JPH0513550A - 基板移載用フオーク - Google Patents
基板移載用フオークInfo
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- JPH0513550A JPH0513550A JP18833991A JP18833991A JPH0513550A JP H0513550 A JPH0513550 A JP H0513550A JP 18833991 A JP18833991 A JP 18833991A JP 18833991 A JP18833991 A JP 18833991A JP H0513550 A JPH0513550 A JP H0513550A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板の移載時における発塵が抑制され、表面
汚染によるウエハの不具合を生じさせない基板移載用フ
ォークを提供することにある。 【構成】 熱処理される複数の基板を、これらが収納さ
れた基板収納容器から熱処理用基板保持具に移載すると
ともに、熱処理された複数の基板を、これらが保持され
た前記熱処理用基板保持具から基板収納容器に移載する
ために用いられる基板移載用フォークであって、少なく
とも基板の下面と対接する部分において、ＣＶＤコート
処理が施されていることを特徴とする。また、上面に
は、基板の下面と対接する複数の凸面部が形成されてい
ることを特徴とする。
汚染によるウエハの不具合を生じさせない基板移載用フ
ォークを提供することにある。 【構成】 熱処理される複数の基板を、これらが収納さ
れた基板収納容器から熱処理用基板保持具に移載すると
ともに、熱処理された複数の基板を、これらが保持され
た前記熱処理用基板保持具から基板収納容器に移載する
ために用いられる基板移載用フォークであって、少なく
とも基板の下面と対接する部分において、ＣＶＤコート
処理が施されていることを特徴とする。また、上面に
は、基板の下面と対接する複数の凸面部が形成されてい
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板収納容器と熱処理
用基板保持具との間で基板を移載するために用いられる
基板移載用フォークに関する。
用基板保持具との間で基板を移載するために用いられる
基板移載用フォークに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の製造工程におい
て、半導体ウエハ等の基板を搬送する場合に、キャリア
あるいはカセットと称される基板収納容器が用いられ
る。この基板収納容器は、軽量で安価な樹脂等からな
り、半導体ウエハを複数枚例えば30枚程度収納可能に構
成されている。
て、半導体ウエハ等の基板を搬送する場合に、キャリア
あるいはカセットと称される基板収納容器が用いられ
る。この基板収納容器は、軽量で安価な樹脂等からな
り、半導体ウエハを複数枚例えば30枚程度収納可能に構
成されている。
【０００３】一方、例えば熱処理装置等によって多数の
ウエハをバッチ処理するような場合、上記のような樹脂
製の基板収納容器に収納された状態でウエハの熱処理を
行うことはできず、熱処理用ボートといわれる熱処理用
基板保持具にウエハを移載してから熱処理を行う必要が
ある。ここに、熱処理用ボートは、化学的に安定でかつ
耐熱性に優れた石英ガラス等からなり、例えば100 〜15
0 枚程度のウエハを保持可能に構成されている。
ウエハをバッチ処理するような場合、上記のような樹脂
製の基板収納容器に収納された状態でウエハの熱処理を
行うことはできず、熱処理用ボートといわれる熱処理用
基板保持具にウエハを移載してから熱処理を行う必要が
ある。ここに、熱処理用ボートは、化学的に安定でかつ
耐熱性に優れた石英ガラス等からなり、例えば100 〜15
0 枚程度のウエハを保持可能に構成されている。
【０００４】従来、ウエハを移載するための基板移載用
フォークとしては、図９に示すような、セラミック製あ
るいは金属製、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）製の板状
体が用いられている。同図において、91はウエハの下面
周縁部が対接されるウエハ支持面91である。
フォークとしては、図９に示すような、セラミック製あ
るいは金属製、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）製の板状
体が用いられている。同図において、91はウエハの下面
周縁部が対接されるウエハ支持面91である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような基板移載用フォークを用いて基板を移載する場
合、移載操作時の発塵による微片がウエハの表面に付着
してこれを汚染し、このためにウエハの特性が損なわれ
る、という問題がある。特に、最近においては、高集積
度のウエハ、すなわちパターンピッチの小さなウエハが
多用されるようになってきている。このような高集積度
のウエハは、表面の付着物による影響を受けやすく、不
純物の許容値も厳しいものである。例えば、許容オーダ
ーとして、４メガＤＲＡＭでは８インチウエハ表面に
0.2ミクロンのパーティクルが10個以下であることが要
望されている。従って、高集積度のウエハにおいては、
発塵による表面汚染が特に問題となる。
ような基板移載用フォークを用いて基板を移載する場
合、移載操作時の発塵による微片がウエハの表面に付着
してこれを汚染し、このためにウエハの特性が損なわれ
る、という問題がある。特に、最近においては、高集積
度のウエハ、すなわちパターンピッチの小さなウエハが
多用されるようになってきている。このような高集積度
のウエハは、表面の付着物による影響を受けやすく、不
純物の許容値も厳しいものである。例えば、許容オーダ
ーとして、４メガＤＲＡＭでは８インチウエハ表面に
0.2ミクロンのパーティクルが10個以下であることが要
望されている。従って、高集積度のウエハにおいては、
発塵による表面汚染が特に問題となる。
【０００６】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その目的は、基板の移載時におけ
る発塵が抑制され、表面汚染によるウエハの不具合を生
じさせない基板移載用フォークを提供することにある。
されたものであって、その目的は、基板の移載時におけ
る発塵が抑制され、表面汚染によるウエハの不具合を生
じさせない基板移載用フォークを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、移載時に
おける発塵の程度が、基板の下面と対接する支持面の表
面状態、並びに基板の下面との接触面積に依存すること
を見出し、斯かる知見に基づいて本発明を完成した。
おける発塵の程度が、基板の下面と対接する支持面の表
面状態、並びに基板の下面との接触面積に依存すること
を見出し、斯かる知見に基づいて本発明を完成した。
【０００８】本発明の基板移載用フォークは、熱処理さ
れる複数の基板を、これらが収納された基板収納容器か
ら熱処理用基板保持具に移載するとともに、熱処理され
た複数の基板を、これらが保持された前記熱処理用基板
保持具から基板収納容器に移載するために用いられる基
板移載用フォークであって、少なくとも基板の下面と対
接する部分において、ＣＶＤコート処理が施されている
ことを特徴とする。
れる複数の基板を、これらが収納された基板収納容器か
ら熱処理用基板保持具に移載するとともに、熱処理され
た複数の基板を、これらが保持された前記熱処理用基板
保持具から基板収納容器に移載するために用いられる基
板移載用フォークであって、少なくとも基板の下面と対
接する部分において、ＣＶＤコート処理が施されている
ことを特徴とする。
【０００９】また、本発明の基板移載用フォークは、熱
処理される複数の基板を、これらが収納された基板収納
容器から熱処理用基板保持具に移載するとともに、熱処
理された複数の基板を、これらが保持された前記熱処理
用基板保持具から基板収納容器に移載するために用いら
れる基板移載用フォークであって、上面には、基板の下
面と対接する複数の凸面部が形成されていることを特徴
とする。
処理される複数の基板を、これらが収納された基板収納
容器から熱処理用基板保持具に移載するとともに、熱処
理された複数の基板を、これらが保持された前記熱処理
用基板保持具から基板収納容器に移載するために用いら
れる基板移載用フォークであって、上面には、基板の下
面と対接する複数の凸面部が形成されていることを特徴
とする。
【００１０】
【作用】少なくとも基板の下面と対接する部分におい
て、ＣＶＤコート処理が施されているので、その表面は
平滑性の高い鏡面状態となる。また、ＣＶＤコート層は
高い硬度を有するものであり、基板の下面との接触によ
って欠損することはない。従って移載中の発塵が抑制さ
れる。
て、ＣＶＤコート処理が施されているので、その表面は
平滑性の高い鏡面状態となる。また、ＣＶＤコート層は
高い硬度を有するものであり、基板の下面との接触によ
って欠損することはない。従って移載中の発塵が抑制さ
れる。
【００１１】上面には、基板の下面と対接する複数の凸
面部が形成されているので、従来の基板移載用フォーク
に比べて、基板の下面との接触面積が小さいものとな
り、移載中の発塵が抑制される。
面部が形成されているので、従来の基板移載用フォーク
に比べて、基板の下面との接触面積が小さいものとな
り、移載中の発塵が抑制される。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づい
て説明する。図１は、本発明の基板移載用フォークの一
実施例を示す説明用斜視図である。
て説明する。図１は、本発明の基板移載用フォークの一
実施例を示す説明用斜視図である。
【００１３】この例の基板移載用フォーク10（以下「フ
ォーク10」という）は、例えば６インチのウエハを移載
する縦 210mm、横56mm、板厚 1.0mmの例えばアルミナ製
の板状体である。フォーク10の上面10Ａには、それぞれ
円形の凸面11Ａ〜14Ａを有する基板支持部11〜14が形成
されている。移載時において、凸面11Ａ〜14Ａは、それ
ぞれ基板の下面と対接され、これによりウエハが支持さ
れる。基板支持部11〜14において、凸面11Ａ〜14Ａの直
径は10.5mm、上面10Ａからの突出高さｈ1 は 0.3mmであ
る。
ォーク10」という）は、例えば６インチのウエハを移載
する縦 210mm、横56mm、板厚 1.0mmの例えばアルミナ製
の板状体である。フォーク10の上面10Ａには、それぞれ
円形の凸面11Ａ〜14Ａを有する基板支持部11〜14が形成
されている。移載時において、凸面11Ａ〜14Ａは、それ
ぞれ基板の下面と対接され、これによりウエハが支持さ
れる。基板支持部11〜14において、凸面11Ａ〜14Ａの直
径は10.5mm、上面10Ａからの突出高さｈ1 は 0.3mmであ
る。
【００１４】基板支持部11〜14の形成方法としては、図
２に示すように、フォーク材料10’に、凹部Ｕ1 〜Ｕ4
を形成し、この凹部Ｕ1 〜Ｕ4 の各々に円柱状の基板支
持部材料11’〜14’を嵌合して圧入し、次いで、少なく
とも凸面11Ａ’〜14Ａ’を含む領域においてＣＶＤコー
ト処理を施す方法、図３に示すように、フォーク材料1
0’に、ＣＶＤコート処理が施された凸面11Ａ”〜14
Ａ”を有する基板支持部材料11”〜14”を接着剤を用い
て接着する方法等を挙げることができる。なお、凸面11
Ａ〜14Ａの形状は必ずしも円型でなくてもよく、矩形で
あってもよい。
２に示すように、フォーク材料10’に、凹部Ｕ1 〜Ｕ4
を形成し、この凹部Ｕ1 〜Ｕ4 の各々に円柱状の基板支
持部材料11’〜14’を嵌合して圧入し、次いで、少なく
とも凸面11Ａ’〜14Ａ’を含む領域においてＣＶＤコー
ト処理を施す方法、図３に示すように、フォーク材料1
0’に、ＣＶＤコート処理が施された凸面11Ａ”〜14
Ａ”を有する基板支持部材料11”〜14”を接着剤を用い
て接着する方法等を挙げることができる。なお、凸面11
Ａ〜14Ａの形状は必ずしも円型でなくてもよく、矩形で
あってもよい。
【００１５】この例のフォーク10においては、凸面11Ａ
〜14Ａを含む領域にＳｉＣによるＣＶＤコート処理が施
されている。これにより、ＳｉＣの微細な結晶からなる
ＣＶＤコート層が形成され、その表面は平滑な鏡面状態
となっている。また、ＳｉＣのＣＶＤコート層は高い硬
度を有するものであり、移載中における基板の下面との
接触によって欠損することはない。更に、ＳｉＣのＣＶ
Ｄコート層の純度は極めて高く、重金属等の不純物の含
有量は、熱処理用ボートを構成する石英よりも少ないも
のであり、特に半導体ウエハに悪影響を与えるナトリウ
ムの含有量が極めて少ない点で優れている。ここに、Ｃ
ＶＤコート層の膜厚は例えば50μｍ程度である。
〜14Ａを含む領域にＳｉＣによるＣＶＤコート処理が施
されている。これにより、ＳｉＣの微細な結晶からなる
ＣＶＤコート層が形成され、その表面は平滑な鏡面状態
となっている。また、ＳｉＣのＣＶＤコート層は高い硬
度を有するものであり、移載中における基板の下面との
接触によって欠損することはない。更に、ＳｉＣのＣＶ
Ｄコート層の純度は極めて高く、重金属等の不純物の含
有量は、熱処理用ボートを構成する石英よりも少ないも
のであり、特に半導体ウエハに悪影響を与えるナトリウ
ムの含有量が極めて少ない点で優れている。ここに、Ｃ
ＶＤコート層の膜厚は例えば50μｍ程度である。
【００１６】図１において、15はフォーク10の一端側に
形成された切り欠き部である。16は位置ずれ防止用手段
であり、基板支持部11〜14の各々に隣接して設けられ
た、直径５mm、上面10Ａからの突出高さｈ2 が 0.7mmの
円柱状の突起よりなる。この位置ずれ防止用手段16によ
り、ウエハは、その周縁が保持されて移載中における位
置ずれが防止される。
形成された切り欠き部である。16は位置ずれ防止用手段
であり、基板支持部11〜14の各々に隣接して設けられ
た、直径５mm、上面10Ａからの突出高さｈ2 が 0.7mmの
円柱状の突起よりなる。この位置ずれ防止用手段16によ
り、ウエハは、その周縁が保持されて移載中における位
置ずれが防止される。
【００１７】図４は、上記のフォーク10を備えた移載機
を示す説明用斜視図であり、この移載機はフォーク10
と、このフォーク10の他端側に接続されるフォーク駆動
機構20とにより構成される。
を示す説明用斜視図であり、この移載機はフォーク10
と、このフォーク10の他端側に接続されるフォーク駆動
機構20とにより構成される。
【００１８】フォーク駆動機構20は、フォークスライド
手段25と、このフォークスライド手段25を保持する軸部
26とよりなる。フォークスライド手段25により、フォー
ク10は矢印Ｘに示す方向への往復運動が可能となる。ま
た、フォークスライド手段25は、軸部26に沿って昇降可
能であるとともに、軸部26に対して回転可能である。従
って、フォーク10は、フォークスライド手段25ととも
に、Ｚ方向の往復運動およびθ方向の旋回運動が可能と
なる。
手段25と、このフォークスライド手段25を保持する軸部
26とよりなる。フォークスライド手段25により、フォー
ク10は矢印Ｘに示す方向への往復運動が可能となる。ま
た、フォークスライド手段25は、軸部26に沿って昇降可
能であるとともに、軸部26に対して回転可能である。従
って、フォーク10は、フォークスライド手段25ととも
に、Ｚ方向の往復運動およびθ方向の旋回運動が可能と
なる。
【００１９】なお、移載機は、一定のピッチで配列され
た複数のフォーク10が、フォーク駆動機構20に接続され
て構成されていてもよい。
た複数のフォーク10が、フォーク駆動機構20に接続され
て構成されていてもよい。
【００２０】以下、上記の移載機を用いた移載方法につ
いて説明する。図５はウエハ移替部を示す説明用斜視図
である。同図において、50は、キャリア載置台55に載置
されたキャリアであり、キャリア50内には、複数例えば
25枚のウエハＷが上下方向に同一ピッチで配列された状
態で収納されている。
いて説明する。図５はウエハ移替部を示す説明用斜視図
である。同図において、50は、キャリア載置台55に載置
されたキャリアであり、キャリア50内には、複数例えば
25枚のウエハＷが上下方向に同一ピッチで配列された状
態で収納されている。
【００２１】60は、ボート載置台69に載置され、図示し
ない熱処理装置に搬入搬出される熱処理用ボートであ
り、熱処理用ボート60は、図６および図７に示すよう
に、４本の支柱61と、複数のリング状ウエハ支持板65と
よりなる。支柱61には一定のピッチで溝62が形成され、
この溝62にリング状ウエハ支持板65の周縁が嵌合される
ことにより、リング状ウエハ支持板65が支柱61に保持さ
れる。65Ａはウエハ支持面であり、ウエハＷは、その下
面がウエハ支持面65Ａに対接されることにより、リング
状ウエハ支持板65に支持される。
ない熱処理装置に搬入搬出される熱処理用ボートであ
り、熱処理用ボート60は、図６および図７に示すよう
に、４本の支柱61と、複数のリング状ウエハ支持板65と
よりなる。支柱61には一定のピッチで溝62が形成され、
この溝62にリング状ウエハ支持板65の周縁が嵌合される
ことにより、リング状ウエハ支持板65が支柱61に保持さ
れる。65Ａはウエハ支持面であり、ウエハＷは、その下
面がウエハ支持面65Ａに対接されることにより、リング
状ウエハ支持板65に支持される。
【００２２】70はウエハ突き上げ機構であり、複数のリ
ング状ウエハ支持板65によって囲まれた熱処理用ボート
60の内部空間を昇降自在に設けられている。ウエハ突き
上げ機構70は、図６および図７に示したように、昇降可
能な突き上げ盤71と、この突き上げ盤71上の３ヶ所に形
成された支持突起72とよりなる。ウエハ突き上げ機構70
により、リング状ウエハ支持板65に支持されているウエ
ハＷは押し上げられ、その下面がウエハ支持面65Ａから
離間する。
ング状ウエハ支持板65によって囲まれた熱処理用ボート
60の内部空間を昇降自在に設けられている。ウエハ突き
上げ機構70は、図６および図７に示したように、昇降可
能な突き上げ盤71と、この突き上げ盤71上の３ヶ所に形
成された支持突起72とよりなる。ウエハ突き上げ機構70
により、リング状ウエハ支持板65に支持されているウエ
ハＷは押し上げられ、その下面がウエハ支持面65Ａから
離間する。
【００２３】ここに、キャリア50から熱処理用ボート60
への移載操作としては、 フォーク10の一端側がキャ
リア50に対向した状態で、フォーク10をＸ方向に移動さ
せてウエハＷの下方へ挿入させる。 フォークスライ
ド手段25を上昇させることにより、フォーク10をＺ方向
へ移動させる。これにより、フォーク10の凸面11Ａ〜14
ＡがウエハＷの下面に対接し、ウエハＷはフォーク10に
支持される。 フォーク10を−Ｘ方向に移動させてウ
エハＷをキャリア50から搬出する。 フォークスライ
ド手段25を、フォーク10の一端側が熱処理用ボート60に
対向するまでθ方向へ旋回させる。 フォーク10をＸ
方向に移動させてウエハＷを熱処理用ボート60の所定の
位置に搬入する。 フォークスライド手段25を下降さ
せることにより、フォーク10を−Ｚ方向へ移動させる。
あるいはウエハ突き上げ機構70の突き上げ盤71を上昇さ
せる。これにより、ウエハＷが支持突起72の先端により
支持され、フォーク10の凸面11Ａ〜14ＡはウエハＷの下
面から離間する。図８は、この状態において、ウエハＷ
に平行な平面によって熱処理用ボート60を切断した断面
図である。同図に示すように、支持突起72は、フォーク
10の両側および切り欠き部15から突出し、フォーク10に
当接されることはない。 フォーク10を−Ｘ方向に移
動させて熱処理用ボート60から退去させる。各配置レベ
ルにおいて、上記の操作を繰り返すことにより、キャリ
ア50から熱処理用ボート60へのウエハＷの移載が行われ
る。また、熱処理用ボート60からキャリア50への移載も
同様の操作で行われる。
への移載操作としては、 フォーク10の一端側がキャ
リア50に対向した状態で、フォーク10をＸ方向に移動さ
せてウエハＷの下方へ挿入させる。 フォークスライ
ド手段25を上昇させることにより、フォーク10をＺ方向
へ移動させる。これにより、フォーク10の凸面11Ａ〜14
ＡがウエハＷの下面に対接し、ウエハＷはフォーク10に
支持される。 フォーク10を−Ｘ方向に移動させてウ
エハＷをキャリア50から搬出する。 フォークスライ
ド手段25を、フォーク10の一端側が熱処理用ボート60に
対向するまでθ方向へ旋回させる。 フォーク10をＸ
方向に移動させてウエハＷを熱処理用ボート60の所定の
位置に搬入する。 フォークスライド手段25を下降さ
せることにより、フォーク10を−Ｚ方向へ移動させる。
あるいはウエハ突き上げ機構70の突き上げ盤71を上昇さ
せる。これにより、ウエハＷが支持突起72の先端により
支持され、フォーク10の凸面11Ａ〜14ＡはウエハＷの下
面から離間する。図８は、この状態において、ウエハＷ
に平行な平面によって熱処理用ボート60を切断した断面
図である。同図に示すように、支持突起72は、フォーク
10の両側および切り欠き部15から突出し、フォーク10に
当接されることはない。 フォーク10を−Ｘ方向に移
動させて熱処理用ボート60から退去させる。各配置レベ
ルにおいて、上記の操作を繰り返すことにより、キャリ
ア50から熱処理用ボート60へのウエハＷの移載が行われ
る。また、熱処理用ボート60からキャリア50への移載も
同様の操作で行われる。
【００２４】＜実験例＞上記のフォーク10を備えた移載
機を用い、ウエハの移載操作を行って、移載後のウエハ
表面における付着微粒子数の測定を行った。また、比較
のため、図９に示す形状のアルミナ製のフォーク〔材
質：Ａｌ2 Ｏ3 「Ａ479 −SS」（京セラ製）〕について
も同様の測定を行った。移載操作および付着微粒子数の
測定はクリーンルーム（清浄度クラス10）内で行い、付
着微粒子数の測定は、ウエハ表面欠陥検査装置「Surfsc
an 5500 」（テンカー社製）を用いて 0.2μｍ以上の粒
子数を対象として行った。移載操作は、フォークスライ
ド手段25をθ方向へ旋回させることなく、Ｘ方向および
Ｚ方向の往復移動により、キャリア50からのウエハの搬
出、搬入を繰り返すことにより行った。ここに、Ｘ方向
のストローク長および駆動速度はそれぞれ240 mm、30mm
／秒、Ｚ方向のストローク長および駆動速度はそれぞれ
４mm、４mm／秒とした。「ウエハの取替→付着微粒子数
の測定（初期値）→移載操作→付着微粒子数の測定」を
１サイクルとし、500 サイクルでの平均値および5000サ
イクルでの平均値を求めた。結果を表１に示す。
機を用い、ウエハの移載操作を行って、移載後のウエハ
表面における付着微粒子数の測定を行った。また、比較
のため、図９に示す形状のアルミナ製のフォーク〔材
質：Ａｌ2 Ｏ3 「Ａ479 −SS」（京セラ製）〕について
も同様の測定を行った。移載操作および付着微粒子数の
測定はクリーンルーム（清浄度クラス10）内で行い、付
着微粒子数の測定は、ウエハ表面欠陥検査装置「Surfsc
an 5500 」（テンカー社製）を用いて 0.2μｍ以上の粒
子数を対象として行った。移載操作は、フォークスライ
ド手段25をθ方向へ旋回させることなく、Ｘ方向および
Ｚ方向の往復移動により、キャリア50からのウエハの搬
出、搬入を繰り返すことにより行った。ここに、Ｘ方向
のストローク長および駆動速度はそれぞれ240 mm、30mm
／秒、Ｚ方向のストローク長および駆動速度はそれぞれ
４mm、４mm／秒とした。「ウエハの取替→付着微粒子数
の測定（初期値）→移載操作→付着微粒子数の測定」を
１サイクルとし、500 サイクルでの平均値および5000サ
イクルでの平均値を求めた。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】本実施例のフォークによれば、ウエハの下
面と対接する凸面11Ａ〜14Ａを含む領域おいてＳｉＣに
よるＣＶＤコート処理が施されているので、その表面は
平滑性の高い鏡面状態となり、しかも、ウエハの下面と
の接触面積は小さいものであるため、移載中の発塵が抑
制され、表面汚染によるウエハの不具合が生じない。
面と対接する凸面11Ａ〜14Ａを含む領域おいてＳｉＣに
よるＣＶＤコート処理が施されているので、その表面は
平滑性の高い鏡面状態となり、しかも、ウエハの下面と
の接触面積は小さいものであるため、移載中の発塵が抑
制され、表面汚染によるウエハの不具合が生じない。
【００２７】なお、本発明においては、上記の実施例に
限定されるものではなく、種々の変更が可能であり、例
えばフォークの全面がＣＶＤコート処理によって鏡面状
態となっていてもよい。
限定されるものではなく、種々の変更が可能であり、例
えばフォークの全面がＣＶＤコート処理によって鏡面状
態となっていてもよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明のウエハ移載用フォークによれ
ば、基板の下面と対接する部分がＣＶＤコート処理によ
り硬度の高い鏡面状態となっているので、また、従来の
基板移載用フォークに比べて、基板の下面との接触面積
が小さいものとなっているので、移載中の発塵が抑制さ
れ、表面汚染によるウエハの不具合は生じない。
ば、基板の下面と対接する部分がＣＶＤコート処理によ
り硬度の高い鏡面状態となっているので、また、従来の
基板移載用フォークに比べて、基板の下面との接触面積
が小さいものとなっているので、移載中の発塵が抑制さ
れ、表面汚染によるウエハの不具合は生じない。
【図１】本発明の基板移載用フォークの一実施例を示す
説明用斜視図である。
説明用斜視図である。
【図２】基板支持部の形成方法の一例を示す説明用斜視
図である。
図である。
【図３】基板支持部の形成方法の他の例を示す説明用斜
視図である。
視図である。
【図４】本発明の基板移載用フォークを備えた移載機を
示す説明用斜視図である。
示す説明用斜視図である。
【図５】ウエハ移替部を示す説明用斜視図である。
【図６】熱処理用ボートを上方から見た図である。
【図７】図６におけるＡ−Ｏ−Ａ断面図である。
【図８】ウエハに平行な平面によって熱処理用ボート60
を切断した断面図である。
を切断した断面図である。
【図９】従来の基板移載用フォークの一例を示す説明用
斜視図である。
斜視図である。
10 フォーク 10Ａ 上面
11〜14 基板支持部 11Ａ〜14Ａ 凸面
15 切り欠き部 16 位置ずれ防止
用手段 20 フォーク駆動機構 25 フォークスラ
イド手段 26 軸部 50 キャリア 55 キャリア載置台 60 熱処理用ボー
ト 61 支柱 62 溝 65 リング状ウエハ支持板 70 ウエハ突き上
げ機構 71 突き上げ盤 72 支持突起 91 ウエハ支持面 Ｗ ウエハ
用手段 20 フォーク駆動機構 25 フォークスラ
イド手段 26 軸部 50 キャリア 55 キャリア載置台 60 熱処理用ボー
ト 61 支柱 62 溝 65 リング状ウエハ支持板 70 ウエハ突き上
げ機構 71 突き上げ盤 72 支持突起 91 ウエハ支持面 Ｗ ウエハ
Claims (2)
- 【請求項１】 熱処理される複数の基板を、これらが収
納された基板収納容器から熱処理用基板保持具に移載す
るとともに、熱処理された複数の基板を、これらが保持
された前記熱処理用基板保持具から基板収納容器に移載
するために用いられる基板移載用フォークであって、 少なくとも基板の下面と対接する部分において、ＣＶＤ
コート処理が施されていることを特徴とする基板移載用
フォーク。 - 【請求項２】 熱処理される複数の基板を、これらが収
納された基板収納容器から熱処理用基板保持具に移載す
るとともに、熱処理された複数の基板を、これらが保持
された前記熱処理用基板保持具から基板収納容器に移載
するために用いられる基板移載用フォークであって、 上面には、基板の下面と対接する複数の凸面部が形成さ
れていることを特徴とする基板移載用フォーク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18833991A JPH0513550A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 基板移載用フオーク |
| US07/907,545 US5275521A (en) | 1991-07-03 | 1992-07-02 | Wafer transfer device |
| US08/126,882 US5380137A (en) | 1991-07-03 | 1993-09-27 | Wafer transfer device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18833991A JPH0513550A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 基板移載用フオーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513550A true JPH0513550A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16221889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18833991A Pending JPH0513550A (ja) | 1991-07-03 | 1991-07-03 | 基板移載用フオーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513550A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204213A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nec Corp | 光交換装置 |
| JP2001053135A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体処理装置のためのロボットブレード |
| US6222337B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Mechanically clamping robot wrist |
| US6409453B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | End effector for wafer handler in processing system |
| WO2015175661A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Applied Materials, Inc. | Design to manage static charge and discharge of wafers and wafer carrier rings |
-
1991
- 1991-07-03 JP JP18833991A patent/JPH0513550A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08204213A (ja) * | 1995-01-25 | 1996-08-09 | Nec Corp | 光交換装置 |
| US6222337B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Mechanically clamping robot wrist |
| US6409453B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | End effector for wafer handler in processing system |
| JP2001053135A (ja) * | 1999-06-03 | 2001-02-23 | Applied Materials Inc | 半導体処理装置のためのロボットブレード |
| WO2015175661A1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-11-19 | Applied Materials, Inc. | Design to manage static charge and discharge of wafers and wafer carrier rings |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001226 |