JPH05152264A - ウエーハの研磨方法 - Google Patents
ウエーハの研磨方法Info
- Publication number
- JPH05152264A JPH05152264A JP31662391A JP31662391A JPH05152264A JP H05152264 A JPH05152264 A JP H05152264A JP 31662391 A JP31662391 A JP 31662391A JP 31662391 A JP31662391 A JP 31662391A JP H05152264 A JPH05152264 A JP H05152264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- orientation flat
- peripheral
- adhered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＯＦヘキ開部の周辺ダレをなくする、あるいは
周辺ダレの量を制御することができるＧａＡｓウェーハ
の研磨方法の提供。 【構成】ＧａＡｓウェーハの研磨において、材質がＧａ
Ａｓで厚さが同じダミー基板を用いたことにより、周辺
部のダレを低減し、あるいはダレ量を制御する。
周辺ダレの量を制御することができるＧａＡｓウェーハ
の研磨方法の提供。 【構成】ＧａＡｓウェーハの研磨において、材質がＧａ
Ａｓで厚さが同じダミー基板を用いたことにより、周辺
部のダレを低減し、あるいはダレ量を制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はオリエンテーションフラ
ット部がヘキ開面である円形のＧａＡｓウェーハの研磨
方法に関するものである。
ット部がヘキ開面である円形のＧａＡｓウェーハの研磨
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓウェーハは光素子や高周波素子
用の基板として使用されている。この中で特に半導体レ
ーザ用の基板としては、円形サイズ及び角形サイズのも
のが使用されているが、最近は、ＭＯＶＰＥやＭＢＥ法
によりエピ成長を行うデバイスメーカーが増加してお
り、これに伴い、円形サイズのものが主流となってきて
いる。この円形サイズのものは、オリエンテーションフ
ラット部がデバイス製作のうえで基準となり、かつその
面方位の精度が非常に重要である為、そのオリエンテー
ションフラット部が、ヘキ開面であることが要求され
る。このオリエンテーションフラット部がヘキ開面であ
るウェーハは今まで下記のような手順で製造していた。
用の基板として使用されている。この中で特に半導体レ
ーザ用の基板としては、円形サイズ及び角形サイズのも
のが使用されているが、最近は、ＭＯＶＰＥやＭＢＥ法
によりエピ成長を行うデバイスメーカーが増加してお
り、これに伴い、円形サイズのものが主流となってきて
いる。この円形サイズのものは、オリエンテーションフ
ラット部がデバイス製作のうえで基準となり、かつその
面方位の精度が非常に重要である為、そのオリエンテー
ションフラット部が、ヘキ開面であることが要求され
る。このオリエンテーションフラット部がヘキ開面であ
るウェーハは今まで下記のような手順で製造していた。
【０００３】まず、単結晶インゴットを所定の厚さにス
ライスした後、オリエンテーションフラット部となる部
分をスクライブによりヘキ開し、その部分は面取せずに
他の部分の外周のみ面取を実施する。その後両面同時ラ
ッピング又は片面づつ両面をラッピングし、化学エッチ
ングし、その加工歪を除去する。
ライスした後、オリエンテーションフラット部となる部
分をスクライブによりヘキ開し、その部分は面取せずに
他の部分の外周のみ面取を実施する。その後両面同時ラ
ッピング又は片面づつ両面をラッピングし、化学エッチ
ングし、その加工歪を除去する。
【０００４】その後図３に示すようにウェーハ１を研磨
プレート２にワックスを用いて接着し、ポリッシング工
程を経て、鏡面に仕上げられる。
プレート２にワックスを用いて接着し、ポリッシング工
程を経て、鏡面に仕上げられる。
【０００５】ところでＧａＡｓウェーハは、加工歪やス
クラッチ等が発生しやすい為そのポリッシング工程で
は、弾性のある軟質な研磨布と、砥粒を含まない研磨液
を使用して研磨する。この為ウェーハ周辺部において
は、周辺部の面ダレが生じるという欠点があった。
クラッチ等が発生しやすい為そのポリッシング工程で
は、弾性のある軟質な研磨布と、砥粒を含まない研磨液
を使用して研磨する。この為ウェーハ周辺部において
は、周辺部の面ダレが生じるという欠点があった。
【０００６】これは特に半導体レーザ用でＯＦ部ヘキ開
が要求される基板においては、致命的な欠点である。
が要求される基板においては、致命的な欠点である。
【０００７】さらに、デバイスメーカーによっては、Ｏ
Ｆヘキ開部が全く周辺ダレがない場合は、ＭＯＶＰＥ又
はＭＢＥエピ工程で周辺部が異常成長となる為、ある一
定量の周辺ダレ量を要求するメーカーもある。
Ｆヘキ開部が全く周辺ダレがない場合は、ＭＯＶＰＥ又
はＭＢＥエピ工程で周辺部が異常成長となる為、ある一
定量の周辺ダレ量を要求するメーカーもある。
【０００８】従って、従来技術では、このような要求に
は対応不可であった。
は対応不可であった。
【０００９】
【発明の目的】本発明の目的は、前記した従来技術の欠
点であるＯＦヘキ開部の周辺ダレをなくする、あるいは
周辺ダレの量を制御することができるＧａＡｓウェーハ
の研磨方法を提供することにある。
点であるＯＦヘキ開部の周辺ダレをなくする、あるいは
周辺ダレの量を制御することができるＧａＡｓウェーハ
の研磨方法を提供することにある。
【００１０】
【発明の要点】本発明の要旨は、ＧａＡｓウェーハの研
磨において、材質がＧａＡｓで厚さが同じダミー基板を
用いたことにより、周辺部のダレを低減し、あるいはダ
レ量を制御することを可能にさせたものである。
磨において、材質がＧａＡｓで厚さが同じダミー基板を
用いたことにより、周辺部のダレを低減し、あるいはダ
レ量を制御することを可能にさせたものである。
【００１１】
【発明の実施例】図１及び図２に示すように、ラッピン
グ及びエッチングが完了したφ２″サイズでオリエンテ
ーションフラット部３がヘキ開面で長さが１６mmのＧａ
Ａｓウェーハ１を研磨プレート２（直径約３００mm）に
８枚ワックス４を用いて接着し、かつ、１６mm×５mmで
上述のウェーハ１と同じ厚さのダミーのＧａＡｓウェー
ハ５を、オリエンテーションフラット部３より１mm以内
の距離に接着した。
グ及びエッチングが完了したφ２″サイズでオリエンテ
ーションフラット部３がヘキ開面で長さが１６mmのＧａ
Ａｓウェーハ１を研磨プレート２（直径約３００mm）に
８枚ワックス４を用いて接着し、かつ、１６mm×５mmで
上述のウェーハ１と同じ厚さのダミーのＧａＡｓウェー
ハ５を、オリエンテーションフラット部３より１mm以内
の距離に接着した。
【００１２】この状態でポリッシングを実施した。
【００１３】この結果、図４に示すように従来品（ａ）
と比べ非常に周辺ダレの少ない（ｂ）ウェーハ１が得ら
れた。さらに、ダミーのＧａＡｓウェーハ５の接着位置
をオリエンテーションフラット部３より１mm以内ではな
く、距離を離すことにより、周辺ダレが大きくなること
が確認できた。
と比べ非常に周辺ダレの少ない（ｂ）ウェーハ１が得ら
れた。さらに、ダミーのＧａＡｓウェーハ５の接着位置
をオリエンテーションフラット部３より１mm以内ではな
く、距離を離すことにより、周辺ダレが大きくなること
が確認できた。
【００１４】これにより、従来方法のダミーなしの場合
の周辺ダレ量と、ダミーを使用しダミーと製品ウェーハ
との距離を１mm以内にした場合の周辺ダレ量の間で、周
辺ダレ量を制御することが可能であることがわかった。
の周辺ダレ量と、ダミーを使用しダミーと製品ウェーハ
との距離を１mm以内にした場合の周辺ダレ量の間で、周
辺ダレ量を制御することが可能であることがわかった。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、オリエンテーションフラ
ット部がヘキ開面を要求されるウェーハのオリエンテー
ションフラット部の周辺面ダレを低減することができ、
かつ、顧客要求に合わせた周辺ダレ量に制御することが
可能となったもので、その工業的価値は大なるものがあ
る。
ット部がヘキ開面を要求されるウェーハのオリエンテー
ションフラット部の周辺面ダレを低減することができ、
かつ、顧客要求に合わせた周辺ダレ量に制御することが
可能となったもので、その工業的価値は大なるものがあ
る。
【図１】本発明研磨方法の一実施例を示す説明図。
【図２】図１のＡ−Ａ′断面説明図。
【図３】従来の研磨方法の一例を示す説明図。
【図４】ウェーハの研磨された断面形状の一例を示すも
ので、（ａ）は従来方法、（ｂ）は本発明方法による断
面図。
ので、（ａ）は従来方法、（ｂ）は本発明方法による断
面図。
１ ウェーハ ２ 研磨プレート ３ オリエンテーションフラット部（ヘキ開面） ４ ワックス ５ ダミー基板
Claims (3)
- 【請求項１】研磨プレートにウェーハをワックス等で接
着し、片面を鏡面に仕上げるウェーハの研磨方法におい
て、ウェーハの周辺部にウェーハの面ダレを制御するダ
ミー基板を接着して研磨することを特徴とするウェーハ
の研磨方法。 - 【請求項２】ダミー基板が該当ウェーハと同材質で、か
つ同厚さの基板であることを特徴とする請求項１記載の
ウェーハの研磨方法。 - 【請求項３】研磨プレートに接着するウェーハとダミー
基板の距離を離すことにより、ウェーハの周辺ダレの大
きさを制御することを特徴とする請求項１又は２記載の
ウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31662391A JPH05152264A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | ウエーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31662391A JPH05152264A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | ウエーハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152264A true JPH05152264A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18079117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31662391A Pending JPH05152264A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | ウエーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152264A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222785A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体ウエハおよびその研磨方法 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31662391A patent/JPH05152264A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002222785A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体ウエハおよびその研磨方法 |
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