JPH09311467A - レジスト剥離剤 - Google Patents
レジスト剥離剤Info
- Publication number
- JPH09311467A JPH09311467A JP12564396A JP12564396A JPH09311467A JP H09311467 A JPH09311467 A JP H09311467A JP 12564396 A JP12564396 A JP 12564396A JP 12564396 A JP12564396 A JP 12564396A JP H09311467 A JPH09311467 A JP H09311467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- removing agent
- resist removing
- photoresist
- dmi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ドライエツチング工程やイオン注入工程を経
て剥離性が低下したフオトレジストであつても、これを
確実に剥離除去でき、しかも毒性や臭気が少なく腐食性
もない汎用性に富むレジスト剥離剤を提供する。 【解決手段】 レジスト剥離剤の有効成分として１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノンを使用する。
て剥離性が低下したフオトレジストであつても、これを
確実に剥離除去でき、しかも毒性や臭気が少なく腐食性
もない汎用性に富むレジスト剥離剤を提供する。 【解決手段】 レジスト剥離剤の有効成分として１，３
−ジメチル−２−イミダゾリジノンを使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種のレジスト、
たとえば半導体装置などの電子材料やその他の材料を形
成する際のフオトリソグラフイ技術などに使用されるレ
ジストについて、このレジストを剥離するための剥離剤
に関する。
たとえば半導体装置などの電子材料やその他の材料を形
成する際のフオトリソグラフイ技術などに使用されるレ
ジストについて、このレジストを剥離するための剥離剤
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体のデバイス製造においては、シリ
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定の画像（レジストパタ―ン）が形成され
る。これをマスクとして、エツチング後、不要となつた
画像が除去され、所定の回路が形成される。ついで、つ
ぎの回路を形成するため、再度レジスト材を塗布すると
いうサイクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回
路を形成する場合も、画像形成後、不要となつた画像が
除去される。
コンウエハ上にレジスト材を塗布し、通常のフオトプロ
セスにて所定の画像（レジストパタ―ン）が形成され
る。これをマスクとして、エツチング後、不要となつた
画像が除去され、所定の回路が形成される。ついで、つ
ぎの回路を形成するため、再度レジスト材を塗布すると
いうサイクルが繰り返し行われる。また、各種基板に回
路を形成する場合も、画像形成後、不要となつた画像が
除去される。
【０００３】この際、不要となつたレジスト材からなる
画像の除去のため、剥離剤として、フエノ―ル類、スル
ホン酸類、ハロゲン化炭化水素などの有機溶剤が用いら
れている。しかし、これらの中には、たとえばクレゾ─
ルなどのフエノ―ル類のように人体に対して毒性が大き
いものがあり、そのため、安全性、廃棄物処理などの点
で改善された剥離剤の開発が望まれていた。これに応え
るため、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリ
ツクトリアミド、スルホランなどを剥離剤として用いる
などの提案がなされているが、ますます高度化する半導
体製造技術に適合するには、なお多くの問題を抱えてい
る。
画像の除去のため、剥離剤として、フエノ―ル類、スル
ホン酸類、ハロゲン化炭化水素などの有機溶剤が用いら
れている。しかし、これらの中には、たとえばクレゾ─
ルなどのフエノ―ル類のように人体に対して毒性が大き
いものがあり、そのため、安全性、廃棄物処理などの点
で改善された剥離剤の開発が望まれていた。これに応え
るため、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリ
ツクトリアミド、スルホランなどを剥離剤として用いる
などの提案がなされているが、ますます高度化する半導
体製造技術に適合するには、なお多くの問題を抱えてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近の半導体製造技術
の中で、フオトレジストの剥離性を低下させる工程のひ
とつとして、ドライエツチング法がある。これは、従来
の酸液によるウエツトエツチング法に代わり、プラズマ
などにより気層−固層反応によりエツチングを行うもの
で、制御が容易でシヤ─プなパタ─ンが得られるため、
エツチング技術の主流になつている。ドライエツチング
法には種々の方法があるが、一般にフオトレジスト膜表
面でイオンやラジカルの作用によるポリマ―の硬化が進
むため、レジストの剥離性が低下する。ドライエツチン
グ法の例として反応性イオンエツチング法があるが、こ
の反応性イオンエツチング工程を経たフオトレジストは
従来の剥離剤ではウエハより再現性よく剥離できない。
の中で、フオトレジストの剥離性を低下させる工程のひ
とつとして、ドライエツチング法がある。これは、従来
の酸液によるウエツトエツチング法に代わり、プラズマ
などにより気層−固層反応によりエツチングを行うもの
で、制御が容易でシヤ─プなパタ─ンが得られるため、
エツチング技術の主流になつている。ドライエツチング
法には種々の方法があるが、一般にフオトレジスト膜表
面でイオンやラジカルの作用によるポリマ―の硬化が進
むため、レジストの剥離性が低下する。ドライエツチン
グ法の例として反応性イオンエツチング法があるが、こ
の反応性イオンエツチング工程を経たフオトレジストは
従来の剥離剤ではウエハより再現性よく剥離できない。
【０００５】フオトレジストの剥離性を低下させる工程
の他の例として、イオン注入法がある。半導体製造工程
において、シリコンウエハの中にＰ，Ａｓ，Ｂなどの元
素を拡散させるイオン注入は、レジスト膜のないエツチ
ングされた部分に注入されるが、このとき同時にフオト
レジスト膜も加速イオンのビ─ムにさらされるため、フ
オトレジスト膜の表面で化学反応が生じる。その結果、
このフオトレジストは各種溶剤に対する剥離性が低下す
る。
の他の例として、イオン注入法がある。半導体製造工程
において、シリコンウエハの中にＰ，Ａｓ，Ｂなどの元
素を拡散させるイオン注入は、レジスト膜のないエツチ
ングされた部分に注入されるが、このとき同時にフオト
レジスト膜も加速イオンのビ─ムにさらされるため、フ
オトレジスト膜の表面で化学反応が生じる。その結果、
このフオトレジストは各種溶剤に対する剥離性が低下す
る。
【０００６】これに対し、従来のフエノ―ル系剥離剤で
は十分な剥離力を持たず、１００℃以上の高温と長い浸
漬時間を要し、かつ安定した剥離結果が得られないた
め、製品の歩留りを悪くする場合がしばしば生じてい
た。また、ジメチルスルホキシドなどの最近になつて提
案されてきた溶剤組成物も、フエノ―ル類のような毒性
と臭気がなく、低温で使えるなどの利点を有し、従来の
拡散法ド─ピングなどの工程を経たフオトレジストに対
しては有効であるが、ドライエツチング工程やイオン注
入工程により、プラズマまたはイオンビ─ム照射を受け
たフオトレジストに対しては安定な剥離力を示さなかつ
た。
は十分な剥離力を持たず、１００℃以上の高温と長い浸
漬時間を要し、かつ安定した剥離結果が得られないた
め、製品の歩留りを悪くする場合がしばしば生じてい
た。また、ジメチルスルホキシドなどの最近になつて提
案されてきた溶剤組成物も、フエノ―ル類のような毒性
と臭気がなく、低温で使えるなどの利点を有し、従来の
拡散法ド─ピングなどの工程を経たフオトレジストに対
しては有効であるが、ドライエツチング工程やイオン注
入工程により、プラズマまたはイオンビ─ム照射を受け
たフオトレジストに対しては安定な剥離力を示さなかつ
た。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑み、ドライ
エツチング工程やイオン注入工程を経て剥離性が低下し
たフオトレジストであつても、これを確実に剥離除去で
き、しかも毒性や臭気が少なく腐食性もない汎用性に富
むレジスト剥離剤を提供することを目的としている。
エツチング工程やイオン注入工程を経て剥離性が低下し
たフオトレジストであつても、これを確実に剥離除去で
き、しかも毒性や臭気が少なく腐食性もない汎用性に富
むレジスト剥離剤を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために、鋭意検討した結果、特定のイミダ
ゾリン誘導体が毒性や臭気が少ないなどの特徴があるう
えに、剥離困難であつた前記フオトレジストに対して非
常に良好な剥離性能を発揮するものであることを見い出
し、本発明を完成するに至つた。
的を達成するために、鋭意検討した結果、特定のイミダ
ゾリン誘導体が毒性や臭気が少ないなどの特徴があるう
えに、剥離困難であつた前記フオトレジストに対して非
常に良好な剥離性能を発揮するものであることを見い出
し、本発明を完成するに至つた。
【０００９】すなわち、本発明は、１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノンを有効成分として含有することを
特徴とするレジスト剥離剤に係るものである。
２−イミダゾリジノンを有効成分として含有することを
特徴とするレジスト剥離剤に係るものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に用いられる１，３−ジメ
チル−２−イミダゾリジノン（以下、ＤＭＩという）
は、下記の化学構造式； を有するもので、毒性が低く、また臭気も少ないため、
取り扱いが容易である。このため、このＤＭＩをレジス
ト剥離剤としてそのまま使用する、つまり、ＤＭＩの１
００％品として使用することができる。
チル−２−イミダゾリジノン（以下、ＤＭＩという）
は、下記の化学構造式； を有するもので、毒性が低く、また臭気も少ないため、
取り扱いが容易である。このため、このＤＭＩをレジス
ト剥離剤としてそのまま使用する、つまり、ＤＭＩの１
００％品として使用することができる。
【００１１】本発明では、ＤＭＩを他の溶剤と混和して
用いてもよい。たとえば、水やイソプロピルアルコ―ル
（以下、ＩＰＡという）、その他エチレングリコ―ルモ
ノエチルエ―テル、ジエチレングリコ―ル、ジエチレン
グリコ―ルモノアセテ─ト、ジエチレングリコ―ルモノ
エチルエ―テル、ポリエチレングリコ―ルなどと混合し
て使用できる。これら溶剤の使用量は、通常８０重量％
以下とするのが好ましい。これより多いとＤＭＩの効果
が少なくなる。
用いてもよい。たとえば、水やイソプロピルアルコ―ル
（以下、ＩＰＡという）、その他エチレングリコ―ルモ
ノエチルエ―テル、ジエチレングリコ―ル、ジエチレン
グリコ―ルモノアセテ─ト、ジエチレングリコ―ルモノ
エチルエ―テル、ポリエチレングリコ―ルなどと混合し
て使用できる。これら溶剤の使用量は、通常８０重量％
以下とするのが好ましい。これより多いとＤＭＩの効果
が少なくなる。
【００１２】本発明において、このようなＤＭＩを有効
成分としたレジスト剥離剤を用いてレジストの剥離を行
うには、たとえば、レジストを有する物品を室温〜１０
０℃の剥離剤中に１〜１０分程度浸漬処理すればよい。
この処理に際し、超音波を併用してもよく、これにより
剥離効果をさらに増大できることある。
成分としたレジスト剥離剤を用いてレジストの剥離を行
うには、たとえば、レジストを有する物品を室温〜１０
０℃の剥離剤中に１〜１０分程度浸漬処理すればよい。
この処理に際し、超音波を併用してもよく、これにより
剥離効果をさらに増大できることある。
【００１３】この浸漬処理により、物品上のレジスト
は、これがドライエツチング工程やイオン注入工程を含
む半導体製造工程で処理されたフオトレジストであつて
も、簡単に剥離除去される。この剥離性能はＤＭＩが溶
剤としての性質を有していることに起因するものと思わ
れる。このように浸漬処理し、レジストを剥離除去した
のちは、水で洗浄することにより、物品上のＤＭＩは簡
単に除去される。ＤＭＩは水に極めてよく溶けるためで
ある。また仮にこのＤＭＩが微量でも残存することがあ
つても、ＤＭＩは金属などに対する腐食性が低いため、
半導体基板などの物品に対し悪影響をおよぼすおそれは
少ない。
は、これがドライエツチング工程やイオン注入工程を含
む半導体製造工程で処理されたフオトレジストであつて
も、簡単に剥離除去される。この剥離性能はＤＭＩが溶
剤としての性質を有していることに起因するものと思わ
れる。このように浸漬処理し、レジストを剥離除去した
のちは、水で洗浄することにより、物品上のＤＭＩは簡
単に除去される。ＤＭＩは水に極めてよく溶けるためで
ある。また仮にこのＤＭＩが微量でも残存することがあ
つても、ＤＭＩは金属などに対する腐食性が低いため、
半導体基板などの物品に対し悪影響をおよぼすおそれは
少ない。
【００１４】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、実施例で剥離の対象としたレジ
スト膜画像Ａ〜Ｃは、下記の参考例１の方法によりシリ
コンウエハ上に形成されたものである。
体的に説明する。なお、実施例で剥離の対象としたレジ
スト膜画像Ａ〜Ｃは、下記の参考例１の方法によりシリ
コンウエハ上に形成されたものである。
【００１５】参考例１ シリコンウエハ（半導体基板）の表面に、ノボラツクと
ナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗布し、加
熱、露光および現像を行い、レジスト膜画像を全表面に
形成した。これをレジスト膜画像Ａとした。また、この
レジスト膜画像Ａに対しＣＦ4 ／Ｏ2 混合ガス中でイオ
ンエツチングを施した。これをレジスト膜画像Ｂとし
た。さらに、上記のレジスト膜画像Ａに対してＡｓイオ
ンを加速エネルギ―８０Ｋｅｖでド─ズ量１×１０16ｉ
ｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入した。これをレジスト
膜画像Ｃとした。
ナフトキノンジアジドからなるレジスト材を塗布し、加
熱、露光および現像を行い、レジスト膜画像を全表面に
形成した。これをレジスト膜画像Ａとした。また、この
レジスト膜画像Ａに対しＣＦ4 ／Ｏ2 混合ガス中でイオ
ンエツチングを施した。これをレジスト膜画像Ｂとし
た。さらに、上記のレジスト膜画像Ａに対してＡｓイオ
ンを加速エネルギ―８０Ｋｅｖでド─ズ量１×１０16ｉ
ｏｎｓ／cm2 の濃度で全面に注入した。これをレジスト
膜画像Ｃとした。
【００１６】実施例１ ＤＭＩの１００％品をレジスト剥離剤とし、これを４０
℃または８０℃に温めておき、この剥離剤中にレジスト
膜画像Ａ〜Ｃを形成したシリコンウエハを所定時間浸漬
処理して、レジストを剥離し、水洗、風乾した。
℃または８０℃に温めておき、この剥離剤中にレジスト
膜画像Ａ〜Ｃを形成したシリコンウエハを所定時間浸漬
処理して、レジストを剥離し、水洗、風乾した。
【００１７】実施例２ レジスト剥離剤として、ＤＭＩ／ＩＰＡ＝９０／１０
（重量比）の混合液を用いた以外は、実施例１と同様に
浸漬処理して、レジストを剥離した。
（重量比）の混合液を用いた以外は、実施例１と同様に
浸漬処理して、レジストを剥離した。
【００１８】実施例３ レジスト剥離剤として、ＤＭＩ／水＝９０／５（重量
比）の混合液を用い、かつ浸漬処理中に超音波を印加す
るようにした以外は、実施例１と同様に浸漬処理して、
レジストを剥離した。
比）の混合液を用い、かつ浸漬処理中に超音波を印加す
るようにした以外は、実施例１と同様に浸漬処理して、
レジストを剥離した。
【００１９】比較例１ レジスト剥離剤として、Ｎ−メチルピロリドン系溶剤シ
ツプレ─１１１２Ａ（シツプレ─社製）を水で１：１に
希釈したものを用いた以外は、実施例１と同様に浸漬処
理して、レジストを剥離した。
ツプレ─１１１２Ａ（シツプレ─社製）を水で１：１に
希釈したものを用いた以外は、実施例１と同様に浸漬処
理して、レジストを剥離した。
【００２０】比較例２ レジスト剥離剤として、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
を用いた以外は、実施例１と同様に浸漬処理して、レジ
ストを剥離した。
を用いた以外は、実施例１と同様に浸漬処理して、レジ
ストを剥離した。
【００２１】以上の実施例１〜３および比較例１，２の
処理において、風乾後のシリコンウエハの表面を顕微鏡
で観察し、レジストの剥離状態を調べ、下記の基準で判
定した。結果は表１に示されるとおりであつた。 ◎：レジストが全く認められない ○：レジストが痕跡量認められる △：レジストが部分的に残り実用不可である ×：レジストの剥離が困難である
処理において、風乾後のシリコンウエハの表面を顕微鏡
で観察し、レジストの剥離状態を調べ、下記の基準で判
定した。結果は表１に示されるとおりであつた。 ◎：レジストが全く認められない ○：レジストが痕跡量認められる △：レジストが部分的に残り実用不可である ×：レジストの剥離が困難である
【００２２】
【００２３】表１の結果から、実施例１〜３の剥離剤に
よれば、８０℃はもちろんのこと、４０℃の低温短時間
の浸漬処理により、ドライエツチング工程を経たレジス
ト膜画像Ｂやイオン注入工程を経たレジスト膜画像Ｂに
対しても、これら工程を経ないレジスト膜画像Ａと同様
に、良好な剥離性能を示すことがわかる。
よれば、８０℃はもちろんのこと、４０℃の低温短時間
の浸漬処理により、ドライエツチング工程を経たレジス
ト膜画像Ｂやイオン注入工程を経たレジスト膜画像Ｂに
対しても、これら工程を経ないレジスト膜画像Ａと同様
に、良好な剥離性能を示すことがわかる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、本発明は、ＤＭＩを有効
成分としたことにより、ドライエツチング工程やイオン
注入工程を経て剥離性が低下したフオトレジストであつ
ても、これを確実に剥離除去でき、しかも毒性や臭気が
少なく腐食性もない汎用性に富むレジスト剥離剤を提供
することができる。このレジスト剥離剤は、もとより、
半導体デバイス製造などの電子材料を形成するフオトリ
ソグラフイ技術に限られず、光硬化性高分子材料を使用
する目的であれば、その用途に関係なく、各種のレジス
トの剥離に利用できるものである。
成分としたことにより、ドライエツチング工程やイオン
注入工程を経て剥離性が低下したフオトレジストであつ
ても、これを確実に剥離除去でき、しかも毒性や臭気が
少なく腐食性もない汎用性に富むレジスト剥離剤を提供
することができる。このレジスト剥離剤は、もとより、
半導体デバイス製造などの電子材料を形成するフオトリ
ソグラフイ技術に限られず、光硬化性高分子材料を使用
する目的であれば、その用途に関係なく、各種のレジス
トの剥離に利用できるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】 １，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ンを有効成分として含有することを特徴とするレジスト
剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564396A JPH09311467A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12564396A JPH09311467A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト剥離剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311467A true JPH09311467A (ja) | 1997-12-02 |
Family
ID=14915106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12564396A Pending JPH09311467A (ja) | 1996-05-21 | 1996-05-21 | レジスト剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09311467A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1295935A1 (en) * | 2001-01-05 | 2003-03-26 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Detergent composition |
| JP6160893B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-07-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
-
1996
- 1996-05-21 JP JP12564396A patent/JPH09311467A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1295935A1 (en) * | 2001-01-05 | 2003-03-26 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Detergent composition |
| EP1295935A4 (en) * | 2001-01-05 | 2004-06-09 | Arakawa Chem Ind | DETERGENT COMPOSITION |
| US7018964B2 (en) | 2001-01-05 | 2006-03-28 | Arakawa Chemical Industries, Ltd. | Detergent composition |
| JP6160893B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-07-12 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| WO2018061064A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4786578A (en) | Agent and method for the removal of photoresist and stripper residues from semiconductor substrates | |
| JP3879027B2 (ja) | イオン注入後にフォトレジストを除去するための処理方法 | |
| JP3302120B2 (ja) | レジスト用剥離液 | |
| TW544551B (en) | Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces | |
| CN101454872B (zh) | 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 | |
| TWI503636B (zh) | 用於移除有機物質之組合物及方法 | |
| KR100434485B1 (ko) | 포토레지스트 스트립퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 스트립 방법 | |
| JP5346790B2 (ja) | フォトレジストパターン除去用組成物及びこれを利用した金属パターンの形成方法 | |
| US20030030030A1 (en) | Stripper | |
| JP2001517728A (ja) | 水性リンス組成物及びそれを用いた方法 | |
| JPH0769618B2 (ja) | フオトレジスト用剥離剤 | |
| KR100360985B1 (ko) | 레지스트 스트리퍼 조성물 | |
| JP2013540171A (ja) | 基材から物質を除去するための方法および組成物 | |
| KR20100076999A (ko) | 포토레지스트 박리를 위한 화합물 | |
| JP2631849B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| EP1264216A1 (en) | Method of reducing defects | |
| WO2015119759A1 (en) | Composition for removing substances from substrates | |
| US6475708B2 (en) | Alternative photoresist stripping solutions | |
| KR101304723B1 (ko) | 아미드계 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리액 및 이를이용한 박리 방법 | |
| JP2679618B2 (ja) | 剥離液組成物および剥離洗浄方法 | |
| JP3833176B2 (ja) | フォトレジスト除去剤組成物 | |
| JP4698123B2 (ja) | レジスト除去剤組成物 | |
| JP3095296B2 (ja) | レジスト剥離方法、これを用いた薄膜回路素子の製造方法、および、レジスト剥離液 | |
| JPH0769619B2 (ja) | フオトレジスト剥離剤 | |
| JPH09311467A (ja) | レジスト剥離剤 |