CN115461192A - 平面研磨方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种晶圆的平面研磨方法，在该方法中，准备具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面，且包含位于第1主面与第2主面之间的边缘部的晶圆，将脱模剂涂布在晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层，在脱模剂层上形成将第2主面及边缘部全部覆盖的树脂层，在树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体，在将晶圆复合体在基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第1主面，从晶圆复合体去除基底部件，在将晶圆在第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆的第2主面，清洗晶圆，去除残留在晶圆的边缘部的脱模剂层和树脂层。由此，提供可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。
Description
技术领域
本发明涉及平面研磨方法。
背景技术
存在一种平面研磨方法，在晶圆的单面涂布树脂或蜡等，使该树脂等在平坦的平台上固化，形成覆盖物，以该覆盖物为基准来研磨晶圆，由此去除晶圆的弯曲或翘曲(专利文献1等)。
参照图13说明现有的平面研磨方法的例。
首先，如图13的(a)所示，准备具有第1主面11、及第1主面11相反侧的第2主面12的晶圆1。晶圆1包含位于第1主面11与第2主面12之间的边缘部13。这样的晶圆1例如通过从晶圆1的原材料即半导体单晶(例如单晶硅)的锭中通过切片切出工件，并对切出的工件实施倒角而得到。此外，在图13中，为了说明，以具有大的凹凸的方式示出了第1主面11和第2主面12，但第1主面11和第2主面12的表面粗糙度没有特别限定。
接着，将粘接材料等树脂涂布于晶圆1的第2主面12及边缘部13，使该树脂等在平坦的基底部件4(基底板或膜)上固化而形成覆盖物。由此，如图13的(c)所示，可获得将晶圆1的第2主面12及边缘部13全部覆盖的树脂层3，而可将晶圆1固定于基底部件4。由此，可获得被加工体即工件5。
然后，以基底部件4的下表面为基准面，将工件5支撑固定于支撑固定机构(例如真空吸盘)来进行晶圆1的第1主面11的平面研磨。由此，可获得图13的(d)所示的具有已研磨的第1主面11a的晶圆1a。
之后，如图13的(e)所示，从工件5拆下基底部件4。接着，如图13的(f)所示，使工件5翻转，在已进行平面研磨的第1主面11a的位置以真空吸盘机构等支撑固定晶圆1a，对该晶圆1a的第2主面12进行平面研磨。由此，可获得图13的(g)所示的具有已研磨的第1主面11a及已研磨的第2主面12a的晶圆1b。
如图13的(g)所示，通过第二主面12的平面研磨，树脂层3中的覆盖第二主面12上的部分被去除，但树脂层3的一部分33残留在晶圆1b的边缘部13上。
最后，为去掉晶圆1b的已研磨的第1主面11a及已研磨的第2主面12a上的脏污，而进行清洗(图13的(h))。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2009-148866号公报
专利文献2：日本特开2019-165152号公报
专利文献3：日本特开2016-219634号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
参照图13对之前说明的现有方法概要地进行总结：利用树脂3和基底部件4固定晶圆1而得到工件5，研磨第1主面11，去除基底部件4，使工件5翻转，进行第2主面12的研磨。由此，进行晶圆1的双面研磨。
在此，如图13的(c)所示，树脂层3形成为除了覆盖晶圆1的第2主面12外，还覆盖至晶圆1的倒角部即边缘部13。如图13的(e)所示，在第2主面12的研磨前剥离基底部件4，但此时树脂层3的树脂牢固地固化而粘接于晶圆1和基底部件4这两者，因此基底部件4难以从晶圆1和树脂层3分离，存在导致晶圆1破裂的问题。
另外，如图13的(h)所示，即使在双面研磨后进行清洗，也存在残留在晶圆1b的边缘部13上的树脂层3的一部分33无法完全去除的问题。存在树脂层3的残留的一部分33无法通过后工序的蚀刻等去除而成为缺陷的问题。
本发明为了解决上述问题而完成，其目的在于提供可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。
(二)技术方案
为解决上述课题，在本发明中，提供一种平面研磨方法，其为晶圆的平面研磨方法，包含以下步骤：
通过切片工序及倒角工序准备晶圆，所述晶圆具有第1主面及所述第1主面相反侧的第2主面，且包含位于所述第1主面与所述第2主面之间的边缘部；
将脱模剂涂布在所述晶圆的所述第2主面的一部分及所述边缘部而形成脱模剂层；
在所述脱模剂层上形成将所述第2主面及所述边缘部全部覆盖的树脂层；
在所述树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体；
在将所述晶圆复合体在所述基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第1主面；
从所述晶圆复合体去除所述基底部件；
在将所述晶圆在已研磨的所述第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第2主面；以及
清洗所述晶圆，去除残留在所述晶圆的所述边缘部的所述脱模剂层和所述树脂层。
如果是这样的平面研磨方法，则可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨。
优选地，将所述边缘部设为距离所述晶圆的最外周的边缘2mm以下为止的范围，在所述边缘部涂布所述脱模剂。
由此，可确实地在边缘部防止树脂的残留。
优选地，将所述边缘部设为距离所述晶圆的所述最外周的边缘0.3mm为止的范围，在所述边缘部涂布所述脱模剂。
由此，可更确实地在边缘部防止树脂的残留。
优选地，以覆盖所述晶圆的所述第2主面的30％以上、小于100％的方式涂布所述脱模剂。
由此，能够充分地抑制研磨中的树脂层从晶圆的剥离，并且能够充分地抑制晶圆与树脂层的粘接力，由此，能够更可靠地抑制在去除基底部件时晶圆破裂。
可将所述脱模剂层在所述晶圆的所述第2主面上形成为格子状、线状、放射状、点状、同心圆状、螺旋状、虚线状或方格图案状。
这样，形成于第2主面的一部分的脱膜剂层可采取各种形状。
可使用有机硅系、长链烷基系、氟系、脂肪族酰胺系和二氧化硅系中的任一种作为所述脱模剂。
这样，作为脱模剂，可以使用各种类型。
优选地，将所述脱模剂仅涂布于所述晶圆的所述第2主面的所述一部分及所述边缘部。
这样的方法可使脱模剂的使用范围为所需最低限度，是经济的。
可通过刷清洗或双流体清洗进行所述清洗。
本发明即使利用这样的简单的物理清洗，也可充分去除残留于边缘部的树脂层。
(三)有益效果
如上所述，如果是本发明的晶圆的平面研磨方法，则可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨。
附图说明
图1是概要地示出本发明的晶圆的平面研磨方法的一部分的流程图。
图2是示出本发明的晶圆的平面研磨方法的一例的一部分的流程图。
图3是示出接续图2的流程图的、本发明的晶圆的平面研磨方法的一例的一部分的流程图。
图4是示出本发明的边缘部的几个方式的概要截面图。
图5是示出包含本发明的晶圆的平面研磨方法的晶圆的加工方法的一例的流程图。
图6是实施例1及比较例1的概要的流程图。
图7是实施例1的更详细的流程图。
图8是比较例1的更详细的流程图。
图9是在实施例1中得到的双面研磨后的一个晶圆的边缘部的放大图像。
图10是在实施例1中得到的双面研磨后的另一个晶圆的边缘部的放大图像。
图11是在比较例1中得到的双面研磨后的一个晶圆的边缘部的放大图像。
图12是在比较例1中得到的双面研磨后的另一个晶圆的边缘部的放大图像。
图13是现有的平面研磨方法的一例的流程图。
具体实施方式
如上所述，要求开发可防止晶圆的破裂及边缘部的树脂的残留，并且可进行晶圆的双面研磨的晶圆的平面研磨方法。
本案发明人针对上述问题经过反复深入研究，结果发现通过在晶圆上形成树脂层之前将脱模剂涂布于晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成脱模剂层，可防止研磨中树脂层剥离，并且可防止在去除基底部件时晶圆破裂，另外，能够容易地从边缘部去除树脂，而完成了本发明。
即，本发明是一种平面研磨方法，其为晶圆的平面研磨方法，包含以下步骤：
通过切片工序及倒角工序准备晶圆，所述晶圆具有第1主面及所述第1主面相反侧的第2主面，且包含位于所述第1主面与所述第2主面之间的边缘部；
将脱模剂涂布在所述晶圆的所述第2主面的一部分及所述边缘部而形成脱模剂层；
在所述脱模剂层上形成将所述第2主面及所述边缘部全部覆盖的树脂层；
在所述树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体；
在将所述晶圆复合体在所述基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第1主面；
从所述晶圆复合体去除所述基底部件；
在将所述晶圆在已研磨的所述第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第2主面；以及
清洗所述晶圆，去除残留在所述晶圆的所述边缘部的所述脱模剂层和所述树脂层。
此外，在专利文献2中公开有包含半导体基板及附加于其外周的倒角补偿部的半导体装置。在该专利文献2中公开了：在半导体装置的制造方法中，为了易于从模板剥离倒角补偿部，而在将倒角补偿部的材料即含有氧化硅填料的树脂向半导体基板的倒角部与模板之间填充之前附加脱模剂。然而，在专利文献2中并未公开附加脱模剂的具体方式。
另外，在专利文献3中公开有一种层叠体，该层叠体是将基板和在与基板相对的一侧的面的周缘部整周设置有分离层的支撑板隔着第一粘接层进行层叠而成的。在该层叠体中，第1粘接层含有聚硅氧油作为脱模剂，由此调整了其粘接力，使得可将基板与支撑板适当地分离。然而，专利文献3并未记载也未暗示在基板上形成与第1粘接层不同的脱模剂的层。
以下，参照附图对本发明进行详细说明，但本发明并不限定于此。
首先，参照图1概要地说明本发明的晶圆的平面研磨方法。
最初，通过切片工序及倒角工序准备图1的(1)所示的晶圆1。晶圆1具有第1主面11及第1主面11相反侧的第2主面12，且包含位于第1主面11与第2主面12之间的边缘部13。在图1的(1)中，由于示出了晶圆1的截面，因此未表示边缘部13的整体，但边缘部13沿着晶圆1的最外周的边缘延伸。
接着，如图1的(1)所示，将脱模剂涂布于晶圆1的第2主面12的一部分及边缘部13，而形成脱模剂层2。
然后，在脱模剂层2上形成将第2主面12及边缘部13全部覆盖的图1的(2)所示的树脂层3。之后，将基底部件4配置于树脂层3上而获得图1的(2)所示的晶圆复合体10。
接着，在将所获得的晶圆复合体10在基底部件4的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆1的第1主面11。然后，从晶圆复合体10去除基底部件4。之后，在将晶圆1在已研磨的第1主面11A的位置进行支撑固定的状态下，研磨晶圆1的第2主面12。由此，如图1的(3)所示，获得具有已研磨的第1主面11A及已研磨的第2主面12A的晶圆1B。
之后，清洗晶圆1B，而去除残留于晶圆1B的边缘部13的离型剂层2的一部分23及树脂层3的一部分33。由此，如图1的(4)所示，可获得从边缘部13去除了离型剂层2的一部分23及树脂层3的一部分33的晶圆1C。
在本发明的晶圆的平面研磨方法中，在晶圆1上形成树脂层3之前，在晶圆1的第2主面12的一部分和边缘部13上涂布脱模剂，形成脱模剂层2，从而能够适度地抑制树脂层3对晶圆1的粘接力，其结果为，当在研磨第一主面11后从晶圆复合体10剥离基底部件4时，能够防止晶圆1破裂。另外，在双面研磨后，通过简单的清洗，易于将残留于晶圆1C的边缘部13的树脂层33与脱模剂层23一同去除。另一方面，由于脱模剂层2涂布于晶圆的第2主面12的一部分，因此树脂层3对晶圆1的粘接力可具有足以防止在研磨晶圆1的第一主面11时发生剥离的大小。
接着，参照图2及图3并示出具体例，更详细地说明本发明的晶圆的平面研磨方法。
(晶圆的准备)
首先，如图2的(A)所示，准备具有第1主面11及第1主面11相反侧的第2主面12的晶圆1。晶圆1包含位于第1主面11与第2主面12之间的边缘部13。这样的晶圆1例如通过从晶圆1的原材料即半导体单晶(例如单晶硅)的锭中通过切片切出工件，并对切出的工件实施倒角(beveling)而得到。此外，切片工序及倒角工序不限于这些方法，可以通过公知的各种方法进行。
另外，在图2中，为了说明，以具有较大凹凸的方式示出了第一主面11和第二主面12，但第一主面11和第二主面12的表面粗糙度没有特别限定。并且，边缘部13不仅包含通过倒角工序得到的晶圆1的最外周的边缘，还可包含与该边缘相邻的部分。详细内容参照图4在后面详细叙述。
(脱模剂的形成)
接着，如图2的(B)所示，将脱模剂涂布于所准备的晶圆1中第2主面12的一部分及边缘部13而形成脱模剂层2。
如图2的(B)所示，脱模剂涂布成覆盖边缘部13。另一方面，脱模剂对第2主面12并非在整面而是在其一部分涂布。当将脱模剂涂布于第2主面12整面时，在之后的工序中形成的树脂层与晶圆1的粘接力弱，在研磨中有可能剥离，研磨剂有可能从剥离的间隙进入而导致形状改变。
优选地，以覆盖晶圆1的第2主面12的30％以上、小于100％的方式涂布脱模剂。
通过这样设置，可使在之后的工序形成的树脂层3与晶圆1的粘接面积为更适当的范围。由此，可充分地抑制在研磨中树脂层3从晶圆1剥离，并且可充分地抑制晶圆1与树脂层3的粘接力，由此，可更充分地抑制在去除(在之后的工序中配置在树脂层3上的)基底部件4时晶圆1破裂。
优选地，以覆盖晶圆1的第2主面12的40％以上、小于90％的方式涂布脱模剂。
脱模剂层2可在晶圆1的第2主面12上形成为例如格子状、线状、放射状、点状、同心圆状、螺旋状、虚线状或方格图案状。
这样，脱模剂层可采取各种形状。
另外，使用的脱模剂未特别限定。举例而言，可使用有机硅系、长链烷基系、氟系、脂肪族酰胺系和二氧化硅系中的任意1种作为脱模剂。
这样，作为脱模剂，可以使用各种类型。
脱模剂优选如图2的(B)所示那样仅涂布于晶圆1的第2主面12的一部分及边缘部13。
在之后的工序中形成的树脂层3是在对晶圆1的第一主面11进行研磨时用于支撑固定而设置的。因此，与树脂层3相关的脱模剂层2无需形成在第1主面11上，因此，脱模剂也无需涂布在第1主面11上。通过不涂布于晶圆1的第1主面11而仅涂布于第2主面12的一部分及边缘部13，可使脱模剂的使用范围为必要最低限度，是经济的。另外，因为未形成脱模剂层2，而易于研磨第1主面11。但是，也可以在第一主面11上涂布离型剂。
(树脂层的形成及基底部件的配置)
接着，如图2的(C)所示，在离型剂层2上形成将晶圆1的第2主面12及边缘部13全部覆盖的树脂层3。树脂层3具有与脱模剂层相接的脱模剂接触面32、及脱模剂接触面32相反侧的基底接触面31。另外，如图2的(C)所示，将基底部件4配置为在树脂层3上与基底接触面31相接。由此，可获得包含晶圆1、脱模剂层2、树脂层3、基底部件4的晶圆复合体10。
树脂层3的材料未特别限定，例如可使用通常用于固定半导体晶圆的粘接剂等。树脂层3通过固化而可粘接于晶圆1的第2主面12中未形成脱模剂层2的部分及脱模剂层2。固化可在涂布树脂层3的材料之后，配置基底部件4之前进行，也可在配置基底部件4之后进行。
基底部件4是为了能够支撑固定晶圆复合体10的一个面而平坦的部件。基底部件4的方式没有特别限定，例如为基底板或膜。
(第1主面的研磨)
接着，在基底部件4的位置支撑固定图2的(C)所示的晶圆复合体10。支撑固定的手段未特别限定，可采用通常在半导体晶圆的加工中使用的手段、例如真空吸盘。
然后，如上所述在支撑固定晶圆复合体10的状态下，研磨晶圆1的第1主面11。由于树脂层3以足够的强度粘接于晶圆1的第2主面12，因此可防止在第1主面11的研磨中树脂层3从晶圆1剥离。由此，可获得如图2的(D)所示的具有已研磨的第1主面11A的晶圆1A。
(基底部件的去除)
然后，如图3的(E)所示，从晶圆复合体10去除基底部件4。在本发明的方法中，由于使离型剂层2不是在晶圆1的第2主面12整面而是在一部分上形成，因此可适度地抑制树脂层3对具有已研磨的第1主面11A的晶圆1A的粘接力。结果，可防止在研磨第1主面11后，从晶圆复合体10剥离去除基底部件4时晶圆1A破裂。由此，平面研磨的作业性提高，并且晶圆的生产性及成品率提高。
通过从晶圆复合体10去除基底部件4，树脂层3的基底接触面31露出。
(翻转及支撑固定)
然后，如图3的(F)所示，使晶圆1A翻转，以使树脂层3的基底接触面31为朝向研磨机的方向(在图3中为朝上的方向)。之后，在已研磨的第1主面11A的位置支撑固定该朝向的晶圆1A。与前面同样地，支撑固定手段未特别限定。
(第2主面的研磨)
接着，如上所述，在支撑固定晶圆1A的状态下，研磨晶圆1A的第2主面12。由此，可获得如图3的(G)所示的具有已研磨的第1主面11A及已研磨的第2主面12A的晶圆1B。此外，根据图3的(F)与图3的(G)的比较而清楚地得知，通过该研磨，也可将在第2主面12上形成的脱模剂层2的一部分20及树脂层3的一部分30去除。另一方面，如图3的(G)所示，脱模剂层2的一部分23及树脂层3的一部分33残留在晶圆1B的边缘部13上。
(清洗)
接着，清洗晶圆1B。通过该清洗，将残留在边缘部13上的脱模剂层2的一部分23及树脂层3的一部分33去除。
由于残留在边缘部13上的脱模剂层2的一部分23的存在，树脂层3的一部分33能够容易地从边缘部13除去。脱模剂层2的一部分23自身易于从边缘部13去除。因此，用于从边缘部13去除脱模剂层2及树脂层3的清洗可通过例如刷清洗或双流体清洗这样简单的物理清洗进行。
通过该清洗，也可去除已研磨的第1主面11A上及已研磨的第2主面12A上的脏污。
通过该清洗，可获得图3的(H)所示的具有已研磨的第1主面11A及该第1主面11A相反侧的已研磨的第2主面12A的晶圆1C。
根据本发明的晶圆的平面研磨方法，因为在固定于基底部件4的位置的状态下研磨第1主面11，且在固定于已研磨的第1主面11A的位置的状态下研磨第2主面12，因此可有效地去除晶圆1的弯曲或翘曲。
另外，如图3的(H)所示，晶圆1C从边缘部13上充分地去除了脱模剂层2和树脂层3。
因此，以本发明的晶圆的平面研磨方法研磨了双面的晶圆可通过后工序的蚀刻等适当地进行加工。
接着，对利用本发明的晶圆的平面研磨方法准备的晶圆的边缘部进行说明。
如前所述，晶圆的边缘部不仅包含通过倒角工序而得到的晶圆的最外周的边缘，也包含与此边缘相邻的部分。
举例而言，如图4所示，在本发明的一个方式中，可令晶圆1的边缘部13包含晶圆1的最外周的边缘13E、及与该边缘相邻且在距离边缘2mm以下为止的范围的部分11E及12E。在该方式的方法中，通过以完全覆盖这样的边缘部13的方式形成脱模剂层2，能够在边缘部13更有效地防止树脂的残留。
在本发明的更优选的方式中，令晶圆1的边缘部13包含晶圆1的最外周的边缘13E、及与该边缘相邻且在距离边缘0.3mm为止的范围的部分11e及12e。在该方式的方法中，通过以完全覆盖这样的边缘部13的方式形成脱模剂层2，能够在边缘部13有效地防止树脂的残留。
另外，为了方便，在本说明书中，对与上述边缘相邻的部分11E和11e不包含在晶圆1的第1主面11中的情况进行了说明。同样地，对与上述边缘相邻的部分12E和12e不包含在晶圆1的第2主面12中的情况进行了说明。
<晶圆的加工方法>
本发明的晶圆的平面研磨方法可作为晶圆的加工方法的一部分进行应用。
在图5中示出表示包含本发明的晶圆的平面研磨方法的晶圆的加工方法的一例的流程图。
该加工方法包含切片工序S1、倒角工序S2、研磨工序S3及蚀刻工序S4。
切片工序S1及倒角工序S2是如前面所说明的准备晶圆的手段。研磨工序S3对应于前面所说明的本发明的晶圆的平面研磨方法中除了切片工序S1及倒角工序S2以外的工序。即，图5所示的切片工序S1、倒角工序S2及研磨工序S3构成本发明的晶圆的平面研磨方法P。
如前面所说明的那样，根据本发明的晶圆平面研磨方法，能够得到进行了双面研磨且从边缘部上去除了支撑固定用的树脂而没有残留的晶圆，因此能够在后工序的蚀刻工序S4中适当地进行加工。
实施例
以下，使用实施例及比较例具体地说明本发明，但本发明并不限于此。
在以下说明的实施例1及比较例1中，大致以图6的流程图所示的方法进行了晶圆的加工。切片工序S1及倒角工序S2是前面所说明的准备晶圆的手段，在实施例1与比较例1中为相同的步骤。接着，在实施例1中，参照图7按照以下说明的步骤进行了双面研磨工序S3-1。另一方面，在比较例1中，参照图8按照以下说明的步骤进行了双面研磨工序S3-1。即，实施例1在双面研磨工序S3-1这一点上与比较例1不同。接着，在实施例1及比较例1中，在双面研磨工序3-1之后进行了同样的清洗工序S3-2。最后，在实施例1及比较例1中，在清洗工序S3-2之后进行了同样的蚀刻工序S4。
以下，说明在实施例1及比较例1进行的各工序。
(切片工序S1)
准备了直径301mm的单晶硅的锭。利用线锯从该锭进行切片而切出厚度816μm的工件。
(倒角工序S2)
对上述工作件实施倒角处理，而准备了如图2的(A)所示的具有第1主面及第1主面相反侧的第2主面的晶圆。所准备的晶圆具有通过倒角处理而形成的位于第1主面与第2主面之间的最外周的边缘(边缘部)。
(双面研磨工序S3-1)
[实施例1]
<脱模剂层的形成s1>
将脱模剂涂布于晶圆的第2主面的一部分及边缘部而形成了脱模剂层(工序s1)。使用了信越化学工业制的聚硅氧系脱模剂(KF412SP)作为脱模剂。
在此，令距离晶圆的最外周的边缘1mm为止的范围为边缘部，以利用脱模剂层完全覆盖边缘部的方式涂布脱模剂。
另一方面，以同心圆状的脱模剂层覆盖第二主面的约80％的方式涂布脱模剂。脱模剂层的厚度为20nm。
<涂布树脂s2及粘贴膜s3>
接着，将树脂涂布为将晶圆的第2主面及边缘部全部覆盖(工序s2)。作为树脂，使用了紫外线固化性树脂。厚度为100μm。由此，形成了与晶圆及脱模剂层相接的树脂层。然后，将作为基底部件的膜(材质PET、厚度20nm)粘贴于树脂层的不与脱模剂层相接的面(工序s3)。之后，使树脂层的树脂固化。由此，获得了晶圆复合体。
<研磨第1主面s4>
之后，在利用真空吸盘将晶圆复合体在膜的下表面的位置进行固定的状态下，对晶圆的第1主面进行了平面研磨(工序s4)。
<去除膜s5>
接着，通过膜去除装置从已研磨第1主面的晶圆去除膜(工序s5)。
<研磨第2主面s6>
然后，在将晶圆在已研磨的第1主面的位置进行固定的状态下，对晶圆的第2主面进行了平面研磨(工序s6)。
[比较例1]
如图8所示，除了不进行脱模剂涂布工序s1，而将树脂直接涂布于晶圆的第2主面及边缘部以外，进行了与实施例1的双面研磨工序S3-1相同的工序。
(清洗工序S3-2)
对双面研磨工序S3-1后的晶圆的边缘部进行了刷清洗(工序S3-2)。同时，通过清洗去除了晶圆的已研磨的第1主面上及已研磨的第2主面上的脏污。
(蚀刻工序S4)
将清洗工序S3-2后的晶圆供于蚀刻加工(工序S4)。蚀刻加工以酸蚀刻进行。
根据以上说明的实施例1的一连串工序，获得了20片进行了蚀刻加工的晶圆。同样地，根据以上说明的比较例1的一连串工序，获得了20片进行了蚀刻加工的晶圆。
[评价]
(膜的剥离容易度试验)
在上述膜去除工序s5中，评价了膜的剥离容易度。结果，在实施例1中，可通过较小的力剥离膜，而与比较例1相比可更易于剥离膜。另一方面，在比较例1中，剥离膜需要较大的力，其结果为，所获得的晶圆的30％产生了破裂。
(树脂残留评价)
在蚀刻工序S4后，使用KLA-Tencor制晶圆检查装置CV350，进行了晶圆的边缘观察。观察以ph模式进行。通过该观察，评价了边缘部的树脂残留。
图9及图10是在实施例1中得到的双面研磨后的各个不同的晶圆从侧面观察的边缘部的放大图像(纵向放大率150％UP图像)。图11及图12是在比较例1中得到的双面研磨后的各个不同的晶圆从侧面观察的边缘部的放大图像(纵向放大率150％UP图像)。
根据图9及图10与图11及图12的比较可知，在实施例1中，与比较例1相比更能够除去边缘部上的树脂。
将以上的评价汇总示出于以下的表1。
[表1]
根据以上说明的结果可知，根据实施例1，易于从晶圆复合体去除膜，作业性提高。另外可知，根据实施例1，可抑制晶圆的破裂，并且可充分地去除残留于边缘部的树脂。
另一方面，在未形成脱模剂层的比较例1中，由于晶圆与树脂层的粘接力过高，因此不易从晶圆复合体去除膜，其结果为，认为晶圆产生了破裂。另外，在比较例1中，由于晶圆的边缘部与树脂层的粘接力过高，因此认为树脂残留于边缘部。
此外，本发明不限于上述实施方式。上述实施方式是例示，凡具有与本发明的权利要求书所记载的技术思想实质上相同的结构、起到同样的作用效果的任何方案都包含在本发明的技术范围内。
Claims (8)
1.一种平面研磨方法，其为晶圆的平面研磨方法，包含以下步骤：
通过切片工序及倒角工序准备晶圆，所述晶圆具有第1主面及所述第1主面相反侧的第2主面，且包含位于所述第1主面与所述第2主面之间的边缘部；
将脱模剂涂布在所述晶圆的所述第2主面的一部分及所述边缘部而形成脱模剂层；
在所述脱模剂层上形成将所述第2主面及所述边缘部全部覆盖的树脂层；
在所述树脂层上配置基底部件而获得晶圆复合体；
在将所述晶圆复合体在所述基底部件的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第1主面；
从所述晶圆复合体去除所述基底部件；
在将所述晶圆在已研磨的所述第1主面的位置进行支撑固定的状态下，研磨所述晶圆的所述第2主面；以及
清洗所述晶圆，去除残留在所述晶圆的所述边缘部的所述脱模剂层和所述树脂层。
2.根据权利要求1所述的平面研磨方法，其特征在于，
将所述边缘部设为距离所述晶圆的最外周的边缘2mm以下为止的范围，在所述边缘部涂布所述脱模剂。
3.根据权利要求2所述的平面研磨方法，其特征在于，
将所述边缘部设为距离所述晶圆的所述最外周的边缘0.3mm为止的范围，在所述边缘部涂布所述脱模剂。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的平面研磨方法，其特征在于，
以覆盖所述晶圆的所述第2主面的30％以上、小于100％的方式涂布所述脱模剂。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的平面研磨方法，其特征在于，
将所述脱模剂层在所述晶圆的所述第2主面上形成为格子状、线状、放射状、点状、同心圆状、螺旋状、虚线状或方格图案状。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的平面研磨方法，其特征在于，
使用有机硅系、长链烷基系、氟系、脂肪族酰胺系和二氧化硅系中的任一种作为所述脱模剂。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的平面研磨方法，其特征在于，
将所述脱模剂仅涂布于所述晶圆的所述第2主面的所述一部分及所述边缘部。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的平面研磨方法，其特征在于，
通过刷清洗或双流体清洗进行所述清洗。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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