JPH051623B2 - - Google Patents

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JPH051623B2
JPH051623B2 JP59058817A JP5881784A JPH051623B2 JP H051623 B2 JPH051623 B2 JP H051623B2 JP 59058817 A JP59058817 A JP 59058817A JP 5881784 A JP5881784 A JP 5881784A JP H051623 B2 JPH051623 B2 JP H051623B2
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JP
Japan
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metal silicide
electrode
metal
anode
schottky diode
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Hidetaka Yamagishi
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Nippon Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、半導体装置に関し、特に金属と半導
体で形成されるシヨツトキーダイオードを含む半
導体装置に関する。
（従来技術） 従来のシヨツトキーダイオードは単結晶シリコ
ンに金属、例えば白金を蒸着、スパツタ等の手段
で形成し、熱処理を行なつて単結晶シリコンを金
属シリサイドとし、該金属シリサイドに接触する
様に金属電極を形成して構成される。
第１図は従来のシヨツトキーダイオードの一例
の断面図である。第１図において８は第１導電型
の単結晶半導体基板７は単結晶シリコンに金属シ
リサイドを形成したシヨツトキーダイオードのア
ノードであり、５はシヨツトキーダイオードカソ
ード引き出し電極である多結晶シリコンである。
１１は単結晶シリコンに形成した金属シリサイド
７と同時に多結晶シリコン上に形成した金属シリ
サイドである。これらの金属シリサイド７，１１
上には直接Al電極１，３が形成されている。な
お６は第１選択酸化で形成された酸化膜、２は第
２選択酸化で形成された酸化膜である。
以上のように従来のシヨツトキーダイオードの
構造は単結晶シリコンに形成された金属シリサイ
ドに直接Al電極を形成している。従つて金属電
極を形成後に熱処理を行なうと、金属電極を形成
している金属が金属シリサイド中に拡散するため
金属シリサイドと単結晶シリコンで形成されるシ
ヨツトキー障壁を破壊し、特性を劣化させる欠点
があつた。
（発明の目的） 本発明の目的は、上記欠点を除去し、電極形成
後熱処理が加わつても、シヨツトキー障壁を破壊
することのない信頼性の優れたシヨツトキーダイ
オードを含む半導体装置を提供することにある。
（発明の構成） 本発明は、金属シリサイドと半導体によつて形
成されるシヨツトキーダイオードを含む半導体装
置において、半導体基板上に設けられたシヨツト
キーダイオードのアノードを形成する電極窓と、
基板上に前記電極窓に隣接して設けられた多結晶
シリコンと、前記電極窓内の半導体基板表面およ
び前記多結晶シリコンの少なくとも表面上に設け
られた金属シリサイドと、前記多結晶シリコン上
に設けられた金属シリサイド上で前記アノードに
接触しない位置に前記金属シリサイドに直接接触
して設けられたアルミニウム電極とを有すること
を特徴として構成される。
（実施例） 以下、本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。
第２図並びに第３図は本発明の一実施例の断面
図並びにその途中工程断面図を示す。
本発明の半導体装置は以下の工程により製造す
ることができる。
先ず、第３図に示すように、第１導電型半導体
基板８の一主面上に窒化膜を成長させシヨツトキ
ーダイオードのアノード７，第２導電型半導体領
域９およびカソードの引き出し電極５の形成領域
以外の窒化膜をエツチング除去する。しかる後に
第１選択酸化を行ない、アノード，カソードを分
離する酸化膜６を成長させる。次いで窒化膜をす
べて除去する。次いで多結晶シリコンを表面に成
長させ、次いで窒化膜を形成し、カソード引き出
し電極５及びアノード引き出し電極４を形成する
部分以外の窒化膜をエツチング除去する。なお窒
化膜をエツチングする部分には、単結晶シリコン
と金属シリサイドを形成する部分７の窒化膜も含
まれる。次に第２選択酸化を行ない多結晶シリコ
ンを酸化膜２，１３に変換する。
次に第２導電型半導体領域を形成する部分９の
窒化膜をエツチング除去した後、第２導電型不純
物を拡散し、第２導電型半導体領域９を形成す
る。さらにシヨツトキーダイオードのアノードを
形成する部分７に成長した酸化膜１３を除去す
る。
次に、第２図に示すように、金属例えば白金を
蒸着又はスパツタ等の公知の手段で表面に形成
し、熱処理を行ないシヨツトキーダイオードのア
ノード７およびアノード，カソードの引出電極で
ある多結晶シリコン４，５に金属シリサイド１
０，１１を形成する。なお多結晶シリコンを全部
金属シリサイドとしてもよい。
次に、アノード７に接触しないように、金属電
極１，３例えばAl電極をアノード，カソードの
引き出し電極上に形成すれば本実施例は完成す
る。
以上により形成さた本実施例の半導体装置はシ
ヨツトキーダイオードの一方の電極である単結晶
シリコンの金属シリサイド７と、該単結晶シリコ
ンの金属シリサイドと接触する多結晶シリコン４
を金属シリサイドとした引き出し電極１０と、該
多結晶シリコンを金属シリサイドとした引き出し
電極のみに接触して取出された金属電極１とを有
して構成されている。
すなわち、Al金属電極１はシヨツトキー障壁
を形成している金属シリサイド７には直接接触し
ていないため、金属電極形成後に熱処理が加わる
か、実質的に熱処理と同等の条件が加えられても
金属電極を形成する金属の金属シリサイド中への
拡散は起ることがなく、これに基く特性劣化を発
生することはない。
なお窒化膜のエツチング方法によつては窒化膜
の下に薄い酸化膜を必要とする場合があるので、
その時は窒化膜成長前に薄い酸化膜を形成すれば
よい。
（発明の効果） 以上説明したとおり、本発明によれば、電極形
成後に熱処理が加わつても、シヨツトキー障壁を
破壊することのない、信頼性の優れたシヨツトキ
ーダイオードを含む半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のシヨツトキーダイオードの一例
の断面図、第２図は本発明の一実施例の断面図、
第３図は第２図の本発明の一実施例の製造途中工
程の断面図である。 １……アノードのAl電極、２，１３……第２
選択酸化で形成された酸化膜、３……カソードの
Al電極、４……アノードの多結晶シリコン引き
出し電極、５……カソードの多結晶シリコン引き
出し電極、６……第１選択酸化で形成された酸化
膜、７……シヨツトキーダイオードのアノード、
８……第１導電型半導体基板、９……第２導電型
半導体領域、１０……多結晶シリコンに形成され
た金属シリサイド（アノード引出電極）、１１…
…多結晶シリコンに形成された金属シリサイド
（カソード引出電極）、１２……窒化シリコン膜
（窒化膜）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 金属シリサイドと半導体によつて形成される
    シヨツトキーダイオードを含む半導体装置におい
    て、半導体基板上に設けられたシヨツトキーダイ
    オードのアノードを形成する電極窓と、前記基板
    上に前記電極窓に隣接して設けられた多結晶シリ
    コンと、前記電極窓内の半導体基板表面および前
    記多結晶シリコンの少なくとも表面上に設けられ
    た金属シリサイドと、前記多結晶シリコン上に設
    けられた金属シリサイド上で前記アノードに接触
    しない位置に前記金属シリサイドに直接接触して
    設けられたアルミニウム電極とを有することを特
    徴とする半導体装置。
JP59058817A 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置 Granted JPS60201666A (ja)

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JP59058817A JPS60201666A (ja) 1984-03-27 1984-03-27 半導体装置
US07/228,848 US4862244A (en) 1984-03-27 1988-08-03 Semiconductor device having Schottky barrier between metal silicide and silicon

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JPS60201666A JPS60201666A (ja) 1985-10-12
JPH051623B2 true JPH051623B2 (ja) 1993-01-08

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