JPH03228568A - 極薄ウェーハの製造方法 - Google Patents
極薄ウェーハの製造方法Info
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- JPH03228568A JPH03228568A JP2016080A JP1608090A JPH03228568A JP H03228568 A JPH03228568 A JP H03228568A JP 2016080 A JP2016080 A JP 2016080A JP 1608090 A JP1608090 A JP 1608090A JP H03228568 A JPH03228568 A JP H03228568A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
赤外線素子や温度センサに用いられる素子は、焦電性を
有する単結晶やセラミックスの極薄ウェーハからなって
いる。これらの素子を製造するためには、１００μｍ程
度以下の極薄のを精度良く仕上げる技術が必要となって
いる。 従来、極薄ウェーハを製造するには、ウェーハ用原塊を
ダイヤモンドの内周カッタやワイヤソで切断した薄板材
を、研磨加工して所定の板厚に仕上げていた。 研磨加工は、ガラス板に薄板材をワックスで貼り付けて
おいて１面を研磨し、終了したら裏返して貼りなおし、
もう１面を研磨する、しかしながらこの方法による研磨
加工では、ワックスで貼り付しすたり、剥す工程で加熱
操作が必要なため、薄板材や研磨の仕上がった極薄ウェ
ーハががなりの率で割れたり、欠けたりすることがある
。 このような貼り付は工程を必要とせず、しかも向直同時
に研磨可能な加工機が市販されている６その加工機は、
上下定盤が逆方向に回転する間に挟まれたキャリアが遊
星運動をしながら回転し、キャリアに担持されたワーク
（薄板材）がキャリアとともに上Ｆ定盤から加圧を受け
つつ研磨剤により上下面同時に研磨されてゆく１．キャ
リアは定厚さの板で、数カ所にワークを挿入する穴があ
ＧＪられている。ワークはその穴に遊挿されるだけであ
り、穴の内周に押されてキャリアとともに回転し、上下
定盤と擦れあって研磨されてゆく。この研磨加工におい
ては、キャリアが重要な加工工具であり、その形状など
については、種々の工夫がなされている。例えば実開平
１．−１０６１６１号公報、特公平１−１８３３６２号
公報にそのうようなキャリアが開示されている。
有する単結晶やセラミックスの極薄ウェーハからなって
いる。これらの素子を製造するためには、１００μｍ程
度以下の極薄のを精度良く仕上げる技術が必要となって
いる。 従来、極薄ウェーハを製造するには、ウェーハ用原塊を
ダイヤモンドの内周カッタやワイヤソで切断した薄板材
を、研磨加工して所定の板厚に仕上げていた。 研磨加工は、ガラス板に薄板材をワックスで貼り付けて
おいて１面を研磨し、終了したら裏返して貼りなおし、
もう１面を研磨する、しかしながらこの方法による研磨
加工では、ワックスで貼り付しすたり、剥す工程で加熱
操作が必要なため、薄板材や研磨の仕上がった極薄ウェ
ーハががなりの率で割れたり、欠けたりすることがある
。 このような貼り付は工程を必要とせず、しかも向直同時
に研磨可能な加工機が市販されている６その加工機は、
上下定盤が逆方向に回転する間に挟まれたキャリアが遊
星運動をしながら回転し、キャリアに担持されたワーク
（薄板材）がキャリアとともに上Ｆ定盤から加圧を受け
つつ研磨剤により上下面同時に研磨されてゆく１．キャ
リアは定厚さの板で、数カ所にワークを挿入する穴があ
ＧＪられている。ワークはその穴に遊挿されるだけであ
り、穴の内周に押されてキャリアとともに回転し、上下
定盤と擦れあって研磨されてゆく。この研磨加工におい
ては、キャリアが重要な加工工具であり、その形状など
については、種々の工夫がなされている。例えば実開平
１．−１０６１６１号公報、特公平１−１８３３６２号
公報にそのうようなキャリアが開示されている。
【発明が解決しようとする課題］
上記した従来の両面研磨加工機により種々に工夫された
キャリアを用いて１００μｍ程度以下の極薄ウェーハを
仕上げる加工を試みたが、加工途中に極薄ウェーハが割
れた数が多かったり、所定の精度に仕上がらなかったり
、いずれも好ましい結果が得られなかった。また甚だし
い場合は、研磨加工中にキャリアが破損するような事故
もあった。 本発明は１再記の課題を解決するためなされたもので、
タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、ガ’ｙ
’１．、セラミックス、シリコーン単結晶、ガリウム砒
素結晶、ガリウムリん結晶などを極薄のつｒ−’−ハに
精度よく仕上げる方法を提供するものである。 【課題を解決するための手段】 課題を解決するための本発明は、仕上がり厚さが１００
μｍ以下の極薄ウェーハの製造方法である。その方法は
、ワーク挿入穴を有するキャリアを極薄ウェーハの仕上
り厚さより薄（予め研磨仕りげしでおき、ウェーハ用原
塊から切り出した薄板材を前記により研磨仕上げしたキ
ャリアのワーク挿入穴で担持しながら、両面研磨機によ
り前記薄板材の両面を同時に研磨加工する。 １ｉ１記のキャリアは、ワーク挿入穴が複数で各ワーク
挿入穴の間隔およびキャリア外周とワーク挿入穴の間隔
が７ｍｍ以上でああることか好ましい。ワーク挿入穴の
間隔が７ｍｍ以下であると、キャリアの厚さが非常に薄
いため１強度が不足して研磨加工中にキャリアが破損す
る危険がある。 予め研磨仕上げしておくキャリアの厚さは極薄つｌ−ハ
の仕上がり厚さより０〜６ｇｍの範囲で薄いことが好ま
しい。これ以上キャリアが薄いと、研磨加工される極薄
ウェーハの周辺部にブレが大きくなって精度が良くなら
ない。また、これ以上キャリアが厚いと、研磨加工時に
極薄ウェーハとともにキャリア自身も同時番こ研磨され
て摩耗してゆくため、研磨に時間がかかり、能率が悪く
なる。
キャリアを用いて１００μｍ程度以下の極薄ウェーハを
仕上げる加工を試みたが、加工途中に極薄ウェーハが割
れた数が多かったり、所定の精度に仕上がらなかったり
、いずれも好ましい結果が得られなかった。また甚だし
い場合は、研磨加工中にキャリアが破損するような事故
もあった。 本発明は１再記の課題を解決するためなされたもので、
タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、ガ’ｙ
’１．、セラミックス、シリコーン単結晶、ガリウム砒
素結晶、ガリウムリん結晶などを極薄のつｒ−’−ハに
精度よく仕上げる方法を提供するものである。 【課題を解決するための手段】 課題を解決するための本発明は、仕上がり厚さが１００
μｍ以下の極薄ウェーハの製造方法である。その方法は
、ワーク挿入穴を有するキャリアを極薄ウェーハの仕上
り厚さより薄（予め研磨仕りげしでおき、ウェーハ用原
塊から切り出した薄板材を前記により研磨仕上げしたキ
ャリアのワーク挿入穴で担持しながら、両面研磨機によ
り前記薄板材の両面を同時に研磨加工する。 １ｉ１記のキャリアは、ワーク挿入穴が複数で各ワーク
挿入穴の間隔およびキャリア外周とワーク挿入穴の間隔
が７ｍｍ以上でああることか好ましい。ワーク挿入穴の
間隔が７ｍｍ以下であると、キャリアの厚さが非常に薄
いため１強度が不足して研磨加工中にキャリアが破損す
る危険がある。 予め研磨仕上げしておくキャリアの厚さは極薄つｌ−ハ
の仕上がり厚さより０〜６ｇｍの範囲で薄いことが好ま
しい。これ以上キャリアが薄いと、研磨加工される極薄
ウェーハの周辺部にブレが大きくなって精度が良くなら
ない。また、これ以上キャリアが厚いと、研磨加工時に
極薄ウェーハとともにキャリア自身も同時番こ研磨され
て摩耗してゆくため、研磨に時間がかかり、能率が悪く
なる。
【作用］
上記の製造方法によれば、ウェーハ用原塊が０切り出し
た薄板材を、別途に薄く研磨仕上げし２ておいたキャリ
アのワーク挿入穴に挿入するたけて両面を同時に研磨加
工できるので作業時間の短縮を図ることができる。貼り
付は作業などがないため、極薄ウェーハが割れたりする
ことがないので歩留りが向上する。 キャリアのワーク挿入穴が複数であるため、作業効率が
向上する。同時にワーク挿入穴の間隔を適度にしたため
、ワーク挿入穴が複数のときにおこりがちなキャリアの
強度不足を防ぐことかでき、研磨加工中にキャリアが破
損するということかない。キャリアの厚さを適度にした
ため、仕上げられた極薄ウェーハの精度が良く、また必
要以上に研磨に時間がかかるということも防げる。 【実施例】 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。 第１図は本発明の方法を実施するための両面研磨加工機
の一実施例の要部の斜視図である。 この両面研磨加工機は、回転駆動源に連結した軸Ｉに下
定盤２が取り付けられ、軸ｌには遊星ギアシステムの太
陽ギア３が取り付けられ、ともに回転するようになって
いる。下定盤２の上にはキャリア５が載せられる。キャ
リア５の外周にはギア６になっており、太陽ギア３と噛
み合っている。一方、周枠１０は、本体フレームに回転
可能に取り付けられ、その内周にはインターナルギア】
１が設けられている。そしてキャリア５の遊星ギア６が
インターナルギア１１に噛み合う。 キャリア５は、第２図に詳細が示しであるように、４か
所にワーク挿入穴７があけられ、ワークである薄板材８
がワーク挿入穴７に遊挿されて保持されている。図示の
例ではワーク挿入穴７の１か所にだけ薄板材８が保持さ
れているが、４か所のワーク挿入穴７の任意の個所、ま
たはすべてに入れるか否かは、加工すべき薄板材８の数
によって決める。尚、キャリア５はステンレスで造られ
ている。 上記の両面研磨加工機で、ＬｉＴａＯ５結晶を５０１１
１１の厚さの極薄ウェーハに仕上げた例について以下に
記載する。この研磨加工では、２段階の加工により所期
の極薄ウェーハに仕上げられる。 ５０◆ＩＩＩＩのＬｉＴａＯ３結晶の原塊をダイヤモン
ドの内周カッタで２５０±ｌＯμｍの厚さに１９５枚ス
ライスして薄板材８とした。この薄板材８を、両面研磨
加工機の下定盤２に置かれたキャリア５の各ワーク挿入
穴７に入れてから、その上に図示してない上定盤を載置
する。薄板材８は１枚のキャリア５に４枚挿入でき、下
定盤２にはキャリアを４枚置くことができるので、１回
で１６枚を研磨できる。そして、水に懸濁したＧＣ＃２
０００の研磨剤（砥粒度＃２０００のＳｉＣ粉が主体の
研磨剤）を循環させながら機械を稼動させる。このとき
下定盤２と上定盤は逆方向に回転し、その間に挟まれた
キャリア５が遊星運動をしながら回転するため、キャリ
アに担持された薄板材８の上下各面は５遍な（上下各定
盤から加圧を受けつつ研磨剤により研磨されてゆく。１
２０ｕｍの厚さまで研磨したところで機械を止め、薄板
材８を入れ換えて次の研磨作業に入る。前記によりスラ
イスした１９５枚の薄板材８全部について上記の研磨加
工を終了した時点で５枚が割れた。したがって１２０＋
＋ｍの厚さの中途加工材が１９０枚できたことになる。 次にこの中途加工材をさらに研磨加工して所望の５０μ
ｍの厚さの極薄ウェーハにする。 前記とは別なステンレスのキャリア５だけを、事前に４
７１ｍの厚さまで研磨しておく。尚、このキャリア５の
各ワーク挿入穴７どうしは１０ａ＋ｍ間隔がおいている
。前記により研磨済のキャリア５の各ワーク挿入穴７に
１２０μｍの厚さの中途加工材８を入れる。研磨剤をＦ
Ｏ＃３０００の研磨剤（砥粒度＄３０００のＡｌ２Ｏ，
粉が主体の研磨剤）に変えて前記と同じようにして５０
±２ｕｍの厚さまで研磨した。中途加工材１９０枚を研
磨した工程中に割れたウェーハはなかった。しがしキャ
リア５からウェーハを取り出すときに３枚が割れ、その
他の傷、カケなどがあるウェーハを除いて、製品化がで
きたウェーハは１８１枚となり、中途加工材１９０枚の
うち不良品は９枚であった。このときのウェーハの平行
度は最大で３１、反りは８μｍ以下であった。 比較のために前記と同一の工程ででき上がっている１２
０μｍの厚さの中途加工材の１５６枚を、従来から行な
われているようにガラス板に貼り付けて１面ずつ研磨す
る方法で加工してみた。中途加工材を６枚ずつ１枚のガ
ラス板にワックスで貼りつけた。この過程で８０°Ｃの
電気炉内を通過させたため、２枚の中途加工材が割れた
。次に貼りつけられた中途加工材の片面をＦＯ＃３００
０の研磨剤で研磨し、約１１００ｕにした。次にワック
スを加熱溶融して中途加工材を剥した後、表裏を返して
別なガラス板にワックスで貼りなおした。 この工程で充分に注意深（作業したが、１２枚が割れた
。次にこの貼りつけ済の中途加工材を片面研磨し、５０
μｍの厚さのにした。研磨剤は前と同じ＜ ＦＯ＃３０
００である。ここで再度ワックスを加熱溶融してウェー
ハをはがす。この工程で５０＋＋ｍまで極薄になったウ
ェーハは１１枚が割れた。したがって中途加工材１５６
枚のうち不良品は２５枚であった。このときのウェーハ
の平行度は最大８ｕｍ、反りは最大１２μｍであった。
た薄板材を、別途に薄く研磨仕上げし２ておいたキャリ
アのワーク挿入穴に挿入するたけて両面を同時に研磨加
工できるので作業時間の短縮を図ることができる。貼り
付は作業などがないため、極薄ウェーハが割れたりする
ことがないので歩留りが向上する。 キャリアのワーク挿入穴が複数であるため、作業効率が
向上する。同時にワーク挿入穴の間隔を適度にしたため
、ワーク挿入穴が複数のときにおこりがちなキャリアの
強度不足を防ぐことかでき、研磨加工中にキャリアが破
損するということかない。キャリアの厚さを適度にした
ため、仕上げられた極薄ウェーハの精度が良く、また必
要以上に研磨に時間がかかるということも防げる。 【実施例】 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明
する。 第１図は本発明の方法を実施するための両面研磨加工機
の一実施例の要部の斜視図である。 この両面研磨加工機は、回転駆動源に連結した軸Ｉに下
定盤２が取り付けられ、軸ｌには遊星ギアシステムの太
陽ギア３が取り付けられ、ともに回転するようになって
いる。下定盤２の上にはキャリア５が載せられる。キャ
リア５の外周にはギア６になっており、太陽ギア３と噛
み合っている。一方、周枠１０は、本体フレームに回転
可能に取り付けられ、その内周にはインターナルギア】
１が設けられている。そしてキャリア５の遊星ギア６が
インターナルギア１１に噛み合う。 キャリア５は、第２図に詳細が示しであるように、４か
所にワーク挿入穴７があけられ、ワークである薄板材８
がワーク挿入穴７に遊挿されて保持されている。図示の
例ではワーク挿入穴７の１か所にだけ薄板材８が保持さ
れているが、４か所のワーク挿入穴７の任意の個所、ま
たはすべてに入れるか否かは、加工すべき薄板材８の数
によって決める。尚、キャリア５はステンレスで造られ
ている。 上記の両面研磨加工機で、ＬｉＴａＯ５結晶を５０１１
１１の厚さの極薄ウェーハに仕上げた例について以下に
記載する。この研磨加工では、２段階の加工により所期
の極薄ウェーハに仕上げられる。 ５０◆ＩＩＩＩのＬｉＴａＯ３結晶の原塊をダイヤモン
ドの内周カッタで２５０±ｌＯμｍの厚さに１９５枚ス
ライスして薄板材８とした。この薄板材８を、両面研磨
加工機の下定盤２に置かれたキャリア５の各ワーク挿入
穴７に入れてから、その上に図示してない上定盤を載置
する。薄板材８は１枚のキャリア５に４枚挿入でき、下
定盤２にはキャリアを４枚置くことができるので、１回
で１６枚を研磨できる。そして、水に懸濁したＧＣ＃２
０００の研磨剤（砥粒度＃２０００のＳｉＣ粉が主体の
研磨剤）を循環させながら機械を稼動させる。このとき
下定盤２と上定盤は逆方向に回転し、その間に挟まれた
キャリア５が遊星運動をしながら回転するため、キャリ
アに担持された薄板材８の上下各面は５遍な（上下各定
盤から加圧を受けつつ研磨剤により研磨されてゆく。１
２０ｕｍの厚さまで研磨したところで機械を止め、薄板
材８を入れ換えて次の研磨作業に入る。前記によりスラ
イスした１９５枚の薄板材８全部について上記の研磨加
工を終了した時点で５枚が割れた。したがって１２０＋
＋ｍの厚さの中途加工材が１９０枚できたことになる。 次にこの中途加工材をさらに研磨加工して所望の５０μ
ｍの厚さの極薄ウェーハにする。 前記とは別なステンレスのキャリア５だけを、事前に４
７１ｍの厚さまで研磨しておく。尚、このキャリア５の
各ワーク挿入穴７どうしは１０ａ＋ｍ間隔がおいている
。前記により研磨済のキャリア５の各ワーク挿入穴７に
１２０μｍの厚さの中途加工材８を入れる。研磨剤をＦ
Ｏ＃３０００の研磨剤（砥粒度＄３０００のＡｌ２Ｏ，
粉が主体の研磨剤）に変えて前記と同じようにして５０
±２ｕｍの厚さまで研磨した。中途加工材１９０枚を研
磨した工程中に割れたウェーハはなかった。しがしキャ
リア５からウェーハを取り出すときに３枚が割れ、その
他の傷、カケなどがあるウェーハを除いて、製品化がで
きたウェーハは１８１枚となり、中途加工材１９０枚の
うち不良品は９枚であった。このときのウェーハの平行
度は最大で３１、反りは８μｍ以下であった。 比較のために前記と同一の工程ででき上がっている１２
０μｍの厚さの中途加工材の１５６枚を、従来から行な
われているようにガラス板に貼り付けて１面ずつ研磨す
る方法で加工してみた。中途加工材を６枚ずつ１枚のガ
ラス板にワックスで貼りつけた。この過程で８０°Ｃの
電気炉内を通過させたため、２枚の中途加工材が割れた
。次に貼りつけられた中途加工材の片面をＦＯ＃３００
０の研磨剤で研磨し、約１１００ｕにした。次にワック
スを加熱溶融して中途加工材を剥した後、表裏を返して
別なガラス板にワックスで貼りなおした。 この工程で充分に注意深（作業したが、１２枚が割れた
。次にこの貼りつけ済の中途加工材を片面研磨し、５０
μｍの厚さのにした。研磨剤は前と同じ＜ ＦＯ＃３０
００である。ここで再度ワックスを加熱溶融してウェー
ハをはがす。この工程で５０＋＋ｍまで極薄になったウ
ェーハは１１枚が割れた。したがって中途加工材１５６
枚のうち不良品は２５枚であった。このときのウェーハ
の平行度は最大８ｕｍ、反りは最大１２μｍであった。
以上詳細に説明したように、本発明を適用した極薄ウェ
ーハの製造方法によれば、ウェーハ用原塊から切り出し
た薄板材を、キャリアのウェーハワーク挿入穴に挿入す
るだけで両面を同時に研磨加工できるので作業時間の短
縮をすることができる。貼り付は作業などがないため、
極薄ウェーハが割れたりすることがなく、歩留りが向上
する。 また研磨加工中にキャリアが破損するということかない
し、仕上げられた極薄ウェーハの精度が良く仕上がる。 したがって本発明のＨ４法は、タンタル酸リチウム、ニ
オブ酸リチウム、水晶、ガラス、セラミックス、シリコ
ン単結晶、ガリウム砒素結晶、ガリウムりん結晶などの
材料を極薄のに精度よく仕上げるのに最適な方法である
。
ーハの製造方法によれば、ウェーハ用原塊から切り出し
た薄板材を、キャリアのウェーハワーク挿入穴に挿入す
るだけで両面を同時に研磨加工できるので作業時間の短
縮をすることができる。貼り付は作業などがないため、
極薄ウェーハが割れたりすることがなく、歩留りが向上
する。 また研磨加工中にキャリアが破損するということかない
し、仕上げられた極薄ウェーハの精度が良く仕上がる。 したがって本発明のＨ４法は、タンタル酸リチウム、ニ
オブ酸リチウム、水晶、ガラス、セラミックス、シリコ
ン単結晶、ガリウム砒素結晶、ガリウムりん結晶などの
材料を極薄のに精度よく仕上げるのに最適な方法である
。
第１図は本発明の方法を実施するための両面研磨加工機
の一実施例の要部の斜視図、第２図はキャリアの正面図
である。 １・・軸 ２・・・下定盤３・・・太陽
ギア ５・・・キャリア６・・・遊星ギア
７・・・ワーク挿入穴８・・・薄板材
１０・・・周枠１１・・・インターナルギア 自発手続補正書 １．事件の表示 平成２年 特許願 第１６ρｔｏ 号２、発明の名称 極薄ウェーハの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２０６１信越化学工業株式会社４、代
理 人 〒１６９ 住 所 東京都新宿区高田馬場４丁目１４番９号明細書
の特許請求の範囲、発明の詳細な説明。 ６、補正の内容 （１１特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 別 紙 あるのを「シリコン」に訂正する。 （３）明細書５ペ一ジ７行に「ああること」とあるのを
「あること」に訂正する。 ２、特許請求の範囲 ■、仕上がり厚さが１００μｍ以下である極薄つニーへ
の製造方法において、ワーク挿入穴を有するキャリアを
極薄ウェーハの仕上り厚さより薄く予め研磨仕上げして
おき、ウェーハ用原塊から切り出した薄板材を前記によ
り研磨仕上げしたキャリアのワーク挿入穴で担持しなが
ら、両面研磨機により前記薄板材の両面を同時に研磨加
工することを特徴とする極薄ウェーハの製造方法。 ２、前記キャリアは、ワーク挿入穴が複数で各ワーク挿
入穴の間隔およびキャリア外周とワーク挿入穴の間隔が
７ｍｍ以上であり、厚さが極薄ウェーハの仕上がり厚さ
より０〜６μｍ薄く予め研磨仕上げしてあることを特徴
とする請求項第１項に記載の極薄ウェーハの製造方法。
の一実施例の要部の斜視図、第２図はキャリアの正面図
である。 １・・軸 ２・・・下定盤３・・・太陽
ギア ５・・・キャリア６・・・遊星ギア
７・・・ワーク挿入穴８・・・薄板材
１０・・・周枠１１・・・インターナルギア 自発手続補正書 １．事件の表示 平成２年 特許願 第１６ρｔｏ 号２、発明の名称 極薄ウェーハの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 （２０６１信越化学工業株式会社４、代
理 人 〒１６９ 住 所 東京都新宿区高田馬場４丁目１４番９号明細書
の特許請求の範囲、発明の詳細な説明。 ６、補正の内容 （１１特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 別 紙 あるのを「シリコン」に訂正する。 （３）明細書５ペ一ジ７行に「ああること」とあるのを
「あること」に訂正する。 ２、特許請求の範囲 ■、仕上がり厚さが１００μｍ以下である極薄つニーへ
の製造方法において、ワーク挿入穴を有するキャリアを
極薄ウェーハの仕上り厚さより薄く予め研磨仕上げして
おき、ウェーハ用原塊から切り出した薄板材を前記によ
り研磨仕上げしたキャリアのワーク挿入穴で担持しなが
ら、両面研磨機により前記薄板材の両面を同時に研磨加
工することを特徴とする極薄ウェーハの製造方法。 ２、前記キャリアは、ワーク挿入穴が複数で各ワーク挿
入穴の間隔およびキャリア外周とワーク挿入穴の間隔が
７ｍｍ以上であり、厚さが極薄ウェーハの仕上がり厚さ
より０〜６μｍ薄く予め研磨仕上げしてあることを特徴
とする請求項第１項に記載の極薄ウェーハの製造方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、仕上がり厚さが１００μｍ以下で直径が３０ｍｍ以
下である極薄ウェーハの製造方法において、ワーク挿入
穴を有するキャリアを極薄ウェーハの仕上り厚さより薄
く予め研磨仕上げしておき、ウェーハ用原塊から切り出
した薄板材を前記により研磨仕上げしたキャリアのワー
ク挿入穴で担持しながら、両面研磨機により前記薄板材
の両面を同時に研磨加工することを特徴とする極薄ウェ
ーハの製造方法。 ２、前記キャリアは、ワーク挿入穴が複数で各ワーク挿
入穴の間隔およびキャリア外周とワーク挿入穴の間隔が
７ｍｍ以上であり、厚さが極薄ウェーハの仕上がり厚さ
より０〜６μｍ薄く予め研磨仕上げしてあることを特徴
とする請求項第１項に記載の極薄ウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016080A JPH03228568A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 極薄ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016080A JPH03228568A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 極薄ウェーハの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03228568A true JPH03228568A (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=11906576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016080A Pending JPH03228568A (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | 極薄ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03228568A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008062861A1 (fr) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Poudre d'extrait de plante contenant de l'indigo, procédé de fabrication de celle-ci et utilisation de celle-ci |
| JP2009081186A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP2009194631A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | ウエハ、ウエハ研磨装置、ウエハ研磨方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| CN104209862A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-12-17 | 广东工业大学 | 柔性抛光垫在线修整的超光滑平面研磨抛光装置及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183362A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-21 | Nagaoka Seiki Kk | ラップ盤用キャリヤ |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2016080A patent/JPH03228568A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01183362A (ja) * | 1988-01-12 | 1989-07-21 | Nagaoka Seiki Kk | ラップ盤用キャリヤ |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008062861A1 (fr) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Kabushiki Kaisha Hayashibara Seibutsu Kagaku Kenkyujo | Poudre d'extrait de plante contenant de l'indigo, procédé de fabrication de celle-ci et utilisation de celle-ci |
| JP2009081186A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体ウェハの製造方法 |
| JP2009194631A (ja) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | ウエハ、ウエハ研磨装置、ウエハ研磨方法、圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| CN104209862A (zh) * | 2014-08-26 | 2014-12-17 | 广东工业大学 | 柔性抛光垫在线修整的超光滑平面研磨抛光装置及方法 |
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