JP2010239161A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】集積回路が形成された半導体ウエハの回路形成面に感圧テープを貼着して半導体ウエハの裏面を研削し、所定の厚さにした後(工程P1〜P4)、半導体ウエハの裏面を強制酸化する(工程P6)。その後、半導体ウエハの回路形成面に貼着した感圧テープを剥離すると共に半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼着し、さらに半導体ウエハをダイシングして各チップに個片化した後(工程P8)、ダイシングテープを介してチップの裏面を押圧してチップをダイシングテープから剥離する(工程P10)。
【選択図】図1
Description
1.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;
(a)第1の厚さを有する半導体ウエハの第1の主面上に回路パターンを形成する工程;
(b)前記第1の主面に第1のテープを貼着する工程;
(c)前記半導体ウエハの第2の主面を研削して、前記半導体ウエハを第2の厚さにする工程;
(d)前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化(または単なる酸化、以下同じ)する工程;
(e)前記半導体ウエハの前記第1の主面に貼着した前記第1のテープを剥離し、前記半導体ウエハの前記第2の主面に第2のテープを貼着する工程。
2.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)と前記工程(d)と前記工程(e)とを一貫して行う半導体集積回路装置の製造方法。
3.前記項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは100μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
4.前記項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは80μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
5.前記項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは60μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
6.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)と前記工程(d)との間の前記半導体ウエハの放置時間は1分以内である半導体集積回路装置の製造方法。
7.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)と前記工程(d)との間の前記半導体ウエハの放置時間は10分以内である半導体集積回路装置の製造方法。
8.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)と前記工程(d)との間の前記半導体ウエハの放置時間は1時間以内である半導体集積回路装置の製造方法。
9.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)オゾンを含ませた純水(薬液または薬剤を含んだ純水水溶液でも良い。以下同じ)により前記半導体ウエハを洗浄して、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
10.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)二酸化炭素を含ませた純水により前記半導体ウエハを洗浄して、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
11.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)純水と過酸化水素水とを前記半導体ウエハに注ぎ、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
12.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面または前記第2のテープの前記半導体ウエハと接する面に酸化剤を塗布し、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
13.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面にガス状の酸素を吹き付けて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
14.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面に熱風を当てて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
15.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハを加熱したプレート上に前記半導体ウエハの前記第2の主面を接して載せて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
16.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法は、さらに以下の工程を含む:
(f)前記半導体ウエハをダイシング(回転ブレード、レーザ等による)し、前記半導体ウエハをチップに個片化する工程;
(g)前記第2のテープを介して前記チップの裏面を押圧し、前記チップを前記第2のテープから剥離する工程。
17.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハは、前記第1の主面をウエハ搬送治具に真空吸着されて前記工程(c)から搬出され、前記第2の主面をウエハ搬送治具に真空吸着されて前記工程(d)へ搬入される半導体集積回路装置の製造方法。
18.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの直径は約300mm(またはそれ以上)である半導体集積回路装置の製造方法。
19.前記項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第1の厚さは700μm以上である半導体集積回路装置の製造方法。
20.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;
(a)第1の厚さを有する半導体ウエハの第1の主面上に回路パターンを形成する工程;
(b)前記第1の主面に第1のシートまたは板状物を第1の感圧接着剤により接着する工程;
(c)前記半導体ウエハの第2の主面を研削またはエッチングして、前記半導体ウエハを第2の厚さにする工程;
(d)前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程;
(e)前記半導体ウエハの前記第1の主面に接着した前記第1のシートまたは板状物を剥離または分離し、前記半導体ウエハの前記第2の主面に第2のシートまたは板状物を第2の感圧接着剤により接着する工程。
21.以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;
(a)第1の厚さを有する半導体ウエハの第1の主面上に回路パターンを形成する工程;
(b)前記半導体ウエハの第2の主面を研削(エッチングを含む)して、前記半導体ウエハを第2の厚さにする工程;
(c)前記半導体ウエハの前記第2の主面に形成された第1の層(研削によるダメージ層)を除去する工程(この工程は必ずしも必須ではない。ダメージ層の一部をトラップ層に使用しても良いし、もともとダメージ層を全部または一部残して良いものもある);
(d)前記半導体ウエハの前記第2の主面に第2の層(不純物バリア層、トラップ層または粘着力調整層)を形成する工程;
(e)前記半導体ウエハをダイシングし、前記半導体ウエハをチップに個片化する工程。
22.前記項21記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第2の層の厚さは前記第1の層の厚さよりも薄い半導体集積回路装置の製造方法。
23.前記項21または22記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは100μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
24.前記項21または22記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは80μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
25.前記項21または22記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは60μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
26.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)オゾンを含ませた純水を前記半導体ウエハに注いで、前記半導体ウエハの前記第2の主面に酸化膜を形成する工程。
27.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)二酸化炭素を含ませた純水を前記半導体ウエハに注いで、前記半導体ウエハの前記第2の主面に酸化膜を形成する工程。
28.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)過酸化水素を含ませた純粋を前記半導体ウエハに注いで、前記半導体ウエハの前記第2の主面に酸化膜を形成する工程。
29.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)硝酸を前記半導体ウエハに注いで、前記半導体ウエハの前記第2の主面に酸化膜を形成する工程。
30.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面にプラズマ放電により生ずるイオンを衝撃させて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を洗浄するとともに、そこに損傷層と酸化膜を形成する工程。
31.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面に砥粒を噴射して、前記半導体ウエハの前記第2の主面を洗浄するとともに、そこに破砕層を形成する工程。
32.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面を研削して、前記半導体ウエハの前記第2の主面に結晶欠陥層を形成する工程。
33.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は以下の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハに不純物をイオン注入して、前記半導体ウエハの前記第2の主面にダメージ層(損傷層)を形成する工程。
34.前記項21から25のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は以下の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面にプラズマCVDにより酸化膜または多結晶シリコン膜を形成する工程。
35.前記項21から34のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)は以下の工程を含む:
(c1)前記半導体ウエハの前記第2の主面に形成された前記第1の層を、一部を残して除去し、残された前記第1の層を前記工程(d)の前記第2の層とする工程。
36.回路パターンが形成された半導体ウエハの回路形成面に感圧テープを貼着して半導体ウエハの裏面を研削し、所定の厚さにした後、半導体ウエハの裏面を強制酸化するものであり、その後、半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼着し、半導体ウエハの回路形成面に貼着した感圧テープを剥離すると共に半導体ウエハをダイシングして各チップに個片化し、ダイシングテープを介してチップの裏面を押圧してチップをダイシングテープから剥離する半導体集積回路装置の製造方法。
37.ウエハを薄型化した後、裏面を強制酸化するまたはダメージ層を形成することにより、ウエハ裏面からの不純物の拡散を防止するゲッタ層またはバリア層とすることによりデバイスの特性不良発生を抑制する半導体集積回路装置の製造方法。
本実施の形態1による半導体集積回路装置の製造方法を図1〜図13を用いて工程順に説明する。図1は半導体集積回路装置の製造方法の工程図、図2〜図4および図8(a)、図9〜図12は半導体集積回路装置の要部側面図、図8(b)は半導体集積回路装置の要部上面図、図5はオゾン水発生装置の説明図、図6はバックグラインドの洗浄部の説明図、図7は二酸化炭素含有水生成工程の説明図、図13はバックグラインドからウエハマウントまでの一貫処理装置の説明図である。なお、以下の説明では、半導体ウエハ上に回路パターンを形成した後のバックグラインドから基板上に個片化したチップを接合するダイボンディングまでの各工程についてのみ説明する。
チップの薄型化への要求から、バックグラインドでは半導体ウエハの厚さを、例えば100μm未満とする研削が行われている。研削された半導体ウエハの裏面は、非晶質層/多結晶質層/マイクロクラック層/原子レベル歪み層(応力漸移層)/純粋結晶層からなり、このうち非晶質層/多結晶質層/マイクロクラック層が結晶欠陥層である。結晶欠陥層の厚さは、例えば1〜2μm程度である。
2 チャックテーブル
3 研削材
4 回転テーブル
5 フッ硝酸
6 スラリ
7 プラテン(定盤)
8 研磨パッド
10 研磨布
11 回転テーブル
12 回転テーブル
13 オゾン水
14 超純水
15 ガスボンベ
16 濃度計
17 マスフローコントローラ
18 フレーム
19 ダイシングテーブル
20 円形刃
22 突き上げピン
23 コレット
24 基板
25 ペースト材
26 一貫処理装置
27 ローダ
28 アンローダ
29,30,31 搬送ロボット
32 搬送ロボット
33 処理室
34 チャックテーブル
35 搬送ロボット
36 処理室
37 チャックテーブル
38 搬送ロボット
39 処理室
40 搬送ロボット
41 処理室
51 半導体ウエハ
52 チャックテーブル
53 研削材
54 結晶欠陥層
55 回転テーブル
56 研磨布
57 スラリ
58 プラテン(定盤)
59 研磨パッド
60 回転テーブル
61 フッ硝酸
62 オゾン水
63 回転テーブル
65 純水
66 回転テーブル
67 硝酸
69 純水
70 フレーム
71 ダイシングテーブル
72 円形刃
73 突き上げピン
74 コレット
75 基板
76 ペースト材
77 一貫処理装置
78 ローダ
79 アンローダ
80,81,82 ロボット
83 搬送ロボット
84 処理室
85 チャックテーブル
86 搬送ロボット
87 処理室
88 チャックテーブル
89 搬送ロボット
90 処理室
91 搬送ロボット
92 処理室
93,94 一貫処理装置
BL バリア層
BT,BT2 感圧テープ
DT,DT2 ダイシングテープ
PH,PH2 加圧ヘッド
SC,SC2 チップ
TF 酸化膜
Claims (11)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法;
(a)第1の厚さを有する半導体ウエハの第1の主面上に回路パターンを形成する工程;
(b)前記第1の主面に第1のテープを貼着する工程;
(c)前記半導体ウエハの第2の主面を研削して、前記半導体ウエハを第2の厚さにする工程;
(d)前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化し、厚さ2nm以上の酸化膜を形成する工程;
(e)前記半導体ウエハの前記第2の主面に第2のテープを貼着し、前記半導体ウエハの前記第1の主面に貼着した前記第1のテープを剥離する工程;
(f)前記半導体ウエハをチップに個片化する工程;
(g)前記チップを前記第2のテープから剥離する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)の後、かつ前記工程(d)の前に、前記工程(c)により前記半導体ウエハの前記第2の主面に形成された結晶欠陥層を除去する半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体ウエハの前記第2の厚さは100μm未満である半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(c)と前記工程(d)との間の前記半導体ウエハの放置時間は4時間未満である半導体集積回路装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)オゾンを含ませた純水により前記半導体ウエハを洗浄して、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)二酸化炭素を含ませた純水により前記半導体ウエハを洗浄して、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)純水と過酸化水素水とを前記半導体ウエハに注ぎ、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面または前記第2のテープの前記半導体ウエハと接する面に酸化剤を塗布し、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面にガス状の酸素を吹き付けて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は、以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハの前記第2の主面に熱風を当てて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程(d)は以下の下位の工程を含む:
(d1)前記半導体ウエハを加熱したプレート上に前記半導体ウエハの前記第2の主面を接して載せて、前記半導体ウエハの前記第2の主面を強制酸化する工程。
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JP (1) | JP2010239161A (ja) |
CN (1) | CN101290907B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015056303A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置 |
CN110931413A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 静电卡盘分离装置 |
CN115461192A (zh) * | 2020-05-08 | 2022-12-09 | 信越半导体株式会社 | 平面研磨方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108565205B (zh) * | 2013-03-15 | 2022-09-27 | 鲁道夫技术公司 | 光声基底评估系统和方法 |
US11430677B2 (en) * | 2018-10-30 | 2022-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer taping apparatus and method |
CN116879598B (zh) * | 2023-09-01 | 2023-12-01 | 江苏鹏利芝达恩半导体有限公司 | 一种用于连接探头卡和半导体检测装置的接口制造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307485A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ研磨方法、半導体ウエハ研磨装置、及び研磨ウエハ |
JP2000100756A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001144072A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Speedfam Co Ltd | シリコンウエハの表面処理方法,無臭シリコンウエハ製造方法,シリコンウエハの酸化膜形成方法,酸化シリコンウエハ製造方法,酸素活性種雰囲気形成装置,及び平坦化処理システム |
JP2003179023A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2004356384A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nitto Denko Corp | ウエハ裏面の処理方法およびダイシング用シート貼付け装置 |
JP2005072140A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法および半導体ウエハ加工装置 |
JP2005085925A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法および加工装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1254440A (zh) * | 1997-05-02 | 2000-05-24 | Memc电子材料有限公司 | 硅晶片的腐蚀方法 |
-
2004
- 2004-12-27 CN CN2008101095893A patent/CN101290907B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-07-26 JP JP2010166920A patent/JP2010239161A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11307485A (ja) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 半導体ウエハ研磨方法、半導体ウエハ研磨装置、及び研磨ウエハ |
JP2000100756A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001144072A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Speedfam Co Ltd | シリコンウエハの表面処理方法,無臭シリコンウエハ製造方法,シリコンウエハの酸化膜形成方法,酸化シリコンウエハ製造方法,酸素活性種雰囲気形成装置,及び平坦化処理システム |
JP2003179023A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2004356384A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Nitto Denko Corp | ウエハ裏面の処理方法およびダイシング用シート貼付け装置 |
JP2005072140A (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-17 | Lintec Corp | 半導体装置の製造方法および半導体ウエハ加工装置 |
JP2005085925A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの加工方法および加工装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015056303A1 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置 |
US9659808B2 (en) | 2013-10-15 | 2017-05-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor-element manufacturing method and wafer mounting device using a vacuum end-effector |
CN110931413A (zh) * | 2018-09-20 | 2020-03-27 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 静电卡盘分离装置 |
CN115461192A (zh) * | 2020-05-08 | 2022-12-09 | 信越半导体株式会社 | 平面研磨方法 |
CN115461192B (zh) * | 2020-05-08 | 2024-06-11 | 信越半导体株式会社 | 平面研磨方法 |
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