JP2010129709A

JP2010129709A - 試料支持具および加熱装置

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Publication number: JP2010129709A
Application number: JP2008301858A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Muneishi; 猛宗石
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2008-11-27
Filing date: 2008-11-27
Publication date: 2010-06-10

Abstract

【課題】保持する試料への不純物やパーティクルの付着、および傷の発生等を抑制する。
【解決手段】主面上に複数の凹部が設けられた基体と、前記基体の前記凹部に配された略球形状の支持体と、を備え、前記支持体は、前記凹部の内側に設けられた接合部材によって前記基体と接合する部位と、前記主面より上方に配置され、試料と当接して前記試料を支持する部位と、を有することを特徴とする試料支持具を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体集積回路の製造に用いられるシリコンウエハ等の試料を保持する試料支持具、および加熱装置に関する。

半導体集積回路の製造に用いられるシリコンやＳｉＣなどを原料とする半導体ウエハは、その製造工程において製造装置や検査装置の試料台上に複数回保持される。試料台に試料を保持する装置や方法は、製造工程の種類に応じて様々な形態のものが提案されている。例えば、半導体集積回路の微細化、高密度化、および集積回路の製造時間の短縮化の要求は、近年さらに高まっている。これにともない、試料と試料支持具との間の摩擦摩耗によるパーティクル発生や、試料保持時におけるキズの発生等の課題が、従来に比べて一層問題視されるようになっている。

例えば、下記特許文献１には、試料と支持部材との接触に伴うパーティクル発生の低減や、試料へのキズ発生の低減等を目的とした試料支持具が提案されている。特許文献１記載の試料支持具では、球面状の単結晶からなる支持部材を、基板の一方主面の表面に配置するとともに、ガラス層や接着剤層からなる接合層によって、この支持部材を固定している。
国際公開第ＷＯ２００７／０３７３１６号パンフレット

しかし、特許文献１記載の試料支持具では、球形状の支持部材を固定するための接合層が、試料と対向する基板全面に配置されており、接合層に含有される不純物が蒸発して試料表面に付着し易いといった課題があった。また、例えばヒータ付き試料支持具の場合、接着剤やガラス層は熱伝導が比較的悪く、接合層において温度分布が比較的発生し易く、保持した試料においても温度分布が比較的生じやすいといった課題があった。

上記課題を解決するために、本発明は、主面上に複数の凹部が設けられた基体と、前記基体の前記凹部に配された略球形状の支持体と、を備え、前記支持体は、前記凹部の内側に設けられた接合部材によって前記基体と接合する部位と、前記主面より上方に配置され、試料と当接して前記試料を支持する部位と、を有することを特徴とする試料支持具を提供する。

なお、前記支持体の一部は、前記凹部の底面と当接し、前記支持体の、前記底面との当接部分以外の少なくとも一部と、前記凹部の内面と、が前記接合部材によって接合されていてもよい。また、前記支持体の中心は、前記主面よりも前記底面の側に位置することが好ましい。

なお、前記支持体は、前記凹部の開口の周縁部分と当接し、前記凹部の底面と離間して配置されており、前記支持体の少なくとも一部と前記凹部の内面とが、前記接合部材によって接合されていてもよい。

なお、前記支持体は、サファイアからなることが好ましい。

また、前記基体は、炭化珪素焼結体からなることが好ましい。

なお、前記凹部は、炭化珪素焼結体がレーザ加工されて形成されたものであることが好ましい。

本発明は、また、上記試料支持具と、前記基体の他方の主面の側に配されて前記基体を加熱する加熱手段と、を備えることを特徴とする加熱装置を、併せて提供する。

また、前記加熱装置は、前記基体の他方の主面の側に被着された抵抗体層と、前記抵抗体層に電圧を印加する電圧印加部と、を備えて構成されていることが好ましい。

本発明の試料支持具によれば、保持する試料への不純物やパーティクルの付着、および傷の発生等を、比較的抑制することができる。また、本発明の加熱装置では、保持する試料の温度分布の均一性を、比較的高くすることができる。

以下、本発明の試料支持具および加熱装置について説明する。

図１は、本発明の加熱装置の一実施形態である加熱装置１について説明する図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は概略断面図である。また、図２は、本発明の試料支持具の第１の実施形態である、試料支持具１０の一部を拡大して示す断面図である。加熱装置１は、試料支持具１０と、試料支持具１０の他方主面３ｂに配置された、例えばタングステン製のヒータ部５と、ヒータ部５に接続された電圧印加部５２と、を備えて構成されている。

第１の実施形態の試料支持具１０は、円板状をした基体３の一方主面３ａ側に、サファイア等の単結晶からなる複数の支持球１２が配置されて構成されている。より具体的には、円板状をした基体３の一方主面３ａ側に複数の凹部１１が設けられており、各凹部１１にサファイアからなる支持球１２が嵌合されている。支持球１２は、凹部１１の底面１１ａと当接した状態で、例えばガラスを主成分とする接合剤１３によって、凹部１１の内面と接合されている。試料支持具１０は、一方主面３ａの周縁部に、一方主面３ａから突出したシール壁１５が設けられている。また、基体３の中央分近傍には、一方主面３ａから他方主面３ｂまで貫通した排気孔１６が設けられている。

試料支持具１０では、例えばシリコンウエハ等の試料２０が載置されている。試料２０は、周辺部がシール壁１５の頂面１５ａと当接させるとともに、複数の支持球１２の頂面１２ａとも同時に当接させるようにして載置される。この状態で、排気孔１６に接続した真空ポンプ（不図示）により、試料２０とシール壁１５とで囲まれる空間内を減圧することで、ウエハ２０を支持球１２の頂面１２ａとシール壁１５の頂面とで構成される保持面上に吸着保持することができる。

また、加熱装置１では、基体３の他方主面３ｂに配置されたヒータ部５に、電圧印加部５２が接続されている。電圧印加部５２からヒータ部５２に電圧が印加されることでヒータ部５２は昇温し、このヒータ部５２によって基体３は昇温する。加熱装置１では、試料２０と、基体３の主面３ａ間に残存する気体によって、試料２０が加熱される。また、加熱装置１は、図示しない温度制御手段と図示しない温度計測手段を備えている。加熱装置１の図示しない温度制御手段は、温度計測手段によって計測された温度情報に基づいて、基体３の現在の温度、ひいては保持した試料２０の現在の温度が所定の温度となるよう、電圧印加部５２の動作を制御する。

試料支持具１０および加熱装置１について、より詳細に説明する。試料支持具１０の基体３は、例えば炭化珪素、窒化アルミ等を主成分とする焼結体から形成すればよく、炭化珪素質焼結体からなることが好ましい。炭化珪素質焼結体は、室温における熱伝導率が１６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上と比較的高く、またヤング率も４４０ＧＰａ以上と比較的高い。炭化珪素質焼結体からなる基体３を用いた試料支持具１０では、保持する試料２０に局所的に熱が加わった場合でも放熱性に優れ、熱膨張に伴う試料の歪みも比較的小さい。なお、室温における熱伝導率とは、測定温度を２２℃から２４℃の範囲内として測定した値であり、室温における熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上とは、この温度範囲内のうち何れかの設定温度で測定した熱伝導率が１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であることを示す。なお、炭化珪素質焼結体は、室温を超える環境においても、熱伝導率を高い値で保持することができ、例えば６００℃以上での用途でも、熱伝導率４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上と比較的高い。

基体３は炭化珪素質焼結体を主成分として構成され、平均結晶粒径が３〜１０μｍの範囲とされている。平均結晶粒径が３μｍ以上であると、炭化珪素質焼結体中の結晶粒子が比較的十分に充填され、焼結体の機械的特性が比較的良好にされる。また、平均結晶粒径が１０μｍ以下のサイズの結晶とすることで、結晶間に存在するボイドの残留を比較的少なくし、例えば、ボイド内のパーティクルの残留を比較的少なくすることもできる。したがって、平均結晶粒径は３〜１０μｍの範囲がよく、好ましくは３〜７μｍの範囲が好ましい。炭化珪素質焼結体は、その密度が３．１６ｇ／ｃｍ^３以上、ヤング率が４３０ＧＰａ以上、比剛性が１２０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上と比較的高く、例えば、基体３の一方主面３ａの平面度も比較的高く（比較的平坦に）されている。また、線膨張係数が室温〜８００℃の範囲で平均して４×１０^−６／℃前後と、単結晶シリコンの熱膨張係数と近い。炭化珪素質焼結体を主成分として構成された基体３は、例えば単結晶シリコンウエハを試料として保持する、半導体製造装置用の試料支持具を構成する部材として好ましいといえる。

円板状をした基体３の一方主面３ａ側には、複数の凹部１１が設けられている。凹部１１は、例えばレーザ加工によって形成することができる。例えば、５００ｎｍ付近にピーク波長を有するレーザ光を基体３の一方主面３ａの所定の位置に照射し、凹部１１の開口に対応する所定範囲において該レーザ光を走査することで、所定の開口面積および深さを有する凹部１１を複数形成すればよい。複数の凹部１１は、各凹部１１の中央付近１１ａにおける深さが、いずれも設定値±１．０μｍの範囲で形成されている。例えば、上記レーザ加工において、複数の所定位置に照射するレーザ光の焦点深度が、何れの所定位置においても略一定となるよう、レーザ光に対して基体３の方を相対移動させて、所定位置に所定深さの凹部１１を形成すればよい。本実施形態の試料支持具１０では、凹部１１の深さは２５０μｍに設定されている。

各凹部１１に嵌合されている支持球１２は、例えばサファイアからなる。各支持球１２は、サファイアが略球形状に研磨されて形成されており、直径方向の長さが、いずれも設定値±１．０μｍ以内とされている。支持球１２として、例えば、ＳＡＮＤＯＺＦＩＬＳＳ．Ａ．社製サファイアボール等を用いることができる。本実施形態の試料支持具１０では、支持球１２の直径の設定値は、例えば４００μｍとされている。

支持球１２を用いることで、試料２０と支持球１２との接触面積は比較的小さく、試料２０に印加される力は比較的小さくされている。また、支持球１２をサファイアで構成することで、支持球１２からの粒界の脱落などによるパーティクルの発生が抑制されている。

また、例えばレーザ加工によって比較的高精度に深さが制御された複数の凹部１１に、比較的高精度に直径方向の長さ精度が制御された支持球１２が配置されており、基体３の一方主面３ａから支持球１２の頂部１２ａまでの高さｄは、複数の凹部１１に対応する部部分いずれでも比較的高精度に制御されている。このため、加熱装置１では、基体３の一方主面３ａからの伝熱の程度が、試料２０の表面全体において、比較的高い精度で均一とされている。本実施形態の試料支持具では、複数の凹部１１に対応する部分のいずれにおいても、上記距離ｄが１５０μｍ±２μｍと、比較的高い精度で均一にされている。

なお、支持球１２の半径は凹部１１の深さより小さい。すなわち、支持球１２の中心位置は、基体３の一方主面３ａに比べて、より他方主面３ｂの側に位置している。これにより、支持球１２の凹部１１からの離脱が、より確実に抑制されている。

また、試料支持具１０では、基体３と支持球１２とが、酸化珪素などのガラスを主成分とする接合材１３によって接合されている。このため、基体３が昇温した場合においても、接合材１３からの溶媒等の不純物の流出が比較的少ない。

図３は、本発明の試料支持具の第２の実施形態である、試料支持具１０´の一部を拡大して示す断面図である。図３では、第１の実施形態の試料支持具１０と同様の部位については、図１で用いた符号と同じ符号を用いている。第２の実施形態の試料支持具１０´も、他方主面３ｂの側に例えばタングステン製のヒータ部５が配置され、ヒータ部５が電圧印加部５２と接続している。

第２の実施形態の試料支持具１０´も、円板状をした基体３の一方主面３ａ側に、サファイア等の単結晶からなる複数の支持球１２が配置されて構成されている。より具体的には、円板状をした基体３の一方主面３ａ側に複数の凹部１１が設けられており、各凹部１１にサファイアからなる支持球１２が嵌合されている。

第２の実施形態では、支持球１２が、凹部１１の開口１３の周縁部１１ｂと当接し、小部１１の底面１１ａと支持球１２とは離間している。第２の実施形態では、支持球１２の少なくとも一部と凹部１１の内面とが、例えばガラスを主成分とする接合剤１３によって接合されている。第２の実施形態の試料支持具１０´の基体３も、例えば炭化珪素、窒化アルミ等を主成分とする焼結体から形成すればよく、炭化珪素質焼結体からなることが好ましい。

第２の実施形態の試料支持具１０´においても、円板状をした基体３の一方主面３ａ側には、複数の凹部１１が設けられている。第２の実施形態の凹部１１は、例えば、レーザ加工によって形成することができる。例えば、５００ｎｍ付近にピーク波長を有するレーザ光を基体３の一方主面３ａの所定の位置に照射し、凹部１１の開口に対応する所定範囲において該レーザ光を走査することで、所定の大きさの開口１３および深さを有する凹部１１を複数形成すればよい。

第２の実施形態においては、複数の凹部１１の開口１３の大きさが、比較的高精度に制御されている。例えば、開口１３は略円形状に形成され、直径長さが設定値±１．０μｍの範囲で形成されている。例えば、上記レーザ加工において、複数の所定位置に照射するレーザ光の焦点深度が、何れの所定位置においても略一定となるよう、レーザ光に対して基体３の方を相対移動させて、所定位置に所定形状の開口１３を有する凹部１１を形成すればよい。

第２の実施形態の試料支持具１０´では、例えば凹部１１の開口１３の直径が３５０μｍ±１．０μｍに設定されている。

また、例えばレーザ加工によって開口１３の大きさが比較的高精度に制御された複数の凹部１１に、比較的高精度に直径方向の長さ精度が制御された支持球１２が配置されており、基体３の一方主面３ａから支持球１２の頂部１２ａまでの高さｄは、複数の凹部１１に対応する部部分いずれでも比較的高精度に制御されている。このため、第２の実施形態の試料支持具１０´を用いて構成される加熱装置１でも、基体３の一方主面３ａからの伝熱の程度が、試料２０の表面全体において、比較的高い精度で均一とされている。本実施形態の試料支持具では、複数の凹部１１に対応する部分のいずれにおいても、上記距離ｄが設定値±２μｍと、比較的高い精度で均一にされている。

また、試料支持具１０´においても、基体３と支持球１２とが、酸化珪素などのガラスを主成分とする接合材１３によって接合されている。このため、基体３が昇温した場合においても、接合材１３からの溶媒等の不純物の流出が比較的少ない。

なお、図３では、開口１３の周縁部１１ｂは断面がエッジ状とされている。本発明において周縁部１１ｂは、図４に示すように面取り形状であってもよい。例えば、上記レーザ加工におけるレーザ強度や、照射距離等を比較的高精度に制御することで、複数の凹部１１それぞれにおける周縁部１１ｂの形状を、高い精度で一致させることができる。また、レーザ加工して凹部を形成した後、開口部に工具を当接して開口部の周縁のエッジを物理的に研削し、面取り形状としてもよい。図４に示すように、開口１３の周縁部１１ｂを面取り形状とした場合も、複数の凹部１１に対応する部位それぞれにおいて、基体３の一方主面３ａから支持球１２の頂部１２ａまでの高さｄを、比較的高い精度で制御することができる。また、周縁部１１ｂを面取り形状とした場合、周縁部１１ｂと支持球１２とが摺接した際に周縁部１１ｂにかかる応力が、より分散される。周縁部１１ｂにかかる応力を分散して、周縁部１１ｂの欠けをより確実に抑制するには、周縁部１１ｂを曲面状とすることが好ましい。

次いで、本発明の試料支持具の製造方法の一実施形態について説明する。以下の説明では、第１の実施形態の試料支持具１０の製造方法の一例について説明する。

まず、基体３を作製する。基体３の作製では、炭化珪素を主成分とする粉末に、添加剤として少なくともホウ素の化合物及び炭素の化合物の粉末を添加し、原料粉末を得る。次いで、この原料粉末を種々の成形方法を用いて成形して成形体を得た後、この成形体を一次焼結させて一次焼結体を得た後、熱間静水圧プレス成形（ＨＩＰ：ＨｏｔＩｓｏｓｔａｔｉｃＰｒｅｓｓｉｎｇ）処理を行う。

より詳細に説明すると、例えば、主成分である炭化珪素粉末に、添加剤としてホウ素成分を成すホウ素の化合物を添加する。かかるホウ素の化合物として、例えば、炭化ホウ素（Ｂ_４Ｃ）や金属ホウ素等、カーボンブラック、グラファイト等、また、熱分解により炭素を生成しうるフェノール樹脂やコールタールピッチ等を用いることができる。これら添加剤の含有量は、原料粉末中の酸素量に依存し、炭化珪素原料中の酸素量１モルに対して０．１５〜３モルのホウ素、１〜５モルの炭素が残る量とすればよい。これらの原料粉末を所定の割合で秤量し、ボールミル等の混合手段により充分に混合した後、この粉末にバインダーを添加し、周知の成形方法、例えば、プレス成形、押出成形、鋳込み成形、冷間静水圧成形等により所望の形状に成形することで成形体を得る。なお、添加剤としてフェノール樹脂等を添加した場合には、６００〜８００℃で成形体を非酸化性雰囲気中で仮焼処理して熱分解することにより炭素を生成することができる。

次に、比較的高い熱伝導率を得るために、前記のようにして得られた成形体を、真空中またはＡｒ等の不活性雰囲気中で、１９００〜２１００℃の比較的低温で一次焼結を行う。一次焼結を比較的低温で実施することで粒成長を抑制できるため、成形体の炭化珪素粒子が粒成長するのを抑制でき、且つ結晶間に存在するボイドが比較的小さくされる。最後に、得られた一次焼結体をＨＩＰ処理する。ＨＩＰ処理は、温度１８００〜２０００℃、１８０ＭＰａ以上の不活性ガス雰囲気にて行うことが好ましい。かかるＨＩＰ処理によって、平均ボイド径が１．５μｍ以下、最大ボイド径が５μｍ以下の炭化珪素質焼結体を得ることができる。なお、一次焼結の温度が１９５０〜２０５０℃の真空雰囲気にて焼成するとともに、前記ＨＩＰ処理の温度が１８５０〜１９５０℃、１９０ＭＰａ以上の不活性ガス雰囲気にて処理することが更に好ましい。また、添加剤として、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＯ_２等のチタンの化合物をチタン換算で２００ｐｐｍ以上、且つ４００ｐｐｍ以下の範囲で添加することが好ましい。

次に、基体３の一方主面３ａを研磨加工する。この研磨では、ポリパラフィン系の研磨油に、ダイヤモンド砥粒（数〜数十μｍの粒径）を混ぜたスラリーを用いて研磨を行う。

次に、基体３ａの主面に、レーザ加工によって凹部１１を形成する。この際、例えば、５００ｎｍ付近にピーク波長を有するレーザ光を基体３の一方主面３ａの所定の位置に照射し、凹部１１の開口に対応する所定範囲において該レーザ光を走査することで、所定の開口面積および深さを有する凹部１１を複数形成する。この際、例えば、上記レーザ加工において、複数の所定位置に照射するレーザ光の焦点深度が、何れの所定位置においても略一定となるよう、レーザ光に対して基体３の方を相対移動させて、所定位置に所定深さの凹部１１を形成すればよい。例えば第１の実施形態の試料支持具１０として、例えばレーザ幅３０μｍのレーザ光を基体３の一方主面３ａに照射し、直径約約４００μｍの略円形の開口を有し、深さが１５０μｍ±１．０μｍの、複数の凹部１１を形成する。

なお、凹部１１を、例えば公知のブラスト加工によって形成してもよい。凹部１１をブラスト加工によって形成する場合、例えばラミネート方式やスピンコータ方式など、公知の手法を用いて、基板３の一方主面３ａにレジスト層を形成する。レジスト層としては、ウレタン系やシリコン系の感光性樹脂など、公知の感光性樹脂を用いればよい。この状態でレジスト層を露光・現像し、一方主面３ａにレジストパターンを形成する。この状態で粒子を吹き付け、基体３の一方主面３ａをブラスト加工する。具体的には、例えば公知のブラスト装置を用い、気体と一緒にノズルから酸化アルミや炭化珪素等の粒子を、レジストパターン６０が形成された基体３の表面に向けて射出する。その際、噴射流量を例えば０．１〜５ｍ^３／min、噴射圧力を例えば０．１〜１．０ＭＰａとすればよい。このブラスト加工により、基体３の一方主面３ａの所定の位置に、所定の開口径および深さを有する凹部１１を形成する。

次に、基体３の一方主面３ａに形成した複数の凹部１１に、例えばサファイアからなる支持球１２を嵌合して配置する。各支持球１２は、サファイアが略球形状に研磨されて形成されており、直径方向の長さが、いずれも４００μｍ±１．０μｍとされている。支持球１２としては、例えば、ＳＡＮＤＯＺＦＩＬＳＳ．Ａ．社製サファイアボールを用いればよい。この際、基体３に形成された凹部１１にガラスペーストや接着剤を塗り込み、支持球１２を挿入して接合する。

例えばガラスペーストからなる接合剤を塗りこむ際、例えば凹部１１の位置のみガラスペーストが透過する様に作られた、例えばＳＵＳ製のスクリーンマスクを用意し、このスクリーンマスクを基体３の一方主面３ａに配置する。この状態で、ガラスペーストをスクリーンマスク上に垂らして、スクレーパ等でマスク一面に広げ、凹部１１内に選択的にガラスペーストを配置する。余ったガラスペーストは、スクリーンマスクと共に除去する。次に、凹部１１に支持球１２を嵌め入れて全体を加熱することでガラスペーストを焼成し、ガラスからなる接合剤１３にて支持球１２を凹部１３内に接合する。この焼成中、基体３の一方主面３ａに対する支持球１２の突出量（図２における距離ｄ）が、複数の支持球１２においてなるべく均一となるよう、複数の支持球１２の頂部１２ａに圧力を印加し、支持球１２と凹部１１の底面１１ａとを当接させておくことが好ましい。

この後、基体３の他方主面３ｂの側に、例えばタングステン製のヒータ部５を接合する。この際、支持球１２と接合している接合材１３に影響を与えないよう、ヒータ部５を接合する為のガラスペーストとして、接合剤１３のガラス点温度よりも低いものを選定することが好ましい。

上記説明では、第１の実施形態の試料支持具１０の製造工程の一例について説明したが、第２の実施形態の試料支持具１０´についても、上記工程に沿って製造することができる。

以上、本発明の試料支持具および加熱装置について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。

本発明の加熱装置の一実施形態である加熱装置１について説明する図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は概略断面図である。本発明の試料支持具の第１の実施形態の一部を拡大して示す断面図である。本発明の試料支持具の第２の実施形態の一部を拡大して示す断面図である。本発明の試料支持具の第２の実施形態の一部を拡大して示す断面図であり、図３に示す形態と異なる例を示す図である。

符号の説明

１加熱装置
３基体
３ａ一方主面
３ｂ下方主面
５ヒータ部
１０試料支持具
１１凹部
１１ａ底面
１２支持球
１２ａ頂面
１５シール壁
１６排気孔
２０試料
５２電圧印加部

Claims

主面上に複数の凹部が設けられた基体と、
前記基体の前記凹部に配された略球形状の支持体と、を備え、
前記支持体は、前記凹部の内側に設けられた接合部材によって前記基体と接合する部位と、前記主面より上方に配置され、試料と当接して前記試料を支持する部位と、を有することを特徴とする試料支持具。
前記支持体の一部は、前記凹部の底面と当接し、
前記支持体の、前記底面との当接部分以外の少なくとも一部と、前記凹部の内面と、が前記接合部材によって接合されていることを特徴とする請求項１記載の試料支持具。
前記支持体の中心は、前記主面よりも前記底面の側に位置することを特徴とする請求項１または２記載の試料支持具。
前記支持体は、前記凹部の開口の周縁部分と当接し、前記凹部の底面と離間して配置されており、
前記支持体の少なくとも一部と前記凹部の内面とが、前記接合部材によって接合されていることを特徴とする請求項１記載の試料支持具。
前記支持体は、サファイアからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の試料支持具。
前記基体は、炭化珪素焼結体からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の試料支持具。
前記凹部は、炭化珪素焼結体がレーザ加工されて形成されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の試料支持具。
請求項１〜７のいずれかに記載の試料支持具と、
前記基体の他方の主面の側に配されて前記基体を加熱する加熱手段と、
を備えることを特徴とする加熱装置。
前記加熱装置は、
前記基体の他方の主面の側に被着された抵抗体層と、
前記抵抗体層に電圧を印加する電圧印加部と、
を備えて構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の加熱装置。