JPS63164273A - 電力用半導体素子の製造方法 - Google Patents
電力用半導体素子の製造方法Info
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- JPS63164273A JPS63164273A JP31149986A JP31149986A JPS63164273A JP S63164273 A JPS63164273 A JP S63164273A JP 31149986 A JP31149986 A JP 31149986A JP 31149986 A JP31149986 A JP 31149986A JP S63164273 A JPS63164273 A JP S63164273A
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- silicon wafer
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- semiconductor
- silicon
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体素子のコレクタ抵抗が減少させるだめの
製造方法に関するもので、電力用半導体素子の製造方法
として利用されるものである。
製造方法に関するもので、電力用半導体素子の製造方法
として利用されるものである。
（従来の技術）
本発明に係る従来技術として特開昭６０−１７１７２２
号の公報がある。
号の公報がある。
これは電力用半導体素子のシリコン表面よりエミッタ電
極、ベース電極、裏面よりコレクタ電極の取出しを行っ
ており、トランジスタ動作時電流は表面のエミッタ電極
と裏面のコレクタ電極間を流れる。
極、ベース電極、裏面よりコレクタ電極の取出しを行っ
ており、トランジスタ動作時電流は表面のエミッタ電極
と裏面のコレクタ電極間を流れる。
この時基板に存在するコレクタ抵抗で電力ロスが発生す
るために、コレクタ抵抗を出来る限り小さくする必要が
ある。このために低抵抗基板を用い、然も非常に薄い板
厚のものを使用するものである。
るために、コレクタ抵抗を出来る限り小さくする必要が
ある。このために低抵抗基板を用い、然も非常に薄い板
厚のものを使用するものである。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし前記電力用半導体素子は、
（１）トランジスタ製造工程に於いて１１００℃以上の
熱処理を長時間行うためにウェハにそりが発生し、 （２）トランジスタ製造工程中のハンドリングでウェハ
の破損が生じる。
熱処理を長時間行うためにウェハにそりが発生し、 （２）トランジスタ製造工程中のハンドリングでウェハ
の破損が生じる。
という問題点がある。
本発明は半導体素子の製造に於いて低抵抗基板を用いて
薄い板厚のもので形成しても、ウェハにそりの発生がな
く、ウェハの破損が生じない半導体の製造方法を技術的
課題とするものである。
薄い板厚のもので形成しても、ウェハにそりの発生がな
く、ウェハの破損が生じない半導体の製造方法を技術的
課題とするものである。
（問題点を解決するための手段）
前記技術的課題を解決するための手段は次のようである
。即ち、 （１）シリコンウェハの表面にエピタキシャル成長法に
よりシリコン単結晶を積層し、 （２）ＦＥ面よりベース層、エミツタ層を順次熱拡散に
て形成し、 （３）その表面を二酸化シリコンよりなる絶縁膜にて被
覆し、 （４）次に前記絶縁膜に配線用のコンタクトホールをあ
け、配線を行って半導体を形成し、（５）前記半導体を
アビニシンワックスにて全面被覆し、 （６）全面被覆された半導体のシリコンウェハ部をエツ
チング液に浸積して、裏面よりエツチングにてシリコン
ウェハの板厚を１／２〜１／３程度の厚さに仕上げ、 （７）トリクレン洗浄にてアビニシンワックスを除去し
て半導体を製造する方法である。
。即ち、 （１）シリコンウェハの表面にエピタキシャル成長法に
よりシリコン単結晶を積層し、 （２）ＦＥ面よりベース層、エミツタ層を順次熱拡散に
て形成し、 （３）その表面を二酸化シリコンよりなる絶縁膜にて被
覆し、 （４）次に前記絶縁膜に配線用のコンタクトホールをあ
け、配線を行って半導体を形成し、（５）前記半導体を
アビニシンワックスにて全面被覆し、 （６）全面被覆された半導体のシリコンウェハ部をエツ
チング液に浸積して、裏面よりエツチングにてシリコン
ウェハの板厚を１／２〜１／３程度の厚さに仕上げ、 （７）トリクレン洗浄にてアビニシンワックスを除去し
て半導体を製造する方法である。
（作用）
前記技１ネｉ的手段は次のように作用する。即ち、シリ
コンウェハの表面に半導体を形成し、これを全面ワック
スで被覆後エツチング液にてシリコンウェハを最初の板
厚の１／２〜１／３の板１γにエツチングして薄クシ、
保護膜であるワックスを取り除くもので、ワックスの保
護膜により半導体を破損することなく、又そり等の発生
もなく板厚が薄くできるものである。
コンウェハの表面に半導体を形成し、これを全面ワック
スで被覆後エツチング液にてシリコンウェハを最初の板
厚の１／２〜１／３の板１γにエツチングして薄クシ、
保護膜であるワックスを取り除くもので、ワックスの保
護膜により半導体を破損することなく、又そり等の発生
もなく板厚が薄くできるものである。
（実施例）
以下実施例について説明する。
第１図〜第８図に於いて板厚５００μｍ程度のＰ型止ｆ
ｌｋ抗値０．００１Ω−■のシリコンウェハにエピタキ
シャル成長法により比抵抗値２０Ω−ＣＩｌのＰ型シリ
コン単結晶２を２０μｍ積層し表面よＱＮ型ベース層３
．Ｐ型エミッタ層４を順次熱拡散で形成する。
ｌｋ抗値０．００１Ω−■のシリコンウェハにエピタキ
シャル成長法により比抵抗値２０Ω−ＣＩｌのＰ型シリ
コン単結晶２を２０μｍ積層し表面よＱＮ型ベース層３
．Ｐ型エミッタ層４を順次熱拡散で形成する。
その後電極数り出しのため絶縁膜（Ｓｉｎｇ）５にコン
タクトホール６をあけアルミ配線７を行いトランジスタ
ーを形成しウェハ表面にアビニシンワックスタ８を全面
に被覆させる。
タクトホール６をあけアルミ配線７を行いトランジスタ
ーを形成しウェハ表面にアビニシンワックスタ８を全面
に被覆させる。
次にエツチング液（ｍ酸比ＨＮＯ３： ＨＦ ： ＣＨ
，Ｃ００Ｈ＝３ ： ｌ ： ８）中にウェハを浸積し
裏面よりエツチングにてウェハの板厚を鎖線９で示すよ
うに２５０μｍ程変に仕上げた後、トリクレンにてワッ
クス８を除去し、電力用半導体素子ｌＯを製造するもの
である。
，Ｃ００Ｈ＝３ ： ｌ ： ８）中にウェハを浸積し
裏面よりエツチングにてウェハの板厚を鎖線９で示すよ
うに２５０μｍ程変に仕上げた後、トリクレンにてワッ
クス８を除去し、電力用半導体素子ｌＯを製造するもの
である。
本発明は次の効果を有する。即ち、−ｍにベース拡散時
には基板と逆タイプの不純物が裏面に拡散されるのを防
止するため、パターン形成時に裏面にレジストをコーテ
ィングしてエツチング時に裏面のＳ ｉ Ｏ，が除去さ
れるのを防止しているが、本発明では最終工程で裏面よ
り基板を深くエツチングするために裏面に逆タイプの不
純物が拡散されても問題はなく、ベース拡散パターン形
成時に裏面レジストコーティング工程が廃止できるもの
である。
には基板と逆タイプの不純物が裏面に拡散されるのを防
止するため、パターン形成時に裏面にレジストをコーテ
ィングしてエツチング時に裏面のＳ ｉ Ｏ，が除去さ
れるのを防止しているが、本発明では最終工程で裏面よ
り基板を深くエツチングするために裏面に逆タイプの不
純物が拡散されても問題はなく、ベース拡散パターン形
成時に裏面レジストコーティング工程が廃止できるもの
である。
第１図から第７図は本実施の半導体素子の製造工程順に
示すいづれも断面図、第８図は本実施による完成品の断
面図である。 ｌ・・・シリコンウェハ、２・・・シリコン単結晶、３
・・・ベース層、４・・・エミツタ層。 ５・・・絶縁膜、６・・・コンタクトホール、７・・・
配線、８・・・ワックス
示すいづれも断面図、第８図は本実施による完成品の断
面図である。 ｌ・・・シリコンウェハ、２・・・シリコン単結晶、３
・・・ベース層、４・・・エミツタ層。 ５・・・絶縁膜、６・・・コンタクトホール、７・・・
配線、８・・・ワックス
Claims (1)
- シリコンウェハの表面にエピタキシャル成長法によりシ
リコン単結晶を積層し、表面よりベース層、エミツタ層
を順次熱拡散にて形成し、その表面を二酸化シリコンよ
りなる絶縁膜にて被覆し、前記絶縁膜に配線用のコンタ
クトホールをあけ、配線を行つて半導体素子を形成し、
半導体素子をワックスにて全面被覆し、全面被覆された
半導体素子のシリコンウェハ部をエッチング液に浸積し
て、裏面よりエッチングにてシリコンウェハの板厚を１
／２〜１／３の厚さとし、トリクレン洗浄にて前記ワッ
クスを除去して電力用半導体を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31149986A JPS63164273A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 電力用半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31149986A JPS63164273A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 電力用半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63164273A true JPS63164273A (ja) | 1988-07-07 |
Family
ID=18017967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31149986A Pending JPS63164273A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 電力用半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63164273A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2769640A1 (fr) * | 1997-10-15 | 1999-04-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Amelioration de la resistance mecanique d'une tranche de silicium monocristallin |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP31149986A patent/JPS63164273A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2769640A1 (fr) * | 1997-10-15 | 1999-04-16 | Sgs Thomson Microelectronics | Amelioration de la resistance mecanique d'une tranche de silicium monocristallin |
| EP0911431A1 (fr) * | 1997-10-15 | 1999-04-28 | STMicroelectronics SA | Amélioration de la résistance mécanique d'une tranche de silicium monocristallin |
| US6580151B2 (en) | 1997-10-15 | 2003-06-17 | Stmicroelectronics S.A. | Mechanical resistance of a single-crystal silicon wafer |
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