JP3250290B2 - ウエハチャック - Google Patents
ウエハチャックInfo
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- JP3250290B2 JP3250290B2 JP34794092A JP34794092A JP3250290B2 JP 3250290 B2 JP3250290 B2 JP 3250290B2 JP 34794092 A JP34794092 A JP 34794092A JP 34794092 A JP34794092 A JP 34794092A JP 3250290 B2 JP3250290 B2 JP 3250290B2
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- Japan
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- semiconductor wafer
- wafer chuck
- suction
- wafer
- suction surface
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で半導
体ウエハの裏面に付着する異物を低減し、変形した半導
体ウエハの平面度を復元，維持するウエハチャックに関
する。
体ウエハの裏面に付着する異物を低減し、変形した半導
体ウエハの平面度を復元，維持するウエハチャックに関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウエハチャックを図２により説明
する。従来のウエハチャック１１は図２に示すように、
樹脂や金属等で作られた本体１１ａの吸着面１１ｂに設
けた同心円の吸着溝１１ｃによって、吸着面１１ｂに半
導体ウエハ３を真空吸着するものである。溝１１ｃは真
空流路１１ｅによって本体１１ａのマニホールド１１ｄ
とつながっており、このマニホールド１１ｄは本体１１
ａに設けた真空継手１２とつながっている。このような
形状をもつウエハチャック１１は、樹脂や金属等で作ら
れた吸着面１１ｂを高精度の平面度を有するように加工
し、この吸着面１１ｂに半導体ウエハ３を真空吸着して
保持し、半導体ウエハ３の処理を行っている（特開平3
−229442 号公報）。
する。従来のウエハチャック１１は図２に示すように、
樹脂や金属等で作られた本体１１ａの吸着面１１ｂに設
けた同心円の吸着溝１１ｃによって、吸着面１１ｂに半
導体ウエハ３を真空吸着するものである。溝１１ｃは真
空流路１１ｅによって本体１１ａのマニホールド１１ｄ
とつながっており、このマニホールド１１ｄは本体１１
ａに設けた真空継手１２とつながっている。このような
形状をもつウエハチャック１１は、樹脂や金属等で作ら
れた吸着面１１ｂを高精度の平面度を有するように加工
し、この吸着面１１ｂに半導体ウエハ３を真空吸着して
保持し、半導体ウエハ３の処理を行っている（特開平3
−229442 号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように従
来のウエハチャックでは、樹脂や金属等の吸着面と接触
している半導体ウエハの裏面は、この接触部からの発塵
物や異物が付着する。このような付着物は、この後の半
導体装置の製造工程で、半導体ウエハの表面にまわり込
んで、回路の絶縁不良を引き起こすなどの問題点があっ
た。また、高精度な平面度を有する、樹脂や金属等で作
られた吸着面に半導体ウエハを吸着して、変形した半導
体ウエハの平面度を復元しているが、この吸着面と半導
体ウエハとの間に異物が侵入した場合、その部分の半導
体ウエハの平面度が悪くなり、その結果、その部分に
は、明確なパターンが形成されず、不良の半導体チップ
を製造することになるという問題点があった。
来のウエハチャックでは、樹脂や金属等の吸着面と接触
している半導体ウエハの裏面は、この接触部からの発塵
物や異物が付着する。このような付着物は、この後の半
導体装置の製造工程で、半導体ウエハの表面にまわり込
んで、回路の絶縁不良を引き起こすなどの問題点があっ
た。また、高精度な平面度を有する、樹脂や金属等で作
られた吸着面に半導体ウエハを吸着して、変形した半導
体ウエハの平面度を復元しているが、この吸着面と半導
体ウエハとの間に異物が侵入した場合、その部分の半導
体ウエハの平面度が悪くなり、その結果、その部分に
は、明確なパターンが形成されず、不良の半導体チップ
を製造することになるという問題点があった。
【０００４】本発明の目的は、半導体ウエハの裏面にウ
エハチャックの吸着面が接触し発生する発塵物や異物を
低減することにある。
エハチャックの吸着面が接触し発生する発塵物や異物を
低減することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のウエハチャック
は、周辺部に吸着溝を設けた吸着面と中心部に半導体ウ
エハを点で支持する支持部で半導体ウエハとの接触し、
その接触部を多結晶ダイヤモンド膜，硬質炭素膜等の低
発塵部材で処理したものから構成する。
は、周辺部に吸着溝を設けた吸着面と中心部に半導体ウ
エハを点で支持する支持部で半導体ウエハとの接触し、
その接触部を多結晶ダイヤモンド膜，硬質炭素膜等の低
発塵部材で処理したものから構成する。
【０００６】
【作用】本発明では、半導体ウエハと接触する部分を低
発塵部材である多結晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜で被
覆する。これにより、接触部からの異物の発生や付着を
抑制し、半導体ウエハの裏面の汚染を低減することが可
能である。ウエハチャックの周辺部の吸着面とウエハチ
ャックの支持部によって、半導体ウエハを固定し、半導
体ウエハの中心部はウエハチャックの支持部によって点
で支持するから、半導体装置の他の製造工程で、半導体
ウエハの裏面に異物が付着してきても、支持部の頂点と
半導体ウエハの裏面との間にその異物が侵入する確率は
小さいので、この半導体ウエハを高精度の平面度で支持
することが可能となる。
発塵部材である多結晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜で被
覆する。これにより、接触部からの異物の発生や付着を
抑制し、半導体ウエハの裏面の汚染を低減することが可
能である。ウエハチャックの周辺部の吸着面とウエハチ
ャックの支持部によって、半導体ウエハを固定し、半導
体ウエハの中心部はウエハチャックの支持部によって点
で支持するから、半導体装置の他の製造工程で、半導体
ウエハの裏面に異物が付着してきても、支持部の頂点と
半導体ウエハの裏面との間にその異物が侵入する確率は
小さいので、この半導体ウエハを高精度の平面度で支持
することが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、図１により本発明の一実施例を半導体
ウエハを吸着するウエハチャックについて詳細に説明す
る。
ウエハを吸着するウエハチャックについて詳細に説明す
る。
【０００８】図１は本発明による半導体ウエハ３を吸着
するウエハチャックの一実施例を示す説明図である。
するウエハチャックの一実施例を示す説明図である。
【０００９】ウエハチャック１の本体１ａは、図１
（ｂ）の側断面図に示すように周辺部に半導体ウエハ３
を吸着する吸着面１ｂを有し、その吸着面１ｂ上に半導
体ウエハ３の直径より小さい円形の吸着溝１ｃが形成さ
れており、吸着面内側の中心部には頂点が吸着面１ｂと
同一高さの四角錐の形状を有する支持部１ｆがある。
（ｂ）の側断面図に示すように周辺部に半導体ウエハ３
を吸着する吸着面１ｂを有し、その吸着面１ｂ上に半導
体ウエハ３の直径より小さい円形の吸着溝１ｃが形成さ
れており、吸着面内側の中心部には頂点が吸着面１ｂと
同一高さの四角錐の形状を有する支持部１ｆがある。
【００１０】この四角錐の支持部は、図１（ｃ）に示す
ように四角錐台であり、半導体ウエハの裏面と接触する
部分に、多結晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜等の低発塵
材料を被覆している。また、ウエハチャック１の吸着溝
１ｃを有する吸着面１ｂの半導体ウエハの裏面と接触す
る部分にも、多結晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜等の低
発塵材料を被覆する。
ように四角錐台であり、半導体ウエハの裏面と接触する
部分に、多結晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜等の低発塵
材料を被覆している。また、ウエハチャック１の吸着溝
１ｃを有する吸着面１ｂの半導体ウエハの裏面と接触す
る部分にも、多結晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜等の低
発塵材料を被覆する。
【００１１】本体１ａの側面には真空源と接続する真空
継手２があり、この真空継手２は本体１ａのマニホール
ド１ｄとつながっており、このマニホールド１ｄは、真
空流路１ｅによって、吸着溝１ｃや本体中心部の四角錐
の支持部の空間とつながっている。
継手２があり、この真空継手２は本体１ａのマニホール
ド１ｄとつながっており、このマニホールド１ｄは、真
空流路１ｅによって、吸着溝１ｃや本体中心部の四角錐
の支持部の空間とつながっている。
【００１２】図１（ａ）に示すように、このウエハチャ
ック１の吸着面１ｂに点線で図示した、変形した半導体
ウエハ３を載置して真空吸着すると、変形した半導体ウ
エハ３は、周辺部は吸着溝１ｃによって吸着面１ｂに吸
着固定され、中心部は、四角錐の支持部１ｆに接触し、
高精度な平面度もつ半導体ウエハが復元される。
ック１の吸着面１ｂに点線で図示した、変形した半導体
ウエハ３を載置して真空吸着すると、変形した半導体ウ
エハ３は、周辺部は吸着溝１ｃによって吸着面１ｂに吸
着固定され、中心部は、四角錐の支持部１ｆに接触し、
高精度な平面度もつ半導体ウエハが復元される。
【００１３】図１（ｃ）に示すように、多結晶ダイヤモ
ンド膜や硬質炭素膜を被覆する下地としては、単結晶シ
リコンやアルミ合金，炭化珪素，窒化珪素などが適して
いる。
ンド膜や硬質炭素膜を被覆する下地としては、単結晶シ
リコンやアルミ合金，炭化珪素，窒化珪素などが適して
いる。
【００１４】以下、図３により本発明の一実施例を半導
体ウエハを吸着するウエハチャックについて詳細に説明
する。
体ウエハを吸着するウエハチャックについて詳細に説明
する。
【００１５】図１の四角錐上の支持部の代りに、複数個
の多結晶ダイヤモンド膜を被覆した支持球５を吸着面内
側の中心部には頂点が上記の吸着面１ｂと同一高さにな
るように配し、低発塵なウエハチャックを構成する。こ
の支持球を低発塵材料である多結晶ダイヤモンド膜や硬
質炭素膜を被覆した際に、高密着性を示す材料にするこ
とにより、このウエハチャックの信頼性を向上させる。
この材料としては、単結晶シリコンやアルミ合金，炭化
珪素，窒化珪素などが考えられる。
の多結晶ダイヤモンド膜を被覆した支持球５を吸着面内
側の中心部には頂点が上記の吸着面１ｂと同一高さにな
るように配し、低発塵なウエハチャックを構成する。こ
の支持球を低発塵材料である多結晶ダイヤモンド膜や硬
質炭素膜を被覆した際に、高密着性を示す材料にするこ
とにより、このウエハチャックの信頼性を向上させる。
この材料としては、単結晶シリコンやアルミ合金，炭化
珪素，窒化珪素などが考えられる。
【００１６】低発塵材料を被覆した支持球を用いる代り
に、支持球を低発塵材料で製作して用いても、同様な低
発塵効果を得ることが可能である。この支持球の材料と
しては、単結晶ダイヤモンドやサファイヤ，ｃＢＮであ
る。
に、支持球を低発塵材料で製作して用いても、同様な低
発塵効果を得ることが可能である。この支持球の材料と
しては、単結晶ダイヤモンドやサファイヤ，ｃＢＮであ
る。
【００１７】ウエハチャック本体１ａの材料による限定
やと加工の困難さが低減するので、図１のように一体型
で製造するよりも、安価に製作することが可能になる。
やと加工の困難さが低減するので、図１のように一体型
で製造するよりも、安価に製作することが可能になる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、低発塵部材である多結
晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜で被覆した、吸着溝を設
けた吸着面と支持部で半導体ウエハを固定し、半導体ウ
エハの中心部は支持部の頂点で支持するので、半導体ウ
エハと接触部から発生する異物を低減し、半導体ウエハ
とウエハチャックの間に他の製造工程で付着した異物が
侵入する確率が小さくなる利点があり、半導体装置の歩
留まりを向上させる。
晶ダイヤモンド膜や硬質炭素膜で被覆した、吸着溝を設
けた吸着面と支持部で半導体ウエハを固定し、半導体ウ
エハの中心部は支持部の頂点で支持するので、半導体ウ
エハと接触部から発生する異物を低減し、半導体ウエハ
とウエハチャックの間に他の製造工程で付着した異物が
侵入する確率が小さくなる利点があり、半導体装置の歩
留まりを向上させる。
【図１】本発明による一実施例を示す説明図。
【図２】従来のウエハチャックを示す説明図。
【図３】本発明による一実施例を示す説明図。
１…ウエハチャック、１ａ…本体、１ｂ…吸着面、１ｃ
…吸着溝、１ｄ…マニホールド、１ｅ…真空流路、１ｆ
…支持部、２…真空継手、３…半導体ウエハ、４…低発
塵材料膜。
…吸着溝、１ｄ…マニホールド、１ｅ…真空流路、１ｆ
…支持部、２…真空継手、３…半導体ウエハ、４…低発
塵材料膜。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68
Claims (1)
- 【請求項１】周辺に吸着溝を設けた吸着面をもち、前記
吸着面以外の中心部には、被吸着物を微小な面で支持す
る支持部を備え、前記吸着面及び支持部を多結晶ダイヤ
モンド膜または硬質炭素膜で形成し、前記吸着面及び支
持部の下地を単結晶シリコン、アルミ合金、炭化珪素、
窒化珪素のいずれかで形成し、前記吸着面と前記支持部
とを低発塵としたことを特徴とするウエハチャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34794092A JP3250290B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | ウエハチャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34794092A JP3250290B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | ウエハチャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204324A JPH06204324A (ja) | 1994-07-22 |
| JP3250290B2 true JP3250290B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=18393640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34794092A Expired - Fee Related JP3250290B2 (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | ウエハチャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250290B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3280566A4 (en) * | 2015-04-06 | 2018-12-12 | M Cubed Technologies Inc. | Article having diamond-only contact surfaces |
| EP3550364A1 (en) * | 2012-02-03 | 2019-10-09 | ASML Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus and method of manufacturing a substrate holder |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2664641B2 (ja) * | 1994-11-29 | 1997-10-15 | シーケーディ株式会社 | 真空チャックの吸着プレート |
| JPH0945753A (ja) * | 1995-07-28 | 1997-02-14 | Kyocera Corp | 物品保持装置 |
| JP3871369B2 (ja) * | 1995-12-27 | 2007-01-24 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体ウエーハ処理用治具 |
| JPH09309037A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Hitachi Denshi Ltd | 薄板状ワークの吸着固定装置 |
| JPH11333773A (ja) * | 1998-05-26 | 1999-12-07 | Nissin Electric Co Ltd | 真空吸着機器の吸着用部材及びその製造方法 |
| JP4705450B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-06-22 | 株式会社ディスコ | ウェーハの保持機構 |
| WO2007037316A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | Kyocera Corporation | 試料保持具とこれを用いた試料吸着装置および試料処理方法 |
| JP2010129709A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 試料支持具および加熱装置 |
| JP2013102126A (ja) | 2011-10-14 | 2013-05-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| CN104538333A (zh) * | 2014-12-16 | 2015-04-22 | 瑞德兴阳新能源技术有限公司 | 一种消除晶圆片翘曲的托盘 |
| CN108034270B (zh) | 2017-12-28 | 2019-11-22 | 华南理工大学 | 一种改性沥青及其制备方法 |
| CN108381258B (zh) * | 2018-02-27 | 2019-05-21 | 北京理工大学 | 一种基于在位膜厚测量的大面积微结构切削中途换刀方法 |
| US11842918B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer chuck, method for producing the same, and exposure apparatus |
| US11524392B2 (en) | 2020-11-24 | 2022-12-13 | Applied Materials, Inc. | Minimal contact gripping of thin optical devices |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP34794092A patent/JP3250290B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10898955B2 (en) | 2012-02-03 | 2021-01-26 | Asme Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US11235388B2 (en) | 2012-02-03 | 2022-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US11376663B2 (en) | 2012-02-03 | 2022-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
| US11628498B2 (en) | 2012-02-03 | 2023-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US11754929B2 (en) | 2012-02-03 | 2023-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
| US11960213B2 (en) | 2012-02-03 | 2024-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| EP3280566A4 (en) * | 2015-04-06 | 2018-12-12 | M Cubed Technologies Inc. | Article having diamond-only contact surfaces |
| US11752594B2 (en) | 2015-04-06 | 2023-09-12 | Ii-Vi Delaware, Inc. | Articles having diamond-only contact surfaces |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06204324A (ja) | 1994-07-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |