TWM628108U

TWM628108U - 晶錠用加工砂輪

Info

Publication number: TWM628108U
Application number: TW110215689U
Authority: TW
Inventors: 李佑仁; 周育正; 洪博耀; 黃志昇
Original assignee: 盛新材料科技股份有限公司
Priority date: 2021-12-30
Filing date: 2021-12-30
Publication date: 2022-06-11
Also published as: JP3239563U; CN217394695U

Abstract

本創作公開一種晶錠用加工砂輪，適於對碳化矽晶錠進行加工。所述晶錠用加工砂輪包括一輪狀主體，其中所述輪狀主體具有一第一外部環狀邊緣、一第二外部環狀邊緣以及一位於所述第一外部環狀邊緣與所述第二外部環狀邊緣之間的加工面，且所述第一外部環狀邊緣具有一半徑為2 mm至4 mm的第一倒角。因此，能有效減少加工過程中對晶體造成的損傷。

Description

晶錠用加工砂輪

本創作涉及一種加工器具，涉及一種晶錠用加工砂輪，適於對碳化矽晶錠進行外觀修整。

碳化矽(SiC)作為第三代半導體材料的核心，具有寬能隙、高導熱率、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移率、高化學穩定性等特點，在高溫、高頻、大功率、高密度集成電子器件等方面的應用具有巨大潛力。然而，碳化矽具有高硬度、高脆性等物理特性，在加工過程中容易造成晶片損傷，達不到實際使用要求。具體來說，碳化矽晶片的品質，例如損傷率和缺陷率，會影響其上形成磊晶薄膜的品質，嚴重會引起漏電和降低電子遷移率，進而影響半導體元件的性能。

由上可知，碳化矽晶片的品質已成為碳化矽基底生產所必須解決的重要問題。為了降低碳化矽晶片的損傷率和缺陷率，有需要避免碳化矽晶片在加工過程中發生碰撞。

本創作所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種晶錠用加工砂輪。

為了解決上述的技術問題，本創作所採用的其中一技術方案是提供一種晶錠用加工砂輪，包括一輪狀主體，其中所述輪狀主體具有一第一外部環狀邊緣、一第二外部環狀邊緣以及一位於所述第一外部環狀邊緣與所述第二外部環狀邊緣之間的加工面，所述第一外部環狀邊緣具有一第一倒角，且所述第一倒角的半徑為2mm至4mm。

更進一步地，所述第二外部環狀邊緣具有一第二倒角，且所述第二倒角的半徑為2mm至4mm。

更進一步地，所述輪狀主體包含一結合劑以及多個磨料顆粒。

更進一步地，所述結合劑為一樹脂結合劑，多個所述磨料顆粒為鑽石顆粒。

更進一步地，所述第一倒角的寬度與所述輪狀主體的厚度的比值為1：5至1：10。

更進一步地，所述第二倒角的寬度與所述輪狀主體的厚度的比值為1：5至1：10。

更進一步地，所述晶錠用加工砂輪經配置以處於直立狀態並通過所述加工面對一碳化矽晶錠進行外觀修整。

更進一步地，所述輪狀主體的厚度為10mm至25mm，所述輪狀主體的外徑為380mm至405mm。

本創作的其中一有益效果在於，本創作的晶錠用加工砂輪，其能通過“所述輪狀主體具有一處於徑向方向上的加工面以及一環繞所述加工面的第一外部環狀邊緣，所述第一外部環狀邊緣具有一第一倒角，且所述第一倒角的半徑為2mm至4mm”的技術手段，以有效減少加工過程中對晶體造成的損傷如裂痕、崩邊、缺角等。

為使能更進一步瞭解本創作的特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本創作加以限制。

Z1、Z2:晶錠用加工砂輪

1:輪狀主體

100:加工面

11:第一外部環狀邊緣

R1:第一倒角

12:第二外部環狀邊緣

R2:第二倒角

2:碳化矽晶錠

D1:外徑

D2:厚度

W1、W2:寬度

圖1為本創作第一實施例的晶錠用加工砂輪的立體示意圖。

圖2為本創作第一實施例的晶錠用加工砂輪的平面示意圖。

圖3為圖2中Ⅲ部分的局部放大圖。

圖4為本創作第一實施例的晶錠用加工砂輪的使用狀態示意圖。

圖5為本創作第二實施例的晶錠用加工砂輪的立體示意圖。

圖6為本創作第二實施例的晶錠用加工砂輪的平面示意圖。

圖7為圖6中Ⅶ部分的局部放大圖。

以下是通過特定的具體實施例來說明本創作所公開有關“晶錠用加工砂輪”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本創作的優點與效果。本創作可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不背離本創作的構思下進行各種修改與變更。另外，本創作的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實施方式將進一步詳細說明本創作的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本創作的保護範圍。另外，本文中所使用的術語“或”，應視實際情況可能包括相關聯的列出項目中的任一個或者多個的組合。

[第一實施例]

請參閱圖1及圖2，顯示晶錠用加工砂輪Z1的其中一種可實施構造。如圖1及圖2所示，晶錠用加工砂輪Z1為一種砂輪，適於對晶錠進行加工，例如對碳化矽晶錠的外觀(外緣的形狀)進行修整。晶錠用加工砂輪Z1主要包括一輪狀主體1，輪狀主體1具有一第一外部環狀邊緣11、一第二外部環狀邊緣12及一位於第一外部環狀邊緣11與第二外部環狀邊緣12之間的加工面100，其中第一外部環狀邊緣11具有一第一倒角R1，且第一倒角R1的半徑為2mm至4mm。

在本實施例中，輪狀主體1的材料包含結合劑及磨料顆粒，且輪狀主體1的成型方法包括熱壓或冷壓成型步驟及燒結步驟。實際應用時，結合劑可採用樹脂結合劑(如酚醛樹脂)，磨料顆粒可採用鑽石顆粒。另外，輪狀主體1的外徑D1可為380mm至405mm，輪狀主體1的厚度D2可為10mm至25mm。以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本創作。舉例來說，在一些實施例中，輪狀主體1所需的結合劑也可採用陶瓷結合劑或橡膠結合劑。

請復參閱圖1及圖2，並配合圖3所示，為了提高加工品質，進而獲得高品質、低缺陷的晶錠，可將第一倒角R1的寬度W1與輪狀主體1的厚度D2的比值設置為1：5至1：10。

實際應用時，一或多個磨料顆粒可具有一被結合劑所包覆的內端部及一外露於結合劑的外端部，其中外端部可具有尖端結構；尖端結構可為刀刃狀、圓錐狀、圓柱狀、角錐狀或角柱狀，但本創作不以上述所舉的例子為限。另外，多個磨料顆粒可以呈規則排列或不規則排列分佈，且可具有相同或不同的尖端方向性。以上所述只是可行的實施方式，而非用以限制本創作。

請參閱圖4，顯示晶錠用加工砂輪Z1的使用方式。如圖4所示，晶錠用加工砂輪Z1可經配置以處於直立狀態並通過加工面100對一碳化矽晶錠2(如碳化矽晶片)進行外觀修整，以使碳化矽晶錠2的外緣具有所需的形狀。值得一提的是，晶錠用加工砂輪Z1，其中輪狀主體1上鄰近其加工面100的邊緣處形成有半徑為2mm至4mm的倒角，在加工過程中與待加工物(碳化矽晶錠2)發生碰撞的機率將大大降低，進而能有效減少加工過程中對晶體造成的損傷如裂痕、崩邊、缺角等。

然而，晶錠用加工砂輪Z1的使用方式不以上述所舉的例子為限。在一些實施例中，晶錠用加工砂輪Z1可使用於一般精密磨削、超精密磨削、切割、研光、精密光磨等。

[第二實施例]

請參閱圖5至圖7，顯示晶錠用加工砂輪Z1的另外一種可實施構造。如圖5至圖7所示，晶錠用加工砂輪Z2主要包括一輪狀主體1，輪狀主體1具有一第一外部環狀邊緣11、一第二外部環狀邊緣12及一位於第一外部環狀邊緣11與第二外部環狀邊緣12之間的加工面100，其中第一外部環狀邊緣11具有一第一倒角R1，第二外部環狀邊緣12具有一第二倒角R2，且第一倒角R1與第二倒角R2的半徑各為2mm至4mm。另外，為了提高加工品質，進而獲得高品質、低缺陷的晶錠，可將第一倒角R1的寬度W1與輪狀主體1的厚度D2的比值設置為1：5至1：10，並將第二倒角R2的寬度W2與輪狀主體1的厚度D2的比值設置為1：5至1：10。

第一實施例中提到的相關技術細節在本實施例中依然有效，為了減少重複，這裡不再贅述。同樣地，本實施例中提到的相關技術細節也可應用在第一實施例中。

[實施例的有益效果]

以上所公開的內容僅為本創作的優選可行實施例，並非因此侷限本創作的申請專利範圍，所以凡是運用本創作說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本創作的申請專利範圍內。

1:輪狀主體

100:加工面

11:第一外部環狀邊緣

R1:第一倒角

Claims

一種晶錠用加工砂輪，包括一輪狀主體，其中所述輪狀主體具有一第一外部環狀邊緣、一第二外部環狀邊緣以及一位於所述第一外部環狀邊緣與所述第二外部環狀邊緣之間的加工面，所述第一外部環狀邊緣具有一第一倒角，且所述第一倒角的半徑為2mm至4mm。
如請求項1所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述第二外部環狀邊緣具有一第二倒角，且所述第二倒角的半徑為2mm至4mm。
如請求項1或2所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述輪狀主體包含一結合劑以及多個磨料顆粒。
如請求項3所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述結合劑為一樹脂結合劑，多個所述磨料顆粒為鑽石顆粒。
如請求項2所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述第一倒角的寬度與所述輪狀主體的厚度的比值為1：5至1：10。
如請求項5所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述第二倒角的寬度與所述輪狀主體的厚度的比值為1：5至1：10。
如請求項6所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述輪狀主體的厚度為10mm至25mm，所述輪狀主體的外徑為380mm至405mm。
如請求項1所述的晶錠用加工砂輪，其中，所述晶錠用加工砂輪經配置以處於直立狀態並通過所述加工面對一碳化矽晶錠進行外觀修整。