JPH10158601A - レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法 - Google Patents

レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法

Info

Publication number
JPH10158601A
JPH10158601A JP31943696A JP31943696A JPH10158601A JP H10158601 A JPH10158601 A JP H10158601A JP 31943696 A JP31943696 A JP 31943696A JP 31943696 A JP31943696 A JP 31943696A JP H10158601 A JPH10158601 A JP H10158601A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
pressure
sensitive adhesive
adhesive tape
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31943696A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasu Chikada
縁 近田
Akira Namikawa
亮 並河
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP31943696A priority Critical patent/JPH10158601A/ja
Publication of JPH10158601A publication Critical patent/JPH10158601A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 物品上の不要となつたレジストを、イオン注
入などによる表面や内部の変質に関係なく、安定して確
実に除去できるレジスト除去用粘着テ―プと、レジスト
除去方法を提供する。 【解決手段】 支持フイルム11上に硬化後の引張弾性
率が80Kg/mm2 以上、硬化後の引張伸びが10%以上
である硬化型の粘着剤層12を設けて、レジスト除去用
粘着テ―プ1を構成する。また、半導体、液晶表示パネ
ルなどの精密電子部品の製造プロセスにおけるレジスト
が存在する物品上に、上記構成のレジスト除去用粘着テ
―プ1を貼り付け、活性エネルギ―を供給して粘着剤層
12を硬化させたのち、この粘着テ―プ1を剥離するこ
とにより、上記レジストを上記粘着テ―プ1の粘着剤層
12面に固着して除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、液晶表示
パネルなどの精密電子部品の製造プロセスに適用され
る、レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】LSIの高密度化、高集積化、また液晶
表示パネルの高密度化、大画面化が進につれ、半導体ウ
エハやガラス基板に存在するレジストをいかに完全にか
つ効率的に除去するかが製品の歩留り、信頼性に影響す
る。たとえば、半導体ウエハでは、回路パタ―ンの形成
時、成膜、レジスト塗布、露光、現像、エツチング、レ
ジスト除去、洗浄などの工程が繰り返される。回路パタ
―ン面に存在する残存レジストは、つぎの回路形成時に
回路の断線やシヨ―トの原因となる。
【0003】このため、LSIの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、レジスト除去技術、ウエ
ハ洗浄技術のレベルアツプに努めており、さまざまな技
術が提案され、実施されてきた。とくに、レジスト除去
工程は、ウエハ洗浄工程とともに、製品の歩留り、信頼
性のアツプのキ―ポイントである。これと同様のこと
が、液晶表示パネルの製造工程やその他の精密電子部品
の製造工程など、主にフオトフアブリケ―シヨンに係わ
る分野にいえる。
【0004】しかしながら、最近の技術開発に伴い、従
来の製造工程でのレジスト除去技術の問題点が顕在化し
ている。すなわち、レジスト除去工程では、ドライ洗浄
であるアツシヤ―(灰化処理装置)やレジスト除去液
(溶剤)を用いたウエツト洗浄による除去方式が一般的
であるが、アツシヤ―(UVオゾン、O2 プラズマなど
による)を用いると、長時間を要したり、レジスト中の
不純物イオンがウエハ表面に残存し、その後のイオン注
入工程でこの不純物がウエハ内部に注入されるおそれが
あつた。また、レジスト除去液を用いると、作業環境を
害したり、廃液の問題を生ずることもあり、さらにウエ
ハから除去されたレジストのウエハへの再付着、乾燥工
程でのウエハ汚染の問題があつた。
【0005】これらの問題点を解決するため、粘着テ―
プによるレジスト除去方法が提案されている。これは、
レジストが存在する物品上に支持フイルムと粘着剤層と
からなる粘着テ―プを貼り付け、レジストを粘着剤層面
に固着し一体化させたのち、剥離して、レジストを物品
上から除去するものである。この粘着テ―プによるレジ
スト除去方式には、アツシヤ―やレジスト除去液を用い
た従来方式のような問題点がなく、結果として、製品の
歩留りが向上する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな粘着テ―プを用いる方法によると、レジストがさま
ざまな処理によつて変質している場合、たとえば、回路
形成に際しAsイオン、Pイオンなどを高ド―ズ量で注
入し、このイオン注入によりレジストパタ―ンが変質
し、とくにレジストの表面や内部が硬化して脆くなつて
いる場合、このレジストを十分に除去できないことが多
かつた。
【0007】そこで、特開平7−206471号公報に
は、高弾性率を有する粘着性ポリマ―を用いて粘着剤層
の弾性率を上げることにより、レジストを効率良く除去
しようとする試みがなされている。しかし、上記のよう
に変質したレジストを十分に除去するのに必要な弾性率
を粘着剤に付与すると、粘着剤が脆くなつてしまい、粘
着テ―プの剥離操作時に粘着剤層が部分的に凝集破壊
し、レジストを安定して除去できないという問題があつ
た。
【0008】本発明は、上記の事情に照らし、物品上の
不要となつたレジストを、イオン注入などによる表面や
内部の変質に関係なく、安定して確実に除去できるレジ
スト除去用粘着テ―プと、レジスト除去方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し、鋭意検討した結果、支持フイルム上に設ける
粘着剤層を光などの活性エネルギ―によつて硬化する硬
化型とし、硬化後に高弾性率でかつ高伸度を有する特定
の粘着剤構成とすることにより、この粘着テ―プをレジ
ストが存在する物品上に貼り付け、活性エネルギ―を供
給して粘着剤層を硬化させたのちに剥離操作すると、前
記変質したレジストでも安定して確実に除去できること
を知り、本発明を完成するに至つた。
【0010】すなわち、本発明は、支持フイルム上に硬
化後の引張弾性率が80Kg/mm2 以上、硬化後の引張伸
びが10%以上である硬化型の粘着剤層を有することを
特徴とするレジスト除去用粘着テ―プ(請求項1)と、
半導体、液晶表示パネルなどの精密電子部品の製造プロ
セスにおけるレジストが存在する物品上に、上記構成の
レジスト除去用粘着テ―プを貼り付け、活性エネルギ―
を供給して粘着剤層を硬化させたのち、この粘着テ―プ
を剥離することにより、上記レジストを上記粘着テ―プ
の粘着剤層面に固着して除去することを特徴とするレジ
スト除去方法(請求項2)とに係るものである。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参考にして説明する。図1は、本発明のレジスト除去
用粘着テ―プの一例を示したものである。1は粘着テ―
プで、支持フイルム11上に硬化型の粘着剤層12を設
け、この上にセパレ―タ(粘着剤表面保護フイルム)1
3を貼り合わせた構成からなる。
【0012】支持フイルム11は、ポリエステル、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレ
ン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、エチレン−エチルアクリレ―ト共重合体などのプラ
スチツクからなる厚さが通常10〜1,000μmのフ
イルムが用いられる。この支持フイルム11における硬
化型粘着剤層12を設ける面は、コロナ処理などの適宜
の表面処理を施して、上記粘着剤層12の投錨性を改善
しておくのが望ましい。
【0013】粘着剤層12は、光(紫外線)、熱(赤外
線)、電子線、X線などの電磁波、超音波などの弾性波
などの活性エネルギ―により硬化する硬化型のものであ
つて、硬化後の引張弾性率が80Kg/mm2 以上(通常1
50Kg/mm2 まで)、硬化後の引張伸びが10%以上
(通常150%まで)に設定されていることが必要であ
る。なお、上記硬化後の引張弾性率および引張伸びは、
いずれも、JIS−K−7127に準じて測定される値
を意味するものである。
【0014】このような粘着剤層12を構成する粘着剤
には、アクリル系、シリコ―ン系、フツ素系、ゴム系
(天然ゴム、合成ゴム系)などの広範囲のものが含まれ
る。これらの中でも、アクリル系ポリマ―に活性エネル
ギ―で重合する化合物(モノマ―ないしオリゴマ―)、
光重合開始剤、架橋剤などを加えてなるアクリル系の光
硬化型粘着剤がとくに好ましい。前記の引張弾性率およ
び引張伸びは、アクリル系ポリマ―などの粘着性ポリマ
―などの種類に応じて、重合性化合物の種類や量などを
適宜選択することにより、容易に設定できる。
【0015】粘着剤層12の厚さは、一般に、5〜10
0μmである。また、粘着力は、JIS−Z−0237
に準じて測定されるシリコンウエハに対する粘着力(常
温、剥離速度300mm/分、180度剥離)が、硬化前
の常態で300〜1,000g/10mm幅、硬化後で1
〜300g/10mm幅である。
【0016】セパレ―タ(粘着剤表面保護フイルム)1
3には、ポリエステル、ポリカ―ボネ―ト、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、
エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアク
リレ―ト共重合体など、支持フイルム11と同様の材質
からなる厚さが通常25〜100μmのフイルムが用い
られる。これらのフイルムは、セパレ―タとしての機能
を果たさせるため、表面を適宜離型処理したものが好ま
しく用いられる。
【0017】上記構成のレジスト除去用粘着テ―プ1
は、支持フイルム11上に硬化型の粘着剤を塗布し、こ
れを加熱によつて乾燥し、また適宜の架橋処理を施し
て、硬化型の粘着剤層12を形成したのち、この上にセ
パレ―タ13を貼り合わせるという、粘着テ―プ作製の
常用方式にて、作製できる。また、別の方式として、セ
パレ―タ13上に上記同様にして硬化型の粘着剤層12
を形成したのち、この上に支持フイルム11をラミネ―
トする方式で作製してもよい。
【0018】本発明において、上記構成の粘着テ―プ1
を、精密電子部品の製造プロセスにおけるレジスト除去
工程に適用する例として、たとえば、半導体ウエハ上に
存在するレジストを剥離除去する方法について、以下に
説明する。
【0019】図2に示すように、まず、半導体ウエハ2
の表面2a(または裏面2b)に上記構成の粘着テ―プ
1を貼り付けて、粘着剤層12面を半導体ウエハ2上の
レジストパタ―ン3に対し十分に馴染ませる。これは、
たとえば、ハンドロ―ラ(図示せず)により押圧したの
ち、数分程度放置するといつた方法で行えばよい。上記
の粘着剤層12は、硬化前の常態では、レジスト形状に
馴染むように塑性変形しやすく、かつ前記高粘着力を有
しているため、上記操作によつてレジストパタ―ン3と
粘着剤層12とは容易に一体化する。
【0020】このように貼り付けたのち、支持フイルム
11側から 粘着剤層12の種類に応じた光(紫外
線)、熱(赤外線)、電子線、X線などの電磁波、超音
波などの弾性波などの活性エネルギ―を供給して、粘着
剤層12を硬化させる。この硬化で粘着力が著しく低下
するため、粘着テ―プの端部より剥離操作すると、半導
体ウエハ2上のレジストパタ―ン3は、粘着剤層12面
に固着されたまま、剥離除去される。ここで、粘着剤層
12は、硬化後において前記した高弾性率でかつ高伸度
を有するものとなつて、硬くて強靱な性質を示すため、
粘着剤の凝集破壊などの不都合をきたさず、レジストパ
タ―ン3がイオン注入などにより変質していても、これ
を安定して確実に剥離除去できる。
【0021】このようにしてレジストパタ―ンを安定し
て除去できると、最終製品としての半導体の歩留りや信
頼性が大幅に向上する。これは、液晶表示パネルなどの
他の精密電子部品の製造プロセスにおけるレジスト除去
工程に適用した場合でも同じであり、上記と同様の効果
を期待することができる。
【0022】
【実施例】つぎに、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重
量部を意味するものとする。
【0023】実施例1 アクリル酸80部とアクリル酸メチル20部を、メタノ
―ル中で常法に準じて共重合させて、数平均分子量20
万のアクリル系共重合物を合成した。この共重合物10
0部に、ブタノ―ル変性メラミン架橋剤3部、重合性オ
リゴマ―としてジペンタエリスリト―ルヒドロキシペン
タアクリレ―ト100部、光重合開始剤としてα−ヒド
ロキシシクロヘキシルフエニルケトン5部を加えて、ア
クリル系粘着剤溶液を調製した。
【0024】つぎに、このアクリル系粘着剤溶液を、厚
さが50μmのポリエステルフイルムからなる支持フイ
ルムのコロナ処理面に塗布し、120℃で5分間加熱し
て、架橋処理し、厚さが30μmの硬化型の粘着剤層を
形成した。この粘着剤層面にセパレ―タとして離型処理
した厚さが50μmのポリエステルフイルムを貼り合わ
せて、レジスト除去用粘着テ―プを作製した。
【0025】このレジスト除去用粘着テ―プは、JIS
−Z−0237に準じて測定されるシリコンウエハに対
する粘着力(常温、剥離速度300mm/分、180度剥
離)が、硬化前の常態で825g/10mm幅であり、硬
化後(波長365nmの紫外線を1,000mj/cm2
照射して硬化させたのち)で10g/10mm幅であつ
た。また、硬化型の粘着剤層の引張弾性率は、硬化前の
常態で0.05Kg/mm2、硬化後(上記同様の紫外線照
射後)で80Kg/mm2 であつた。さらに、硬化型の粘着
剤層の引張伸びは、硬化前の常態で1,500%、硬化
後(上記同様の紫外線照射後)で25%であつた。
【0026】なお、上記の引張弾性率および引張伸び
は、前記のアクリル系粘着剤溶液を用いて、離型処理し
た厚さが50μmのポリエステルフイルム上に前記同様
にして厚さが30μmの硬化型の粘着剤層を形成したの
ち、この粘着剤層を剥離して、JIS−K−7127に
準じて、測定したものである。
【0027】実施例2 重合性オリゴマ―であるジペンタエリスリト―ルヒドロ
キシペンタアクリレ―トの使用量を120部に変更した
以外は、実施例1と同様にして、アクリル系粘着剤溶液
を調製し、またこれを用いてレジスト除去用粘着テ―プ
を作製した。この粘着テ―プは、前記同様に測定したシ
リコンウエハに対する粘着力が、硬化前の常態で840
g/10mm幅、硬化後で9g/10mm幅であつた。ま
た、硬化型の粘着剤層について、前記同様に測定した引
張弾性率は、硬化前の常態で0.04Kg/mm2 、硬化後
で90Kg/mm2 であり、さらに前記同様に測定した引張
伸びは、硬化前の常態で1,600%、硬化後で15%
であつた。
【0028】実施例3 重合性オリゴマ―であるジペンタエリスリト―ルヒドロ
キシペンタアクリレ―トの使用量を140部に変更した
以外は、実施例1と同様にして、アクリル系粘着剤溶液
を調製し、またこれを用いてレジスト除去用粘着テ―プ
を作製した。この粘着テ―プは、前記同様に測定したシ
リコンウエハに対する粘着力が、硬化前の常態で875
g/10mm幅、硬化後で7g/10mm幅であつた。ま
た、硬化型の粘着剤層について、前記同様に測定した引
張弾性率は、硬化前の常態で0.03Kg/mm2 、硬化後
で105Kg/mm2 であり、さらに前記同様に測定した引
張伸びは、硬化前の常態で1,630%、硬化後で10
%であつた。
【0029】比較例1 アクリル酸75部とアクリル酸メチル25部を、メタノ
―ル中で常法に準じて共重合させて、数平均分子量24
万のアクリル系共重合物を合成した。この共重合物を用
いた以外は、実施例1と同様にして、アクリル系粘着剤
溶液を調製し、またこれを用いてレジスト除去用粘着テ
―プを作製した。この粘着テ―プは、前記同様に測定し
たシリコンウエハに対する粘着力が、硬化前の常態で8
80g/10mm幅、硬化後で15g/10mm幅であつ
た。また、硬化型の粘着剤層について、前記同様に測定
した引張弾性率は、硬化前の常態で0.05Kg/mm2
硬化後で70Kg/mm2 であり、さらに前記同様に測定し
た引張伸びは、硬化前の常態で1,630%、硬化後で
25%であつた。
【0030】比較例2 アクリル酸75部とアクリル酸メチル25部を、メタノ
―ル中で常法に準じて共重合させて、数平均分子量24
万のアクリル系共重合物を合成した。この共重合物を用
い、重合性オリゴマ―であるジペンタエリスリト―ルヒ
ドロキシペンタアクリレ―トの使用量を120部に変更
した以外は、実施例1と同様にして、アクリル系粘着剤
溶液を調製し、またこれを用いてレジスト除去用粘着テ
―プを作製した。このテ―プは、前記同様に測定したシ
リコンウエハに対する粘着力が、硬化前の常態で905
g/10mm幅、硬化後で11g/10mm幅であつた。ま
た、硬化型の粘着剤層について、前記同様に測定した引
張弾性率は、硬化前の常態で0.03Kg/mm2 、硬化後
で75Kg/mm2 であり、さらに前記同様に測定した引張
伸びは、硬化前の常態で1,695%、硬化後で8%で
あつた。
【0031】比較例3 アクリル酸90部とアクリル酸メチル10部を、メタノ
―ル中で常法に準じて共重合させて、数平均分子量20
万のアクリル系共重合物を合成した。この共重合物を用
いた以外は、実施例1と同様にして、アクリル系粘着剤
溶液を調製し、またこれを用いてレジスト除去用粘着テ
―プを作製した。この粘着テ―プは、前記同様に測定し
たシリコンウエハに対する粘着力が、硬化前の常態で7
65g/10mm幅、硬化後で7g/10mm幅であつた。
また、硬化型の粘着剤層について、前記同様に測定した
引張弾性率は、硬化前の常態で0.07Kg/mm2 、硬化
後で87Kg/mm2 であり、さらに前記同様に測定した引
張伸びは、硬化前の常態で1,310%、硬化後で8%
であつた。
【0032】以上の実施例1〜3および比較例1〜3の
各レジスト除去用粘着テ―プを使用して、下記の方法に
より、半導体ウエハ上に存在するレジストの除去試験を
行つた。この結果は、後記の表1に示されるとおりであ
つた。なお、表1には、参考のために、レジスト除去用
粘着テ―プを構成する硬化型の粘着剤層に関し、硬化後
(波長365nmの紫外線を1,000mj/cm2 照射
して硬化させたのち)の引張弾性率および引張伸びを、
併記した。
【0033】<レジスト除去試験>半導体ウエハ上に厚
さが1μmのポジ型レジストを塗布し、イオン注入エネ
ルギ―80KeV、イオン注入濃度1×1016ions
/cm2 でPイオンを注入した。このウエハに、粘着テ―
プをそのセパレ―タを引き剥がしながら貼り付け、3分
間放置後、波長365nmの紫外線を1,000mj/
cm2 照射して粘着剤層を硬化させたのち、剥離して、レ
ジストを除去した。レジスト除去面積からレジスト除去
率を計算した。なお、上記除去率が100%未満の場
合、上記貼り付けおよび剥離操作を2度繰り返した。ま
た、上記一連の作業は、クラス10のクリ―ンル―ム内
(温度23℃、湿度60%)で行つた。
【0034】
【0035】上記の表1から明らかなように、本発明の
実施例1〜3のレジスト除去用粘着テ―プによれば、高
ド―ズ量のイオン注入で表面や内部が変質したレジスト
を、安定して確実に除去できるものであることがわか
る。また実際に、実施例1〜3の上記粘着テ―プをレジ
スト除去工程を含む半導体ウエハの製造プロセスに適用
し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集計し
た結果、いずれの実施例も、従来に比べ高い留まりが得
られることが判明した。
【0036】これに対して、粘着剤層の硬化後の引張弾
性率が本発明の範囲外となる比較例1の粘着テ―プは、
レジスト除去率が2度目の剥離操作でも約55%程度と
低くなり、上記の引張弾性率および硬化後の引張伸びが
ともに本発明の範囲外となる比較例2の粘着テ―プは、
レジスト除去率がさらに一層悪くなつている。また、上
記の引張弾性率が本発明の範囲内にあつても、上記の引
張伸びが本発明の範囲外となる比較例3の粘着テ―プ
は、剥離操作時に粘着剤が凝集破壊してしまい、レジス
トを剥離除去することは困難であつた。
【0037】
【発明の効果】以上のように、本発明のレジスト除去用
粘着テ―プとこれを用いたレジスト除去方法によれば、
物品上の不要となつたレジストを、イオン注入などによ
る表面や内部の変質などに関係なく、安定して確実に除
去できるから、半導体の製造工程やその他液晶などの各
種分野に幅広く利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレジスト除去用粘着テ―プの一例を示
す断面図である。
【図2】本発明のレジスト除去用粘着テ―プを用いて半
導体ウエハ上のレジストを除去する方法を示す断面図で
ある。
【符号の説明】
1 粘着テ―プ 11 支持フイルム 12 粘着剤層 13 セパレ―タ(粘着剤表面保護フイルム) 2 半導体ウエハ 3 レジストパタ―ン

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持フイルム上に硬化後の引張弾性率が
    80Kg/mm2 以上、硬化後の引張伸びが10%以上であ
    る硬化型の粘着剤層を有することを特徴とするレジスト
    除去用粘着テ―プ。
  2. 【請求項2】 半導体、液晶表示パネルなどの精密電子
    部品の製造プロセスにおけるレジストが存在する物品上
    に、請求項1に記載のレジスト除去用粘着テ―プを貼り
    付け、活性エネルギ―を供給して粘着剤層を硬化させた
    のち、この粘着テ―プを剥離することにより、上記レジ
    ストを上記粘着テ―プの粘着剤層面に固着して除去する
    ことを特徴とするレジスト除去方法。
JP31943696A 1996-11-29 1996-11-29 レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法 Pending JPH10158601A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31943696A JPH10158601A (ja) 1996-11-29 1996-11-29 レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31943696A JPH10158601A (ja) 1996-11-29 1996-11-29 レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10158601A true JPH10158601A (ja) 1998-06-16

Family

ID=18110183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31943696A Pending JPH10158601A (ja) 1996-11-29 1996-11-29 レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10158601A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5959011A (en) Resist removing method, and curable pressure-sensitive adhesive, adhesive sheets and apparatus used for the method
JP2009231629A (ja) 半導体ウエハの加工方法
JP3394625B2 (ja) 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プ
US20020100553A1 (en) Adhesive tape and process for removing resist
EP1248156B1 (en) Process for the removal of resist material
JPH08139067A (ja) 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法
JP3441836B2 (ja) 精密電子部品の異物除去用粘着テ―プ
JPH10158601A (ja) レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法
JP3682339B2 (ja) レジスト除去用接着シ―ト類とレジスト除去方法
JP4439855B2 (ja) クリーニングシートとこれを用いた基板処理装置のクリーニング方法
US6436220B1 (en) Process for the collective removal of resist material and side wall protective film
JPH10158602A (ja) レジスト除去用粘着テ―プとレジスト除去方法
JPH0934133A (ja) レジストの除去方法
JPH0934130A (ja) レジストの除去方法とこれに用いる接着シ―ト類
KR100626557B1 (ko) 내식막 물질의 제거방법
JP3959189B2 (ja) レジスト材の除去方法
JP2000029230A (ja) レジスト材の除去方法
JP3590673B2 (ja) レジスト膜画像の除去方法
JP2868720B2 (ja) レジストの除去方法、およびこれに用いる接着剤もしくは接着シート類
JPH06105753B2 (ja) 半導体ウエハの処理方法
JP4099221B2 (ja) レジスト除去方法
JP2001181585A (ja) 低汚染性接着シ―ト類とレジスト材の除去方法
JPH10245531A (ja) 不要物の除去用接着剤もしくは接着シート類
JPH09266162A (ja) レジストの除去方法、およびこれに用いる接着剤もしくは接着シート類
JPH1195451A (ja) 多層レジストプロセスにおけるレジスト除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20041224

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20050308

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051004