JPS60201666A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS60201666A
JPS60201666A JP59058817A JP5881784A JPS60201666A JP S60201666 A JPS60201666 A JP S60201666A JP 59058817 A JP59058817 A JP 59058817A JP 5881784 A JP5881784 A JP 5881784A JP S60201666 A JPS60201666 A JP S60201666A
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metal silicide
metal
electrode
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polycrystalline silicon
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Hidetaka Yamagishi
山岸　秀隆
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    • H01L29/872—Schottky diodes

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、半導体装置に関し、特に金属と半導体で形成
されるショットキーダイオードを含む半導体装置に関す
る。
（従来技術） 従来のショットキーダイオードは単結晶シリコンに金属
、例えば白金を蒸着、スパッタ等の手段で形成し、熱処
理を行なって単結晶シリコンを金属シリサイドとし、該
金属シリサイドに接触する様に金属電極を形成して構成
される。
第１図は従来のショットキーダイオードの一例の断面図
である。第１図において８は第１導電型の単結晶半導体
基板、７は単結晶シリコンに金属シリサイドを形成した
ショットキーダイオードのアノードであり、５はショッ
トキーダイオードカソード引き出し電極である多結晶シ
リコンである。
１１は単結晶シリコンに形成した金属シリサイド７と同
時に多結晶シリコン上に形成した金属シリサイドである
。これらの金属シリサイド７．１１上には直接Ａｆｉ電
極１，３が形成されている。なお６は第１選択酸化で形
成された酸化膜、２は第２選択酸化で形成された酸化膜
である。
以上のように従来のショットキーダイオードの構造は単
結晶シリコンに形成された金属シリサイドに直接ＡＪ電
極を形成している。従って金属電極を形成後に熱処理を
行なうと、金属電極を形成している金属が金属シリサイ
ド中に拡散するため金属シリサイドと単結晶シリコンで
形成されるシ１、トキー障壁を破壊し、特性を劣化させ
る欠点があった。
（発明の目的） 本発明の目的は、上記欠点を除去し、電極形成後熱処理
が加わっても、ショットキー障壁を破壊することのない
信頼性の優れたショットキーダイオードを含む半導体装
置を提供することにある。
（発明の構成） 本発明の半導体装置は、金属シリサイドと半導体によっ
て形成されるショットキーダイオードを含む半導体装置
において、前記ショットキーダイオードの一方の電極で
ある単結晶シリコンの金属シリサイドと、該単結晶シリ
コンの金属シリサイドと接触する多結晶シリコンの少な
くとも表面を金属シリサイドとした引き出し電極と、該
多結晶シリコンの少なくとも表面を金属シリサイドとし
た引出電極に接触して取出された金属電極と有すること
によ）構成される。
（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
第２図並びに第３図は本発明の一実施例の断面図並びに
その途中工程断面図を示す。
本発明の半導体装置は以下の工程により製造することが
できる。
先ず、第３図に示すように、第１導電型半導体しかる後
に第１選択酸化を行ない、アノード、カソードを分離す
る酸化膜６を成長させる。次いで窒化膜をすべて除去す
る。次いで多結晶シリコンを表面に成長させ、次いで窒
化膜を形成し、カソード引き出し電極５及びアノード引
き出し電極４を形成する部分以外の窒化膜をエツチング
除去する。なお窒化膜をエツチングする部分には、単結
晶シリコンと金属シリサイドを形成する部分７の窒化膜
も含まれる。次に第２選択酸化を行ない多結晶シリコン
を酸化膜２．１３に変換する。
次に第２導電型半導体領域を形成する部分９の窒化膜を
エツチング除去した後、第２導電型不純物を拡散し、第
２導電型半導体領域９ｔ−形成する。
さらにショットキーダイオードのアノードを形成する部
分７に成長した酸化膜１３を除去する。
次に、第２図に示すように、金属例えば白金を蒸着又は
スパッタ等の公知の手段で表面に形成し、熱処理を行左
いショットキーダイオードのアノード７およびアノード
、カソードの引出電極である多結晶シリコン４，５に金
属シリサイド１０．ｌｌ’ｉ形成する。なお多結晶シリ
コンを全部金属シリサイドとしてもよい。
次に、ア警ノード７に接触しないように、金属電極１．
３例えばＡｌｌ電極をアノード、カソードの引き出し電
極上に形成すれば本実施例は完成する。
以上によシ形成された本実施例の半導体装置はショット
キーダイオードの一方の電極である単結晶シリコンの金
属シリサイド７と、該単結晶シリコンの金属シリサイド
と接触する多結晶シリコン４′を金属シリサイドとした
引き出し電極１０と、該多結晶シリコンを金属シリサイ
ドとした引き出し電極のみに接触して取出された金属電
極１とを有して構成されている。
すなわち、入車金属電極１はショットキー障壁を形成し
ている金属シリサイド７には直接接触していないため、
金属電極形成後に熱処理が加わるか、実質的に熱処理と
同等の条件が加えられても金属電極を形成する金属の金
属シリサイド中への拡散は起ることがなく、これに基く
特性劣化を発生することはない。
なお窒化膜の工、チング方法によっては窒化膜の下に薄
い酸化膜を必要とする場合があるので、その時は窒化膜
成長前に薄い酸化膜を形成すればよい。
（発明の効果） 以上説明したとおり、本発明によれば、電極形成後に熱
処理が加わっても、ショットキー障壁を破壊することの
ない、信頼性の優れたショットキーダイオードを含む半
導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のショットキーダイオードの一例の断面図
、第２図は本発明の一実施例の断面図、第３図は第２図
の本発明の一実施例の製造途中工程の断面図である。 １・・・・・・アノードのＡｆｉ電極、２．１３・・・
・・・第２選択酸化で形成された酸化膜、３・・・・・
・カソードのＡ見電極、４・・・・・・アノードの多結
晶シリコン引き出し電極、５・・・・・・カソードの多
結晶シリコン引き出し電極、６・・・・・・第１選択酸
化で形成された酸化膜、７・・・・・・ショットキーダ
イオードのアノード、８・・・・・・第１導電型半導体
基板、９・・・・・・第２導電型牛導体領域、１０・・
・・・・多結晶シリコンに形成された金属シリサイド（
アノード引出電極）、ｉｉ・・・・・・多結晶シリコン
に形成された金属シリサイド（カソード引出電極）、１
２・・・・・・窒化シリコン膜（窒化膜）。 誉１個 半２拐 を５切

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属シリサイドと半導体によりて形成されるショットキ
    ーダイオードを含む半導体装置において、前記ショット
    キーダイオードの一方の電極である単結晶シリコンの金
    属シリサイドと、該単結晶シリコンの金属シリサイドと
    接触する多結晶シリコンの少なくとも表面を金属シリサ
    イドとした引き出し電極と、該多結晶シリコンの少なく
    とも表面を金属シリサイドとした引出電極に接触して取
    出された金属電極とを有することｔ−特徴とする半導体
    装置。
JP59058817A 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置 Granted JPS60201666A (ja)

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JP59058817A JPS60201666A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置
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JPH051623B2 JPH051623B2 (ja) 1993-01-08

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