CN101465292A - 树脂覆盖方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种树脂覆盖方法和装置，该树脂覆盖方法是为了磨削含有起伏和翘曲的晶片以将其加工得平坦、而在晶片的单面覆盖树脂的方法，该方法用树脂覆盖晶片表面，以便可靠地除去晶片的起伏和翘曲，使磨削后的晶片形成得平坦。通过树脂涂布单元(20)将树脂(2)涂布于晶片(1)的背面(1b)。接着，将涂布有树脂的晶片以露出晶片的表面(1a)的方式保持在平台(33)的保持面(33a)上。通过按压构件(38)将保持在平台(33)的保持面(33a)上的晶片从晶片的表面(1a)侧向平台(33)方向按压。当使按压构件(38)的按压垫(41)从晶片离开后，通过UV灯(34)向树脂照射紫外光，使树脂硬化，从而在晶片的背面(1b)形成树脂膜(3)。
Description
技术领域
本发明涉及在将晶片磨削成平面时、用树脂覆盖晶片的单面来形成磨削时的基准面的方法。
背景技术
在成为半导体或电子部件的材料的半导体晶片(以下简称为晶片)中，例如有由硅等单晶体材料构成的晶片、或由具有多种元素的化合物构成的晶片等。关于这些晶片，在成形成圆柱状的结晶块之后，利用钢丝锯等切成基板状的片，接着通过实施研磨、蚀刻等来除去切片时产生的起伏和翘曲，从而将晶片加工得薄且平坦。
但是，为了进行如上所述的蚀刻，需要这样的大规模的设备：向晶片周围供给反应气体并使反应气体滞留在晶片周围，通过对该反应气体附加高电压来使其等离子化。此外，作为能够对用于晶片的硅进行蚀刻的气体，例如有SF6等氟化气体。该SF6等氟化气体是温室气体，并且价格很高。这样，为了进行蚀刻，要使用大规模的设备和高价气体，所以要花费巨额的费用。此外，有可能由于低效率的磨削而使大量晶片报废。
因此，提出了这样的方法：在晶片的单面上涂布树脂或蜡等，在使该树脂等硬化而形成覆盖物之后磨削晶片，由此来除去晶片的起伏和翘曲(参照专利文献1、2)。在该方法中，使所涂布的树脂硬化从而形成表面平坦的覆盖物，通过以该覆盖物的表面作为基准面磨削晶片，来除去晶片的起伏和翘曲，从而将晶片加工得平坦。
专利文献1：日本特开平8—66850号公报
专利文献2：日本特开2006—269761号公报
但是，在上述专利文献1的方法中，有时会由于形成在晶片单面上的覆盖物的厚度而产生如下问题。例如，在涂布于晶片的覆盖物的厚度很薄的情况下，无法通过覆盖物充分吸收起伏和翘曲。此外，在涂布于晶片的覆盖物的厚度很厚的情况下，会产生如下问题：在使用一般的磨削装置将旋转的磨削磨具压靠在晶片上来磨削晶片时，晶片因覆盖物的弹性作用而逃离磨削磨具，即使能够除去起伏和翘曲，也难以将晶片磨削成均一的厚度。
此外，在上述专利文献2的方法中，由于能够将覆盖物控制为适当的膜厚，所以能够有效地除去起伏和翘曲。但是，由于是在晶片中残留有内部应力的状态下使树脂等硬化，所以当在晶片磨削后将覆盖物除去时，有时会因残留在晶片内的内部应力而再次产生起伏和翘曲(回弹)，未必能够满足要求。
发明内容
因此，本发明提供一种树脂覆盖方法，其是为了对含有起伏和翘曲的晶片进行磨削以将晶片加工成很平坦、而在晶片的单面覆盖树脂的方法，该树脂覆盖方法用树脂覆盖晶片表面，以便可靠地除去晶片的起伏和翘曲，从而使磨削后的晶片形成得平坦。
本发明是一种树脂覆盖方法，其是为了对从结晶块切出的包含起伏和翘曲的晶片的一个面进行磨削以将晶片加工得平坦、而在该晶片的另一个面上覆盖树脂的树脂覆盖方法，其特征在于，
上述树脂覆盖方法至少包括：
树脂涂布工序，在上述晶片的另一个面上涂布紫外光硬化树脂；
晶片保持工序，将涂布有紫外光硬化树脂的上述晶片以露出晶片的一个面的方式，保持在具有大致水平的保持面的平台的该保持面上；
按压工序，将保持在平台的保持面上的晶片通过按压构件从晶片的一个面侧向平台方向按压；和
树脂硬化工序，在使按压构件从晶片离开后，通过紫外光照射构件向紫外光硬化树脂照射紫外光，以使紫外光硬化树脂硬化。
根据本发明，通过利用按压构件按压晶片，使紫外光硬化树脂均匀地供给到晶片的另一个面上。在按压工序后，当使按压构件从晶片离开后，使紫外光硬化树脂硬化。由此，能够不在晶片中残留内部应力地将晶片的另一个面用紫外光硬化树脂覆盖。其结果为，即使在磨削后除去树脂，也不会引起回弹，能够高精度地将晶片加工得平坦。
覆盖在晶片上的紫外光硬化树脂的厚度优选为10μm～200μm。通过将紫外光硬化树脂以上述厚度覆盖在晶片的另一个面上，能够通过所覆盖的树脂充分地吸收起伏和翘曲。此外，在晶片的磨削时晶片不会逃离磨削磨具，能够将晶片磨削至均一的厚度。此外，作为紫外光硬化树脂，优选使用无溶剂反应硬化型树脂。
在本发明的树脂覆盖方法中，优选的是，至少将膜配置在紫外光硬化树脂和平台之间。此外在本发明的树脂覆盖方法中，优选的是，在树脂硬化工序后，具有将膜剪切成所希望的形状的膜剪切工序。
接着，本发明的树脂覆盖装置是能够合适地实施上述树脂覆盖方法的装置，该树脂覆盖装置至少包括：平台，其具有大致水平的保持面，该保持面对在另一个面上涂布有紫外光硬化树脂的晶片以露出一个面的方式进行保持；
按压构件，其与平台对置地配置，用于将保持在平台上的上述晶片从一个面侧向平台方向按压；和
紫外光照射构件，其向涂布在晶片上的紫外光硬化树脂照射紫外光。作为该树脂覆盖装置的平台，可以举出以下形态：该平台由紫外光透射部件形成，紫外光从平台的保持面的背面侧朝向紫外光硬化树脂照射。作为该紫外光透射部件，适合使用硼硅玻璃或石英玻璃。硼硅玻璃和石英玻璃的热膨胀率比较低。因此，受到紫外光的照射热的影响小，从而维持了保持面的平坦度。通过这样考虑照射热的影响地形成平台，能够从保持面的背面侧照射紫外光。此外优选的是，按压构件由陶瓷构成。通过使按压构件使用热膨胀系数尽可能低且不易升温的陶瓷，抑制了按压构件的因热膨胀引起的变形，从而能够维持按压构件的按压面的平坦度。
优选的是，在上述树脂覆盖装置的保持面上具有吸附固定膜的吸附区域。有时如上所述在紫外光硬化树脂和平台的保持面之间至少配置有膜。存在不能将通过膜搬送的晶片固定在保持面上的危险。此外，存在这样的危险：在晶片的按压时，若与晶片对应的膜没有被固定，则膜会由于按压构件的压力而偏移，从而不能均等地按压晶片的整个面。但是，在本发明的树脂涂布装置中，由于在保持面上具有吸附区域，所以将晶片隔着膜吸附并固定在平台的保持面上，从而能够通过按压构件可靠地按压晶片。
此外优选的是，按压构件具有两个以上的压力调整区域，在各个压力调整区域中能够以不同的压力按压晶片。若压力调整区域为一个，则有可能由于按压面的部位不同而产生压力差。因此，通过具有多个压力调整区域，能够以均等的压力按压晶片。此外，通过使压力调整区域的压力与树脂的涂布状况对应地产生差，抑制了所涂布的树脂的厚度的不均匀，能够将树脂均匀地供给到晶片的另一个面。
作为本发明的树脂涂布装置的紫外光照射构件，包括氙闪光灯、金属卤化物灯、或高压汞灯中的至少一个。此外优选的是，紫外光照射构件包括滤光器，该滤光器将照射向紫外光硬化树脂的所有波长的光之中的、对紫外光硬化树脂的硬化没有帮助的波长的光隔断。此外优选的是，紫外光照射构件包括隔断构件，该隔断构件仅在希望的时候将照射向紫外光硬化树脂的所有波长的光隔断。若平台热膨胀，则不能维持保持面的平坦度，从而会在覆盖于晶片的树脂的表面上产生起伏和翘曲。但是通过具有滤光器，能够仅照射用于紫外光硬化树脂硬化所需的最低限度的光。由此，能够抑制照射热给平台带来的影响。其结果为，抑制了平台的热膨胀，能够维持平台的保持面的平坦度。此外，通过具有隔断构件，能够将紫外光的照射抑制到最小限度。
作为本发明的树脂涂布装置，举出了具有排气构件的形态，该排气构件将存在于紫外光照射构件和平台之间的气体介质排出。若平台和紫外光照射构件一体地形成，则存在于它们之间的气体介质有可能因紫外光而升温。由于气体介质升温，平台也升温，因此有可能如上述那样使平台发生热膨胀，从而不能维持保持面的平坦度。因此，通过像本发明那样具有排气构件，使升温了的气体介质逃逸到外部，从而能够抑制对平台的热影响。
作为本发明的树脂涂布装置，优选具有树脂涂布构件，该树脂涂布构件将紫外光硬化树脂涂布在晶片上。作为该树脂涂布构件，举出了这样的形态：树脂涂布构件至少包括：树脂涂布构件，其将紫外光硬化树脂涂布在膜上；和压贴构件，其将膜的涂布有紫外光硬化树脂的面、与晶片的另一个面压贴在一起。优选的是，压贴构件具有夹持辊，该夹持辊夹持晶片和膜。
优选的是，树脂覆盖装置具有膜剪切构件，该膜剪切构件将膜剪切成所希望的形状。通过具有膜剪切构件，能够用一个装置进行树脂在晶片上的覆盖和膜的剪切。
根据本发明，通过在利用按压构件按压之后使紫外光硬化树脂硬化，能够不在晶片中残留内部应力地将晶片的另一个面用树脂覆盖。此外，由于维持了平台的保持面的平坦度，所以能够平坦地形成树脂的表面。其结果为，即使在磨削后除去树脂，也不会引起回弹，具有能够高精度地将晶片加工得平坦的效果。
附图说明
图1是表示利用本发明的一个实施方式的树脂覆盖方法以树脂覆盖单面的晶片的剖视图。
图2是表示在图1所示的晶片的单面上覆盖树脂的树脂覆盖装置的立体图。
图3是表示通过图2所示的树脂覆盖装置所具有的树脂硬化单元将树脂覆盖在晶片上的状况的剖视图。
图4是表示各晶片的表面状况的照片图，这些晶片是这样的晶片：利用一个实施方式的树脂覆盖方法改变涂布树脂的厚度地在晶片的单面上覆盖树脂膜，然后利用磨削装置对晶片进行了磨削。
标号说明
1：晶片；1a：晶片的表面(一个面)；1b：晶片的背面(另一个面)；2：树脂；33a：保持面；33：平台；38：按压构件；34：UV(紫外线)灯。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的一个实施方式。
[1]半导体晶片
图1中的标号1是在表面上形成由多个具有电子电路的器件构成的图案之前的坯料阶段的晶片。如上所述，晶片1通过使用了钢丝锯的切断装置将材料结晶块切片成预定的厚度而得到的，并产生了起伏和翘曲。该起伏和翘曲例如是由于以下原因而产生的：钢丝锯由于切断时产生的切断阻力而不一定直行。为了除去起伏和翘曲，如上所述在晶片1的单面(背面1b)涂布树脂，通过使该树脂硬化而形成平坦的基准面。在形成了基准面后，通过磨削掉所希望的厚度，将晶片1的起伏和翘曲除去。此外，在一个实施方式中，使晶片1的涂布树脂的面为背面1b。图2表示适合实施一个实施方式的树脂涂布方法的树脂涂布装置。下面，说明树脂涂布装置10的结构及动作。
[2]树脂涂布装置的结构
图2所示的一个实施方式的树脂涂布装置10具有：搬送晶片1的带状的膜11；向晶片1的背面1b供给树脂的树脂涂布单元20；使所供给的树脂硬化的树脂硬化单元30；以及将膜11剪切成晶片1的形状的膜剪切单元50。
形成为卷筒状的膜11的一端安装在马达等旋转构件(省略图示)上。通过使该旋转构件向一个方向旋转，膜11卷绕在旋转构件上而向前行方向(从图中的眼前侧朝向里侧)供给。膜11使用例如聚烯烃等柔软的材质。
树脂涂布单元20包括：狭缝涂布机等树脂供给构件21，其将液态的树脂涂布到膜11上；和上下一对辊子22，它们夹持所供给的晶片1和膜11，并将晶片1定位在膜11上。从树脂供给构件21供给的树脂具有500～50000mPa的粘度，适合使用无溶剂的硬化树脂。此外，在一个实施方式中，由于使用了紫外光，所以使用了紫外光硬化树脂，但是可以根据装置的规格使用通过X射线或电子射线的照射而硬化的树脂、或感光性的树脂等，根据装置的规格适当选择树脂的种类。在供给到膜11上的树脂的表面上供给晶片1。当晶片1和树脂供给到膜11上时，晶片1和树脂被夹入到辊子22间，从而将晶片1定位在膜11上。
树脂硬化单元30包括在上表面31a上具有侧壁32的基座31。在基座31的上表面31a上，配置有具有大致水平的保持面33a的平台33。平台33由能够透过紫外光的硼硅玻璃或者石英玻璃形成。此外，树脂硬化单元30包括吸附构件(省略图示)，该吸附构件对与供给到平台33的保持面33a上的晶片1对应的膜11进行吸附，从而将晶片1固定在保持面33a上。如图3所示，在基座31内部的下部，配置有向平台33照射紫外光的UV灯34。在UV灯34的上部，配置有开闭的隔断构件35。当关闭该隔断构件35时，从UV灯34发出的所有的光被隔断。此外，在隔断构件35的上部，以将基座31内部分成两部分的方式配置有用于隔断紫外光以外的光的滤光器36。在基座31的侧面31b，配置有将基座31内部的气体介质向外部排出的排气构件37。基座31内部的气体介质的气温由于从UV灯34照射的紫外光而上升。由于气体介质的气温上升，与气体介质接触的平台33有可能热膨胀。因此，通过将基座31内部的气体介质排出到外部，抑制了平台33的温度上升，维持了平台33的平坦度。
在形成于基座31的上表面31a的侧壁32的上表面上，形成有沿平台33的方向延伸的遮檐部32a。在该遮檐部32a的中央配置有对保持于保持面33a上的晶片1进行按压的按压构件38。该按压构件38包括：马达(省略图示)，其使主轴39和多个杆40(图中为四个)在上下方向上进退，所述多个杆40隔开相等间隔地配置于主轴39的周围；和按压垫41，其由陶瓷构成并配置在主轴39和各杆40的前端。马达能够使主轴39和各杆40独立地上下活动，从而能够分别按主轴39和各杆40来调整压下按压垫41的按压力。
膜剪切单元50与树脂硬化单元30一样具有基座51，在该基座51的上表面51a上具有侧壁52。在基座51的上表面51a上具有大致水平的工作台53，在该工作台53上载置树脂硬化了的晶片1。在侧壁52的上表面上形成有沿工作台53方向延伸的遮檐部52a。在该遮檐部52a的中央配置有剪切构件54。该剪切构件54包括：汽缸(省略图示)，其使杆55在上下方向上进退；和刀具56，其配置在该杆55的前端，并具有比晶片1的直径更大的环状的刃部。当晶片1载置在工作台53上时，剪切构件54的刀具56通过汽缸从待机位置下降，从而切断膜11。
[3]树脂涂布方法以及树脂涂布装置的动作
接着，说明一个实施方式的树脂涂布方法以及树脂覆盖装置的动作。
首先最初，通过树脂涂布单元20的树脂涂布构件21将树脂涂布在膜11上(树脂涂布工序)。接着，将晶片1供给到树脂上，通过辊子22夹持晶片1和树脂，从而将晶片1定位在膜11上。此时，晶片1以露出表面1a的方式被供给。接着，将晶片1供给至树脂硬化单元30，如图3中(a)所示，将晶片1隔着膜11吸附并固定在平台33的保持面33a上(晶片保持工序)。当晶片1固定在保持面33a上时，如图3中(b)所示，按压构件38的按压垫41从待机位置下降，通过按压垫41将固定在保持面33a上的晶片1从表面1a侧向平台33侧按压(按压工序)。当按压晶片1时，涂布在晶片1的背面1b上的树脂2均匀地扩展到晶片1的整个背面1b。当树脂2扩展到了晶片1的整个背面1b时，如图3中(c)所示，使按压垫41返回待机位置。接着如图3中(d)所示，打开隔断构件35，从UV灯34发出的紫外光通过滤光器36照射向树脂2(树脂硬化工序)。照射了紫外光的树脂2硬化，从而在晶片1的背面1b形成树脂膜3。在此，由于树脂覆盖装置10的保持面33a形成为大致水平，因此树脂膜3的表面3a形成得平坦。
此后，将晶片1供给到膜剪切单元50，将与晶片1对应的膜11通过刀具56剪切成所希望的形状。接着，使晶片1沿前行方向前进，并收纳到盒等中。此后，将晶片1搬送至磨削装置，将晶片1的表面1a磨平。接着，对于晶片1，除去树脂膜3，磨削晶片1的背面1b将其加工成很平坦。将被剪切单元50切掉、并形成了切断孔11a的膜11通过旋转构件再次卷成卷筒状。
实施例
接着，说明用于证实本发明效果的实施例。
[实施例1]
在实施例1中，对所覆盖的树脂膜厚度的不同对磨削的影响进行了验证。在实施例1中，使用无溶剂紫外光硬化树脂作为硬化性树脂，使用狭缝涂布机将硬化性树脂涂布在膜上，并将该膜贴附在刚刚由结晶块进行了切片的状态下的切片态晶片(アズスライスウエ—ハ)(以下简称晶片)上。此后，用精密压力机加压，在使按压晶片的按压面从晶片离开后，通过紫外线使树脂硬化，从而形成了平坦面。此后，使用磨削装置磨削晶片。作为磨削装置，使用了具有如下结构的磨削装置：在作为晶片的保持构件的真空吸引式卡盘工作台的保持面上，以露出晶片的背面侧的方式吸附并保持晶片，在使与卡盘工作台对置配置的磨削构件的磨具高速旋转的同时，使该磨具压靠在晶片背面上进行磨削。作为此时的磨削条件，将磨削构件的磨具转速设定为1700rpm，将卡盘工作台转速设定为300rpm，将磨削进给速度设定为0.2μm/sec，并且对晶片的表面和背面分别磨削掉30μm。然后，保持晶片的磨削条件恒定，仅使硬化性树脂的树脂厚度每次变化50μm，对磨削后的晶片的起伏和翘曲的状态、以及是否将晶片磨削得平坦进行验证。此处的平坦度优选为1μm以下。
另外，作为在树脂硬化时所使用的精密压力机以及树脂硬化构件的规格，使用如下所示的规格。
精密压力机的载荷轴数：4轴
精密压力机的载荷：7000N
树脂加工构件的平台的原材料：石英玻璃
树脂加工构件的UV灯的种类：氙闪光灯(附带滤光器)
验证结果如表1和图4所示。
在此，表1是表示对于在将硬化性树脂改变其厚度地涂布于晶片后进行了磨削的晶片，测量其起伏和翘曲的状态、平坦度、以及涂布了树脂时的平台温度得出的结果的表。关于表1中的起伏和翘曲的状态，只要能够除去晶片的起伏和翘曲就为允许。此外，图4是利用半透明镜拍摄到的晶片的照片图，所述晶片是改变硬化性树脂厚度地进行涂布并进行了磨削的晶片。图4中(a)表示不涂布硬化性树脂就进行了磨削的晶片。此外，图4中(b)表示所涂布的硬化性树脂的厚度为10～200μm的晶片。
表1
| 树脂厚度(μm) | 0 | 不到5 | 10 | 50 | 100 | 200 | 250 |
| 起伏·翘曲 | 不允许 | 不允许 | 允许 | 允许 | 允许 | 允许 | 允许 |
| 平坦度(μm) | 0.86 | 0.85 | 0.89 | 0.88 | 0.92 | 0.98 | 1.12 |
| 平台温度(℃) | 35.2 | 36.8 | 37.4 | 37.7 | 37.6 | 37.8 | 37.7 |
在涂布的硬化性树脂的厚度不到5μm时，不能充分地吸收翘曲，如表1所示，在晶片的磨削面上转印了起伏和翘曲。其结果为，不能除去起伏和翘曲。此外，在图4(a)中，确认出了表示起伏的沿横向延伸的线状花纹。但是维持了平坦度。另一方面，在涂布的硬化性树脂的厚度为5～200μm时，防止了翘曲转印到加工面上。因此如表1所示，能够除去起伏和翘曲，从而能够将晶片加工得平坦。如图4(b)所示，在此时的晶片上未看出表示起伏的线状花纹。并且，在涂布的硬化性树脂的厚度为250μm以上时，由于硬化性树脂产生弹性变形，因此残留了变形，不能维持平坦度。
从以上的结果可知：能够在磨削中除去晶片表面的起伏和翘曲、并维持高平坦度的硬化性树脂的厚度为10μm～200μm。因此，涂布在晶片上的硬化性树脂的厚度必须为10μm～200μm。
[实施例2]
在实施例2中，对使用于按压构件的轴数进行了验证。分别对如下得到的晶片的平坦度进行了测量：将粘贴有涂布了紫外光硬化型树脂的膜的晶片分别利用1轴、4轴的精密压力装置进行成形、硬化，以形成树脂膜，并以树脂膜的表面作为基准面对晶片的两面进行磨削。与上述实施例相同，此处的平坦度优选为1μm以下。验证结果如表2所示。
表2
| 轴数 | 1 | 4 |
| 平坦度(μm) | 1.5 | 0.7 |
| 树脂厚度(μm) | 50 | 50 |
| 载荷(N) | 7000 | 7000 |
| 膜的种类 | PET | PET |
| 膜的厚度(μm) | 75 | 75 |
| 平台的种类 | 石英玻璃 | 石英玻璃 |
| 紫外光源的种类 | 氙闪光灯(附带滤光器) | 氙闪光灯(附带滤光器) |
如表2所示，在1轴的情况下，出现了压力分布、树脂膜的表面的平坦度为1μm以上。但是在4轴的情况下，树脂膜的表面的平坦度为1μm以下，能够得到具有高平坦度基准面的晶片。
[实施例3]
在实施例3中，对按压构件的平台的种类进行了验证。分别对如下得到的晶片的平坦度进行了测量：将粘贴有涂布了紫外光硬化型树脂的膜的晶片分别利用具有各个种类的平台的4轴精密压力装置进行成形，并利用紫外线进行硬化，然后以各自的树脂膜的表面作为基准面对晶片的两面进行磨削。与上述实施例相同，此处的平坦度优选为1μm以下。此外，对照射了紫外线(365nm)时的各平台的紫外线透射率进行测量。作为平台的原材料，使用了钠钙玻璃、石英玻璃和硼硅玻璃。平台的紫外线透射率为90％以上记为◎，70％以上且不到90％记为○。验证结果如表3所示。
表3
| 平台的种类 | 钠钙玻璃 | 石英玻璃 | 硼硅玻璃 |
| 平坦度(μm) | 1.1 | 0.7 | 0.8 |
| 紫外线透射率 | ○ | ◎ | ◎ |
| 热膨胀率 | 大 | 非常小 | 小 |
| 载荷(N) | 7000 | 7000 | 7000 |
| 膜的种类 | PET | PET | PET |
| 膜的厚度(μm) | 75 | 75 | 75 |
| 紫外光源的种类 | 氙闪光灯(附带滤光器) | 氙闪光灯(附带滤光器) | 氙闪光灯(附带滤光器) |
如表3所示，通过用石英玻璃形成平台，能够得到高平坦度的晶片。由于与钠钙玻璃、硼硅玻璃相比，石英玻璃的热膨胀率非常小且紫外线透射率良好，所以不太受紫外线的照射热的热影响。因此，以树脂膜的表面作为基准面对两面进行了磨削的晶片能够维持高平坦度。此外，用硼硅玻璃也能够得到具有高平坦度基准面的晶片。在这些石英玻璃和硼硅玻璃的情况下，紫外线(365nm)的透射率也高，紫外线照射效率良好，能够提高生产效率。
[实施例4]
在实施例4中，对有无滤光器和遮光构件的影响进行了验证。在晶片上粘贴有涂布了紫外光硬化型树脂的膜，将该晶片保持在平台的保持面上，并从平台保持面的背面侧向树脂照射紫外线，测量此时的平台的温度变化。平台使用了石英玻璃。此外，紫外光源分别使用了氙闪光灯、金属卤化物灯以及高压汞灯。验证结果如表4所示。
表4
| 光源的种类 | 温度(℃) |
| 氙闪光灯 | 43.9 |
| 氙闪光灯(附带滤光器) | 37.5 |
| 金属卤化物灯(附带隔断构件) | 51.8 |
| 金属卤化物灯(附带滤光器和隔断构件) | 43.1 |
| 高压汞灯(附带隔断构件) | 61.8 |
| 高压汞灯(附带滤光器和隔断构件) | 47.2 |
根据表4，通过使氙闪光灯具有滤光器，能够抑制因照射热引起的平台的温度上升。因此，平台的热膨胀率变小，能够使平台维持平坦。其结果为，若以树脂膜的表面作为基准面对两面进行磨削，能够得到高平坦度的晶片。此外，在金属卤化物灯和高压汞灯的情况下，与只有滤光器的情况相比，通过附加设置隔断构件，能够进一步抑制平台的温度上升。因此通过设置滤光器和隔断构件，能够抑制平台的温度上升，从而得到高平坦度的晶片。
Claims (18)
1.一种树脂覆盖方法，其是为了对从结晶块切出的包含起伏和翘曲的晶片的一个面进行磨削以将晶片加工得平坦、而在该晶片的另一个面上覆盖树脂的树脂覆盖方法，其特征在于，
上述树脂覆盖方法至少包括：
树脂涂布工序，在上述晶片的另一个面上涂布紫外光硬化树脂；
晶片保持工序，将涂布有上述紫外光硬化树脂的上述晶片以露出晶片的一个面的方式，保持在具有大致水平的保持面的平台的该保持面上；
按压工序，将保持在上述平台的保持面上的上述晶片通过按压构件从晶片的一个面侧向上述平台方向按压；和
树脂硬化工序，在使上述按压构件从上述晶片离开后，通过紫外光照射构件向上述紫外光硬化树脂照射紫外光，以使紫外光硬化树脂硬化。
2.如权利要求1所述的树脂覆盖方法，其特征在于，
覆盖在上述晶片上的上述紫外光硬化树脂的厚度为10μm～200μm。
3.如权利要求1或2所述的树脂覆盖方法，其特征在于，
上述紫外光硬化树脂是无溶剂反应硬化型树脂。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的树脂覆盖方法，其特征在于，
至少将膜配置在上述紫外光硬化树脂和上述平台之间。
5.如权利要求4所述的树脂覆盖方法，其特征在于，
在上述树脂硬化工序后，具有将上述膜剪切成所希望的形状的膜剪切工序。
6.一种树脂覆盖装置，其是为了对从结晶块切出的包含起伏和翘曲的晶片的一个面进行磨削以将晶片加工得平坦、而在该晶片的另一个面上覆盖树脂的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述树脂覆盖装置至少包括：
平台，其具有大致水平的保持面，该保持面对在上述另一个面上涂布有紫外光硬化树脂的上述晶片以露出一个面的方式进行保持；
按压构件，其与上述平台对置地配置，用于将保持在平台上的上述晶片从一个面侧向平台方向按压；和
紫外光照射构件，其向涂布在上述晶片上的紫外光硬化树脂照射紫外光。
7.如权利要求6所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述平台由紫外光透射部件形成，紫外光从上述保持面的背面侧朝向上述紫外光硬化树脂照射。
8.如权利要求6或7所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
在上述紫外光硬化树脂和上述平台的保持面之间至少配置有膜，上述保持面具有吸附固定该膜的吸附区域。
9.如权利要求6至8中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述紫外光透射部件由硼硅玻璃或石英玻璃构成，
上述按压构件由陶瓷构成。
10.如权利要求6至9中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述按压构件具有两个以上的压力调整区域，在各个压力调整区域中能够以不同的压力按压晶片。
11.如权利要求6至10中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述紫外光照射构件包括氙闪光灯、金属卤化物灯、或高压汞灯中的至少一个。
12.如权利要求6至11中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述紫外光照射构件包括滤光器，该滤光器将照射向上述紫外光硬化树脂的所有波长的光之中的、对紫外光硬化树脂的硬化没有帮助的波长的光隔断。
13.如权利要求6至12中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述紫外光照射构件包括隔断构件，该隔断构件仅在希望的时候将照射向上述紫外光硬化树脂的所有波长的光隔断。
14.如权利要求6至13中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述树脂覆盖装置包括排气构件，该排气构件将存在于上述紫外光照射构件和上述平台之间的气体介质排出。
15.如权利要求6至14中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述树脂覆盖装置包括树脂涂布构件，该树脂涂布构件将上述紫外光硬化树脂涂布在上述晶片上。
16.如权利要求15所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述树脂涂布构件至少包括：
树脂涂布构件，其将上述紫外光硬化树脂涂布在上述膜上；和
压贴构件，其将上述膜的涂布有上述紫外光硬化树脂的面、与上述晶片的另一个面压贴在一起。
17.如权利要求6至16中的任一项所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述树脂覆盖装置包括膜剪切构件，该膜剪切构件将上述膜剪切成希望的形状。
18.如权利要求16所述的树脂覆盖装置，其特征在于，
上述压贴构件包括夹持辊，该夹持辊夹持上述晶片和上述膜。
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