JPH0669036B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0669036B2 JPH0669036B2 JP2486085A JP2486085A JPH0669036B2 JP H0669036 B2 JPH0669036 B2 JP H0669036B2 JP 2486085 A JP2486085 A JP 2486085A JP 2486085 A JP2486085 A JP 2486085A JP H0669036 B2 JPH0669036 B2 JP H0669036B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法、特に半導体装置のラ
イフタイムコントロールに白金を拡散する製造方法に関
するものである。
イフタイムコントロールに白金を拡散する製造方法に関
するものである。
従来の技術 従来、この種のライフタイムコントロールの方法はその
取扱いの容易なことにより、一般的には金をキラーとし
て用い、所要のライフタイムコントロール拡散（キラー
拡散とも言う）した後、金とシリコンとの反応層を王水
等で処理，除去し、しかる後に例えばアルミニウムによ
る電極形成工程、さらには組立工程処理がなされてい
た。
取扱いの容易なことにより、一般的には金をキラーとし
て用い、所要のライフタイムコントロール拡散（キラー
拡散とも言う）した後、金とシリコンとの反応層を王水
等で処理，除去し、しかる後に例えばアルミニウムによ
る電極形成工程、さらには組立工程処理がなされてい
た。
発明が解決しようとする問題点 しかし、半導体装置の高密度化，高速化，高信頼性化の
要望が大きくなってくるにつれて、ライフタイムコント
ロールされた半導体装置も他の機能を有した素子との集
積化等が求められると、選択キラー拡散や金に比べてよ
り低温でライフタイムコントロールが可能な白金をキラ
ーとして用いることが求められていた。白金は金に比べ
シリコン中への拡散係数が大きいために同一基板内に既
に形成されたｐ型領域やｎ型領域の拡散プロファイルに
影響与えることなくキラー拡散が可能であり、さらに、
経験によれば、キラー拡散したｐ−ｎ接合での高温逆方
向漏洩電流が金を用いた場合にくらべて、約1/2〜1/3に
低減できる等の利点を有している。
要望が大きくなってくるにつれて、ライフタイムコント
ロールされた半導体装置も他の機能を有した素子との集
積化等が求められると、選択キラー拡散や金に比べてよ
り低温でライフタイムコントロールが可能な白金をキラ
ーとして用いることが求められていた。白金は金に比べ
シリコン中への拡散係数が大きいために同一基板内に既
に形成されたｐ型領域やｎ型領域の拡散プロファイルに
影響与えることなくキラー拡散が可能であり、さらに、
経験によれば、キラー拡散したｐ−ｎ接合での高温逆方
向漏洩電流が金を用いた場合にくらべて、約1/2〜1/3に
低減できる等の利点を有している。
しかし、白金はシリコンへのキラー拡散時において、シ
リサイド（硅化物）を生成し、その除去の方法が困難で
キラー拡散された領域上に電極形成、例えばアルミニウ
ム電極を形成する場合の信頼性を低下させるために、ア
ルミニウム電極へのワイヤの接着度が低下したり又ダイ
スボンドの信頼性も低下する等の技術的問題点を有して
おり、白金キラーの採用を困難なものにしていた。
リサイド（硅化物）を生成し、その除去の方法が困難で
キラー拡散された領域上に電極形成、例えばアルミニウ
ム電極を形成する場合の信頼性を低下させるために、ア
ルミニウム電極へのワイヤの接着度が低下したり又ダイ
スボンドの信頼性も低下する等の技術的問題点を有して
おり、白金キラーの採用を困難なものにしていた。
本発明はこのような問題点を解決するために、白金のシ
リコン中への拡散の際に形成される白金シリサイドを簡
単にかつ確実に除去する製造方法を提案し、白金キラー
の活用を目的とするものである。
リコン中への拡散の際に形成される白金シリサイドを簡
単にかつ確実に除去する製造方法を提案し、白金キラー
の活用を目的とするものである。
問題点を解決するための手段 本発明は、白金拡散のあと、その部分を中性フッ化アン
モンとフッ酸による混合液で、白金シリサイド上の酸化
物を溶融させ、しかるのちに、硝酸と塩酸の混合液で白
金シリサイドを加熱エッチングするものである。
モンとフッ酸による混合液で、白金シリサイド上の酸化
物を溶融させ、しかるのちに、硝酸と塩酸の混合液で白
金シリサイドを加熱エッチングするものである。
作用 本発明によると、白金シリサイドが、容易にかつ確実に
除去することが可能となる。
除去することが可能となる。
実施例 以下に、本発明を実施例により詳しく述べる。
第１図から第８図は、本発明による半導体装置の製造方
法を示す工程順断面図である。
法を示す工程順断面図である。
説明の便宜上、同一基板上に形成されている他の構成素
子は省き、キラー拡散を要するｐｎ接合部のみについて
説明する。第１図はＮ型シリコン基板１にｐ型領域２が
形成された半導体装置の断面図であり、一般的に、Ｎ型
半導体基板１のライフタイムをコントロールする。この
ｐｎ接合は所要のパッシベーション膜又はｐｎ接合形成
時に生成される絶縁膜３で覆われている。ｐ型領域２に
必要な開口部（キラー窓）４をフォトレジスト工程をも
って形成した図を第２図に示す。フォトレジスト５は、
そのまゝ絶縁膜３上に残したまゝにする。キラー窓４
は、このｐｎ接合部以外へのキラーの影響を抑えるため
に、予め設計された大きさにコントロールされている。
子は省き、キラー拡散を要するｐｎ接合部のみについて
説明する。第１図はＮ型シリコン基板１にｐ型領域２が
形成された半導体装置の断面図であり、一般的に、Ｎ型
半導体基板１のライフタイムをコントロールする。この
ｐｎ接合は所要のパッシベーション膜又はｐｎ接合形成
時に生成される絶縁膜３で覆われている。ｐ型領域２に
必要な開口部（キラー窓）４をフォトレジスト工程をも
って形成した図を第２図に示す。フォトレジスト５は、
そのまゝ絶縁膜３上に残したまゝにする。キラー窓４
は、このｐｎ接合部以外へのキラーの影響を抑えるため
に、予め設計された大きさにコントロールされている。
次に第３図に示すように先に残しておいたフォトレジス
ト５の上およびキラー窓４の部分に、白金６，７を例え
ば電子ビーム蒸着によって蒸着する。このとき、白金７
は、キラー窓４を介して、シリコンのｐ型領域２にてコ
ントロールされた量が蒸着される。このキラー窓４内の
白金７は、絶縁膜３とフォトレジスト５の厚さより十分
に小さく、さらに、フォトレジスト５上の白金６と段切
れされていることが大切である。このあと、発煙硝酸に
よって、フォトレジスト５および不要部の白金６をリフ
トオフ法で除去する。この状態を第４図に示す。
ト５の上およびキラー窓４の部分に、白金６，７を例え
ば電子ビーム蒸着によって蒸着する。このとき、白金７
は、キラー窓４を介して、シリコンのｐ型領域２にてコ
ントロールされた量が蒸着される。このキラー窓４内の
白金７は、絶縁膜３とフォトレジスト５の厚さより十分
に小さく、さらに、フォトレジスト５上の白金６と段切
れされていることが大切である。このあと、発煙硝酸に
よって、フォトレジスト５および不要部の白金６をリフ
トオフ法で除去する。この状態を第４図に示す。
なお、本発明の場合の一例では、絶縁膜，フォトレジス
ト５，白金６及び７のおおよその膜厚はそれぞれ、1.5
μｍ，３μｍ，0.05μｍである。この後にキラー拡散を
行うが、第５図に示すように、このキラー拡散後に、白
金とシリコンの不所望な反応層すなわち白金シリサイド
８が形成される。この反応層は、白金の全層すなわち、
シリコンとの反応面から、白金表面まで生成しているか
どうかは、そのキラー拡散温度、白金厚、白金キラーの
大きさ等に関係しており、特定、定量化できていない。
一般に白金キラー拡散は、８００℃〜１０００℃程度の
温度で拡散し、同一基板内の他の素子への影響を抑える
配慮をしている。
ト５，白金６及び７のおおよその膜厚はそれぞれ、1.5
μｍ，３μｍ，0.05μｍである。この後にキラー拡散を
行うが、第５図に示すように、このキラー拡散後に、白
金とシリコンの不所望な反応層すなわち白金シリサイド
８が形成される。この反応層は、白金の全層すなわち、
シリコンとの反応面から、白金表面まで生成しているか
どうかは、そのキラー拡散温度、白金厚、白金キラーの
大きさ等に関係しており、特定、定量化できていない。
一般に白金キラー拡散は、８００℃〜１０００℃程度の
温度で拡散し、同一基板内の他の素子への影響を抑える
配慮をしている。
こののち、生成された白金シリサイド８を取除く必要が
ある。ｐ型領域２のコントロールされたキラー窓４のサ
イズから、アルミニウムによる電極を取出す必要からコ
ンタクト窓９を形成する。十分なコンタクト性を確保す
るために、その開口部は十分に大きいことが望まれる。
このコンタクト窓９の形成は、フォトレジストによる通
常の工程で行うわけで、この場合、先に生成された白金
シリサイド８の表面の酸化物層も同時にエッチングされ
ることが判った。第６図はコンタクト窓が形成された図
である。
ある。ｐ型領域２のコントロールされたキラー窓４のサ
イズから、アルミニウムによる電極を取出す必要からコ
ンタクト窓９を形成する。十分なコンタクト性を確保す
るために、その開口部は十分に大きいことが望まれる。
このコンタクト窓９の形成は、フォトレジストによる通
常の工程で行うわけで、この場合、先に生成された白金
シリサイド８の表面の酸化物層も同時にエッチングされ
ることが判った。第６図はコンタクト窓が形成された図
である。
しかるのちに、硝酸と塩酸の混合液で加熱エッチングを
行うことにより、白金シリサイドは完全に除去される。
第７図にその状態を示した。白金シリサイド層は、もち
ろん、シリコン内部にも形成されており、その層の厚み
がエッチングされる。代表的な処理条件は硝酸：塩酸＝
１：１，温度６０℃，処理時間が２０分である。
行うことにより、白金シリサイドは完全に除去される。
第７図にその状態を示した。白金シリサイド層は、もち
ろん、シリコン内部にも形成されており、その層の厚み
がエッチングされる。代表的な処理条件は硝酸：塩酸＝
１：１，温度６０℃，処理時間が２０分である。
アルミニウム電極形成工程では、第８図で示すように、
アルミニウム電極１１を白金シリサイドのエッチ部１０
にも、他のコンタクト窓部９にも形成できる。このと
き、何ら問題を有していないことが確認できた。
アルミニウム電極１１を白金シリサイドのエッチ部１０
にも、他のコンタクト窓部９にも形成できる。このと
き、何ら問題を有していないことが確認できた。
本発明の実施例図で、Ｎ型とｐ型を置換すること、さら
に、半導体基板の裏面よりの白金拡散の場合にも本発明
の域を出るものではない。
に、半導体基板の裏面よりの白金拡散の場合にも本発明
の域を出るものではない。
発明の効果 以上のように本発明によれば、従来困難とされていた白
金シリサイド層が簡単に確実に除去できることにより、
ライフタイムコントロールとして白金キラーを用いるこ
とが可能となり、低温キラー拡散処理のため併せ設けら
れている他の素子への影響がなくなり、また、キラー拡
散されたＰＮ接合での高温逆方向漏洩電流が低減して、
半導体装置の信頼性が向上できるのみならず、白金シリ
サイドが完全に除去されることから、アルミニウム電極
によるこのキラー拡散された領域へのコンタクトがよく
なること、さらに、組立におけるワイヤボンド，ダイス
ボンド性が向上する等、その効果はきわめて大きく、本
発明の工業的利用効果は大である。
金シリサイド層が簡単に確実に除去できることにより、
ライフタイムコントロールとして白金キラーを用いるこ
とが可能となり、低温キラー拡散処理のため併せ設けら
れている他の素子への影響がなくなり、また、キラー拡
散されたＰＮ接合での高温逆方向漏洩電流が低減して、
半導体装置の信頼性が向上できるのみならず、白金シリ
サイドが完全に除去されることから、アルミニウム電極
によるこのキラー拡散された領域へのコンタクトがよく
なること、さらに、組立におけるワイヤボンド，ダイス
ボンド性が向上する等、その効果はきわめて大きく、本
発明の工業的利用効果は大である。
第１図〜第８図は、本発明による製造過程における半導
体装置と連続的に示す概念断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……Ｐ型拡散領域、３……絶
縁膜、４……キラー窓、５……フォトレジスト、６……
白金、７……白金、８……白金シリサイド、９……コン
タクト窓、１０……シリサイドエッチされた領域。
体装置と連続的に示す概念断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……Ｐ型拡散領域、３……絶
縁膜、４……キラー窓、５……フォトレジスト、６……
白金、７……白金、８……白金シリサイド、９……コン
タクト窓、１０……シリサイドエッチされた領域。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板に選択的に白金を拡散する拡散
工程と、中性フッ化アンモンとフッ酸の混合液で前記拡
散工程で形成された白金シリサイド上の酸化物をエッチ
ングする工程と、硝酸と塩酸の混合液で前記白金シリサ
イドをエッチングする工程とを備えた半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2486085A JPH0669036B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2486085A JPH0669036B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61184832A JPS61184832A (ja) | 1986-08-18 |
| JPH0669036B2 true JPH0669036B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=12149969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2486085A Expired - Fee Related JPH0669036B2 (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669036B2 (ja) |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2486085A patent/JPH0669036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61184832A (ja) | 1986-08-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |