JPH05291216A - 半導体基板の研磨方法 - Google Patents
半導体基板の研磨方法Info
- Publication number
- JPH05291216A JPH05291216A JP9070592A JP9070592A JPH05291216A JP H05291216 A JPH05291216 A JP H05291216A JP 9070592 A JP9070592 A JP 9070592A JP 9070592 A JP9070592 A JP 9070592A JP H05291216 A JPH05291216 A JP H05291216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- wafer
- wafers
- cleavage
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ウエハ外周にあるへき開面を容易に保護するこ
とを可能とする。 【構成】へき開面４を有する半導体基板、例えば円形ウ
エハ１ａの研磨方法において、前記２枚の円形ウエハ１
ａのへき開面４を相互に密着させて研磨プレート２上に
貼付け、研磨するようにしたことを特徴とする。 【効果】へき開面の保護が容易となる。
とを可能とする。 【構成】へき開面４を有する半導体基板、例えば円形ウ
エハ１ａの研磨方法において、前記２枚の円形ウエハ１
ａのへき開面４を相互に密着させて研磨プレート２上に
貼付け、研磨するようにしたことを特徴とする。 【効果】へき開面の保護が容易となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の研磨方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板（以下ウエハと称する）には
その用途に応じ、円形のものと矩形のものとがある。一
般に円形ウエハの場合には結晶方位を示すための一つあ
るいは二つのへき開面に沿った直線部を外周に有する。
これはオリエンテーションフラット（ＯＦ）と呼ばれ、
デバイスプロセスにおける露光等の際の位置合わせの指
標として非常に重要なものである。また矩形ウエハにお
いては整形方法自体がへき開面を利用したものであり、
これが結晶方位を示すと共に、円形ウエハと同様デバイ
スプロセス上重要な役割を果たす。
その用途に応じ、円形のものと矩形のものとがある。一
般に円形ウエハの場合には結晶方位を示すための一つあ
るいは二つのへき開面に沿った直線部を外周に有する。
これはオリエンテーションフラット（ＯＦ）と呼ばれ、
デバイスプロセスにおける露光等の際の位置合わせの指
標として非常に重要なものである。また矩形ウエハにお
いては整形方法自体がへき開面を利用したものであり、
これが結晶方位を示すと共に、円形ウエハと同様デバイ
スプロセス上重要な役割を果たす。
【０００３】このようにデバイスプロセス上重要なへき
開部がウエハの鏡面加工プロセス中（但しへき開面を研
磨プレートの中心方向に向けて貼付けた）にへき開面を
表面粗さ計で測定した結果が示されている図５（ｂ）に
示されているように、ダレてしまったり、欠けてしまう
ことがあるのを防ぐ必要がある。
開部がウエハの鏡面加工プロセス中（但しへき開面を研
磨プレートの中心方向に向けて貼付けた）にへき開面を
表面粗さ計で測定した結果が示されている図５（ｂ）に
示されているように、ダレてしまったり、欠けてしまう
ことがあるのを防ぐ必要がある。
【０００４】一般にウエハの鏡面加工は、ウエハを研磨
プレート上にワックスで貼付け、ラッピング、ポリシン
グを施す。ラッピングにおいては数μｍの砥粒を用い機
械的研磨を行うため、ウエハ外周にあるへき開面には欠
けが生じ易い。またポリシングでは化学液を用いたメカ
ノケミカル研磨が行われるが、ウエハ外周は研磨液、研
磨布との接触が最大になるため内面に比べ研磨速度が速
く、上述の図５（ｂ）のように丸みを帯びたダレが生じ
る。
プレート上にワックスで貼付け、ラッピング、ポリシン
グを施す。ラッピングにおいては数μｍの砥粒を用い機
械的研磨を行うため、ウエハ外周にあるへき開面には欠
けが生じ易い。またポリシングでは化学液を用いたメカ
ノケミカル研磨が行われるが、ウエハ外周は研磨液、研
磨布との接触が最大になるため内面に比べ研磨速度が速
く、上述の図５（ｂ）のように丸みを帯びたダレが生じ
る。
【０００５】従来、このダレや欠けを防ぐ方法として図
３に示されているように、ウエハ例えば円形ウエハ１を
研磨プレート２に貼付ける際、同材質の補充片３をへき
開面４に当てがって貼付ける方法や、実開平２−９００
５４号公報に見られるようなへき開面を保護するための
当て板を有する研磨プレートを用いる等の方法および図
４に示されているようにウエハ例えば円形ウエハ１に切
欠き５を設け、研磨完了後へき開する方法等が用いられ
てきた。
３に示されているように、ウエハ例えば円形ウエハ１を
研磨プレート２に貼付ける際、同材質の補充片３をへき
開面４に当てがって貼付ける方法や、実開平２−９００
５４号公報に見られるようなへき開面を保護するための
当て板を有する研磨プレートを用いる等の方法および図
４に示されているようにウエハ例えば円形ウエハ１に切
欠き５を設け、研磨完了後へき開する方法等が用いられ
てきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では次に
述べるような問題があった。
述べるような問題があった。
【０００７】（１）図３のように補充片を貼付る方法で
は補充片の使用は１回限りであり、材料コストが高くつ
く上、製品以外のものを貼付けるために生産性の低下を
招く。
は補充片の使用は１回限りであり、材料コストが高くつ
く上、製品以外のものを貼付けるために生産性の低下を
招く。
【０００８】（２）実開平２−９００５４号公報では研
磨プレートの専用化が必要であり、生産量へのフレキシ
ブルな対応がとれず、従って余剰備品を持たざるを得
ず、コストアップにつながる。
磨プレートの専用化が必要であり、生産量へのフレキシ
ブルな対応がとれず、従って余剰備品を持たざるを得
ず、コストアップにつながる。
【０００９】（３）図４のように切欠きを有するウエハ
は研磨中に切欠き部からへき開を生じたり、その他のハ
ンドリング時にも欠け易く、また研磨後にへき開した場
合もへき開によって発生した微粒子が鏡面に付着し、ウ
エハ表面清浄度を悪化する。
は研磨中に切欠き部からへき開を生じたり、その他のハ
ンドリング時にも欠け易く、また研磨後にへき開した場
合もへき開によって発生した微粒子が鏡面に付着し、ウ
エハ表面清浄度を悪化する。
【００１０】本発明は以上の点に鑑みなされたものであ
り、ウエハ外周にあるへき開面を容易に保護することを
可能とした半導体基板の研磨方法を提供することを目的
とするものである。
り、ウエハ外周にあるへき開面を容易に保護することを
可能とした半導体基板の研磨方法を提供することを目的
とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的は、２枚の半導
体基板のへき開面を相互に密着させて研磨プレート上に
貼付け、研磨することにより、達成される。
体基板のへき開面を相互に密着させて研磨プレート上に
貼付け、研磨することにより、達成される。
【００１２】
【作用】上記手段を設けたので、へき開面の保護が容易
となる。
となる。
【００１３】
【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００１４】〔実施例１〕図１には本発明の一実施例が
示されている。なお従来と同じ部品には同じ符号を付し
たので説明を省略する。本実施例では２枚の円形ウエハ
１ａのへき開面４を相互に密着させて研磨プレート２上
に貼付け、研磨した。このようにすることによりへき開
面４の保護が容易となって、ウエハ１ａ外周にあるへき
開面４を容易に保護することを可能とした半導体基板の
研磨方法を得ることができる。
示されている。なお従来と同じ部品には同じ符号を付し
たので説明を省略する。本実施例では２枚の円形ウエハ
１ａのへき開面４を相互に密着させて研磨プレート２上
に貼付け、研磨した。このようにすることによりへき開
面４の保護が容易となって、ウエハ１ａ外周にあるへき
開面４を容易に保護することを可能とした半導体基板の
研磨方法を得ることができる。
【００１５】すなわち本実施例では２枚の円形ウエハ１
ａのへき開面４を相互に密着させて貼付けたが、円形ウ
エハ１ａは２インチウエハを用いた。この状態でラッピ
ングにより７０μｍ、ポリシングにより３０μｍの研磨
を行った。このウエハ１ａのへき開面を表面粗さ計で測
定した結果が図５（ａ）に示されている。
ａのへき開面４を相互に密着させて貼付けたが、円形ウ
エハ１ａは２インチウエハを用いた。この状態でラッピ
ングにより７０μｍ、ポリシングにより３０μｍの研磨
を行った。このウエハ１ａのへき開面を表面粗さ計で測
定した結果が図５（ａ）に示されている。
【００１６】同図から明らかなように本実施例の研磨を
施したウエハでは上述の同図（ｂ）の従来例のウエハが
５〜６μｍのダレがウエハ外周から８ｍｍの範囲まで及
んでいるのに対し、ほとんどダレを生じていない。この
ことはＴＴＶ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒ
ｉａｔｉｏｎ）でも明らかであり、従来方法では平均
４．４μｍであったものが本実施例により１．８μｍに
向上させるこができた。
施したウエハでは上述の同図（ｂ）の従来例のウエハが
５〜６μｍのダレがウエハ外周から８ｍｍの範囲まで及
んでいるのに対し、ほとんどダレを生じていない。この
ことはＴＴＶ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒ
ｉａｔｉｏｎ）でも明らかであり、従来方法では平均
４．４μｍであったものが本実施例により１．８μｍに
向上させるこができた。
【００１７】このように本実施例によれば高価な材料で
ある補充片や研磨プレートの専用化といったコストアッ
プの要因となるものを用いず、また研磨後のへき開とい
った不安定作業を行うこともなく、容易にへき開面の保
護が可能であり、これによってウエハの平坦性向上、歩
留向上が達成され、更にはウエハのコストダウンが可能
となる等の効果を奏することができる。
ある補充片や研磨プレートの専用化といったコストアッ
プの要因となるものを用いず、また研磨後のへき開とい
った不安定作業を行うこともなく、容易にへき開面の保
護が可能であり、これによってウエハの平坦性向上、歩
留向上が達成され、更にはウエハのコストダウンが可能
となる等の効果を奏することができる。
【００１８】〔実施例２〕図２には本発明の他の実施例
が示されている。本実施例は矩形ウエハ１ｂの場合であ
る。矩形ウエハ１ｂの外周はすべてへき開面であるが、
プロセス上重要なのは１面のへき開面４であり、そのへ
き開面４を保護するように貼付けた。このようにするこ
とにより研磨後の断面は前述の円形ウエハの場合と同様
であった。
が示されている。本実施例は矩形ウエハ１ｂの場合であ
る。矩形ウエハ１ｂの外周はすべてへき開面であるが、
プロセス上重要なのは１面のへき開面４であり、そのへ
き開面４を保護するように貼付けた。このようにするこ
とにより研磨後の断面は前述の円形ウエハの場合と同様
であった。
【００１９】
【発明の効果】上述のように本発明は、２枚の半導体基
板のへき開面を相互に密着させて研磨プレート上に貼付
け、研磨したので、へき開面の保護が容易となって、ウ
エハ外周にあるへき開面を容易に保護することを可能と
した半導体基板の研磨方法を得ることができる。
板のへき開面を相互に密着させて研磨プレート上に貼付
け、研磨したので、へき開面の保護が容易となって、ウ
エハ外周にあるへき開面を容易に保護することを可能と
した半導体基板の研磨方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体基板の研磨方法の一実施例によ
る貼付状態を示す平面図である。
る貼付状態を示す平面図である。
【図２】本発明の半導体基板の研磨方法の他の実施例に
よる貼付状態を示す平面図である。
よる貼付状態を示す平面図である。
【図３】従来の半導体基板の研磨方法による貼付状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】従来の半導体基板の研磨方法の他の例による切
欠きを設けた状態を示す平面図である。
欠きを設けた状態を示す平面図である。
【図５】本実施例と従来例の半導体基板の研磨方法によ
るへき開面の状態を示すもので（ａ）は本実施例のへき
開面の状態を示す説明図、（ｂ）は従来例のへき開面の
状態を示す説明図である。
るへき開面の状態を示すもので（ａ）は本実施例のへき
開面の状態を示す説明図、（ｂ）は従来例のへき開面の
状態を示す説明図である。
１ａ 円形ウエハ １ｂ 矩形ウエハ ２ 研磨プレート ４ へき開面
Claims (1)
- 【請求項１】へき開面を有する半導体基板の研磨方法に
おいて、前記２枚の半導体基板のへき開面を相互に密着
させて研磨プレート上に貼付け、研磨するようにしたこ
とを特徴とする半導体基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070592A JPH05291216A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9070592A JPH05291216A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体基板の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291216A true JPH05291216A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14005947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9070592A Pending JPH05291216A (ja) | 1992-04-10 | 1992-04-10 | 半導体基板の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222785A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体ウエハおよびその研磨方法 |
-
1992
- 1992-04-10 JP JP9070592A patent/JPH05291216A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222785A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体ウエハおよびその研磨方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW498442B (en) | Method for thinning semiconductor wafer and thin semiconductor wafer | |
| US5191738A (en) | Method of polishing semiconductor wafer | |
| JPS5958827A (ja) | 半導体ウエ−ハ、半導体ウエ−ハの製造方法及び半導体ウエ−ハの製造装置 | |
| US20210047750A1 (en) | SEED CRYSTAL FOR SINGLE CRYSTAL 4H-SiC GROWTH AND METHOD FOR PROCESSING THE SAME | |
| US6599760B2 (en) | Epitaxial semiconductor wafer manufacturing method | |
| US6051498A (en) | Method for manufacturing a semiconductor wafer which is coated on one side and provided with a finish | |
| US6406357B1 (en) | Grinding method, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20030232580A1 (en) | Method of machining silicon wafer | |
| JPH05291216A (ja) | 半導体基板の研磨方法 | |
| EP0403287B1 (en) | Method of polishing semiconductor wafer | |
| JPH11333703A (ja) | ポリッシング加工機 | |
| JPH06295848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6294263A (ja) | カツタ−ブレ−ドおよびその製造方法 | |
| JPH08274286A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH04284629A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JP3151478B2 (ja) | 結晶体の研磨方法及び研磨治具 | |
| WO2001096065A1 (fr) | Procede de polissage de pieces | |
| JPH11216661A (ja) | ウェーハの枚葉式研磨方法とその装置 | |
| JPH04206930A (ja) | 半導体ウェーハの研磨用チャック | |
| JP2000033563A (ja) | 研磨代の管理方法およびこれを用いたウエーハの製造方法 | |
| JP4202703B2 (ja) | 研磨装置 | |
| CN116079506A (zh) | 一种改善大尺寸碳化硅衬底ttv的加工方法 | |
| TWM628108U (zh) | 晶錠用加工砂輪 | |
| Zhang | High Precision Wafer Thinning Using Ultra-low-TTV Glass Carrier and Novel Temporary Bonding | |
| JPH05152264A (ja) | ウエーハの研磨方法 |