JPS58197826A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58197826A JPS58197826A JP57079983A JP7998382A JPS58197826A JP S58197826 A JPS58197826 A JP S58197826A JP 57079983 A JP57079983 A JP 57079983A JP 7998382 A JP7998382 A JP 7998382A JP S58197826 A JPS58197826 A JP S58197826A
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- film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体表面に気相化学反応（ＯＶＤ）により
表面保護膜を形成する方法に関する。
表面保護膜を形成する方法に関する。
従来、半導体素子の製法におい又、信頼性の高い素子を
作るためｋ、半導体表面を半導体酸化層（例えば５ｉ０
１膜）等を主成分とする表面保護膜でおおう方法がおこ
なわれている。
作るためｋ、半導体表面を半導体酸化層（例えば５ｉ０
１膜）等を主成分とする表面保護膜でおおう方法がおこ
なわれている。
例えば、半導体表面に不純物拡散によりＰＮ接合形成時
に拡散マスクとして使用した半導体熱酸化膜を残して、
その上に気相化学反２により表面保護膜を形成する方法
において、あるいは、拡散マスクとして使用した熱酸化
膜を全てエッチ除去した後、気相化学反応により表面保
１１Ｍを形成する方法等において、それらの表面保護膜
は形成後通常Ｎ９等の不活性ガス中で焼きしめ処理が行
なわれる。
に拡散マスクとして使用した半導体熱酸化膜を残して、
その上に気相化学反２により表面保護膜を形成する方法
において、あるいは、拡散マスクとして使用した熱酸化
膜を全てエッチ除去した後、気相化学反応により表面保
１１Ｍを形成する方法等において、それらの表面保護膜
は形成後通常Ｎ９等の不活性ガス中で焼きしめ処理が行
なわれる。
ところで、気相化学反応により堆積した表面保護膜は前
記の焼きしめ処理の後でも、熱酸化膜に比べて弗酸又は
その混合液によるエッチの速度が大きいため下記の問題
がある。すなわちこれら表面保護膜の電極穴形成エッチ
におい１、ＰＮ＠Ｎ９酸形成拡散マスクとじ又便用した
熱酸化膜を残してその上に表面保護膜を形成する場合に
は、熱酸化膜の上に気相化学反応により形成された表面
保Ｓ膜のある部分と気相化学反応による表面保護のみの
部分では、電極穴開はニーフチ時間の差があり、設計寸
法通りの穴開けが難しいことがある。
記の焼きしめ処理の後でも、熱酸化膜に比べて弗酸又は
その混合液によるエッチの速度が大きいため下記の問題
がある。すなわちこれら表面保護膜の電極穴形成エッチ
におい１、ＰＮ＠Ｎ９酸形成拡散マスクとじ又便用した
熱酸化膜を残してその上に表面保護膜を形成する場合に
は、熱酸化膜の上に気相化学反応により形成された表面
保Ｓ膜のある部分と気相化学反応による表面保護のみの
部分では、電極穴開はニーフチ時間の差があり、設計寸
法通りの穴開けが難しいことがある。
又、気相化学反応のみの部分では、エッチ段差部の形状
が急傾斜となっ又いるため、その後の電極形成工程で電
極配線切れが生じ易いことがある。
が急傾斜となっ又いるため、その後の電極形成工程で電
極配線切れが生じ易いことがある。
−万、拡散マスクとして使用した熱酸化膜を全１エツチ
除去した後、新たに、気相化学反応により表面保護膜を
形成する方法におい℃は、前者の気相化学反応のみの部
分と同様に、１１極穴開はエッチで、エッチ段差部の形
状が急傾糾となっているため、１１極配線切れが生じ易
いことがある。
除去した後、新たに、気相化学反応により表面保護膜を
形成する方法におい℃は、前者の気相化学反応のみの部
分と同様に、１１極穴開はエッチで、エッチ段差部の形
状が急傾糾となっているため、１１極配線切れが生じ易
いことがある。
したがっ℃、本発明の目的は、電極穴形成エッチにおい
て、エッチ作業を容易とし、その後の寒極形成工程にお
いて電極配線切れを生じ―い表面保護膜を形成する方法
を提供することにある。
て、エッチ作業を容易とし、その後の寒極形成工程にお
いて電極配線切れを生じ―い表面保護膜を形成する方法
を提供することにある。
上記の目的を達成するために本発明は、ＰＮＮ会合形成
した後、その半導体表面に表面保護膜を形成する方法に
おいて、表面保Ｓ膜堆積後の焼きしめ処理を水分を含ん
だ酸化性雰囲気中で熱死塩により行うことにより、半導
体表面と表面保護膜との間に熱酸化膜を少なくとも０．
２μｍ厚に形成することを特徴とするものである。
した後、その半導体表面に表面保護膜を形成する方法に
おいて、表面保Ｓ膜堆積後の焼きしめ処理を水分を含ん
だ酸化性雰囲気中で熱死塩により行うことにより、半導
体表面と表面保護膜との間に熱酸化膜を少なくとも０．
２μｍ厚に形成することを特徴とするものである。
以下、若干の実施例を用いて具体的に説明する。
実施例１
第１ 図（ａｌ〜（ｄｉはＮＰＮトランジスタの製造プ
ロセスに本発明を適用した場合の一つの実施例を半導体
素子の工程断面図により乃（すものである。
ロセスに本発明を適用した場合の一つの実施例を半導体
素子の工程断面図により乃（すものである。
（ａ） Ｎ型８１結晶基板（ウエノ・）ｌの一王面に
ペースとなるＰ型部Ｊ２Ｊ！２及びエミッタとなるＮ型
領域３を＃成するための熱酸化膜４をマスクとして選択
的にデポジット・拡散を行なう、同図において５は拡散
源となったリンを言む１１ツガラス膜で、拡散後はこの
リンガラス膜５はエッチ除去する。
ペースとなるＰ型部Ｊ２Ｊ！２及びエミッタとなるＮ型
領域３を＃成するための熱酸化膜４をマスクとして選択
的にデポジット・拡散を行なう、同図において５は拡散
源となったリンを言む１１ツガラス膜で、拡散後はこの
リンガラス膜５はエッチ除去する。
ｌｂｌ 全面Ｋｋ／を相化学堆積反応により）’８Ｇ
（ＩＩン・７１１ケート・ガラス）膜６を所定の厚さに
形成する。
（ＩＩン・７１１ケート・ガラス）膜６を所定の厚さに
形成する。
（ｃｌ この後、９００℃に設定された炉心管内にＰ
２Ｏ膜を堆積したＳ１ウエハな入れ、管の一万から水蒸
気を送り、酸化処理をし−ＵＰ８ＧＭｉ６とＳｉ基板ｌ
との間に熱酸化膜７を少な（とも０．２μｍの厚さに形
成する。水蒸気の導入方法は例えば加温した純水中に０
８を通過させる方法、又はＨ２を燃焼させる方法等によ
る。
２Ｏ膜を堆積したＳ１ウエハな入れ、管の一万から水蒸
気を送り、酸化処理をし−ＵＰ８ＧＭｉ６とＳｉ基板ｌ
との間に熱酸化膜７を少な（とも０．２μｍの厚さに形
成する。水蒸気の導入方法は例えば加温した純水中に０
８を通過させる方法、又はＨ２を燃焼させる方法等によ
る。
（ｄｌ コンタクトホトレジスト処理によりエミッタ
電極穴８及びペース電極穴９を弗酸系エッチ液を用い又
開ける。この後、図示されないがＡｊを蒸ｆ（又はスパ
ッタ）シ、パターニングエッチにより所要とするエミッ
タ・ＡＪ ［ｍ及びペースｋｌ電極を得る。
電極穴８及びペース電極穴９を弗酸系エッチ液を用い又
開ける。この後、図示されないがＡｊを蒸ｆ（又はスパ
ッタ）シ、パターニングエッチにより所要とするエミッ
タ・ＡＪ ［ｍ及びペースｋｌ電極を得る。
この実施例の方法によればＷ極大、特にエミッタ電極穴
部８におい１熱酸化膜７のエッチ段差部の形状が比較的
にゆるやかに形成される。
部８におい１熱酸化膜７のエッチ段差部の形状が比較的
にゆるやかに形成される。
実施例２
第２図（ａ）〜（ｄｌは同じ（ＮＰＮ）ランジスタの製
造プロセスに本発明を適用した場合の実施例を示すもの
である。
造プロセスに本発明を適用した場合の実施例を示すもの
である。
（ａｌ Ｎ型８ｉ結晶基板１においてペース、エミッ
タ拡散を経った後、リンガラスを含めた熱酸化膜４を弗
酸系エッチ額にて全てエッチ除去する。
タ拡散を経った後、リンガラスを含めた熱酸化膜４を弗
酸系エッチ額にて全てエッチ除去する。
（ｂｌ 全面に気箱化学堆積反応によりＰＳＧ膜６を
形成する。
形成する。
（ｃｌ 前記実施例１の工＠（Ｃ）と同様な処理で熱
酸化＠７を形成する。
酸化＠７を形成する。
（ｄｉ コンタクトホトレジスト処理によりエミッタ
１ｉ［極大８．ベース、″Ｗ極大穴９形成する。
１ｉ［極大８．ベース、″Ｗ極大穴９形成する。
この実施例２の方法によれば、エミッタ電極穴及びペー
ス電極穴において熱酸化膜のエッチ段差部の形状がゆる
やかになる。
ス電極穴において熱酸化膜のエッチ段差部の形状がゆる
やかになる。
以上実施例で述べた本発明によれば、下記の理由で補記
目的が達成できる。
目的が達成できる。
実施例１で工程（ｄｌＫおい又は、エミッタ領域表面に
前記の焼きしめ処理に熱酸化膜が形成さｔ１℃いるため
、もともと熱酸化膜のあるペース領域部とエンチ条杆の
差が少なくなり電極穴開はエッチが容易となる。
前記の焼きしめ処理に熱酸化膜が形成さｔ１℃いるため
、もともと熱酸化膜のあるペース領域部とエンチ条杆の
差が少なくなり電極穴開はエッチが容易となる。
実施例２で工程ｔｄｌ において、エミッタ穴部と（ｃ
ｌの場合のエミッタ及びペース穴ｉＭＬＩｒｒｓｒいて
は、ＰＳＧ膜に対し又エツチング速度の遅い熱酸化膜が
その上に形成され又いるため、電極穴開はホトレジエツ
チングにおいて、そのエツチング速度の差により、エッ
チ段差形状はゆるやかな傾斜を有するようになる。
ｌの場合のエミッタ及びペース穴ｉＭＬＩｒｒｓｒいて
は、ＰＳＧ膜に対し又エツチング速度の遅い熱酸化膜が
その上に形成され又いるため、電極穴開はホトレジエツ
チングにおいて、そのエツチング速度の差により、エッ
チ段差形状はゆるやかな傾斜を有するようになる。
そのため、その上に形成される電極配縁は切れ難（・も
のとなる。
のとなる。
なお、前記実施例１．２では、ＰＳＧＭｓ堆積後の焼き
しめ処理において同時に熱酸化膜を形成しているが、Ｐ
８Ｇ＠堆積前に予め熱酸化膜を形取してふ・いてもよい
。しかし１、この場合、ＰＲＧ展堆槓俊の焼きしめ処理
は必要である。
しめ処理において同時に熱酸化膜を形成しているが、Ｐ
８Ｇ＠堆積前に予め熱酸化膜を形取してふ・いてもよい
。しかし１、この場合、ＰＲＧ展堆槓俊の焼きしめ処理
は必要である。
本発明は、トランジスタ単体、バイポーラＩＯ等を８む
半導体素子の表面保饅膜形成プロセスのすべてに適用で
きるものである。
半導体素子の表面保饅膜形成プロセスのすべてに適用で
きるものである。
第１〆１（ａ）〜（ｄｌは本発明の一実施例を示す半導
体素子の製造プロセスにおける素子の工程断面図、第２
［！Ｙｌ［ａｌ〜（ｄｉは本発明による他の実施例を示
す半導体素子の製造プロセスにおける素子の工程断面図
である。 ｌ・・・８ｉ基板、２・・・ベース（Ｐ型）領域、３・
・・エミッタ（Ｎ型）領域、４・・・熱酸化膜、５・・
・リンガラス膜、６・・・Ｐ２Ｏ，７・・・熱酸化膜、
８・・・エミッタ電極穴、９・・・ペース電極穴。 代理人 弁理士 薄 １）刺挿、汎。 第 １ 図 第 ２ 図
体素子の製造プロセスにおける素子の工程断面図、第２
［！Ｙｌ［ａｌ〜（ｄｉは本発明による他の実施例を示
す半導体素子の製造プロセスにおける素子の工程断面図
である。 ｌ・・・８ｉ基板、２・・・ベース（Ｐ型）領域、３・
・・エミッタ（Ｎ型）領域、４・・・熱酸化膜、５・・
・リンガラス膜、６・・・Ｐ２Ｏ，７・・・熱酸化膜、
８・・・エミッタ電極穴、９・・・ペース電極穴。 代理人 弁理士 薄 １）刺挿、汎。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、気相化学反応により半導体酸化物を主成分とする表
面保護膜を形成した半導体基板を水分を含んだ雰囲気中
で熱処理することにより、前記の半導体表面と表面保護
膜の関に半導体熱酸化膜を形成することを特徴とする半
導体装置の製造方法。 ２、上記の半導体表面と表面保ａｍとの聞に形成する半
導体熱酸化膜の厚さを少なくとも０．２μｍとする特許
請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079983A JPS58197826A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57079983A JPS58197826A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197826A true JPS58197826A (ja) | 1983-11-17 |
| JPH0122731B2 JPH0122731B2 (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=13705549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57079983A Granted JPS58197826A (ja) | 1982-05-14 | 1982-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197826A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154628A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| EP0198150A1 (de) * | 1985-02-06 | 1986-10-22 | Reimbold & Strick GmbH & Co. KG | Keramische Zusammensetzungen und ihre Verwendung |
| EP0198149A1 (de) * | 1985-02-06 | 1986-10-22 | Reimbold & Strick GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung eines metallkeramischen Leiters und Anwendung des Verfahrens |
| JPS6218040A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Matsushita Electronics Corp | リンケイ酸ガラス被膜の平坦化方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019363A (ja) * | 1973-06-21 | 1975-02-28 | ||
| JPS5485673A (en) * | 1977-12-20 | 1979-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for semiconductor device |
-
1982
- 1982-05-14 JP JP57079983A patent/JPS58197826A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5019363A (ja) * | 1973-06-21 | 1975-02-28 | ||
| JPS5485673A (en) * | 1977-12-20 | 1979-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture for semiconductor device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154628A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| EP0198150A1 (de) * | 1985-02-06 | 1986-10-22 | Reimbold & Strick GmbH & Co. KG | Keramische Zusammensetzungen und ihre Verwendung |
| EP0198149A1 (de) * | 1985-02-06 | 1986-10-22 | Reimbold & Strick GmbH & Co. KG | Verfahren zur Herstellung eines metallkeramischen Leiters und Anwendung des Verfahrens |
| JPS6218040A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Matsushita Electronics Corp | リンケイ酸ガラス被膜の平坦化方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122731B2 (ja) | 1989-04-27 |
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