JPH11219873A - 単結晶シリコンウェーハの機械抵抗の改善 - Google Patents

単結晶シリコンウェーハの機械抵抗の改善

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JPH11219873A
JPH11219873A JP10306409A JP30640998A JPH11219873A JP H11219873 A JPH11219873 A JP H11219873A JP 10306409 A JP10306409 A JP 10306409A JP 30640998 A JP30640998 A JP 30640998A JP H11219873 A JPH11219873 A JP H11219873A
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wafer
thickness
silicon wafer
silicon
polishing
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JP10306409A
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Jacques Vandeputte
ヴァンデピュート ジャック
Florine Bourdet
ブールデ フロリーヌ
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STMicroelectronics SA
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor

Abstract

(57)【要約】 【課題】 破損が少ないウェーハを提供する。 【解決手段】 本発明は単結晶シリコンウェーハの最終
の厚さが８０μｍ未満であるシリコンウェーハを提供す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶シリコンウェ
ーハから半導体部品を製造することに関する。
【０００２】
【従来の技術】ディスクリート又は集積シリコン半導体
部品を製造するため、ウェーハは最初単結晶シリコンイ
ンゴットに切断される。該単結晶シリコンインゴット内
では多くの同じ部品が一般に形成されている。該ウェー
ハは一般に磨かれ表面を平らにすることが行われ、連続
したウェーハの処理に適合した平行処理を行うことがで
きる。
【０００３】磨かれたウェーハは次に種々のドーピング
が行われ、形成される部品のパターンに従った種々のド
ーピングレベルを有する半導体領域が形成される。応用
分野に従い、一般に集積回路の場合部品は所謂ウェーハ
の“表”表面から形成され、全ての対応した金属端子は
該表面の上にある。パワー又は高電圧部品の場合、該部
品は表表面と裏表面のシリコンウェーハの厚さの中に形
成され、更にウェーハは裏表面に１つの又は幾つかの端
子を含んでいる。
【０００４】半導体部品を製造する種々の段階（マスキ
ング、絶縁体蒸着又は成長、注入／拡散、クリーニング
等）ではバッチ式で又は個々にシリコンウェーハを複数
取り扱うことが必要である。しかし、シリコンウェーハ
は非常に壊れ易く（脆性）この取り扱いにより破損する
危険性が非常に高い。更に、シリコンウェーハの表面が
大きくなれば、所定の厚さに対しウェーハの破損が多く
なる。
【０００５】この破損の問題を解決するため、該ウェー
ハには直径により定まる最小の厚さが与えられる。シリ
コンウェーハに対する現在の大きさは直径が１００ｍｍ
から２００ｍｍの範囲であり、更に大きな直径が考えら
れている。例えば、集積回路を内部に形成する直径が２
００ｍｍのウェーハの場合、該ウェーハの厚さは一般に
８００μｍのオーダーである。
【０００６】最も多くの場合、シリコンウェーハは裏表
面が薄く（加工）されてから集積回路を切断し、パッケ
ージ内に貼り付けられる。この種の加工には幾つかの目
的がある。
【０００７】第一の目的は直径がより小さな（更に、厚
さがより小さい）トランジスタ内に形成された回路を受
ける様に設計されたパッケージの大きさに関係がある。
【０００８】第二の目的は裏表面にあり、動作上の欠点
を発生する可能性のある寄生的な注入／拡散を減少又は
除去することである。
【０００９】ウェーハの製造法の終わりにおけるこの種
の加工はウェーハ全体の製造の第一の段階の間の破損を
少なくする。しかし、この薄くなったウェーハは後続の
段階（メタライゼイション、クリーニング、チップの切
断等）、及びこれらの処理に必要な取り扱いに対して極
めて壊れ易くなる。更に、この機械的な壊れ易さは注入
された集積回路のチップに弊害を与える。
【００１０】集積回路を製造する過程の終わりでウェー
ハを薄くするため現在使用されている方法はダイヤモン
ドの研削といしを使用し該ウェーハの裏表面を加工し、
仕上げの厚さを減少させることである。
【００１１】パワー部品を作るためには、シリコンウェ
ーハは両方の表面からドーピングされている。ウェーハ
の仕上げの厚さは部品を製造する段階の前に設定され
る。シリコンウェーハは最初の加工で最終的な基板の厚
さ（一般にウェーハの直径により２００μｍから４００
μｍの間）まで小さくされる。この技術では、メカノケ
ミカルポリシング法又はケミカルエッチング法が一般に
使用されている。メカノケミカルポリシング法は研削よ
り表面をより平らにする方法であり、ケミカルエッチン
グ法は他の加工法である。
【００１２】特に、ウェーハの厚さの中で注入／拡散の
操作を容易にするためウェーハの厚さを更に少なくする
ことをできることが望まれている。しかし、厚さをこの
様に減少することは壊れ易さの理由から現在考えられて
いない。実際には、ウェーハの厚さは現在取り扱いによ
るロスが過度に多くならない最小許容機械抵抗基準によ
り限界が定められている。２００μｍから４００μｍの
範囲の現在可能な厚さを使用すると、集積回路を製造す
るため使用されるウェーハに対し該ウェーハは既に非常
に脆性を有している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は現在の
ウェーハより破損が少なく、特に脆性が少ない新規なシ
リコンウェーハを提供することである。
【００１４】本発明の他の目的はほぼ一定の厚さを有す
るシリコンウェーハを提供することである。
【００１５】本発明の他の目的はこのウェーハから作ら
れた集積回路の機械抵抗を改善するシリコンウェーハを
提供することである。
【００１６】本発明の特徴はほぼ８０μｍ未満まで厚さ
を小さくするシリコンウェーハを薄くすることを提供す
ることである。
【００１７】従来の技術の様相では厚さが小さいウェー
ハの易損性によりウェーハの厚さが増すが、本発明は逆
にウェーハを小さくすることを提供している。実際に
は、出願者により８０μｍのオーダーにある厚さの最小
値以下にしてもシリコンウェーハは脆性を有しない。該
シリコンウェーハはフレキシブルである。
【００１８】他の材料に関しては、厚さに関係のあるシ
リコンの場合脆弱が残っていると考える。事実、現在非
常に薄い（数百オングストロームから数μｍまで）厚さ
で使用されているいる二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）は脆
性が非常に大きい。二酸化シリコンの脆弱を少なくする
ため、添加物を混合させガラスを作る必要がある。この
ガラスは所定の厚さで、使用した添加物に基づき脆性が
少なくなる。しかし、この様に加えることは半導体の分
野ではシリコンの使用との適合性が簡単でない。
【００１９】この様に、従来の技術の様相に対し、本発
明は少なくとも三つの驚異的な効果を有している。
【００２０】第一の驚異的な効果は８０μｍ未満の厚さ
のウェーハは機械的なストレスを受ける時破壊しないで
曲げることができることである。
【００２１】第二の驚異的な効果は機械的なストレスが
無くなるとすぐウェーハは最初の平面の形を回復し、生
じた歪みの跡を残さないことである。
【００２２】第三の驚異的な効果は半導体の材料の働き
としてウェーハのフレキシビリティがウェーハを形成す
る単結晶シリコンを変更すること無く確保できることで
ある。
【００２３】更に、これらの特徴は結晶平面に無関係で
あり、結晶平面内でウェーハが得られるシリコンインゴ
ットが形成される。
【００２４】本発明の他の目的は非常に小さくほぼ一定
の厚さのシリコンウェーハを得ることに特に適応したシ
リコンウェーハを薄くする方法を提供することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明の特徴は軸受けにウェーハを保持することが
該ウェーハと軸受けの間の分子吸着のみにより行われる
メカノケミカルポリシングの段階を提供することであ
る。
【００２６】より明確には、本発明は厚さが８０μｍ未
満の単結晶のシリコンウェーハを提供している。
【００２７】本発明の利点によれば、シリコンウェーハ
はフレキシブルであり、たわみに対し復元力がある。
【００２８】本発明の実施例によれば、シリコンウェー
ハは所定の厚さが２５μｍから６０μｍの範囲である。
【００２９】本発明の実施例によれば、シリコンウェー
ハは半導体パワー部品を製造するための基板を形成して
いる。
【００３０】本発明の実施例によれば、ウェーハの表表
面に集積回路を定める素子を備えている。
【００３１】本発明は更にウェーハの厚さが８０μｍ未
満になるまでウェーハを薄くすることを備えた単結晶シ
リコンを薄くする方法も提供している。
【００３２】本発明の実施例によれば、この方法はシリ
コンウェーハの少なくとも１つの第一の表面をメカノケ
ミカルポリシングにより加工を行い、該ウェーハをポリ
シングフェルトに対し外サイクロイド回転運動させるた
めの保持デバイスに、ウェーハの第二の表面と保持デバ
イスを支える平面との間に分子吸着を作ることのみによ
り取り付けることを備えている。
【００３３】本発明の実施例によれば、該方法はメカノ
ケミカルポリシングを行う前に、ウェーハの少なくとも
第一の表面に化学エッチングを行うことを備えている。
【００３４】本発明は更に厚さが８０μｍ未満のシリコ
ン基板を備えている半導体パワー部品を提供している。
【００３５】本発明は更に厚さが８０μｍ未満の集積回
路チップを提供している。
【００３６】特許出願第ＤＤ−Ａ−２１７２４６号では
Ｘ線分析用として厚さが５０μｍ未満のシリコンウェー
ハを開示している。この発明の出願書類はポリシングに
よるあらゆる装置からシリコンウェーハを形成すること
を教えており、使用した製造方法による厚さのばらつき
が±１０μｍになることを示している。これは、公称の
厚さが５０μｍであるウェーハは幾つかの場所では厚さ
が４０μｍであり、他の場所では厚さが６０μｍである
ことを意味している。従って、該ウェーハは半導体を構
成する基板に使用するには不適当である。
【００３７】これとは対照に、本発明に基づくポリシン
グ法の利点はほぼ一定の厚さを有するウェーハを提供す
ることである。
【００３８】本発明の前述の目的、特徴及び利点は以下
の特別な実施例に詳細に記載しているが、この実施例に
限定されない。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下に記載するウェーハを薄くす
る方法は非常に薄いウェーハを得ることに特に適した解
決策である。
【００４０】この方法は従来の装置、例えば商標名“Ｍ
ＥＣＡＰＯＬ６６０Ｅ”として知られている装置を使用
してメカノケミカルポリシングの段階を行っている。
【００４１】この様な装置は一般に比較的大きいプレー
トでそのプレートの表表面にポリシングフェルトが接触
しているプレートで形成されている。ポリシングされる
シリコンウェーハは該プレートの上に吊るすため、ウェ
ーハボートの中に置かれ、ポリシングされるウェーハの
表面にはポリシングフェルトがある。該ウェーハは軸受
けに取り付けられたホールドディスクに貼り付けられて
いる。該ディスクは一般にウェーハボート内で吸込まれ
ながら保持されている。
【００４２】ポリシングを行っている間、該プレートは
回転している。回転アームにより駆動機構に取り付けら
れているウェーハボートは該サイクロイド又は他の横方
向のスイープ運動で回転しており、該ウェーハが該フェ
ルトに接触する様に下げられている。
【００４３】軸受けは一般に選択された材料の中にあり
該ウェーハは横方向の運動がある時ポリシングされる表
面と反対の表面の表面張力により、該軸受けに保たれて
いる。実際、表面が平らなことは特にこの表面が既にポ
リシングが行われている時ウェーハを軸受けに垂直に表
面同士が付着する。しかし、適切にポリシングされた表
面が他のプレーナ表面に付着することが知られている
が、両方の表面は互いにスライドできる。
【００４４】この様に、従来のメカノケミカルポリシン
グ装置には一般に軸受けの上に、又は可能ならばディス
クの上に貼り付けられた周囲のフレームが含まれてい
る。
【００４５】シリコンウェーハの厚さを８０μｍ未満に
するまで該シリコンウェーハを薄くするため、使用され
る装置は本発明に基づき横方向のウェーハのホールドフ
レームを有していない。この横方向フレームを使用して
いないことによりポリシングされる表面に向かい合った
ウェーハの表面に対し厚さのマージンを非常に少なくす
ることができ、従ってメカノポリシングを行い非常に小
さい厚さを得ることができる。
【００４６】軸受けホールドディスクは固定し軸受けの
横の表面を可能な限り平らにする様に選択される。例え
ば、ステンレスのディスクを使用することができ、又は
明るくする場合はアルミニウムディスクが使用され、い
ずれの材料も平らな表面を得ることに適している。
【００４７】本発明によれば、該軸受けは次の特性を有
する様に選ばれている。
【００４８】第一に、この軸受けには十分な柔軟性があ
り、硬質のディスクの表面及びポリシングされる表面と
向かい合ったウェーハの表面に対する平坦性の許容差を
吸収する。特に、ウェーハの両面をポリシングする必要
があるならば、第一のポリシングの間行われない表面に
は完全な平坦性が見られない。
【００４９】更に、集積回路を植え込んだ後のシリコン
ウェーハの最終の厚さを小さくするため使用されるポリ
シングの場合、加工されないウェーハの表表面は回路を
製造する段階により完全に平坦ではない。
【００５０】更に、少なくともポリシングの始めでは、
ウェーハは脆性が非常に大きい厚さを有している。その
結果、軸受けとウェーハの間の微少なごみ又は極僅かな
きずが、ポリシングの間ウェーハを破損させる危険があ
る。従って、軸受けは該軸受けの柔軟性によりウェーハ
に対しパッドとなる必要がある。
【００５１】軸受けは更に両方のウェーハの表面が平行
であるために完全に平面である様に選ばれる。軸受けの
柔軟性が二つの平行性を損なわない様にするため、軸受
けは薄いことが好ましい（例えば厚さが５ｍｍ未満）。
【００５２】好ましくは、軸受けは５％から１０％の間
の圧縮率を有し、厚さが２ｍｍ未満になる様に選ばれて
いる。
【００５３】本発明の実施例によれば、該軸受けは表面
が加硫性セルを伴う細孔材料で作られディスクに取り付
けられる。該材料が加硫を行った後表面が堅くならない
様にする必要がある。例えば、厚さが１．５ｍｍである
商標名“ＮＥＷＭＡＮ．Ｐｂ１００−ＡＤ８”として知
られている材料を使用することができる。
【００５４】本発明の他の好ましい実施例によれば、該
軸受けはディスクの上に薄い粘着フィルムにより低温で
所定の大きさにした多孔質ポリエステル／ポリウレタン
で作られている。例えば、普通の厚さ、即ち粘着フィル
ムを含み０．５ｍｍ程度、又はそれ以下の厚さの商標名
“ＲＯＤＥＬ ＷＢ２０”で知られている材料が使用さ
れる。
【００５５】軸受けを作る時押さえられていない材料の
例であり、本発明の内容である商標名が“ＲＯＤＥＬ
ＤＦ２００”で知られている材料は、ウェーハが付着す
ることによりポリシングの間横方向に動くことを防ぐこ
とができる多孔性が十分でない。
【００５６】本発明に基づくウェーハを薄くする方法の
実施は次の様に行われる。
【００５７】ウェーハは好適には第一にケミカルエッチ
ングの段階、例えば裏表面をケミカルエッチングする段
階が行われ、ウェーハの厚さを減少する。次に、該ウェ
ーハは少なくとも裏表面にメカノポリシングが行われ
る。ケミカルエッチングの終わりにおけるウェーハの厚
さは所要の最終の厚さにポリシングされる表面当たり少
なくとも２５μｍを加えた厚さになることが好ましい。
【００５８】研削により行う加工とメカノケミカルポリ
シングにより行う加工の間にケミカルエッチングを行う
利点は該エッチングが数百のウェーハに対しバッチ処理
で行うことができることである。しかし、ポリシングは
ウェーハ毎又は２乃至３個のウェーハのグループ毎に行
われる。所定の厚さまで減少させるために必要な期間は
ほぼ同じ程度の長さで、ウェーハ当たりの処理時間が減
少する。更に、ポリシングの間に加熱に関係した破損の
危険性は除くことができ、同じフェルトによりポリシン
グが行われるウェーハの数はローディングを制限するこ
とにより増加する。
【００５９】多孔質軸受けが新しい時、加湿してからシ
リコンウェーハを処理される位置に置き軸受けに対しウ
ェーハの付着を改善する。更に、ディスクと関係するこ
の軸受けはポリシングを受けるウェーハと同じ直径のシ
リコンウェーハで押し付け軸受け内に非常に浅い窪みを
作ることが好ましい。この様な窪みによりポリシングを
受け、軸受けに対し置かれるウェーハを横方向に保持す
ることが最適である。
【００６０】新しい軸受けを取り付けるにはデバイスの
ディスクの上に多孔質軸受けの大きさを定めることが必
要である。例えば、軸受けの大きさを低温で定める材料
を用い、該軸受けはディスクの平らな表面の上に該軸受
けの貼付け表面が加えられるならば、組立てられた形は
押し付けられ該軸受けとディスクの間に生ずる可能性の
ある全ての空気マイクロバブルを抑えることができる。
これが軸受けに多孔質材料を使用した他の利点である。
軸受けの覆われていない表面は、この押し付けの間奇麗
なシーツで保護され、その後行われるウェーハのボンデ
ィングの表面にほこりが入ることを避けている。
【００６１】ウェーハの位置を定めることは、ポリシン
グが行われる表面に向かい合ったウェーハの表面を軸受
けの覆われていない表面に向かい合って置くことにより
行われる。ウェーハに僅かの標準圧力を加えることによ
り、該軸受けに向かい合ってウェーハを付着させる分子
吸着は多孔質材料を使用することによりウェーハと軸受
けの間に生ずる。少なくとも処理の前に脆性が非常に大
きくシリコンが脆弱であるため、高過ぎる圧力を加える
ことに注意を払う必要がないことは勿論である。
【００６２】組立てられた形は次にウォータボートの中
に取り付けられる。次に、表面のメカノケミカルポリシ
ングは従来の様にディスペンサを通してポリシング溶
液、例えば液体コロイドシリカカリ（ＫＯＨ）溶液を加
えることにより行われる。
【００６３】ウェーハの最終の厚さはメカノケミカルポ
リシングの期間に直接関係している。本発明によれば、
メカノケミカルポリシングはウェーハの厚さが８０μｍ
未満まで、好適には２５μｍから６０μｍの間の厚さま
で行われることが好ましい。
【００６４】ウェーハの厚さをより小さくすることがシ
リコン内に電子部品を注入した後に行われるとすれば、
加工は一つの面（該電子部品を注入した面と向かい合っ
た面）の上で行われる。逆に、電子部品を注入する前に
シリコンウェーハを薄くすることは特にパワー部品を作
るため両面に行なわれる。この場合、ウェーハの第一の
表面が最初に加工され、次に該ウェーハはひっくり返さ
れ所要の最終の厚さが得られるまで第二の表面が加工さ
れる。二つのウェーハの表面をポリシングにより加工す
ることにより、最終の厚さが８０μｍ未満の場合、一つ
の表面に対する加工に比べて得られたウェーハのそりの
能力が改善される。
【００６５】ウェーハをポリシングの過程の最終で離す
ため、ウェーハと軸受けの間で滑る例えばナイロン糸が
使用される。好ましくは特にウェーハを動かして厚さを
フレキシブルにするならば、ウェーハの周囲に切り目が
生ずるのを減少又は最小にする利点を有する厚さが小さ
い（例えば８０μｍオーダーの）シート、例えばプラッ
シーペーパーシートが使用される。層間剥離に対する耐
性によりペーパーシートでウェーハが剥離しない様に付
着が行われている場合、軸受けとウェーハは例えば層間
剥離が軸受けのポアー内に再び入る水により容易に行わ
れる水を浴びる。
【００６６】本発明に基づく厚さが非常に小さいシリコ
ンウェーハを使用することにより多くの利点がある。
【００６７】第一の利点は得られたウェーハがフレキシ
ブルであることである。この利点は半導体部品の製造に
対し多くの重要性を有している。第一にこのフレキシビ
リティによりウェーハの脆弱が少なくなり、特に従来の
ウェーハより脆性が小さくなる。従って、半導体部品を
ディスクリートに、又は集積して製造するため使用され
る種々の処理の個々の間でウェーハを取り扱う場合の破
損の危険性が最小になる。
【００６８】該ウェーハのフレキシビリティは厚さが小
さくなると大きくなる。例えば、本発明に基づき直径が
１２５ｍｍで厚さが５０μｍのウェーハは二本の指でウ
ェーハの端を掴むことができ、ほぼ平行なブランチを有
するＵ字形になるまで曲げることができる。直径が同じ
であるが厚さが２５μｍのウェーハの場合、同じ操作に
より二つの向かい合った端を接触させることができる。
【００６９】該ウェーハのフレキシビリティにより作ら
れた部品、特に一度切断された集積回路チップが柔軟に
なる。次に、本発明に基づく非常に薄いシリコンウェー
ハに加えられたメタライゼイションの種々のレベルによ
り作られた回路のフレキシビリティを保つことができる
ことが明らかである。柔軟性があるチップを作るため、
メタライゼイションの種々のレベルの間に絶縁体として
一般に使用される二酸化シリコンはより柔軟性のある材
料、例えば有機樹脂（例えば、ポリアミド−イミド）と
置き換えることができる。
【００７０】柔軟性の他に、全ての構造的及び電子的特
性を元に戻すことができる弾性エネルギー容量も備えた
集積回路を有する利点は、該集積回路チップの脆弱はよ
り小さくなる。本発明は特に有利である応用の例として
所謂“チップ”カード、“クレジット”カード又は“プ
リペイ”カードの分野に関している。この分野で回路チ
ップは薄いプラスチックカードの中に入っている。この
応用分野で、チップをカードに入れることは柔軟性を保
つことができるカードを使用することにより容易にな
り、更にカードの耐用年数が改善される。これは使用者
が取り扱うことによりチップが破損する危険が減少する
か又は取り除かれるからである。
【００７１】本発明の他の利点は例えばパワー部品の基
板を作るため非常に薄いウェーハを使用するとより簡単
にしかも早く均一なドーピングレベルを得ることができ
る。更に、しかも明らかに、該基板内に絶縁井戸を作る
ことを示す絶縁性の壁を製造することが非常に簡単化さ
れ高速になる。
【００７２】特にＮタイプの基板の厚さにＭＯＳパワー
トランジスタを作る場合の他の利点は、作られたトラン
ジスタのオン状態のドレイン−ソース間の抵抗が減少又
は最小になることである。
【００７３】本発明は当業者が容易に考えることができ
る程度の変更、修正及び改良を有することは勿論であ
る。特に、前述のメカノケミカルポリシング法は本発明
に基づき厚さが極めて小さいシリコンウェーハを得る好
適な手段を構成しているが、他の薄くする方法を使用す
ることができる。更にシリコンウェーハの最終の厚さは
特に所要のフレキシビリティに基づき及び／又はパワー
部品を作ることが求められる厚さに基づき選ばれる。
【００７４】この種の変更、修正及び改良はこの開示の
一部であり、本発明の精神及び範囲内である。従って、
前述の記載は一例でありこれに限定されるものではな
い。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体部品用の基板として使用される一
    定の厚さが８０μｍ未満である単結晶シリコンウェーハ
    であり、前記シリコンウェーハがフレキシブルでありた
    わみに対し復元力があることを特徴とする単結晶シリコ
    ンウェーハ。
  2. 【請求項２】 厚さが２５μｍから６０μｍの間に選択
    されていることを特徴とする請求項１に記載のシリコン
    ウェーハ。
  3. 【請求項３】 シリコンウェーハが半導体パワー部品を
    製造するための基板を形成していることを特徴とする請
    求項１に記載のシリコンウェーハ。
  4. 【請求項４】 ウェーハの表表面に集積回路を定める素
    子を備えていることを特徴とする請求項１に記載のシリ
    コンウェーハ。
  5. 【請求項５】 ウェーハの厚さを５０μｍ未満になるま
    でウェーハを薄くし、シリコンウェーハの少なくとも１
    つの第一の表面をメカノケミカルポリシングにより加工
    を行い、該ウェーハをポリシングフェルトに対し外サイ
    クロイド回転運動させるための保持デバイスにウェーハ
    の第二の表面と保持デバイスを支える平面との間に分子
    吸着を作ることのみにより取り付けることを備えている
    単結晶シリコンを薄くする方法。
  6. 【請求項６】 メカノケミカルポリシングを行う前に、
    ウェーハの少なくとも第一の表面に化学エッチングを行
    うことを備えている請求項５に記載の方法。
  7. 【請求項７】 厚さが８０μｍ未満のシリコン基板を備
    えていることを特徴とする半導体パワー部品。
  8. 【請求項８】 厚さが８０μｍ未満である集積回路チッ
    プ。
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