RU1830156C - Способ изготовлени полупроводниковых приборов - Google Patents

Способ изготовлени полупроводниковых приборов

Info

Publication number
RU1830156C
RU1830156C SU904743558A SU4743558A RU1830156C RU 1830156 C RU1830156 C RU 1830156C SU 904743558 A SU904743558 A SU 904743558A SU 4743558 A SU4743558 A SU 4743558A RU 1830156 C RU1830156 C RU 1830156C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon layer
silicon
region
layer
side wall
Prior art date
Application number
SU904743558A
Other languages
English (en)
Inventor
Годфридус Рафаэль Мас Хенрикус
Артур Ван Ес Роланд
Вильхельмус Адрианус Ван Дер Вельден Йоханнес
Хенрикус Кранен Петер
Original Assignee
Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен filed Critical Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен
Application granted granted Critical
Publication of RU1830156C publication Critical patent/RU1830156C/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66272—Silicon vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System the conductive layers comprising semiconducting material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3215—Doping the layers
    • H01L21/32155—Doping polycristalline - or amorphous silicon layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/01—Bipolar transistors-ion implantation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/011—Bipolar transistors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/096—Lateral transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/911—Differential oxidation and etching

Abstract

Использование: микроэлектроника, технологи  изготовлени  бипол рных транзисторов с контактом базы на боковой стенке. Сущность изобретени : при изготовлении полупроводникового прибора в полупроводниковой подложке создают приборную область путем формировани  на одной ее поверхности меза-области, имеющей боковую стенку и верхнюю поверхность, ограничивающую приборную область. Осаждают слой поликристаллического кремни  так, чтобы покрыть боковую стенку и верхнюю поверхность меза-области и прилегающую область нижней поверхности структуры. Ввод т легирующие примеси, в результате чего кремниевый участок боковой стенки маскирован от легирующих примесей, затем его удал ют избирательным травлением . Кремниевый участок в области нижней поверхности, прилегающий к ступеньке, маскируют , а кремниевый участок на верхней поверхности около ступеньки удал ют, оставив легированный кремниевый участок на поверхности структуры дл  контактировани  с приборным участком, например участком базы транзистора. 8 з.п. ф-лы, 20 ил.

Description

Изобретение относитс  к способу изготовлени  полупроводникового прибора, состо щему в том, что создают полупроводниковую подложку, имеющую приборную область, образованную вблизи одной главной поверхности полупроводникового прибора, осаждают слой кремни  на одну главную поверхность, ввод т легирующие примеси в кремниевый слой, .причем некоторый участок кремни  экранирован от легирующих примесей и образует участок легированнрого кремни  на одной главной поверхности, предназначенный дл  контактировани  с приборным участком приборной области, и избирательно вытравливают кремниевый слой дл  удалени  участка нелегированного кремни .
В соответствии с насто щим изобретением предлагаетс  способ изготовлени  полупроводникового прибора/состо щий в том, что создают полупроводниковую подложку , имеющую приборную область, обра- зованную вблизи одной главной поверхности полупроводниковой подложки , осаждают слой кремни  на одной главной поверхности, ввод т легирующие примеси в кремниевый слой с участком кремни , мэксмровакным от легирующих
со ы о
Ј
с 
примесей, дл  получени  участка легированного кремни  на одной главной поверхности дл  контактировани  с приборным участком приборной области и избирательно вытравл ют кремниевый слой дл  удалени  участка нелегированного кремни , при этом приборную область формируют путем создани  на одной главной поверхности ступеньки, имеющей боковую стенку и верхнюю поверхность, ограничивающую приборную область, осаждают кремниевый слой так, чтобы он покрывал боковую стенку и верхнюю поверхность ступеньки и прилегающую нижнюю область поверхности, ввод т легирующие примеси, когда кремниевый участок боковой стенки макси- рован от легирующих примесей/благодар  чему нелегированный кремниевый участок боковой стенки удал ют избирательным травлением, маскируют кремниевый участок на поверхности, прилегающей к ступеньке , и удал ют кремниевый участок на верхней поверхности ступеньки.
Таким образом, способ, реализующий насто щее изобретение, позвол ет сформировать легированный кремниевый слой, предназначенный дл  контактировани  с приборной областью, вблизи ступеньки на одной главной поверхности полупроводниковой подложки путем введени  легирующих примесей а поверхность кремниевого сло  так, чтобы кремниева  область боковой стенки была маскирована от легирующих примесей, благодар  чему нелегированную кремниевую область боковой стенки можно избирательно вытравить, что позвол ет создать легированную кремниевую область вблизи ступеньки дл  контактировани  приборного участка приборной области не прибега  к использованию маскирующего сло  подслоем поликристаллического кремни  и не полага сь на относительные скорости диффузии легирующих примесей из расположенных ниже слоев. Кроме того, дл  соба в соответствии с насто щим изобретением не требуетс  длительного процесса с низким ускор ющим напр жением и высокодозированной имплантацией.
В предпочтительном варианте легирующие примеси ввод т имплантацией ионов бора так. Чгобы кремниевый участок боковой стенки был автоматически маскирован от легирующих примесей благодар  направленности процесса имплантации и благодар  маскирующему эффекту, создаваемому кремниевым участком на верхней поверхности ступеньки. Обычно кремниевый слой осаждают в виде поликристаллического кремниевого сло , однако, кремниевый слой можно осаждать в виде аморфного
кремниевого сло , который затем можно ре- кристаллизовать во врем  последующего процесса, например, тепловой обработки, чтобы вызвать диффузию имплантированных ионов.
Изобретатели пришли к неожиданному выводу, что введение примесей в поверхность кремниевого сло  не  вл етс  существенной операцией, и поэтому, например, в
тех случа х, когда примеси ввод т имплантацией и последующей диффузией, длительность процесса диффузии не очень существенна. Действительно, изобретатели установили, что скорость, с которой вводи5 мые легирующие примеси диффундируют в поликристаллический кремний на боковой стенке ступеньки, значительно меньше скорости , с которой примеси диффундируют в участки поликристаллического кремни  на
0 области нижней поверхности.
Считаетс , что эта существенна  разни ца скоростей св зана с тем, что диффузи  примесей через границы зерен происходит труднее, и с тем, что зерна поликристалли5 ческого кремни  так растут или так выстраиваютс , что границы зерен стрем тс  выстроитьс  перпендикул рно лежащей под ними поверхности. Таким образом, диффузи  ионов бола вниз, в участки поликри0 сталлического кремни  в области нижней поверхности должна происходить преимущественно вдоль границ зерен, в то врем  как диффузи , необходима  дл  того, чтобы примеси проникали в участок поликристал5 лического кремни  боковой стенки, происходит преимущественно через границы зерен и намного медленнее.
Легирующие примеси можно имплантировать в кремниевый слой перед максирова0 нием кремниевого участка в области нижней поверхности. Затем кремниевый участок в области нижней поверхности можно маскировать нанесение текучего материала на кремниевый слой, гобы оставить
5 легиованный кремниевый участок-на верхней поверхности ступеньки открытым, дав возможность вытравливани  легированного кремниевого участка. Затем имплантиро- ванные примеси диффундируют через
0 кремниевый слой. Така  схема имеет то преимущество , что длительность операции диффузии не так существенна, поскольку после удалени  открытого кремниевого участка с верхней поверхности ступеньки диффузи 
5 примесей может происходить только из кремниевого участка на области поверхности , прилегающей к ступеньке, что уменьшает опасность легировани  кремниевого участка боковой стенки во врем  процесса диффузии. Кремниевый слой можно избирательно травить дл  удалени  нелегированного кремниевого участка боковой стенки перед маскированием легированного кремниевого участка в области нижней поверхности , либо, в альтернативном варианте, нелегировэннь й кремниевый участок боковой стенки можно удалить после удалени  легированного кремниевого участка на верхней поверхности ступеньки.
В других примерах текучий материал дл  маскировани  кремниевого участка в области нижней поверхности с целью оставить открытым кремниевый участок на верхней поверхности ступеньки можно нанести до введени  легирующих примесей, а затем избирательно окисл ть открытый кремниевый участок на верхней поверхности ступеньки , что позволит вводить легирующие примеси, использу  окисный колпачок, образованный на верхней поверхности ступеньки , в качестве маски. Это имеет то преимущество, что легирующие примеси не ввод тс  в кремниевый участок на верхней поверхности ступеньки, что еще больше снизит веро тность нежелательной диффузии легирующих примесей в кремниевый участок боковой стенки.
Окисный колпачок можно сформировать простым приемом, создав антиокислительный слой на кремниевом слое до нанесени  текучего материала, использу  текучий материал в качестве маски дл  удалени  антиокислительного сло  с кремниевого участка на верхней поверхности ступеньки и затем окисл   открытый кремниевый участок.
В другом варианте окисный колпачок можно сформировать, ввод  различные примеси, например, имплантиру  ионы мышь ка, в открытый кремниевый участок на верхней поверхности ступеньки после формировани  маски из текучего материала , удалив маску из текучего материала и затем избирательно окислив кремниевый слой, чтобы кремниевый участок, в который были введены различные примеси, окисл лс  быстрее, чем остальна  часть кремниевого сло .
Ступеньку можно сформировать таким образом, чтобы изолирующий слой, покрывающий боковую стенку ступеньки,отдел л, легированный кремниевый участок на области нижней поверхности от приборной области . В таком осуществлении открытый участок изолирующего сло ; на боковой стенке ступеньки можно затем удалить с .боковой стенки и со следующего ело  кремни , нанесенного на легированный кремниевый участок, боковую стенку и верхнюю поверхность ступеньки. Затем легирующие
примеси можно заставить диффундировать из легированного кремниевого участка в лежащий под ним слой кремни , а нелегированные участки следующего кремниевого 5 сло  избирательно вытравить.
Это имеет то преимущество, что легированный кремниевый участок контактирует только с верхней частью приборной области . Это имеет особые преимущества в тех
0 случа х, когда, например, во врем  последующей обр аботки легирующим примес м дают диффундировать из легированного кремниевого участка, чтобы создать в приборной области контактный участок дл 
5 обеспечени  хорошего контакта с приборным участком, т.к. это уменьшает веро тность , формировани  контактного участка слишком близко к лежащему ниже слою прибора. Так, пример, если базовый и эмит0 терный участки бипол рного транзистора должны быть созданы в приборной области и в полупроводниковой подложке под ступенькой создаетс  погруженный участок, образующий часть коллекторного участка
5 прибора, то емкость база-коллектор можно уменьшить, контролиру , как описывалось выше, диффузию легирующих примесей в полупроводниковую подложку так, чтобы контактный участок дл  контактировани  с
0 базовым участком был отделен от погруженного коллекторного участка промежутком.
На фиг. 1-5 даны схематические виды в сечении полупроводниковой структуры, иллюстрирующие операции изготовлени  би5 пол рного транзистора с использованием способа в соответствии с насто щим изобретением; на фиг. 6-8 - увеличенные схематические виды в сечении части полупроводниковой подложки, изображен0 ные на фиг. 1-5, дл  иллюстрации первого осуществлени  способа в соответствии с насто щим изобретением: на фиг. 9-12 - увеличенные схематические виды в сечении, аналогичные фиг; 6-8, дл  иллюстрации вто5 рого осуществлени  способа в соответствии с насто щим изобретением; на фиг. 13 и 14 - увеличенные схематические виды в сече- нии; аналогичные фиг. 6-8, дл  иллюстрации третьего осуществлени  способа в
0 соответствии с насто щим изобретением; на фиг. 15 и .16 - увеличен ные схематические виды в сечении, аналогичные фиг. 6-8, дл  иллюстрации четвертого осуществлени  способа в соответствии с насто щим изо5 бретением; на фиг. 17 и 18 - увеличенные схематические виды в сечении, аналогичные фиг. , дл  иллюстрации п того осуществлени  способа в соответствии с насто щим изобретением; на фиг. 19 и 20 - увеличенные схематические виды в сечении, зналогичные фиг. 6-8, дл  иллюстрации шестого осуществлени  способа в соответствии с насто щим изобретением.
Следует иметь в виду, что рисунки выполнены схематично и не в Масштабе. В частности, некоторые размеры, такие, как толщина слоев или участков, возможно, преувеличены , а другие размеры уменьшены. Следует также иметь в виду, что одни и те же или аналогичные элементы имеют одинаковые цифровые обозначени  на всех рисунках .
На фигурах прин ты следующие обозначени : полупроводникова  структура 1, эпитаксиальный слой 2, поверхность 3 структуры 1, слой 4 нелегированнэго поликристаллического кремни , область базы 5, ступень 6, подложка 7, слой 8, изолирующий слой 9, слой 10 нитрида кремни , слой 11 оксида, участок 12 нелегированного поликристаллического кремни , слой 13 оксида кремни , максирующий участок 14, оксидный участок 15, промежуточна  приборна  область 16, оксидный слой 17, контактный участок 18, область эмиттера 19, максирую- Щий слой 20, защитный слой 21, оксидный слой 22, тонкий оксидный слой 23, изолирующий слой 24, полукристаллический слой 25 кремни , участок 26 на боковой поверхности ступени 6, участок 27 на верхней поверхности ступени 6, участок 28 легированного поликристаллического кремни , бокова  поверхность 29 ступени 6, верхн   поверхность 30 ступени 6.
Как показано на фиг. 1-5, полупроводникова  структура 1 содержит в данном примере монокристаллическую кремниевую подложку 7, легированную примес ми р-ти- па проводимости, в которую были имплантированы примеси n-типа проводимости с образованием высоколегированного сло  8, который затем погрузили в более низко легированный кремниевый эпитаксиальный слой 2 n-типа проводимости, который затем образует приборную область базы 5, как будет описано ниже. Как правило, эпитаксиальный слой может иметь в толщину примерно 1 микрометр и может иметь концентрацию легирующей примеси около 10 атомов на 1 см .
Ступень 6 создают на поверхности полупроводниковой структуры 1 следующим образом. Во-первых, на поверхности структуры создают изолирующий слой слой 9, например, около 50 нм, из оксида кремни  или оксинитрида кремни , после чего создают слой tO нитрида кремни , имеющий толщину , примерно 100 нм с образованием антиокислительного сло  и сло  нелегированного поликристалличеСкого кремни ,
имеющего толщину около 1,2 микрометров. После этого создают слой нелегированного поликристаллического кремни  обычным методами фотолитографии и травлени  и
подвергают обычному термическому окислению с получением сло  11 оксида на участке12нелегированного поликристаллического кремни .
Затем открытые участки изолирующего
сло  9 и сло  10 нитрида кремни  удал ют при помощи процесса избирательного травлени , желательно процесса плазменного травпени , либо, например, последовательного травлени  в гор чей фосфорной кислоте и в буферном растворе плавиковой кислоты.
Затем в полупроводниковой структуре 1 вытравливают углубление, использу  в качестве маски слой 11 оксида. Углубление может быть в виде канавки глубиной около 0.8 мкм, чтобы, например, канавки не проникали в слой 8. Эпитаксиальный слой 2 может быть слегка недотравлен, чтобы облегчить последующую обработку.
Затем создают еще один антиокислительный слой, содержащий слой 13 оксида кремни  и слой нитрида кремни . Затем анизотропно трав т слой нитрида кремни , например, методом плазменного травлени 
фторгидратом углерода, чтобы удалить части сло  нитрида кремни , лежащие на поверхност х ,параллельных эпитаксиальному слою 2 и слою 8, в результате чего остаетс  антиокислительный маскирующий участок 14 из нитрида кремни  на боковой стенке канавки, как показано на фиг. 1. Затем открытые кремниевые поверхности подвергают обычной обработке термическим окислением дл  получени 
оксидного участка 15. Затем можно удалить маскирующий участок 14 и лежащий под ним слой 13 оксида кремни , оставив ступеньку 6, ограниченную оксидным участком 15, который в данном примере создает область поверхности 3 полупроводниковой структуры 1.
После формировани  ступени 6 осаждают Слой 4 нелегированного поликристаллического кремни  посредством
традиционной технологии химического осаждени  паров. При помощи одного из нижеописанных методов обрабатывают слой 4 нелегированного поликристаллического кремни  дл  получени , как показано
на фиг. 2, сравнительно плоского участка 28 легированного поликристаллического кремни  на поверхности 3 полупроводниковой структуры 1 дл  контактировани  с областью базы 5 и с областью коллектора.
Затем слой 11 оксида и открытые области сло  10 нитрида кремни , если они еще остаютс  после формировани  сравнительно плоского участка 28 легированного поликристаллического кремни , вытравливают и имплантируют акцепторные ионы, например , ионы бора, дл  создани  промежуточной приборной области 16 р-типа проводимости, прилегающей к участку 28 легированного поликристаллического кремни , как показано на фиг. 3. В другим варианте акцепторные ионы можно имплантировать после удалени  участка 12 нелегированного поликристаллического кремни .
Затем участок 12 нелегированного поликристаллического кремни  удал ют при помощи соответствующего избирательного травител , например, гидроокиси кали  или гидроокиси натри , как описывалось выше, а открытый кремний покрывают оксидным слоем 17 термическим окислением анало- гичног тому, как это делаетс  при получении оксидного участка 15. При высокотемпературной обработке дл  получени  оксидного сло  17 диффузи  примесей р-типа из участка 28 легированного поликристаллического кремни  приводит к образованию высоколегированного контактного участка 18 р-типа проводимости между участком 28 легированного поликристаллического кремни  и промежуточной приборной областью 16, в результате чего получаетс  структура, изображенна  на фиг. 4.
Затем вытравливают изолирующий слой 9 и слой 10 нитрида кремни , после чего имплантируют примеси р-типа-прово- димости, создава  область базы 5 р-типа проводимости и область эмиттера 19 п-типа проводимости в эпитаксиальном слое 2, который , в свою очередь, образует область коллектора. Затем обычным способом открывают контактные окна и производ т металлизацию , создава  контакты базы В, эмиттера Е и коллектора С, как показано на фиг. 5.
На фиг. 6-8 представлены увеличенные виды полупроводниковой структуры 1, на которых иллюстрируетс  первый пример реализации способа в соответствии с насто щим изобретением дл  формировани  сравнительно плоского участка 28 легированного поликристаллического кремни , как показано на фиг. 2.
В этом примере после осаждени  сло  4 нелегированного поликристаллического кремни  легирующие примеси, в данном случае ионы бора, имплантируют в поверхность сло  поликристаллического кремни , как показано стрелками X на фиг. 6. Дозу и
энергию имплантации ионов бора выбирают такими, чтобы получающа с  поверхностна  концентраци  после диффузии была больше 6 101 атомов на 1 см , дл  чего 5 требуетс  доза имплантации, равна , например , при толщине сло  поликристаллического кремни  0,6 мкм, более 3,6 1015 атомов на 1 см2, а на практике около 1016 атомов на 1 см . Когда используютс  ионы
0 BF+, энерги  имплантации может составл ть t20-КэБ (килоэлектронвольт), а когда используютс  ионы В , энерги  имплантации может составл ть 40 КэВ. Вследствие анизотропного характера ионной импланта5 ции, как показано стрелками, ионы имплантируютс  в поверхность участка 27 поликристаллического кремни  на верхней поверхности ступени бив область поверхности 3 полупроводниковой структуры 1, но
0 не имплантируютс  сколько-нибудь значительно в участок 26 на боковой поверхности ступени 6, котора  имеет поверхность, расположенную приблизительно параллельно направлению имплантации, и фактически
5 маскирована от имплантации участком 27 на верхней поверхности ступени 6.
После операции имплантации полупроводниковую структуру 1 подвергают термической обработке, чтобы дать возможность
0 имплантированным ионам продиффундиро- вать в поликристаллический кремний на заранее заданную величину. В этом примере полупроводниковую структуру 1 можно на- гревать примерно до 925°С примерно в те5 чение 2,5-3 ч дл  этой цели, хот  длительность диффузии, котора  необходима , естественно зависит от выбранной температуры и от толщины и структуры сло  поликристаллического кремни .
0 Длительность диффузии следует выбирать таким образом, чтобы имплантированные ионы слабо диффундировали в участок 26 поликристаллического кремни  на боковой поверхности ступени 6. На практике, как
5 установили изобретатели, длительность диффузии не так существенна, поскольку, как оказалось, скорость, с которой ионы бора диффундируют в участок 26 поликристаллического кремни  на боковой поверхности
0 ступени 6, значительно меньше скорости, с которой имплантированные ионы бора диффундируют вниз через толщу участков 27 и 28 поликристаллического кремни . Веро тно , это существенное различие скоростей
5 св зано стем, что диффузи  примесей через границы зерен затруднена, и с тем, что зерна гю икристал ического кремни  стрем тс  расти и выстраиватьс  так, что границы зерен стрем тс  выстроитьс  перпендикул рно низдежащей поверхности. Поэтому
диффузи  ионов бора вниз в участки 27 и 28 преимущественно должна происходить вдоль границ зерен, в то врем , как направление диффузии, необходимое дл  того, что- бы примеси попали в участок 26 поликристаллического кремни  - это преимущественно поперек границ зерен и намного медленнее.
Пунктирными лини ми на фиг. 6 приблизительно показана степень диффузии ионов бора после вышеописанного процесса диффузи и, таким образом, показан, размер участка 26 нелегированного поликристаллического кремни  на боковой поверхности ступени 6.
Затем открытый слой поликризталличё- ского кремни  подвергают процессу травлени , при котором избирательно трав т участок 26 нелегированного поликристаллического кремни  на боковой поверхности ступени 6, чтобы получить структуру, изображенную на фиг, 7. Может быть использован любой подход щий травитель, например, гидроксид кали  или гидроксид натри .
Затем на структуру нанос т текучий материал , например, фоточувствительный ре- зист, использу  традиционное маскирование и литографические приемы, чтобы сформировать маскирующий слой 20, изображенный на фиг. 8, который маскирует участок 28 легированного поликристаллического кремни , но который оставл ет откры- тым участок 27 легированного поликристаллического кремни  на верхней поверхности ступени 6. Затем открытый участок 27 легир.ованного поликристаллического кремни  на верхней поверхности ступени 6, изображенный пунктиром на фиг. 8 удал ют , использу  в качестве маски маскирующий слой 20, при помощи соответствующего травител , например, смеси HNOa-HF, или процесс плазменного травлени , чтобы получить структуру, изображенную на фиг. 2. После этого маскирующий слой 20 удал ют традиционными средствами, чтобы относительно плоский участок 28 легированного поликристаллического кремни  осталс , как показано на фиг. 2, дава  возможность обеспечить электрический контакт с областью базы 5, как было описано выше.
На фиг. 9-12 проиллюстрирован второй пример осуществлени  способа в соответствии с насто щим изобретением дл  формировани  относительно плоского участка легированного поликристаллического кремни  28, изображенного на фиг. 2.
Как показано на фиг. 9, после осаждени  сло  4 нелегированного поликристаллического кремни  вышеописанным образом на поликристаллическом кремнии формируют тонкий защитный слой 21. В этом примере тонкий защитный слой 21 - это тонкий
слой термического окисла, сформированного дл  защиты поликристаллического кремниевого сло  и при желании его можно не предусматривать.
Затем имплантируют ионы бора в соот0 ветствии с вышеописанным, причем пунктиром W на фиг. 9 схема тически показана глубина проникновени  имплантированных ионов бора. Тонкий защитный слой 21 термического оксида действует как дополни5 тельна  маска, преп тствующа  имплантации ионов бора в участоку 26.
Далее, вместо термической обработки полупроводниковой структуры 1, чтобы заставить имплантированные ионы диффун0 дировать в слой 4 нелегированного поликристаллического кремни , нанос т и придают конфигурацию текучему материалу , например, фоточувствительному рези- сту, в соответствии с вышеописанным,
5 чтобы сформировать маскирующий слой 20 (фиг. 9), оставл ющий открытым участок 27 имплантированного поликристаллического кремни , на верхней поверхности ступени 6. Открытый поликристаллический кремние0 вый слой 27 и лежащий на нем тонкий слой окисла затем вытравливают при помощи жидкого травител , например, НМОз-HF. В течение этого процесса тонкий защитный слой 21 играет роль барьера дл  травител .
5 Либо провод т травление изотропной или анизотропной, чтобы получить структуру, изображенную на фиг. 10.
Затем маскирующий слой 20 удал ют при помощи традиционных смесей HF, кото0 рые удал ют также и тонкий защитный слой 21, а затем полупроводниковую структуру 1 подвергают термической обработке, описанной выше, провод  диффузию имплантированных ионов бора вниз, формиру 
5 участок 28 легированного поликристаллического кремни . После предписанного периода диффузии (примерно 2,5-3 ч), когда полупроводникова  подложка нагреваетс  до 925°С, а слой 4 поликристаллического
0 кремни  имеет толщину около 0,6 мкм, открытую часть сло  10 нитрида кремни  удал ют , использу  в качестве маски участок 12 нелегированного поликристаллического кремни , и получают структуру изображен5 ную на фиг. 11.
Затем нелегированный кремниевый участок 26 на боковой поверхности ступени 6 удал ют при помощи вышеописанного процесса избирательного травлени  (гидроокись кали  или гидроокись натри ), одновременно удал   открытый участок 12 нелегированного поликристаллического кремни , как показано на фиг. 12. Таким образом, в данном примере результатом образовани  сравнительно плоского участка 28 легированного поликристаллического кремни   вл етс  структура, аналогична  изображенной на фиг. 3, но с удаленным участком 12 нелегированного поликристаллического кремни . В этом примере приме- си. предназначенные дл  формировани  промежуточной приборной области 16, могут быть введены, использу  в качестве маски просто остающийс  слой 10 нитрида кремни , либо промежуточную приборную область 16 можно не предусматривать, чтобы св зь между участок 28 легированного поликристаллического кремни  и областью базы 5 была непосредственно через контактный участок 18. Последующие операции способа осуществл ютс  в соответствии с вышеописанным со ссылкой на фиг. 4 и 5 с формированием оксидного сло  17 и т.д., чтобы получить структуру бипол рного транзистора, изображенную на фиг. 5.
На фиг. 13 и 14 описан третий вариант способа формировани  участка 28 легированного поликристаллического кремни .
И в этом случае слой 4 нелегированного поликристаллического кремни  покрывают тонким защитным слоем 21. Однако, в этом примере тонкий защитный слой 21 имеет вид антиокислительного сло , в частности, сло  нитрида кремни .
И в этом случае нанос т маскирующий слой 20 из текучего материала и задают ему конфигурацию так, как описано выше, оставл   открытым поликристаллический кремниевый участок 27 на верхней поверхности ступени 6, покрытый нитридом крем- ни . Затем открытый нитрид кремни  удал ют, формиру  структуру, изображенную на фиг. 13, после чего удал ют маскирующий слой 20.
Затем полупроводниковую структуру 1 подвергают обработке термическим окисле- нием, аналогичной вышеописанной, дл  формировани  оксидного участка 15, в результате чего получаетс  защитный оксидный слой 22 на открытом поликрйсталличееком кремниевом участке 27. Защитный слой 21 нитрида кремни  подвергают анизотропному травлению, удал   нитрид кремни  (изображенный пунктиром на фиг. 14) с поверхности 3 полупроводни- ковой структуры 1.
Затем ионы бора, как показано стрелками X на фиг. 14, имплантируют в поверхность открытого поликристаллическсго кремниевого участка и провод т их диффузию в соответствии с вышеописанным. В этом примере, поскольку поликристаллические кремниевые участки 26 и 27 закрыты защитным слоем, то при желании вместо процесса имплантации дл  введени  ионов бора в открытый участок поликристаллического кремни  можно использовать диффузионный процесс с нитридом бора. Затем остальную часть защитного сло  21 нитрида кремни  и оксидный слой 22 вытравливают, оставив дткрытыми нелегированные поликристаллические кремниевые участки 26 и 27. чтобы избирательно вытравить их с получением структуры, изображенной на фиг. 2.
На фиг. 15 и 16 изображен вариант вышеописанного способа со ссылкой на фиг. 13 и 14, на которых защитный слой 21 отсутствует , и после формировани  маскирующего сло  20 имплантируют ионы мышь ка в открытую область поверхности поликристаллического кремниевого участка 27. После удалени  маскирующего сло  20 полупроводниковую структуру 1 снова подвергают термическому влажному окислению при температуре, примерно, от 700 до 850°С, при которой поликристаллический кремниевый участок 27 окисл етс  намного быстрее, чем нелегированные поликристаллические кремниевые участки, в результате чего снова формируетс  сравнительно толстый оксидный слой 22, в то врем  как на нелегированных поликристаллических участках формируетс  тонкий оксидный слой 23.
Затем имплантируют и диффундируют ионы бора, как описано выше со ссылкой на фиг. 13 и 14, и после удалени  оксидного сло  22 и тонкого оксидного сло  23 поликристаллические кремниевые участки 26 и 27 снова избирательно вытравливают, в результате чего получаетс  структура, изображенна  на фиг. 2,
В каждом из вышеописанных примеров маскирующий участок 14 нитрида кремни  удал ют с боковой поверхности ступени 6 после формировани  оксидного участка 15. Однако, в следующих двух примерах маскирующий участок 14 нитрида кремни  и тонкий оксидный слой 23, который образует маскирующий участок 14 нитрида кремни  во врем  формировани  оксидного участка 15, оставл ют на месте.
На фиг. 17 изображена ситуаци  после того, как был сформирован участок 28 легированного поликристаллического кремни , как бы по показано выше на фиг. 6-8 или на фиг. 13 и 14 или фиг. 15 и 16, но с неудален7 ным маскирующим участком 14 нитрида кремни  после, формировани  оксидного участка 15. В это примере открытую часть
максирующего участка 14 нитрида кремни  затем удал ют, оставив участок 28 легированного поликристаллического кремни  от- деленным от приборной области, образованной эпитаксиальным слоем 2, посредством изолирующего сло  24, причем сэндвич состоит из остальной части сло 
13оксида кремни , максирующего участка
14нитрида кремни  и лежащего сверху тонкого оксидного сло  23.
Затем осажают еще один поликристаллический слой 25 кремни , как показано на фиг. 18, и полупроводниковую структуру нагревают до температуры, например, около 925°С примерно в течение 90 мин, чтобы заставить диффундировать ионы бора из участка 28 легированного поликристаллического кремни  в лежащий поверх участок еще одного поликристаллического сло  25 кремни . Затем нелегированные участки поликристаллического сло  25 кремни  избирательно вытравливают, получа  сравнительно плоский легированный поликристаллический кремниевый составной участок, состо щий из участка 28 легированного поликристаллического кремни  и лежащего сверху легированного участка поликристаллического сло  25 кремни .
Затем полупроводниковую структуру 1 подвергают последующим операци м обработки , как описано выше, при которых формируетс  контактный участок 18 (см. фиг. 4) в результате диффузии бора из легированного участка поликристаллического сло  25 кремни . В этом примере, однако, присутствие сэндвича с изолирующим слоем 24 обеспечивает диффузию бора из легированного поликристаллического кремни  вблизи поверхности эпитаксиального сло  2, в результате чего рассто ние, по которому бор должен диффундировать, чтобы достичь сло  8, увеличиваетс , что приводит к тому, что увеличиваетс  промежуток между контактным участком и слоем 8, в результате, уменьшаетс  емкость база-коллектор в готовом транзисторе, что должно обеспечивать улучшение частотной характеристики.
В видоизмененном способе, аналогичном вышеописанному, со ссылкой на фиг. 17 и 18, после удалени , поликристаллического кремниевого участка 27 слой 11 оксида вытравливают и получают структуру, изображенную на фит. 19. Затем удал ют маскирующий слой 20 и избирательно вытравливают открытый слой 10 нитрида кремни  и изолирующий слой 24. Затем i/саждают еще один нелегированный поли- риеталлический слой 25 кремни  и получает структуру, показанную на фиг. 20, на/ревают полупроводниковую структуру 1,
например, до температуры 925°С в течение 90 мин, осуществл   диффузию ионов бора из участка 28 легированного поликристал- лйческого кремни  в лежащий сверху участок поликристаллического сло  25 кремни .
Затем нелегированные участки поликристаллического сло  25 кремни  избирательно вытравливают вместе с участок 12
0 нелегированного поликристаллическего кремни  при помощи, например, гидроокиси кали  или гидроокиси натри , о результате чего получаетс , как показано в виде изображенных пунктиром на фиг. 20 нелеги5 рованных участков слоев поликремни , структура, аналогична  изображенной на фиг. 12. И в этом случае то обсто тельство, что легированный поликристаллический кремний контактирует только с верхней ча0 стью эпитаксиального сло  2, обеспечивает достаточно большой промежуток между контактным участком 18, образованным диффузией бора из легированного поликристаллического кремни , и слоем 8, что
5 уменьшает емкость база-коллектора.
Хот  выше были описаны различные осуществлени  на примере изготовлени  бипол рного транзистора n-p-n-типа, изображенного на фиг. 5, способ, реализующий
0 насто щее изобретение, может использоватьс  при изготовлении других типов бипол рных транзисторов с контактом базы на боковой стенке, может также использоватьс  при изготовлении полевых транзисторов
5 с изолированным затвором. Способ, реализующий насто щее изобретение, может использоватьс  в любом приборе, в котором требуетс  создать контакт с приборным участком при помощи легированного относи0 тельно плоского участка осажденного кремни .
Следует иметь в виду, что, хот  в способах , описанных выше, слой 4 нелегированного поликристаллического кремни 
5 осаждают в виде поликристаллического кремниевого сло , в другом варианте его можно осадить в виде аморфного сло , а затем рекристаллизовать, например, е процессе термической обработки, чтобы вы0 звать диффузию имплантированных ионов бора. Кроме того, возможно использование не ионов бора, а других легирующих примесей , если имеетс  соответствующий трави- тель, который травит нелегированный
5 поликристаллический кремний избирательно по отношению к легированному поликристаллическому кремнию. Кроме того, типы проводимостей, приведенные выше, могут быть заменены на противоположные, чтобы можно было изготовить, например, бипол рный транзистор p-n-p-типа в предположении , что имеютс  легирующий материал п-проводимости и соответствующий трави- тель, позвол ющий избирательно травить нелегированный поликристаллический кремний,

Claims (9)

1.Способ изготовлени  полупроводниковых приборов, включающий создание области прибора в полупроводниковой структуре, осаждение сло  кремни , локальное легирование его участка, предназначенного дл  контактировани  с элементами прибора, и удаление селективным вытравливанием нелегированного участка сло  кремни , отличающийс  тем, что, с целью упрощени  способа, приборную область создают путем формировани  меза-области на поверхности полупроводниковой структуры, локальное легиро- вание участка сло  кремни  провод т так, что участок на боковой стенке меза-области экранируют от легирующих примесей, а часть сло  кремни  на верхней поверхности меза-области локально удал ют.
2.Способ поп. 1,отличающийс  тем, что осаждаемый слой кремни  имеет поликристаллическое строение.
3.Способ по п. 1, о т ли чаю щи и с   тем, что перед локальным удалением сло  кремни  на верхней поверхности меза-области участок сло  кремни  на поверхности полупроводниковой структуры смежно с боковой стенкой меза-области маскируют путем нанесени  на поверхность текучего материала так, что часть сло  кремни  на верхней поверхности ступени остаетс  открытой .
4.Способ по п. 3, о т л и ч а ю щ и и с   тем, что локальное легирование участка сло  кремни , который предназначен дл  контактировани  с элементами прибора, осуществл ют посредством ввода ионов легирующих примесей в слой кремни  перед нанесением текучего материала на поверх- ность полупроводниковой структуры с последующей диффузией этих примесей в слой кремни  после локального удалени  его участков на верхней поверхности меза- области.
5.Способ по одному из пп. 1-4, о т л и- чающийс  тем, что локальное легирование сло  кремни  осуществл ют ионами бора .
6.Способ по п. 1,отличающийс  тем, что перед локальным легированием Сло  кремни  формируют стойкую к окислению пленку, часть сло  кремни  смежно е
боковой стенкой меза-области маскируют путем нанесени  текучего материала на поверхность полупроводниковой структуры, оставл   часть стойкой к окислению пленки открытой на верхней поверхности меза-области , открытый участок пленки, стойкой к окислению, удал ют, текучий материал удал ют , открытый участок сло  кремни  окисл ют , а в качестве маски дл  экранировани  части сло  кремни  на боковой стенке меза- области от легирующих примесей при локальном легировании участков сло  кремни  используют окисленный участок сло  кремни  на верхней поверхности меза- области.
7.Способ по п. 1,отличающийс  тем, что перед локальным легированием сло  кремни  часть этого сло  кремни  смежно с боковой стенкой ступени маскируют путем нанесени  текучего материала на поверхность так. что часть сло  кремни  остаетс  открытой на верхней поверхности меза-области, открытую часть сло  кремни  легируют примес ми, которые ускор ют последующее окисление кремни , удал ют текучий материал и осуществл ют окисление структуры, в качестве маски дл  экранировани  части кремни  на боковой стенке меза-области от легирующих примесей при локальном легировании части сло  кремни  используют окисленный участок сло  кремни , образованного на верхней поверхности меза-области.
8.Способ по одному из пп. 1-7, отли- ч а ю щ и и с   тем, что перед осаждением на поверхности полупроводниковой структуры сло  кремни  на боковой стенке меза- области, ограничивающей часть подложки, предназначенной дл  элементов прибора, формируют диэлектрическую пленку, причем после удалени  нелегированных участков сло  кремни  на верхней поверхности меза-области открытую часть диэлектрической пленки на боковой стенке меза-области удал ют, осаждают дополнительный слой кремни , провод т диффузию примеси из легированных участков сло  кремни  в дополнительный слой кремни  и нелегированные участки дополнительного сло  кремни  селективно вытравливают..
9.Способ по одному из пп. 1-8, & т   и- чающийс  тем, что формируют области базы и эмиттера транзистора прибора, которые изолированы от легированной части кремни , из которой осуществл ют диффузию примесей в приборную область дл  создани  контакта между легированным кремнием и областью базы.
Ч Ч Ч Чч Ч /
/ /////}/
, iI
фиг4 16
2
X
/ Л
8
I I
2 18
В
1516 5 2 18
фиэ.5
б 7 8
3
лг
ЛЛ
8 15 ./А
NVsf.g
83 2 & 20 2/ -21 -А J
15 2Й
ЛЛ
8 ./А
.
5Ve
фи //
20
21 26
1 v-Xх
ites
0d/Ј /
-J
Z
26A
, XM
:
27
фс/е /б
л.
фо №
Редактор
фоъ.20
Составитель И. Багмнска 
Техред М.МоргенталКорректор С. Лисина
1830156 А
24 15
2S
3 . 7
SU904743558A 1989-04-05 1990-04-02 Способ изготовлени полупроводниковых приборов RU1830156C (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB8907610A GB2230134A (en) 1989-04-05 1989-04-05 A method of manufacturing a semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1830156C true RU1830156C (ru) 1993-07-23

Family

ID=10654464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU904743558A RU1830156C (ru) 1989-04-05 1990-04-02 Способ изготовлени полупроводниковых приборов

Country Status (8)

Country Link
US (1) US4981806A (ru)
EP (1) EP0391479B1 (ru)
JP (1) JPH0648690B2 (ru)
KR (1) KR900017203A (ru)
CS (1) CS165090A2 (ru)
DE (1) DE69013551T2 (ru)
GB (1) GB2230134A (ru)
RU (1) RU1830156C (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE58909822D1 (de) * 1989-05-11 1997-11-27 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltungsstruktur mit einem lateralen Bipolartransistor
US6309975B1 (en) 1997-03-14 2001-10-30 Micron Technology, Inc. Methods of making implanted structures
US6327744B1 (en) 1998-07-30 2001-12-11 Industrial Door Co., Inc. Roll-up door counterbalancing apparatus and method
US8126530B2 (en) 2009-10-26 2012-02-28 Ethicon, Inc. Offset electrode
US8810005B1 (en) 2013-03-01 2014-08-19 International Business Machines Corporation Bipolar device having a monocrystalline semiconductor intrinsic base to extrinsic base link-up region
US8946861B2 (en) 2013-06-11 2015-02-03 International Business Machines Corporation Bipolar device having a monocrystalline semiconductor intrinsic base to extrinsic base link-up region

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4338138A (en) * 1980-03-03 1982-07-06 International Business Machines Corporation Process for fabricating a bipolar transistor
US4378630A (en) * 1980-05-05 1983-04-05 International Business Machines Corporation Process for fabricating a high performance PNP and NPN structure
JPS5864044A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
DE3476295D1 (en) * 1983-09-19 1989-02-23 Fairchild Semiconductor Method of manufacturing transistor structures having junctions bound by insulating layers, and resulting structures
JPH0618198B2 (ja) * 1984-02-15 1994-03-09 株式会社日立製作所 半導体装置
US4703554A (en) * 1985-04-04 1987-11-03 Texas Instruments Incorporated Technique for fabricating a sidewall base contact with extrinsic base-on-insulator
JPH0691098B2 (ja) * 1985-04-08 1994-11-14 株式会社日立製作所 半導体装置
US4674173A (en) * 1985-06-28 1987-06-23 Texas Instruments Incorporated Method for fabricating bipolar transistor
US4887145A (en) * 1985-12-04 1989-12-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor device in which electrodes are formed in a self-aligned manner
NL8700640A (nl) * 1987-03-18 1988-10-17 Philips Nv Halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan.

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
. Y. Yamamoro К, Sakuma, A novel self- aliqued technique and its application to high speed bipolar LSIs. IEEE Transactions Un electron devices, v 35, № 10, October, 1988, . p. 1601-1608. *

Also Published As

Publication number Publication date
GB8907610D0 (en) 1989-05-17
EP0391479A3 (en) 1991-08-28
DE69013551T2 (de) 1995-05-11
JPH02295129A (ja) 1990-12-06
DE69013551D1 (de) 1994-12-01
KR900017203A (ko) 1990-11-15
CS165090A2 (en) 1991-09-15
JPH0648690B2 (ja) 1994-06-22
EP0391479A2 (en) 1990-10-10
US4981806A (en) 1991-01-01
EP0391479B1 (en) 1994-10-26
GB2230134A (en) 1990-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1230431A (en) Technique for doping from a polysilicon transfer layer
US4488351A (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR970000703B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US4711017A (en) Formation of buried diffusion devices
EP0083816B1 (en) Semiconductor device having an interconnection pattern
JPH0465548B2 (ru)
US4413401A (en) Method for making a semiconductor capacitor
JPH0640582B2 (ja) 絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法
JPH04102317A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS62203380A (ja) 半導体素子の製造方法
US4402128A (en) Method of forming closely spaced lines or contacts in semiconductor devices
EP0032030A2 (en) A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device
KR0172262B1 (ko) 반도체 소자의 제조방법
US4502894A (en) Method of fabricating polycrystalline silicon resistors in integrated circuit structures using outdiffusion
US4473941A (en) Method of fabricating zener diodes
WO1988001436A1 (en) Process for fabricating stacked mos structures
US4290186A (en) Method of making integrated semiconductor structure having an MOS and a capacitor device
KR950008848B1 (ko) 붕소 주입 제어 방법
JPS6046831B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US4462151A (en) Method of making high density complementary transistors
EP0077737A2 (en) Low capacitance field effect transistor
RU1830156C (ru) Способ изготовлени полупроводниковых приборов
JPS6123657B2 (ru)
EP1032028B1 (en) Improved semiconductor trench MOS device
EP0242893B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device