JPS5894964A - 研摩装置 - Google Patents
研摩装置Info
- Publication number
- JPS5894964A JPS5894964A JP56190121A JP19012181A JPS5894964A JP S5894964 A JPS5894964 A JP S5894964A JP 56190121 A JP56190121 A JP 56190121A JP 19012181 A JP19012181 A JP 19012181A JP S5894964 A JPS5894964 A JP S5894964A
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- Japan
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- thin plate
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Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は薄板部材の２ツピング、ポリシング加工など
に好適する研摩装置に関する０（１）従来技術 一般に板厚が０ＩＩＩＩＩＸ〜０．２Ｂ位で鋼やシリコ
ン、タンタル酸リチウム、サファイヤなどからなる薄板
部材を研摩加工（２ツピング加工やポリッシング加工）
する場合は、第１図に示すように平面度の良好な基盤１
に薄板部材２を複数個離間して接着剤３で接着し、この
基盤１を回転する定盤４上に載置し、遊離砥粒と油とか
らなるスラリ５を供給しながら押圧して研摩加工を施し
ている０そして、薄板部材２を基盤ＩＫ接着する方法は
、第２図お工び＠３図に示す工うに加圧加熱装置１ノの
加熱板１２に基盤１を載置し、この加熱板１２に内置さ
れた発熱体１４にエリ上記基盤１を適宜な温度に加熱調
節し、この加熱された基盤１の接着部位１５にたとえば
／＜ラフインなどの接着剤３を塗布し次のち、シリコン
クニー・などＯ薄板部材ｔを置き、この上面をクツＶ′
Ｈン材ＩＣを介して加圧板１１に工り押圧し、その後冷
却処理して上記薄板部材２を基盤ｌに接着してい次。
に好適する研摩装置に関する０（１）従来技術 一般に板厚が０ＩＩＩＩＩＸ〜０．２Ｂ位で鋼やシリコ
ン、タンタル酸リチウム、サファイヤなどからなる薄板
部材を研摩加工（２ツピング加工やポリッシング加工）
する場合は、第１図に示すように平面度の良好な基盤１
に薄板部材２を複数個離間して接着剤３で接着し、この
基盤１を回転する定盤４上に載置し、遊離砥粒と油とか
らなるスラリ５を供給しながら押圧して研摩加工を施し
ている０そして、薄板部材２を基盤ＩＫ接着する方法は
、第２図お工び＠３図に示す工うに加圧加熱装置１ノの
加熱板１２に基盤１を載置し、この加熱板１２に内置さ
れた発熱体１４にエリ上記基盤１を適宜な温度に加熱調
節し、この加熱された基盤１の接着部位１５にたとえば
／＜ラフインなどの接着剤３を塗布し次のち、シリコン
クニー・などＯ薄板部材ｔを置き、この上面をクツＶ′
Ｈン材ＩＣを介して加圧板１１に工り押圧し、その後冷
却処理して上記薄板部材２を基盤ｌに接着してい次。
（２）従来技術の問題点
この↓うな従来技術によると、薄板部材２に反りがある
と、接着後の反りは接着前ふりも小さくはなるが、接着
剤３の片寄りや基盤１と薄板部材２との間に入り込んだ
気泡などに１つて薄板部材２０表面にうねりや凹凸状の
撓みが生じてしまう。したがって、このＬうな状態で薄
板部材２を研摩加工しても、この表面を高精度な平面に
加工することができない０また、従来は基盤ｌの一方の
面にだけ薄板部材２を固定し、他方の面をなんら利用し
ていなかつ友から、１回の研摩加工による加工数量に限
界があり、生産性が悪かった０（３）発明の目的 この発明は基盤の上下両面に薄板部材をうねりや凹凸状
のたわみなどが生じることなく固定することができるＬ
うにして、加工精度の向上や生産能率の向上が一計れる
ようにした研摩装置を提供することにある０ （４）発明の要点 基盤にその厚さ方向に連通する逃げ部を設け、この逃げ
部と対応する基盤の上下両面にそれぞれ薄板部材を固定
する工うにし次ものである。
と、接着後の反りは接着前ふりも小さくはなるが、接着
剤３の片寄りや基盤１と薄板部材２との間に入り込んだ
気泡などに１つて薄板部材２０表面にうねりや凹凸状の
撓みが生じてしまう。したがって、このＬうな状態で薄
板部材２を研摩加工しても、この表面を高精度な平面に
加工することができない０また、従来は基盤ｌの一方の
面にだけ薄板部材２を固定し、他方の面をなんら利用し
ていなかつ友から、１回の研摩加工による加工数量に限
界があり、生産性が悪かった０（３）発明の目的 この発明は基盤の上下両面に薄板部材をうねりや凹凸状
のたわみなどが生じることなく固定することができるＬ
うにして、加工精度の向上や生産能率の向上が一計れる
ようにした研摩装置を提供することにある０ （４）発明の要点 基盤にその厚さ方向に連通する逃げ部を設け、この逃げ
部と対応する基盤の上下両面にそれぞれ薄板部材を固定
する工うにし次ものである。
（５）発明の第１の実施例
第４図乃至第７図はこの発明の絡ｌの実態例である０図
中２１は基盤である。この基盤２１は薄板部材である円
形のシリコンウニ・・２２Ｌりも大径な円盤状をなして
いる０上記基盤２１には、逃げ部としてその厚さ方向に
貫通する多数の透孔２３・・・が穿設されていて、上下
両面の上記透孔２３・・・と対応する接着部位２４．２
４にはそれぞれ上記シリコンウェハ２２が接着剤である
パラフィン２５に↓−ンて接着固定されている０基盤２
ノの上下両面にシリコンフェノ・２２を接着固定するに
は、第５図に示す工う複数の基盤２ノ・・・（１つのみ
図示）を加圧加熱装置３１の加熱４［３２上に載置し、
発熱体３３により適温、たとえば約８０℃に加熱する。
中２１は基盤である。この基盤２１は薄板部材である円
形のシリコンウニ・・２２Ｌりも大径な円盤状をなして
いる０上記基盤２１には、逃げ部としてその厚さ方向に
貫通する多数の透孔２３・・・が穿設されていて、上下
両面の上記透孔２３・・・と対応する接着部位２４．２
４にはそれぞれ上記シリコンウェハ２２が接着剤である
パラフィン２５に↓−ンて接着固定されている０基盤２
ノの上下両面にシリコンフェノ・２２を接着固定するに
は、第５図に示す工う複数の基盤２ノ・・・（１つのみ
図示）を加圧加熱装置３１の加熱４［３２上に載置し、
発熱体３３により適温、たとえば約８０℃に加熱する。
そして、加圧加熱装置３１に基＃１２１・・・を載置し
た状態で、各基盤２）・・・の上面の接着部位２４・・
・にノ（ラフイン２５を塗布し、融解したパラフィン２
５の上刃・らシリコンフェノ・２２を接着するＯしかる
のち、加圧加熱装置Ｊｌ上にて基盤２１・・・を反転し
、シリコンウェハ蔦２２が接着されてし）る面を下にす
る０そしてＶリコンウエノ−ｊ３が接着されていない面
に前と同様にしてノ（ラフイン２５を塗布し、融解し九
）く２フイン２６Ｃ）上刃・らシリコンフェノ・２２を
接着するＣつぎに、両面にシリコンフェノ・２２が接着
され声基盤２ノ・・・をクツジョン材３４を介して加圧
板３５に↓り抑圧し、その後基盤２１・・・を加圧加熱
装置３１から取り出して、加圧加熱装置３１に近接して
設けられている図示せぬ冷却装置まで移しこの冷却装置
にて水冷処理を迅速に施してＶリコンウエノ・２２を接
着部位２４・・・に接着するＯ接着につきさらに具体的
に述べると、シリコンフェノ・２２を加圧板３５にエリ
押圧すると、上記シリコンウェハ２２に反りがある場合
には、この反りにふって生じる基盤２１とシリコンフェ
ノ１２２との隙間にパラフィン２５が入り込もうとする
が、その余分なパラフィン２５は加圧板３５の押圧力に
１つて第６図に示す↓うに透孔２３・・・に逃げ、この
逃げ作用に１ってパラフィン２５の厚さがはぼ均一にな
るｏｆた、基盤２１とＶリコンウエハ１２との間に入り
込んだ気泡も上記加圧板３５の押圧力に１つて透孔２３
・・・に逃げる。したがって、シリコンウェハ２２は、
接着後には基盤２１の上下両面に反りのない状態もしく
はきわめてわずかな反りを有する状態で固定される。な
お、基盤２１・・・を加圧加熱装置３１から取り出す際
には、パラフィン２５は溶融し次状態にあるがパラフィ
ン２５は１１ｍ 内外の薄膜であるので溶融状態下であ
っても十分な接着力をもっており、かつ、冷却は迅速に
行われるので、シリコンウェハ２２は基盤２１・・・か
ら剥離することはない。
た状態で、各基盤２）・・・の上面の接着部位２４・・
・にノ（ラフイン２５を塗布し、融解したパラフィン２
５の上刃・らシリコンフェノ・２２を接着するＯしかる
のち、加圧加熱装置Ｊｌ上にて基盤２１・・・を反転し
、シリコンウェハ蔦２２が接着されてし）る面を下にす
る０そしてＶリコンウエノ−ｊ３が接着されていない面
に前と同様にしてノ（ラフイン２５を塗布し、融解し九
）く２フイン２６Ｃ）上刃・らシリコンフェノ・２２を
接着するＣつぎに、両面にシリコンフェノ・２２が接着
され声基盤２ノ・・・をクツジョン材３４を介して加圧
板３５に↓り抑圧し、その後基盤２１・・・を加圧加熱
装置３１から取り出して、加圧加熱装置３１に近接して
設けられている図示せぬ冷却装置まで移しこの冷却装置
にて水冷処理を迅速に施してＶリコンウエノ・２２を接
着部位２４・・・に接着するＯ接着につきさらに具体的
に述べると、シリコンフェノ・２２を加圧板３５にエリ
押圧すると、上記シリコンウェハ２２に反りがある場合
には、この反りにふって生じる基盤２１とシリコンフェ
ノ１２２との隙間にパラフィン２５が入り込もうとする
が、その余分なパラフィン２５は加圧板３５の押圧力に
１つて第６図に示す↓うに透孔２３・・・に逃げ、この
逃げ作用に１ってパラフィン２５の厚さがはぼ均一にな
るｏｆた、基盤２１とＶリコンウエハ１２との間に入り
込んだ気泡も上記加圧板３５の押圧力に１つて透孔２３
・・・に逃げる。したがって、シリコンウェハ２２は、
接着後には基盤２１の上下両面に反りのない状態もしく
はきわめてわずかな反りを有する状態で固定される。な
お、基盤２１・・・を加圧加熱装置３１から取り出す際
には、パラフィン２５は溶融し次状態にあるがパラフィ
ン２５は１１ｍ 内外の薄膜であるので溶融状態下であ
っても十分な接着力をもっており、かつ、冷却は迅速に
行われるので、シリコンウェハ２２は基盤２１・・・か
ら剥離することはない。
この工うにして基盤２１の上下両面にそれぞれ接着固定
されたシリコンクエバ２２は、第７図に示す↓うな研摩
装置４１に１って研摩加工される。この研摩装置４１は
、太陽ギア４２の外周にこれと同軸にインタナルギア４
３が配置され、これらの間には上記基盤２ノが嵌入され
る保持孔４４が穿設された基盤２１１りも薄い複数のキ
ャリヤ４５（１つのみ図示）が上記太陽ギア４２とイン
タナルギア４３の両者に歯合して設けられている０上記
キヤリヤ４５の上下面には上部定盤４６と下部定盤４１
が対向して配置されている０これら定盤４６．４１は°
、回転駆動されるとともに一方の上部定盤４６は上下駆
動されるようになっている。また、上部定盤４６にはそ
の厚さ方向に貫通する供給孔４８が穿設され、ここから
上部定盤４６と下部定盤４１０間にスラリ４９が供給さ
れる０なお、太陽ギア４２は駆動軸５０を介して回転駆
動されるようになっている。
されたシリコンクエバ２２は、第７図に示す↓うな研摩
装置４１に１って研摩加工される。この研摩装置４１は
、太陽ギア４２の外周にこれと同軸にインタナルギア４
３が配置され、これらの間には上記基盤２ノが嵌入され
る保持孔４４が穿設された基盤２１１りも薄い複数のキ
ャリヤ４５（１つのみ図示）が上記太陽ギア４２とイン
タナルギア４３の両者に歯合して設けられている０上記
キヤリヤ４５の上下面には上部定盤４６と下部定盤４１
が対向して配置されている０これら定盤４６．４１は°
、回転駆動されるとともに一方の上部定盤４６は上下駆
動されるようになっている。また、上部定盤４６にはそ
の厚さ方向に貫通する供給孔４８が穿設され、ここから
上部定盤４６と下部定盤４１０間にスラリ４９が供給さ
れる０なお、太陽ギア４２は駆動軸５０を介して回転駆
動されるようになっている。
したがつ七、太陽ギア４２を回転駆動することに１す、
スラリ４９を介して上記シリコンクエバ２２を上下両面
に固着し九基盤２ノが上下部定盤４６．４１に圧接した
状態でキャリヤ４５とともに太陽ギア４２０回りを自転
しながら公転するので、上記基Ｍ２１の上下両面に固着
された各シリコンウェハ２２の一方の面が基盤２ノへの
固着精度に応じて高精度に研摩加工されることになる。
スラリ４９を介して上記シリコンクエバ２２を上下両面
に固着し九基盤２ノが上下部定盤４６．４１に圧接した
状態でキャリヤ４５とともに太陽ギア４２０回りを自転
しながら公転するので、上記基Ｍ２１の上下両面に固着
された各シリコンウェハ２２の一方の面が基盤２ノへの
固着精度に応じて高精度に研摩加工されることになる。
（６）発明のｌ／Ｘ２の実施例
第８図はこの発明の第２の実施例で、この実施例は基盤
２１の構成が第１の実施例と異なる。すなわち、この実
施例における基盤２ノは、互に隣接して連通ずる多数の
小孔５１ａ・・・を包含する焼結金属などの通気性を有
する多孔質材料からなる板体５１の外周に、この板体５
ノの外周面方向への通気性を遮断するリング５２を嵌着
し、このリング５２には図示せぬ真空源に接続される吸
引孔５３を穿設した。すなわち、上記板体５ノが有する
多数の小孔５１ａ・・・は板体５ノの厚さ方向の通気性
を連通させる逃げ部となっている。なお、板体６１はシ
リコンクエバ２２よりも小径で、基１１ｋｚｘの上下両
面に設けられる上記シリコンウェハ２２の周辺部はリン
グ５２の上下面に接合するようになっている。
２１の構成が第１の実施例と異なる。すなわち、この実
施例における基盤２ノは、互に隣接して連通ずる多数の
小孔５１ａ・・・を包含する焼結金属などの通気性を有
する多孔質材料からなる板体５１の外周に、この板体５
ノの外周面方向への通気性を遮断するリング５２を嵌着
し、このリング５２には図示せぬ真空源に接続される吸
引孔５３を穿設した。すなわち、上記板体５ノが有する
多数の小孔５１ａ・・・は板体５ノの厚さ方向の通気性
を連通させる逃げ部となっている。なお、板体６１はシ
リコンクエバ２２よりも小径で、基１１ｋｚｘの上下両
面に設けられる上記シリコンウェハ２２の周辺部はリン
グ５２の上下面に接合するようになっている。
このような基盤２１にシリコンクエバ２２を接着固定す
るには、基盤２ノを第１の実施例と同様加熱したのち、
この基盤２１の上下両面にパラフィン２５を塗布し、こ
こに上記ｉ／ ＩＪ コンウェハ２２を接合する。つい
で、上記リング５２の吸引孔５３に真空源を接続し、こ
れを作動させなからシリコンクエバ２２を加圧する。す
ると、基盤２１とシリコンクエバ２２との間の余分な隙
間に入り込もうとするパラフィン２５やこれらの間にま
き込まれた気泡が板体５１の多数の小孔５１ａ・・・内
に吸引されるので、パラフィン２５の厚さが均一となる
とともに、基盤２１とシリコンウェハ２２の間に気泡が
介在することがない。したがって、基盤２１の上下両面
に上記第１の実施例と同様シリコンウェハ２２を高精度
に接着固定することができる。
るには、基盤２ノを第１の実施例と同様加熱したのち、
この基盤２１の上下両面にパラフィン２５を塗布し、こ
こに上記ｉ／ ＩＪ コンウェハ２２を接合する。つい
で、上記リング５２の吸引孔５３に真空源を接続し、こ
れを作動させなからシリコンクエバ２２を加圧する。す
ると、基盤２１とシリコンクエバ２２との間の余分な隙
間に入り込もうとするパラフィン２５やこれらの間にま
き込まれた気泡が板体５１の多数の小孔５１ａ・・・内
に吸引されるので、パラフィン２５の厚さが均一となる
とともに、基盤２１とシリコンウェハ２２の間に気泡が
介在することがない。したがって、基盤２１の上下両面
に上記第１の実施例と同様シリコンウェハ２２を高精度
に接着固定することができる。
（７）発明の効果
以上述べたようにこの発明は、基盤に厚さ方向に連通す
る逃げ部を設け、この逃は部と対応する基盤の上下両面
に薄板部材を接着固定するようにしたので、余分な接着
剤が上記逃げ部に逃がされその厚さが均一となるととも
に、基盤と薄板部材の間にまき込まれた気泡も上記逃げ
部に逃がされるので、反りのある薄板部材でも抑圧に１
って平面精度の高い状態で接着固定することができる。
る逃げ部を設け、この逃は部と対応する基盤の上下両面
に薄板部材を接着固定するようにしたので、余分な接着
剤が上記逃げ部に逃がされその厚さが均一となるととも
に、基盤と薄板部材の間にまき込まれた気泡も上記逃げ
部に逃がされるので、反りのある薄板部材でも抑圧に１
って平面精度の高い状態で接着固定することができる。
したがって、薄板部材は基盤への固定精度に応じて厚さ
寸法のバラツキがほとんどない高い精度に研摩加工する
ことができる。また、基盤の上下両面に薄板部材を接着
固定するようにしたので、１回の研摩加工で従来の２倍
の能率で加工を行なうことができる。
寸法のバラツキがほとんどない高い精度に研摩加工する
ことができる。また、基盤の上下両面に薄板部材を接着
固定するようにしたので、１回の研摩加工で従来の２倍
の能率で加工を行なうことができる。
第１図は従来の研摩方法の説明図、第２図は同じ（基盤
の平面図、第３図は同じく基盤に薄板部材を接着する装
置の一部断面−した側面図、第４図乃至第７図はこの発
明の第１の実施例を示し、第４図は基盤の断面図、第５
図は基盤に薄板部材を接着する装置の一部断面した側面
図、１ｇ６図は基爺に薄板部材を接着固定した状態の一
部を示す拡大断面図、第７図は研摩装置の断面図、第８
図はこの発明の第２の実施例を示す基盤の断面図である
０ ２）・・・基盤、２２・・′シリコンクエバ（薄板部材
）、２３・・・透孔（逃げ部）、２６・・・パラフィン
（接着剤）、４６．４７・・・定盤、５１・・・多孔質
材料からなる板体（逃げ部）０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 置
図 第５図 第７図 １ （イー 「− １８１！！
の平面図、第３図は同じく基盤に薄板部材を接着する装
置の一部断面−した側面図、第４図乃至第７図はこの発
明の第１の実施例を示し、第４図は基盤の断面図、第５
図は基盤に薄板部材を接着する装置の一部断面した側面
図、１ｇ６図は基爺に薄板部材を接着固定した状態の一
部を示す拡大断面図、第７図は研摩装置の断面図、第８
図はこの発明の第２の実施例を示す基盤の断面図である
０ ２）・・・基盤、２２・・′シリコンクエバ（薄板部材
）、２３・・・透孔（逃げ部）、２６・・・パラフィン
（接着剤）、４６．４７・・・定盤、５１・・・多孔質
材料からなる板体（逃げ部）０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第 置
図 第５図 第７図 １ （イー 「− １８１！！
Claims (3)
- （１） 基盤に薄板部材を接着剤にぶり固型し、この
基盤に定盤を押し付けて相対移動させるとともにスラリ
を供給して上記薄板部材を研摩する研摩装置において、
上記基盤に厚さ方向に連通する逃げ部を設け、この逃げ
部と対応する基板の上下両面にそれぞれ薄板部材を固定
する↓うにしたことを特徴とする研摩装置。 - （２）逃げ部は基板に穿設され次透孔であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の研摩装置。 - （３）基板は多数の小孔を有する多孔質の板体に工っで
形成されこの多孔質の板体の小孔が逃げ部であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の研摩装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190121A JPS5894964A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 研摩装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56190121A JPS5894964A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 研摩装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5894964A true JPS5894964A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16252734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56190121A Pending JPS5894964A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 研摩装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5894964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010112225A1 (de) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | Peter Wolters Gmbh | Verfahren zum materialabtragenden bearbeiten von sehr dünnen werkstücken in einer doppelseitenschleifmaschine |
| CN109483335A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-03-19 | 漳浦县圆周率工业设计有限公司 | 一种通过微气泡进行五金加工的抛光装置 |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56190121A patent/JPS5894964A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010112225A1 (de) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | Peter Wolters Gmbh | Verfahren zum materialabtragenden bearbeiten von sehr dünnen werkstücken in einer doppelseitenschleifmaschine |
| CN102378668A (zh) * | 2009-04-01 | 2012-03-14 | 彼特沃尔特斯有限公司 | 用于在双面磨床中去除材料地加工非常薄的工件的方法 |
| JP2012522649A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | ピーター ヴォルターズ ゲーエムベーハー | 両面研削機における極薄被加工物の材料除去機械加工方法 |
| CN109483335A (zh) * | 2018-12-30 | 2019-03-19 | 漳浦县圆周率工业设计有限公司 | 一种通过微气泡进行五金加工的抛光装置 |
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