２．０μｍが
望ましい。
について説明する。目合わせ用パターン２の線幅を２．
０μｍ未満にすると、図４ｂに示すように、堆積したＡ
ｌの膜厚Ｔが小さくなりＡｌの結晶粒の成長性、及び結
晶粒の方向性の違いに影響されることなく、目合わせ用
パターン２が図５ｂの状態になる。このような状態の下
地パターンに、第２のパターンを対応させることは容易
であり、重ね合わせ精度も向上する。目合わせ用パター
ン２（第１のマスクのＩ字状パターン１）の線幅は、上
述と同様、光学顕微鏡の分解能を考慮して２．０μｍが
望ましい。
【００２１】このような目合わせ用パターン２に対し
て、９．９μｍのピッチで並べたＩ字状パターン３を有
する第２のマスクを重ねて位置合わせを行う。ここで、
第２のマスクのＩ字状パターン３は、目合わせ用パター
ン２のピッチと第２のマスクのＩ字状パターン３のピッ
チとの差が明確に判断できるようにするために、目合わ
せ用パターン２を覆う大きさでなければならない。従っ
て、第２のマスクのＩ字状パターン３の大きさは、２．
０μｍ〜３．０μｍが適当である。特に、目合わせ用パ
ターン２と第２のマスクのＩ字状パターン３とを同じ大
きさにすると、微妙な部分での判断が可能になるので、
重ね合わせの精度がもっとも良くなる。
て、９．９μｍのピッチで並べたＩ字状パターン３を有
する第２のマスクを重ねて位置合わせを行う。ここで、
第２のマスクのＩ字状パターン３は、目合わせ用パター
ン２のピッチと第２のマスクのＩ字状パターン３のピッ
チとの差が明確に判断できるようにするために、目合わ
せ用パターン２を覆う大きさでなければならない。従っ
て、第２のマスクのＩ字状パターン３の大きさは、２．
０μｍ〜３．０μｍが適当である。特に、目合わせ用パ
ターン２と第２のマスクのＩ字状パターン３とを同じ大
きさにすると、微妙な部分での判断が可能になるので、
重ね合わせの精度がもっとも良くなる。
【００２２】このマスクを用いれば、全ての埋め込み技
術及び堆積技術に対し測定可能で、ズレ量は右方向、左
方向どちらに対しても０．１μｍ単位で最大０．５μｍ
までのズレ量を読み取ることが可能である。尚、本実施
例では、目合わせ用パターン（第１のマスクのパター
ン）及び第２のマスクのパターン共にＩ字状で形成して
いるが、これに限るものではなく、以下のような形態が
考えられる。
術及び堆積技術に対し測定可能で、ズレ量は右方向、左
方向どちらに対しても０．１μｍ単位で最大０．５μｍ
までのズレ量を読み取ることが可能である。尚、本実施
例では、目合わせ用パターン（第１のマスクのパター
ン）及び第２のマスクのパターン共にＩ字状で形成して
いるが、これに限るものではなく、以下のような形態が
考えられる。
【００２３】２）図６に示すように、目合わせ用パター
ンをＩ字形状にし、第２のマスクのパターンを平面凸形
状にしてもよい。 ３）図７に示すように、図６の目合わせ用パターンと第
２のマスクのパターンとの形状を逆にする。この場合、
目合わせ用パターンの最小線幅を上述の適正数値に設定
する必要がある。
ンをＩ字形状にし、第２のマスクのパターンを平面凸形
状にしてもよい。 ３）図７に示すように、図６の目合わせ用パターンと第
２のマスクのパターンとの形状を逆にする。この場合、
目合わせ用パターンの最小線幅を上述の適正数値に設定
する必要がある。
【００２４】４）図８に示すように、目合わせ用パター
ンをＩ字形状にし、第２のマスクのパターンを平面十字
形状にしてもよい。 ５）図９に示すように、図８の目合わせ用パターンと第
２のマスクのパターンとの形状を逆にする。この場合、
目合わせ用パターンの最小線幅を上述の適正数値に設定
する必要がある。
ンをＩ字形状にし、第２のマスクのパターンを平面十字
形状にしてもよい。 ５）図９に示すように、図８の目合わせ用パターンと第
２のマスクのパターンとの形状を逆にする。この場合、
目合わせ用パターンの最小線幅を上述の適正数値に設定
する必要がある。
【００２５】但し、上記１）〜５）においては、第２の
マスクのパターンの最大線幅が目合わせ用パターンのパ
ターンの最小線幅と等しいか又はそれ以上である必要が
ある。
マスクのパターンの最大線幅が目合わせ用パターンのパ
ターンの最小線幅と等しいか又はそれ以上である必要が
ある。
【００２６】
【発明の効果】請求項１の発明にあっては、マスク重ね
合わせ技術において、目合わせ用パターン（主尺）と第
２のパターン（副尺）との位置関係により重ね合わせ誤
差を読み取るので、重ね合わせ精度が向上する。請求項
２の発明にあっては、目合わせ用パターン及び第２のパ
ターンの一致する点が分かり易く、読み取り値の精度が
向上して、請求項１の発明よりさらに重ね合わせ精度を
向上させることができる。
合わせ技術において、目合わせ用パターン（主尺）と第
２のパターン（副尺）との位置関係により重ね合わせ誤
差を読み取るので、重ね合わせ精度が向上する。請求項
２の発明にあっては、目合わせ用パターン及び第２のパ
ターンの一致する点が分かり易く、読み取り値の精度が
向上して、請求項１の発明よりさらに重ね合わせ精度を
向上させることができる。
【００２７】請求項３の発明にあっては、目合わせ用パ
ターン及び第２のパターンをＩ字形状としたことによ
り、請求項２の発明よりも更に目合わせ用パターン及び
第２のパターンの一致する点が分かり易くなる。請求項
４及び５の発明にあっては、下地ピッチが容易に確認で
き、請求項１〜３の発明よりもさらに重ね合わせ精度を
向上させることができる。
ターン及び第２のパターンをＩ字形状としたことによ
り、請求項２の発明よりも更に目合わせ用パターン及び
第２のパターンの一致する点が分かり易くなる。請求項
４及び５の発明にあっては、下地ピッチが容易に確認で
き、請求項１〜３の発明よりもさらに重ね合わせ精度を
向上させることができる。
【００２８】請求項６及び７の発明にあっては、目合わ
せ用パターンのピッチと第２のパターンのピッチとの差
が明確に判断しやすくなる。特に、請求項７の発明にあ
っては、第２のパターンの大きさが目合わせ用パターン
に対しそれほど大きくならないので、微妙な個所での測
定が可能となる。従って、請求項１〜５の発明よりもさ
らに重ね合わせ精度を向上させることができる。
せ用パターンのピッチと第２のパターンのピッチとの差
が明確に判断しやすくなる。特に、請求項７の発明にあ
っては、第２のパターンの大きさが目合わせ用パターン
に対しそれほど大きくならないので、微妙な個所での測
定が可能となる。従って、請求項１〜５の発明よりもさ
らに重ね合わせ精度を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例における目合わせマスクの模式
的平面図である。
的平面図である。
【図２】Ａｌを埋め込んだ凹状の目合わせ用パターンの
線幅とＡｌ充填率との関係を示す図である。
線幅とＡｌ充填率との関係を示す図である。
【図３】線幅の異なる凹状の目合わせ用パターンにＡｌ
を埋め込んだ時の断面図である。
を埋め込んだ時の断面図である。
【図４】線幅の異なる凸状の目合わせ用パターンにＡｌ
を堆積した時の断面図である。
を堆積した時の断面図である。
【図５】Ａｌを埋め込んだ（堆積した）目合わせ用パタ
ーンに第２のパターンを対応させた時の平面図である。
ーンに第２のパターンを対応させた時の平面図である。
【図６】本発明の他の実施例における目合わせマスクの
模式的平面図である。
模式的平面図である。
【図７】本発明の他の実施例における目合わせマスクの
模式的平面図である。
模式的平面図である。
【図８】本発明の他の実施例における目合わせマスクの
模式的平面図である。
模式的平面図である。
【図９】本発明の他の実施例における目合わせマスクの
模式的平面図である。
模式的平面図である。
【図１０】従来の目合わせマスクの模式的平面図であ
る。
る。
１ 第１のマスクのＩ字状パターン（第１のパターン） ２ 目合わせ用パターン ３ 第２のマスクのＩ字状パターン（第２のパターン）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０６Ａ ５２２Ｚ
Claims (7)
- 【請求項１】 一定のピッチで配列された第１のパター
ンを有する第１のマスクを用いて半導体基板に形成され
た目合わせ用パターンに、この目合わせ用パターンのピ
ッチと異なるピッチで且つ、前記目合わせ用パターンに
対応する第２のパターンを有する第２のマスクを重ね合
わせることによりマスクずれを判定することを特徴とし
た半導体装置用目合わせ方式。 - 【請求項２】 前記目合わせ用パターン及び第２のパタ
ーンの少なくとも一方が一部に帯状部分を有する形状で
あり、他方がＩ字形状であることを特徴とした請求項１
に記載の半導体装置用目合わせ方式。 - 【請求項３】 前記目合わせ用パターン及び第２のパタ
ーンがＩ字形状であることを特徴とした請求項１に記載
の半導体装置用目合わせ方式。 - 【請求項４】 前記目合わせ用パターンが凹状であっ
て、且つ、その最小線幅が、０．９〜２．１μｍである
ことを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載
の半導体装置用目合わせ方式。 - 【請求項５】 前記目合わせ用パターンが凸状であっ
て、且つ、その最小線幅が２．０μｍ以下であることを
特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導
体装置用目合わせ方式。 - 【請求項６】 前記第２のパターンの最大線幅が前記目
合わせ用パターンの最小線幅と等しいか又はそれよりも
大きいことを特徴とした請求項１乃至５のいずれか１項
に記載の半導体装置用目合わせ方式。 - 【請求項７】 前記第２のパターンの最大線幅が２．０
〜３．０μｍであることを特徴とした請求項６に記載の
半導体装置用目合わせ方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12832195A JPH08321453A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 半導体装置用目合わせ方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12832195A JPH08321453A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 半導体装置用目合わせ方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321453A true JPH08321453A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14981891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12832195A Pending JPH08321453A (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 半導体装置用目合わせ方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321453A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09127680A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 露光用マスク |
| KR100365255B1 (ko) * | 1999-03-02 | 2002-12-18 | 샤프 가부시키가이샤 | 포토마스크, ｔｆｔ 기판을 제조하는 방법 및 디스플레이장치를 제조하는 방법 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP12832195A patent/JPH08321453A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09127680A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Nec Corp | 露光用マスク |
| KR100365255B1 (ko) * | 1999-03-02 | 2002-12-18 | 샤프 가부시키가이샤 | 포토마스크, ｔｆｔ 기판을 제조하는 방법 및 디스플레이장치를 제조하는 방법 |
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