KR101652782B1 - 기판 홀더 및 리소그래피 장치 - Google Patents

기판 홀더 및 리소그래피 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101652782B1
KR101652782B1 KR1020147022756A KR20147022756A KR101652782B1 KR 101652782 B1 KR101652782 B1 KR 101652782B1 KR 1020147022756 A KR1020147022756 A KR 1020147022756A KR 20147022756 A KR20147022756 A KR 20147022756A KR 101652782 B1 KR101652782 B1 KR 101652782B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
thin film
burls
film stack
substrate holder
Prior art date
Application number
KR1020147022756A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140114430A (ko
Inventor
레이몬드 빌헬무스 루이스 라파레
셔드 니콜라스 람베르투스 돈데르스
케이트 니콜라스 텐
니나 블라디미로브나 드지옴키나
요헤쉬 카라데
엘리자베쓰 코리니 로덴버그
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20140114430A publication Critical patent/KR20140114430A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101652782B1 publication Critical patent/KR101652782B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/062—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools involving the connection or repairing of preformed parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/34—Laser welding for purposes other than joining
    • B23K26/342—Build-up welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/18—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine for positioning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70416—2.5D lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/25—Direct deposition of metal particles, e.g. direct metal deposition [DMD] or laser engineered net shaping [LENS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/20—Direct sintering or melting
    • B22F10/28—Powder bed fusion, e.g. selective laser melting [SLM] or electron beam melting [EBM]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F10/00—Additive manufacturing of workpieces or articles from metallic powder
    • B22F10/60—Treatment of workpieces or articles after build-up
    • B22F10/66—Treatment of workpieces or articles after build-up by mechanical means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/25—Process efficiency

Abstract

리소그래피 장치용 기판 홀더(100)는 표면 상에 제공되는 박막 스택(110)을 구비하는 본체부를 갖는다. 박막 스택은 전극, 센서, 히터, 트랜지스터, 또는 논리 소자와 같은 전자 또는 전기 컴포넌트를 형성하고, 상부 격리 층을 갖는다. 기판(W)을 지지하기 위한 복수의 버얼(106)이 박막 스택 상에 형성되거나 박막 스택의 개구부에 형성된다.

Description

기판 홀더 및 리소그래피 장치{SUBSTRATE HOLDER AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}
본 출원은 2012년 2월 3일에 출원된 미국 임시 출원 제61/594,857호, 2012년 4월 9일에 출원된 미국 임시 출원 제61/621,648호, 및 2012년 4월 9일에 출원된 미국 임시 출원 제61/621,660호에 우선권을 주장하고, 이러한 출원의 내용은 원용에 의해 전체로서 본원에 포함된다.
본 발명은 기판 홀더, 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 기판 홀더를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판, 통상적으로 기판의 타겟부 상에 요구되는 패턴을 부여하는 기기이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 이용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클로 지칭되는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선 감응성 재료(레지스트)의 층 상으로 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스텝퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사선 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한 기판 상으로 패턴을 임프린트함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.
비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 액침시켜, 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 간의 공간을 채우는 방안이 제안되었다. 일 구현에서, 액체는 증류수이지만, 다른 액체가 이용될 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 액체를 참조하여 기술될 것이다. 그러나 또다른 유체 특히, 습윤 유체(wetting fluid), 비압축성 유체 및/또는 공기보다 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적합할 수 있다. 가스를 배제한 유체가 특히 바람직하다. 요점은 보다 작은 피처의 이미징이 가능해진다는 것이며, 이는 노광 방사선이 액체에서 보다 짧은 파장을 가질 것이기 때문이다(액체의 효과는 또한 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 또한 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것이라 여겨질 수 있다). 다른 액침액이 제안되었고, 이는 그 안에 부유 고형 입자(예를 들어, 수정)를 갖는 물, 또는 나노 입자 부유물(예를 들어, 10nm 이하의 최대 크기를 갖는 입자)을 갖는 액체를 포함한다. 부유 입자는 이들이 부유하고 있는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있거나 그렇지 않을 수도 있다. 적합할 수 있는 기타 다른 액체는 탄화수소, 예를 들어 방향족, 불화탄화수소, 및/또는 수용액을 포함한다.
통상의 리소그래피 장치에서는, 노광될 기판이 기판 홀더에 의해 지지될 수 있고 기판 홀더는 기판 테이블에 의해 지지된다. 기판 홀더는 종종 크기 및 형상이 기판에 대응하는 평평한 강성의 디스크이다(하지만 상이한 크기 또는 형상을 가질 수도 있음). 이는 적어도 일측으로부터 돌출되는, 버얼 또는 핌플이라고 지칭되는 돌출부의 어레이를 갖는다. 일 실시예에서, 기판 홀더는 서로 반대편인 두 측에 돌출부의 어레이를 갖는다. 이러한 경우, 기판 홀더가 기판 테이블 상에 배치될 때, 기판 홀더의 일측 상에 있는 버얼의 단부가 기판 테이블의 표면 상에 놓이면서 기판 홀더의 본체부는 기판 테이블 위에서 약간의 거리를 두고 홀딩된다. 마찬가지로, 기판이 기판 홀더의 반대 측에 있는 버얼 위에 놓일 때, 기판은 기판 홀더의 본체부로부터 이격된다. 이것의 한 가지 목적은 기판 테이블 또는 기판 홀더 상에 존재할지 모르는 입자(즉, 먼지 입자와 같은 오염 입자)가 기판 홀더 또는 기판을 왜곡시키는 것을 방지하려는 것이다. 버얼의 전체 표면적은 기판 또는 기판 홀더의 전체 면적의 단지 작은 부분이기 때문에, 어떠한 입자든 버얼들 사이에 놓이게 될 가능성이 매우 높고, 그 존재가 어떠한 영향도 미치지 않을 것이다.
고수율 리소그래피 장치의 이용 시에 기판이 겪게 되는 높은 가속도 때문에, 기판을 단순히 기판 홀더의 버얼 상에 놓이도록 하는 것은 충분치 않다. 기판은 제 위치에 클램핑된다. 기판을 제 위치에 클램핑하는 두 가지 방법이 알려져 있다 - 진공 클램핑 및 정전 클램핑. 진공 클램핑의 경우, 기판 홀더와 기판 사이의 공간 및 선택적으로 기판 테이블과 기판 홀더 사이의 공간은, 기판이 그 위의 보다 높은 압력의 가스 또는 액체에 의해 제 위치에 홀딩되도록 부분적으로 배기(evacuate)된다. 그러나 진공 클램핑은, 예를 들어 극자외(EUV) 방사선 리소그래피에 대하여, 빔 경로 및/또는 기판 또는 기판 홀더 근방의 주변 환경이 낮은 압력 또는 매우 낮은 압력으로 유지되는 경우에는 실현가능하지 않을 수 있다. 이러한 경우, 기판을 클램핑 하기 위해 기판(또는 기판 홀더)에 걸쳐 충분히 큰 압력 차이를 발생시키는 것이 가능하지 않을 수 있다. 그러므로 이러한 상황에서는(또는 기타 다른 상황에서) 정전 클램핑이 이용될 수 있다. 정전 클램핑에서는, 기판 테이블 및/또는 기판 홀더 상에 제공되는 전극이 높은 전위, 예컨대 10 내지 5000V 까지 상승되고, 정전력이 기판을 끌어당긴다. 따라서 버얼의 또 다른 목적은 정전 클램핑을 가능하게 하기 위해 기판, 기판 홀더, 및 기판 테이블을 이격시키고자 하는 것이다.
기판 표면에 대한 온도 제어는 특히 액체(예컨대, 물) 기화 영향으로 인한 온도 변화에 민감한 액침 시스템에서 중요하다. 액체의 기화는 기판으로부터 열을 빼앗아 온도 변화를 야기한다. 이러한 온도 변화는 기판에 열 응력을 유발할 수 있고, 결국 오버레이 오차에 영향에 영향을 미칠 수 있다. 온도 제어의 정확성을 높이기 위해, 능동적 가열과 조합하여 온도의 실시간 국소적 측정이 요구된다. 이러한 측정 및 가열 시스템은 시스템 내에, 예를 들어 기판 홀더(즉, 기판을 직접 지지하는 물체) 및/또는 기판 테이블(스테이지의 미러 블럭, 즉 기판 홀더를 지지하고 기판 홀더를 둘러싸는 상면을 제공하는 물체)에 통합된다. 박막 스택이 구조체를 형성하는데 이용될 수 있고, 이는 구조체를 측정 및 가열할 수 있으며 기판 홀더 및/또는 테이블에 통합하기 위한 기회를 제공한다.
예를 들어, 하나 이상의 박막 컴포넌트와 같은 하나 이상의 전자 또는 전기 컴포넌트가 상부에 형성되는 기판 테이블 또는 기판 홀더를 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더가 제공되며, 이러한 기판 홀더는: 표면을 갖는 본체부; 상기 표면 상에 제공되고 전자 또는 전기 컴포넌트를 형성하는 박막 스택; 및 상기 박막 스택 상에 제공되고 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는 복수의 버얼(burl)을 포함한다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 리소그래피 장치가 제공되고, 이러한 장치는: 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 지지 구조체; 상기 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 및 기판 홀더를 홀딩하도록 구성되는 기판 홀더를 포함하며, 이러한 기판 홀더는 본 명세서에서 기술된 바와 같다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조 방법이 제공되며, 이러한 방법은 기판 홀더에 기판을 홀딩하면서 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 상기 기판 상에 투영하는 단계를 포함하고, 상기 기판 홀더는: 표면을 갖는 본체부; 상기 표면 상에 제공되고 전자 또는 전기 컴포넌트를 형성하는 박막 스택; 및 상기 박막 스택 상에 제공되고 상기 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는 복수의 버얼을 포함한다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법이 제공되고, 이러한 방법은: 표면을 갖는 본체부를 제공하는 단계; 상기 본체부의 표면 상에 박막 스택을 형성하는 단계; 및 상기 박막 스택 상에 복수의 버얼을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버얼은 상기 표면으로부터 돌출하며 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는다.
본 발명의 일 양상에 따르면, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법이 제공되며, 이러한 방법은: 표면을 갖는 본체부를 제공하는 단계; 상기 본체부의 표면 상에 박막 스택을 형성하는 단계; 상기 박막 스택에 복수의 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 박막 스택의 개구부에 복수의 버얼을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버얼은 상기 박막 스택으로부터 돌출하며 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는다.
이제 본 발명의 실시예에 대해 첨부된 개략적인 도면을 참조하여 단지 예로서 설명할 것이고, 도면에서는 대응하는 도면 부호가 대응하는 부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸다.
도 2 및 3은 리소그래피 투영 장치에서 이용하기 위한 액체 공급 시스템을 나타낸다.
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 이용하기 위한 추가적인 액체 공급 시스템을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에서 액침액 공급 시스템으로 이용될 수 있는 배리어 부재를 단면도로 나타낸다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 나타낸다.
도 7은 장치(4100)에 대한 보다 세부적인 도면이다.
도 8은 도 6 및 7의 장치의 소스 콜렉터 장치(SO)에 대한 보다 세부적인 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 테이블 및 기판 홀더를 단면도로 나타낸다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 제조하는 방법의 단계를 나타낸다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 제조하는 방법의 단계를 나타낸다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 제조하는 방법의 단계를 나타낸다.
도 13 내지 15는 본 발명의 실시예에 따른 박막 스택을 나타낸다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 정전 클램프를 개략적으로 나타낸다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 또 다른 정전 클램프를 개략적으로 나타낸다.
도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 제조하는 방법의 단계를 나타낸다.
도 19a 내지 19e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 제조하는 방법의 단계를 나타낸다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸다. 장치는 다음을 포함한다:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선, DUV 방사선, 또는 EUV 방사선)을 조절(condition)하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성되는 제 1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)을 홀딩하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치 설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예컨대, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템).
조명 시스템은 방사선을 지향시키거나, 형상화(shape)하거나, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광학 요소, 예를 들어, 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 정전기형 또는 다른 유형의 광학 요소, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 홀딩한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및 다른 조건, 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 홀딩되는지 여부와 같은 조건에 종속되는 방식으로 패터닝 디바이스를 홀딩한다. 지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스를 홀딩하기 위해 기계적, 진공, 정전 또는 다른 클램핑 기술을 이용할 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체(MT)는 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 패터닝 디바이스가 요구되는 위치에 있도록 보장할 수 있다. "레티클" 또는 "마스크"와 같은 용어의 사용은 본원에서 "패터닝 디바이스"라는 보다 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하는 것과 같이, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 장치도 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-반전 특징 또는 이른바 보조 특징(assist feature)을 포함하는 경우 기판의 타겟부에 있어서 요구되는 패턴에 정확히 대응하지 않을 수도 있음에 주목해야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같은, 타겟부에 생성되는 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 및 프로그램가능 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 유형뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 유형들을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러는 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사에 적합하거나 또는 액침액의 이용 또는 진공의 이용과 같은 다른 요인들에 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 유형의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본원에서 용어 "투영 렌즈"의 사용은 보다 일반적인 용어 "투영 시스템"과 동의어로서 간주될 수 있다.
도시된 바와 같이, 장치는 투과형이다(예를 들어, 투과형 마스크를 채용). 대안적으로, 장치는 반사형일 수 있다(예를 들어, 위에서 언급된 것과 같은 유형의 프로그램가능 미러 어레이를 채용하거나 반사형 마스크를 채용).
리소그래피 장치는 둘 이상의 기판 지지 구조체, 예컨대 기판 스테이지 또는 기판 테이블, 및/또는 패터닝 디바이스에 대한 둘 이상의 지지 구조체를 갖는 유형일 수 있다. 다수의 기판 스테이지를 갖는 장치에서는, 모든 기판 스테이지가 동등하고 상호교환가능할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 다수의 기판 스테이지 중 적어도 하나가 특히 노광 단계에 적합하고, 다수의 기판 스테이지가 특히 측정 또는 준비 단계에 적합하다. 본 발명의 일 실시예에서는, 다수의 기판 스테이지 중 하나 이상이 측정 스테이지로 대체된다. 측정 스테이지는 센서 시스템의 타겟 및/또는 센서 검출기와 같은 하나 이상의 센서 시스템을 적어도 부분적으로 포함하지만 기판을 지지하지는 않는다. 측정 스테이지는 패터닝 디바이스에 대한 지지 구조체 또는 기판 스테이지 대신에 투영 빔 내에 놓일 수 있다. 이러한 장치에서는, 추가적인 스테이지가 병렬적으로 이용될 수 있거나, 또는 하나 이상의 스테이지 상에서 준비 단계가 수행되는 동안 하나 이상의 다른 스테이지는 노광용으로 이용될 수 있다.
도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수광한다. 예컨대, 방사선 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사선 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사선 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사선 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사선 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이러한 방사선 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사선 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수도 있다.
조명기(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하기 위한 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 동공면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 조명기는 방사선 빔의 단면에 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하는데 이용될 수 있다. 소스(SO)와 유사하게, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되거나 또는 그렇지 않을 수도 있다. 예를 들어, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 통합된 부품일 수 있거나 리소그래피 장치와는 별개의 구성요소일 수 있다. 후자의 경우, 리소그래피 장치는 조명기(IL)가 그 위에 장착되는 것을 허용하도록 구성될 수 있다. 선택적으로, 조명기(IL)는 탈부착가능하고, 별도로 제공될 수 있다(예를 들어, 리소그래피 장치 제조자 또는 다른 공급자에 의해).
방사선 빔(B)은 지지 구조체(MT)(예를 들어, 마스크 테이블) 상에 홀딩된 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크) 상에 입사되고, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 횡단한 후, 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)를 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 빔을 포커싱한다. 기판(W)은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더에 의해 기판 테이블(WT) 상에 홀딩되며 이에 대해서는 추가로 설명할 것이다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟부(C)를 방사선 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 인출(retrieval) 후에 또는 스캔 동안에, 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키기 위해 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에는 명확히 도시되어 있지 않음)가 이용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조체(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. (스캐너와 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조체(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟부를 점하고 있지만, 이들 마크들은 타겟부 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 마찬가지로, 패터닝 디바이스(MA) 상에 둘 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 중 적어도 하나의 모드로 이용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지하면서, 방사선 빔에 부여된 패턴 전체를 한 번에 타겟부(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 정지 노광에서 이미징된 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서는, 지지 구조체(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여된 패턴을 타겟부(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광에서 타겟부(C)의 폭(비-스캐닝 방향)을 제한하는 한편, 스캐닝 이동의 길이는 타겟부의 높이(스캐닝 방향)를 결정한다.
3. 또다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스를 홀딩하는 지지 구조체(MT)를 실질적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사선 빔에 부여된 패턴을 타겟부(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스형 방사선 소스가 채용되고, 프로그램가능 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사선 펄스들의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 본원에서 언급된 것과 같은 유형의 프로그램가능 미러 어레이와 같은 프로그램가능 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들도 채용될 수 있다.
많은 리소그래피 장치에서는, 유체, 특히 액체가 액체 공급 시스템(IH)을 이용하여 투영 시스템의 최종 엘리먼트와의 사이에 제공되어, 보다 작은 피처의 이미징을 가능하게 하고 및/또는 장치의 유효 NA를 높이게 된다. 본 발명의 일 실시예는 이러한 액침 장치를 참조하여 이하에서 추가로 설명되지만, 비-액침 장치에서도 마찬가지로 구현될 수 있다. 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 사이에 액체를 제공하기 위한 구성은 적어도 두 가지 일반적인 카테고리로 분류될 수 있다. 이들은 배스(bath) 유형 구성 및 이른바 국소적(localized) 액침 시스템이다. 배스 유형 구성에서는 실질적으로 기판 전체 및 선택적으로 기판 테이블의 일부를 액체 배스에 담근다. 국소적 액침 시스템은 액체가 기판의 국소 영역에만 제공되는 액체 공급 시스템을 이용한다. 후자의 카테고리의 경우, 액체에 의해 채워지는 공간은 평면적으로 기판의 상부 표면보다 작고, 기판이 이러한 영역 아래에서 이동하는 동안 액체로 채워지는 영역은 투영 시스템에 대하여 실질적으로 고정된 채 남아 있는다. 본 발명의 실시예가 관련되는 다른 구성은 액체가 한정되지 않는 완전 습식 솔루션이다. 이러한 구성에서는, 기판의 전체 상부 표면 및 기판 테이블의 모두 또는 일부가 액침액에 덮힌다. 적어도 기판을 덮고 있는 액체의 깊이는 작다. 액체는 기판 상에서 액체의 막, 예를 들어 박막일 수 있다.
국소적 액체 공급 시스템의 네 가지 상이한 유형이 도 2 내지 5에 도시되어 있다. 도 2-5의 액체 공급 디바이스 중 임의의 것이 비한정 시스템에서 이용될 수 있다; 그러나 국소 영역에만 액체를 밀봉하기 위한 밀봉 요소가 존재하지 않거나, 활성화되지 않거나, 통상적인 것보다 효율적이지 않거나, 또는 효과적이지 못하다.
국소적 액침 시스템을 위해 제안된 한 가지 구성은 액체 한정 시스템을 이용하여 액체 공급 시스템이 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 사이에 기판의 국소적인 영역에만 액체를 공급하는 것이다(기판은 일반적으로 투영 시스템의 최종 엘리먼트보다 큰 표면적을 갖는다). 이를 마련하기 위해 제안된 한 가지 방법은 PCT 특허 출원 공개 WO 99/49504에 개시되어 있다. 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 액체는 적어도 하나의 유입구에 의해, 바람직하게는 최종 엘리먼트에 대한 기판의 이동 방향을 따라 기판 상에 공급되고, 투영 시스템 하에서 통과한 후 적어도 하나의 유출구에 의해 제거된다. 즉, 기판이 -X 방향으로 최종 엘리먼트 아래에서 스캐닝될 때, 액체는 엘리먼트의 +X 측에서 공급되고 -X 측에서 제거된다.
도 2는 액체가 유입구를 통해 공급되어 저압 소스에 연결된 유출구에 의해 최종 엘리먼트의 다른 측에서 제거되는 구성을 개략적으로 나타낸다. 기판(W) 위의 화살표는 액체 흐름의 방향을 나타내고, 기판(W) 아래의 화살표는 기판 테이블의 이동 방향을 나타낸다. 도 2의 도시에서, 액체는 최종 엘리먼트에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이럴 필요는 없다. 최종 엘리먼트 주위에 배치되는 다양한 방향 및 다양한 수의 유입구 및 유출구가 가능하고, 일례가 도 3에 도시되어 있으며 여기서는 양측에 유출구를 가진 유입구의 4개의 세트가 최종 엘리먼트 주위에 일정한 패턴으로 제공된다. 액체 공급 및 액체 회수 디바이스에서 화살표는 액체 흐름의 방향을 나타낸다.
국소적 액체 공급 시스템을 이용하는 추가적인 액침 리소그래피 솔루션이 도 4에 도시되어 있다. 액체는 투영 시스템(PS)의 양측에서 2개의 그루브 유입구에 의해 공급되고, 이러한 유입구의 반경방향 외측으로 배열된 복수의 불연속적인 유출구에 의해 제거된다. 유입구 및 유출구는 중심에 홀을 가지고 투영 빔이 투영되는 플레이트에 배열될 수 있다. 액체는 투영 시스템(PS)의 일측에서 하나의 그루브 유입구에 의해 공급되고 투영 시스템(PS)의 나머지 측에서 복수의 불연속적 유출구에 의해 제거되어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 사이에 액체의 박막 흐름을 유발한다. 어느 유입구 및 유출구의 조합을 사용할지 선택하는 것은 기판(W)의 이동 방향에 따라 다를 수 있다(유입구 및 유출구의 나머지 조합은 비활성상태임). 도 4의 단면도에서, 화살표는 유입구로의 액체 흐름 방향 및 유출구로부터의 액체 흐름 방향을 나타낸다.
제안된 또다른 구성은 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 테이블 간의 공간 경계 중 적어도 일부를 따라 연장되는 액체 한정 구조를 갖는 액체 공급 시스템을 제공하는 것이다. 이러한 구성은 도 5에 도시되어 있다. 액체 한정 부재는 XY 평면에서 투영 시스템에 대해 실질적으로 고정되어 있지만, Z 방향으로는 약간의 상대적인 이동이 있을 수 있다(광축 방향). 액체 한정 부재와 기판의 표면 사이에 밀봉이 형성된다. 일 실시예에서, 액체 한정 부재와 기판의 표면 사이에 밀봉이 형성되고, 이는 가스 밀봉과 같은 비접촉 밀봉일 수 있다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 US2004-0207824에 개시되어 있다.
유체 핸들링 구조(12)는 액체 한정 부재를 포함하며, 투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트와 기판(W) 사이의 공간(11)에 액체를 적어도 부분적으로 포함한다. 기판(W)에 대한 비접촉 밀봉(16)은 투영 시스템의 이미지 필드 주위에 형성되어, 기판(W) 표면과 투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트 사이의 공간 내에 액체가 한정될 수 있다. 공간은 투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트 아래에 위치되어 이를 둘러싸는 유체 핸들링 구조(12)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 액체는 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템(PS) 아래 및 유체 핸들링 구조(12) 내의 공간으로 도입된다. 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 유체 핸들링 구조(12)는 투영 시스템의 최종 엘리먼트 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨은 액체의 버퍼(buffer of liquid)가 제공되도록 최종 엘리먼트 위로 상승한다. 일 실시예에서, 유체 핸들링 구조(12)는 상단부에서 투영 시스템 또는 이의 최종 엘리먼트의 형상에 밀접하게 부합하는 내측 주변부를 갖고, 예를 들어 이는 원형일 수 있다. 바닥부에서, 내측 주변부는 이미지 필드의 형상에 밀접하게 부합하고, 예를 들어 직사각형이지만, 반드시 그럴 필요는 없다.
일 실시예에서, 액체는 이용 중에 유체 핸들링 구조(12)의 바닥부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 밀봉(16)에 의해 공간(11)에 포함될 수 있다. 가스 밀봉은 가스, 예를 들어 공기, 합성 공기, N2 또는 기타 다른 불활성 가스에 의해 형성된다. 가스 밀봉 내의 가스는 유입구(15)를 통해 유체 핸들링 구조(12)와 기판(W) 사이의 갭에 가압 상태로 제공된다. 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구(15) 상의 과도압력, 유출구(14) 상의 진공 레벨 및 갭의 기하구조는, 액체를 한정하는 내측으로의 고속 가스 흐름(16)이 존재하도록 되어 있다. 유체 핸들링 구조(12)와 기판(W) 간의 액체에 대해 가스가 미치는 힘은 공간(11)에 액체를 포함시킨다. 유입구/유출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형 그루브일 수 있다. 이러한 환형 그루브는 연속 또는 불연속적일 수 있다. 가스의 흐름(16)은 공간(11)에 액체를 포함시키는데 효율적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 US2004-0207824에 개시되어 있다.
도 5의 예는, 임의의 한 시점에 액체가 기판(W)의 상부 표면의 국소적인 영역에만 제공되는 국소 영역 구성이다. 기타 다른 구성도 가능하며, 예를 들면 미국 특허 출원 공개 US2006-0038968에 개시된 바와 같은 단상 추출기 또는 2-상 추출기를 이용하는 유체 핸들링 시스템이 포함된다.
가능한 또 다른 구성은 가스 드래그 원리(gas drag principle)를 이용하는 구성이다. 소위 가스 드래그 원리는 예컨대 미국 공개 특허 번호 US 2008-0212046, US 2009-0279060 및 US 2009-0279062에 개시되어 있다. 이러한 시스템에서는 추출 구멍이 바람직하게는 모서리를 갖는 형상으로 배열된다. 모서리는 스텝핑 또는 스캐닝 방향과 정렬될 수 있다. 이는 2개의 배출구가 스캔 방향에 직각으로 정렬된 유체 핸들링 구조에 비하여 스텝 또는 스캔 방향으로 주어진 속도에 대하여 유체 핸들링 구조의 표면에 있는 2개의 개구부 사이의 메니스커스에 미치는 힘을 감소시킨다.
메인 액체 회수 피처의 반경방향 외측에 배치되는 가스 나이프 또한 US 2008/0212046에 개시되어 있다. 가스 나이프는 메인 액체 회수 피처를 지나는 임의의 액체를 포획한다. 이러한 가스 나이프는 (US2008-0212046에 개시된 바와 같은) 이른바 가스 드래그 원리 구성에, (예를 들면, 미국 특허 출원 공개 US2009-0262318에 개시된 바와 같은) 단상 또는 2-상 추출기 구성에, 또는 임의의 기타 다른 구성에 존재할 수 있다.
임의의 다른 유형의 액체 공급 시스템도 가능하다. 본 발명은 어떠한 특정 유형의 액체 공급 시스템으로 제한되지 않으며, 액침 리소그래피에 제한되지도 않는다. 본 발명은 임의의 리소그래피에 동등하게 적용가능하다. EUV 리소그래피 장치에서는, 빔 경로가 실질적으로 비워지고, 위에서 기술된 액침 구성이 이용되지 않는다.
도 1에 도시된 제어 시스템(500)은 리소그래피 장치의 전체적인 동작을 제어하며, 특히 이하 추가로 기술되는 최적화 프로세스를 수행한다. 제어 시스템(500)은 중앙 처리 장치, 그리고 휘발성 및 비휘발성 저장소를 포함하는, 적절히 프로그램된 범용 컴퓨터로 구현될 수 있다. 선택적으로, 제어 시스템은 키보드 및 스크린과 같은 하나 이상의 입출력 디바이스, 리소그래피 장치의 다양한 부분에 대한 하나 이상의 연결 및/또는 하나 이상의 인터페이스를 더 포함할 수 있다. 제어 컴퓨터와 리소그래피 장치 사이의 일대일 관계는 필수적인 것이 아님을 인식해야 한다. 본 발명의 일 실시예에서, 하나의 컴퓨터가 다수의 리소그래피 장치를 제어할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 다수의 네트워킹 컴퓨터가 하나의 리소그래피 장치를 제어하는데 이용될 수 있다. 제어 시스템(500)은 또한, 리소그래피 장치가 일부를 형성하는 리소셀 또는 클러스터에서 하나 이상의 연관된 프로세스 디바이스 및 기판 핸들링 디바이스를 제어하도록 구성될 수도 있다. 제어 시스템(500)은 또한, 리소셀 또는 클러스터의 감독 제어 시스템 및/또는 팹(fab)의 전체 제어 시스템에 종속되도록 구성될 수도 있다.
도 6은 소스 콜렉터 장치(SO)를 포함하는 EUV 리소그래피 장치(4100)를 개략적으로 나타낸다. 장치는 다음을 포함한다:
- 방사선 빔(B)(예컨대, EUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(EIL);
- 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크 또는 레티클)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치 설정하도록 구성되는 제1 위치 설정기(PM)에 연결되는 지지 구조체(예컨대, 마스크 테이블);
기판(예컨대, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 홀딩하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치 설정하도록 구성되는 제2 위치 설정기(PW)에 연결되는 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들면, 하나 이상의 다이를 포함) 상으로 투영하도록 구성되는 투영 시스템(예컨대, 반사형 투영 시스템)(PS).
EUV 리소그래피 장치의 이러한 기본적인 컴포넌트는 도 1의 리소그래피 장치의 대응 컴포넌트와 기능이 유사하다. 이하의 설명은 주로 차이가 있는 부분을 다룰 것이고, 동일한 컴포넌트의 양상에 대한 중복되는 설명은 생략될 것이다.
EUV 리소그래피 장치에서는, 가스가 지나치게 많은 방사선을 흡수할 수 있으므로 진공 또는 저압 환경을 이용하는 것이 바람직하다. 그러므로 진공 벽 및 하나 이상의 진공 펌프를 이용하여 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
도 6을 참조하면, EUV 조명기(EIL)는 소스 콜렉터 장치(SO)로부터 극자외 방사선 빔을 수광한다. EUV 방사선을 생성하기 위한 방법은, EUV 범위에 하나 이상의 방출선을 갖는 적어도 하나의 원소, 예를 들어 제논, 리튬 또는 주석을 포함하는 물질을 플라즈마 상태로 변환하는 것을 포함하지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 종종 레이저 생성 플라즈마("LPP")라 지칭되는 이러한 한 방법에서, 플라즈마는 예를 들어 원하는 선-방출 원소를 갖는 물질의 액적, 스트림 또는 클러스터와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사(irradiate)함으로써 생성될 수 있다. 소스 콜렉터 장치(SO)는 연료를 여기하는 레이저 빔을 제공하기 위한 레이저(도 6에는 미도시)를 포함하는 EUV 방사선 시스템의 일부일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들면 EUV 방사선을 방출하고, 이러한 방사선은 소스 콜렉터 장치에 배치되는 방사선 콜렉터를 이용하여 집광된다. 레이저 및 소스 콜렉터 장치는, 예컨대 연료 여기를 위해 레이저 빔을 제공하는데 CO2 레이저가 이용되는 경우 별개의 구성요소일 수 있다.
이러한 경우, 레이저는 리소그래피 장치의 일부를 구성하지 않는 것으로 간주되며, 방사선 빔은 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기를 포함하는 빔 전달 시스템을 이용하여 레이저로부터 소스 콜렉터 장치로 전달된다. 기타 다른 경우에서는, 예를 들어 소스가 종종 DPP 소스라 지칭되는 방전 생성 플라즈마 EUV 생성기인 경우, 소스는 소스 콜렉터 장치의 일체형 부분일 수 있다.
EUV 조명기(EIL)는 방사선 빔(EB)의 각도 세기 분포를 조정하기 위한 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기의 동공면에서의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 부가적으로, EUV 조명기(EIL)는 다측면(facetted) 필드 및 동공 미러 디바이스와 같은 다양한 기타 다른 컴포넌트를 포함할 수 있다. EUV 조명기(EIL)는 방사선 빔의 단면에 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔(EB)을 조절하는데 이용될 수 있다.
방사선 빔(EB)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 홀딩되는 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크)(MA) 상에 입사되고, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후에, 방사선 빔(EB)은 투영 시스템(PS)을 통과하고, 이러한 투영 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟부(C) 상에 포커싱한다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)(예를 들면, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟부(C)를 방사선 빔(EB)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 방사선 빔(EB)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크)(MA)를 정확하게 위치시키기 위해 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(PS1)가 이용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예컨대, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 도 1의 장치와 동일한 모드로 이용될 수 있다.
도 7은 소스 콜렉터 장치(SO), EUV 조명 시스템(EIL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 EUV 장치(4100)를 보다 상세히 나타낸다. 소스 콜렉터 장치(SO)는 진공 환경이 소스 콜렉터 장치(SO)의 밀폐 구조(4220) 내에 유지될 수 있도록 구성되고 배열된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(4210)는 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 가스 또는 증기, 예컨대 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있고, 여기서 플라즈마(4210)는 전자기 스펙트럼의 EUV 범위에서 방사선을 방출하도록 생성된다. 플라즈마(4210)는, 예를 들어 적어도 부분적으로 전리 플라즈마를 유발하는 전기 방전에 의해 생성된다. 예를 들어, 10 Pa의 Xe, Li, Sn 증기 또는 임의의 기타 다른 적합한 가스 또는 증기의 부분압이 방사선의 효율적인 생성을 위해 요구될 수 있다. 일 실시예에서, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.
플라즈마(4210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(4211)의 개구부에 또는 이러한 개구부 후방에 위치된 선택적인 가스 배리어 및/또는 오염물 트랩(4230)(일부 경우 오염물 배리어 또는 호일 트랩이라고도 지칭됨)을 거쳐 소스 챔버(4211)로부터 콜렉터 챔버(4212)로 전달된다. 오염물 트랩(4230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 오염물 트랩(4230)은 또한 가스 배리어 또는 가스 배리어 및 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 본원에서 추가적으로 언급되는 오염물 트랩 또는 오염물 배리어(4230)는 적어도 기술분야에서 공지된 바와 같이 채널 구조체를 포함한다.
콜렉터 챔버(4212)는 이른바 접선 입사 콜렉터일 수 있는 방사선 콜렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 콜렉터(CO)는 상류 방사선 콜렉터 측(4251) 및 하류 방사선 콜렉터 측(4252)을 갖는다. 콜렉터(CO)를 횡단하는 방사선은 가상의 소스 포인트(IF)에서 포커싱되도록 격자 스펙트럼 필터(4240)에 의해 반사될 수 있다. 가상의 소스 포인트(IF)는 통상 중간 초점으로 지칭되고, 소스 콜렉터 장치는 중간 초점(IF)이 밀폐 구조(4220)의 개구부(4221)에 또는 이러한 개구부 근방에 위치하도록 배열된다. 가상의 소스 포인트(IF)는 방사선 방출 플라즈마(4210)의 이미지이다.
이후 방사선은 조명 시스템(IL)을 횡단하고, 이러한 조명 시스템은 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 빔(421)의 원하는 각도 분포를 제공하고 패터닝 디바이스(MA)에서 방사선 세기의 원하는 균일성을 제공하도록 구성되는 다측면 필드 미러 디바이스(422) 및 다측면 동공 미러 디바이스(424)를 포함할 수 있다. 방사선 빔(421)이 지지 구조체(MT)에 의해 홀딩되는 패터닝 디바이스(MA)에서 반사될 때, 패터닝된 빔(426)이 형성되고 이러한 패터닝된 빔(426)은 투영 시스템(PS)에 의해 반사형 엘리먼트(428, 430)를 통해, 기판 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 홀딩되는 기판(W) 상에 이미징된다.
일반적으로, 도시된 것보다 많은 엘리먼트가 조명 광학 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS)에 존재할 수 있다. 리소그래피 장치의 유형에 따라 격자 스펙트럼 필터(4240)가 선택적으로 존재할 수 있다. 도면에 도시된 것보다 많은 미러가 존재할 수 있고, 예를 들어 도 7에 도시된 것보다 많은 1개 내지 6개의 추가적인 반사형 엘리먼트가 투영 시스템(PS)에 존재할 수 있다.
도 7에 예시된 바와 같이, 콜렉터 광학기기(CO)는 단지 콜렉터(또는 콜렉터 미러)의 일례로서 접선 입사 반사체(4253, 4254, 4255)를 갖는 내포형(nested) 콜렉터로 도시된다. 접선 입사 반사체(4253, 4254, 4255)는 광축(O) 둘레로 축방향 대칭을 이루며 배치되고, 이러한 유형의 콜렉터 광학기기(CO)는 바람직하게는, 종종 DPP 소스라 지칭되는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합되어 이용된다.
대안으로서, 소스 콜렉터 장치(SO)는 도 8에 도시된 바와 같은 LPP 방사선 시스템의 일부일 수 있다. 레이저(LA)는 레이저 에너지를 제논(Xe), 주석(Sn) 또는 리튬(Li)과 같은 연료에 침적(deposit)하여 수십 eV의 전자 온도를 갖는 고도의 전리 플라즈마(210)를 생성하도록 구성된다. 이러한 이온의 하방-천이(de-excite) 및 재조합 동안 생성되는 고에너지 방사선이 플라즈마로부터 방출되어, 근사 수직 입사 콜렉터 광학기기(CO)에 의해 집광되고 밀폐 구조(4220)의 개구부(4221) 상으로 포커싱된다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 나타낸다. 기판 홀더는 기판 테이블(WT)의 리세스 내에 홀딩될 수 있고, 기판(W)을 지지한다. 기판 홀더(100)의 본체부는 평판 형태, 예를 들어 형상과 크기가 기판(W)에 실질적으로 대응하는 디스크 형태를 가진다. 적어도 상부측에, 일 실시예에서는 양측에, 기판 홀더는 통상적으로 버얼이라 지칭되는 돌출부(106)를 갖는다. 일 실시예에서, 기판 홀더는 기판 테이블의 일체형 부분이고, 하부 표면 상에 버얼을 갖지 않는다. 이러한 버얼은 도 9에서 축척대로 도시되지는 않았다.
실제적인 실시예에서는, 수백 또는 수천의 버얼, 예컨대 10,000개 이상 또는 40,000개 이상의 버얼이, 예를 들어 200mm, 300mm, 또는 450mm 폭(예컨대, 지름)을 갖는 기판 홀더에 걸쳐 분산될 수 있다. 버얼의 팁은 예를 들어 1㎟ 미만의 작은 면적을 갖는다. 이와 같이 기판 홀더(100)의 일측에 있는 모든 버얼의 전체 면적은 기판 홀더의 전체 표면 영역의 전체 면적의 약 10% 미만, 예를 들어 1 내지 3%이다. 버얼 배열 때문에, 기판, 기판 홀더 또는 기판 테이블의 표면에 놓일 수 있는 임의의 입자가 버얼들 사이로 떨어져 기판 또는 기판 홀더의 변형을 초래하지 않을 가능성이 높다.
버얼 배열은 패턴을 형성하고 및/또는 주기적인 배열을 가질 수 있다. 버얼 배열은 규칙적일 수 있거나, 기판(W) 및 기판 테이블(WT) 상에 미치는 힘이 적절히 분배되도록 필요에 따라 변화할 수 있다. 버얼은 평면적으로 임의의 형상을 가질 수 있지만 통상 평면적으로 원형이다. 버얼은 높이를 통해 동일한 형상 및 치수를 가질 수 있지만 통상적으로 테이퍼형이다. 버얼이 기판 홀더(100)의 본체부(100a)의 표면의 나머지로부터 돌출하는 거리는, 기판 홀더(100)의 본체부(100a)의 표면의 나머지로부터 약 1㎛ 내지 약 5mm, 바람직하게는 약 5㎛ 내지 약 250㎛이다. 기판 홀더(100)의 본체부(100a)의 두께는 약 1mm 내지 약 50mm의 범위, 바람직하게는 약 5mm 내지 20mm의 범위, 통상적으로 10mm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 기판 홀더(100)의 상부면은 박막 스택의 형성 및 버얼 배열을 위해 평활하고 평평한 초기 표면이다. 일 실시예에서, 기판 홀더(100)의 상부면은 평활한 표면을 형성하도록 연마된다. 일 실시예에서는, 원용에 의해 전체로서 본원에 포함되는, 2011년 12월 16일에 출원된 미국 임시 특허 출원 US 61/576,627에 기술된 바와 같이, 본원에서 기술된 박막 층을 도포하기 전에, 박막 층이 확실히 도포될 수 있는 표면을 제공하기 위해 기판 홀더(100)의 표면을 평활화하기 위한 하나 이상의 기술이 적용될 수 있다. 원용에 의해 전체로서 본원에 포함되는, 2011년 12월 12일에 출원된 미국 특허 출원 US 13/323,520을 또한 참조하면, 이러한 표면 위에 평탄화 층을 도포하는 것을 다루고 있다. 일 실시예에서, 본원에서 기술된 바와 같은 버얼 형성 전에 평탄화(예를 들면, 평탄화 층을 갖거나 연마 등)는 필수적인 것이 아니다. 본 발명의 일 실시예는, 예를 들어 기판 지지체와 통합되는 버얼을 형성하기 위해 재료 제거 공정 중에 러핑되는(roughed) 거친 표면을 평활화하도록 평탄화가 이용되었을 가능성이 있는 경우, 평탄화의 필요성이 배제된다. 본 발명의 일 실시예는 버얼이 직접 증착되는 비코팅 평활 평면 대상물을 이용할 수 있다. 표면은 평면이거나 일 실시예에서 버얼 제조 전에 연마될 수 있으므로 평활할 수 있다.
기판 홀더 표면은 예를 들어 SiC, SiSiC, 제로뒤르(Zerodur), 코디어라이트(Cordierite), 또는 기타 다른 적합한 특정 세라믹 또는 유리-세라믹 재료로 형성될 수 있다. 그 다음에 격리 층이 박막으로 기판 홀더 표면 상에 증착된다. 격리 층은 임의의 적합한 절연체일 수 있다. 그 다음에 도전성 패턴, 예를 들어 금속 패턴이 격리 층 상에 증착된다. 금속 패턴은 예를 들어, 하나 이상의 박막 온도 센서 및/또는 히터를 포함할 수 있고, 및/또는 박막 정전 클램프를 포함할 수 있다. 도전성 패턴은 예를 들어 리소그래피 및 에칭, 잉크젯 프린팅 또는 기타 다른 임의의 적합한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 그 다음 격리 층은 도전성 패턴 상에 박막으로 증착되고, 이에 의해 격리 재료의 평활한 층을 제공하게 된다. 이에 이어서, 버얼을 형성하는데 이용되는 재료가 격리 층 상에 제공된다. 버얼 재료는 패터닝되고 에칭되어(예를 들어 리소그래피 및 에칭 기술을 이용), 원하는 배열 또는 패턴으로 버얼의 세트를 형성하게 된다. 버얼을 형성하는 추가적인 방법에 대해 이하 설명할 것이다. 버얼을 형성하기 위한 다양한 방법이 이용될 수 있다. 일반적으로, 버얼의 형성 방식은 완성된 기판 홀더의 적합한 검사에 의해 결정될 수 있다.
상기 방법은, 하나 이상의 박막 온도 센서 및/또는 히터 및/또는 정전 클램프를 위한 막을 제공하고 부가적으로 다층 구조로서 일체화된 방식으로 기판 홀더 상에 버얼을 제공하는데 이용될 수 있다. 이러한 방법은 다음의 이유 중 적어도 하나의 이유로 인해 유리할 수 있다.
이러한 방법에 의하면, 버얼을 형성하기 위해 블랭크로부터 재료를 제거할 필요가 없어지고, 따라서 박막 스택의 형성을 위해 평평한 표면을 형성하도록 평탄화 층을 제공하는 것이 필요하지 않을 수도 있다. 이러한 층들은 기판 홀더(100)의 평활한 초기 표면 상에 도포된다.
증착된 층의 두께는 증착 중에 양호하게 제어된다. 따라서, 하나 이상의 센서 및/또는 히터를 갖는 실시예에서, 박막 온도 센서 및/또는 히터와 기판(W) 사이의 간격은 양호하게 제어되고 일관된다. 이는 박막 온도 센서에 의해 온도가 정확히 측정될 수 있음을 의미한다.
이러한 방법에 의하면, 기판 홀더/테이블의 표면에 걸쳐 박막 온도 센서가 제공될 수 있다. 그러므로, 기판(W)의 온도는 기판(W)에 걸쳐 복수의 위치에서 측정될 수 있다. 박막 히터에 대해 유사한 장점이 존재할 수 있고, 다시 말해서 기판(W)에 걸쳐 복수의 위치에서 가열을 제공하는데 이용될 수 있다. 그러므로, 이들은 기존 히터보다 더 정확한 가열을 제공할 수 있다. 박막 센서 및 박막 히터의 조합에 의해 기판 온도의 실시간 측정 및 제어를 달성할 수 있다.
정전 클램프를 갖는 실시예에서는, 정전 클램프에 의해 가해지는 클램핑 힘이 (정전 클램프와 기판 사이의 간격이 덜 양호하게 제어되는 경우 가해지게 될 힘에 비해) 더 일관적으로 유지되도록 박막 정전 클램프와 기판 사이의 간격이 양호하게 제어되고 일관된다. 이는, 기판에 가해지는 클램핑 힘의 불균일이 기판에 왜곡을 초래할 수 있으므로, 클램핑 힘의 불균일을 피해야 하기 때문에 유리하다.
이른바 핀홀 또는 크랙, 예를 들면 전위(dislocation)라 알려져 있는 박막의 결정질 구조에서의 틈(break)이 박막 층, 예컨대 정전 클램프의 격리 층에서 생길 수 있다. 이러한 결함은 박막 스택에서 컴포넌트의 감소된 성능 또는 파손을 유발할 수 있고, 예를 들면 불량한 격리 상태를 초래할 수 있다. 일 실시예에서는, 격리 층을 함께 적층되는 여러 개의 얇은 층들로 제공함으로써, 특정 격리 층의 핀홀 또는 크랙이 다음 격리 층이 증착될 때 적어도 부분적으로 채워지도록 함으로써 이러한 문제를 유리하게 피할 수 있다. 하나의 층의 결함이 다음 층의 결함과 겹칠 확률은 작다.
유리하게도, 버얼은 특히 상이한 버얼의 높이 간의 변화가 매우 작도록 매우 일관된 치수로 형성될 수 있다. 짧은 버얼이 형성될 수 있다(예를 들면, 20㎛보다 짧거나, 15㎛보다 짧거나, 5㎛보다 짧거나 또는 3㎛보다 짧은 버얼). 짧은 버얼은 기판과 기판 홀더 사이의 열 전달을 높이므로 유리하다. 버얼로부터 멀어지는 방향으로 기판 홀더의 상부와 기판 홀더 상의 기판의 지지 표면 사이의 갭은 보다 큰 높이를 갖는 지지체보다 작다. 이렇게 작은 갭은, 온도 조절 엘리먼트(예컨대, 히터)로부터 지지 표면으로 열 전달을 촉진시킨다. 최소 버얼 높이는 박막 스택의 전체 높이의 변화 및 기판과 기판 홀더의 평평하지 않은 정도에 의해 결정된다. 일 실시예에서, 버얼 높이는 1㎛ 또는 2㎛보다 크거나 같다.
버얼은 0.5mm보다 작거나 같은 폭(예컨대, 지름)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 버얼은 약 250㎛ 내지 약 500㎛ 범위의 폭(예컨대, 지름)을 가질 수 있다. 버얼들 간의 간격은 약 1.5mm 내지 약 3mm이다.
유리하게도, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 박막 스택에서 컴포넌트들의 배열이 버얼의 위치에 의해 제한되지 않을 수 있다. 그러므로, 컴포넌트들이 버얼들 주위에 배치되어야 하는 경우보다, 예를 들면 전기 디바이스의 박막 층이 형성되기 전에 버얼들이 기판 홀더 상에 존재하는 경우보다 제공되는 설계의 자유도가 커질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 버얼을 접지하는 것이 바람직한 경우, 버얼을 접지선에 연결하기 위해 박막 스택의 상부 격리 층에 도전체, 예컨대 비아가 제공될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 하나 이상의 접지선이 박막 스택 위에 제공될 수 있다.
나아가, 본 발명의 일 실시예는 기판 홀더 용도로 보다 넓은 범위의 재료를 이용할 수 있게 한다. 버얼 또는 기판 홀더를 형성하는 이전의 방법에 적합하지 않은 재료가 본 발명의 일 실시예에서 이용될 수 있다. 일 실시예에서, 버얼을 형성하기 위해 용이하게 기계가공될 수 없는 코디어라이트, 낮은 CTE 유리-세라믹과 같은 재료를 이용하는 것이 가능하다. 코디어라이트는 기판 홀더 용도로 약 125 GPa의 높은 영률과 약 3 W/mK의 낮은 열전도율과 같은 양호한 특성을 가진다.
본 발명의 일 실시예에 따라 제조된 기판 홀더는 강건한 제조 방법으로 인하여 긴 사용가능 수명을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예는 바람직한 마모 특성, 예컨대 양호한 내마모성 및 이에 따른 특정 오염물의 낮은 생성도를 나타낼 수 있다. 유리하게도, 본 발명의 일 실시예는 기판 홀더를 코팅할 필요성을 제거할 수 있다.
박막 컴포넌트는 약 2nm 내지 약 100㎛ 범위의 층 두께를 가질 수 있다. 이러한 박막 컴포넌트는 하나 또는 복수의 층을 가질 수 있다. 각각의 층은 화학 기상 증착, 물리 기상 증착(예를 들면, 스퍼터링), 딥 코팅, 스핀 코팅, 및/또는 분무 코팅을 포함하는 공정으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 기판 홀더 상에 형성된 컴포넌트는 박막 스택, 즉 복수의 박막 층들을 포함하는 박막 스택을 포함한다. 이러한 컴포넌트에 대해서 이하 설명할 것이다. 본 명세서에서는 기판 홀더의 상부면 상에 형성된 박막 스택을 언급하고 있지만, 박막 스택은 기판 홀더의 하부면 상에, 또는 기판 홀더 아래의 기판 테이블 상에, 또는 기판 테이블 또는 기판 홀더의 임의의 다른 표면 상에 형성될 수 있고, 여기에는 일체형 기판 홀더 및 기판 테이블의 표면이 포함된다.
기판 테이블 상에 형성되는 전자 또는 전기 컴포넌트에는, 예를 들어 전극, 저항성 히터 및/또는 센서, 예컨대 (비제한적인 목록으로) 변형 센서, 자기 센서, 압력 센서, 용량성 센서 또는 온도 센서가 포함될 수 있다. 기판 홀더 및/또는 기판의 온도를 국소적으로 제어 및/또는 모니터링하여 기판 홀더 또는 기판에서 원치 않는 온도 편차 및 응력 또는 유발된 필요 편차 및 응력을 줄이는데 히터 및 센서가 이용될 수 있다. 바람직하게는, 히터 및 센서가 서로 동일한 영역 상에, 동일한 영역 주위에 및/또는 동일한 영역 위에 형성된다. 기판의 국소 팽창 또는 수축으로 인한 오버레이 오차와 같은 이미징 오차를 줄이거나 제거하기 위해 기판의 온도 및/또는 응력을 제어하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액침 리소그래피 장치에서, 기판 상에서 잔존 액침액(예컨대, 물)이 증발되면 국소적인 냉각을 유발할 수 있고, 액체가 위치하는 표면에 열 부하를 가할 수 있어, 기판의 수축을 초래할 수 있다. 반대로, 노광 중에 투영 빔에 의해 기판에 전달된 에너지는 상당한 가열을 일으켜 기판의 팽창을 유발할 수 있다.
일 실시예에서, 형성되는 컴포넌트는 정전 클램프용 전극이다. 정전 클램핑에서, 기판 테이블 및/또는 기판 홀더 상에 제공되는 전극은 높은 전위, 예컨대 10 내지 5,000 V까지 상승된다. 기판은 접지되거나 플로팅(float)될 수 있다. 전극에 의해 생성되는 전기장에서의 정전력은 기판을 기판 테이블 및/또는 홀더로 끌어당겨 클램핑 힘을 제공하게 된다. 이에 대해서는 이하 추가로 설명한다.
기판 홀더 상의 전기 또는 전자 컴포넌트를 전압원(편의상 미도시)에 연결하기 위해 하나 이상의 전기적 연결이 제공될 수 있다. 이러한 컴포넌트가 정전 클램프인 경우, 기판 상의 전극은 전압원으로의 전기적 연결을 가진다. 컴포넌트가 기판 지지체의 상부면에 있을 수 있다. 전기적 연결의 적어도 일부는, 원용에 의해 전체로서 본원에 포함되는, 2011년 11월 3일 출원된 미국 임시 특허 출원 US 61/555,359에 기술된 바와 같이 기판 지지체의 본체를 통과할 수 있다.
일 실시예에서, 기판(W)의 온도를 제어하기 위해 기판 홀더(100) 및 기판(W)에 필요한 양의 열을 제공하도록 하나 이상의 국소 히터(101)가 제어기(103)에 의해 제어된다. 하나 이상의 온도 센서(102)가 제어기(104)에 연결되고, 이러한 제어기(104)는 기판 홀더(100) 및/또는 기판(W)의 온도를 모니터링한다. 기판의 온도를 국소적으로 제어하기 위해 하나 이상의 히터 및 온도 센서를 이용하는 구성은, 원용에 의해 전체로서 본원에 포함되는, 동시 계류중인 미국 특허 출원 공개 US 2012-0013865에 기술되어 있다. 본원에서 기술되는 구성은 본원에서 기술된 바와 같은 저항성 히터 및 온도 센서를 이용하도록 수정될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 홀더를 형성하기 위한 방법의 단계들(A 내지 F)을 나타낸다. 기판 홀더(100)를 형성하기에 적합한 형상 및 두께를 갖는 평평한 블랭크에서 시작하여(A로 도시됨), 박막 스택(110)이 형성된다(B로 도시됨)(도 9도 참조할 것). 박막 스택은 여러 세부 단계로 형성될 수 있다. 제1 세부 단계는 기판 홀더(100)의 표면 상에 하부 격리 층을 형성하는 것이다. 위에서 언급된 바와 같이, 이는 격리 재료의 여러 박막 층들을 제공하는 것을 포함할 수 있다(예를 들어, 핀홀 및 크랙을 감소 또는 제거하기 위해). 이러한 방법은 하나 이상의 추가적인 층이 형성될 수 있는 표면의 평활도를 유지하고 보장할 수 있다.
제2 세부 단계는 이하 기술하는 바와 같이 하나 이상의 다양하고 상이한 컴포넌트를 형성하는 것이다. 형성된 층은 예를 들어 도전성 재료의 패터닝된 층일 수 있다. 도전성 재료는 금속을 포함하는 것이 바람직하다. 이러한 제2 세부 단계는 그 자체로 일련의 세부 단계, 예를 들면 리소그래피 패터닝 및 에칭을 포함할 수 있다. 패터닝 및 에칭은 층에 하나 이상의 컴포넌트를 형성하도록 층을 패터닝할 수 있다.
제3 세부 단계는 금속 패턴 위에 상부 격리 층을 형성하는 것이다. 패터닝된 도전성 층은 이러한 상부 격리 층에 의해, 상부로부터 부가된 대상물로의 전기적 전도로부터 또는 패터닝된 층의 다른 부분으로의 단락 회로로부터 전기적으로 격리된다. 이 또한, 격리 재료의 여러 박막 층들을 제공하는 것을 포함할 수 있다. 컴포넌트의 복잡성에 따라, 하나 이상의 추가적인 도전성 층 및 격리 층이 도포될 수 있다.
다음으로, C로 도시된 바와 같이, 박막 스택(110) 상에 버얼 형성 재료(111)의 층이 제공된다. 버얼 형성 재료의 층은 방법의 하나 이상의 이후 단계에서 버얼을 형성하도록 패터닝될 것이다. 버얼 형성 재료는 DLC(diamond-like carbon)과 같은 다이아몬드, SiC, SiO2, TiN 및 CrN을 포함하는 군에서 선택될 수 있다. 층(111)으로부터 버얼을 형성하기 위해, D로 도시된 바와 같이, 상부 격리 층 상에 패터닝된 금속 마스크(112)가 형성된다. 이는 금속 층 및 포토 레지스트 증착, 그리고 리소그래피 및 선택적 에칭을 통한 리프트-오프(lift-off)의 조합을 통해서 이루어질 수 있다. 그 다음으로 층(111)은, 예를 들어 금속 마스크(112)를 통해 플라즈마(예를 들면, 산소 및/또는 불소)를 지향시킴으로써 건식 에칭되고, E로 도시된 상태에 이르게 된다. E로 도시된 상태에서, 패터닝된 금속 마스크에 의해 덮이지 않은 버얼 형성 재료(111)의 층의 부분들은 제거, 예를 들면 에칭된다. 박막 스택(110)의 상부, 즉 격리 층의 상부면은 이와 같이 버얼 형성 재료의 층 아래로부터 드러나게 된다. 통상적인 방법에 의해 금속 마스크를 제거하면, F로 도시된 바와 같이 마감된 기판 홀더가 남게 된다. 필요한 경우, 버얼(106) 위에 코팅이 제공될 수 있다. 예를 들어, IBF(ion beam figuring)를 이용하여 버얼의 형상 및/또는 프로파일을 조정 또는 수정하는 것이 가능하다.
기판 홀더를 형성하기 위한 추가적인 방법은 도 11에 도시된 스퍼터링 방법이다. 두 번째 방법은 도 10의 방법과 유사하고, 동일한 단계 A 및 B를 포함한다. 단계 C에서는 네거티브 톤 포토 레지스트(120)가 제공된다. 그 다음에 D에서, 네거티브 톤 포토 레지스트는 레지스트 층에 개구부를 형성하도록 패터닝된다. 이러한 개구부는 버얼이 형성될 위치에 있다(즉, 패터닝된 레지스트(120')가 마스크를 형성). 네거티브 톤 포토 레지스트(120)의 개구부는 박막 스택의 표면, 예를 들어 최외곽 격리 층(110)을 드러낸다. 그 다음에 단계 E에서, 예를 들어 스퍼터링 증착에 의해 버얼 재료(121)가 제공되어, 레지스트 층의 개구부를 채우게 된다. 버얼 재료는 레지스트 층(120) 위에 층을 형성한다. 레지스트 층(120')을 노출시키도록 여분의 버얼 재료는 예컨대 연마에 의해 제거된다. 그 다음에 잔여 레지스트(120')가 제거된다. F에 도시된 바와 같이 버얼 재료가 남아 버얼(106)의 배열을 형성하게 된다. 이러한 방법에서는, 위에서 기술한 방법과 동일한 재료가 버얼을 형성하는데 이용될 수 있다.
기판 홀더를 형성하는 추가적인 방법은 도 12에 도시된 바와 같이 직접 증착을 이용한다. 이러한 방법에서, 단계 A 및 B는 도 10 및/또는 도 11의 방법과 동일하다. 단계 C에서, 기판 홀더/테이블 표면 위에 하드 마스크(130)가 제공된다. 마스크는 박막 스택(110) 상에 형성될 버얼의 원하는 패턴에 네거티브인 개구부를 갖고 패터닝된다. 그 다음에 버얼 재료가 하드 마스크(130)를 통해 공급된다. 버얼 재료는 박막 스택의 표면, 예를 들면 최외곽 격리 층 위에 증착되어, 원하는 버얼 패턴, 예컨대 버얼(160)의 어레이를 갖는 증착물을 형성한다. 이러한 방법에서는, 위에서 기술한 방법과 동일한 재료가 버얼을 형성하는데 이용될 수 있다.
추가적인 방법으로서, 버얼(106)은 기판 홀더의 초기 표면 상에 직접 증착된다. 이는 도 18에 도시되어 있다. 박막 스택(110)의 층은 버얼이 증착되기 전에 기판 홀더(100)의 초기 표면 상에 형성된다. 단계 A 및 B는 도 10, 11, 및/또는 12와 관련하여 기술된 방법과 동일하다. 박막 스택은 초기 표면의 부분들을 드러내기 위해 패턴에 따라 선택적으로 에칭된다. 박막 스택의 선택적 에칭은, 단계 C에서 포토 레지스트 층(140)을 증착한 다음 포토 레지스트를 선택적으로 노광하고 현상함으로써 수행될 수 있다. 이는 단계 D로 도시된 바와 같이 버얼이 형성될 위치에 대응하는 위치에 개구부를 갖는 패터닝된 레지스트 층(140')을 형성한다. 다음 단계인 단계 E는 패터닝된 레지스트 층(140')의 개구부를 통해 박막 스택을 에칭하는 것이다. 그 다음에 단계 F에서 버얼(106)은 박막 스택(110)의 개구부에 형성된다(레지스트 층(140')의 제거 이전 또는 이후에).
이러한 방법에서는 버얼(106)을 형성하기 위해 다양한 프로세스가 이용될 수 있다. 예를 들어, 도 11의 방법 중 단계 D 내지 F, 또는 도 10의 방법 중 단계 C, 또는 도 12의 방법 중 단계 C를 이용할 수 있다. 다른 프로세스로는, 버얼을 형성하기 위한 재료가 층으로 증착되어, 박막 스택을 덮고 박막 스택의 개구부를 채우게 된다. 박막 스택을 덮는 버얼 재료는 예를 들어 마스크를 통한 에칭에 의해 제거된다. 그 다음에 버얼이 형상화될 수 있다. 다른 방법보다 많은 단계를 포함할 수 있지만 이러한 방법은 바람직할 수 있는데, 이는 버얼 재료가 기판 홀더와 유사한 재료(즉, 세라믹) 또는 이와 동일한 재료일 수 있기 때문이다. 유사한 재료는 비유사 재료에 비해 더 견고한 결합을 형성할 가능성이 보다 높다.
도 19A 내지 19E를 참조하여 이하 설명하는 추가적인 방법에서는, 버얼을 형성하기 위해 레이저 소결을 이용한다. 이러한 방법은 기판 홀더의 본체부(400)를 형성하는 요구되는 형상의 평판으로 시작한다. 일 실시예에서, 평판은 SiSiC로 형성되지만, Invar™, Zerodur™, ULE™, 용융 실리카, 코디어라이트, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 알루미늄(AlN) 및/또는 SiC와 같은 다른 재료도 이용될 수 있다. 바람직하게는, 평판의 초기 표면(400a)이 원하는 정도의 편평도로 그라인딩 및/또는 연마된다. 일 실시예에서 초기 표면은 예를 들어 오존으로 세정되지만, 이러한 단계는 많은 경우 생략될 수 있다. 일 실시예에서, 초기 표면은 예를 들어 프라이머 층의 도포에 의해서 하나 이상의 이후 층의 부착을 촉진시키도록 처리되지만, 이러한 단계도 많은 경우 생략될 수 있다. 평판 상에, 격리 층(410)이 도포되어 그 위에 형성될 하나 이상의 금속 층이 기판 홀더의 본체부로부터 격리되고 추가적으로 편평도를 개선하게 된다(필요한 경우). 격리 층(410)은 위에서 기술된 바와 같이 스핀 또는 분무 코팅에 의해 도포되는 BCB, 또는 PECVD 공정에 의해 도포되는 SiO2, 또는 예컨대 위에서 기술된 바와 같은 기타 다른 적합한 재료로 만들어질 수 있다. 격리 층 위에, 예를 들어 PVD에 의해 금속 층(440)이 도포되어, 도 19A에 도시된 상황에 이르게 된다.
그 다음에, 금속 층은 원하는 컴포넌트, 예를 들어 하나 이상의 전극, 센서 및/또는 히터를 형성하기 위해 원하는 패턴을 규정하도록, 예컨대 리소그래피 및 선택적 에칭, 예를 들어 습식 에칭에 의해 패터닝된다. 이러한 단계는 또한 이후의 단계에서 버얼이 형성될 영역에서 금속 층을 제거한다. 이러한 단계에서, 기판 홀더는 도 19b에 도시된 바와 같다.
패터닝된 금속 층 위에, 제2 격리 또는 유전 층(450)이 도포되고, 기저 층으로 통과하는 하나 이상의 개구부, 즉 2개의 격리 층 모두를 통과하는 하나 이상의 개구부가, 버얼이 필요한 위치에 형성된다. 기판 홀더는 이제 도 19c에 도시된 바와 같다. 선택적으로, 본체부(400)의 초기 표면의 노출된 영역(400b)은 예를 들어 오존으로 세정되고, 및/또는 이후 형성될 버얼의 부착을 촉진하기 위해 예를 들어 프라이머 층의 도포에 의해 처리된다. 버얼(406)은 이제 레이저 소결 공정에 의해 박막 스택을 통한 개구에 형성된다. 두 가지 유형의 레이저 소결 방법이 있고, 이들 모두는 본원에서 기술되는 실시예에서 이용가능하다.
첫 번째 방법에서는, 버얼이 형성될 영역에 파우더의 얇은 층이 도포된 다음, 버얼이 형성될 영역에서 파우더를 선택적으로 소결시키기 위해 하나 이상의 레이저 빔이 이용된다. 이것이 완료되면, 파우더의 또 다른 얇은 층이 도포되고 선택적으로 가열 및 소결된다. 버얼이 층층으로 쌓이도록 이러한 과정이 반복된다. 각 층에서 소결 패턴은 변경될 수 있기 때문에, 버얼은 임의의 원하는 형상 및 프로파일로 쌓일 수 있다. 이러한 방법에서는, 넓은 영역에 걸쳐 파우더가 도포될 수 있고, 다수의 버얼이 동시에 형성될 수 있다. 대안으로서, 파우더는 작은 영역에 도포될 수 있고, 각각의 버얼이 독립적으로 형성될 수 있다. 이러한 프로세스에 대한 추가적인 세부사항은 Streek 등의 "Laser micro sintering - a quality leap through improvement of powder packing"에서 찾을 수 있고 이는 http://laz.htwm.de/43_rapidmicro/55_Ver%C3%B6ffentlichungen/Laser%20micro%20sintering%20-%20a%20quality%20leap%20through%20improvement%20of%20powder%20packing.pdf에 공개되어 있다.
두 번째 방법에서는, 버얼이 형성될 정확한 위치를 하나 이상의 레이저 빔이 조사하는 동안 버얼이 형성될 영역 위에서 불활성 가스에 파우더가 분사된다. 파우더는 선택적으로 레이저 빔에 의해 조사된 위치에 부착되고, 방사선의 포인트를 적절히 이동시킴으로써 원하는 프로파일의 버얼이 쌓일 수 있다. 이러한 프로세스에 대한 추가적인 세부사항은 Kloetar 등의 "MICRO-CLADDING USING A PULSED FIBRE LASER AND SCANNER"에서 찾을 수 있고 이는 http://laz.htwm.de/43_rapidmicro/55_Vero/oC3%B6ffentlichungen/Microcladding_LPM2010.pdf에 공개되어 있다.
기타 다른 소결 기술과 마찬가지로, 레이저 소결은 파우더의 입자가 냉각될 때 입자가 함께 부착되도록 파우더의 입자를 부분적으로 용융시킴으로써 작용한다. 레이저 소결은, 레이저 빔의 제어된 적용에 의해 소결이 발생하는 위치를 공간적으로 제어할 수 있다는 장점을 갖는다. 위에서 기술한 두 가지 방법 모두에서, 소결을 완료하기 위해 레이저에 의해 가해질 필요가 있는 에너지가 줄어들도록 파우더는 관련된 용융점 근방의 온도로 사전 가열될 수 있다. 소결 기술에는 다양한 범위의 재료가 이용될 수 있다. 파우더는 단일 재료, 예컨대 티타늄과 같은 금속, 실리콘과 같은 반도체 또는 용융 실리카와 같은 세라믹, 코디어라이트 및/또는 질화 알루미늄으로 형성될 수 있다. 추가적인 실시예로서, 파우더는 둘 이상의 성분으로 이루어진다. 한 가지 성분은, 나머지 입자상 성분(들)이 매립되는 매트릭스를 형성하도록 용융되는 비교적 낮은 용융점을 갖는다. 파우더의 매트릭스 형성 성분은 별개의 입자로서 또는 다른 재료의 입자 상의 코팅으로서 제공될 수 있다. 매트릭스 형성 화합물은 위에서 언급된 단일 재료 중 임의의 것일 수 있다. 입자상 성분은 입방정 질화 붕소, 질화 규소, 탄화 규소, 질화 티타늄, 탄화 티타늄 및/또는 다이아몬드, 예를 들어 DLC를 포함하는 군에서 선택된 하나 이상의 성분일 수 있다. 소결 공정은, 소결되는 재료에 화학적 변화를 방지하도록 불활성 분위기 또는 진공에서 수행될 수 있거나, 화학적 변화를 촉진하도록 제어된 분위기에서 수행될 수 있다.
이와 같이 버얼이 형성될 재료는, 기판 홀더의 기저 본체의 재료에 대한 부착 강도와 같은 하나 이상의 요구되는 특성을 제공하도록 다양한 범위의 재료에서 선택될 수 있다. 바람직하게는, 버얼이 기판 홀더의 본체부의 재료와 동일한 재료, 또는 이와 호환되는 재료로 만들어진다. 예를 들어, 사용 시에 긴 수명과 견고함을 제공하기 위해 버얼은 기판의 본체부의 기저 재료에 양호하게 결합되는 것이 일반적으로 바람직하다. 일부 응용예에서는, 버얼이 기판의 온도 조절을 돕기 위해 높은 열 전도율을 갖는 것이 바람직하다. 기타 다른 응용예에서는, 기판을 격리시키기 위해 낮은 열 전도율이 바람직할 수 있다. 재료의 선택을 통해 영향을 받을 수 있는 버얼의 기타 다른 관련 특성으로는, 전기 전도율, 절연 내력, 및 내마모성이 포함된다.
버얼을 형성하기 위한 레이저 소결 기술에 의하면 일반적으로, 도 19d에 도시된 바와 같이 버얼의 상부면이 거칠어진다. 이 경우, 도 19e에 도시된 바와 같이 버얼에 평활한 상부면을 제공하기 위해 최종 연마 단계를 수행하는 것이 바람직하다. 일부 경우에서, 예를 들어 조립질(coarse-grained) 슬러리로 최종 연마가 수행되는 경우, 먼저 추가적인 코팅으로 박막 스택을 보호하는 것이 바람직할 수 있다. 그러나, 예를 들어 박막 스택이 단지 클램핑 목적의 전극을 포함하는 경우에 이러한 과정은 종종 필수적이지 않다.
레이저 소결 공정의 추가적인 장점은, 버얼의 높이를 통해 버얼의 조성이 변화될 수 있다는 점이다. 따라서, 도 20에 도시된 바와 같이 상이한 조성 및/또는 특성의 섹션 또는 층들을 갖는 버얼을 제조하는 것이 가능하다. 예를 들어, 버얼의 하부(406a)는 기판 홀더의 기저 본체의 재료에 양호하게 결합되는 재료로 형성될 수 있는 반면, 버얼의 상부(406b)는 개선된 마모 특성을 갖는 재료로 형성된다. 예를 들어, 내마모성을 개선하기 위해 버얼의 상부(406b)에 다이아몬드, 예컨대 DLC의 입자가 포함될 수 있다. 일 실시예에서, 버얼은 셋 이상의 별개 층으로 형성된다. 일 실시예에서, 버얼은 높이의 적어도 일부를 통해 조성, 함량, 또는 재료 특성이 점진적으로 변화하면서 형성된다.
버얼이 형성되는 표면에 실질적으로 평행한 방향으로, 소결될 파우더의 조성을 변화시키는 것도 가능하다. 소결의 파우더 층 방법에서는, 도포될 때 파우더의 각각의 층 내에서 파우더의 조성을 변화시킴으로써 이를 달성할 수 있다. 파우더 분사 방법에서는, 레이저 조사의 포인트를 이동시킴과 동시에 시간에 따라 분사된 파우더의 조성을 변화시킴으로써 달성할 수 있다. 높이 방향으로의 변화에 더하여, 버얼이 형성되는 표면에 실질적으로 평행한 방향으로 버얼의 재료 조성을 변화시킴으로써, 버얼의 하나 이상의 기계적 특성 및/또는 기타 다른 특성, 예컨대 강성을 미세하게 제어할 수 있게 된다.
이러한 레이저 소결 실시예의 장점은 버얼이 3차원적으로 거의 임의의 형상으로 형성될 수 있다는 점이다. 일 실시예에서, 버얼은 높이를 통해 일정한 단면을 갖는다. 일 실시예에서, 버얼은 기판 홀더의 본체부로부터 멀어지는 방향으로 테이퍼형이다. 일 실시예에서, 버얼의 단면은 높이에 따라 변화한다. 일 실시예에서, 버얼은 원형, 정사각형, 직사각형, 타원형, 마름모, 및/또는 "경주트랙" 또는 "스타디움" 형상으로 이루어진 군에서 선택되는, 기판 홀더의 본체부의 표면에 실질적으로 평행한 단면을 갖는다. "경주트랙" 또는 "스타디움" 형상은 2개의 평행한 직선형 변들이 곡선, 예컨대 반원에 의해 이어지는 것이다.
다층 구조로서 일체화된 방식으로 버얼, 센서, 히터 및 정전 클램프를 형성하는데 이용될 수 있는 특정한 방법들이 위에서 기술되었지만, 임의의 기타 다른 적합한 방법이 이용될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 박막 스택은 기판 홀더의 일측에만 제공된다. 일 실시예에서, 박막 스택은 기판 홀더의 양측에 제공된다. 일 실시예에서, 버얼은 기판 홀더의 양측에 제공된다. 버얼이 박막 스택을 갖지 않는 기판 홀더의 측에 제공되는 경우, 이러한 측에 버얼을 형성하기 위한 임의의 편리한 방법이 이용될 수 있다. 이러한 방법은 위에서 기술한 방법뿐만 아니라, 본체부로부터 재료를 제거하는 것을 수반하는 기계가공과 같은 기타 다른 방법을 포함한다. 이러한 층의 증착은, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD), 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 및/또는 스퍼터링에 의해 이루어질 수 있다. 증착을 위해 이용되는 방법은 증착되는 재료(들)에 따라 달라진다. 증착에 의해 얻어지는 두께 편차는 5% 미만일 수 있다.
기존의 (DUV) 리소그래피 장치(예컨대, 액침 리소그래피 장치)에서 이용되는 기판 홀더에는 하나 이상의 박막 온도 센서 및/또는 박막 히터가 구비되는 것이 바람직하다.
EUV 리소그래피 장치에서 이용되는 기판 홀더에는 박막 정전 클램프 및 선택적으로 하나 이상의 박막 온도 센서 및/또는 박막 히터가 구비되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에서 이용가능한, 전기 또는 전자 컴포넌트를 통합하는 박막 스택의 예가 도 13 내지 15에 도시되어 있으며 이하에서 이를 설명한다.
도 13은 격리 층(201), 하나 이상의 금속 라인(202) 및 격리 층(203)을 포함하는 박막 스택을 나타낸다. 격리 층은 PECVD(플라즈마 강화 화학 기상 증착) SiOX로 형성될 수 있다. 격리 층(201)은 0.1㎛ 이상의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 바람직하게는 10㎛ 미만의 두께를 가진다. 일 실시예에서, 격리 층은 5㎛의 두께를 가진다.
격리 층의 위에는, 하나 이상의 금속 라인(202)이 포토리소그래피 또는 금속 증착 및 하드 마스크를 통한 에칭에 의해 증착된다. 금속 라인(202)은 20㎛ 이상의 폭을 가지는 것이 바람직하다. 금속 라인의 최대 폭은 그 기능과 이용가능한 공간에 의해 결정된다. 금속 라인을 형성하는 기타 다른 방법도 이용가능하다. 히터 및/또는 센서의 경우, 하나 이상의 넓은 금속 라인(예를 들어, 약 1500㎛)이 가열 엘리먼트로 이용될 수 있고, 좁은 금속 라인(예컨대, 약 100㎛)이 센서 엘리먼트로 이용될 수 있다. 정전 클램프의 경우, 서로 대략 500㎛ 만큼 분리된 연속하는 금속 막(그러나 버얼 상부로부터는 격리됨)의 두 반부(halve)가 정전 클램프의 포지티브 및 네거티브 엘리먼트를 형성하도록 증착될 수 있다. 금속 라인(202)은 약 20nm 이상, 바람직하게는 40nm 이상의 층 두께를 갖는 것이 바람직하다. 금속 라인(202)은 약 1㎛보다 작거나 같은 층 두께, 바람직하게는 약 500nm 미만, 더 바람직하게는 약 200nm 미만의 층 두께를 가지는 것이 바람직하다.
히터 및/또는 센서의 경우, 패터닝된 금속 라인(202)은 다수의 금속 층들, 예를 들어 티타늄(Ti) 및 백금(Pt)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 10nm 두께의 티타늄 층은 대략 250 두께의 백금 라인에 개선된 부착을 제공하게 된다. 다수의 층들의 패터닝은 포토레지스트 증착, 금속 막 증착을 위한 PVD 및 리프트-오프 공정의 조합을 이용하여 이루어질 수 있다. 히터의 경우, 넓은 크롬 라인(약 1500㎛)이 Cr 막 증착(PVD) 및 마스크를 이용하는 선택적인 Cr 에칭에 의해 증착될 수 있다. 정전 클램프의 경우, 전극은 알루미늄, 크롬, 또는 임의의 기타 다른 도전성 재료로 이루어질 수 있다. 전극은 PVD 또는 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다. 이러한 금속들의 합금이 임의의 적합한 조합으로 이용될 수도 있다.
증착된 금속 라인을 상부로부터 전기적으로 격리하고 입자 증착, 스크래치 및 산화로부터 보호하는 것이 바람직하다. 그러므로, 최상부 또는 최외곽 격리 층이 금속 라인(202) 상에 증착된다. 히터 또는 센서의 경우, 격리 층은 BCB(1, 3, 5 - 트리메틸 벤젠에 용해된 40% 비스-벤조시클로부텐) 또는 NN 120(디부틸 에테르 중 20% 퍼히드로폴리실라잔); 전술한 바와 같은 SiOX; 또는 분무된 층과 SiOX의 조합의 분무 코팅에 의해 증착될 수 있다. 정전 클램프의 경우, 상부 격리 층은 또한 층 스택과 기판 사이에 클램핑 압력과 갭이 원하는 값으로 조절될 수 있도록 절연 내력을 제공한다. 일 실시예에서, 정전 클램프를 위한 상부 격리 층은 BCB, NN 120(또는 이러한 두 가지 분무된 재료의 조합), 단독의 SiOX, 분무 코팅된 폴리머 층과 SiOX의 조합, 또는 단독의 파릴렌(CVD)의 분무 코팅된 폴리머 층들을 포함하거나 이러한 층들로 이루어진다. 바람직하게 상부 격리 층(203)은 약 0.1㎛ 이상, 바람직하게는 약 1㎛ 이상의 층 두께를 갖는다. 히터 또는 센서의 경우 바람직하게는, 상부 격리 층(203)은 약 10㎛ 미만, 바람직하게는 약 3㎛ 미만의 층 두께를 갖는다. 정전 클램프의 경우 바람직하게는, 상부 격리 층은 약 100㎛ 미만, 바람직하게는 약 20㎛ 미만의 층 두께를 가진다. 일 실시예에서, 이러한 두께는 약 10 내지 약 60㎛ 범위에 있다.
표 1은 박막 스택을 만들기 위해 층마다 적합한 재료의 예를 나타낸다. 각각의 층은 나열된 재료 중 하나 또는 둘 이상의 재료의 조합으로 형성될 수 있다. 도포 방법은 괄호로 표시하였다.
Figure 112014077001947-pct00001
표 2는 도포를 위한 각 층의 특정 기능 및 요건의 예를 나타낸다.
Figure 112014077001947-pct00002
박막 기술은 히터 및/또는 센서 개발의 오버레이 개선 및 비용 효율적인 해결책을 제공한다. 금속 패턴 디자인은 (마스크 디자인을 수정함으로써) 손쉽게 수정될 수 있다. 백금(Pt) 금속 층이 이용되는 경우, Pt 층의 부착을 돕기 위해 티타늄 부착 층이 우선 도포될 수 있다. 정전 클램프의 경우, 낮은 저항을 갖는 임의의 적합한 금속이 이용될 수 있다.
유전 층은 분무 코팅, 스핀 코팅, 및 PE CVD 기술로 증착될 수 있다. 분무 코팅은 BCB 및/또는 NN 120 층과 같은 폴리머 기반 층(유기 용제에 용해)을 증착하는데 특히 적합하다. 그러나, 지나치게 두꺼운 층이 증착되는 경우 먼저 분무된 층은 핀홀(국소적인 불순물에 기인) 및 크랙(층에 유도된 응력에 기인할 가능성이 높음)과 같은 표면 결함을 겪게 될 수 있다. 상이한 증착 프로세스를 조합함으로써 이러한 표면 결함의 영향을 줄일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 층들은 잉크젯 또는 버블젯 프린팅 기술을 이용하여 도포될 수 있다. 이는 층 두께의 국소적 제어를 가능하게 하며, 이것은 기판 홀더의 표면 윤곽 또는 표면 조도의 국소적인 변화를 수정하는데 유용할 수 있다. 이러한 기술은 또한 도전성 잉크를 이용하는 도전성 층의 패터닝을 가능하게 한다. 상이한 재료 및/또는 층 형성 기술의 조합은 하나의 층의 결함이 다른 층에 의해 치유될 수 있으므로 바람직할 수 있다.
예를 들어 도 14에 도시된 박막 스택(110b)은 순서대로 기저 층(100), 제1 격리 층(201), 제1 금속 층(예컨대, 금속 라인)(202), 제2 격리 층(203), 제2 금속 층(예를 들어, 금속 라인)(204) 및 제3 격리 층(205)을 포함한다. 이러한 각각의 층은 본원에서 기술된 바와 같은 적합한 방법으로 형성될 수 있다. 하나 이상의 추가적인 금속 층 및 하나 이상의 추가적인 격리 층이 제공될 수도 있다. 이러한 실시예에서, 둘 이상의 스택형 금속 층의 이용은 둘 이상의 스택형 컴포넌트, 예컨대 센서의 형성을 가능하게 한다. 스택형 센서는 노이즈로부터 증가된 격리를 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 하나 이상의 금속 층은 다른 층의 하나 이상의 신호 라인을 위해 차폐의 역할을 할 수 있다.
도 15에 도시된 박막 스택(110c)은 전자 또는 전기 컴포넌트(206, 207)의 양측에 제1 격리 층(201) 및 제2 격리 층(203)을 포함한다. 다시 말해서, 컴포넌트가 제1 격리 층과 제2 격리 층 사이에 개재된다. 다수의 컴포넌트가 기판 상의 단일 층에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 각각의 컴포넌트(206, 207)는 복수의 층에 의해 형성된다. 예를 들어, 컴포넌트의 연속되는 층은 금속 비정질 실리콘-금속으로 구성될 수 있다. 이러한 실시예에서, 하나 이상의 컴포넌트(206, 207)는 트랜지스터 또는 기타 다른 논리 소자를 형성한다. 이러한 논리 소자는, 각각의 히터에 대해 개별적인 연결을 요하지 않고 기판 홀더의 표면에 걸쳐 배치된 히터들의 배열을 제어하는데 이용될 수 있다. 트랜지스터는 워드 라인 및 비트 라인의 교차점에 배열될 수 있고, 능동 매트릭스를 형성하도록 각각 연관된 히터에 연결될 수 있다.
도 16 및 17은 본 발명의 실시예에 따른 기판 홀더의 정전 클램핑 구성을 단면도로 나타낸다.
도 16의 기판 홀더에서, 박막 스택 - 제1 격리 층(201), 전극 층(301) 및 제2 격리 층(203)을 포함 - 은 기판 홀더의 본체부(100) 상에 형성된다. 본 도면에서 전극 층(301)은 3개의 개별 부분으로 도시되지만, 이는 전기적으로 연속된다. 선택적인 비아(302)(즉, 전기적 경로)가 박막 스택을 통과하여, 위에서 기술된 바와 같이 박막 스택 상에 형성된 버얼(106)에 본체부(100)를 전기적으로 연결할 수 있다. 전압원(300)은 예를 들어 10 내지 5,000V 범위의 전위를 전극 층(301)에 인가한다. 본체부(100)가 접지되고, 비아(302)가 제공되는 경우 마찬가지로 버얼(106) 및 기판도 접지된다. 전극 층(301)에 인가되는 전위에 의해 생성되는 전기장은 기판 홀더에 기판(W)을 클램핑하는 정전력을 발생시킨다.
도 17의 기판 홀더는, 비아(302)가 생략되고 전극 층(301)이 전기적으로 별개인 두 개의(또는 그 이상의) 부분으로 나뉘어진다는 점을 제외하고는 유사하다. 전압원은 전극 층(301)의 두 부분 사이에, 예를 들어 10 내지 5,000V 범위의 전위차를 인가한다. 전극 층(301)의 부분들 중 하나의 부분이 접지된다. 결과적인 전기장은 마찬가지로 클램핑 정전력을 생성한다.
하나 이상의 센서 및 임의의 연관된 버얼이 전자기 간섭의 픽업을 최소화하도록 배열되는 것이 바람직하며, 이는 2011년 12월 16일 출원된, 대응 미국 임시 특허 출원 US 61/576,627에 개시된 바와 같고, 이러한 문헌은 원용에 의해 전체로서 본원에 포함된다.
본원의 논의는 히터에 집중되어 있지만, 본 발명의 일 실시예는 일반적으로 열 전달 기능을 제공하는 전기 또는 전자 컴포넌트에 적용된다. 따라서, 전기 또는 전자 컴포넌트는 예를 들어 냉각기 또는 히터/냉각기의 조합일 수 있다.
임의의 상기 특징들은 임의의 기타 다른 특징과 함께 이용될 수 있으며 본 출원에 포함되는 것은 명시적으로 기술된 그러한 조합뿐만이 아니라는 점을 이해할 것이다.
본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치는 마이크로스케일을 갖는 컴포넌트, 또는 나노스케일 피처의 제조, 예컨대 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"과 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 경우, 상기한 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.
본 명세서에 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장 또는 그 부근의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
문맥이 허용하는 경우 "렌즈"라는 용어는 굴절형 및 반사형 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 적어도 본원에서 기술된 바와 같은 장치의 동작 방법의 형태로, 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 실시예는 적어도 장치의 동작 방법의 형태로, 위에서 개시된 바와 같은 장치를 동작시키는 방법을 기술하는 기계 판독 가능한 명령어들의 하나 이상의 시퀀스들을 포함하는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다. 또한, 기계 판독 가능한 명령어는 2개 이상의 컴퓨터 프로그램으로 구현될 수도 있다. 이들 2개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.
본 명세서에 설명된 컨트롤러는, 하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 리소그래피 장치의 적어도 하나의 구성요소 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독될 때에, 각각 또는 조합하여 동작할 수도 있다. 컨트롤러는 각각 또는 조합하여 신호를 수신, 처리 및 전송하기에 적합한 구성을 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서가 하나 이상의 컨트롤러와 통신하도록 구성된다. 예컨대, 각각의 컨트롤러는 전술한 장치를 동작시키는 방법을 위한 기계 판독 가능한 명령어를 포함하는 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위한 하나 이상의 프로세서를 포함할 수도 있다. 컨트롤러는 이러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체 및/또는 이러한 저장 매체를 수용하기 위한 하드웨어를 포함할 수도 있다. 따라서, 컨트롤러(들)는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독 가능한 명령어에 따라 동작할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 300mm 또는 450mm 또는 임의의 기타 다른 크기의 폭(예를 들면, 지름)을 갖는 기판에 적용될 수 있다.
본 발명의 하나 이상의 실시예는 특히 전술한 것과 같은 유형 및 액침액이 배스의 형태로 제공되는지, 기판의 국소 표면 영역에만 제공되는지, 아니면 기판 및/또는 기판 테이블 상에서 제한되지 않는지의 여부에 상관없이 어떠한 액침 리소그래피 장치에도 적용될 수 있으며, 이들로만 한정되지 않는다. 비제한 구성에서, 액침액은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면 위에 흐를 수 있으며, 이로써 기판 테이블 및/또는 기판의 실질적으로 덮여있지 않은 전체 표면이 습윤된다. 이러한 비제한 액침 시스템에서, 액체 공급 시스템은 액침액을 제한하지 않을 수도 있거나, 또는 실질적으로 액침액의 완전한 제한이 아닌 액침액의 일부분의 제한을 제공할 수도 있다.
본 명세서에서 고려된 액체 공급 시스템은 넓은 의미로 이해되어야 한다. 특정 실시예에서, 액체 공급 시스템은 액체를 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 제공하는 기구 또는 구조의 조합일 수도 있다. 액체 공급 시스템은 공간에 액체를 제공하는, 하나 이상의 구조, 하나 이상의 액체 유입구, 하나 이상의 가스 유입구, 하나 이상의 가스 유출구, 및/또는 하나 이상의 액체 유출구의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분이 되거나, 공간의 표면이 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전하게 덮거나, 또는 공간이 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀 수도 있다. 액체 공급 시스템은 필요한 경우 액체의 위치, 양, 품질, 형상, 유량 또는 어떠한 다른 특징을 제어하기 위한 하나 이상의 요소를 추가로 포함할 수도 있다.
본 발명의 제1 양상으로는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더가 제시되며, 기판 홀더는: 표면을 갖는 본체부; 상기 표면 상에 제공되고 전기 컴포넌트를 형성하는 박막 스택; 및 상기 박막 스택 상에 제공되고 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는 복수의 버얼을 포함한다.
본체부는 버얼과는 상이한 재료로 형성될 수 있다. 박막 스택의 컴포넌트는 적어도 부분적으로 버얼과 본체부 사이에 위치할 수 있다. 버얼은 1 내지 20㎛ 범위, 바람직하게는 5 내지 15㎛의 범위에서 선택된 거리만큼 박막 스택으로부터 돌출될 수 있다. 이러한 거리는 5㎛ 미만, 바람직하게는 3㎛ 미만일 수 있다.
버얼은: 증착 및 선택적 에칭; 패터닝된 레지스트 층을 통한 스퍼터링; 하드 마스크를 통한 증착; 및 레이저 소결을 포함하는 군에서 선택되는 공정에 의해 형성될 수 있다. 버얼은: DLC(diamond-like carbon), SiC, SiO2, TiN 및 CrN을 포함하는 군에서 선택된 재료로 형성될 수 있다. 적어도 하나의 버얼이 제1 재료의 제1 층 및 상기 제1 재료와는 상이한 제2 재료의 제2 층을 포함할 수 있다. 버얼은 원통형일 수 있다. 버얼은 박막 스택으로부터 멀어지는 방향으로 테이퍼형일 수 있다. 본체부는: 제로뒤르, 코디어라이트, SiC, AlN, SiSiC, 세라믹 및 유리-세라믹을 포함하는 군에서 선택된 재료로 형성될 수 있다.
박막 스택은 버얼과 전기 접촉하는 적어도 하나의 비아를 포함할 수 있다. 박막 스택은 복수의 전기 컴포넌트를 형성할 수 있다. 복수의 전기 컴포넌트 중 제1 전기 컴포넌트 및 제2 전기 컴포넌트는 상기 박막 스택의 단일 층에 배열될 수 있다. 복수의 전기 컴포넌트 중 제1 전기 컴포넌트 및 제2 전기 컴포넌트는 상기 박막 스택의 2개의 별개 층에 배열될 수 있다. 이러한 컴포넌트는, 전극, 히터, 센서, 트랜지스터, 및 논리 소자를 포함하는 군에서 선택되는 컴포넌트일 수 있다. 전극은 사용 시에 정전 클램프의 전극일 수 있다.
본 발명의 제2 양상으로는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더가 제시되고, 이러한 기판 홀더는: 표면을 갖는 본체부; 상기 표면 상에 제공되고 전자 또는 전기 컴포넌트를 형성하며 내부에 복수의 개구부가 형성되어 있는 박막 스택; 및 상기 박막 스택의 개구부에 각각 제공되고 기판을 지지하도록 구성되는 복수의 돌출부를 포함한다.
본체부의 표면은 본체부의 평탄화 층의 표면일 수 있다.
본 발명의 제3 양상으로는, 리소그래피 장치가 제시되며, 이러한 장치는: 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 지지 구조체; 상기 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 및 기판을 홀딩하도록 구성되는 본 발명의 제1 양상 또는 제2 양상에 따른 기판 홀더를 포함한다.
리소그래피 장치는 기판 테이블을 포함할 수 있고, 기판 홀더는 기판 테이블에 통합된다.
본 발명의 제4 양상으로는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 테이블이 제시되며, 이러한 테이블은: 표면을 갖는 본체부; 표면 상에 제공되어 전기 또는 전자 컴포넌트를 형성하는 박막 스택; 및 박막 스택 상에 제공되어 대상물, 예컨대 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는 복수의 버얼을 포함한다.
본 발명의 제5 양상으로는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 테이블이 제시되며, 이러한 테이블은: 본 발명의 제1 양상 또는 제3 양상의 기판 홀더를 수용하기 위한 리세스; 및 기판 지지체를 포함한다.
본 발명의 제6 양상으로는, 리소그래피 장치가 제시되며, 이러한 장치는: 패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 지지 구조체; 상기 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 및 본 발명의 제4 양상 또는 제5 양상에 따른 테이블을 포함한다.
본 발명의 제7 양상으로는, 리소그래피 장치를 이용한 디바이스 제조 방법이 제시되며, 이러한 방법은: 기판 홀더에 기판을 홀딩하면서 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 상기 기판 상에 투영하는 단계를 포함하고, 상기 기판 홀더는: 표면을 갖는 본체부; 상기 표면 상에 제공되고 전자 또는 전기 컴포넌트를 형성하는 박막 스택; 및 상기 박막 스택 상에 제공되고 상기 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는 복수의 버얼을 포함한다.
본 발명의 제8 양상으로는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법이 제시되며, 이러한 방법은: 표면을 갖는 본체부를 제공하는 단계; 상기 본체부의 표면 상에 박막 스택을 형성하는 단계; 및 상기 박막 스택 상에 복수의 버얼을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 버얼은 상기 박막 스택으로부터 돌출하며 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는다.
복수의 버얼을 형성하는 단계는: 상기 박막 스택 상에 버얼-형성 재료의 층을 형성하는 단계; 상기 버얼-형성 재료의 층 상에 마스크를 형성하는 단계; 상기 마스크를 통해 상기 버얼-형성 재료를 에칭하는 단계; 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
복수의 버얼을 형성하는 단계는: 복수의 개구부를 갖는 마스크를 형성하는 단계; 개구부를 통해 박막 스택에 부착되도록 버얼 형성 재료의 층을 제공하는 단계; 및 마스크 및 마스크 위에 놓인 임의의 버얼 형성 재료를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 버얼 형성 재료의 층을 제공하는 단계는 스퍼터링 또는 기상 증착을 포함할 수 있다. 마스크를 형성하는 단계는: 방사선 감응성 레지스트의 층을 제공하는 단계; 레지스트를 노광하는 단계; 및 레지스트를 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 버얼은: DLC(diamond-like carbon), SiC, SiO2, TiN 및 CrN을 포함하는 군에서 선택된 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 제9 양상으로는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법이 제시되고, 이러한 방법은: 표면을 갖는 본체부를 제공하는 단계; 상기 본체부의 표면 상에 박막 스택을 형성하는 단계; 상기 박막 스택에 복수의 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 박막 스택의 개구부에 복수의 버얼을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 버얼은 상기 박막 스택으로부터 돌출하며 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는다. 복수의 버얼을 형성하는 단계는 레이저 소결에 의해 버얼을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
전술한 내용은 예시를 위한 것으로, 본 발명을 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 하기 청구항들의 범위를 벗어나지 않고서도 전술한 본 발명에 대한 변형예가 이루어질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (15)

  1. 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더로서,
    평활하고 평평한 표면을 갖는 본체부;
    상기 표면 상에 제공되고 전기 컴포넌트를 형성하는 박막 스택; 및
    상기 박막 스택 상에 제공되고 기판을 지지하기 위한 단부면을 갖는 복수의 버얼(burl)
    을 포함하고, 상기 본체부는 상기 버얼과는 상이한 재료로 형성되며,
    상기 버얼의 재료 조성 및 특성 중 하나 또는 양자 모두는 상기 표면에 평행한 방향 및 상기 표면에 수직한 방향 중 하나 또는 양자 모두의 방향으로 변화되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 버얼은:
    증착 및 선택적 에칭;
    패터닝된 레지스트 층을 통한 스퍼터링;
    하드 마스크를 통한 증착; 및
    레이저 소결
    을 포함하는 군에서 선택되는 공정에 의해 형성된, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 버얼은: DLC(diamond-like carbon), SiC, SiO2, TiN 및 CrN을 포함하는 군에서 선택된 재료로 형성되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  4. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 버얼이 제1 재료의 제1 층 및 상기 제1 재료와는 상이한 제2 재료의 제2 층을 포함하는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체부는: 제로뒤르(Zerodur), 코디어라이트(Cordierite), SiC, AlN, SiSiC, 세라믹 및 유리-세라믹을 포함하는 군에서 선택된 재료로 형성되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막 스택은 버얼과 전기 접촉하는 적어도 하나의 비아를 포함하는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박막 스택은 복수의 전기 컴포넌트를 형성하는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 전기 컴포넌트 중 제1 전기 컴포넌트 및 제2 전기 컴포넌트는 상기 박막 스택의 단일 층에 배열되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 복수의 전기 컴포넌트 중 제1 전기 컴포넌트 및 제2 전기 컴포넌트는 상기 박막 스택의 2개의 별개 층에 배열되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  10. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전기 컴포넌트는, 전극, 히터, 센서, 트랜지스터, 및 논리 소자를 포함하는 군에서 선택되는 컴포넌트인, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  11. 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더로서,
    평활하고 평평한 표면을 갖는 본체부;
    상기 표면 상에 제공되고 전자 또는 전기 컴포넌트를 형성하며 내부에 복수의 개구부가 형성되어 있는 박막 스택; 및
    상기 박막 스택의 개구부에 각각 제공되고 기판을 지지하도록 구성되는 복수의 돌출부
    를 포함하고, 상기 돌출부의 재료 조성 및 특성 중 하나 또는 양자 모두는 상기 표면에 평행한 방향 및 상기 표면에 수직한 방향 중 하나 또는 양자 모두의 방향으로 변화되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더.
  12. 리소그래피 장치로서,
    패터닝 디바이스를 지지하도록 구성되는 지지 구조체;
    상기 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된 빔을 기판 상에 투영하도록 구성되는 투영 시스템; 및
    상기 기판을 홀딩하도록 구성되는 기판 홀더로서, 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 따른 기판 홀더
    를 포함하는, 리소그래피 장치.
  13. 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법으로서,
    평활하고 평평한 표면을 갖는 본체부를 제공하는 단계;
    상기 본체부의 평활하고 평평한 표면 상에 박막 스택을 형성하는 단계; 및
    상기 박막 스택 상에 복수의 버얼을 형성하는 단계
    를 포함하고, 상기 버얼은 상기 박막 스택으로부터 돌출하며 기판을 지지하기 위한 단부면을 가지며,
    상기 버얼의 재료 조성 및 특성 중 하나 또는 양자 모두는 상기 표면에 평행한 방향 및 상기 표면에 수직한 방향 중 하나 또는 양자 모두의 방향으로 변화되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 복수의 버얼을 형성하는 단계는:
    상기 박막 스택 상에 버얼-형성 재료의 층을 형성하는 단계;
    상기 버얼-형성 재료의 층 상에 마스크를 형성하는 단계;
    상기 마스크를 통해 상기 버얼-형성 재료를 에칭하는 단계; 및
    상기 마스크를 제거하는 단계
    를 포함하는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법.
  15. 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법으로서,
    평활하고 평평한 표면을 갖는 본체부를 제공하는 단계;
    상기 본체부의 평활하고 평평한 표면 상에 박막 스택을 형성하는 단계;
    상기 박막 스택에 복수의 개구부를 형성하는 단계; 및
    상기 박막 스택의 개구부에 복수의 버얼을 형성하는 단계
    를 포함하고, 상기 버얼은 상기 박막 스택으로부터 돌출하며 기판을 지지하기 위한 단부면을 가지며,
    상기 버얼의 재료 조성 및 특성 중 하나 또는 양자 모두는 상기 표면에 평행한 방향 및 상기 표면에 수직한 방향 중 하나 또는 양자 모두의 방향으로 변화되는, 리소그래피 장치에서 이용하기 위한 기판 홀더를 제조하는 방법.
KR1020147022756A 2012-02-03 2013-01-17 기판 홀더 및 리소그래피 장치 KR101652782B1 (ko)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261594857P 2012-02-03 2012-02-03
US61/594,857 2012-02-03
US201261621648P 2012-04-09 2012-04-09
US201261621660P 2012-04-09 2012-04-09
US61/621,648 2012-04-09
US61/621,660 2012-04-09
PCT/EP2013/050818 WO2013113568A2 (en) 2012-02-03 2013-01-17 Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140114430A KR20140114430A (ko) 2014-09-26
KR101652782B1 true KR101652782B1 (ko) 2016-08-31

Family

ID=47561633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147022756A KR101652782B1 (ko) 2012-02-03 2013-01-17 기판 홀더 및 리소그래피 장치

Country Status (7)

Country Link
US (11) US9442395B2 (ko)
EP (4) EP2810128B1 (ko)
JP (7) JP5957540B2 (ko)
KR (1) KR101652782B1 (ko)
CN (5) CN104272190A (ko)
NL (2) NL2010140A (ko)
WO (2) WO2013113569A1 (ko)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2010140A (en) 2012-02-03 2013-08-06 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
KR102203118B1 (ko) * 2013-01-22 2021-01-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정전기 클램프
US10133196B2 (en) 2014-04-09 2018-11-20 Asml Netherlands B.V. Apparatus for cleaning an object
US10812695B2 (en) 2015-09-14 2020-10-20 Nikon Corporation Three-dimensional positioning system using surface pattern recognition and interpolation
US9726987B2 (en) 2014-04-17 2017-08-08 Nikon Corporation Positioning system using surface pattern recognition and interpolation
US11061338B2 (en) 2014-04-17 2021-07-13 Nikon Corporation High-resolution position encoder with image sensor and encoded target pattern
TWI656596B (zh) * 2014-08-26 2019-04-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 靜電夾具及其製造方法
CN107206567B (zh) 2014-11-23 2020-12-29 M丘比德技术公司 晶片针钉卡盘制造和修理
WO2016135565A1 (en) * 2015-02-23 2016-09-01 M Cubed Technologies, Inc. Film electrode for electrostatic chuck
KR101902806B1 (ko) * 2015-04-02 2018-10-01 울박, 인크 흡착방법 및 진공처리방법
JP6684292B2 (ja) * 2015-04-06 2020-04-22 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド ダイヤモンドのみの接触面を有する物品
US9682441B2 (en) * 2015-06-01 2017-06-20 Caterpillar Inc. Laser polishing system and method for metal face seal
DE102015211017B4 (de) * 2015-06-16 2017-06-14 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum hauptzeitparallelen Entladen eines freigeschnittenen Werkstückteils, zugehörige Laserschneidmaschine und Computerprogrammprodukt
JP6698706B2 (ja) * 2015-07-02 2020-05-27 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダ、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
EP3334566B1 (en) 2015-08-14 2021-11-24 M Cubed Technologies Inc. Wafer chuck featuring reduced friction support surface
JP6942117B2 (ja) 2015-08-14 2021-09-29 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド チャック面から汚染を除去するための方法
US10953513B2 (en) 2015-08-14 2021-03-23 M Cubed Technologies, Inc. Method for deterministic finishing of a chuck surface
JP6831835B2 (ja) 2015-08-14 2021-02-17 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド 被加工物を仕上げるための、高度に制御可能な処理ツールを有する機械
WO2018007498A1 (en) 2016-07-06 2018-01-11 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten A substrate holder and a method of manufacturing a substrate holder
US20180019139A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 Ayar Labs, Inc. Wafer-Level Etching Methods for Planar Photonics Circuits and Devices
WO2018022670A1 (en) * 2016-07-26 2018-02-01 M Cubed Technologies, Inc. Methods for masking a pin chuck, and articles made thereby
EP3364247A1 (en) 2017-02-17 2018-08-22 ASML Netherlands B.V. Methods & apparatus for monitoring a lithographic manufacturing process
KR102206687B1 (ko) * 2017-06-26 2021-01-22 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤 기판 유지 부재
JP7096031B2 (ja) * 2017-06-26 2022-07-05 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
CN107275276B (zh) * 2017-07-12 2019-09-03 成都海威华芯科技有限公司 一种适于半导体行业的晶圆夹具制作方法
US10646960B2 (en) * 2017-10-03 2020-05-12 Lawrence Livermore National Security, Llc Compact absorptivity measurement system for additive manufacturing
JP6917523B2 (ja) * 2017-11-08 2021-08-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダおよび基板ホルダを製造する方法
WO2019096554A1 (en) * 2017-11-20 2019-05-23 Asml Netherlands B.V. Substrate holder, substrate support and method of clamping a substrate to a clamping system
US11448976B2 (en) 2017-12-13 2022-09-20 Asml Netherlands B.V. Substrate holder for use in a lithographic apparatus
US10921718B2 (en) 2017-12-15 2021-02-16 Nikon Corporation Two-dimensional position encoder
NL2022092A (en) 2017-12-20 2019-07-02 Asml Holding Nv Lithography supports with defined burltop topography
WO2019236104A1 (en) * 2018-06-08 2019-12-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Powder layer former
US11101617B2 (en) 2018-07-16 2021-08-24 Ayar Labs, Inc. Wafer-level handle replacement
JP7150510B2 (ja) * 2018-07-30 2022-10-11 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
US11426818B2 (en) 2018-08-10 2022-08-30 The Research Foundation for the State University Additive manufacturing processes and additively manufactured products
CN109049445B (zh) * 2018-09-19 2023-09-08 河北科技大学 一种高精度光纤环圈固化封装设备和处理工艺
CN113302556A (zh) * 2018-12-28 2021-08-24 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的衬底保持器和制造衬底保持器的方法
NL2024815A (en) * 2019-02-19 2020-08-27 Asml Holding Nv Laser roughening: engineering the roughness of the burl top
WO2020177971A1 (en) * 2019-03-01 2020-09-10 Asml Netherlands B.V. Object holder comprising an electrostatic clamp
DE102019108855B4 (de) * 2019-04-04 2020-11-12 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Schichtverbund-Elektrodeneinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
CN111817529A (zh) * 2019-04-11 2020-10-23 三赢科技（深圳）有限公司 复合镜座的制作方法、音圈马达及电子产品
JP2022532494A (ja) * 2019-05-16 2022-07-15 ドラゴンフライ エナジー コーポレイション 電気化学セルの乾燥粉末被覆層のためのシステム及び方法
NL2025510A (en) * 2019-05-24 2020-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus, substrate table, and method
KR102261935B1 (ko) * 2019-09-25 2021-06-07 (주)탑나노시스 작업 스테이지 수선 방법
KR102338512B1 (ko) * 2019-10-30 2021-12-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2023508199A (ja) * 2019-12-26 2023-03-01 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． ウェハクランプの硬いバールの製造および改修
US11942878B2 (en) * 2020-04-01 2024-03-26 Bvw Holding Ag Microstructured field effect device
CN112643206A (zh) * 2020-12-29 2021-04-13 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于铬膜辅助的飞秒激光诱导超规整纳米光栅的方法
DE102021102154A1 (de) 2021-01-29 2022-08-04 Markus Brzeski Verfahren zur additiven Fertigung von 3D-Objekten aus thermoplastischem Kunststoff
US11747741B2 (en) * 2021-03-05 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Substrate stage, substrate processing system using the same, and method for processing substrate
DE102021115970A1 (de) 2021-06-21 2022-12-22 Asml Netherlands B.V. Haltevorrichtung zur Bauteil-Halterung und Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung
DE102021206512A1 (de) 2021-06-24 2022-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Ausbilden einer Noppenstruktur, Haltevorrichtung zur elektrostatischen Halterung eines Bauteils, sowie EUV-Lithographiesystem
EP4174576A1 (en) * 2021-10-29 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Clamp for holding an object and method
EP4220302A1 (en) 2022-01-27 2023-08-02 ASML Netherlands B.V. System for holding an object in a semiconductor manufacturing process, lithographic apparatus provided with said system and method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234342A (ja) 2003-02-03 2003-08-22 Toshiba Corp 化合物半導体多層膜のドライエッチング方法
JP2005079586A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置およびデバイス製造方法
WO2011053145A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method of making a support structure
JP2011176275A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059104B2 (ja) 1982-02-03 1985-12-23 株式会社東芝 静電チヤツク板
US4551192A (en) * 1983-06-30 1985-11-05 International Business Machines Corporation Electrostatic or vacuum pinchuck formed with microcircuit lithography
FR2592747B1 (fr) 1986-01-08 1988-03-18 Alsthom Onduleur a double resonance
JPH0719831B2 (ja) * 1986-10-13 1995-03-06 日本電信電話株式会社 静電チヤツク
US5182170A (en) 1989-09-05 1993-01-26 Board Of Regents, The University Of Texas System Method of producing parts by selective beam interaction of powder with gas phase reactant
JPH03187240A (ja) 1989-12-18 1991-08-15 Nikon Corp 静電チヤツク
JPH04103750A (ja) * 1990-08-22 1992-04-06 Nippon Steel Corp 耐摩耗被覆層の形成方法
US5368947A (en) 1991-08-12 1994-11-29 The Penn State Research Foundation Method of producing a slip-resistant substrate by depositing raised, bead-like configurations of a compatible material at select locations thereon, and a substrate including same
JP3258042B2 (ja) 1991-08-21 2002-02-18 キヤノン株式会社 ウエハチャック
JP3095514B2 (ja) 1992-01-29 2000-10-03 キヤノン株式会社 基板保持盤
JP3250290B2 (ja) * 1992-12-28 2002-01-28 株式会社日立製作所 ウエハチャック
JPH0719831A (ja) 1993-06-18 1995-01-20 Fujitsu General Ltd 画像認識処理装置
US5583736A (en) 1994-11-17 1996-12-10 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Micromachined silicon electrostatic chuck
US6033475A (en) 1994-12-27 2000-03-07 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus
JPH08227933A (ja) 1995-02-20 1996-09-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電吸着機能を有するウエハ加熱装置
JP3319693B2 (ja) 1995-10-30 2002-09-03 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
JPH09148379A (ja) 1995-11-22 1997-06-06 Taiyo Yuden Co Ltd 突起電極形成方法
US5838529A (en) 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
JPH09199574A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Sumitomo Metal Ind Ltd セラミックス製ウエハ保持台及びその製造方法
JPH09270327A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Tokin Corp 電子部品及びその製造方法
JPH09283605A (ja) * 1996-04-09 1997-10-31 Canon Inc 基板の吸着保持装置およびその製造方法
US6046426A (en) * 1996-07-08 2000-04-04 Sandia Corporation Method and system for producing complex-shape objects
US5885654A (en) 1996-08-14 1999-03-23 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Polysilazane-based coating solution for interlayer insulation
FR2774931B1 (fr) * 1998-02-19 2000-04-28 Arnaud Hory Procede de prototypage rapide par frittage laser de poudre et dispositif associe
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
US6122564A (en) 1998-06-30 2000-09-19 Koch; Justin Apparatus and methods for monitoring and controlling multi-layer laser cladding
IL141725A (en) * 1998-09-28 2005-11-20 Frenton Ltd Isle Of Man Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
US6709747B1 (en) 1998-09-28 2004-03-23 Skeleton Technologies Ag Method of manufacturing a diamond composite and a composite produced by same
JP2000174105A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体ウエハの保持装置
JP2000202626A (ja) * 1999-01-20 2000-07-25 Daido Steel Co Ltd 硬質肉盛層付きＡｌ系構造体及びそれに用いる肉盛用複合材料
JP2000311933A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
TW594426B (en) 1999-06-11 2004-06-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, integrated circuit manufacturing method and integrated circuit made thereby
JP2003518193A (ja) * 1999-11-16 2003-06-03 トリトン・システムズ・インコーポレイテツド 不連続強化金属基複合材料のレーザー加工
ES2264237T3 (es) * 1999-12-07 2006-12-16 Alliedsignal Bremsbelag Gmbh Procedimiento para la fabricacion de placas de soporte para forros de freno.
JP2001237303A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェハ用真空チャックおよびその製造方法
JP4700819B2 (ja) * 2000-03-10 2011-06-15 キヤノン株式会社 基板保持装置、半導体製造装置および半導体デバイス製造方法
JP4753460B2 (ja) 2000-08-16 2011-08-24 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック及びその製造方法
US6495802B1 (en) 2001-05-31 2002-12-17 Motorola, Inc. Temperature-controlled chuck and method for controlling the temperature of a substantially flat object
DE10157647C5 (de) * 2001-11-26 2012-03-08 Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Werkstücken in einer Laser-Materialbearbeitungsanlage oder einer Stereolitographieanlage
EP1359466A1 (en) 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
JP2004022859A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
JP4061131B2 (ja) * 2002-06-18 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着装置
US7092231B2 (en) * 2002-08-23 2006-08-15 Asml Netherlands B.V. Chuck, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1475666A1 (en) 2003-05-06 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Substrate holder for lithographic apparatus
US20050042881A1 (en) * 2003-05-12 2005-02-24 Tokyo Electron Limited Processing apparatus
TW200511388A (en) 2003-06-13 2005-03-16 Nikon Corp Exposure method, substrate stage, exposure apparatus and method for manufacturing device
EP1491953A1 (en) 2003-06-23 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2005029401A (ja) 2003-07-08 2005-02-03 Iwasaki Electric Co Ltd 光源用反射鏡および光源ユニット
EP1498777A1 (en) 2003-07-15 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Substrate holder and lithographic projection apparatus
TWI254188B (en) 2003-07-23 2006-05-01 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and article holder therefor
EP1507172A1 (en) * 2003-08-12 2005-02-16 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and apparatus adjustment method
US7072165B2 (en) 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
JP2005136025A (ja) 2003-10-29 2005-05-26 Trecenti Technologies Inc 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及びウエハステージ
DE602004032100D1 (de) 2003-11-05 2011-05-19 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Vorrichtungs-Halteverfahren
US7019820B2 (en) * 2003-12-16 2006-03-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7245357B2 (en) 2003-12-15 2007-07-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US7824498B2 (en) * 2004-02-24 2010-11-02 Applied Materials, Inc. Coating for reducing contamination of substrates during processing
ITPR20040018A1 (it) 2004-03-09 2004-06-09 Sig Technology Ag Macchina etichettatrice con dispositivo di saldatura ad ultrasuoni per realizzare una etichetta tubolare in film termoretraibile e procedimento di saldatura.
US7524735B1 (en) 2004-03-25 2009-04-28 Novellus Systems, Inc Flowable film dielectric gap fill process
US7133120B2 (en) 2004-05-04 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, article support member, and method
KR101378688B1 (ko) 2004-06-21 2014-03-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7050147B2 (en) * 2004-07-08 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Method of adjusting a height of protrusions on a support surface of a support table, a lithographic projection apparatus, and a support table for supporting an article in a lithographic apparatus
US7304715B2 (en) 2004-08-13 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7244311B2 (en) * 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
US7532310B2 (en) * 2004-10-22 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Apparatus, method for supporting and/or thermally conditioning a substrate, a support table, and a chuck
US7327439B2 (en) 2004-11-16 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7396412B2 (en) 2004-12-22 2008-07-08 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with shared dispense
WO2007013947A1 (en) 2005-07-22 2007-02-01 Tdy Industries, Inc. Composite materials
EP1770443B1 (en) 2005-09-28 2016-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser processing apparatus and exposure method
US20070097346A1 (en) 2005-10-28 2007-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7564536B2 (en) * 2005-11-08 2009-07-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070139855A1 (en) 2005-12-21 2007-06-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp for a lithographic apparatus
US7626681B2 (en) * 2005-12-28 2009-12-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2007201068A (ja) 2006-01-25 2007-08-09 Taiheiyo Cement Corp 静電チャック
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP2007258240A (ja) 2006-03-20 2007-10-04 Tokyo Electron Ltd 表面処理方法
JP4873405B2 (ja) * 2006-03-24 2012-02-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置と方法
EP1840657A1 (en) 2006-03-28 2007-10-03 Carl Zeiss SMT AG Support structure for temporarily supporting a substrate
JP2007329008A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Tokyo Electron Ltd 熱板及びその製造方法
JP5019811B2 (ja) * 2006-07-20 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 静電吸着電極の補修方法
US8325321B2 (en) 2006-07-28 2012-12-04 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system, method of heat dissipation and frame
DE102007005780A1 (de) 2006-08-10 2008-02-14 Carl Zeiss Smt Ag Verbundstruktur für die Mikrolithographie und optische Anordnung
JP2008085129A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Taiheiyo Cement Corp 基板載置装置
WO2008047886A1 (en) 2006-10-13 2008-04-24 Asahi Glass Co., Ltd. Method of smoothing surface of substrate for euv mask blank, and euv mask blank obtained by the method
JP4890421B2 (ja) 2006-10-31 2012-03-07 太平洋セメント株式会社 静電チャック
WO2008057483A2 (en) 2006-11-03 2008-05-15 Semlux Technologies, Inc. Laser conversion of high purity silicon powder to densified garnular forms
JP2008160093A (ja) * 2006-11-29 2008-07-10 Toto Ltd 静電チャック、静電チャックの製造方法および基板処理装置
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080138504A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
US7791708B2 (en) * 2006-12-27 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties
JP4874133B2 (ja) * 2007-02-02 2012-02-15 パナソニック株式会社 金型およびその製造方法
KR20090008658A (ko) 2007-07-18 2009-01-22 삼성전자주식회사 소자분리막을 갖는 반도체 소자의 제조방법
US7940511B2 (en) 2007-09-21 2011-05-10 Asml Netherlands B.V. Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
US20090122458A1 (en) * 2007-11-14 2009-05-14 Varian Semiconductor Epuipment Associated, Inc. Embossed electrostatic chuck
US20090138504A1 (en) 2007-11-26 2009-05-28 International Business Machines Corporation Electronic calendar scheduling method
JP4894770B2 (ja) 2008-01-30 2012-03-14 株式会社フェローテックセラミックス 炭化珪素／窒化硼素複合材料焼結体、その製造方法およびその焼結体を用いた部材
NL1036460A1 (nl) * 2008-02-20 2009-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
KR200449275Y1 (ko) 2008-02-25 2010-06-28 정지융 일회용 이쑤시개 겸용 식사도구 받침대
JP2009246302A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Lintec Corp ダイソートテープ
NL1036715A1 (nl) 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus.
EP2131241B1 (en) 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
US8421993B2 (en) 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI475594B (zh) 2008-05-19 2015-03-01 Entegris Inc 靜電夾頭
US7883988B2 (en) 2008-06-04 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor substrate
CN102160167B (zh) 2008-08-12 2013-12-04 应用材料公司 静电吸盘组件
JP2010161319A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Nikon Corp 静電吸着保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5193886B2 (ja) * 2009-01-14 2013-05-08 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置の補修方法および補修装置、ならびに静電チャック装置
JP5705133B2 (ja) 2009-02-04 2015-04-22 マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． 静電チャックシステムおよび基板表面に亘って温度プロファイルを半径方向に調整するための方法
KR20100092221A (ko) 2009-02-12 2010-08-20 삼성전자주식회사 실린더형 커패시터 하부 전극을 포함하는 반도체 메모리 소자
EP2400536B1 (en) 2009-02-18 2020-04-15 Ulvac, Inc. Wafer conveying tray and method of securing wafer on tray
NL2004153A (en) 2009-02-24 2010-08-25 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, a method for removing material of one or more protrusions on a support surface, and an article support system.
JP5731485B2 (ja) 2009-05-15 2015-06-10 インテグリス・インコーポレーテッド ポリマー突起を有する静電チャック
US20110036990A1 (en) * 2009-08-12 2011-02-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Platen to control charge accumulation
JP5561989B2 (ja) * 2009-10-02 2014-07-30 太陽ホールディングス株式会社 レーザーを用いたパターン形成方法
DE102009051351B4 (de) 2009-10-30 2014-07-10 Siemens Aktiengesellschaft Schienenfahrzeug mit Füllstandsüberwachung eines Abwasserbehälters
JP5641765B2 (ja) 2009-11-02 2014-12-17 キヤノン株式会社 情報処理装置、認証方法、及びコンピュータプログラム
EP2365390A3 (en) * 2010-03-12 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2012005294A1 (ja) * 2010-07-09 2012-01-12 株式会社クリエイティブ テクノロジー 静電チャック装置及びその製造方法
NL2006913A (en) 2010-07-16 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
NL2007768A (en) 2010-12-14 2012-06-18 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
TWI441589B (zh) 2011-01-07 2014-06-11 Taiwan Green Point Entpr Co A composite structure and its manufacturing method
JP5989673B2 (ja) * 2011-02-01 2016-09-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板テーブル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
NL2008178A (nl) 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and stage system.
NL2008630A (en) 2011-04-27 2012-10-30 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
JP5063797B2 (ja) * 2011-05-23 2012-10-31 京セラ株式会社 吸着部材、吸着装置および吸着方法
NL2009487A (en) 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
NL2009874A (en) 2011-12-23 2013-06-26 Asml Netherlands Bv Support, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2009858A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL2010140A (en) 2012-02-03 2013-08-06 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
JP2015518659A (ja) 2012-04-19 2015-07-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板ホルダ、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
EP2927947B1 (en) 2012-11-28 2020-05-06 Kyocera Corporation Placement member and method for manufacturing same
KR20160013916A (ko) 2013-05-23 2016-02-05 가부시키가이샤 니콘 기판 유지 방법 및 장치, 그리고 노광 방법 및 장치
US9220333B2 (en) 2013-11-27 2015-12-29 Msa Technology, Llc Adjustable lumbar support for mounting on a backpack and backpack having the same
JP6684292B2 (ja) 2015-04-06 2020-04-22 エム キューブド テクノロジーズ， インコーポレイテッド ダイヤモンドのみの接触面を有する物品
JP6867149B2 (ja) * 2015-12-25 2021-04-28 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材
JP7278035B2 (ja) * 2018-06-20 2023-05-19 新光電気工業株式会社 静電チャック、基板固定装置
EP3882700A1 (en) * 2020-03-16 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Object holder, tool and method of manufacturing an object holder

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234342A (ja) 2003-02-03 2003-08-22 Toshiba Corp 化合物半導体多層膜のドライエッチング方法
JP2005079586A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Asml Netherlands Bv リトグラフ装置およびデバイス製造方法
WO2011053145A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno Method of making a support structure
JP2011176275A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20170312826A1 (en) 2017-11-02
CN104081285B (zh) 2017-06-13
US20140368804A1 (en) 2014-12-18
US20150029485A1 (en) 2015-01-29
CN109298602B (zh) 2021-10-15
JP2015508229A (ja) 2015-03-16
US9737934B2 (en) 2017-08-22
US11376663B2 (en) 2022-07-05
EP2810127B1 (en) 2020-03-04
US9442395B2 (en) 2016-09-13
US20220152703A1 (en) 2022-05-19
US20160377994A1 (en) 2016-12-29
US11235388B2 (en) 2022-02-01
US20220331862A1 (en) 2022-10-20
NL2010139A (en) 2013-08-06
CN109375474A (zh) 2019-02-22
US20210107061A1 (en) 2021-04-15
US11628498B2 (en) 2023-04-18
KR20140114430A (ko) 2014-09-26
CN109298602A (zh) 2019-02-01
EP3683627A1 (en) 2020-07-22
WO2013113568A3 (en) 2013-12-12
JP6609341B2 (ja) 2019-11-20
US10898955B2 (en) 2021-01-26
US20190224755A1 (en) 2019-07-25
JP6882420B2 (ja) 2021-06-02
JP6317785B2 (ja) 2018-04-25
EP2810128B1 (en) 2019-10-02
JP2018117153A (ja) 2018-07-26
US20210114101A1 (en) 2021-04-22
WO2013113568A2 (en) 2013-08-08
EP2810127A1 (en) 2014-12-10
US20230251579A1 (en) 2023-08-10
JP2016187046A (ja) 2016-10-27
US9507274B2 (en) 2016-11-29
CN109254501A (zh) 2019-01-22
JP6085616B2 (ja) 2017-02-22
JP2021121865A (ja) 2021-08-26
US11754929B2 (en) 2023-09-12
CN104081285A (zh) 2014-10-01
JP7186258B2 (ja) 2022-12-08
US20240027915A1 (en) 2024-01-25
US20170036272A1 (en) 2017-02-09
JP2023026425A (ja) 2023-02-24
US10875096B2 (en) 2020-12-29
US10245641B2 (en) 2019-04-02
JP2015507367A (ja) 2015-03-05
NL2010140A (en) 2013-08-06
EP3550364A1 (en) 2019-10-09
JP2020024451A (ja) 2020-02-13
EP2810128A2 (en) 2014-12-10
WO2013113569A1 (en) 2013-08-08
JP5957540B2 (ja) 2016-07-27
CN104272190A (zh) 2015-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101652782B1 (ko) 기판 홀더 및 리소그래피 장치
US11003094B2 (en) Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder
TWI507828B (zh) 基板支架、微影裝置及元件製造方法
US11960213B2 (en) Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant