TW202022933A - 晶圓分割裝置 - Google Patents
晶圓分割裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202022933A TW202022933A TW108144129A TW108144129A TW202022933A TW 202022933 A TW202022933 A TW 202022933A TW 108144129 A TW108144129 A TW 108144129A TW 108144129 A TW108144129 A TW 108144129A TW 202022933 A TW202022933 A TW 202022933A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- frame
- temporary receiving
- wafer
- axis direction
- receiving mechanism
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67715—Changing the direction of the conveying path
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67796—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations with angular orientation of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
[課題]提供一種晶圓分割裝置,其在將晶圓分割成一個個的晶片時不會有飛散的粉塵附著到晶片的正面之情形,而可以防止晶片的品質的降低。
[解決手段]一種晶圓分割裝置,是將貼附於黏著膠帶而支撐在框架的開口部之晶圓沿著分割預定線分割成一個個的晶片,前述晶圓分割裝置包含:片匣工作台,可在Z軸方向上升降;第一搬出入機構,將框架從載置於片匣工作台的片匣搬出、或將框架搬入片匣;第一暫時接收機構,具備有在X軸方向上延伸的一對第一導軌、及將一對第一導軌的間隔擴大的導軌開閉部;翻轉機構,具備保持框架的保持部,並進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉;搬送機構,使翻轉後的框架移動;第二暫時接收機構,具有在X軸方向上延伸的一對第二導軌;第二搬出入機構,使已支撐在第二暫時接收機構之框架在X軸方向上移動;第三暫時接收機構,具備有在X軸方向上延伸的一對第三導軌、及將一對第三導軌的間隔上擴大的導軌作動部;框架升降機構,支撐已支撐在第三暫時接收機構之框架並使其在Z軸方向上升降;分割機構,具備有圓筒部,前述圓筒部在已支撐在框架升降機構之框架上升時,和位於框架與晶圓之間的黏著膠帶接觸,而使黏著膠帶擴張來將晶圓沿著分割預定線分割成一個個的晶片;吸引工作台,配置在圓筒部的內部並吸引保持已分割成晶片之晶圓而維持晶片與晶片之間隔;及膠帶收縮機構,配置在框架升降機構側並對已鬆弛的黏著膠帶加熱來使其收縮。
Description
發明領域
本發明是有關於一種將貼附於黏著膠帶而支撐在框架的開口部之晶圓沿著分割預定線來分割成一個個的晶片之晶圓分割裝置。
發明背景
將IC、LSI等的複數個元件以分割預定線來區劃而形成在正面之晶圓(例如矽(Si)製晶圓),是藉由切割裝置、雷射加工裝置等而被分割成一個個的元件晶片,並且可將已分割的元件晶片應用在手機、個人電腦等的電氣機器上。
雷射加工裝置是在將對晶圓具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位於對應於分割預定線的內部,來對晶圓照射雷射光線而沿著分割預定線形成改質層後,對晶圓賦與外力來將晶圓分割成一個個的元件晶片(參照例如專利文獻1)。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利第3408805號公報
發明概要
發明欲解決之課題
但是,在將晶圓分割成一個個的元件晶片時,會有設置有改質層之晶圓的粉塵飛散並附著到元件晶片的正面,使元件晶片之品質降低之問題。
又,在由玻璃、藍寶石等所形成的晶圓之於對應於分割預定線的內部形成改質層來分割成一個個晶片之時,也產生與上述同樣之問題。
有鑒於上述事實而作成之本發明的課題在於提供一種晶圓分割裝置,其在將晶圓分割成一個個的晶片時不會有飛散的粉塵附著在晶片的正面之情形,而可以防止晶片的品質的降低。
用以解決課題之手段
為了解決上述課題,本發明所提供的是以下的晶圓分割裝置。亦即,一種晶圓分割裝置,是將貼附於黏著膠帶而支撐在框架的開口部之晶圓沿著分割預定線分割成一個個的晶片,前述晶圓分割裝置包含:
片匣工作台,供片匣載置且可在Z軸方向上升降,前述片匣可容置複數個貼附於黏著膠帶而支撐在框架的開口部之晶圓;
第一搬出入機構,藉由把持框架並使其在正交於Z軸方向的X軸方向上移動,而將框架從載置於該片匣工作台的片匣搬出、或將框架搬入片匣;
第一暫時接收機構,具備有一對第一導軌與導軌開閉部,前述一對第一導軌是在X軸方向上延伸並支撐藉由該第一搬出入機構所搬入之框架,前述導軌開閉部是將該一對第一導軌的間隔在正交於Z軸方向與X軸方向的Y軸方向上擴大,以容許框架在Z軸方向上的通過;
翻轉機構,具備保持已支撐在該第一暫時接收機構之框架的保持部,並以在X軸方向上延伸的旋轉軸進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉;
搬送機構,使翻轉後的框架在Y軸方向上移動;
第二暫時接收機構,具有一對第二導軌,前述一對第二導軌是在X軸方向上延伸並支撐在Y軸方向上移動的框架;
第二搬出入機構,使已支撐在該第二暫時接收機構之框架在X軸方向上移動;
第三暫時接收機構,配置在該第二暫時接收機構的X軸方向單側且具備有一對第三導軌與導軌作動部,前述一對第三導軌是在X軸方向上延伸並支撐藉由該第二搬出入機構而移動之框架,前述導軌作動部是將該一對第三導軌之間隔在Y軸方向上擴大,以容許框架在Z軸方向上的通過;
框架升降機構,配置在該第三暫時接收機構的Z軸方向下部並支撐已支撐在該第三暫時接收機構之框架且使其在Z軸方向上升降;
分割機構,配置在該第三暫時接收機構的Z軸方向上部並具備有圓筒部,前述圓筒部在已支撐在該框架升降機構之框架上升時,和位於框架與晶圓之間的黏著膠帶接觸,而使黏著膠帶擴張來將晶圓沿著分割預定線分割成一個個的晶片;
吸引工作台,配置在該圓筒部的內部並吸引保持已分割成晶片的晶圓而維持晶片與晶片之間隔;及
膠帶收縮機構,配置在該框架升降機構側並對已鬆弛的黏著膠帶加熱來使其收縮,
該搬送機構將藉由該第二搬出入機構而從該第三暫時接收機構搬出到該第二暫時接收機構且黏著膠帶為已收縮之狀態的框架搬送到該第一暫時接收機構。
較佳的是,具備洗淨機構及第三搬出入機構,前述洗淨機構是在與該片匣工作台相反側配置成隔著該第一暫時接收機構且將框架所支撐的晶圓洗淨,前述第三搬出入機構是將已搬送到該第一暫時接收機構之框架搬入該洗淨機構、或將該框架從該洗淨機構搬出。
又,較佳的是,具備:
透明工作台,配置在該第一暫時接收機構的正下方,並具備有大小對應於晶圓的大小之透明板;
升降機構,使該翻轉機構在該透明工作台與該第一暫時接收機構之間升降;
工作台移動機構,使載置有已藉由該翻轉機構讓正面、背面翻轉且晶圓為朝向上方之狀態的框架之該透明工作台從該第一暫時接收機構的正下方朝該第二暫時接收機構的方向移動;
腔室,配置於該第二暫時接收機構的下方,並覆蓋載置在藉由該工作台移動機構而移動的該透明工作台上的被框架所支撐之晶圓且供給非活性氣體;及
紫外線照射機構,配置在該腔室的下方並對貼附於框架的黏著膠帶照射紫外線,
該翻轉機構具備配置於該透明工作台的上部並保持藉由該第三搬出入機構搬出到該第一暫時接收機構之支撐有洗淨完畢之晶圓的框架的保持部,且進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉,並將框架載置於該透明工作台。
又,較佳的是,該翻轉機構具有:
第一翻轉機構,具備保持已支撐在該第一暫時接收機構之框架的保持部,並以X軸方向的旋轉軸進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉;及
第二翻轉機構,具備配置於該透明工作台的上部並保持藉由該第三搬出入機構搬出到該第一暫時接收機構之支撐有洗淨完畢之晶圓的框架的保持部,且進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉並將框架載置於該透明工作台。
又,較佳的是,該搬送機構具有:
第一搬送機構,使藉由該第一翻轉機構翻轉後的框架在Y軸方向上移動;及
第二搬送機構,將藉由該第二搬出入機構而從該第三暫時接收機構搬出到該第二暫時接收機構且黏著膠帶已收縮的框架搬送到該第一暫時接收機構。
又,較佳的是,該第二翻轉機構的保持部具有一邊的保持部和另一邊的保持部,
藉由該工作台移動機構,將載置有藉由該紫外線照射機構而對黏著膠帶照射紫外線且晶圓為朝向上方之狀態的框架的該透明工作台,定位到該第一暫時接收機構的正下方時,
該第二翻轉機構是以該一邊的保持部來保持已載置在該透明工作台之框架,並以該另一邊的保持部來保持已支撐在該第一暫時接收機構之支撐洗淨完畢之晶圓的下一個框架,且進行180度旋轉來讓以該一邊的保持部所保持的框架保持於該第一翻轉機構,並將以該另一邊的保持部所保持的下一個框架載置到該透明工作台,
該第一翻轉機構是以在X軸方向上延伸的旋轉軸來進行180度旋轉而讓所保持的框架支撐於該第一暫時接收機構,
該第一搬出入機構是將已支撐在該第一暫時接收機構的框架搬出到該片匣。
又,較佳的是,該第三暫時接收機構的該一對第三導軌具備Z軸方向上部的上層導軌部、及Z軸方向下部的下層導軌部,
定位於該第二暫時接收機構且支撐有分割成晶片前之晶圓的框架,是藉由該第二搬出入機構而從該第二暫時接收機構搬入到該第三暫時接收機構的該上層導軌部,
於藉由該框架升降機構使已支撐於該上層導軌部的框架上升,並藉由該分割機構將晶圓分割成晶片後,支撐有已分割成晶片之晶圓的框架是支撐於該下層導軌部,
定位於該第二暫時接收機構且支撐有分割成晶片前之下一個晶圓的框架,是藉由該第二搬出入機構而從該第二暫時接收機構搬入到該第三暫時接收機構的該上層導軌部,
支撐於該下層導軌部且支撐有已分割成晶片之晶圓的框架,是藉由該第二搬出入機構而搬出到該第二暫時接收機構。
又,較佳的是包含鏡像構造的2組該第二搬出入機構、鏡像構造的2組該第三暫時接收機構、鏡像構造的2組該框架升降機構、鏡像構造的2組該分割機構、鏡像構造的2組該吸引工作台、及鏡像構造的2組該膠帶收縮機構。
發明效果
本發明之晶圓分割裝置,由於是以貼附於黏著膠帶之晶圓為朝向下方之狀態來對晶圓賦與外力而將此晶圓分割成一個個的晶片,因此在將晶圓分割成一個個的晶片時不會有飛散之粉塵附著到晶片的正面之情形,而可以防止晶片的品質的降低。
用以實施發明之形態
以下,參照圖式並且說明關於本發明之晶圓分割裝置的實施形態。
如圖1所示,整體以符號2表示之晶圓分割裝置具備可在圖1於以箭頭Z所示之Z軸方向上升降的片匣工作台4、以及使片匣工作台4在Z軸方向上升降的片匣工作台升降機構6。再者,在圖1以箭頭X表示之X軸方向是正交於Z軸方向的方向,在圖1以箭頭Y表示之Y軸方向是正交於X軸方向及Z軸方向的方向。又,X軸方向及Y軸方向所規定的平面實質上是水平的。
若參照圖1並且參照圖2(A)來說明,則圖示之實施形態的片匣工作台4為矩形狀,且在片匣工作台4的上表面形成有一對卡合突起4a。如圖2(B)及圖2(C)所示,可載置於片匣工作台4的片匣8是形成為在上下方向上隔著間隔而容置複數個晶圓10。在片匣8的下表面,形成有對應於片匣工作台4的一對卡合突起4a的一對卡合凹處8a,且將片匣8載置於片匣工作台4的上表面時,可藉由片匣工作台4的卡合突起4a卡合於片匣8的卡合凹處8a,而防止片匣8在片匣工作台4上的位置偏移。
如圖2(B)及圖2(C)所示,在片匣8中容置有可藉由晶圓分割裝置2來分割的複數個晶圓10。圓盤狀之晶圓10的正面10a是藉由格子狀的分割預定線12而區劃成複數個矩形區域,並在複數個矩形區域的每一個形成有元件14。晶圓10是將背面10b側貼附在已將周緣固定於環狀的框架16之黏著膠帶18上,且透過黏著膠帶18而被支撐在框架16的開口部16a。又,在此晶圓10中,是使用雷射加工裝置(未圖示),而將對晶圓10具有穿透性之波長的雷射光線的聚光點定位到對應於分割預定線12之內部來對晶圓10照射雷射光線,藉此沿著分割預定線12形成有強度已降低之作為分割起點的改質層(未圖示)。
若參照圖2(A)來繼續說明,即片匣工作台升降機構6具有在Z軸方向上延伸的殼體20、配置於殼體20內且在Z軸方向上延伸的滾珠螺桿22、及連結於滾珠螺桿22的下端部之馬達24。滾珠螺桿22的螺帽部22a是固定在片匣工作台4。並且,在片匣工作台升降機構6中,是形成為藉由滾珠螺桿22將馬達24的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至片匣工作台4,而使片匣工作台4在Z軸方向上升降。
如圖1所示,將第一搬出入機構26相鄰於片匣工作台4而配置,前述第一搬出入機構26是從載置於片匣工作台4的片匣8將框架16把持並在正交於Z軸方向之X軸方向上搬出及搬入的機構。亦即,第一搬出入機構26可以藉由把持框架16並使其在X軸方向上移動,而將框架16從載置在片匣工作台4的片匣8搬出、或將框架16搬入片匣8。
第一搬出入機構26包含透過適當的托架(未圖示)而被固定且於X軸方向上延伸的殼體28、在X軸方向上移動自如地支撐於殼體28的X軸可動構件30、及使X軸可動構件30在X軸方向上移動的X軸進給機構(未圖示)。X軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於X軸可動構件30且在X軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達。又,在X軸可動構件30上設置有Z軸進給機構(未圖示),前述Z軸進給機構可在Z軸方向上移動自如地支撐Z軸可動構件32,並且使Z軸可動構件32在Z軸方向上移動。Z軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於Z軸可動構件32且在Z軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達。
參照圖1來繼續關於第一搬出入機構26的說明。Z軸可動構件32是從連結於X軸可動構件30的基端朝Y軸方向延伸,且在Z軸可動構件32的前端側之X軸方向單側端面(在圖1中為近前側之端面),在Z軸方向上隔著間隔而裝設有氣體驅動式的一對把持片34。一對把持片34是定位在與已載置於片匣工作台4上的片匣8相面對的位置上。又,一對把持片34是構成為可將彼此之間隔擴張自如且縮小自如。
並且,在第一搬出入機構26中,是形成為以X軸進給機構使X軸可動構件30移動,並且以Z軸進給機構使Z軸可動構件32移動,而在調整一對把持片34的X軸方向位置及Z軸方向位置後,藉由縮小一對把持片34的間隔,而以一對把持片34來把持已載置於片匣工作台4的片匣8內的框架16。又,第一搬出入機構26是形成為藉由使X軸進給機構作動,而使以一對把持片34所把持的框架16在X軸方向上移動,來將框架16從片匣8搬入到下述第一暫時接收機構36,並且將框架16從第一暫時接收機構36搬出到片匣8。
如圖3所示,於片匣工作台4的X軸方向單側配置有第一暫時接收機構36。第一暫時接收機構36具備一對第一導軌38及導軌開閉部40,前述一對第一導軌38是在X軸方向上延伸並支撐藉由第一搬出入機構26而搬入的框架16,前述導軌開閉部40是將一對第一導軌38之間隔在正交於Z軸方向與X軸方向的Y軸方向上擴大而容許框架16之Z軸方向的通過。也就是說,可以藉由導軌開閉部40,將一對第一導軌38的間隔擴大成容許框架16在Z軸方向上的通過。
參照圖3來繼續關於第一暫時接收機構36的說明。一對第一導軌38是各自形成為截面L字形,且在Y軸方向上隔著間隔而配置。導軌開閉部40宜為連結於一對第一導軌38的複數個汽缸或電動汽缸,並且形成為在支撐位置與容許位置之間變更一對第一導軌38的Y軸方向間隔,前述支撐位置是可利用一對第一導軌38支撐框架16的位置,前述容許位置是一對第一導軌38的間隔比此支撐位置更寬而容許框架16的Z軸方向的通過的位置。再者,一對第一導軌38是透過適當的托架(未圖示),而以在Y軸方向上移動自如的方式被支撐。
如圖1所示,晶圓分割裝置2具備第一翻轉機構42及第一搬送機構44,前述第一翻轉機構42具備保持已支撐在第一暫時接收機構36之框架16的保持部,並且以在X軸方向上延伸之旋轉軸進行180度旋轉來讓框架16的正面、背面翻轉,前述第一搬送機構44是使第一翻轉機構42在Y軸方向上移動。
參照圖4來說明第一搬送機構44。第一搬送機構44包含透過適當的托架(未圖示)而固定且在Y軸方向上延伸的殼體46、在Y軸方向上移動自如地支撐在殼體46的Y軸可動構件48、使Y軸可動構件48在Y軸方向上移動的Y軸進給機構(未圖示)、在Z軸方向上移動自如地支撐在Y軸可動構件48的Z軸可動構件50、及使Z軸可動構件50在Z軸方向上移動的Z軸進給機構(未圖示)。Y軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於Y軸可動構件48且在Y軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達,且Z軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於Z軸可動構件50且在Z軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達。
如圖4所示,第一翻轉機構42包含旋轉自如地支撐在第一搬送機構44的Z軸可動構件50的下端且在X軸方向上延伸的旋轉軸52、以在X軸方向上延伸的軸線為中心來使旋轉軸52旋轉的馬達(未圖示)、及保持已支撐在第一暫時接收機構36的框架16的保持部54。保持部54具有連結於旋轉軸52的前端的基板56、及設置於基板56的單面的複數個吸引墊58,且各吸引墊58是連接到吸引機構(未圖示)。
並且,在第一翻轉機構42中,是形成為藉由使吸引機構作動而在吸引墊58生成吸引力,而以保持部54的吸引墊58吸引保持已支撐在第一暫時接收機構36的框架16,並且形成為藉由以馬達使旋轉軸52進行180度旋轉,來讓以保持部54所保持的框架16的正面、背面翻轉。
又,第一搬送機構44是形成為藉由以Y軸進給機構使Y軸可動構件48移動,並且以Z軸進給機構使Z軸可動構件50移動,而在Y軸方向及Z軸方向上移動第一翻轉機構42。
如圖1所示,在第一搬送機構44的殼體46的Y軸方向一端側(圖1中的左側)的下方,配置有第二暫時接收機構62,前述第二暫時接收機構62具有一對第二導軌60,前述一對第二導軌60是在X軸方向上延伸並支撐在Y軸方向上移動的第一翻轉機構42所保持的框架16。一對第二導軌60是各自形成為截面L字形,並且以可支撐框架16的程度在Y軸方向上隔著間隔而配置,並透過適當的托架(未圖示)而被固定。
若參照圖1及圖3來說明,是相鄰於第二暫時接收機構62而配置有第二搬出入機構64,前述第二搬出入機構64是讓已支撐在第二暫時接收機構62的框架16在X軸方向上移動。第二搬出入機構64包含透過適當的托架(未圖示)而被固定且在X軸方向上延伸的殼體66、在X軸方向上移動自如地支撐在殼體66的X軸可動構件68、及使X軸可動構件68在X軸方向上移動的X軸進給機構(未圖示)。X軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於X軸可動構件68且在X軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達。
參照圖3來繼續關於第二搬出入機構64的說明。X軸可動構件68是從被殼體66所支撐的基端朝Y軸方向延伸,且在X軸可動構件68的前端側之X軸方向單側端面(在圖3中為後側的端面),在Z軸方向上隔著間隔而裝設有氣體驅動式的一對把持片70。一對把持片70是定位在可把持受到第二暫時接收機構62所支撐之框架16的位置上。又,一對把持片70是構成為可將彼此之間隔擴張自如且縮小自如。
並且,在第二搬出入機構64中,是形成為藉由以X軸進給機構使X軸可動構件68移動,而調整一對把持片70的X軸方向位置後,藉由縮小一對把持片70的間隔,而以一對把持片70來把持已支撐在第二暫時接收機構62的框架16。又,第二搬出入機構64是形成為藉由使X軸進給機構作動,而使以一對把持片70所把持的框架16在X軸方向上移動,來將框架16從第二暫時接收機構62搬入到下述第三暫時接收機構72,並且將框架16從第三暫時接收機構72搬出到第二暫時接收機構62。
如圖3及圖5(A)所示,在第二暫時接收機構62的X軸方向單側配設有第三暫時接收機構72。第三暫時接收機構72具備一對第三導軌74及導軌作動部76,前述一對第三導軌74是在X軸方向上延伸並支撐藉由第二搬出入機構64而移動之框架16,前述導軌作動部76是將一對第三導軌74的間隔在Y軸方向上擴大而容許框架16之Z軸方向的通過。也就是說,可以藉由導軌作動部76,將一對第三導軌74的間隔擴大成容許框架16在Z軸方向上的通過。
參照圖5(A)來繼續第三暫時接收機構72的說明。在圖示之實施形態中,第三暫時接收機構72的一對第三導軌74是在Y軸方向上隔著間隔而配置。一對第三導軌74具有在X軸方向上延伸的側面壁78、及在Z軸方向上隔著間隔而從側面壁78突出的上部片80及下部片82。在圖示之實施形態的一對第三導軌74中,是藉由一對上部片80而構成Z軸方向上部的上層導軌部,且藉由一對下部片82而構成Z軸方向下部的下層導軌部。以下,不僅對上部片連對上層導軌部也是附加符號80來說明,又,不僅對下部片連對下層導軌部也附加符號82來說明。在一對第三導軌74中,是形成為以上層導軌部80或下層導軌部82支撐藉由第二搬出入機構64而移動的框架16。
導軌作動部76宜為連結於一對第三導軌74的複數個汽缸或電動汽缸,並且形成為在支撐位置與容許位置之間變更一對第三導軌74的Y軸方向間隔,前述支撐位置是可利用一對第三導軌74支撐框架16的位置,前述容許位置是一對第三導軌74的間隔比此支撐位置更寬而容許框架16的Z軸方向的通過的位置。
雖然未圖示,但是第三暫時接收機構72更具備使一對第三導軌74在Z軸方向上移動的導軌升降部。導軌升降部宜為具有在Z軸方向上延伸的複數個汽缸或電動汽缸之構成,並形成為使一對第三導軌74在Z軸方向上移動,而將上層導軌部(上部片)80或下層導軌部(下部片)82定位在與第二暫時接收機構62的第二導軌60的框架保持面60a相同的高度上。再者,一對第三導軌74是透過適當的托架(未圖示)而以在Y軸方向及Z軸方向的每一個方向上移動自如的方式受到支撐。
如圖5(A)所示,在第三暫時接收機構72的Z軸方向下部配設有框架升降機構84,前述框架升降機構84是支撐已支撐在第三暫時接收機構72的框架16且使其在Z軸方向上升降。如圖5(A)所示,框架升降機構84包含基台86、從基台86的上表面朝Z軸方向延伸的複數個升降部88、及連結於複數個升降部88的上端並支撐框架16的環狀的框架支撐部90。升降部88可由汽缸或電動汽缸所構成。在框架支撐部90的外周側面形成有一對平坦部91,且框架支撐部90的Y軸方向的寬度比框架16的寬度稍小。又,於框架支撐部90的外周緣附設有用於將框架16固定於框架支撐部90的複數個夾具92。
並且,在框架升降機構84中,是形成為:若在以升降機構88使框架支撐部90上升,而使框架支撐部90的上表面接觸於已支撐在一對第三導軌74的框架16的下表面之後,藉由第三暫時接收機構72的導軌作動部76,來將一對第三導軌74定位到容許框架16之Z軸方向的通過的容許位置時,是以框架支撐部90支撐已支撐在第三暫時接收機構72的框架16,並且以複數個夾具92將框架16固定於框架支撐部90。又,框架升降機構84是形成為藉由使複數個升降部88作動,而使以框架支撐部90所支撐的框架16在Z軸方向上升降。
如圖3所示,在第三暫時接收機構72的Z軸方向上部配設有分割機構96,前述分割機構96具備有圓筒部94,前述圓筒部94是在已支撐在框架升降機構84的框架16上升之時,和位於框架16與晶圓10之間的黏著膠帶18相接觸來使黏著膠帶18擴張,而沿著分割預定線12將晶圓10分割成一個個的晶片,在圓筒部94的內部配設有對已分割成晶片的晶圓10進行吸引保持來維持晶片與晶片之間隔的吸引工作台98,且在框架升降機構84側配設有對已鬆弛的黏著膠帶18加熱來使其收縮之膠帶收縮機構100。
參照圖3及圖6(A)來說明分割機構96。分割機構96的圓筒部94是透過適當的托架(未圖示)而被固定。又,如圖6(A)所示,於圓筒部94的下端旋轉自如地附設有複數個圓筒狀滾輪102,前述圓筒狀滾輪102是配置成環狀。
並且,在分割機構96中,是形成為在已支撐於框架升降機構84的框架16上升之時,藉由圓筒部94來擴張位於框架16與晶圓10之間的黏著膠帶18,而將晶圓10沿著分割預定線12分割成對應於各個元件14的一個個的晶片。又,在圖示之實施形態中,附設在圓筒部94的下端的複數個滾輪102接觸於黏著膠帶18之時,是藉由使滾輪102旋轉而使滾輪102與黏著膠帶18的摩擦阻力變小,並將黏著膠帶18的擴張平順地完成。
參照圖3、圖6(A)及圖6(B),針對吸引工作台98進行說明。吸引工作台98是形成為圓盤狀,且透過適當的托架(未圖示)而被固定。如圖6(B)所示,於吸引工作台98的下表面配置有多孔質之圓形狀吸附夾頭104,此吸附夾頭104是透過從吸引工作台98的上表面朝上方延伸的圓筒狀流路構件106而連接到吸引機構(未圖示)。又,吸附夾頭104的下表面是對齊於分割機構96的圓筒部94的下端。並且,在吸引工作台98中,是形成為以分割機構96將晶圓10分割成一個個的晶片後,以吸引機構在吸附夾頭104的下表面生成吸引力,藉此對已分割成晶片的晶圓10進行吸引保持而將晶片與晶片之間隔維持在晶圓10的分割時之間隔。
在圖示之實施形態中,是如圖5(C)所示,膠帶收縮機構100包含從框架升降機構84的基台86的上表面朝上方延伸的複數根支柱108、與連結於複數根支柱108的上端的環狀的加熱器110。形成為從加熱器110的上表面朝向上方噴出暖風,此暖風是將加熱器110之上端中的溫度設定為例如250℃。
並且,在膠帶收縮機構100中,是形成為:在藉由分割機構96將晶圓10分割成一個個的晶片之後,藉由吸引工作台98吸引保持已分割成晶片之晶圓10而以維持了晶片與晶片之間隔的狀態,藉由已支撐在框架升降機構84的框架16下降之時從加熱器110噴出暖風之作法,對晶圓10與框架16之間的已鬆弛的黏著膠帶18加熱來使其收縮。
如圖1所示,晶圓分割裝置2具備第二搬送機構112,前述第二搬送機構112是將藉由第二搬出入機構64而從第三暫時接收機構72被搬出到第二暫時接收機構62且黏著膠帶18為已收縮之狀態的框架16搬送至第一暫時接收機構36。
參照圖1及圖7來說明第二搬送機構112。第二搬送機構112包含與第一搬送機構44的殼體46在X軸方向上隔著間隔並透過適當的托架(未圖示)而固定且在Y軸方向上延伸的殼體114、在Y軸方向上移動自如地支撐在殼體114的Y軸可動構件116、使Y軸可動構件116在Y軸方向上移動的Y軸進給機構(未圖示)、在Z軸方向上移動自如地支撐在Y軸可動構件116的Z軸可動構件118、及使Z軸可動構件118在Z軸方向上移動的Z軸進給機構(未圖示)。Y軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於Y軸可動構件116且在Y軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達,且Z軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於Z軸可動構件118且在Z軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達。
如圖7所示,第二搬送機構112更包含保持部120,前述保持部120是保持已支撐在第二暫時接收機構62的框架16。此保持部120具有連結於Z軸可動構件118的下端之基板122、及設置於基板122的下表面的複數個吸引墊124,且各吸引墊124是連接於吸引機構(未圖示)。
並且,在第二搬送機構112中,是形成為藉由使吸引機構作動而在吸引墊124生成吸引力,而以保持部120的吸引墊124吸引保持已藉由第二搬出入機構64從第三暫時接收機構72搬出至第二暫時接收機構62且黏著膠帶18已收縮之框架16。又,第二搬送機構112是形成為藉由以Y軸進給機構使Y軸可動構件116移動,並且以Z軸進給機構使Z軸可動構件118移動,而將以保持部120所吸引保持的框架16從第二暫時接收機構62搬送到第一暫時接收機構36。
如圖3所示,較佳的是,晶圓分割裝置2更具備洗淨機構126、及第三搬出入機構128,前述洗淨機構126是在與片匣工作台4相反側配設成隔著第一暫時接收機構36且洗淨被框架16所支撐的晶圓10,前述第三搬出入機構128是將已搬送到第一暫時接收機構36之支撐有晶圓10的框架16搬入洗淨機構126、或者從洗淨機構126搬出框架16。
在圖示之實施形態中,如圖3所示,第三搬出入機構128是由氣體驅動式的一對保持片130所構成,前述一對保持片130是在第一搬出入機構26的Z軸可動構件32的前端側的X軸方向另一側端面(在圖3中為後側的端面),並在Z軸方向上隔著間隔而裝設。又,一對保持片130是構成為可將彼此之間隔擴張自如且縮小自如。
並且,在第三搬出入機構128中,是形成為藉由以第一搬出入機構26的X軸進給機構及Z軸進給機構使X軸可動構件30及Z軸可動構件32移動,而調整一對保持片130的X軸方向位置及Z軸方向位置後,藉由縮小一對保持片130的間隔,而以一對保持片130來保持已搬送到第一暫時接收機構36之支撐有晶圓10的框架16。如藉由參照圖3而可理解地,一對保持片130比第一搬出入機構26的一對把持片34更大,因而和把持片34相比較可以更確實地保持框架16。又,第三搬出入機構128是形成為藉由使第一搬出入機構26之X軸進給機構及Z軸進給機構作動,而使以一對保持片130所保持之框架16從第一暫時接收機構36搬入到洗淨機構126,並且將框架16從洗淨機構126搬出到第一暫時接收機構36。
再者,圖示之實施形態的第三搬出入機構128雖然是共用第一搬出入機構26之殼體28、X軸可動構件30、X軸進給機構、Z軸可動構件32及Z軸進給機構,但亦可具備與第一搬出入機構26不同的殼體、X軸可動構件、X軸進給機構、Z軸可動構件及Z軸進給機構。
參照圖8(A)及圖8(B)來說明洗淨機構126。洗淨機構126包含保持部132與馬達134,前述保持部132是保持藉由第三搬出入機構128所搬入的框架16,前述馬達134使保持部132旋轉。保持部132具有透過適當的托架(未圖示)而旋轉自如地被支撐的圓盤狀的保持板136、配置於保持板136的下表面且連接於吸引機構(未圖示)的多孔質的圓形狀吸附夾頭138、及附設在保持板136的周緣之複數個夾具140。馬達134是配置於保持板136的上方,且從馬達134朝下方延伸的旋轉軸142是連接於保持板136的上表面。又,於保持板136的下方配置有朝向保持板136的下表面噴射洗淨水的洗淨水噴射機構(未圖示)、及朝向保持板136的下表面噴射乾燥空氣之乾燥空氣噴射機構(未圖示)。
並且,在洗淨機構126中,是形成為使吸引機構作動而在吸附夾頭138生成吸引力,且在晶圓10為朝向下方的狀態下,以吸附夾頭138從黏著膠帶18側吸引保持已藉由第三搬出入機構128搬入的框架16所支撐的晶圓10,並且藉由以複數個夾具140將框架16固定於保持板136,而從第三搬出入機構128接收框架16。又,洗淨機構126可以藉由以馬達134使保持板136旋轉並且從洗淨水噴射機構噴射洗淨水而洗淨晶圓10,並且能夠以因保持板136的旋轉所形成的離心力來從晶圓10去除洗淨水。此外,洗淨機構126可以藉由從乾燥空氣噴射機構噴射乾燥空氣,而將未能以保持板136之旋轉所形成的離心力來完全去除的洗淨水從晶圓10去除而使晶圓10乾燥。
在圖示之實施形態中,是如圖3所示,晶圓分割裝置2更具備透明工作台144、第二翻轉機構146、升降機構148及工作台移動機構150,前述透明工作台144是配置在第一暫時接收機構36的正下方,並具備有大小對應於晶圓10的大小之透明板,前述第二翻轉機構146是具備配置於透明工作台144的上部並保持框架16的保持部,且進行180度旋轉來讓框架16的正面、背面翻轉並將框架16載置於透明工作台144,其中前述框架16是藉由第三搬出入機構128搬出到第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的框架16,前述升降機構148是使第二翻轉機構146在透明工作台144與第一暫時接收機構36之間升降,前述工作台移動機構150是使載置有框架16的透明工作台144從第一暫時接收機構36的正下方朝第二暫時接收機構62的方向移動,其中前述框架16是已藉由第二翻轉機構146讓正面、背面翻轉且晶圓10為朝向上方之狀態的框架16。
參照圖9(A)及圖9(B),針對透明工作台144進行說明。透明工作台144是形成為矩形板狀,且在Y軸方向上移動自如地搭載在一對導軌152上,前述一對導軌152是在X軸方向上隔著間隔而配置且在Y軸方向上延伸。在透明工作台144的中央部分配置有比晶圓10之大小稍微大的圓形狀的透明板154(例如玻璃板)。又,於透明工作台144形成有連接到吸引機構(未圖示)的複數個框架吸引孔156,且複數個框架吸引孔156是配置在透明板154的周圍。並且,在透明工作台144中,是形成為藉由以吸引機構在框架吸引孔156生成吸引力,而對已載置於透明工作台144的上表面的框架16進行吸引保持。再者,在透明工作台144當中,透明板154以外的部分並未透明。
如圖9(B)所示,工作台移動機構150具有將螺帽部158a連結於透明工作台144且於Y軸方向上延伸的滾珠螺桿158、及使滾珠螺桿158旋轉的馬達160。並且,在工作台移動機構150中,是形成為藉由滾珠螺桿158將馬達160的旋轉運動轉換成直線運動並傳達至透明工作台144,而從第一暫時接收機構36的正下方沿著一對導軌152朝第二暫時接收機構62的方向(Y軸方向)來移動透明工作台144。
參照圖10針對升降機構148進行說明。升降機構148包含在Z軸方向上延伸的殼體162、在Z軸方向上移動自如地支撐於殼體162的Z軸可動構件164、及使Z軸可動構件164在Z軸方向上升降的Z軸進給機構(未圖示)。Z軸進給機構宜為以下之構成:具有連結於Z軸可動構件164且在Z軸方向上延伸的滾珠螺桿、及使此滾珠螺桿旋轉的馬達。
如圖3及圖10所示,第二翻轉機構146包含裝設於升降機構148的Z軸可動構件164之前端的旋轉軸支撐構件166、旋轉自如地支撐於旋轉軸支撐構件166且在X軸方向上延伸的旋轉軸168、以在X軸方向上延伸的軸線為中心來使旋轉軸168旋轉的馬達(未圖示)、及配設於透明工作台144的上部且保持框架16的保持部170,其中前述框架16是藉由第三搬出入機構128搬出到第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的框架16。
參照圖10且繼續關於第二翻轉機構146的說明。第二翻轉機構146的保持部170具有連結於旋轉軸168的前端的基板172、設置於基板172的一面的複數個吸引墊174、及設置於基板172的另一面的複數個吸引墊176,且各吸引墊174、176是連接到吸引機構(未圖示)。在圖示之實施形態的第二翻轉機構146的保持部170中,是藉由設置於基板172的一面的複數個吸引墊174而構成一邊的保持部,並藉由設置於基板172的另一面的複數個吸引墊176而構成有另一邊的保持部。以下,不僅對基板172的一面的吸引墊連對一邊的保持部也是附加符號174來說明,又,不僅對基板172的另一面的吸引墊連對另一邊的保持部也是附加符號176來說明。
並且,在第二翻轉機構146中,是形成為藉由使吸引機構作動而使其對一邊的保持部174或另一邊的保持部176生成吸引力,而以一邊的保持部174或另一邊的保持部176來吸引保持藉由第三搬出入機構128搬出至第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的框架16。
又,升降機構148是形成為藉由以Z軸進給機構使Z軸可動構件164升降,而使第二翻轉機構146在透明工作台144與第一暫時接收機構36之間升降。
如圖1及圖3所示,在第二暫時接收機構62的下方配設有腔室178,前述腔室178是覆蓋藉由工作台移動機構150而移動之已載置在透明工作台144的框架16所支撐的晶圓10,且供給有非活性氣體。
腔室178具有圓形頂面壁180、從頂面壁180的周緣垂下之圓筒狀的裙壁182、以及從頂面壁180的上表面中央部分朝上方延伸之圓筒狀的非活性氣體供給部184。於頂面壁180的周緣側部分形成有複數個大氣開放孔186,且非活性氣體供給部184是連接到非活性氣體供給機構(未圖示)。又,腔室178是升降自如地支撐於適當的托架(未圖示),且對腔室178連接有讓腔室178升降的腔室升降機構(未圖示)。腔室升降機構可由連結於頂面壁180的汽缸或電動汽缸所構成。
並且,在腔室178中,是形成為當藉由工作台移動機構150將透明工作台144移動到腔室178的下方後,即藉由腔室升降機構而下降,並藉由頂面壁180及裙壁182來覆蓋已載置於透明工作台144之框架16所支撐的晶圓10。又,腔室178是形成為藉由在覆蓋晶圓10後,從非活性氣體供給機構對腔室178內供給非活性氣體(例如氮氣(N2
)氣體),而可以從大氣開放孔186排出腔室178內的氧(O2
)。
如圖1及圖3所示,在腔室178的下方,配設有對貼附於框架16之黏著膠帶18照射紫外線的紫外線照射機構188。紫外線照射機構188包含筐體190、配置於筐體190的上表面的圓形狀的透明板192 (例如玻璃板)、及配置於透明板192的下方且照射紫外線的紫外線光源(未圖示)。透明板192的大小比晶圓10的大小更大一些。
並且,在紫外線照射機構188中,是形成為藉由腔室178覆蓋已載置在透明工作台144之框架16所支撐的晶圓10,且接著對腔室178內供給非活性氣體後,從紫外線光源對貼附於框架16的黏著膠帶18照射紫外線,而使黏著膠帶18的黏著力降低。藉此,在從黏著膠帶18拾取晶片的步驟中,能夠順暢地拾取晶片。又,在圖示之實施形態中,由於是對腔室178內供給非活性氣體,且從腔室178內排出氧氣,因此可以抑制因黏著膠帶18之黏著層與氧氣的反應而變得容易維持黏著層的黏著性之情形,而可有效地降低黏著膠帶18的黏著力。
接著,使用如上述之晶圓分割裝置2來說明將貼附於黏著膠帶18而支撐在框架16的開口部16a之晶圓10沿著分割預定線12分割成對應於各個元件14之一個個的晶片之晶圓分割方法。
在使用晶圓分割裝置2之晶圓分割方法中,首先,是實施片匣載置步驟,前述片匣載置步驟是將容置有複數個晶圓10的片匣8載置於片匣工作台4,其中前述晶圓10是貼附於黏著膠帶18而支撐在框架16的開口部16a。在片匣8內,晶圓10的正面10a向上,而為晶圓10位於上側,黏著膠帶18位於下側。又,如上述,在片匣8內的晶圓10中,沿著分割預定線12形成有強度已降低之作為分割起點的改質層。
在實施片匣載置步驟後,實施第一搬入步驟,前述第一搬入步驟是以第一搬出入機構26的一對把持片34從載置於片匣工作台4的片匣8將框架16把持並搬入到第一暫時接收機構36。
在第一搬入步驟中,首先是以第一搬出入機構26的X軸進給機構及Z軸進給機構使X軸可動構件30及Z軸可動構件32移動,而將一對把持片34定位到片匣8內的任意的框架16的端部。接著,在以一對把持片34把持框架16的端部之後,以第一搬出入機構26的X軸進給機構使框架16朝X軸方向移動,而將框架16從載置於片匣工作台4的片匣8搬入到第一暫時接收機構36。並且,解除由一對把持片34所進行之框架16的把持,使框架16支撐於第一暫時接收機構36。再者,第一搬入步驟之時,是將一對第一導軌38定位在可支撐框架16的支撐位置上。又,在將框架16支撐於第一暫時接收機構36之時,晶圓10位於上側,且黏著膠帶18位於下側。
實施第一搬入步驟之後,實施第一翻轉步驟,前述第一翻轉步驟是以第一翻轉機構42的保持部54來保持已支撐在第一暫時接收機構36的框架16,並且讓X軸方向的旋轉軸52進行180度旋轉,來讓框架16的正面、背面翻轉。
在第一翻轉步驟中,首先是以第一搬送機構44的Y軸進給機構及Z軸進給機構來移動Y軸可動構件48及Z軸可動構件50,並將第一翻轉機構42之已讓吸引墊58朝向上方的保持部54定位到第一暫時接收機構36的下方。接著,實施前述之第一搬入步驟,之後,以第一搬送機構44之Z軸進給機構來使保持部54上升,以使吸引墊58密合於框架16。接著,使連接於吸引墊58的吸引機構作動而在吸引墊58生成吸引力,並以吸引墊58來吸引保持框架16。接著,以第一搬送機構44的Z軸進給機構使保持部54進一步上升,使以吸引墊58所吸引保持的框架16從第一暫時接收機構36朝上方遠離。並且,以第一翻轉機構42的馬達使旋轉軸52進行180度旋轉,使以吸引墊58所吸引保持的框架16的正面、背面翻轉。藉此,成為晶圓10的正面10a朝向下方之情形,而為晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
在實施第一翻轉步驟之後,實施第一搬送步驟,前述第一搬送步驟是以第一搬送機構44使第一翻轉機構42在Y軸方向上移動,來搬送以第一翻轉機構42的保持部54所保持的框架16並使其支撐於第二暫時接收機構62。
在第一搬送步驟中,首先是以第一搬送機構44的Y軸進給機構使第一翻轉機構42在Y軸方向上移動,而將第一翻轉機構42的保持部54搬送至第二暫時接收機構62的上方。接著,以第一搬送機構44的Z軸進給機構使保持部54下降,而使以保持部54的吸引墊58所吸引保持的框架16接觸於第二暫時接收機構62的第二導軌60的框架保持面60a。接著,使連接於吸引墊58之吸引機構的作動停止以解除吸引墊58的吸引力,並使第二暫時接收機構62支撐框架16。再者,將框架16支撐於第二暫時接收機構62之時,晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
在實施第一搬送步驟之後,實施第二搬入步驟,前述第二搬入步驟是以第二搬出入機構64的一對把持片70來把持已支撐在第二暫時接收機構62的框架16並朝X軸方向移動,而將框架16從第二暫時接收機構62搬入到第三暫時接收機構72。
在第二搬入步驟中,首先,是以第二搬出入機構64的X軸進給機構使X軸可動構件68移動,並將一對把持片70定位到已支撐在第二暫時接收機構62的框架16的端部。接著,在以一對把持片70把持框架16的端部之後,以第二搬出入機構64的X軸進給機構使框架16朝X軸方向移動,而將框架16從第二暫時接收機構62搬入到第三暫時接收機構72的上層導軌部80或下層導軌部82。並且,解除由一對把持片70所進行之框架16的把持,而使框架16支撐於上層導軌部80或下層導軌部82。再者,第二搬入步驟之時,上層導軌部80或下層導軌部82是定位在可支撐框架16的支撐位置,並且是定位在與第二暫時接收機構62的第二導軌60的保持面60a相同的高度。又,已將框架16支撐於第三暫時接收機構72之時,晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
已實施第二搬入步驟之後,實施分割步驟,前述分割步驟是以框架升降機構84支撐已支撐在第三暫時接收機構72的框架16並使其朝Z軸方向上升,且以分割機構96的圓筒部94將位於框架16與晶圓10之間的黏著膠帶18擴張,而將晶圓10沿著分割預定線12分割成按每個元件14的一個個的晶片。
在分割步驟中,首先,是以第三暫時接收機構72的導軌作動部76將一對第三導軌74之間隔擴大,並且使框架支撐部90上升,而將框架16從第三暫時接收機構72交接到框架升降機構84的框架支撐部90。接著,如圖11所示,以複數個夾具92將框架16固定於框架支撐部90。接著,藉由使框架升降機構84的升降部88作動,並使固定於框架支撐部90的框架16朝Z軸方向上升,而如圖12所示,以分割機構96的圓筒部94將位於框架16與晶圓10之間的黏著膠帶18擴張而使晶圓10沿著分割預定線12分割成按每個元件14的一個個的晶片。在圖示之實施形態中,是如圖11及圖12所示,在分割步驟中,晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。如此,藉由以貼附於黏著膠帶18之晶圓10為朝向下方之狀態來對晶圓10賦與外力而分割成一個個的晶片,在將晶圓10分割成一個個的晶片時不會有飛散之粉塵附著到晶片的正面之情形,而可以防止晶片的品質的降低。
實施分割步驟後,實施吸引步驟,前述吸引步驟是以吸引工作台98對已分割成按每個元件14的晶片之晶圓10進行吸引保持,以維持晶片與晶片之間隔。
在吸引步驟中,是在吸引工作台98的吸附夾頭104的下表面生成吸引力,而以吸引工作台98對已分割成按每個元件14的晶片之晶圓10進行吸引保持。藉此,可以將晶片與晶片之間隔維持在將晶圓10分割成晶片時之間隔。
實施吸引步驟之後,實施膠帶收縮步驟,前述膠帶收縮步驟是在以吸引工作台98原樣吸引保持已分割成晶片之晶圓10的狀態下,以膠帶收縮機構100對已分割成晶片之晶圓10與框架16之間的已鬆弛的黏著膠帶18加熱而使其收縮。
在膠帶收縮步驟中,首先是以框架升降機構84的升降部88使框架支撐部90下降,而如圖13所示,使框架16的高度對齊於已分割成晶片之晶圓10的高度。此時,繼續進行以吸引工作台98吸引保持已分割成晶片之晶圓10的狀態,而將晶片與晶片之間隔維持在晶圓10的分割時之間隔。接著,從膠帶收縮機構100的加熱器110的上表面朝向上方噴出暖風,而對已分割成晶片之晶圓10與框架16之間的已鬆弛的黏著膠帶18加熱來使其收縮。藉此,如圖14所示,即使解除吸引工作台98的吸引力,仍然可將晶片與晶片之間隔維持在晶圓10的分割時之間隔。
在實施膠帶收縮步驟之後,實施第一搬出步驟,前述第一搬出步驟是將黏著膠帶18已收縮之框架16從框架升降機構84搬出至第二暫時接收機構62。
在第一搬出步驟中,首先,是以第三暫時接收機構72的導軌升降部使一對第三導軌74升降,而使上層導軌部80的高度對齊於框架16的高度。接著,解除由複數個夾具92所進行之框架16的固定。接著,藉由以導軌作動部76將一對第三導軌74之間隔從通過位置變窄到支撐位置,而將框架16從框架升降機構84的框架支撐部90交接至第三暫時接收機構72的上層導軌部80。
接著,藉由以第二搬出入機構64的X軸進給機構使X軸可動構件68移動,來將一對把持片70定位到已支撐於第三暫時接收機構72的框架16的端部。接著,在以一對把持片70把持框架16的端部之後,以第二搬出入機構64的X軸進給機構使框架16在X軸方向上移動,而將框架16從第三暫時接收機構72搬出至第二暫時接收機構62。然後,解除由一對把持片70所進行之框架16的把持,並使框架16支撐於第二暫時接收機構62。再者,將框架16支撐於第二暫時接收機構62之時,晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
再者,亦可設成:在將框架16從第二暫時接收機構62搬入至第三暫時接收機構72的上述第二搬入步驟中,將定位在第二暫時接收機構62且支撐有分割成晶片前的晶圓10的框架16,藉由第二搬出入機構64從第二暫時接收機構62搬入至第三暫時接收機構72的上層導軌部80,並且在藉由框架升降機構84使已支撐在上層導軌部80的框架16上升並藉由分割機構96將晶圓10分割成晶片後,在上述之第一搬出步驟中,使支撐有已分割成晶片之晶圓10的框架16支撐於下層導軌部82。又,亦可設成:將已定位在第二暫時接收機構62且支撐有分割成晶片前之下一個晶圓10(下一個實施分割步驟之晶圓10)的框架16,藉由第二搬出入機構64從第二暫時接收機構62搬入至第三暫時接收機構72的下層導軌部82,並且藉由第二搬出入機構64將支撐於上層導軌部80且支撐有已分割成晶片之晶圓10的框架16搬出至第二暫時接收機構62。
若詳細說明,即讓支撐有已分割成晶片之晶圓10的框架16支撐在上層導軌部80,並且以一對把持片70把持已定位在第二暫時接收機構62之支撐有分割前之下一個晶圓10的框架16,並搬入已定位在與第二暫時接收機構62的第二導軌60之保持面60a相同高度的第三暫時接收機構72的下層導軌部82。接著,以第三暫時接收機構72的導軌升降部使一對第三導軌74下降,並使上層導軌部80對齊於第二暫時接收機構62的第二導軌60的框架保持面60a。並且,以一對把持片70把持支撐於上層導軌部80之支撐有分割後之晶圓10的框架16,並從第三暫時接收機構72的上層導軌部80搬出至第二暫時接收機構62。藉由像這樣進行,不會有第二搬出入機構64的X軸可動構件68在一對把持片70未把持有框架16的狀態下移動之情形,而可以謀求生產性的提升。
在實施第一搬出步驟後,實施第二搬送步驟,前述第二搬送步驟是藉由第二搬送機構112將框架16搬送到第一暫時接收機構36,其中前述框架16是藉由第二搬出入機構64從第三暫時接收機構72搬出至第二暫時接收機構62且黏著膠帶18已收縮之框架16(支撐有分割後之晶圓10的框架16)。
在第二搬送步驟中,首先,是以第二搬送機構112的Y軸進給機構使Y軸可動構件116移動,而將第二搬送機構112的保持部120定位到已支撐在第二暫時接收機構62的框架16的上方。接著,以第二搬送機構112的Z軸進給機構使保持部120下降,且使吸引墊124密合於框架16,並且以吸引墊124吸引保持框架16。接著,以第二搬送機構112的Z軸進給機構使保持部120上升,且使以吸引墊124所吸引保持的框架16從第二暫時接收機構62朝上方遠離。
接著,以第二搬送機構112的Y軸進給機構將保持部120定位到第一暫時接收機構36的上方。接著,以第二搬送機構112的Z軸進給機構使保持部120下降,而使以吸引墊124所吸引保持的框架16接觸於第一暫時接收機構36。接著,解除吸引墊124的吸引力,使框架16支撐於第一暫時接收機構36。再者,在將框架16支撐於第一暫時接收機構36之時,已分割成晶片之晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
在圖示之實施形態中,已實施第二搬送步驟之後,實施第三搬入步驟,前述第三搬入步驟是將已搬送至第一暫時接收機構36之支撐有晶圓10的框架16搬入洗淨機構126。再者,在省略以洗淨機構126所進行之晶圓10的洗淨的情況下,亦可設成在實施第二搬送步驟之後,將已搬送到第一暫時接收機構36之框架16以第一搬出入機構26搬出至片匣8。
在第三搬入步驟中,首先是以第一搬出入機構26之X軸進給機構及Z軸進給機構使X軸可動構件30及Z軸可動構件32移動,並將第三搬出入機構128之一對保持片130定位到可保持已搬送到第一暫時接收機構36的框架16的位置上。接著,在以一對保持片130保持框架16之後,以第一搬出入機構26的X軸進給機構及Z軸進給機構將框架16朝X軸方向及Z軸方向移動,並將框架16從第一暫時接收機構36搬入到洗淨機構126的保持部132的下表面。此時,可將已被分割成晶片之晶圓10定位在保持部132的吸附夾頭138的下表面。接著,以吸附夾頭138從黏著膠帶18側吸引保持晶圓10,並且以複數個夾具140將框架16固定於保持板136。並且,解除由一對保持片130所進行之框架16的保持,使晶圓10及框架16保持在保持部132。再者,已將晶圓10及框架16保持在保持部132時,晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
已實施第三搬入步驟後,實施對已分割成晶片之晶圓10進行洗淨的洗淨步驟。
在洗淨步驟中,首先,是以馬達134使保持板136旋轉,並且從洗淨水噴射機構朝向已分割成晶片的晶圓10噴射洗淨水。藉此,能夠洗淨晶圓10,並且能夠以保持板136的旋轉所形成的離心力來從晶圓10去除洗淨水。接著,可以藉由以馬達134使保持板136旋轉,並且從乾燥空氣噴射機構朝向晶圓10噴射乾燥空氣,而從晶圓10去除未能以由保持板136的旋轉所形成的離心力來完全去除的洗淨水並使晶圓10乾燥。因為如此的洗淨步驟是在使晶圓10朝向下方的狀態下實施,所以不會有洗淨步驟時所產生的髒污殘留於晶片之情形。
實施洗淨步驟之後,實施第二搬出步驟,前述第二搬出步驟是將支撐有洗淨完畢之晶圓10的框架16從洗淨機構126搬出至第一暫時接收機構36。
在第二搬出步驟中,首先是以第一搬出入機構26之X軸進給機構及Z軸進給機構使X軸可動構件30及Z軸可動構件32移動,並將第三搬出入機構128之一對保持片130定位到可保持已保持在洗淨機構126的保持部132的框架16的位置上。接著,以一對保持片130保持框架16。接著,解除洗淨機構126的保持部132的吸附夾頭138的吸引力,並且解除由複數個夾具140所進行之框架16的固定,而將框架16交接至第三搬出入機構128。接著,以第一搬出入機構26的X軸進給機構及Z軸進給機構使框架16在X軸方向及Z軸方向上移動,而將框架16從洗淨機構126搬出到第一暫時接收機構36。並且,解除由一對保持片130所進行之框架16的保持,而使框架16支撐於第一暫時接收機構36。再者,在將框架16支撐於第一暫時接收機構36之時,晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側。
已實施第二搬出步驟之後,實施第二翻轉步驟,前述第二翻轉步驟是以第二翻轉機構146的保持部170來保持有已藉由第三搬出入機構128搬出到第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的框架16,並且讓X軸方向的旋轉軸168進行180度旋轉來讓框架16的正面、背面翻轉並將框架16載置於透明工作台144上。
在第二翻轉步驟中,首先,是以升降機構148使位於第一暫時接收機構36的下方之第二翻轉機構146上升,且使一邊的保持部174或另一邊的保持部176密合於第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的框架16,並且以一邊的保持部174或另一邊的保持部176來吸引保持框架16。接著,以第一暫時接收機構36的導軌開閉部40將一對第一導軌38的間隔擴大至容許框架16之Z軸方向的通過的容許位置,並將框架16從第一暫時接收機構36交接至第二翻轉機構146。接著,以第二翻轉機構146的馬達使旋轉軸168進行180度旋轉,來讓以一邊的保持部174或另一邊的保持部176所吸引保持之框架16的正面、背面翻轉。藉此,成為晶圓10之正面10a朝向上方,而為晶圓10位於上側,且黏著膠帶18位於下側之情形。接著,以升降機構148使第二翻轉機構146下降,且使框架16接觸於已位於第一暫時接收機構36的正下方之透明工作台144的上表面。此時,已分割成晶片之晶圓10是位於透明工作台144的透明板154的上方。其次,解除一邊的保持部174或另一邊的保持部176之吸引力,以將框架16載置於透明工作台144。並且,在透明工作台144的框架吸引孔156生成吸引力,而在透明工作台144的上表面吸引保持框架16。
在實施第二翻轉步驟後,實施第一工作台移動步驟,前述第一工作台移動步驟是藉由工作台移動機構150使載置有已藉由第二翻轉機構146來讓正面、背面翻轉而晶圓10為朝向上方之狀態的框架16的透明工作台144從第一暫時接收機構36的正下方朝第二暫時接收機構62的方向移動,而定位到腔室178的下方且紫外線照射機構188的上方。
在實施第一工作台移動步驟後,實施非活性氣體供給步驟,前述非活性氣體供給步驟是以腔室178覆蓋框架16所支撐之晶圓10,且將非活性氣體供給到腔室178內,其中前述框架16是載置在藉由工作台移動機構150而移動之透明工作台144上。
在非活性氣體供給步驟中,首先,是以腔室升降機構使腔室178下降,而如圖15所示,使腔室178的裙壁182的下端接觸於透明工作台144的上表面。藉此,可以將已載置在透明工作台144的框架16所支撐之晶圓10以頂面壁180及裙壁182來覆蓋。接著,使非活性氣體供給機構作動,而將非活性氣體(例如氮氣(N2
)氣體)供給至腔室178內,且從大氣開放孔186排出腔室178內的氧(O2
)。
在實施非活性氣體供給步驟之後,實施對被貼附在框架16之黏著膠帶18照射紫外線的紫外線照射步驟。
在紫外線照射步驟中,是從紫外線照射機構188之紫外線光源對貼附在框架16的黏著膠帶18照射紫外線,而使黏著膠帶18的黏著力降低。藉此,在從黏著膠帶18拾取晶片的步驟中,能夠順暢地拾取晶片。又,在圖示之實施形態中,由於是對腔室178內供給非活性氣體,且從腔室178內排出氧氣,因此可以抑制黏著膠帶18的黏著層與氧氣的反應所造成之變得易於維持黏著層的黏著性之情形,而可有效地降低黏著膠帶18的黏著力。並且,在使黏著膠帶18的黏著力降低後,停止對腔室178內的非活性氣體的供給,並且以腔室升降機構使腔室178上升。
已實施紫外線照射步驟後,實施第二工作台移動步驟,前述第二工作台移動步驟是藉由工作台移動機構150將載置有框架16之透明工作台144,定位到第一暫時接收機構36的正下方,其中前述框架16是藉由紫外線照射機構188而朝黏著膠帶18照射紫外線且晶圓10為朝向上方之狀態的框架16。
在實施第二工作台移動步驟之後,實施第三翻轉步驟,前述第三翻轉步驟是以第二翻轉機構146的保持部170來保持已載置於透明工作台144的框架16,並且將X軸方向的旋轉軸168進行180度旋轉而讓以保持部170所保持的框架16保持到第一翻轉機構42。
在第三翻轉步驟中,首先,是以升降機構148使第二翻轉機構146下降,且使第二翻轉機構146的一邊的保持部174或另一邊的保持部176密合於已載置在透明工作台144的框架16,並且以一邊的保持部174或另一邊的保持部176來吸引保持框架16。接著,解除透明工作台144的框架吸引孔156的吸引力。接著,以升降機構148使第二翻轉機構146上升至可使第二翻轉機構146的保持部170進行180度旋轉的程度。接著,以第二翻轉機構146的馬達使旋轉軸168進行180度旋轉,來讓以一邊的保持部174或另一邊的保持部176所吸引保持之框架16的正面、背面翻轉。藉此,成為晶圓10的正面10a為朝向下方之情形,而成為晶圓10位於下側,且黏著膠帶18位於上側之情形。
接著,以第一搬送機構44的Y軸進給機構將第一翻轉機構42定位到保持有晶圓10之第二翻轉機構146的上方,並且將第一翻轉機構42的吸引墊58朝向下方。接著,以第一搬送機構44的Z軸進給機構使第一翻轉機構42下降,且使第一翻轉機構42的吸引墊58密合於已保持在第二翻轉機構146的框架16,並且以吸引墊58來吸引保持框架16。第一翻轉機構42下降之時,第一暫時接收機構36的第一導軌38是藉由導軌開閉部40,而定位在容許框架16之Z軸方向的通過之容許位置,第一翻轉機構42是通過一對第一導軌38之間。並且,解除第二翻轉機構146的一邊的保持部174或另一邊的保持部176的吸引力,並使框架16保持於第一翻轉機構42。
再者,在上述之第三翻轉步驟中,亦可設成:在藉由工作台移動機構150來將載置有被紫外線照射機構188朝黏著膠帶18照射紫外線且晶圓10為朝向上方之狀態的框架16之透明工作台144,定位至第一暫時接收機構36的正下方時,以第二翻轉機構146的一邊的保持部174來保持已載置於透明工作台144的框架16(支撐有已實施紫外線照射步驟之晶圓10的框架16),並且以第二翻轉機構146的另一邊的保持部176來保持已支撐於第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的下一個框架16(支撐有下一個實施紫外線照射步驟之晶圓10的框架16),並將X軸方向的旋轉軸168進行180度旋轉來讓以一邊的保持部174所保持的框架16保持到第一翻轉機構42,且讓以另一邊的保持部176所保持的下一個框架16載置到透明工作台144。
若詳細說明,即首先使第二翻轉機構146的另一邊的保持部176朝向上方,並以升降機構148使第二翻轉機構146上升,而使另一邊保持部176密合於已支撐在第一暫時接收機構36之支撐有洗淨完畢之晶圓10的下一個框架16,並且以另一邊的保持部176吸引保持下一個框架16。接著,以第一暫時接收機構36的導軌開閉部40將一對第一導軌38的間隔擴大至容許框架16之Z軸方向的通過的容許位置,並將框架16從第一暫時接收機構36交接至第二翻轉機構146。接著,以升降機構148使第二翻轉機構146下降,且使第二翻轉機構146的一邊的保持部174密合於已載置在透明工作台144的框架16,並且以一邊的保持部174吸引保持框架16。接著,以升降機構148使第二翻轉機構146上升至可使第二翻轉機構146的保持部170進行180度旋轉的程度。
接著,以第二翻轉機構146的馬達使旋轉軸168進行180度旋轉,而將以一邊的保持部174所吸引保持的框架16定位於上側,並且將以另一邊的保持部176所吸引保持的框架16定位於下側。接著,以升降機構148使第二翻轉機構146下降,且使以另一邊的保持部176所吸引保持之框架16接觸於位於第一暫時接收機構36的正下方之透明工作台144的上表面。接著,解除另一邊的保持部176的吸引力,而將框架16載置於透明工作台144。
接著,以第一搬送機構44的Z軸進給機構使第一翻轉機構42下降,而使第一翻轉機構42的吸引墊58密合於已吸引保持在第二翻轉機構146的一邊的保持部174的框架16,並且以吸引墊58來吸引保持框架16。然後,解除第二翻轉機構146的一邊的保持部174之吸引力,而使框架16保持在第一翻轉機構42。藉由如此進行,可以有效率地實施第三翻轉步驟與第二翻轉步驟,而可以謀求生產性的提升,其中前述第三翻轉步驟是針對支撐有已實施過紫外線照射步驟之晶圓10的框架16的步驟,前述第二翻轉步驟是針對支撐有下一個實施紫外線照射步驟之晶圓10的框架16的步驟。
已實施第三翻轉步驟後,實施第四翻轉步驟,前述第四翻轉步驟是以X軸方向的旋轉軸52進行180度旋轉而使以第一翻轉機構42所保持的框架16支撐於第一暫時接收機構36。
在第四翻轉步驟中,首先是以第一翻轉機構42的馬達使旋轉軸52進行180度旋轉,來讓以吸引墊58所吸引保持的框架16的正面、背面翻轉。藉此,成為晶圓10之正面10a朝向上方,而為晶圓10位於上側,且黏著膠帶18位於下側。接著,以第一搬送機構44的Z軸進給機構使第一翻轉機構42上升,使其通過已定位在容許位置的一對第一導軌38之間,並將以第一翻轉機構42所保持的框架16定位到第一暫時接收機構36的上方。接著,以導軌開閉部40將一對第一導軌38定位到支撐位置。接著,以第一搬送機構44的Z軸進給機構使第一翻轉機構42下降,且使以第一翻轉機構42所保持的框架16接觸於一對第一導軌38。並且,解除吸引墊58的吸引力,使框架16支撐於第一暫時接收機構36。
已實施第四翻轉步驟後,實施第三搬出步驟,前述第三搬出步驟是將已支撐於第一暫時接收機構36的框架16搬出至片匣8。
在第三搬出步驟中,首先是以第一搬出入機構26之X軸進給機構及Z軸進給機構使X軸可動構件30及Z軸可動構件32移動,而將一對把持片34定位到以第一暫時接收機構36所支撐的框架16的端部(遠離片匣8之側的X軸方向端部)。接著,在以一對把持片34把持框架16的端部之後,以第一搬出入機構26的X軸進給機構及Z軸進給機構使框架16朝X軸方向及Z軸方向移動,並將框架16從第一暫時接收機構36搬出到片匣8而收納。並且,解除由一對把持片34所進行之框架16的把持,使框架16支撐於片匣8。再者,於片匣8中收納有框架16時,為晶圓10位於上側,且黏著膠帶18位於下側。
如以上所述,圖示之實施形態的晶圓分割裝置2由於是以貼附於黏著膠帶18之晶圓10朝向下方之狀態來對晶圓10賦與外力而分割成一個個的晶片,因此在將晶圓10分割成一個個的晶片時不會有飛散之粉塵附著到晶片的正面之情形,而可以防止晶片的品質的降低。
再者,在晶圓分割裝置2中亦可進一步通過第二暫時接收機構62以大致平行於Y軸及Z軸之面作為基準而配設有:具有與第二搬出入機構64同樣的構成之鏡像構造的第二搬出入機構、具有與第三暫時接收機構72同樣的構成之鏡像構造的第三暫時接收機構、具有與框架升降機構84同樣的構成之鏡像構造的框架升降機構、具有與分割機構96同樣的構成之鏡像構造的分割機構、具有與吸引工作台98同樣的構成之鏡像構造的吸引工作台、及具有與膠帶收縮機構100同樣的構成之鏡像構造的膠帶收縮機構。亦即,晶圓分割裝置2亦可具備:通過第二暫時接收機構62具有相對於大致平行於Y軸及Z軸的對稱面而對稱(面對稱)之構造的2組第二搬出入機構、具有相對於此對稱面而對稱之構造的2組第三暫時接收機構、具有相對於此對稱面而對稱之構造的2組框架升降機構、具有相對於此對稱面而對稱之構造的2組分割機構、具有相對於此對稱面而對稱之構造的2組吸引工作台、及具有相對於此對稱面而對稱之構造的2組膠帶收縮機構。藉此,由於可以利用鏡像構造的2組第二搬出入機構、鏡像構造的2組第三暫時接收機構、鏡像構造的2組框架升降機構、鏡像構造的2組分割機構、鏡像構造的2組吸引工作台、及鏡像構造的2組膠帶收縮機構來並行地實施以下步驟:從第二暫時接收機構62將框架16搬入鏡像構造的第三暫時接收機構之第二搬入步驟、分割步驟、吸引步驟、膠帶收縮步驟、及將黏著膠帶18已收縮的框架16從鏡像構造的框架升降機構搬出至第二暫時接收機構62的第一搬出步驟,因此可以謀求生產性的提升。但是,各構成要件之零件等的形狀未必是面對稱亦可。亦即,鏡像構造不一定意味一對構造體是嚴密地形成面對稱,有時是意味例如將具有同樣的功能的2組構造體配置在成為面對稱的位置上。
再者,雖已說明在圖示之實施形態的晶圓分割裝置2中具有第一/第二翻轉機構42、146及第一/第二搬送機構44、112的例子,但晶圓分割裝置2亦可不包含第一翻轉機構42及第一搬送機構44。亦即,亦可形成為藉由第二翻轉機構146來實施第一翻轉步驟,並藉由第二搬送機構112來實施第一搬送步驟。具體而言,亦可形成為:在實施第一翻轉步驟之際,以第二翻轉機構146的保持部170來保持支撐於第一暫時接收機構36的框架16,且將X軸方向的旋轉軸168進行180度旋轉來讓框架16的正面、背面翻轉,又,在實施第一搬送步驟之際,藉由第二搬送機構112的保持部120從第二翻轉機構146的保持部170接收框架16,且將以保持部120保持的框架16搬送到第二暫時接收機構62來使其支撐框架16。
2:晶圓分割裝置
4:片匣工作台
4a:卡合突起
6:片匣工作台升降機構
8:片匣
8a:卡合凹處
10:晶圓
10a:晶圓的正面
10b:晶圓的背面
12:分割預定線
14:元件
16:框架
16a:框架的開口部
18:黏著膠帶
20、28、46、66、114、162:殼體
22、158:滾珠螺桿
22a、158a:螺帽部
24、134、160:馬達
26:第一搬出入機構
30、68:X軸可動構件
32、50、118、164:Z軸可動構件
34、70:把持片
36:第一暫時接收機構
38:第一導軌(第一暫時接收機構)
40:導軌開閉部(第一暫時接收機構)
42:第一翻轉機構
44:第一搬送機構
48、116:Y軸可動構件
52:旋轉軸(第一翻轉機構)
54:保持部(第一翻轉機構)
56、122、172:基板
58、124:吸引墊
60:第二導軌(第二暫時接收機構)
60a:保持面
62:第二暫時接收機構
64:第二搬出入機構
72:第三暫時接收機構
74:第三導軌(第三暫時接收機構)
76:導軌作動部(第三暫時接收機構)
78:側面壁
80:上部片(第三導軌的上層導軌部)
82:下部片(第三導軌的下層導軌部)
84:框架升降機構
86:基台
88:升降部
90:框架支撐部
91:平坦部
92、140:夾具
94:圓筒部
96:分割機構
98:吸引工作台
100:膠帶收縮機構
102:滾輪
104、138:吸附夾頭
106:流路構件
108:支柱
110:加熱器
112:第二搬送機構
120、132:保持部
126:洗淨機構
128:第三搬出入機構
130:保持片
136:保持板
142、168:旋轉軸
144:透明工作台
146:第二翻轉機構
148:升降機構
150:工作台移動機構
152:導軌
154:透明板(透明工作台)
156:框架吸引孔
166:旋轉軸支撐構件
170:保持部(第二翻轉機構)
174:吸引墊(第二翻轉機構的一邊的保持部)
176:吸引墊(第二翻轉機構的另一邊的保持部)
178:腔室
180:頂面壁
182:裙壁
184:非活性氣體供給部
186:大氣開放孔
188:紫外線照射機構
190:筐體
192:透明板
X、Y、Z:箭頭(方向)
圖1是晶圓分割裝置的立體圖。
圖2(A)是圖1所示之片匣工作台的立體圖,圖2(B)及圖2(C)是載置於此片匣工作台的片匣的立體圖。
圖3是從圖1所示之晶圓分割裝置中省略了第一翻轉機構、第一搬送機構及第二搬送機構之晶圓分割裝置的局部立體圖。
圖4是圖1所示之第一翻轉機構及第一搬送機構的立體圖。
圖5(A)是圖1所示之第二暫時接收機構、第三暫時接收機構、框架升降機構及膠帶收縮機構的立體圖,圖5(B)是框架升降機構的立體圖,圖5(C)是膠帶收縮機構的立體圖。
圖6(A)是從上方觀看圖1所示之分割機構及吸引工作台的立體圖,圖6(B)是從下方觀看吸引工作台的立體圖。
圖7是圖1所示之第二搬送機構的立體圖。
圖8(A)從下方觀看圖1所示之洗淨機構的立體圖,圖8(B)是從上方觀看洗淨機構的立體圖。
圖9(A)是圖1所示之透明工作台、工作台移動機構及紫外線照射機構的立體圖,圖9(B)是透明工作台及工作台移動機構的截面圖。
圖10是圖1所示之第二翻轉機構及升降機構的立體圖。
圖11是顯示將框架固定於框架升降機構的框架支撐部之狀態的截面圖。
圖12是顯示已將晶圓分割成按每個元件的晶片之狀態的截面圖。
圖13是顯示藉由吸引工作台來將晶片與晶片之間隔維持在晶圓的分割時之間隔,並且已將存在於框架與晶圓之間的已鬆弛之黏著膠帶加熱之狀態的截面圖。
圖14是顯示因為存在於框架與晶圓之間的黏著膠帶已被收縮,所以即使將由吸引工作台所進行之吸引解除,仍然將晶片與晶片之間隔維持在晶圓的分割時之間隔之狀態的截面圖。
圖15是正在顯示實施紫外線照射步驟之狀態的截面圖。
2:晶圓分割裝置
4:片匣工作台
4a:卡合突起
6:片匣工作台升降機構
20、28、46、66、114:殼體
22、158:滾珠螺桿
22a:螺帽部
24、134:馬達
26:第一搬出入機構
30、68:X軸可動構件
32、50、118:Z軸可動構件
34、70:把持片
36:第一暫時接收機構
38:第一導軌(第一暫時接收機構)
40:導軌開閉部(第一暫時接收機構)
42:第一翻轉機構
44:第一搬送機構
48、116:Y軸可動構件
52:旋轉軸(第一翻轉機構)
54:保持部(第一翻轉機構)
60:第二導軌(第二暫時接收機構)
62:第二暫時接收機構
64:第二搬出入機構
72:第三暫時接收機構
74:第三導軌(第三暫時接收機構)
76:導軌作動部(第三暫時接收機構)
78:側面壁
84:框架升降機構
86:基台
88:升降部
90:框架支撐部
91:平坦部
92:夾具
94:圓筒部
96:分割機構
98:吸引工作台
100:膠帶收縮機構
106:流路構件
112:第二搬送機構
120:保持部
126:洗淨機構
128:第三搬出入機構
144:透明工作台
146:第二翻轉機構
148:升降機構
150:工作台移動機構
152:導軌
154:透明板(透明工作台)
156:框架吸引孔
178:腔室
180:頂面壁
182:裙壁
184:非活性氣體供給部
186:大氣開放孔
188:紫外線照射機構
190:筐體
192:透明板
X、Y、Z:箭頭(方向)
Claims (8)
- 一種晶圓分割裝置,是將貼附於黏著膠帶而支撐在框架的開口部之晶圓沿著分割預定線分割成一個個的晶片,前述晶圓分割裝置包含: 片匣工作台,供片匣載置且可在Z軸方向上升降,前述片匣可容置複數個貼附於黏著膠帶而支撐在框架的開口部之晶圓; 第一搬出入機構,藉由把持框架並使其在正交於Z軸方向的X軸方向上移動,而將框架從載置於該片匣工作台的片匣搬出、或將框架搬入片匣; 第一暫時接收機構,具備有一對第一導軌與導軌開閉部,前述一對第一導軌是在X軸方向上延伸並支撐藉由該第一搬出入機構所搬入之框架,前述導軌開閉部是將該一對第一導軌的間隔在正交於Z軸方向與X軸方向的Y軸方向上擴大,以容許框架在Z軸方向上的通過; 翻轉機構,具備保持已支撐在該第一暫時接收機構之框架的保持部,並以在X軸方向上延伸的旋轉軸進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉; 搬送機構,使該翻轉後的框架在Y軸方向上移動; 第二暫時接收機構,具有一對第二導軌,前述一對第二導軌是在X軸方向上延伸並支撐在Y軸方向上移動的框架; 第二搬出入機構,使已支撐在該第二暫時接收機構之框架在X軸方向上移動; 第三暫時接收機構,配設在該第二暫時接收機構的X軸方向單側且具備有一對第三導軌與導軌作動部,前述一對第三導軌是在X軸方向上延伸並支撐藉由該第二搬出入機構而移動之框架,前述導軌作動部是將該一對第三導軌之間隔在Y軸方向上擴大,以容許框架在Z軸方向上的通過; 框架升降機構,配置在該第三暫時接收機構的Z軸方向下部並支撐已支撐在該第三暫時接收機構之框架且使其在Z軸方向上升降; 分割機構,配置在該第三暫時接收機構的Z軸方向上部並具備有圓筒部,前述圓筒部是在已支撐在該框架升降機構之框架上升之時,和位於框架與晶圓之間的黏著膠帶接觸,而使黏著膠帶擴張來將晶圓沿著分割預定線分割成一個個的晶片; 吸引工作台,配置在該圓筒部的內部並吸引保持已分割成晶片之晶圓而維持晶片與晶片之間隔;及 膠帶收縮機構,配置在該框架升降機構側並對已鬆弛的黏著膠帶加熱來使其收縮, 該搬送機構將藉由該第二搬出入機構而從該第三暫時接收機構搬出到該第二暫時接收機構且黏著膠帶為已收縮之狀態的框架搬送到該第一暫時接收機構。
- 如請求項1之晶圓分割裝置,其更包含洗淨機構及第三搬出入機構,前述洗淨機構在與該片匣工作台相反側配置成隔著該第一暫時接收機構,且將框架所支撐的晶圓洗淨, 前述第三搬出入機構將已搬送到該第一暫時接收機構之框架搬入該洗淨機構、或將框架從該洗淨機構搬出。
- 如請求項2之晶圓分割裝置,其更包含: 透明工作台,配置在該第一暫時接收機構的正下方,並具備有大小對應於晶圓的大小之透明板; 升降機構,使該翻轉機構在該透明工作台與該第一暫時接收機構之間升降; 工作台移動機構,使載置有已藉由該翻轉機構讓正面、背面翻轉且晶圓為朝向上方之狀態的框架之該透明工作台從該第一暫時接收機構的正下方朝該第二暫時接收機構的方向移動; 腔室,配置於該第二暫時接收機構的下方,並覆蓋載置在藉由該工作台移動機構而移動的該透明工作台上的被框架所支撐之晶圓且供給有非活性氣體;及 紫外線照射機構,配置在該腔室之下方並對貼附於框架的黏著膠帶照射紫外線, 該翻轉機構具備配置於該透明工作台的上部並保持藉由該第三搬出入機構搬出到該第一暫時接收機構之支撐有洗淨完畢之晶圓的框架的保持部,且進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉,並將框架載置於該透明工作台。
- 如請求項3之晶圓分割裝置,其中該翻轉機構具有: 第一翻轉機構,具備保持已支撐在該第一暫時接收機構之框架的保持部,並以X軸方向的旋轉軸進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉;及 第二翻轉機構,具備配置於該透明工作台的上部並保持藉由該第三搬出入機構搬出到該第一暫時接收機構之支撐有洗淨完畢之晶圓的框架的保持部,且進行180度旋轉來讓框架的正面、背面翻轉並將框架載置於該透明工作台。
- 如請求項4之晶圓分割裝置,其中該搬送機構具有: 第一搬送機構,使藉由該第一翻轉機構翻轉後的框架在Y軸方向上移動;及 第二搬送機構,將藉由該第二搬出入機構而從該第三暫時接收機構搬出到該第二暫時接收機構且黏著膠帶已收縮的框架搬送到該第一暫時接收機構。
- 如請求項4之晶圓分割裝置,其中該第二翻轉機構的保持部具有一邊的保持部和另一邊的保持部, 藉由該工作台移動機構,將載置有藉由該紫外線照射機構而對黏著膠帶照射紫外線且晶圓為朝向上方之狀態的框架的該透明工作台,定位到該第一暫時接收機構的正下方時, 該第二翻轉機構以該一邊的保持部來保持已載置在該透明工作台的框架,並以該另一邊的保持部來保持已支撐在該第一暫時接收機構之支撐洗淨完畢之晶圓的下一個框架,且進行180度旋轉來讓以該一邊的保持部所保持的框架保持於該第一翻轉機構,並將以該另一邊的保持部所保持的下一個框架載置到該透明工作台, 該第一翻轉機構以在X軸方向上延伸的旋轉軸來進行180度旋轉而讓所保持的框架支撐於該第一暫時接收機構, 該第一搬出入機構將已支撐在該第一暫時接收機構的框架搬出到該片匣。
- 如請求項1之晶圓分割裝置,其中該第三暫時接收機構的該一對第三導軌具備Z軸方向上部的上層導軌部、及Z軸方向下部的下層導軌部, 定位於該第二暫時接收機構且支撐有分割成晶片前之晶圓的框架,是藉由該第二搬出入機構而從該第二暫時接收機構搬入到該第三暫時接收機構的該上層導軌部, 於藉由該框架升降機構使已支撐於該上層導軌部的框架上升,並藉由該分割機構將晶圓分割成晶片後,支撐有已分割成晶片之晶圓的框架是支撐於該下層導軌部, 定位於該第二暫時接收機構且支撐有分割成晶片前之下一個晶圓的框架,是藉由該第二搬出入機構而從該第二暫時接收機構搬入到該第三暫時接收機構的該上層導軌部, 支撐於該下層導軌部且支撐有已分割成晶片之晶圓的框架,是藉由該第二搬出入機構而搬出到該第二暫時接收機構。
- 如請求項1之晶圓分割裝置,其包含鏡像構造的2組該第二搬出入機構、鏡像構造的2組該第三暫時接收機構、鏡像構造的2組該框架升降機構、鏡像構造的2組該分割機構、鏡像構造的2組該吸引工作台、及鏡像構造的2組該膠帶收縮機構。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018227203 | 2018-12-04 | ||
JP2018-227203 | 2018-12-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202022933A true TW202022933A (zh) | 2020-06-16 |
TWI816945B TWI816945B (zh) | 2023-10-01 |
Family
ID=70849642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW108144129A TWI816945B (zh) | 2018-12-04 | 2019-12-03 | 晶圓分割裝置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11254029B2 (zh) |
JP (2) | JP7355618B2 (zh) |
KR (1) | KR102700266B1 (zh) |
CN (1) | CN111276427B (zh) |
TW (1) | TWI816945B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7427325B2 (ja) * | 2019-06-18 | 2024-02-05 | 株式会社ディスコ | テープ貼着方法 |
TWI727860B (zh) * | 2020-07-22 | 2021-05-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 晶圓橫向撞擊測試裝置及晶圓強度測試方法 |
JP2022044269A (ja) | 2020-09-07 | 2022-03-17 | 株式会社ディスコ | 紫外線照射装置 |
JP7517936B2 (ja) * | 2020-10-01 | 2024-07-17 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2022114636A (ja) | 2021-01-27 | 2022-08-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法、及び分割装置 |
JP7542505B2 (ja) | 2021-09-22 | 2024-08-30 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及びその使用方法 |
CN113725133B (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-11 | 四川富美达微电子有限公司 | 一种引线框架进料输送装置 |
JP2023159511A (ja) | 2022-04-20 | 2023-11-01 | 株式会社ディスコ | 保持ユニット |
CN116469808A (zh) * | 2023-05-06 | 2023-07-21 | 深圳市利和兴股份有限公司 | 具有高精度检测及定位的晶圆覆膜机组件及控制方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03192753A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Sharp Corp | ウエハブレーキング装置 |
US5950643A (en) * | 1995-09-06 | 1999-09-14 | Miyazaki; Takeshiro | Wafer processing system |
JP3485816B2 (ja) * | 1998-12-09 | 2004-01-13 | 太陽誘電株式会社 | ダイシング装置 |
JP4447074B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2010-04-07 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
JP2001077057A (ja) * | 1999-09-06 | 2001-03-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | Csp基板分割装置 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP4647830B2 (ja) | 2001-05-10 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割処理方法および分割処理方法に用いるチップ間隔拡張装置 |
JP2003297793A (ja) * | 2002-04-05 | 2003-10-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び洗浄処理方法 |
JP4288392B2 (ja) | 2003-09-29 | 2009-07-01 | 株式会社東京精密 | エキスパンド方法 |
JP4303041B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2009-07-29 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの加工装置 |
JP4427396B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-03-03 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2007067278A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | エキスパンド方法及びエキスパンド装置 |
JP2007305687A (ja) | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法および分割装置 |
JP4698519B2 (ja) * | 2006-07-31 | 2011-06-08 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハマウント装置 |
JP5791866B2 (ja) | 2009-03-06 | 2015-10-07 | 株式会社ディスコ | ワーク分割装置 |
JP5409280B2 (ja) | 2009-11-09 | 2014-02-05 | 株式会社ディスコ | チップ間隔拡張方法 |
JP2012222016A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 粉塵除去方法 |
CN107768285B (zh) * | 2011-06-03 | 2021-06-22 | 豪锐恩科技私人有限公司 | 用于半导体芯片的拾取和转移及结合的方法和系统 |
JP6013806B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2014130883A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
JP6298635B2 (ja) | 2014-01-10 | 2018-03-20 | 株式会社ディスコ | 分割装置及び被加工物の分割方法 |
JP2017107921A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102016211044B4 (de) * | 2016-06-21 | 2024-02-15 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Waferbearbeitungssystem |
JP6870974B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-05-12 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
JP6765949B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2020-10-07 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6767253B2 (ja) * | 2016-12-13 | 2020-10-14 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2018094596A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6868447B2 (ja) | 2017-04-05 | 2021-05-12 | 株式会社ディスコ | 分割装置 |
JP2018181951A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6912924B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2021-08-04 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP6808295B2 (ja) * | 2017-05-08 | 2021-01-06 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
TWM556405U (zh) * | 2017-10-02 | 2018-03-01 | Wang Chuan Zhang | 晶圓切割後暫時性擴張裝置 |
JP7015668B2 (ja) * | 2017-10-11 | 2022-02-03 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割装置 |
JP6925945B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-08-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7370881B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-10-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工方法、及びウエーハ加工装置 |
-
2019
- 2019-11-27 JP JP2019213864A patent/JP7355618B2/ja active Active
- 2019-11-29 CN CN201911199414.0A patent/CN111276427B/zh active Active
- 2019-12-02 KR KR1020190158301A patent/KR102700266B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-03 TW TW108144129A patent/TWI816945B/zh active
- 2019-12-03 US US16/701,884 patent/US11254029B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-04 JP JP2020184451A patent/JP7092847B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7092847B2 (ja) | 2022-06-28 |
JP7355618B2 (ja) | 2023-10-03 |
KR20200068590A (ko) | 2020-06-15 |
CN111276427A (zh) | 2020-06-12 |
JP2020096177A (ja) | 2020-06-18 |
KR102700266B1 (ko) | 2024-08-29 |
CN111276427B (zh) | 2024-06-07 |
TWI816945B (zh) | 2023-10-01 |
US20200171707A1 (en) | 2020-06-04 |
US11254029B2 (en) | 2022-02-22 |
JP2021015998A (ja) | 2021-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW202022933A (zh) | 晶圓分割裝置 | |
JP5421825B2 (ja) | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
TWI421974B (zh) | 基板保持旋轉裝置,具備該裝置之基板洗淨裝置及基板處理裝置 | |
TWI719055B (zh) | 加工裝置的搬運機構 | |
WO2012098986A1 (ja) | 基板反転装置、基板反転方法及び剥離システム | |
JP7266953B2 (ja) | 保護部材形成方法及び保護部材形成装置 | |
WO2012026261A1 (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20150144713A (ko) | 반송 장치 | |
TWI709168B (zh) | 晶圓加工系統 | |
JP2015154063A (ja) | 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20150106833A (ko) | 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법 | |
TWI806950B (zh) | 切削裝置 | |
KR20150007957A (ko) | 성막 시스템 | |
JP5350818B2 (ja) | 研削装置 | |
JP2006186296A (ja) | ワーク支持枠体、ワーク洗浄乾燥装置及び切断装置 | |
JP7286250B2 (ja) | 保護部材形成装置 | |
JP2017079284A (ja) | レーザー加工装置 | |
JP2014103409A (ja) | 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5548535B2 (ja) | 紫外線照射装置 | |
JP2003303874A (ja) | 半導体ウエーハの搬送装置 | |
CN116913845A (zh) | 搬送垫 | |
KR20230124483A (ko) | 웨이퍼 전사 방법 및 웨이퍼 전사 장치 | |
KR20220011074A (ko) | 시트, 및 보호 부재의 형성 방법 | |
JP2010176080A (ja) | プロキシミティ露光装置、及びプロキシミティ露光装置のチャック清掃方法 | |
KR20070015771A (ko) | 웨이퍼 슬라이딩을 방지하기 위한 웨이퍼 이송장치 |