JPS6011459B2 - 拡散形半導体装置の製造方法 - Google Patents
拡散形半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6011459B2 JPS6011459B2 JP50124914A JP12491475A JPS6011459B2 JP S6011459 B2 JPS6011459 B2 JP S6011459B2 JP 50124914 A JP50124914 A JP 50124914A JP 12491475 A JP12491475 A JP 12491475A JP S6011459 B2 JPS6011459 B2 JP S6011459B2
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- insulating film
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は拡散形半導体装置の製造方法に関するもので
、特に、たとえば拡散形安定化抵抗上の酸化膜形成方法
に関する。
、特に、たとえば拡散形安定化抵抗上の酸化膜形成方法
に関する。
たとえば、高周波電力増幅用トランジスタにおいて、そ
の動作時にェミッタ電流の集中を防止してトランジスタ
全域を均等に動作させるために、ェミッタ領域とェミッ
タリード間との間に直列に安定化抵抗が挿入されている
。
の動作時にェミッタ電流の集中を防止してトランジスタ
全域を均等に動作させるために、ェミッタ領域とェミッ
タリード間との間に直列に安定化抵抗が挿入されている
。
従来、この安定化抵抗領域上の酸化膜形成方法によれば
、酸化膜段での金属電極の断線やコンタクトフオトェッ
チング作業の複雑化を招いていた。第１図は従来から用
いられている前記安定化領域上の酸化膜形成方法を示す
ための各工程ごとの断面図を示す。
、酸化膜段での金属電極の断線やコンタクトフオトェッ
チング作業の複雑化を招いていた。第１図は従来から用
いられている前記安定化領域上の酸化膜形成方法を示す
ための各工程ごとの断面図を示す。
第１図において、Ｎ形シリコンェピタキシャルウヱハ１
（半導体サブストレート）に熱酸化膜２を生成し、フオ
トェッチング作業により安定化抵抗拡散領域３の酸化膜
を除去後（第１図１）、９００〜１００００Ｃでボロン
デポジションを行う。次に化学処理により表面層に生成
したボロンガラスを除去し、さらに高温炉を用いて安定
化抵抗拡散層４を形成する。さらにその上に酸化膜５が
積層形成される（第１図２）。次に、ベース拡散領域上
８′の酸化膜をフオトヱツチングにより除去し、ベース
拡散層８を形成し、同時にベース拡散領域上８′にェミ
ッタ選択拡散のための酸化膜９を生成する（第１図３）
。続いて、ェミツタ拡散領域１０の酸化膜をフオトェッ
チングにより除去し（第１図４）、ェミッタ拡散層１１
を形成し、さらに酸化膜１２を生成する（第１図６）。
さらに、金属電極１７を形成するためのコンタクトホー
ル１３〜１６がフオトェツチングにより開けられる（第
１図６）。次に金属電極材料を蒸着してメタルフオトェ
ッチングにより不用な部分を除去する（第１図７）。以
上のように、第１図を参照して説明した従来の酸化膜形
成方法によれば、安定化抵抗領域、ベース領域、および
ェミッタ領域の拡散後にそれぞれ厚い酸化膜を生成する
ために、最終的には酸化膜厚は相当に厚くなり、コンタ
クトフオトェッチング時にパターン幅の微細な安定化抵
抗領域上の酸化膜エッチングは、所望値通りの寸法が出
にく〈パターン幅が広くなっていた。
（半導体サブストレート）に熱酸化膜２を生成し、フオ
トェッチング作業により安定化抵抗拡散領域３の酸化膜
を除去後（第１図１）、９００〜１００００Ｃでボロン
デポジションを行う。次に化学処理により表面層に生成
したボロンガラスを除去し、さらに高温炉を用いて安定
化抵抗拡散層４を形成する。さらにその上に酸化膜５が
積層形成される（第１図２）。次に、ベース拡散領域上
８′の酸化膜をフオトヱツチングにより除去し、ベース
拡散層８を形成し、同時にベース拡散領域上８′にェミ
ッタ選択拡散のための酸化膜９を生成する（第１図３）
。続いて、ェミツタ拡散領域１０の酸化膜をフオトェッ
チングにより除去し（第１図４）、ェミッタ拡散層１１
を形成し、さらに酸化膜１２を生成する（第１図６）。
さらに、金属電極１７を形成するためのコンタクトホー
ル１３〜１６がフオトェツチングにより開けられる（第
１図６）。次に金属電極材料を蒸着してメタルフオトェ
ッチングにより不用な部分を除去する（第１図７）。以
上のように、第１図を参照して説明した従来の酸化膜形
成方法によれば、安定化抵抗領域、ベース領域、および
ェミッタ領域の拡散後にそれぞれ厚い酸化膜を生成する
ために、最終的には酸化膜厚は相当に厚くなり、コンタ
クトフオトェッチング時にパターン幅の微細な安定化抵
抗領域上の酸化膜エッチングは、所望値通りの寸法が出
にく〈パターン幅が広くなっていた。
加えて、金属酸化蒸着後のメタルエッチング時に酸化膜
段差の大きい部分の金属電極１７が極端に薄くなり、断
線を生じたりあるいはトランジスタの動作中にも断線を
起し動作不能になっていた。また、生産歩留をも低下さ
せた原因にもなっていた。それゆえに、この発明の主た
る目的は上述の欠点を解消した拡散形半導体装置の製造
方法を提供することである。
段差の大きい部分の金属電極１７が極端に薄くなり、断
線を生じたりあるいはトランジスタの動作中にも断線を
起し動作不能になっていた。また、生産歩留をも低下さ
せた原因にもなっていた。それゆえに、この発明の主た
る目的は上述の欠点を解消した拡散形半導体装置の製造
方法を提供することである。
この発明のその他の目的および特徴は図面を参照して行
なう以下の詳細な説明からより一層明らかとなろう。
なう以下の詳細な説明からより一層明らかとなろう。
簡単にいえば、この発明はたとえば拡散層を安定化抵抗
として有する半導体装置において、ベース拡散上と安定
化抵抗膜上との酸化膜厚とがほぼ同じ厚さとなる安定化
抵抗層の酸化膜形成方法である。
として有する半導体装置において、ベース拡散上と安定
化抵抗膜上との酸化膜厚とがほぼ同じ厚さとなる安定化
抵抗層の酸化膜形成方法である。
第２図はこの発明の一実施例の酸化膜形成方法を示すた
めの各工程ごとの断面図を示す。
めの各工程ごとの断面図を示す。
第２図において、第１図と同一構造、同一部分は同一参
照符号を付す。以下第２図を参照して酸化膜形成方法に
ついて説明しよう。Ｎ形シリコンェピタキシャルウェハ
１（半導体サプストレート）に熱酸化膜２を生成する。
次にフオトェツチング作業により安定化抵抗拡散領域３
の酸化膜を除去する（第２図１）。次に、ボロンデポジ
ションを行い所望のシート抵抗値にする。表面に生成し
たボロンガラスを化学処理により除去し、さらに高温炉
で深く拡散させる。ここで安定化抵抗拡散層４の抵抗値
が、次に行うベース拡散およびェミッタ拡散時の熱拡散
によって変化しないように深く拡散しておくとともに、
安定化抵抗拡散層４の表面層のボロン濃度を低下させな
いようにするために適当な雰囲気、たとえばＮ２十０２
の混合ガス中で行う。次に、より低温炉で、最初に生成
した熱酸化膜２よりも薄い酸化膜６が生成される（第２
図２）。続いて、ベースフオトェツチング作業によって
、ベース拡散領域の酸化膜を除去しボロンデポジション
を行う（第２図３）。表面層に生成したボロンガラス７
を化学処理により除去する。注目すべきはこのとき、安
定化抵抗拡散層４の上のボロンガラスとなっているの酸
化膜６も同時に除去される（第２図４）。次に、高温炉
で所定のベース拡散層８を形成し、その上にェミッタ領
域拡散を行なうために酸化膜９を生成する（第２図５）
。従って、この酸化膜９の生成後、安定化抵抗拡散領域
とべ‐ス拡散領域との表面の酸化膜厚は等しくなること
に注目されたい。次にェミツ夕拡散領域の酸化膜をフオ
トェッチング作業により除去し、ェミッタ拡散層１１を
形成しさらに酸化膜１２を生成する（第２図６）。続い
て、コンタクトフオトェッチング作業を行い、コンタク
トフオール１３〜１６を開ける（第２図７）。次に、金
属電極材料を蒸着しメタルエッチング作業により電極部
１７を形成する（第２図８）。以上説明した酸化膜形成
方法によれば、安定化抵抗拡散領域の不純物表面濃度を
変化させず、さらに従来の方法に比べ酸化膜厚を薄く生
成することができる。
照符号を付す。以下第２図を参照して酸化膜形成方法に
ついて説明しよう。Ｎ形シリコンェピタキシャルウェハ
１（半導体サプストレート）に熱酸化膜２を生成する。
次にフオトェツチング作業により安定化抵抗拡散領域３
の酸化膜を除去する（第２図１）。次に、ボロンデポジ
ションを行い所望のシート抵抗値にする。表面に生成し
たボロンガラスを化学処理により除去し、さらに高温炉
で深く拡散させる。ここで安定化抵抗拡散層４の抵抗値
が、次に行うベース拡散およびェミッタ拡散時の熱拡散
によって変化しないように深く拡散しておくとともに、
安定化抵抗拡散層４の表面層のボロン濃度を低下させな
いようにするために適当な雰囲気、たとえばＮ２十０２
の混合ガス中で行う。次に、より低温炉で、最初に生成
した熱酸化膜２よりも薄い酸化膜６が生成される（第２
図２）。続いて、ベースフオトェツチング作業によって
、ベース拡散領域の酸化膜を除去しボロンデポジション
を行う（第２図３）。表面層に生成したボロンガラス７
を化学処理により除去する。注目すべきはこのとき、安
定化抵抗拡散層４の上のボロンガラスとなっているの酸
化膜６も同時に除去される（第２図４）。次に、高温炉
で所定のベース拡散層８を形成し、その上にェミッタ領
域拡散を行なうために酸化膜９を生成する（第２図５）
。従って、この酸化膜９の生成後、安定化抵抗拡散領域
とべ‐ス拡散領域との表面の酸化膜厚は等しくなること
に注目されたい。次にェミツ夕拡散領域の酸化膜をフオ
トェッチング作業により除去し、ェミッタ拡散層１１を
形成しさらに酸化膜１２を生成する（第２図６）。続い
て、コンタクトフオトェッチング作業を行い、コンタク
トフオール１３〜１６を開ける（第２図７）。次に、金
属電極材料を蒸着しメタルエッチング作業により電極部
１７を形成する（第２図８）。以上説明した酸化膜形成
方法によれば、安定化抵抗拡散領域の不純物表面濃度を
変化させず、さらに従来の方法に比べ酸化膜厚を薄く生
成することができる。
しかも安定化抵抗拡散領域と、ベース拡散領域との表面
の酸化膜厚が等しいので、コンタクトフオトェツチング
作業が容易になり、生産歩留も従来に比べ大幅に向上す
る。また、この発明によれば、トランジスタの高周波特
性を劣化させることなく拡散形安定化抵抗領域上に酸化
膜を形成することができる。
の酸化膜厚が等しいので、コンタクトフオトェツチング
作業が容易になり、生産歩留も従来に比べ大幅に向上す
る。また、この発明によれば、トランジスタの高周波特
性を劣化させることなく拡散形安定化抵抗領域上に酸化
膜を形成することができる。
以上のように、この発明によれば拡散形半導体装置の絶
縁膜を安定的に形成することができる。
縁膜を安定的に形成することができる。
第１図は従来の酸化膜形成方法の工程を示すための半導
体装置の断面図である。 第２図はこの発明の一実施例の酸化膜形成方法の工程を
示す半導体装置の断面図である。図において、１はＮ形
シリコンェピタキシャルウェハ、２は熱酸化膜、３は安
定化抵抗拡散領域」４は安定化抵抗拡散層、５，６，９
，１２は酸化膜、８はベース拡散層、１ １はェミッタ
拡散層、１７は金属電極である。 第１図第１図 第２図 第２図
体装置の断面図である。 第２図はこの発明の一実施例の酸化膜形成方法の工程を
示す半導体装置の断面図である。図において、１はＮ形
シリコンェピタキシャルウェハ、２は熱酸化膜、３は安
定化抵抗拡散領域」４は安定化抵抗拡散層、５，６，９
，１２は酸化膜、８はベース拡散層、１ １はェミッタ
拡散層、１７は金属電極である。 第１図第１図 第２図 第２図
Claims (1)
- １ 半導体サブストレート上に第１の絶縁膜を形成する
ステツプと、 前記第１の絶縁膜の一部を除去して、前
記サブストレート内に第１の拡散領域層を形成するステ
ツプと、 前記第１の絶縁膜および前記第１の拡散領域
層を有する前記半導体サブストレート上に第２の絶縁膜
を形成するステツプと、 前記第１および第２の絶縁膜
が積層される一部を除去して、第２の拡散領域層を形成
すべき不純物のデポジシヨンを前記サブストレート上全
面に行なうステツプとを備え、 前記第２の絶縁膜は前
記不純物デポジシヨンによってその不純物がドープされ
るような物質によって形成され、かつ前記不純物デポジ
シヨンによってその不純物が全体的にドープされるよう
な厚さに形成されており、 前記不純物がドープされた
前記第２の絶縁膜を除去した後、前記不純物を熱拡散し
て前記サブストレート内に前記第２の拡散領域層を形成
するステツプと、 前記第１および第２の拡散領域層を
含む前記半導体サブストレート上に第３の絶縁膜を形成
するステツプと、 前記第３の絶縁膜の一部を除去して
前記サブストレート内に第３の拡散領域層を形成するス
テツプと、 前記第１、第２および第３の拡散領域層な
らびに第３の絶縁膜を有する前記半導体サブストレート
上に所望の電極形成処理を行なうステツプとを備える、
拡散形半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50124914A JPS6011459B2 (ja) | 1975-10-17 | 1975-10-17 | 拡散形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50124914A JPS6011459B2 (ja) | 1975-10-17 | 1975-10-17 | 拡散形半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5248974A JPS5248974A (en) | 1977-04-19 |
| JPS6011459B2 true JPS6011459B2 (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=14897232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50124914A Expired JPS6011459B2 (ja) | 1975-10-17 | 1975-10-17 | 拡散形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6011459B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746821U (ja) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | ||
| JPH08306959A (ja) * | 1995-09-29 | 1996-11-22 | Rohm Co Ltd | 面実装型チップ発光装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024593A (ja) * | 1973-07-03 | 1975-03-15 |
-
1975
- 1975-10-17 JP JP50124914A patent/JPS6011459B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5024593A (ja) * | 1973-07-03 | 1975-03-15 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5746821U (ja) * | 1980-09-01 | 1982-03-16 | ||
| JPH08306959A (ja) * | 1995-09-29 | 1996-11-22 | Rohm Co Ltd | 面実装型チップ発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5248974A (en) | 1977-04-19 |
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