DE69817351T2 - Einstufiges verfahren zur entfernung von einem photoresistmuster und einer seitenwand - Google Patents

Einstufiges verfahren zur entfernung von einem photoresistmuster und einer seitenwand Download PDF

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Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Entfernung des unnötigen Resistmaterials von einem Objekt wie einem Halbleiterwafer und des Seitenwandschutzfilms, der auf den Seitenwänden des Musters während des Trockenätzens in einer Stufe zur Bildung eines feinen Musters bei der Herstellung von Halbleitern, Schaltungen, verschiedenen Leiterplatten, verschiedenen Masken oder Zuleitungen aufgebracht worden ist.
  • Bei dem Verfahren zur Herstellung von Halbleitern wird ein Resistmuster beispielsweise auf einem Siliciumwafer gebildet. Mit diesem Resistmuster als Maske wird danach das Substrat beispielsweise dem Beschuss mit Dotierionen und dem Trockenätzen ausgesetzt. Anschließend wird unnötiges Resistmaterial normalerweise durch einen Veraschungsapparat (Karbonisierungsapparat) entfernt. Auf diese Weise werden Schaltungselemente oder Leitungen gebildet.
  • Dabei wird das Trockenätzen vorzugsweise durchgeführt, indem die Seitenwände geschützt werden, um eine Ätz-Anisotropie zu erreichen. Im Einzelnen enthält dieses Verfahren den Zusatz eines ein Polymer bildenden Gases (beispielsweise eines gasförmigen Halogenkohlenwasserstoffs wie CCl4 und CF4) zu einem ionisierten Ätzgas für das Ätzen eines Objekts wie eines Halbleitersubstrats mit einem Resistmuster als Maske, wodurch auf den Seitenwänden des Musters eine schützende Polymerschicht gebildet wird, um Radikale daran zu hindern, in die Seitenwand des Musters zu gelangen, und es möglich wird, ein anisotropes Ätzen ohne das Ätzen der Seiten (siehe 4) durchzuführen.
  • Ein solches Seitenwandschutzverfahren ist jedoch insoweit unvorteilhaft, indem die Entfernung von Resistmaterial durch einen Veraschungsapparat nach dem Ätzen nicht mit der Entfernung des die Seitenwände schützenden Films einhergehen kann, weshalb es erforderlich ist, den vorhergehenden Stufen eine getrennte Stufe der Reinigung von dem die Seitenwände schützenden Film hinzuzufügen. Somit ist das Seitenwandschutzverfahren für ein Produktionsverfahren unvorteilhaft.
  • In US-A-5 466 325 ist ein Verfahren zur Entfernung eines auf einem Artikel gebildeten Resistmusters offenbart. Das Verfahren umfasst die Stufen:
    • – Anhaftenlassen eines Klebebandes mit einer aushärtbaren druckempfindlichen Haftschicht, die eine nicht-flüchtige Verbindung enthält, auf der Oberseite eines auf dem Artikel gebildeten Resistmusters,
    • – Übergang und Diffundieren der nicht-flüchtigen Verbindung in das Resistmuster,
    • – Durchführen einer Aushärtungsbehandlung für das Haftmittel und
    • – Abziehen des Resistmusters zusammen mit dem Klebeband.
  • Deshalb liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, unnötiges Resistmaterial zusammen mit dem die Seitenwänden schützenden Film nach dem Trockenätzen durch ein die Seitenwände schützendes Verfahren zu entfernen, wodurch das Verfahren zur Herstellung von Halbleitern vereinfacht wird.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und dem die Seitenwände schützenden Film gelöst, das die Entfernung unnötigen Resistmaterials, das nach dem Trockenätzen durch einen die Seitenwände schützenden Vorgang mit einem Resistmuster, das als Maske auf einem Objekt vorhanden ist, zurückgeblieben ist, und des auf den Seitenwänden des Musters angebrachten, die Seitenwände schützenden Films umfasst und welches die Stufen Anbringen einer druckempfindlichen Haftfolie auf dem Objekt, Erwärmen der druckempfindlichen Haftfolie auf eine Temperatur von 20 bis 150°C unter Druck, sodass die druckempfindliche Haftfolie mit den Seitenwänden des Musters in Berührung kommt, und gemeinsames Abziehen von druckempfindlicher Haftfolie, Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film von diesem Objekt umfasst.
  • Dabei ist festgestellt worden, dass die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens, welches das Aufbringen einer druckempfindlichen Haftfolie auf ein Objekt, das einem Trockenätzen in dem die Seitenwände schützenden Verfahren unterworfen worden ist, und das anschließende Abziehen der druckempfindlichen Haftfolie von dem Objekt umfasst, es ermöglicht, Resistmaterial und die Seitenwände schützenden Film gemeinsam zu entfernen.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und dem die Seitenwände schützenden Film, das die Entfernung unnötigen Resistmaterials, das nach dem Trockenätzen durch einen die Seitenwände schützenden Vorgang mit einem Resistmuster, das als Maske auf einem Objekt vorhanden ist, zurückgeblieben ist, und des auf den Seitenwänden des Musters angebrachten, die Seitenwände schützenden Films umfasst und welches die Stufen Anbringen einer folien- oder bandförmigen druckempfindlichen Haftfolie auf dem Objekt, Erwärmen der druckempfindlichen Haftfolie unter Druck, sodass die druckempfindliche Haftfolie mit den Seitenwänden des Musters in Berührung kommt, und gemeinsames Abziehen von druckempfindlicher Haftfolie, Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film von diesem Objekt umfasst.
  • – 1 zeigt einen Querschnitt durch ein Beispiel einer erfindungsgemäß verwendeten druckempfindlichen Haftfolie,
  • – 2 zeigt einen Querschnitt durch das erfindungsgemäße Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film,
  • – 3 zeigt einen vergrößerten Querschnitt der Einzelheit III von 2 und
  • – 4 zeigt einen Querschnitt, der veranschaulicht, wie das Trockenätzen in dem die Seitenwänden schützenden Verfahren mit einem Resistmuster als Maske durchgeführt wird.
  • Anschließend werden unter Bezugnahme auf die 1 bis 4 erfindungsgemäße Ausführungsformen beschrieben.
  • In 1 ist der Aufbau einer erfindungsgemäß verwendeten druckempfindlichen Haftfolie gezeigt.
  • In 1 liegt eine druckempfindliche Haftfolie 1 in Form einer Folie oder eines Bandes vor, die/das ein Filmsubstrat 10 mit einer Dicke von normalerweise 10 bis 100 μm, das aus einem Kunststoff wie Polyethylen, Polypropylen und Polyethylenterephthalat hergestellt ist, und darauf eine druckempfindliche Haftschicht 11 mit einer Dicke von normalerweise 10 bis 200 μm umfasst. Diese druckempfindliche Haftschicht 2 kann entweder vom nicht aushärtenden Typ oder vom aushärtenden Typ, der durch aktinische Strahlung wie Wärme- und Ultraviolettstrahlung ausgehärtet wird, und vorzugsweise vom durch Ultraviolettstrahlung aushärtenden Typ sein.
  • Als durch Ultraviolettstrahlung aushärtendes druckempfindliches Haftmittel wird vorzugsweise eines verwendet, dass durch ein Verfahren erhalten wird, welches das Vermischen eines Acrylpolymers als druckempfindliches Haftpolymer mit einer nichtflüchtigen niedermolekularen Verbindung mit einem Molekulargewicht von normalerweise nicht höher als 10 000, die eine oder mehrere polymerisierbare Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen pro Molekül enthält (anschließend als "aushärtbare Verbindung" bezeichnet), und einem Photopolymerisationsinitiator und anschließend wahlweise mit einem Vernetzungsmittel wie einer polyfunktionellen Verbindung (beispielsweise Polyisocyanat, Polyepoxy, verschiedenen Metallsalzen und Chelatverbindung), einem Füllstoff wie teilchenförmigem Siliciumdioxid, einem Klebrigmacher, einem Farbmittel, einem Alterungsschutzmittel, einem Polymerisationsinhibitor oder anderen Additiven umfasst. Dabei beträgt die normale Untergrenze des Molekulargewichts einer solchen aushärtbaren Verbindung 100. Die Festigkeit des druckempfind lichen Haftmittels beträgt vorzugsweise mindestens 150 g/10 mm (normalerweise 200 bis 1 000 g/10 mm Breite) vor dem Aushärten durch Ultraviolettstrahlung und unter 150 g/10 mm (normalerweise 10 bis 100 g/10 mm Breite) nach dem Aushärten durch Ultraviolettstrahlung, berechnet als 180°-Abziehfestigkeit, bezogen auf den Siliciumwafer.
  • Der Anteil der anderen Komponenten, die, bezogen auf 100 Gew.-TI. des Acrylpolymers, zu vermischen sind, ist wie folgt.
    • – aushärtbare Verbindung: normalerweise 5 bis 300 Gew.-TI. und vorzugsweise 20 bis 200 Gew.-TI.,
    • – Photopolymerisationsinitiator: normalerweise 0,1 bis 15 Gew.-TI. und vorzugsweise 0,5 bis 10 Gew.-TI.,
    • – Vernetzungsmittel: normalerweise höchstens 20 Gew.-TI. und vorzugsweise höchstens 10 Gew.-TI, und
    • – Additive, außer der aushärtbaren Verbindung und dem Photopolymerisationsinitiator: normalerweise 0,1 bis 15 Gew.-TI. insgesamt.
  • Als Acrylpolymer wird vorzugsweise ein Polymer mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von normalerweise 300 000 bis 2 000 000 und aus einem Homopolymer eines (Meth)acrylsäurealkylesters oder einem Copolymer dieses Monomers mit Carboxylgruppen oder Hydroxylgruppen enthaltenden Monomeren, anderen Monomeren zur Modifizierung oder dergleichen hergestellt, verwendet. Beispiele für die aushärtbare Verbindung umfassen Trimethylolpropantri(meth)acrylat-, Tetramethylolmethantri(meth)acrylat-, Tetramethylolmethantetra(meth)acrylat- und Oligoester-(meth)acrylat-Oligomer und Urethan(meth)acrylat-basierendes Oligomer. Beispiele für den Photopolymerisationsinitiatorumfassen Benzoin, Benzoinethylether, Dibenzyl, Isopropylbenzoinether, Benzophenon, Michlers Keton, Chiorthioxanthon, Dodecyl thioxanthon, Dimethylthioxanthon, Acetophenondiethylketal, Benzyldimethylketal und α-Hydroxycyclohexylphenylketon.
  • In 2 ist ein Verfahren zum Abziehen von Resistmaterial und dem die Seitenwände schützenden Film von einem Objekt wie einem Halbleitersubstrat mit einer druckempfindlichen Haftfolie mit dem zuvor beschriebenen Aufbau veranschaulicht. Dabei kennzeichnet der Pfeil P die Richtung, in welcher die druckempfindliche Haftfolie vom Objekt abgezogen wird. 3 zeigt eine vergrößerte Ansicht der Einzelheit III von 2.
  • Wie beispielsweise in 4 gezeigt, wird das bisher beschriebene Resistmaterial auf der gesamten Oberfläche eines Halbleitersubstrats 2 aufgebracht, das eine leitende dünne Metallschicht 21 umfasst, die auf einem Siliciumwafer 20 aufgebracht und anschließend einem üblichen photographischen Verfahren unterworfen worden ist, um ein festgelegtes Resistmuster (Resistfilmbild) 3 darauf zu bilden. Der die Seitenwände schützende Film ist eine polymere Schutzschicht 4, die auf den Seitenwänden 22 des Musters während der Bildung einer gewünschten Leiterschaltung aufgebracht worden ist, an welcher das Trockenätzen durch ein die Seitenwände schützendes Verfahren auf der dünnen Metallschicht 21 mit dem Resistmuster 3 als Maske beteiligt ist.
  • Das Anbringen des die Seitenwände schützenden Films 4 ermöglicht es, während des Trockenätzens der dünnen Metallschicht 21 mit ionisiertem Ätzgas 5 Radikale am Eindringen in die Seitenwände 22 zu hindern und erlaubt somit das anisotrope Ätzen ohne Beteiligung der Seitenwände. Um einen solchen Schutzfilm 4 zu bilden, enthält das Ätzgas normalerweise ein ein Polymer bildendes Gas. Erforderlichenfalls kann ein solches ein Polymer bildendes Gas von dem zu ätzenden Material wie das Photoresist selbst ausgeschieden und erzeugt werden. Bei der Durchführung eines solchen die Seitenwände schützenden Verfahrens ist es normalerweise bevorzugt, dass ein Mikrowellen-Plasma-Ätzen angewendet wird, in welchem unabhängig voneinander Ionenenergie und Plasmabildung gesteuert werden können. Der Ätzvorgang kann entsprechend bekannten Verfahren durchgeführt werden.
  • Erfindungsgemäß wird, wie in den 2 und 3 gezeigt, eine druckempfindliche Haftfolie 1 auf ein Halbleitersubstrat 2 aufgebracht. Während dieses Vorgangs wird die druckempfindliche Haftfolie 1 unter Druck derart erwärmt, dass die druckempfindliche Haftschicht 11 plastifiziert wird, sodass sie mit den Seitenwänden 22 des Musters in vollständige Berührung kommt. Diese Bedingungen können geeigneterweise in Abhängigkeit von der Befestigung des Resistmusters 3 am Substrat oder der Art des verwendeten druckempfindlichen Haftmittels bestimmt werden. Im Allgemeinen ist es jedoch bevorzugt, dass die druckempfindliche Haftfolie auf eine Temperatur von 20 bis 150°C erhitzt wird, sodass das druckempfindliche Haftmittel nicht aushärtet oder über die Seitenwände hervorsteht, in einem Druckbereich, der vom Andrücken per Hand bis zum Walzendruck reicht.
  • Die druckempfindliche Haftfolie 1, die auf dem Substrat aufgebracht worden ist, wird, wenn sie vom unter Ultraviolettstrahlung aushärtenden Typ ist, mit Ultraviolettstrahlung bestrahlt, sodass sie aushärtet, und anschließend in der wie in 2 mit dem Pfeil P gekennzeichneten Richtung vom Substrat abgezogen. Auf diese Weise können das Resistmaterial (Resistmuster) auf dem Halbleitersubstrat 2 und der die Seitenwände schützende Film 4 auf den Seitenwänden 22 des Musters zusammen mit der druckempfindlichen Haftfolie 1 vom Substrat abgezogen werden. Somit können durch das Abziehen der druckempfindlichen Haftfolie 1 das Resistmaterial und der die Seitenwände schützende Film zusammen entfernt werden. Im Ergebnis kann die Notwendigkeit einer zusätzlichen herkömmlichen Reinigungsstufe entfallen, was es ermöglicht, das Verfahren drastisch zu vereinfachen.
  • Die Erfindung wird anschließend anhand der folgenden Beispiele näher erläutert. Dabei bedeutet der Begriff "Teile" "Gewichtsteile".
  • Referenzbeispiel 1
  • Auf einen Siliciumwafer mit einer auf seiner Oberfläche gebildeten leitenden, mehrschichtigen dünnen Metallschicht wurde ein positives Photoresist aufgebracht, das ein Kresolnovolakharz, einen Naphthochinondiazidsulfonsäureester einer Polyhydroxy verbindung und Ethyllactat umfasste. Das beschichtete Material wurde erhitzt, Licht ausgesetzt und anschließend entwickelt, um ein Resistmuster zu bilden. Danach wurde das beschichtete Material durch einen die Seitenwände schützenden Vorgang mit diesem Resistmuster als Maske, um ein gewünschtes Metallleitungsmuster zu bilden, trocken geätzt.
  • Beispiel 1
  • Ein Monomergemisch aus 80 TI. n-Butylacrylat, 15 TI. Ethylacrylat und 5 TI. Acrylsäure wurde mit 150 TI. Ethylacetat und 0,1 TI. Azobisisobutyronitril 12 Stunden lang bei einer Temperatur von 60°C in einem Stickstoffstrom lösungspolymerisiert, wobei eine Lösung A eines Acrylpolymers mit einem Gewichtsmittel des Molekulargewichts von 560 000 erhalten wurde.
  • Zur Lösung A wurde Polyethylenglykoldiacrylat, Dipentaerythrithexacrylat und Trimethylolpropantriacrylat als aushärtbare Verbindungen mit einem Anteil von 10 TI., 10 TI. bzw. 30 TI., bezogen auf 100 TI. des Acrylpolymers, Diphenylmethandiisocyanat als polyfunktionelle Verbindung mit einem Anteil von 3 Gew.-TI., bezogen auf 100 TI. des Acrylpolymers, und α-Hydroxycyclohexylphenylketon als Photopolymerisationsinitiator mit einem Anteil von 3 TI., bezogen auf 100 TI. des Acrylpolymers, zugegeben. Das Monomer wurde anschließend gleichmäßig gerührt, um eine Lösung eines unter Ultraviolettstrahlung aushärtenden druckempfindlichen Haftmittels herzustellen.
  • Die so erhaltene Lösung des unter Ultraviolettstrahlung aushärtenden druckempfindlichen Haftmittels wurde auf einen Polyesterfilm mit einer Dicke von 50 μm aufgebracht, um eine Trockendicke von 45 μm zu ergeben, und anschließend 3 Minuten lang bei einer Temperatur von 130°C getrocknet, um eine unter Ultraviolettstrahlung aushärtende druckempfindliche Haftfolie herzustellen. Die so erhaltene druckempfindliche Haftfolie hatte eine 180°-Abziehfestigkeit von 235 g/10 mm Breite vor dem Aushärten durch Ultraviolettstrahlung und 13 g/10 mm Breite nach Aushärten durch Ultraviolettstrahlung, jeweils bezogen auf einen Siliciumwafer.
  • Danach wurde mit einem Siliciumwafer mit einem metallischen Leitungsmuster, einem Resistmaterial (Resistmuster) und einem die Seitenwände schützenden Film, der darauf gemäß dem Verfahren des Referenzbeispiels 1 gebildet worden war, die unter Ultraviolettstrahlung aushärtende druckempfindliche Haftfolie über einer 130°C heißen Heizplatte kontaktverbunden. Das so erhaltene Laminat wurde mit Ultraviolettstrahlung von einer Hochdruckquecksilberdampflampe mit einer Dosis von 1 000 mJ/cm2 bestrahlt, sodass es aushärtete. Die so ausgehärtete druckempfindliche Haftfolie wurde danach vom Substrat abgezogen. Im Ergebnis waren Resistmaterial und die Seitenwände schützender Film zusammen mit der druckempfindlichen Haftfolie entfernt worden.
  • Nach diesem Abziehvorgang wurden die Oberfläche und der Querschnitt des Siliciumwafers unter einem Fluoreszenzmikroskop bzw. einem REM (Rasterelektronenmikroskop) betrachtet. Dabei wurde bestätigt, dass der die Seitenwände schützende Film vollständig zusammen mit dem Resistmaterial entfernt worden war. In Beispiel 1 wurde das Aufbringen der druckempfindlichen Haftfolie auch bei einer Temperatur von 90°C durchgeführt. In diesem Fall wurde der die Seitenwände schützende Film ebenfalls gut entfernt. Jedoch zeigte die Betrachtung des Waferquerschnitts unter REM, dass der die Seitenwände schützende Film nur teilweise entfernt worden war. Somit wurde festgestellt, dass die Temperatur, bei welcher die druckempfindliche Haftfolie aufzubringen ist, vorzugsweise mehr als 90°C zu betragen hat, um die vollständige Entfernung des die Seitenwände schützenden Films wie im Beispiel 1 zu ermöglichen.
  • Beispiel 2
  • Zu der in Beispiel 1 erhaltenen Lösung A des Acrylpolymers wurden ein Polyethylenglykolmethacrylat und Trimethylolpropantriacrylat als aushärtbare Verbindungen mit einem Anteil von 20 TI. bzw. 30 TI., bezogen auf 100 TI. des Acrylpolymers, Tolylendiisocyanat als polyfunktionelle Verbindung mit einem Anteil von 3 TI., bezogen auf 100 TI. des Acrylpolymers, und α-Hydroxycyclohexylphenylketon als Polymerisationsinitiator mit einem Anteil von 5 TI., bezogen auf 100 TI. des Acrylpolymers, zugege ben. Das Gemisch wurde anschließend gleichmäßig gerührt, um eine unter Ultraviolettstrahlung aushärtende druckempfindliche Haftmittellösung herzustellen.
  • Die so erhaltene druckempfindliche Haftmittellösung wurde danach auf dieselbe Weise wie im Beispiel 1 verarbeitet, um eine unter Ultraviolettstrahlung aushärtende druckempfindliche Haftfolie herzustellen. Die so erhaltene druckempfindliche Haftfolie besaß eine 180°-Abziehfestigkeit von 538 g/10 mm Breite vor dem Aushärten durch ultraviolette Strahlung und 12 g/10 mm Breite nach Aushärten durch ultraviolette Strahlung, jeweils bezogen auf den Siliciumwafer. Unter Verwendung dieser unter Ultraviolettstrahlung aushärtenden druckempfindlichen Haftfolie wurden das Resistmaterial und der die Seitenwände schützende Film auf dieselbe Weise wie im Beispiel 1 abgezogen. Im Ergebnis wurden das Resistmaterial und der die Seitenwände schützende Film gemeinsam mit der druckempfindlichen Haftfolie entfernt. Oberfläche und Querschnitt des Siliciumwafers wurden unter einem Fluoreszenzmikroskop bzw. einem REM (Rasterelektronenmikroskop) betrachtet. Im Ergebnis wurde bestätigt, dass der die Seitenwände schützende Film zusammen mit dem Resistmaterial vollständig entfernt worden war.
  • In diesen Beispielen wurde die 180°-Abziehfestigkeit wie folgt gemessen.
  • Die druckempfindliche Haftfolie in Form eines Streifens mit einer Länge von 100 mm und einer Breite von 10 mm wurde auf dem Siliciumwafer angebracht. Anschließend wurde die druckempfindliche Haftfolie 30 Sekunden lang auf eine Temperatur von 130°C erhitzt. Erforderlichenfalls wurde danach das Laminat von der Substratseite mit Ultraviolettstrahlung von einer Hochdruckquecksilberdampflampe mit einer Dosis von 1 J/cm2 bestrahlt, sodass das druckempfindliche Haftmittel aushärtete. Die Abziehfestigkeit der so behandelten druckempfindlichen Haftfolie wurde mit einem Abziehwinkel von 180° und einer Abziehgeschwindigkeit von 300 mm/min gemessen. Diese Messung wurde bei einer Temperatur von 23°C und einer relativen Luftfeuchte von 65% durchgeführt.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Der Siliciumwafer mit einem metallischen Leitungsmuster, einem Resistmaterial (Resistmuster) und einem die Seitenwände schützenden Film, die darauf gemäß dem Verfahren des Referenzbeispiels 1 gebildet worden waren, wurde durch ein Sauerstoffplasma verascht. Die Oberfläche und ein Querschnitt des Siliciumwafers wurden unter einem Fluoreszenzmikroskop bzw. REM (Rasterelektronenmikroskop) betrachtet. Im Ergebnis wurde bestätigt, dass das Resistmaterial entfernt worden war. Jedoch blieb ein Teil des die Seitenwände schützenden Films zurück, was zeigte, dass der Schutzfilm kaum zusammen mit dem Resistmaterial entfernt werden kann.
  • Industrielle Anwendbarkeit
  • Wie zuvor beschrieben wird erfindungsgemäß ein Verfahren bereitgestellt, welches das Anbringen einer druckempfindlichen Haftfolie auf einem Objekt nach Trockenätzen durch ein die Seitenwände schützendes Verfahren mit einem Resistmuster als Maske auf dem Objekt und anschließend das Abziehen der druckempfindlichen Haftfolie umfasst, wodurch unnötiges Resistmaterial zusammen mit dem die Seitenwände schützenden Film entfernt werden kann, was es ermöglicht, das Verfahren zur Herstellung von Halbleitern zu vereinfachen.

Claims (4)

  1. Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film, das die Entfernung unnötigen Resistmaterials, das nach dem Trockenätzen durch einen die Seitenwände schützenden Vorgang mit einem Resistmuster, das als Maske auf einem Objekt vorhanden ist, zurückgeblieben ist, und des auf den Seitenwänden des Musters angebrachten, die Seitenwände schützenden Films umfasst und welches die Stufen Anbringen einer druckempfindlichen Haftfolie auf dem Objekt, Erwärmen der druckempfindlichen Haftfolie auf eine Temperatur von 20 bis 150°C unter Druck, so dass das druckempfindliche Haftmittel mit den Seitenwänden des Musters in Berührung kommt, und gemeinsames Abziehen von druckempfindlicher Haftfolie, Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film von diesem Objekt umfasst.
  2. Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film nach Anspruch 1, wobei das Objekt ein Siliciumwafer ist und das druckempfindliche Haftmittel unter ultravioletter Strahlung aushärtet und das Verfahren die Stufen In-Berührung-Bringen des druckempfindlichen Haftmittels mit dem Siliciumwafer, Bestrahlen dieses druckempfindlichen Haftmittels mit ultravioletter Strahlung, um das druckempfindliche Haftmittel auszuhärten, und gemeinsames Abziehen von druckempfindlicher Haftfolie mit dem Resistmaterial und dem Seitenwände schützenden Film umfasst, wobei das druckempfindliche Haftmittel eine Abziehfestigkeit in Bezug auf den Siliciumwafer von mindestens 150 g/10 mm vor dem Aushärten durch Ultraviolettstrahlung und von unter 150 g/10 mm nach dem Aushärten durch Ultraviolettstrahlung besitzt.
  3. Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film nach Anspruch 2, wobei das druckempfindliche Haftmittel ein Acrylpolymer, eine nicht-flüchtige niedermolekulare Verbindung mit einem Molekulargewicht von nicht höher als 10 000, die eine oder mehrere polymerisierbare Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen pro Molekül enthält, und einen Photopolymerisationsinitiatorumfasst.
  4. Verfahren zur gemeinsamen Entfernung von Resistmaterial und die Seitenwände schützendem Film nach Anspruch 3, wobei das druckempfindliche Haftmittel eine nicht-flüchtige niedermolekulare Verbindung mit einem Molekulargewicht von nicht höher als 10 000, die eine oder mehrere polymerisierbare Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindungen pro Molekül enthält, und einen Photopolymerisationsinitiator umfasst, die mit einem Anteil von 5 bis 300 Gew.-Teilen bzw. 0,1 bis 15 Gew.-Teilen auf 100 Gew.-Teile des Acrylpolymers eingebaut sind.
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