ES2205440T3 - Procedimiento para la retirada en una sola operacion de un elemento resistente y una capa protectora de pared lateral. - Google Patents
Procedimiento para la retirada en una sola operacion de un elemento resistente y una capa protectora de pared lateral.Info
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Abstract
La invención se refiere a un procedimiento para eliminar conjuntamente el material aislante innecesario y la película protectora de las paredes laterales después del ataque químico en un proceso con protección de paredes laterales, haciendo posible simplificar el proceso para la preparación de semiconductores, etc. El procedimiento, de acuerdo con la presente invención, comprende eliminar el material aislante innecesario (3) que queda después del ataque en un procedimiento de protección de paredes laterales con una marca aislante (3) presente en el sustrato semiconductor (2) como una máscara, y una película protectora de las paredes laterales (4) depositada en las paredes laterales (22) de la marca, dicho procedimiento comprende los pasos de aplicar una hoja adhesiva sensible a la presión (1) a dicho sustrato (2), calentar la hoja adhesiva sensible a la presión (1) bajo presión de forma que el adhesivo sensible a la presión (11) se ponga en contacto con las paredes laterales (22) de la marca (4) y después pelar conjuntamente dicha hoja adhesiva sensible a la presión (1), el citado material aislante (3) y la citada película protectora de las paredes laterales (4) fuera del sustrato.
Description
Procedimiento para la retirada en una sola
operación de un elemento resistente y una capa protectora de pared
lateral.
La presente invención se refiere a un
procedimiento para la retirada de un elemento resistente innecesario
depositado sobre un objeto tal como una plaquita semiconductora, y
una película protectora de pared lateral que se ha depositado sobre
la pared lateral del patrón durante el grabado en seco en una etapa
de la formación de un patrón fino durante la preparación de
semiconductores, circuitos, diversos cuadros de circuitos impresos,
máscaras variadas, o marcos de plomo.
En el proceso de la preparación de
semiconductores, se forma un patrón resistente, por ejemplo, sobre
una plaquita de silicio. Con este patrón resistente a modo de
máscara, el substrato se somete después a la inyección de iones de
impureza, grabado en seco, etc. A continuación se retira el material
resistente innecesario normalmente mediante un reductor a cenizas
(aparato de carbonización). De este modo se forman elementos de
circuito o cableado.
El referido grabado en seco se realiza
preferiblemente con un proceso de protección de pared lateral para
obtener la anisotropía en el grabado. En algún detalle, este proceso
implica la incorporación de un gas formador de polímero (p. ej., un
gas de halógeno carburado tal como CCl_{4} y CF_{4}) en un gas
de grabación ionizado para grabar un objeto tal como un substrato
semiconductor con un patrón resistente a modo de máscara, en donde
se forma una capa protectora de un polímero sobre la pared lateral
del patrón, haciendo posible efectuar un grabado anisótropo libre
de un ataque lateral (véase Fig. 4)
Sin embargo, tal procedimiento de protección de
pared lateral es desventajoso puesto que la retirada del elemento
resistente mediante un reductor a cenizas después del grabado no
puede venir acompañada de la retirada de la película protectora de
la pared lateral citada, por lo que resulta necesario añadir una
etapa independiente para la limpieza de la película protectora de la
pared lateral después de las etapas anteriores. Por tanto, es
posible que el procedimiento de protección de la pared lateral
resulte desventajoso para el proceso de producción.
El documento
US-A-5.466.325 da a conocer un
procedimiento para la retirada de un patrón resistente formado sobre
una pieza. El procedimiento comprende las etapas siguientes:
- aplicación de cinta adhesiva dotada de una capa
adhesiva curable sensible a la presión que contiene un compuesto no
volátil en la superficie superior de un patrón resistente formado
sobre la pieza;
- transferencia y difusión del compuesto no
volátil en el patrón resistente;
- aplicación de un tratamiento de curado al
adhesivo; y
- desprendimiento de patrón resistente juntamente
con la cinta adhesiva.
Bajo estas circunstancias, es el objetivo de la
presente invención la retirada en una sola operación del material
resistente innecesario y la película protectora de la pared lateral
después del grabado en seco por el procedimiento de protección de
pared lateral, con lo cual se simplifica el proceso para la
preparación de semiconductores.
Este objetivo se consigue mediante un
procedimiento para la retirada en una sola operación del material
resistente y de la película protectora de la pared lateral que
comprende la retirada del material resistente innecesario que
permanece después del grabado en seco por el procedimiento de
protección de la pared lateral con un patrón resistente presentado
sobre un objeto a modo de máscara y película protectora de pared
lateral depositada sobre la pared lateral del patrón, comprendiendo
dicho procedimiento las etapas de aplicación sobre dicho objeto de
una lámina adhesiva sensible a la presión, calentamiento de la
lámina adhesiva sensible a la presión, bajo una presión de 10
atmósferas a una temperatura de 20ºC a 150ºC, con lo cual el
adhesivo sensible a la presión entra en contacto con la pared
lateral del patrón hasta su parte superior, y a continuación
desprendimiento conjuntamente de dicha lámina adhesiva sensible a la
presión, dicho material resistente y dicha película protectora de la
pared lateral, de dicho objeto.
Se comprobó que la utilización del procedimiento
según la presente invención que comprende la aplicación de una
lámina adhesiva sensible a la presión sobre un objeto que ha sido
sometido a grabado en seco por el procedimiento de protección de la
pared lateral, y desprendimiento posterior del objeto de la lámina
sensible a la presión hace posible retirar conjuntamente del mismo
el material resistente y la película protectora de la pared
lateral.
La presente invención se refiere a un
procedimiento para la retirada en una sola operación de un material
resistente y la película protectora de la pared lateral que
comprende la retirada del material resistente innecesario que
permanece después del grabado en seco por el procedimiento de
protección de la pared lateral con un patrón resistente presente
sobre un objeto a modo de máscara y película protectora de la pared
lateral depositada sobre la pared lateral del patrón, comprendiendo
dicho procedimiento las etapas aplicación sobre el objeto de una a
modo de lámina o de cinta adhesiva sensible a la presión,
calentamiento bajo presión de la lámina adhesiva sensible a la
presión con el fin de que la misma entre en contacto con la pared
lateral del patrón hasta su parte superior, y desprendimiento
posterior del objeto de la lámina adhesiva sensible a la presión, el
material resistente y la película de protección de la pared lateral
conjuntamente.
La Fig. 1 es una vista en sección que ilustra un
ejemplo de una lámina sensible a la presión utilizada en la presente
invención;
la Fig. 2 es un vista en sección que ilustra el
procedimiento para la retirada conjunta del material resistente y la
película de protección de la pared lateral según la presente
invención;
la Fig. 3 es una vista en sección ampliada que
ilustra la zona III de la Fig. 2; y
la Fig. 4 es una vista en sección que ilustra la
forma en que se efectúa el grabado en seco por el procedimiento de
protección de la pared lateral con un patrón resistente a modo de
máscara.
A continuación se describen formas de realización
de la presente invención en relación con las Figs. 1 a 4.
La Fig. 1 ilustra la estructura de una lámina
adhesiva sensible a la presión utilizada en la presente
invención.
En dicha Fig. 1 una lámina adhesiva sensible a la
presión 1 presenta la forma de lámina o cinta, y comprende una
película de substrato 10 de un espesor normalmente de 10 a 100
\mum formada de una sustancia plástica tal como el polietileno, el
polipropileno o el tereftalato de polietileno y una película
sensible a la presión 11 de un espesor normalmente de 10 a 200
\mum dispuesta sobre la misma. La referida capa adhesiva sensible
a la presión 2 puede ser de tipo sin curado o de tipo con curado la
cual se cura mediante energía actínica tal como el calor y las
radiaciones ultravioleta, preferiblemente del tipo curado por
radiaciones ultravioleta.
Como dicha capa adhesiva sensible a la presión
del tipo de curado por radiaciones ultravioleta se usa
preferiblemente una que se obtiene por un procedimiento que
comprende la mezcla de un polímero acrílico como polímero adhesivo
sensible a la presión con un compuesto no volátil de bajo peso
molecular, normalmente no superior a 10.000, que contiene uno o más
dobles enlaces carbono-carbono polimerizables por
molécula (en lo sucesivo referido como "compuesto curable") y
un iniciador de fotopolimerización y también opcionalmente con un
agente de entrecruzamiento tal como un compuesto polifuncional (p.
ej., poliisocianato, poliepoxi, varias sales metálicas, quelato
compuesto), un relleno tal como partículas de silicio, una resina
adherente, un colorante, un resistente al envejecimiento, un
inhibidor de polimerización u otros aditivos. El límite inferior
normal del peso molecular de un tal compuesto curable es 100.
Preferiblemente la fuerza del adhesivo sensible a la presión no debe
ser inferior a 150 g/10 mm (normalmente de 200 a 1.000 g/10 mm de
anchura) antes del curado por radiaciones ultravioleta y menos de
150 g/10 mm (normalmente de 10 a 100 g/10 mm de anchura) después del
curado por radiaciones ultravioleta calculado en términos de fuerza
de desprendimiento del adhesivo con un ángulo de 180º con respecto
una plaquita de silicio.
Las cantidades de otros varios componentes con
respecto a 100 partes en peso de polímero acrílico son las
siguientes:
* Compuesto curable: normalmente de 5 a 300
partes en peso, preferiblemente de 20 a 200 partes en peso;
* Iniciador de fotopolimerización: normalmente
de 0,1 a 15 partes en peso, preferiblemente de 0,5 a 10 partes en
peso;
* Agente de entrecruzamiento: normalmente no más
de 20 partes en peso, preferiblemente no más de 10 partes en
peso;
* Otros aditivos distintos del compuesto curable
y del iniciador de fotopolimerización: normalmente de 0,1 a 15
partes en peso en total.
Como polímero acrílico se utiliza preferiblemente
un polímero con un peso molecular medio normalmente de 300.000 a
2.000.000 y formado de un homopolímero de alquiléster de ácido
(meta)acrílico, o un copolímero del monómero anterior con un
grupo carboxilo o monómeros conteniendo grupo hidroxilo, otros
monómeros para modificación o similares. Ejemplos de compuestos
curables incluyen tri(meta)acrilato de trimetilol
propano, tri(meta)acrilato de tetrametilol metano,
tetra(meta)acrilato de tetrametilol metano,
(meta)acrilato de oligoéster, y oligómero basado
en(meta)acrilato uretano. Ejemplos de iniciador de
fotopolimerización incluyen benzoina, éter etílico de benzoina,
dibencilo, éter de isopropil benzoína, benzofenona, cetona
clorotioxantona de Michler, dodecil tioxantona, dimetil tioxantona,
acetofenona dietil cetal, bencil dimetil ceatal, y
\alpha-hidroxicicloexil fenil cetona.
La Fig. 2 ilustra un procedimiento para la
separación del material resistente y película protectora de pared
lateral de un objeto tal como un substrato semiconductor con una
lámina adhesiva sensible a la presión que presenta la estructura
referida anteriormente. La flecha P indica la dirección según la
cual se separa del objeto la lámina adhesiva sensible a la presión.
La Fig. 3 es un vista ampliada de la zona III de la Fig. 2.
Como se representa en la Fig. 4, por ejemplo, el
material resistente referido anteriormente se aplica sobre toda la
superficie de un substrato semiconductor 2 que comprende una capa
metálica delgada de cableado 21 dispuesta sobre una plaquita de
silicio 20, y sometida después a una proceso fotográfico ordinario
para formar sobre la misma un patrón resistente predeterminado
(imagen de película resistente) 3. La citada película protectora
lateral es un capa de polímero protectora 4 depositada sobre la
pared lateral 22 del patrón durante la formación de un circuito de
cableado deseado que implica un grabado en seco por el procedimiento
de protección de la pared lateral sobre la citada capa metálica
delgada 21 con el patrón resistente 3 como máscara.
La disposición de la película de protección de la
pared lateral 4 permite impedir la entrada del radical dentro de la
pared lateral 22 durante el grabado en seco de la delgada capa
metálica 21 con el gas de grabado ionizado 5 y por tanto la
obtención de un grabado anisótropo libre del grabado lateral. Para
la formación de dicha película protectora 4, el gas de grabado
incluye normalmente un gas de formación de polímero incorporado en
el mismo. Es necesario que dicho gas de formación de polímero pueda
ser independiente y generado a partir del material que debe ser
grabado tal como el propio fortoresistente. Para el conjunto de tal
procedimiento de protección de pared lateral, es preferible
normalmente la utilización de un procedimiento de grabado por plasma
de microondas, que puede controlar independientemente la energía
iónica y la formación del plasma. La operación de grabado puede
realizarse según los procedimientos conocidos.
En la presente invención, como se representa en
las Figs. 2 y 3, una lámina adhesiva sensible a la presión 1 se
aplica sobre un substrato semiconductor 2. Durante este
procedimiento, la lámina adhesiva sensible a la presión 1 se
calienta bajo presión con lo cual la capa de adhesivo sensible a la
presión 11 se plastifica para entrar totalmente en contacto con la
pared lateral del patrón 22 hasta su parte superior. Estas
condiciones pueden ser determinadas adecuadamente dependiendo de la
forma en que el patrón resistente 3 se encuentre fijo al substrato,
o del tipo de adhesivo sensible a la presión utilizado. Sin embargo,
en general, es preferible que la lámina adhesiva sensible a la
presión se caliente a una temperatura desde 20ºC hasta 150ºC de tal
manera que el adhesivo sensible a la presión no se endurezca o
sobresalga hacia la pared lateral en una gama de presiones tan
amplia como la existente entre la presión manual y la ejercida con
rodillos.
La lámina adhesiva sensible a la presión 1 que se
ha aplicado al substrato, si es del tipo de curado por radiaciones
ultravioleta, se irradia con dichas radiaciones hasta su curado, y a
continuación se separa del substrato en la dirección indicada por la
flecha P en la Fig. 2. De este modo, el material resistente (el
patrón resistente) que existe sobre el substrato semiconductor 2 y
la película protectora de la pared lateral 4 formada en la pared
lateral 22 del patrón pueden separarse conjuntamente del substrato
con la lámina adhesiva sensible a la presión 1. Por tanto, por la
separación de la lámina adhesiva sensible la presión 1, pueden
retirarse conjuntamente el material resistente y la película
protectora de la pared lateral. En consecuencia, se evita la
necesidad de añadir una etapa adicional de limpieza convencional,
con lo que se puede simplificar drásticamente el procedimiento.
La presente invención se describe a continuación
mediante los ejemplos siguientes. La expresión "partes" usada
en lo sucesivo tiene el significado de "partes en peso".
Ejemplo de referencia
1
Sobre una plaquita de silicio que presentaba una
fina capa metálica dispuesta en multicapa de cableado formada sobre
la superficie de la misma se aplicó una lámina fotorresistente
positiva que comprendía una resina novolaca cresol, un éster ácido
sulfónico de diazida naftoquinona de compuesto polihidroxilo, y un
lactato etílico. El material así recubierto fue expuesto a la luz y
sometido después a un revelado para la formación de un patrón
resistente sobre el mismo. A continuación, el material recubierto
fue sometido a grabado en seco por el procedimiento de protección de
la pared lateral con dicho patrón resistente como máscara para
formar un patrón de cableado metálico.
Se estableció una mezcla de monómero de 80 partes
de acrilato de n-butilo, 15 partes de acrilato de
etilo y 5 partes de ácido acrílico para sufrir una polimerización
en solución con 150 partes de acetato de etilo y 0,1 partes de
azobisisobutironitrilo a una temperatura de 60ºC en una corriente de
nitrógeno durante durante 12 horas para obtener una solución A de
polímero acrílico de un peso molecular medio de 560.000.
Se añadió después a la solución A un diacrilato
de polietilén glicol, exacrilato de dipentaeritritol y triacrilato
de trimetilol propano como compuestos curables en una proporción de
10 partes, 10 partes y 30 partes, respectivamente, sobre la base de
100 partes de polímero acrílico, diisocianato de difenilmetando como
compuesto polifuncional en una proporción de 3 partes en
peso sobre la base de 100 partes del polímero acrílico y
\alphahidroxicicloexil fenil cetona como iniciador de
fotopolimerización en una proporción de 3 partes sobre la base de
100 partes de plímero acrílico. El monómero se agitó después
uniformemente para preparar una solución adhesiva sensible a la
presión del tipo de curado por radiaciones ultravioleta.
La solución adhesiva sensible a la presión del
tipo de curado por radiaciones ultravioleta así preparada se aplicó
sobre una película de poliéster de un espesor de 50 \mum para
obtener un espesor en seco de 45 \mum, y después se desecó a una
temperatura de 130ºC durante 3 minutos para preparar una lámina
adhesiva sensible a la presión del tipo de curado por radiaciones
ultravioleta. La lámina adhesiva sensible a la presión así
preparada, presentó un resistencia a la separación del adhesivo en
un ángulo de 180º de 235 g/10 mm de anchura antes del curado por
radiaciones ultravioleta y de 13 g/10 mm después del curado por
radiaciones ultravioleta, todas de ellas con respecto a una plaquita
de silicio.
Subsiguientemente, sobre una plaquita de silicio
con un patrón de cableado metálico, un material resistente (patrón
resistente) y una película protectora de la pared lateral formada
sobre la misma por el procedimiento del Ejemplo de Referencia 1, se
adhirió por contacto la anterior lámina adhesiva sensible a la
presión tipo de curado por radiaciones ultravioleta sobre una placa
calentada a 130ºC. La lámina así obtenida se irradió después con
radiaciones ultravioleta mediante una lámpara de mercurio de alta
presión sobre una dosis de 1.000 mj/cm^{2} lo que determinó su
curado. La lámina adhesiva sensible a la presión así curada se
separó entonces del substrato. Como resultado, el material
resistente y la película protectora de la pared lateral se retiraron
conjuntamente con la lámina adhesiva sensible a la presión.
Después del procedimiento de separación que se ha
descrito, la superficie y la sección de la plaquita de silicio
fueron observadas microscopio fluorescente y por SEM (observación al
microscopio con barrido electrónico), respectivamente. Como
resultado, se confirmó que la película protectora de la pared
lateral se había separado totalmente con el material resistente. En
el Ejemplo 1, la aplicación de la lámina adhesiva sensible a la
presión se efectuó también a una temperatura de 90ºC. También en
este caso se retiró la película protectora de la pared lateral. Sin
embargo, la observación de la sección de la plaquita bajo el SEM
demostró que permanecía una parte de la lámina protectora de la
pared lateral. De este modo se determinó que es preferible que la
temperatura a la cual se aplica la lámina adhesiva sensible a la
presión sea mayor de 90ºC para permitir una retirada total de la
película protectora de la pared lateral como se efectuó en el
Ejemplo 1.
A la solución del polímero acrílico A obtenida en
el Ejemplo 1 se añadieron un metacrilato de polietilén glicol y un
triacrilato de trimetilol propano como compuestos curables en una
proporción de 20 partes y 30 partes, respectivamente, sobre la base
de 100 partes del polímero acrílico, diisocianato de tolileno como
compuesto polifuncional en una proporción de 3 partes sobre la base
de 100 partes de polímero acrílico y
\alpha-hidroxicicloexil fenil cetona como
iniciador de polimerización en una proporción de 5 partes sobre la
base de 100 partes del polímero acrílico. La mezcla se agitó
uniformemente para preparar una solución adhesiva sensible a la
presión del tipo de curado por radiación ultravioleta.
La solución adhesiva sensible a la presión así
preparada se procesó después de la misma manera que en el ejemplo 1
para preparar una lámina adhesiva sensible a la presión del tipo de
curado por radiación ultravioleta. La lámina adhesiva sensible a la
presión así preparada mostró una fuerza adhesiva de
separación según ángulo de 180º de 538 g/10 mm de anchura
antes del curado por la radiación ultravioleta y 12 g/10 mm de
anchura después del curado por radiación ultravioleta, ambas con
especto a la plaquita de silicio. Utilizando esta lámina adhesiva
sensible a la presión del tipo de curado por radiación ultravioleta,
el material resistente y la película protectora de la pared lateral
fueron separados de la misma forma que en el Ejemplo 1. Como
resultado, el material resistente y la película protectora de la
pared lateral se retiraron conjuntamente con la lámina adhesiva
sensible a la presión. La superficie y la sección de la plaquita de
silicio fueron observadas bajo el microscopio fluorescente y por SEM
(observación al microscopio con barrido electrónico),
respectivamente. De este modo se confirmó que la película protectora
de la pared lateral se había retirado completamente con el material
resistente.
En estos ejemplos, la fuerza adhesiva de
separación según ángulo de 180º, se midió de la forma siguiente.
Se aplicó a la plaquita de silicio la lámina
adhesiva sensible a la presión en forma de una tira de 100 mm de
longitud y 10 mm de anchura. La lámina adhesiva sensible a la
presión se calentó a continuación a una temperatura de 130º durante
30 segundos. Como es necesario, la lámina fue irradiada desde el
lado del substrato con radiaciones ultravioleta procedentes de una
lámpara de vapor de mercurio a alta presión a un régimen de 1
J/cm^{2} con lo que se curó el adhesivo sensible a la presión. La
lámina adhesiva sensible a la presión así tratada se midió con
respecto a la fuerza de separación según un ángulo de 180º a un
régimen de separación de 300 mm/min. La medición se efectuó a una
temperatura de 23ºC y con una humedad relativa del 65%.
Ejemplo comparativo
1
La plaquita de silicio con un patrón de cableado
metálico, un material resistente (patrón resistente) y una película
protectora de pared lateral formada sobre la misma según el
procedimiento del Ejemplo de Referencia 1 se sometió a reducción a
cenizas mediante plasma de oxígeno. La superficie y la sección de la
plaquita de silicio se observó bajo el microscopio fluorescente y
por SEM (observación al microscopio con barrido electrónico),
respectivamente. El resultado confirmó que el material resistente se
había retirado. Sin embargo, la película protectora de la pared
lateral permanecía en parte, lo que demostraba que es difícil
separar la película protectora de la pared lateral conjuntamente con
el material resistente.
Como se ha indicado anteriormente, la presente
invención proporciona un procedimiento que comprende la aplicación
de una lámina adhesiva sensible a la presión a un objeto después del
grabado en seco por el procedimiento de protección de la pared
lateral con un patrón resistente aplicado sobre el objeto a modo de
máscara, y la consiguiente separación de la lámina adhesiva sensible
a la presión, por el cual puede retirarse el material resistente
innecesario conjuntamente con la película protectora de la pared
lateral, lo que hace posible simplificar el proceso de preparación
de semiconductores.
Claims (4)
1. Procedimiento para la retirada conjunta de
material resistente y de una película protectora de pared lateral
que comprende la retirada del material resistente innecesario que
permanece después del grabado en seco por el procedimiento de
protección de la pared lateral con un patrón resistente presente
sobre el objeto a modo de máscara y la película protectora de la
pared lateral depositada sobre la pared lateral del patrón,
comprendiendo dicho procedimiento las etapas siguientes: aplicación
de una lámina adhesiva sensible a la presión sobre dicho objeto,
calentamiento bajo presión de la lámina adhesiva sensible a la
presión a una temperatura desde 20ºC hasta 150ºC de tal forma que la
lámina adhesiva sensible a la presión entre en contacto con la pared
lateral hasta su parte superior, y separación de dicho objeto de
dicha lámina adhesiva sensible a la presión, dicho material
resistente y dicha película protectora de pared lateral
conjuntamente.
2. Procedimiento para la retirada conjunta de
material resistente y de una película protectora de la pared lateral
según la reivindicación 1, en el que dicho objeto es una plaquita de
silicio, dicho adhesivo sensible a la presión es del tipo de curado
por radiaciones ultravioleta, dicho procedimiento comprende las
siguientes etapas: puesta de dicho adhesivo sensible a la presión en
contacto con dicha plaquita de silicio, irradiación de dicho
adhesivo sensible a la presión con radiaciones ultravioleta para
proceder al curado de dicho adhesivo sensible a la presión y a
continuación separación conjunta de dicha lámina adhesiva sensible a
la presión con dicho material resistente y dicha película de
protección lateral, presentando dicho adhesivo sensible a la presión
una fuerza adherente contra la separación de no menos de 150 g/10 mm
antes del curado por radiaciones ultravioleta y menos de 150 g/10 mm
después del curado por radiaciones ultravioleta con respecto a la
plaquita de silicio.
3. Procedimiento para la retirada conjunta de
material resistente y de una película protectora de la pared lateral
según la reivindicación 2, en el que dicho adhesivo sensible a la
presión comprende un polímero acrílico, un compuesto molecular bajo
no volátil de un peso molecular no superior a 10.000 y que contiene
uno o más dobles enlaces carbono-carbono
polimerizable por molécula, y un iniciador de
fotopolimerización.
4. Procedimiento para la retirada conjunta de
material resistente y de una película protectora de la pared lateral
según la reivindicación 3, en el que dicho adhesivo sensible a la
presión comprende un compuesto molecular bajo no volátil de un peso
molecular no superior a 10.000 y que contiene uno o más dobles
enlaces carbono-carbono polimerizable por molécula,
y un iniciador de fotopolimerización incorporado al mismo en una
proporción de 5 a 300 partes en peso y de 0,1 a 15 partes en peso,
respectivamente, sobre la base de 100 partes en peso de dicho
polímero acrílico.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2739997 | 1997-02-12 | ||
| JP9027399A JPH10223615A (ja) | 1997-02-12 | 1997-02-12 | レジスト材と側壁保護膜との一括除去方法 |
Publications (1)
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|---|---|
| ES2205440T3 true ES2205440T3 (es) | 2004-05-01 |
Family
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Family Applications (1)
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