TW202107556A - 保護構件形成方法及保護構件形成裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題]在正面具有凹凸之基板的該正面形成包含已硬化之液狀樹脂的保護構件時,抑制液狀樹脂的不均的產生。 [解決手段]一種保護構件形成方法,是在正面具備凹凸之基板的該正面形成保護構件,並具備以下步驟:樹脂薄膜密合步驟,以樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,且使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該基板;液狀樹脂供給步驟,將可硬化的液狀樹脂供給到已密合於該基板之該樹脂薄膜的上表面之與該基板重疊的區域;按壓步驟,隔著覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及硬化步驟,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的保護構件。

Description

保護構件形成方法及保護構件形成裝置
本發明是有關於一種在正面具有凹凸之基板的該正面形成保護構件之保護構件形成方法及保護構件形成裝置。
使用於行動電話或電腦等的電子機器之器件晶片,是藉由將排列並配設有複數個器件之基板從背面側磨削並薄化,且按每個器件來分割該基板而形成。基板之磨削是以磨削裝置來實施。在磨削裝置中,是在使背面側露出於上方的狀態下將基板以工作夾台保持,並使在圓環軌道上移動的磨削磨石接觸於該基板的背面側來磨削該基板。此時,為了保護基板的正面側,而在基板的正面事先貼附積層有基材層及糊層的保護構件。
在基板的正面側配設有構成器件或配線的圖案等。又,在基板的正面側,會有將成為器件的電極之凸塊事先形成的情況。因此,會因各種圖案或凸塊等而在基板的正面形成凹凸。在基板的正面之凹凸的高低差較大的情況下,凹凸未能被保護構件的糊層充分地吸收,而使保護構件的固定變得不安定。又,因為保護構件的基材層側之面並未變得平坦,而無法以磨削裝置的工作夾台均一地支撐基板,所以在磨削基板時基板的背面無法變得平坦。
此外,因為在基板的外周部之未形成有器件的外周剩餘區域中未形成圖案或凸塊,而變得比形成器件的器件形成區域更低,所以在基板的外周部會無法充分地貼附保護構件。因此,會變得容易在磨削基板時在基板的外周產生缺損。雖然為了可以充分地吸收基板的正面的凹凸,可考慮使用糊層較厚的保護構件,但在此情況下,在將保護構件從基板剝離時糊層的殘渣容易殘留在凹凸,而成為器件晶片的不良的原因。
因此,已開發有一種保護構件,前述保護構件是藉由以下作法而形成:在片材上供給液狀樹脂,並以基板的正面側朝向下方的狀態將基板載置於片材之上,從上方按壓基板來使該液狀樹脂滲透至基板的凹凸,且使該液狀樹脂硬化(參照專利文獻1)。在基板的正面形成該保護構件時,是事先在基板的正面配設薄膜。此時,是使薄膜以順應於基板的正面的凹凸的方式來先密合於基板的正面。再者,至少在密合於基板的器件形成區域的區域中,在薄膜上未形成有糊層,因而在基板的器件形成區域並未接觸糊層。
在此,若使用比基板的正面更寬廣的薄膜,會使從上方按壓基板而朝向基板的正面的外側擴展的液狀樹脂於到達基板的外側時,因為液狀樹脂受到薄膜阻止,所以液狀樹脂不會繞進基板的背面側。所形成的保護構件包含薄膜、已硬化之液狀樹脂與片材,且片材側之面會變得平坦。並且,在磨削基板後,當連同薄膜一起來將保護構件從基板的正面去除時,不會使液狀樹脂及糊層的殘渣殘留在基板的正面的凹凸。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本特開2017-50536號公報
發明欲解決之課題
但是,在將該保護構件形成於基板的正面時,在使基板朝向上表面供給有液狀樹脂的片材來下降的方法中,要沒有不均地使液狀樹脂遍布到基板的整個正面並不容易。這是因為在以基板的正面按壓液狀樹脂時,會因成為按壓面的該正面的凹凸而阻礙液狀樹脂的均一的擴展之故。若在已形成之保護構件的液狀樹脂產生有不均時,因為會變得無法在磨削裝置的工作夾台上適當地支撐基板所以會成為問題。
本發明是有鑒於所述的問題點而作成的發明,其目的在於提供一種保護構件形成方法及保護構件形成裝置,其可以在正面具有凹凸之基板的該正面形成包含已硬化之液狀樹脂的保護構件時,抑制液狀樹脂的不均的產生。 用以解決課題之手段
根據本發明的一個態樣,可提供一種保護構件形成方法,是在正面具備凹凸之基板的該正面形成保護構件,前述保護構件形成方法的特徵在於具備以下步驟: 樹脂薄膜密合步驟,以樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,且使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的凹凸的方式密合於該基板; 液狀樹脂供給步驟,將可硬化的液狀樹脂供給至已密合於該基板之該樹脂薄膜的上表面之與該基板重疊的區域; 按壓步驟,以覆蓋膜來覆蓋已供給到該樹脂薄膜的該上表面之該液狀樹脂,而隔著該覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及 硬化步驟,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的保護構件。
較佳的是,更具備外周剩餘部切斷步驟,前述外周剩餘部切斷步驟是在實施該硬化步驟後,沿著該基板的外周來切斷該保護構件。
又,根據本發明的其他的一態樣,可提供一種保護構件形成裝置,是在正面具備凹凸之基板的該正面形成保護構件,前述保護構件形成裝置的特徵在於具備: 樹脂薄膜密合單元,具有支撐該基板的基板支撐部、及排氣部,前述排氣部可以對藉由以樹脂薄膜覆蓋已被該基板支撐部所支撐的該基板而形成的空間進行排氣,藉由使該排氣部作動來對該空間進行排氣並減壓,使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該正面; 支撐工作台,以使該樹脂薄膜露出於上方的狀態支撐密合有該樹脂薄膜的該基板; 液狀樹脂供給單元,具備將可硬化的液狀樹脂吐出之噴嘴,並從該噴嘴將該液狀樹脂供給到密合於被該支撐工作台所支撐的該基板之該樹脂薄膜的上表面; 按壓單元,具有平坦的按壓面,以覆蓋膜來覆蓋以該液狀樹脂供給單元所供給的該液狀樹脂並且隔著該覆蓋膜以該按壓面按壓該液狀樹脂而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及 硬化單元,使已因該按壓單元而被擴散之狀態的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的保護構件。
較佳的是,更具備搬送單元,前述搬送單元是將密合有該樹脂薄膜的該基板維持該樹脂薄膜已在該基板的外側擴展的狀態從該基板支撐部搬送到該支撐工作台,該搬送單元具有:非接觸式吸引墊,一面朝向該基板的該正面噴射流體一面產生負壓;吸引墊,在該基板的該外側吸引保持該樹脂薄膜;基台部,固定有該非接觸式吸引墊與該吸引墊;及移動機構,使該基台部移動,該非接觸式吸引墊與該吸引墊可以互相獨立地作動。
又,較佳的是,更具備切斷單元,前述切斷單元具有:工作台,支撐已將該保護構件形成於該正面之該基板;切斷部,切斷該保護構件;及切斷部移動單元,使該切斷部沿著該基板的外周移動,可以藉由以該切斷部移動單元使該切斷部沿著被該工作台所支撐之已將該保護構件形成於該正面之該基板的該外周移動,而沿著該基板的該外周來切斷該保護構件。
根據本發明的另一個其他的一態樣,可提供一種保護構件形成方法,是使用該保護構件形成裝置並在該正面具備該凹凸之該基板的該正面形成該保護構件,前述保護構件形成方法的特徵在於:具備以下步驟: 樹脂薄膜密合步驟,將該基板以使該正面朝向上方的狀態來載置在該樹脂薄膜密合單元的該基板支撐部之上,並以該樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該基板; 第1搬送步驟,使用該搬送單元將密合有該樹脂薄膜的該基板從該樹脂薄膜密合單元的該基板支撐部搬送到該支撐工作台; 液狀樹脂供給步驟,在該支撐工作台上,對已密合於該基板之該樹脂薄膜的該上表面之與該基板重疊的區域供給可硬化的該液狀樹脂; 按壓步驟,以該覆蓋膜來覆蓋已供給至該樹脂薄膜的該上表面之該液狀樹脂,並隔著該覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及 硬化步驟,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的該保護構件, 又,在該第1搬送步驟中,是在該基板支撐部上,在與該基板不重疊的區域中以該吸引墊來吸引保持該樹脂薄膜,並且在與該基板重疊的區域中以該非接觸式吸引墊來吸引保持該樹脂薄膜,之後使該移動機構作動來將密合有該樹脂薄膜的該基板搬送到該支撐工作台上,並解除由該吸引墊所進行的該樹脂薄膜的吸引保持,且於之後解除由該非接觸式吸引墊所進行的該樹脂薄膜的吸引保持。
又,根據本發明的另一個其他的一態樣,可提供一種保護構件形成方法,是使用該保護構件形成裝置並在該正面具備該凹凸之該基板的該正面形成該保護構件,前述保護構件形成方法的特徵在於:具備以下步驟: 樹脂薄膜密合步驟,以該樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,且使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該基板; 液狀樹脂供給步驟,對已密合於該基板之該樹脂薄膜的該上表面之與該基板重疊的區域供給可硬化的該液狀樹脂; 按壓步驟,以該覆蓋膜來覆蓋已供給至該樹脂薄膜的該上表面之該液狀樹脂,並隔著該覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散; 硬化步驟,在該支撐工作台上,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的該保護構件; 第2搬送步驟,使用該搬送單元將已在該正面形成有該保護構件的該基板從該支撐工作台搬送到該切斷單元的該工作台;及 外周剩餘部切斷步驟,在該切斷單元中沿著該基板的外周來切斷該保護構件, 又,在該第2搬送步驟中,是在該支撐工作台上,在與該基板不重疊的區域中以該吸引墊來吸引保持該樹脂薄膜,並且在與該基板重疊的區域中以該非接觸式吸引墊來吸引保持該覆蓋膜,之後使該移動機構作動來將該正面形成有該保護構件的該基板搬送到該切斷單元的該工作台上,並解除由該吸引墊所進行的該樹脂薄膜的吸引保持,且於之後解除由該非接觸式吸引墊所進行的該覆蓋膜的吸引保持。 發明效果
在本發明之一態樣的保護構件形成方法及保護構件形成裝置中,是以樹脂薄膜覆蓋正面具備凹凸之基板的該正面,且使該樹脂薄膜密合於該基板的該正面。接著,對樹脂薄膜之上供給可硬化的液狀樹脂,並隔著覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓液狀樹脂,而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散。此時,是將方向設定成例如讓按壓面變得平行於基板的背面。之後,藉由將液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含樹脂薄膜、已硬化之液狀樹脂與覆蓋膜的保護構件。
在本發明的一態樣中,在將液狀樹脂於樹脂薄膜上擴散時,是以平坦的按壓面來從上方按壓液狀樹脂。因此,和在具有凹凸之基板的正面按壓液狀樹脂的情況不同,不會有液狀樹脂的擴展受到凹凸所阻礙之情形,且可讓液狀樹脂沒有間隙地遍及各處,而可抑制在液狀樹脂產生的不均。在此情況下,因為可將基板的正面以保護構件適當地保護,且在以磨削裝置磨削基板的背面側時隔著保護構件來將基板適當地支撐在工作夾台,所以可以適當地磨削基板。
而且,在本發明的一態樣中,因為在按壓液狀樹脂時,並非從上方支撐基板並使其下降,而是使按壓面從上方下降,所以毋須在沒有來自下方的支撐的狀態下使基板升降。例如,在使基板下降來按壓液狀樹脂的情況下,會有以下疑慮:該基板從使基板升降的升降機構脫落而在該基板產生損傷。相對於此,在本發明的一態樣中,因為以預定的支撐工作台從下方支撐基板,所以不會有因脫落等而在基板產生損傷的情形,而可更安定地處理基板。
從而,根據本發明的一態樣,可提供一種保護構件形成方法及保護構件形成裝置,其可以在正面具有凹凸之基板的該正面形成包含已硬化之液狀樹脂的保護構件時,抑制液狀樹脂的不均的產生。
用以實施發明之形態
參照附加圖式,說明本發明的一個態樣的實施形態。在本實施形態之保護構件形成方法及保護構件形成裝置中,是在正面形成有複數個器件的半導體晶圓等之基板的正面形成保護構件。首先,說明在正面形成保護構件的基板。圖1是示意地顯示基板1的立體圖。
基板1是例如由Si(矽)、SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵)、GaAs(砷化鎵)、或者是其他的半導體等的材料所形成的晶圓。或者,基板1是由藍寶石、玻璃、石英等的材料所構成之大致圓板狀的基板等。該玻璃可為例如鹼玻璃、無鹼玻璃、鈉鈣玻璃、鉛玻璃、硼矽酸玻璃、石英玻璃等。
於圖1示意地顯示有基板1的立體圖,於圖3(A)示意地顯示有基板1的截面圖,於圖3(B)示意地顯示有基板1的放大截面圖。在基板1的正面1a設定有互相交叉的複數條分割預定線3。在以分割預定線3所區劃出的各區域中,形成有IC(積體電路,Integrated Circuit)、LSI(大型積體電路,Large Scale Integration)等的器件5。當從背面1b側將基板1磨削並薄化,而沿著分割預定線3分割基板1後,即可以形成一個個的器件晶片。
在基板1的正面1a設置有以金屬所形成的複數個被稱為凸塊7的凸部。凸塊7是各自電連接於器件5,且在已將基板1分割並形成器件晶片時,作為對器件5輸入輸出電氣訊號時的電極而發揮功能。凸塊7是以例如金、銀、銅、或鋁等之金屬材料所形成。但是,在基板1的正面1a亦可不一定設置有凸塊7。
基板1的正面1a之包圍形成有複數個器件5的區域之外周側的區域是稱為外周剩餘區域11。在基板1的正面1a的外周剩餘區域11中,未形成有器件5,也未形成有成為器件5之電極的凸塊7。被基板1的正面1a的外周剩餘區域11所包圍的區域是稱為器件形成區域9。基板1的正面1a的器件形成區域9並非是平坦的,且具有起因於構成器件5的各圖案或凸塊7的凹凸。另一方面,正面1a的外周剩餘區域11是平坦的。
再者,可形成保護構件的基板1並非限定於此。例如,亦可為將在平面上排列的複數個器件以密封樹脂密封而形成之封裝基板。當藉由磨削封裝基板的背面側的密封樹脂來薄化封裝基板,且將該封裝基板按照每個器件來分割後,即可以形成已被密封樹脂所密封之預定的厚度的一個個的器件晶片。因為可在封裝基板的正面形成成為一個個的器件之電極的凸塊,所以封裝基板的正面也不平坦且具備凹凸。
當以磨削裝置從背面1b側將基板1磨削並薄化後,可在分割基板1時得到已薄化至預定的厚度的器件晶片。從背面1b側磨削基板1時,會為了保護正面1a側而事先將保護構件貼附於正面1a側。以往,在基板1的正面1a的凹凸較小的情況下,是將積層有基材層與糊層之膠帶狀的保護構件貼附在基板1的正面1a。已貼附於基板1之保護構件的基材層側的露出面是平坦的,當將基板1搬入磨削裝置時,可適當地將基板1支撐在支撐工作台。
但是,若基板1的正面1a側的凹凸變得較大,會變得無法以保護構件的糊層來充分地吸收該凹凸,已貼附在基板1之保護構件的基材層側的露出面會變得不平坦。在此情況下,當將基板1搬入磨削裝置時,會變得未能適當地將基板1支撐在支撐工作台,且在從背面1b側磨削基板1時,基板1的背面1b會變得不平坦。於是,在本實施形態之保護構件形成方法及保護構件形成裝置中,是將液狀樹脂供給到基板1的正面1a上,且使該液狀樹脂硬化來形成保護構件。
以下,說明本實施形態之保護構件形成裝置。圖2是示意地顯示保護構件形成裝置2的頂視圖。保護構件形成裝置2具備支撐各構成要素的基台4。在基台4的端部設置有片匣載置台6a、6b,前述片匣載置台6a、6b是供可容置複數個基板1的片匣8a、8b載置。
形成保護構件前的基板1是例如容置在可載置於片匣載置台6a的片匣8a來搬入保護構件形成裝置2。並且,在保護構件形成裝置2中,是將已在正面1a形成有保護構件之基板1容置在例如已載置於片匣載置台6b的片匣8b。
於基台4上之相鄰於片匣載置台6a的位置設有基板搬送機器人10a,且在相鄰於片匣載置台6b的位置設有基板搬送機器人10b。基板搬送機器人10a、10b是例如以連續的且可在相互之端部旋轉的方式連接有複數個臂部的多關節型的機器人,並且在最前端側的臂部的前端設置有可以保持基板1的基板保持部10c、10d。當使各臂部互相旋轉時,即可以移動基板保持部10c、10d。
基板搬送機器人10a、10b之基板保持部10c、10d可插入已載置於片匣載置台6a、6b之片匣8a、8b的內部,而將基板1對片匣8a、8b搬出搬入。在此,基板搬送機器人10a、10b具備有豎立設置於基台4且支撐該臂部的軸部、及使該軸部升降的升降機構。該升降機構是使基板保持部10c、10d升降成與包含於片匣8a、8b之積層的複數個片匣容置區域當中成為基板1的搬出搬入之對象的片匣容置區域之高度相對齊。
基板搬送機器人10a具有以下功能:將容置於已載置於片匣載置台6a之片匣8a的基板1搬送至接著說明的樹脂薄膜密合單元12。圖3(A)是示意地顯示樹脂薄膜密合單元12之一例的截面圖。樹脂薄膜密合單元12是例如在內部具有可以容置基板1的空間之腔室狀的單元,且具有使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a的功能。在此,樹脂薄膜13是例如聚烯烴系片材、聚乙烯系片材等,可為單層亦可積層形成,且是設為20μm以上且80μm以下的厚度。
樹脂薄膜密合單元12具有:朝上方開口之凹狀的下部本體12a、與配設在下部本體12a的上方且朝下方開口之凹狀的上部本體12b。上部本體12b為可升降。下部本體12a的該開口與上部本體12b的該開口為相同形狀,當以相互之開口重疊的方式來使上部本體12b朝下部本體12a下降時,可以在上部本體12b及下部本體12a的內部形成和外部隔離之空間。再者,各自的該開口是比基板1更大,而可以在該空間內容置基板1。
在下部本體12a設置有支撐基板1之工作台狀的基板支撐部14。基板支撐部14的上表面是支撐基板1之平坦的支撐面14a。基板支撐部14的高度是調整成:在將基板1載置於支撐面14a時,使基板1的正面1a與下部本體12a的開口之高度成為大致相同。或者,基板支撐部14的高度可調整成:下部本體12a的開口比基板1的正面1a更高。在這些情況下,如後述地將樹脂薄膜13載置於下部本體12a之上並使其密合於基板1時,不會有樹脂薄膜13不必要地變大而密合於基板1的側面之情形。
於下部本體12a的底壁或側壁連接有排氣部16。排氣部16具備將一端連接於下部本體12a且將另一端連接於吸引源16b之排氣路16a。又,於上部本體12b的頂板或側壁連接有排氣部18。排氣部18具備將一端連接於上部本體12b且將另一端連接於吸引源18b的排氣路18a。
在使用樹脂薄膜密合單元12使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a時,是將基板1搬入基板支撐部14之上而使基板1支撐於基板支撐部14後,以樹脂薄膜13覆蓋基板1的正面1a。在保護構件形成裝置2的基台4之相鄰於樹脂薄膜密合單元12的位置,設置有準備了複數個樹脂薄膜13的樹脂薄膜供給部22。覆蓋基板1的樹脂薄膜13是從樹脂薄膜供給部22被後述之搬送單元24a所搬送。
為了在將樹脂薄膜13搬送至基板1之上時,可以形成被下部本體12a與樹脂薄膜13所封閉之空間20a,而在樹脂薄膜供給部22準備比下部本體12a的開口更大的樹脂薄膜13。並且,在將樹脂薄膜13搬送至基板1之上後,使上部本體12b下降而使上部本體12b接觸於樹脂薄膜13的上表面。如此一來,便會形成被上部本體12b與樹脂薄膜13所封閉之空間20b。
像這樣,當使樹脂薄膜13密合於基板1時,會成為腔室狀之樹脂薄膜密合單元12的內部被樹脂薄膜13區分成上側的空間20b與下側的空間20a之狀態。並且,當使排氣部16的吸引源16b作動並且使排氣部18的吸引源18b作動時,即可以對空間20a及空間20b進行排氣並減壓。之後,僅停止對空間20b進行減壓的吸引源18b後,對空間20b進行大氣開放。
其結果,會隔著樹脂薄膜13而瞬間在空間20a及空間20b產生較大的壓力差。然後,藉由此壓力差,樹脂薄膜13會以順應於基板1的正面1a的凹凸的方式密合於該正面1a。圖3(B)是將於正面1a密合有樹脂薄膜13的基板1放大而示意地顯示的截面圖。當如以上地使用樹脂薄膜密合單元12後,即可以將樹脂薄膜13密合於基板1的正面。使樹脂薄膜13密合於基板1後,使排氣部16停止,並使上部本體12b上升。
再者,於上部本體12b的頂板或側壁連接有可以供給經加熱的氣體之未圖示的加熱部。該加熱部具有對上部本體12b的空間20b供給經加熱的氣體的功能。該氣體可為例如空氣、氮氣等。例如,在將藉由加熱來提升柔軟性的材料使用於樹脂薄膜13的情況下,若對空間20b供給經加熱的氣體時,可藉由該氣體使樹脂薄膜13的溫度上升,而軟化樹脂薄膜13。
若使樹脂薄膜13軟化,樹脂薄膜13會變得容易順應於基板1的正面1a的形狀而變形,而變得容易使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a。例如,亦可在對空間20a及空間20b進行減壓之前,藉由該加熱部對空間20b供給經加熱的氣體,來將樹脂薄膜13事先加熱而使其軟化。或者,亦可在對空間20a及空間20b進行減壓,並對空間20b進行大氣開放後,使該加熱部作動來加熱樹脂薄膜13而促進樹脂薄膜13的變形。
保護構件形成裝置2在基台4上之相鄰於樹脂薄膜密合單元12的位置具備支撐工作台54。密合有樹脂薄膜13的基板1是藉由搬送單元24a從樹脂薄膜密合單元12搬送至支撐工作台54。
在圖2所例示的裝置構成中,是將樹脂薄膜供給部22、樹脂薄膜密合單元12、與支撐工作台54排列成直線狀來配置。搬送單元24a具有從樹脂薄膜供給部22將樹脂薄膜13搬送至樹脂薄膜密合單元12的功能。此外,具有將密合有樹脂薄膜13的基板1,維持已在該基板1的外側讓樹脂薄膜13擴展的狀態從基板支撐部14搬送至支撐工作台54的功能。
於圖2示意地顯示有搬送單元24a的頂視圖。又,於圖4(A)、圖4(B)、及圖5(A)示意地顯示有搬送單元24a的側面圖。搬送單元24a具備沿著排列樹脂薄膜密合單元12與支撐工作台54的方向的導軌26a、及可滑動地裝設在導軌26a的臂部28a。搬送單元24a具備使臂部28a沿著導軌26a移動的移動機構(未圖示)。
該移動機構包含例如沿著導軌26a的滾珠螺桿(未圖示)、及使該滾珠螺桿旋轉的脈衝馬達(未圖示)。在臂部28a的基端側設有螺合於該滾珠螺桿的螺帽部(未圖示),當以該脈衝馬達使該滾珠螺桿旋轉時,臂部28a即沿著導軌26a移動。在臂部28a的前端側固定有基台部30a,該移動機構是使基台部30a與臂部28a一起移動。
於基台部30a的中央下表面,透過複數個柱狀的支撐部46a而固定有板狀的非接觸式吸引墊支撐部40a。在圖4(A)等中顯示有非接觸式吸引墊支撐部40a的截面圖。於非接觸式吸引墊支撐部40a形成有貫通孔44a。在非接觸式吸引墊支撐部40a的下表面,設置有複數個非接觸式吸引墊42a。複數個非接觸式吸引墊42a是透過非接觸式吸引墊支撐部40a及支撐部46a而固定在基台部30a。
複數個非接觸式吸引墊42a是以可以各自在與基板1重疊的區域中面對已密合於基板1的正面1a的樹脂薄膜13的方式配置在非接觸式吸引墊支撐部40a的下表面。又,於基台部30a的外周部下表面固定有複數個吸引墊32a。複數個吸引墊32a是以可以各自在基板1的外側面對樹脂薄膜13的方式配置於基台部30a的下表面。
在此,將複數個吸引墊32a的下表面的高度統一,且將複數個非接觸式吸引墊42a的下表面的高度統一。並且,吸引墊32a的下表面的高度是設成比複數個非接觸式吸引墊42a的下表面的高度稍微低的位置。吸引墊32a及非接觸式吸引墊42a的下表面是成為可以吸引保持已密合於基板1的樹脂薄膜13之吸引面。
搬送單元24a具備吸引路38a,前述吸引路38a是一端到達各自的吸引墊32a的下表面,且將另一端連接於吸引源34a。並且,於吸引路38a設置有切換部36a。切換部36a具有切換吸引路38a的遮斷狀態與通氣狀態的功能。當將切換部36a設為通氣狀態時,會藉由吸引源34a的作用而在吸引墊32a的下表面產生負壓。
又,搬送單元24a具備供氣路52a,前述供氣路52a是一端到達各自的非接觸式吸引墊42a的下表面,且將另一端連接於供氣源48a。並且,於供氣路52a設置有切換部50a。切換部50a具有切換供氣路52a的遮斷狀態與通氣狀態的功能。當將切換部50a設為通氣狀態時,可藉由供氣源48a的作用而從非接觸式吸引墊42a的下表面噴出氣體。
在此,在非接觸式吸引墊42a的下表面設置有未圖示的複數個噴出口,並且經過供氣路52a而供給至非接觸式吸引墊42a之氣體是從該噴出口噴出。並且,該噴出口並未朝向正下方向,而是朝向從正下方向朝各自的非接觸式吸引墊42a的外側傾斜的方向,且將氣體從噴出口朝向該方向噴出。
在非接觸式吸引墊42a的下方稍微空出間隙來將吸引的對象物定位,並將切換部50a設為通氣狀態而從各噴出口噴出氣體時,噴出之氣體會朝向非接觸式吸引墊42a的外側前進。並且,通過非接觸式吸引墊支撐部40a的貫通孔44a而讓一部分的該氣體朝上方穿過。
因為從非接觸式吸引墊支撐部40a的噴出口所噴出的氣體是一邊將周圍的空氣捲入一邊前進,所以在非接觸式吸引墊42a的中央下部會產生負壓。該吸引之對象物雖然可藉由該負壓而被非接觸式吸引墊42a吸引保持,但此時,非接觸式吸引墊42a與該吸引之對象物並未接觸。
例如,在取代非接觸式吸引墊42a而使用接觸式的吸引墊的情況下,會導致吸引墊與樹脂薄膜13相接觸。在此情況下,會有在樹脂薄膜13的上表面形成該吸引墊的接觸痕跡之疑慮、或附著在吸引墊的下表面之成為污染源的微粒子等轉移到樹脂薄膜13之疑慮,且有時會成為保護構件的適當的形成之妨礙。又,因為密合於基板1的正面1a的樹脂薄膜13的上表面具有凹凸形狀,所以即使讓接觸式的吸引墊接觸於樹脂薄膜13,在該吸引墊與樹脂薄膜13之間仍然會產生起因於該凹凸形狀的間隙並使負壓洩漏。因此,並無法以接觸式的吸引墊來適當地吸引保持樹脂薄膜13。
相對於此,在以非接觸式吸引墊42a吸引保持已密合於基板1的樹脂薄膜13的情況下,不會產生那樣的問題。另一方面,因為在基板1的外側不需要高精度地形成保護構件,所以吸引保持樹脂薄膜13的外周部的吸引墊32a可為非接觸式亦可為接觸式。
在搬送單元24a中,於將密合有樹脂薄膜13的基板1從基板支撐部14搬送到支撐工作台54時,是使樹脂薄膜密合單元12的上部本體12b上升,並使基台部30a移動到基板支撐部14的上方。在此,搬送單元24a具備使基台部30a升降之未圖示的升降機構。接著,使該升降機構作動而使基台部30a朝向被基板支撐部14所支撐之基板1下降。
並且,將基台部30a定位在吸引墊32a的下表面接觸於樹脂薄膜13的高度,且非接觸式吸引墊42a可以吸引樹脂薄膜13的高度上。之後,使切換部36a、50a作動,以吸引墊32a對樹脂薄膜13的外周部進行吸引吸附,並且以非接觸式吸引墊42a隔著樹脂薄膜13來吸引吸附基板1。然後,使該升降機構作動並以搬送單元24a舉起基板1。
之後,使搬送單元24a的移動機構作動而使基台部30a移動到支撐工作台54的上方。圖4(A)是示意地顯示以搬送單元24a搬送基板1之情形的截面圖。使基台部30a移動到支撐工作台54的上方後,使升降機構作動而將基板1載置於支撐工作台54上。之後,首先僅使切換部36a作動來設成遮斷狀態,而解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附。
圖4(B)是示意地顯示已解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附之狀態下的搬送單元24a與基板1的截面圖。當解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附後,樹脂薄膜13即垂下到支撐工作台54的上表面。此時,從非接觸式吸引墊42a仍持續噴出有氣體,且該氣體於樹脂薄膜13的上表面朝向支撐工作台54的外側前進。
因此,在解除由吸引墊32a所進行的樹脂薄膜13的吸引吸附時,會在樹脂薄膜13上施加藉由該氣體的流動而朝向外側方向之力。例如,在樹脂薄膜13未密合於基板1的部分產生有捲曲、或產生有皺褶的情況下,可藉由該氣體的流動來將樹脂薄膜13伸展,而將捲曲或皺褶去除。之後,當解除由非接觸式吸引墊42a所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附時,會以樹脂薄膜13已擴展的狀態將基板1放置在支撐工作台54之上。
考慮例如以下情形:為了迅速地完成樹脂薄膜13的搬送,而將由全部的襯墊所進行的吸引吸附同時解除。但是,在這種情況下在解除樹脂薄膜13的吸引之時在該樹脂薄膜13仍會產生捲曲或皺褶,且因為該氣體的流動也已停止,所以無法將捲曲等去除。若在已產生樹脂薄膜13的捲曲或皺褶的狀態下將基板1放置在支撐工作台54之上,會有以下疑慮:無法正常地實施將在以後實施的步驟,而無法在基板1的正面1a適當地形成保護構件。
相對於此,在本實施形態之保護構件形成裝置2的搬送單元24a中,可以各自獨立地作動吸引墊32a與非接觸式吸引墊42a。因此,可以設置時間差來依序解除各自之樹脂薄膜13的吸引吸附。從而,可以在將基板1搬送到支撐工作台54之時抑制樹脂薄膜13的捲曲或皺褶的發生,而可以抑制起因於樹脂薄膜13的捲曲或皺褶之保護構件的形成不良。
圖5(A)是示意地顯示已將由搬送單元24a所進行之基板1的吸引保持解除且藉由升降機構使基台部30a上升之狀態的截面圖。在支撐工作台54中,是隔著樹脂薄膜13將液狀樹脂供給至基板1的正面1a側,且將液狀樹脂從上方按壓而在樹脂薄膜13上擴散,並將液狀樹脂硬化。
在保護構件形成裝置2的基台4之相鄰於支撐工作台54的位置設置有液狀樹脂供給單元56。液狀樹脂供給單元56是具備沿鉛直方向伸長的軸部56a、從軸部56a的上端朝水平方向伸長的臂部56b、與從臂部56b的前端朝向下方的噴嘴56c之管狀的單元。
軸部56a是以可繞著鉛直方向的方式旋轉,當使軸部56a旋轉時噴嘴56c會在以臂部56b為半徑之圓弧狀的軌道上移動。臂部56b的長度是設為可藉由使軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位在支撐工作台54的中央上方的長度。
液狀樹脂供給單元56具有通過軸部56a、臂部56b與噴嘴56c來將可硬化的液狀樹脂供給到已載置於支撐工作台54的基板1之上的功能。可硬化之液狀樹脂可為例如可以藉由照射紫外線而硬化之紫外線硬化樹脂、或可以進行加熱而硬化之熱硬化性樹脂等。於圖5(B)示意地顯示有已供給到已密合於基板1的樹脂薄膜13之上的液狀樹脂的截面圖。
在將可硬化的液狀樹脂15供給到樹脂薄膜13的上表面時,是藉由使軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位到支撐工作台54的中央上方。並且,在將液狀樹脂15供給到基板1的正面1a後,藉由再次使軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位到和支撐工作台54不重疊的位置。
在支撐工作台54的上方配設有按壓單元58。於圖2示意地顯示有按壓單元58的頂視圖,於圖6及圖7(A)示意地顯示有按壓單元58的側面圖。按壓單元58具備沿著鉛直方向的一對支撐柱60、可滑動地配設在各自的支撐柱60的連接部62a、從各自的連接部62a朝水平方向伸長的一對支撐部62b、及被一對支撐部62b所支撐的按壓部64。
連接部62a是藉由未圖示的升降機構而可沿著支撐柱60升降。藉由該升降機構,即可以升降按壓部64。按壓部64在下表面具有平坦的按壓面68。按壓面68是以高精度的方式來將方向設定成相對於支撐工作台54的上表面成為平行。並且,按壓部64在內部具備接近於按壓面68的硬化單元66。
例如,在液狀樹脂15為紫外線硬化樹脂的情況下,可準備將複數個紫外線LED排列並配置成環狀之紫外線照射單元來作為硬化單元66,並在構成按壓面68的按壓部64的下端使用可讓紫外線穿透的構件。又,例如,在液狀樹脂15為熱硬化性樹脂的情況下,可準備加熱器等的加熱單元來作為硬化單元66。以下,以液狀樹脂15為以紫外線硬化樹脂來形成,且硬化單元66為紫外線照射單元的情況為例來說明。
按壓部64可以在按壓面68保持覆蓋膜17。按壓單元58是在以按壓面68保持有覆蓋膜17的狀態下使按壓部64下降,並隔著覆蓋膜17以按壓面68從上方按壓液狀樹脂15。之後,在已以硬化單元66將液狀樹脂15硬化時,可將樹脂薄膜13、已硬化之液狀樹脂15及覆蓋膜17一體化來成為保護構件。也就是說,覆蓋膜17是構成保護構件的構件。
如圖2所示,在相鄰於支撐工作台54的位置配設有覆蓋膜供給部70,前述覆蓋膜供給部70是供給可被按壓部64的按壓面68保持的覆蓋膜17。例如,在覆蓋膜供給部70,可將複數個覆蓋膜17捲繞成捲狀來準備,且因應於需要而一片一片地拉出至支撐工作台54上。並且,使按壓部64下降而使按壓面68接觸於覆蓋膜17的上表面,並以按壓面68保持覆蓋膜17。
在此,按壓部64具備用於以按壓面68保持覆蓋膜17之未圖示的保持機構。例如,可在按壓面68設置連接到吸引源的複數個吸引孔,並藉由從吸引孔對覆蓋膜17進行吸引,而以按壓面68來保持覆蓋膜17。或者,按壓部64亦可在按壓面68的附近具有靜電夾頭機構,且亦可使該靜電夾頭機構作動而藉由靜電力以按壓面68來保持覆蓋膜17。
或者,按壓部64亦可不具備有保持機構。在此情況下,亦可例如在覆蓋膜17的上表面設置有糊層,且亦可用糊層來將覆蓋膜17接著於按壓面68。或者,亦可在覆蓋膜17的上表面或按壓面68塗布接著劑,而以接著劑來將覆蓋膜17保持在按壓面68。
在支撐工作台54上,在以液狀樹脂供給單元56將液狀樹脂15供給到樹脂薄膜13之上後,以按壓面68保持覆蓋膜17的按壓單元58會下降,而隔著覆蓋膜17以按壓面68來按壓液狀樹脂15。在圖7(A)示意地顯示有在以按壓面68按壓液狀樹脂15時之基板1、樹脂薄膜13、液狀樹脂15及覆蓋膜17的截面圖。當以按壓面68按壓液狀樹脂15時,液狀樹脂15即朝向基板1的外周而被擴散。
換言之,按壓單元58具有以下功能:以覆蓋膜17來覆蓋在以液狀樹脂供給單元56所供給的液狀樹脂15之上,並且以按壓面68隔著該覆蓋膜17來按壓該液狀樹脂15,而將該液狀樹脂15在樹脂薄膜13上擴散。
硬化單元66是在已將液狀樹脂15朝向基板1的外周擴散,且基板1的正面1a的整個區域被樹脂薄膜13、液狀樹脂15與覆蓋膜17所覆蓋之後,使液狀樹脂15硬化。例如,硬化單元66是使紫外線穿透按壓面68與覆蓋膜17而照射於液狀樹脂15,並使液狀樹脂15硬化。
之後,當使硬化單元66停止,且使按壓部64上升後,覆蓋膜17會留在已硬化之液狀樹脂15之上。亦即,已將樹脂薄膜13、已硬化之液狀樹脂15與覆蓋膜17一體化的保護構件19會形成在基板1的正面1a。在此,因為支撐工作台54的上表面及按壓面68為互相平行,所以基板1的背面1b及保護構件19的上表面會成為互相平行。圖7(B)是將形成在基板1之上的保護構件19放大而示意地顯示的截面圖,其中前述基板1在正面1a具備由凸塊7所形成之凹凸。
在本實施形態之保護構件形成裝置2中,是將液狀樹脂15隔著覆蓋膜17並以平坦的按壓面68從上方按壓。如以往所示,在基板1的正面1a等之具有凹凸的面上來從上方按壓液狀樹脂15的情況下,會有因該凹凸而阻礙液狀樹脂15之均一的擴展並在液狀樹脂15產生不均之情況。在此情況下,當以工作台隔著所形成之保護構件來支撐基板1並從背面1b側磨削基板1時,會有基板1的支撐變得不充分而無法適當地實施磨削的情況。
相對於此,在本實施形態之保護構件形成裝置2中,因為可以用平坦的按壓面68來按壓液狀樹脂15,所以可將液狀樹脂15在基板1的正面1a均一地擴展,而不會在液狀樹脂15產生起因於按壓面的凹凸之不均。因此,可在從背面1b側磨削基板1時,隔著保護構件19並藉由工作台來適當地支撐基板1,而可適當地實施基板1的磨削。
保護構件形成裝置2具備切斷單元74(參照圖9(A)及圖9(B)),前述切斷單元74是切除形成在基板1的正面1a之保護構件19的不需要部分。由切斷單元74所進行之保護構件19的切斷,可在設置於基台4之相鄰於支撐工作台54的位置的工作台72上實施。保護構件形成裝置2具備可以將形成有保護構件19的基板1從支撐工作台54搬送到工作台72的搬送單元24b。再者,因為搬送單元24b是和搬送單元24a同樣地被構成,所以將說明省略一部分。
於圖2示意地顯示有搬送單元24b的頂視圖,於圖8示意地顯示有搬送單元24b的側面圖。搬送單元24b具備沿著支撐工作台54與工作台72之排列的方向的導軌26b、及可滑動地裝設在導軌26b的臂部28b。搬送單元24b具備使臂部28b及基台部30b沿著導軌26b移動的移動機構(未圖示)。
於臂部28b的前端側固定有基台部30b,且於基台部30b的中央下表面隔著複數個柱狀的支撐部46b而固定有板狀的非接觸式吸引墊支撐部40b。在圖8中顯示有非接觸式吸引墊支撐部40b的截面圖。在非接觸式吸引墊支撐部40b形成有貫通孔44b,且在非接觸式吸引墊支撐部40b的下表面設有複數個非接觸式吸引墊42b。又,於基台部30b的外周部下表面固定有複數個吸引墊32b。
在此,是將複數個吸引墊32b的下表面的高度、與複數個非接觸式吸引墊42b的下表面的高度各自統一。並且,吸引墊32b的下表面的高度是設成比複數個非接觸式吸引墊42b的下表面的高度更低的位置。
吸引墊32b及非接觸式吸引墊42b的下表面會成為吸引面。搬送單元24b具備吸引路38b,前述吸引路38b是一端到達各自的吸引墊32b的下表面,且將另一端連接於吸引源34b。並且,於吸引路38b設置有切換部36b。又,搬送單元24b具備供氣路52b,前述供氣路52b是一端到達各自的非接觸式吸引墊42b的下表面,且將另一端連接於供氣源48b。並且,於供氣路52b設置有切換部50b。
在圖8示意地顯示有設置有被搬送單元24b所搬送之設置有保護構件19的基板1的截面圖。在以搬送單元24b搬送設置有保護構件19的基板1時,是使基台部30b移動到支撐工作台54的上方。然後,使基台部30b下降,並使吸引墊32b的下表面接觸於樹脂薄膜13並且使非接觸式吸引墊42b的下表面靠近保護構件19。
然後,使切換部36b及切換部50b作動,而以吸引墊32b來吸引保持樹脂薄膜13,並且以非接觸式吸引墊42b來吸引保持保護構件19。之後,使基台部30b上升,並使基台部30b移動到工作台72的上方,且使基台部30b下降而將形成有保護構件19的基板1載置到工作台72之上。
之後,首先使切換部36b作動而解除由吸引墊32b所進行之樹脂薄膜13的吸引吸附,接著,使切換部50b作動而解除由非接觸式吸引墊42b所進行之保護構件19的吸引保持。此時,以已藉由從非接觸式吸引墊42a所噴出之氣體的流動而在工作台72上擴展了樹脂薄膜13的狀態,將基板1放置在工作台72之上。因為藉由非接觸式吸引墊42b而吸引吸附有樹脂薄膜13的期間,可藉由來自非接觸式吸引墊42b的該氣體的流動來將保護構件19冷卻而提高硬度,所以保護構件19的不需要部分的切除會變得較容易。
再者,工作台72亦可具有可以吸引保持基板1的保持機構,在此情況下,工作台72的上表面會成為保持面72a。例如,工作台72可為以下的工作夾台:具備在保持面72a露出的多孔質構件、與連接於該多孔質構件的吸引源,並藉由作動該吸引源而吸引保持載置於保持面72a上的基板1。
如圖9(A)所示,在工作台72的上方設置有可在平行於工作台72的保持面72a的方向上移動的拍攝相機76。在將形成於基板1的正面1a的保護構件沿著基板1的外周1c切斷時,是藉由拍攝相機76通過保護構件19來拍攝基板1,而確認基板1的外周1c的位置。此時,在基板1的位置已從保持面72a的預定的位置偏離,且接著說明之切斷單元74的切斷部82的軌道並未沿著基板1的外周1c的情況下,亦可藉由搬送單元24b重新放置基板1來調整基板1的位置。之後,如圖9(B)所示,以切斷單元74切斷保護構件19。
接著,說明切斷單元74。切斷單元74具備工作台72,前述工作台72會支撐於正面1a形成有保護構件19的基板1。此外,切斷單元74具備:旋轉軸80,沿著垂直於工作台72的保持面72a的方向;圓板狀的切斷部支撐部78,固定於旋轉軸80的下端;及切斷部82,固定在切斷部支撐部78的下表面的外周側。切斷部82是例如下端為銳利的切割器。
旋轉軸80可在平行於工作台72的保持面72a的方向上移動。切斷單元74在基板1已被載置於工作台72的保持面72a時,是以拍攝相機76特定基板1的外周1c的位置,並使旋轉軸80移動至基板1的中央上方。
於旋轉軸80的上端連接有未圖示的旋轉驅動源,且當使該旋轉驅動源作動而使旋轉軸80旋轉時,固定在切斷部支撐部78的下表面的切斷部82會沿著基板1的外周1c於圓環軌道上移動。亦即,該旋轉驅動源、旋轉軸80與切斷部支撐部78是作為使切斷部82移動的切斷部移動單元84而發揮功能。
切斷單元74在切斷保護構件19時會使切斷部移動單元84作動而一邊使切斷部82旋轉移動一邊使旋轉軸80下降,而使切斷部82沿著保護構件19切入。亦即,切斷單元74可以藉由以切斷部移動單元84使切斷部82沿著基板1的外周1c移動而沿著該基板1的外周1c來切斷該保護構件19。
當以切斷單元74切除保護構件19的不需要部分後,即成為可進行基板1的磨削加工之狀態。在基台4之相鄰於工作台72的位置,具備對已切除的保護構件19的不需要部分進行回收的不需要部分回收部86。例如,以搬送單元24b將保護構件19的不需要部分搬送到不需要部分回收部86,並解除該不需要部分的吸引吸附來使其掉落到不需要部分回收部86而回收該不需要部分。
以切斷單元74切除保護構件19的不需要部分後,可將於正面1a形成有保護構件19的基板1藉由基板搬送機器人10b而從工作台72上搬出,並容置到載置於片匣載置台6b的片匣8b。之後,將片匣8b搬送到磨削裝置,並以該磨削裝置從背面1b側磨削基板1。
接著,說明使用以上所說明之保護構件形成裝置2所實施的在基板1的正面1a形成保護構件19之本實施形態的保護構件形成方法。圖10是顯示以該保護構件形成方法所實施的各步驟之流程的流程圖。
在該保護構件形成方法中,首先是實施樹脂薄膜密合步驟S10。在樹脂薄膜密合步驟S10中,是以樹脂薄膜13覆蓋基板1的正面1a,並使樹脂薄膜13以順應於基板1的正面1a的凹凸的方式來密合。樹脂薄膜密合步驟S10是以例如保護構件形成裝置2的樹脂薄膜密合單元12來實施。圖3(A)是示意地顯示樹脂薄膜密合步驟S10的截面圖。
更詳細地說,是使樹脂薄膜密合單元12的上部本體12b上升,而將基板1搬入到下部本體12a的基板支撐部14的支撐面14a之上。此時,將具有凹凸的正面1a朝向上方,而將背面1b側朝向支撐面14a。接著,以用樹脂薄膜13覆蓋基板1的正面1a的方式將樹脂薄膜13載置於下部本體12a之上,並以樹脂薄膜13將該下部本體12a的開口堵塞。之後,使上部本體12b下降,而隔著樹脂薄膜13將上部本體12b載置於下部本體12a之上。
之後,使排氣部16作動而使被下部本體12a及樹脂薄膜13所包圍的空間20a減壓,並且使排氣部18作動而使被上部本體12b及樹脂薄膜13所包圍的空間20b減壓。之後,當使排氣部18停止,並進一步對空間20b進行大氣開放後,會藉由急速地在樹脂薄膜13的上下產生的壓力差而使樹脂薄膜13以順應於基板1的正面1a的凹凸的方式密合於該正面1a。
在此,若在使空間20b減壓之前或之後,對空間20b供給經加熱的氣體,便可以用該氣體來加熱樹脂薄膜13。在此情況下,因為樹脂薄膜13會軟化,所以變得容易使樹脂薄膜13順應於基板1的正面1a的凹凸,而使樹脂薄膜13對基板1的正面1a的密合變得更容易。
在實施樹脂薄膜密合步驟S10之後,實施液狀樹脂供給步驟S20。液狀樹脂供給步驟S20是在例如保護構件形成裝置2的支撐工作台54實施。於是,亦可在實施液狀樹脂供給步驟S20之前,實施以搬送單元24a搬送密合有樹脂薄膜13的基板1之第1搬送步驟。參照圖4(A)、圖4(B)、及圖5(A),針對第1搬送步驟進行說明。
在該第1搬送步驟中,是使用具備吸引墊32a及非接觸式吸引墊42a的搬送單元24a。非接觸式吸引墊42a可以藉由使氣體朝下表面外側噴出而在下表面中央形成負壓。
如圖4(A)所示,在該第1搬送步驟中,首先是在與基板1不重疊的區域中以吸引墊32a來吸引保持樹脂薄膜13,並且在與基板1重疊的區域中以非接觸式吸引墊42a來吸引保持樹脂薄膜13。之後,使搬送單元24a的移動機構作動,而將密合有樹脂薄膜13的基板1搬送到支撐工作台54。並且,解除由搬送單元24a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持,而將密合有樹脂薄膜13的基板1載置於支撐工作台54上。
例如,在將由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持、與由非接觸式吸引墊42a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持同時解除的情況下,會有在已密合於載置在支撐工作台54的基板1之樹脂薄膜13的外周部殘留捲曲或皺褶之情況。在此情況下,如後述地實施液狀樹脂供給步驟S20、按壓步驟S30及硬化步驟S40時,會無法成為適當的保護構件19。
於是,如圖4(B)所示,在本實施形態之保護構件形成方法的第1搬送步驟中,在將基板1載置於支撐工作台54上之後,首先是解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持。之後,如圖5(A)所示,解除由非接觸式吸引墊42a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持。
此時,從解除由吸引墊32a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持起到解除由非接觸式吸引墊42a所進行之樹脂薄膜13的吸引保持為止之期間,從非接觸式吸引墊42a噴出的氣體會在樹脂薄膜13上前進。並且,因為可藉由樹脂薄膜13上的該氣體的流動而將樹脂薄膜13朝外側擴展,所以可在支撐工作台54上減少樹脂薄膜13的捲曲或皺褶。
亦即,當實施該第1搬送步驟後,可以適當地實施後述的液狀樹脂供給步驟S20、按壓步驟S30及硬化步驟S40,而可以如預定地在基板1形成保護構件19。
之後,可在支撐工作台54上實施液狀樹脂供給步驟S20。在液狀樹脂供給步驟S20中,是將可硬化的液狀樹脂供給到已密合於基板1的樹脂薄膜13的上表面之與該基板1重疊的區域。
更詳細地說,是在以搬送單元24a將基板1搬送到支撐工作台54後,使液狀樹脂供給單元56的軸部56a旋轉而將噴嘴56c定位在基板1的中央上方。然後,從噴嘴56c朝樹脂薄膜13的上表面之與基板1重疊的區域吐出液狀樹脂15。圖5(B)是示意地顯示吐出有液狀樹脂15之基板1的截面圖。
在此,可將從噴嘴56c吐出的液狀樹脂15之量設成可以在基板1的正面1a的整個區域中形成可以充分地吸收正面1a的凹凸之層的量。液狀樹脂15的供給量,宜依據正面1a之凹凸的大小、或形成於正面1a之保護構件19的厚度、樹脂薄膜13及覆蓋膜17的厚度等來決定。再者,因為若液狀樹脂15的量不充分的話,欲沒有不均地形成預定的厚度的保護構件19會變得較困難,所以較佳的是將液狀樹脂15稍微過剩地供給。
在本實施形態之保護構件形成方法中,是在液狀樹脂供給步驟S20之後,實施按壓步驟S30。在按壓步驟S30中,是以覆蓋膜17覆蓋已供給至樹脂薄膜13的上表面之液狀樹脂15,並以平坦的按壓面68隔著該覆蓋膜17來按壓該液狀樹脂15,而將該液狀樹脂15在樹脂薄膜13上擴散。在按壓步驟S30中可使用例如按壓單元58。圖7(A)是示意地顯示以按壓單元58按壓液狀樹脂15之情形的截面圖。
針對按壓步驟S30詳細敘述。首先,以按壓單元58的按壓部64的按壓面68來保持覆蓋膜17。然後,使按壓部64下降而使按壓面68隔著覆蓋膜17接觸於液狀樹脂15。之後進一步使按壓部64下降,而以按壓面68來按壓液狀樹脂15。此時,按壓部64的高度是以形成在基板1的正面1a的保護構件的厚度之預定厚度為基準來決定。亦即,可將按壓面68定位在可以形成預定的厚度之保護構件19的高度位置。
當按壓液狀樹脂15後,液狀樹脂15即從基板1之上的中央區域朝外方向擴散。在已供給至樹脂薄膜13之上的液狀樹脂15當中超過了在形成保護構件19上所需要之量的部分,會蓄積於基板1的外側。在此,若液狀樹脂15超過樹脂薄膜13及覆蓋膜17而超出至外部時,恐有液狀樹脂15繞進基板1的背面1b側或覆蓋膜17的上表面側之疑慮。因此,宜使用充分的大小的樹脂薄膜13及覆蓋膜17。
再者,在按壓步驟S30中,是以平坦的按壓面68來按壓液狀樹脂15。例如,若按壓液狀樹脂15的按壓面68為具有凹凸之面時,被按壓的液狀樹脂15之均一的擴展會因該凹凸而受到阻礙。另一方面,根據本實施形態之保護構件形成方法,即可將液狀樹脂15沒有不均地擴展。
又,在本實施形態之保護構件形成方法中,並非從上方支撐基板1並使基板1下降來按壓液狀樹脂15,而是使按壓部64下降來按壓液狀樹脂15。在以沒有來自下方的支撐的狀態使基板1升降的情況下,恐有基板1掉落而產生損傷之疑慮,但在本實施形態之保護構件形成方法中因為從下方支撐基板1,所以不會有在基板1產生損傷之疑慮,且使基板1的處理變得較容易。
已實施按壓步驟S30之後,實施硬化步驟S40。在硬化步驟S40中,是使已在按壓步驟S30在樹脂薄膜13上擴散的液狀樹脂15硬化,而在基板1的正面1a形成包含該樹脂薄膜13、已硬化之該液狀樹脂15與該覆蓋膜17的保護構件19。例如,在液狀樹脂15為紫外線硬化樹脂的情況下,可從具備紫外線LED之硬化單元66對液狀樹脂15照射紫外線而使液狀樹脂15硬化。
當使液狀樹脂15硬化後,即可在基板1的正面1a形成已將樹脂薄膜13、已硬化之液狀樹脂15與覆蓋膜17一體化的保護構件19。再者,在本實施形態之保護構件形成方法中,亦可在實施硬化步驟S40後,進一步實施將保護構件19沿著基板1的外周1c切斷的外周剩餘部切斷步驟S50。
外周剩餘部切斷步驟S50是藉由例如切斷單元74來實施。在外周剩餘部切斷步驟S50中,是使旋轉軸80移動至基板1的中心的上方,且一邊使切斷部82在圓環軌道上移動一邊使切斷部82下降且沿著基板1的外周1c來使切斷部82切入保護構件19,而切除保護構件19的剩餘部。如此一來,可將保護構件19成形為以下之大小:能夠以沒有過多或不足的形式來保護基板1的正面1a。
再者,在本實施形態之保護構件形成方法中,亦可在實施外周剩餘部切斷步驟S50之前,實施將形成有保護構件19的基板1從支撐工作台54搬送到工作台72的第2搬送步驟。使用圖8來說明第2搬送步驟。在第2搬送步驟中,是使用具備吸引墊32b及非接觸式吸引墊42b的搬送單元24b。非接觸式吸引墊42b可以藉由使氣體朝下表面外側噴出而在下表面中央形成負壓。
在該第2搬送步驟中,是和第1搬送步驟同樣,在與基板1不重疊的區域中以吸引墊32b來吸引保持樹脂薄膜13,並且在與基板1重疊的區域中以非接觸式吸引墊42b來吸引保持覆蓋膜17。之後,使搬送單元24b的移動機構作動,而將形成有保護構件19的基板1搬送到切斷單元74的工作台72。然後,解除由搬送單元24b所進行之吸引保持,而將基板1載置於工作台72上。
例如,在將由吸引墊32b所進行之樹脂薄膜13的吸引保持、與由非接觸式吸引墊42b所進行之覆蓋膜17的吸引保持同時解除的情況下,會有在樹脂薄膜13或覆蓋膜17的外周部殘留捲曲之情況。在這種情況下,實施了外周剩餘部切斷步驟S50時,會有以下疑慮:樹脂薄膜13或覆蓋膜17的捲曲的部分進入到切斷部82的軌道上,而妨礙切斷部82的移動。
於是,在第2搬送步驟中,是在將基板1載置於工作台72上之後,解除由吸引墊32b所進行之樹脂薄膜13的吸引保持,並於之後解除由非接觸式吸引墊42b所進行之覆蓋膜17的吸引保持。此時,從解除由吸引墊32b所進行之樹脂薄膜13的吸引保持到解除由非接觸式吸引墊42b所進行之覆蓋膜17的吸引保持為止之期間,從非接觸式吸引墊42b噴出的氣體會在保護構件19上前進。
並且,因為可藉由該氣體的流動而將覆蓋膜17等朝外側擴展,所以可去除覆蓋膜17等的捲曲。亦即,當實施該第2搬送步驟後,可以適當地實施外周剩餘部切斷步驟S50。再者,從非接觸式吸引墊42b噴出的氣體在實施該第2搬送步驟的期間是持續在保護構件19上前進。因此,保護構件19被持續進行氣冷而使硬度上升。
在外周剩餘部切斷步驟S50中以切斷部82切入保護構件19時,會有以下情況:若保護構件19的柔軟性較高時,保護構件19會變形等,而無法讓從切斷部82作用於保護構件19之力適當地作用。然後,會有以下情況:產生保護構件19的切斷面變粗糙等之問題。
於是,若使用具備非接觸式吸引墊42b的搬送單元24b來實施第2搬送步驟並對保護構件19進行氣冷而使硬度上升時,可以從切斷部82將力適當地作用在保護構件19。因此,可將保護構件19以更高品質的方式切斷。
藉由以上而在正面1a形成有保護構件19的基板1,是在之後搬送到磨削裝置,並在該磨削裝置中從背面1b側進行磨削而薄化至預定的厚度。之後,將保護構件19從基板1的正面1a側剝離。此時,因為已硬化之液狀樹脂15是隔著樹脂薄膜13而形成在正面1a上,並未直接貼附於基板1的正面1a的凹凸,所以不會有在基板1的正面1a殘留已硬化之液狀樹脂15的殘渣物等之情形。因此,可以容易地將保護構件19從基板1剝離。
再者,本發明並不因上述實施形態之記載而受到限制,並可進行各種變更而實施。例如,在上述實施形態中,雖然樹脂薄膜密合單元12是具有下部本體12a及上部本體12b之腔室狀的單元,但樹脂薄膜密合單元12亦可為其他的態樣。
例如,可以使用可以吸引保持已被載置於上表面之被保持物的工作夾台。工作夾台具備例如露出於上方的多孔質構件。並且,具備一端連通於該多孔質構件的吸引路、及作為連接於該吸引路的另一端之排氣部而發揮功能的吸引源。當使該吸引源作動時,可以透過吸引路及多孔質構件使負壓作用於已被載置於多孔質構件的上表面之被保持物。
多孔質構件的上表面是成為工作夾台的吸引保持面,且多孔質構件是作為支撐基板1的基板支撐部而發揮功能。在此,是準備吸引保持面的大小比基板1更大且比樹脂薄膜13更小的工作夾台來作為樹脂薄膜密合單元。
並且,在使樹脂薄膜13密合於基板1的正面1a時,首先是以使基板1的正面1a露出於上方的狀態來將基板1載置於工作夾台的吸引保持面上。並且,將樹脂薄膜13以覆蓋該吸引保持面的方式載置在工作夾台之上。此時,受到作為基板支撐部而發揮功能的多孔質構件所支撐的基板1會被樹脂薄膜13覆蓋,而在樹脂薄膜13與多孔質構件之間形成空間。
之後,藉由使作為排氣部而發揮功能的工作夾台之吸引源作動,來對該空間進行排氣並減壓,而使樹脂薄膜13以順應於基板1的正面1a的凹凸的方式來密合於該正面1a,其中前述基板1是受到作為基板支撐部而發揮功能的多孔質構件所支撐。
其他,上述實施形態及變化例之構造、方法等,只要不脫離本發明之目的的範圍,皆可適當變更而實施。
1:基板 1a:正面 1b:背面 1c:外周 2:保護構件形成裝置 3:分割預定線 4:基台 5:器件 6a,6b:片匣載置台 7:凸塊 8a,8b:片匣 9:器件形成區域 10a,10b:基板搬送機器人 10c,10d:基板保持部 11:外周剩餘區域 12:樹脂薄膜密合單元 12a:下部本體 12b:上部本體 13:樹脂薄膜 14:基板支撐部 14a:支撐面 15:液狀樹脂 16,18:排氣部 16a,18a:排氣路 16b,18b:吸引源 17:覆蓋膜 19:保護構件 20a,20b:空間 22:樹脂薄膜供給部 24a,24b:搬送單元 26a,26b:導軌 28a,28b:臂部 30a,30b:基台部 32a,32b:吸引墊 34a,34b:吸引源 36a,36b,50a,50b:切換部 38a,38b:吸引路 40a,40b:非接觸式吸引墊支撐部 42a,42b:非接觸式吸引墊 44a,44b:貫通孔 46a,46b:支撐部 48a,48b:供氣源 52a,52b:供氣路 54:支撐工作台 56:液狀樹脂供給單元 56a:軸部 56b:臂部 56c:噴嘴 58:按壓單元 60:支撐柱 62a:連接部 62b:支撐部 64:按壓部 66:硬化單元 68:按壓面 70:覆蓋膜供給部 72:工作台 72a:保持面 74:切斷單元 76:拍攝相機 78:切斷部支撐部 80:旋轉軸 82:切斷部 84:切斷部移動單元 86:不需要部分回收部 S10:樹脂薄膜密合步驟 S20:液狀樹脂供給步驟 S30:按壓步驟 S40:硬化步驟 S50:外周剩餘部切斷步驟
圖1是示意地顯示基板的立體圖。 圖2是示意地顯示保護構件形成裝置的頂視圖。 圖3(A)是示意地顯示樹脂薄膜密合單元的截面圖,圖3(B)是將於正面密合有樹脂薄膜的基板放大而示意地顯示的截面圖。 圖4(A)是示意地顯示已保持在搬送單元之基板的截面圖,圖4(B)是示意地顯示已解除由將基板搬送到支撐工作台上之搬送單元的吸引墊所進行的樹脂薄膜的吸引保持之狀態的截面圖。 圖5(A)是示意地顯示已解除由搬送單元的非接觸式吸引墊所進行的樹脂薄膜的吸引保持之狀態的截面圖,圖5(B)是示意地顯示已對樹脂薄膜的上表面供給有液狀樹脂之基板的截面圖。 圖6是示意地顯示已密合有樹脂薄膜的基板、液狀樹脂、及按壓單元的側面圖。 圖7(A)是示意地顯示以按壓單元按壓液狀樹脂之情形的側面圖,圖7(B)是示意地顯示形成於基板的正面之保護構件的截面圖。 圖8是示意地顯示已保持在搬送單元之附保護構件的基板的截面圖。 圖9(A)是示意地顯示以拍攝單元從正面側拍攝基板之情形的截面圖,圖9(B)是示意地顯示沿著基板外周來切斷形成於基板正面的保護構件之情形的截面圖。 圖10是顯示保護構件形成方法的各步驟之流程的流程圖。
1:基板
1a:正面
1b:背面
7:凸塊
13:樹脂薄膜
15:液狀樹脂
17:覆蓋膜
19:保護構件
54:支撐工作台
58:按壓單元
60:支撐柱
62a:連接部
62b:支撐部
64:按壓部
66:硬化單元
68:按壓面

Claims (7)

  1. 一種保護構件形成方法,是在正面具備凹凸之基板的該正面形成保護構件,前述保護構件形成方法的特徵在於具備以下步驟: 樹脂薄膜密合步驟,以樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,且使該樹脂薄膜以順應該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該基板; 液狀樹脂供給步驟,將可硬化的液狀樹脂供給至已密合於該基板之該樹脂薄膜的上表面之與該基板重疊的區域; 按壓步驟,以覆蓋膜來覆蓋已供給到該樹脂薄膜的該上表面之該液狀樹脂,而隔著該覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及 硬化步驟,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的保護構件。
  2. 如請求項1之保護構件形成方法,其更具備外周剩餘部切斷步驟,前述外周剩餘部切斷步驟是在實施該硬化步驟後,沿著該基板的外周來切斷該保護構件。
  3. 一種保護構件形成裝置,是在正面具備凹凸之基板的該正面形成保護構件,前述保護構件形成裝置的特徵在於具備: 樹脂薄膜密合單元,具有支撐該基板的基板支撐部、及排氣部,前述排氣部可以對藉由以樹脂薄膜覆蓋已被該基板支撐部所支撐之該基板而形成的空間進行排氣,藉由使該排氣部作動來對該空間進行排氣並減壓,使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該正面; 支撐工作台,以使該樹脂薄膜露出於上方的狀態支撐密合有該樹脂薄膜的該基板; 液狀樹脂供給單元,具備將可硬化的液狀樹脂吐出之噴嘴,並從該噴嘴將該液狀樹脂供給到密合於被該支撐工作台所支撐的該基板之該樹脂薄膜的上表面; 按壓單元,具有平坦的按壓面,以覆蓋膜來覆蓋以該液狀樹脂供給單元所供給的該液狀樹脂並且隔著該覆蓋膜以該按壓面來按壓該液狀樹脂而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及 硬化單元,使已因該按壓單元而被擴散之狀態的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的保護構件。
  4. 如請求項3之保護構件形成裝置,其更具備搬送單元,前述搬送單元是將密合有該樹脂薄膜的該基板維持該樹脂薄膜已在該基板的外側擴展的狀態從該基板支撐部搬送到該支撐工作台, 該搬送單元具有: 非接觸式吸引墊,一面朝向該基板的該正面噴射流體一面產生負壓; 吸引墊,在該基板的該外側吸引保持該樹脂薄膜; 基台部,固定有該非接觸式吸引墊與該吸引墊;及 移動機構,使該基台部移動, 該非接觸式吸引墊與該吸引墊可以互相獨立地作動。
  5. 如請求項4之保護構件形成裝置,其更具備切斷單元,前述切斷單元具有: 工作台,支撐已將該保護構件形成於該正面之該基板; 切斷部,切斷該保護構件;及 切斷部移動單元,使該切斷部沿著該基板的外周移動, 可以藉由以該切斷部移動單元使該切斷部沿著被該工作台所支撐之已將該保護構件形成於該正面之該基板的該外周移動,而沿著該基板的該外周來切斷該保護構件。
  6. 一種保護構件形成方法,是使用如請求項4之保護構件形成裝置並在該正面具備該凹凸之該基板的該正面形成該保護構件,前述保護構件形成方法的特徵在於:具備以下步驟: 樹脂薄膜密合步驟,將該基板以使該正面朝向上方的狀態來載置在該樹脂薄膜密合單元的該基板支撐部之上,並以該樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該基板; 第1搬送步驟,使用該搬送單元將密合有該樹脂薄膜的該基板從該樹脂薄膜密合單元的該基板支撐部搬送到該支撐工作台; 液狀樹脂供給步驟,在該支撐工作台上,對已密合於該基板之該樹脂薄膜的該上表面之與該基板重疊的區域供給可硬化的該液狀樹脂; 按壓步驟,以該覆蓋膜來覆蓋已供給至該樹脂薄膜的該上表面之該液狀樹脂,並隔著該覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散;及 硬化步驟,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的該保護構件, 又,在該第1搬送步驟中,是在該基板支撐部上,在與該基板不重疊的區域中以該吸引墊來吸引保持該樹脂薄膜,並且在與該基板重疊的區域中以該非接觸式吸引墊來吸引保持該樹脂薄膜,之後使該移動機構作動來將密合有該樹脂薄膜的該基板搬送到該支撐工作台上,並解除由該吸引墊所進行的該樹脂薄膜的吸引保持,且於之後解除由該非接觸式吸引墊所進行的該樹脂薄膜的吸引保持。
  7. 一種保護構件形成方法,是使用如請求項5之保護構件形成裝置並在該正面具備該凹凸之該基板的該正面形成該保護構件,前述保護構件形成方法的特徵在於:具備以下步驟: 樹脂薄膜密合步驟,以該樹脂薄膜覆蓋該基板的該正面,且使該樹脂薄膜以順應於該基板的該正面的該凹凸的方式密合於該基板; 液狀樹脂供給步驟,對已密合於該基板之該樹脂薄膜的該上表面之與該基板重疊的區域供給可硬化的該液狀樹脂; 按壓步驟,以該覆蓋膜來覆蓋已供給至該樹脂薄膜的該上表面之該液狀樹脂,並隔著該覆蓋膜以平坦的按壓面來按壓該液狀樹脂,而將該液狀樹脂在該樹脂薄膜上擴散; 硬化步驟,在該支撐工作台上,使已在該按壓步驟中在該樹脂薄膜上擴散的該液狀樹脂硬化,而在該基板的該正面形成包含該樹脂薄膜、已硬化之該液狀樹脂與該覆蓋膜的該保護構件; 第2搬送步驟,使用該搬送單元將已在該正面形成有該保護構件的該基板從該支撐工作台搬送到該切斷單元的該工作台;及 外周剩餘部切斷步驟,在該切斷單元中沿著該基板的外周來切斷該保護構件, 又,在該第2搬送步驟中,是在該支撐工作台上,在與該基板不重疊的區域中以該吸引墊來吸引保持該樹脂薄膜,並且在與該基板重疊的區域中以該非接觸式吸引墊來吸引保持該覆蓋膜,之後使該移動機構作動來將該正面形成有該保護構件的該基板搬送到該切斷單元的該工作台上,並解除由該吸引墊所進行的該樹脂薄膜的吸引保持,且於之後解除由該非接觸式吸引墊所進行的該覆蓋膜的吸引保持。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022162633A (ja) 2021-04-13 2022-10-25 株式会社ディスコ 樹脂被覆方法、及び樹脂被覆装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013157510A (ja) 2012-01-31 2013-08-15 Disco Abrasive Syst Ltd 貼着装置
TW201528462A (zh) * 2014-01-06 2015-07-16 Suretech Technology Co Ltd 晶圓封裝結構
JP6482425B2 (ja) * 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6563728B2 (ja) * 2015-07-29 2019-08-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
DE102015216619B4 (de) 2015-08-31 2017-08-10 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
TWI704996B (zh) * 2015-11-04 2020-09-21 日商琳得科股份有限公司 第一保護膜形成用片
JP6619685B2 (ja) * 2016-04-19 2019-12-11 株式会社ディスコ SiCウエーハの加工方法
JP6925714B2 (ja) 2017-05-11 2021-08-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6914587B2 (ja) * 2017-05-25 2021-08-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7105053B2 (ja) * 2017-11-06 2022-07-22 株式会社ディスコ 保護部材形成装置

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