JP7164605B2 - リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダ - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０１７年１２月１３日に出願された欧州出願１７２０６９１２．２及び２０１８年７月１２日に出願された欧州出願１８１８３１１９．９の優先権を主張する。両出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明はリソグラフィ装置で使用するための基板ホルダに関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に付与するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（よく「デザインレイアウト」又は「デザイン」とも呼ばれる）を基板（例えばウェーハ）上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上へ投影することができる。

[0004] 半導体製造プロセスが進歩し続けるのと共に、回路素子の寸法は、一般に「ムーアの法則」と呼ばれる傾向に従って絶えず縮小され、一方でデバイス当たりのトランジスタなどの機能素子の量は、数十年にわたって着実に増加している。ムーアの法則についていくために、半導体産業は、ますます小さなフィーチャを作製できるようにする技術を追いかけている。基板にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用いることができる。この放射の波長は、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、及び１３．５ｎｍである。４ｎｍから２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置を使用して、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成することができる。

[0005] 液浸リソグラフィ装置において、液浸液は、装置の投影システムと基板との間の空間に入れられる。この液浸液は、基板の縁部を越えて基板の下面に到達する可能性がある。これは、この液浸液から生じる基板の下面の汚染及び／又は基板の縁部に近い位置にある基板の下面にかかる熱負荷、液浸液の蒸発に起因して有害である可能性がある。基板を支持するように構成される基板ホルダは、液浸液が基板の下面に沿って半径方向内側に移動する量及び／又は距離を減じる特徴部を有することができる。

[0006] 基板は一般に、照射されている間、基板ホルダによって支持される。基板ホルダは、使用中に基板の下部と接触して基板を支持する支持要素などの特定部分を備えることができる。基板は、照射が行われた後に基板ホルダから取り外すことができる。基板を基板ホルダからアンロードするために行われる特定のステップがある場合がある。基板は、基板をアンロードするプロセス中に変形する可能性がある。変形によって、一般に、基板の中心が基板ホルダから離れて浮き上がったり、基板の下の最も外側のサポート上で基板ホルダに向かって片持ち梁のように下がったりする。

[0007] アンロードプロセス中に、変形した基板は基板ホルダの様々な部品と接触し摩耗する可能性があり、様々な問題が起こる可能性がある。第１に、アンロード中に基板ホルダの支持要素と基板の下側とが相互作用することによって、支持要素の摩耗が生じる可能性がある。支持要素は、さらなる層を照射するために基板を支持したり、さらなる基板を支持したりすることに使用されるとき、支持要素の摩耗が焦点問題及び／又はオーバーレイ問題を引き起こす可能性がある。支持要素の摩耗は、やがて基板テーブルの交換が必要になることを意味することができる。換言すれば、支持要素の摩耗は、基板ホルダの耐用期間を制限する可能性がある。第２に、基板の下部は、液浸液が外縁部から半径方向内側に移動する量及び／又は距離を減ずることに使用される特徴部と接触する傾向がある。これは、基板が上記特徴部を摩滅させること、及び特徴部が基板の外縁部における基板の下部を削ることを意味する。これによって、システムを汚染する粒子が生成され、焦点問題及び／又はオーバーレイ問題が生じる可能性がある。

[0008] 本発明の目的は、基板を支持するのに使用される支持要素の摩耗を低減する、及び／又はシステムを汚染する可能性がある基板の下側の損傷を減少させる基板ホルダを提供することである。

[0009] 本発明のある実施形態では、基板を支持するように構成された、リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、基板ホルダが、本体表面を有する本体と、それぞれが基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、本体表面から突出する複数の支持要素と、本体表面から突出する第１のシール部材を含み、第１のシール部材が、基板のロード及び／又はアンロード中に基板と接触するように構成された接触領域を有する上面と、第１の高さよりも低い第２の高さとを有し、複数の支持要素の半径方向外側に複数の支持要素を取り囲むように配置されたシール部と、を備え、接触領域の位置が、基板のロード及び／又はアンロード中に基板により第１のシール部材に加えられる力が基板により複数の支持要素に加えられる力よりも大きくなるほど十分に複数の支持要素から離れたところに配置される、基板ホルダが提供される。

[00010] 本発明のある実施形態では、基板を支持するように構成された、リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、基板ホルダが、本体表面を有する本体と、それぞれが基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、本体表面から突出する複数の支持要素と、本体表面から突出する第１のシール部材を含み、第１のシール部材が、第１の高さよりも低い第２の高さを有し、複数の支持要素の半径方向外側に複数の支持要素を取り囲むように配置されたシール部と、本体表面から突出し、上面を有する少なくとも１つの別の部材であって、シール部の半径方向外側にシール部を取り囲むように配置され、別の部材の上面を構成するコーティングを備え、コーティングが、基板のロード及び／又はアンロード中に基板と接触するように構成された接触領域を有し、コーティングが、ダイアモンド状炭素（例えばａ－ＣＨ）、ダイアモンド、炭化ケイ素（例えばＳｉＳｉＣ又はＳｉＣ）、窒化ホウ素、又は窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）から作られる、少なくとも１つの別の部材と、を備え、別の部材の接触領域の位置が、基板のロード及び／又はアンロード中に基板により別の部材に加えられる力が基板により複数の支持要素に加えられる力よりも大きくなるほど十分に複数の支持要素から離れたところに配置される、基板ホルダが提供される。

[00011] 本発明のある実施形態では、基板を支持するように構成された、リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、基板ホルダが、本体表面を有する本体と、それぞれが基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、本体表面から突出する複数の支持要素と、本体表面から突出する第１のシール部材を含み、第１のシール部材が、基板のロード及び／又はアンロード中に基板と接触するように構成された接触領域を有する上面と、第１の高さよりも低い第２の高さとを有し、複数の支持要素の半径方向外側に複数の支持要素を取り囲むように配置されたシール部と、を備え、第１のシール部材の半径方向の断面における接触領域のプロファイルが、基板のロード及び／又はアンロード中に基板がプロファイルの少なくとも２つの異なる点を介して第１のシール部材と接触するように構成された形状を有する基板ホルダが提供される。

[00012] 本発明のある実施形態では、基板を支持するように構成された基板ホルダを備えたリソグラフィ装置が提供される。

[00013] 本発明の実施形態を、単なる例として添付の概略図を参照して以下に説明する。

リソグラフィ装置の概略図を示す。 全周に延在し得る異なる特徴部が左側及び右側に示された、２つの異なるバージョンの流体ハンドリング構造を断面図で示す。 従来技術に係る基板ホルダを断面図で示す。 最も外側の支持要素及びシール部材を示す図３Ａの拡大部分を示す。 本発明に係る基板ホルダの縁部を断面図で示す。 本発明に係る基板ホルダの縁部を断面図で示す。 本発明に係る基板ホルダの縁部を断面図で示す。 それぞれ本発明に係るシール部を断面図で示す。 本発明に係る基板ホルダの縁部を断面図で示す。 本発明に係る基板ホルダの縁部を断面図で示す。 本発明に係る基板の縁部を断面図で示す。

[00014] 本文献において、「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外線を含む全てのタイプの電磁放射を包含するために用いられる。
この本文で用いられる「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分に作成されることになるパターンに対応して、パターン形成された断面を入射放射ビームに与えるために使用できる一般的なパターニングデバイスを指すように広義に解釈することができる。「ライトバルブ」という用語もまた、この文脈において用いることができる。典型的なマスク（透過又は反射、バイナリ、移相、ハイブリッド等）に加えて、他のかかるパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。

[00015] 図１は、リソグラフィ装置を概略的に示している。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータともよばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、一定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたマスクサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、一定のパラメータに従って基板サポートＷＴを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板サポート（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。

[00016] 動作中、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射ビームＢを受け取る。照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、及び／又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気などの様々なタイプの光学コンポーネント、及び／又は他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせを備えることができる。イルミネータＩＬを使用して、パターニングデバイスＭＡの平面において、放射ビームＢの断面に所望の空間及び角度強度分布を有するように放射ビームＢを調節することができる。

[00017] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、用いられている露光放射、及び／又は液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に適切な、屈折、反射、反射屈折、アナモルフィック、磁気、電磁気、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものと広義に解釈されるべきである。本明細書における「投影レンズ」という用語のいかなる使用も、「投影システム」ＰＳというより一般的な用語と同義なものと見なすことができる。

[00018] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間１１を満たすために、基板の少なくとも一部分が、比較的高い屈折率を有する液浸液、例えば水によって覆うことができるタイプであってよく、液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技術に関するより多くの情報が、参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第６，９５２，２５３号に示されている。

[00019] リソグラフィ装置は、２つ以上の基板サポートＷＴ（「デュアルステージ」とも呼ばれる）を有するタイプであってもよい。かかる「マルチステージ」機械において、基板サポートＷＴは並列で使用することができる、及び／又は基板Ｗの後続の露光に備えるステップは、一方の基板サポートＷＴ上の別の基板Ｗが、その一方の基板Ｗ上にパターンを露光するために使用されている間に、もう一方の基板サポートＷＴ上に位置する基板Ｗ上で実行することができる。

[00020] 基板サポートＷＴに加えて、リソグラフィ装置は、測定ステージを備えることができる。測定ステージは、センサ及び／又はクリーニングデバイスを保持するように配置される。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するように配置することができる。測定ステージは複数のセンサを保持することができる。クリーニングデバイスは、リソグラフィ装置の一部、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を供給するシステムの一部を洗浄するように配置することができる。測定ステージは、基板サポートＷＴが投影システムＰＳから離れている場合に、投影システムＰＳの下に移動することができる。

[00021] 動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されるパターニングデバイス、例えばマスクＭＡ上に入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（デザインレイアウト）によってパターン付与される。マスクＭＡを横断した後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを合焦させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＩＦの支援により、基板サポートＷＴは、例えば、合焦され整列した位置に放射ビームＢの経路上の異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭ、及び場合により別の位置センサ（図１に明示的には示されていない）を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示したような基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、専用のターゲット部分を占めるが、それらはターゲット部分間の空間に位置することができる。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、ターゲット部分Ｃ間に位置する場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。

[00022] 本発明を明確にするために、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は、３つの軸、すなわちｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸を有する。３つの軸のそれぞれは、他の２つの軸と直交する。ｘ軸を中心とする回転は、Ｒｘ回転と呼ばれる。ｙ軸を中心とする回転は、Ｒｙ回転と呼ばれる。ｚ軸を中心とする回転は、Ｒｚ回転と呼ばれる。ｘ軸及びｙ軸は水平面を定義するのに対して、ｚ軸は垂直方向にある。デカルト座標系は本発明を限定しているのではなく、明確化のためにのみ用いられる。代わりに、円筒座標系などの別の座標系を用いて本発明を明確にすることもできる。デカルト座標系の向きは、例えばｚ軸が水平面に沿った成分を有するように異なってもよい。

[00023] 液浸技術は、より小さなフィーチャの解像度を向上させることができるようにリソグラフィシステムに導入されている。液浸リソグラフィ装置では、比較的高い屈折率を有する液浸液の液体層を、装置の（パターン付与されたビームを基板Ｗ方向に投影する）投影システムと基板Ｗとの間の空間１１に介在させる。液浸液は、投影システムＰＳの最終素子の下の基板の少なくとも一部を覆う。したがって、露光を受ける基板Ｗの少なくとも一部分は液浸液に浸漬されている。露光放射の波長は気体よりも液体中で短くなるため、液浸液の効果によってより小さなフィーチャの結像が可能になる。（液浸液の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくすることであり、また、同じく焦点深度を深くすることであると見なすこともできる。）

[00024] 商用の液浸リソグラフィでは、液浸液は水である。典型的には、水は半導体製造工場で一般的に使用される超純水（ＵＰＷ）などの高純度の蒸留水である。液浸システムでは、ＵＰＷは頻繁に精製され、液浸空間１１に液浸液として供給される前に追加の処理ステップを経る場合がある。水以外に、他の高屈折率の液体、例えば、フッ化炭化水素などの炭化水素、及び／又は水溶液を液浸液として使用することができる。さらに、液体以外の他の流体を液浸リソグラフィで使用することも想定されている。

[00025] 本明細書では、使用時に液浸液が最終素子と最終素子に対向する表面との間の空間１１に閉じ込められる局所液浸について言及される。対向表面は、基板Ｗの表面、又は基板Ｗの表面と同一平面上にある支持ステージ（すなわち基板サポートＷＴ）の表面である（以下の記載においては、明示的に別段の定めをした場合を除き、基板Ｗの表面について言及した場合、追加的に又は代替的に基板サポートＷＴの表面についても言及し、逆の場合も同じであることに留意されたい）。液浸液を液浸空間１１に閉じ込めるために、投影システムＰＳと基板サポートＷＴとの間に存在する流体ハンドリング構造１２を使用する。液浸液で満たされる空間１１は、基板Ｗの上面よりも平面視で小さく、空間１１は、その下を基板Ｗ及び基板サポートＷＴが移動する間、投影システムＰＳに対して実質的に静止したままである。

[00026] 他の液浸システム、例えば非閉じ込め液浸システム（いわゆる「オールウェット」液浸システム）及び槽液浸システムなども想定されている。非閉じ込め液浸システムでは、液浸液は最終素子下の表面を十二分に覆う。液浸空間１１外の液体は薄い液膜として存在する。液体は、基板Ｗの表面全体、更には基板Ｗ及び基板Ｗと同一平面上の基板サポートＷＴの表面全体を覆うこともある。槽式システムでは、基板Ｗは液浸液の槽に完全に浸漬される。

[00027] 流体ハンドリング構造１２は、液浸液を液浸空間１１に供給し、液浸液を空間１１から除去することによって液浸液を液浸空間１１に閉じ込める構造である。流体ハンドリング構造は、流体供給システムの一部である特徴部を備える。ＰＣＴ特許出願公開第ＷＯ９９／４９５０４号に開示された構成は、液浸液の供給、又は空間１１からの液浸液の回収の何れかを行い、投影システムＰＳ下のステージの相対運動に応じて動作するパイプを備えた初期の流体ハンドリング構造である。つい最近の設計では、流体ハンドリング構造は、投影システムＰＳの最終素子と基板サポートＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在し、これによって空間１１を部分的に画定する。

[00028] 流体ハンドリング構造１２は、選択的な異なる機能を有することができる。各機能は、流体ハンドリング構造１２がその機能を果たすことができるようにする対応する特徴部から得ることができる。流体ハンドリング構造１２は、それぞれがある機能を示す多くの異なる用語、例えば、バリア部材、シール部、流体供給システム、流体除去システム、液体閉じ込め構造などと呼ばれることがある。

[00029] バリア部材として、流体ハンドリング構造１２は、空間１１からの液浸液の流れに対するバリアである。液体閉じ込め構造として、構造は液浸液を空間１１に閉じ込める。シール部として、流体ハンドリング構造のシール特徴部は、液浸液を空間１１に閉じ込めるシールを形成する。シール特徴部は、ガスナイフなどのシール部のシール部材の表面の開口からの追加のガス流を含むことができる。

[00030] ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、液浸流体を供給することができる、すなわち流体供給システムであってよい。

[00031] ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めることができる、すなわち流体閉じ込めシステムであってよい。

[00032] ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、液浸流体に対するバリアを提供することができる、すなわち流体閉じ込め構造などのバリア部材であってよい。

[00033] ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、例えば液浸流体の流れ及び／又は位置を制御することに役立つガス流を生成又は使用することができる。

[00034] ガス流は、液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができるため、流体ハンドリング構造１２はシール部と呼ばれることがあり、このようなシール部は流体閉じ込め構造であってよい。

[00035] ある実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。この場合、流体ハンドリング構造１２は液体ハンドリングシステムであってよい。上記の説明に関して、このパラグラフにおける流体に関して定義された特徴部についての言及は、液体に関して定義された特徴部を含むものと理解することができる。

[00036] リソグラフィ装置は投影システムＰＳを有する。基板Ｗの露光中、投影システムＰＳは、パターン付与された放射ビームを基板Ｗ上に投影する。基板Ｗに到達するように、放射ビームＢの経路は、投影システムＰＳから流体ハンドリング構造１２により投影システムＰＳと基板Ｗとの間に閉じ込められた液浸液を通過する。投影システムＰＳは、液浸液と接触している、ビーム経路上の最後のレンズ素子を有する。液浸液と接触しているこのレンズ素子は、「最終レンズ素子」又は「最終素子」と呼ばれることがある。最終素子は、流体ハンドリング構造１２によって少なくとも部分的に囲まれている。流体ハンドリング構造１２は、最終素子の下方かつ対向表面の上方に液浸液を閉じ込めることができる。

[00037] 図２Ａ及び図２Ｂは、流体ハンドリング構造１２の変形形態に存在し得る異なる特徴部を示している。設計は、異なる記載がない限り図２Ａ及び図２Ｂと同じ特徴部の一部を共有することができる。本明細書に記載の特徴部は、図示されているように又は必要に応じて、個別に又は組み合わせて選択することができる。

[00038] 図２Ａは、最終素子１００の底面周辺の流体ハンドリング構造１２を示す。最終素子１００は逆円錐台形状を有する。円錐台形状は、平坦な底面及び円錐面を有する。円錐台形状は、平面から突出し、底部平面を有する。底部平面は、放射ビームＢが通過し得る最終素子１００の底面の光学的能動部分である。最終素子１００はコーティング３０を有することができる。流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の少なくとも一部を取り囲む。流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の円錐面に対向する内面を有する。内面及び円錐面は相補形状を有する。流体ハンドリング構造１２の頂面は実質的に平坦である。流体ハンドリング構造１２は、最終素子１００の円錐台形状周囲にフィットすることができる。流体ハンドリング構造１２の底面は実質的に平坦であり、使用中、底面は基板サポートＷＴ及び／又は基板Ｗの対向表面と平行である可能性がある。底面と対向表面との間の距離は、３０～５００ミクロンの範囲内、望ましくは８０～２００ミクロンの範囲内であってよい。

[00039] 流体ハンドリング構造１２は、最終素子１００よりも基板Ｗ及び基板サポートＷＴの対向表面の近くに延在する。したがって、空間１１は、流体ハンドリング構造１２の内面と、円錐台部分の平面と、対向表面との間に画定される。使用中、空間１１は液浸液で満たされる。液浸液は、最終素子１００と流体ハンドリング構造１２との間の相補面の間のバッファ空間の少なくとも一部、ある実施形態では、相補内面と円錐面との間の空間の少なくとも一部を満たす。

[00040] 液浸液は、流体ハンドリング構造１２の表面に形成された開口を介して空間１１に供給される。液浸液は、流体ハンドリング構造１２の内面の供給開口２０を介して供給することができる。代替的又は付加的に、液浸液は、流体ハンドリング構造１２の下面に形成された下方供給開口２３から供給される。下方供給開口２３は、放射ビームＢの経路を取り囲むことができ、アレイ形式の一連の開口から形成することができる。液浸液は、空間１１を満たすように供給されるため、投影システムＰＳの下の空間１１を通る流れは層流となる。加えて、流体ハンドリング構造１２の下の下方供給開口２３からの液浸液の供給は、空間１１への泡の進入を防ぐ。この液浸液の供給は、液体シールとして機能する。

[00041] 液浸液は、内面に形成された回収開口２１から回収することができる。回収開口２１を介した液浸液の回収は負圧の印加によるものであってよく、回収開口２１を介した回収は空間１１を通過する液浸液の流れの速度の結果であるか、あるいは回収は両方の結果であってよい。回収開口２１は、平面視した場合、供給開口２０の反対側に位置することができる。付加的又は代替的に、液浸液は、流体ハンドリング構造１２の頂面上に位置するオーバフロー開口２４を介して回収することができる。ある実施形態では、供給開口２０及び回収開口２１は、その機能を交換することができる（すなわち、液体の流れ方向を逆転させる）。これによって、流れ方向を流体ハンドリング構造１２及び基板Ｗの相対運動に応じて変化させることが可能になる。

[00042] 付加的又は代替的に、液浸液は、底面に形成された回収開口２５を介して流体ハンドリング構造１２の下から回収することができる。回収開口２５は、液浸液のメニスカス３３を流体ハンドリング構造１２に対して保持する（又は「釘付けする（pin）」）働きをすることができる。メニスカス３３は、流体ハンドリング構造１２と対向表面との間に形成され、液体空間とガス状の外部環境との間の境界としての働きをする。回収開口２５は、単相流で液浸液を回収し得る多孔質プレートであってよい。底面の回収開口は、液浸液の回収が行われる一連の釘付け開口３２であってよい。釘付け開口３２は、二相流で液浸液を回収することができる。

[00043] 任意で、流体ハンドリング構造１２の内面に対して半径方向外側にガスナイフ開口２６がある。ガスは、空間１１内の液浸液の液体閉じ込めを支援するために、高速でガスナイフ開口２６を介して供給することができる。供給されたガスは加湿することができ、実質的に二酸化炭素を含むことができる。ガスナイフ開口２６の半径方向外側には、ガスナイフ開口２６を介して供給されるガスを回収するためのガス回収開口２８がある。例えば大気に又はガス源に開放した別の開口が、流体ハンドリング構造１２の底面に存在してもよい。例えば、別の開口が、ガスナイフ開口２６とガス回収開口２８との間、及び／又は釘付け開口３２とガスナイフ開口２６との間に存在してもよい。

[00044] 図２Ａと共通の図２Ｂに示された特徴部は、同じ参照番号を共有する。流体ハンドリング構造１２は、円錐台形状の円錐面と相補する内面を有する。流体ハンドリング構造１２の下面は、円錐台形状の底部平面よりも対向表面に近い。

[00045] 液浸液は、流体ハンドリング構造１２の内面に形成された供給開口３４を介して空間１１に供給される。供給開口３４は、内面の底部寄りの、円錐台形状の底面の下方に位置する可能性がある。供給開口３４は、放射ビームＢの経路の周囲に間隔を開けて、内面の周囲に位置する。

[00046] 液浸液は、流体ハンドリング構造１２の下面の回収開口２５を介して空間１１から回収される。対向表面が流体ハンドリング構造１２の下で移動するとき、メニスカス３３は回収開口２５の表面上を対向表面の移動と同じ方向に移動することができる。回収開口２５は多孔質部材で形成することができる。液浸液は単相で回収することができる。ある実施形態では、液浸液は二相流で回収される。二相流は、流体ハンドリング構造１２内のチャンバ３５で受け入れられ、そこで液体とガスに分離される。液体とガスは、チャンバ３５から別のチャネル３６、３８を通して回収される。

[00047] 流体ハンドリング構造１２の下面の内周３９は、空間１１に向けて内面から離れて延在してプレート４０を形成する。内周３９は、放射ビームＢの形状及びサイズを整合させるような大きさであり得る小さなアパーチャを形成する。プレート４０は、何れか一方の側の液浸液を分離する働きをすることができる。供給された液浸液は、アパーチャに向かって内側に、内側アパーチャを通った後、取り囲む回収開口２５に向かってプレート４０の下を半径方向外側に流れる。

[00048] ある実施形態では、流体ハンドリング構造１２は、図２Ｂの右側に示すような２つの部分、すなわち内側部分１２ａ及び外側部分１２ｂに分かれていてもよい。内側部分１２ａ及び外側部分１２ｂは、対向表面と平行な平面内で、互いに対して相対的に移動することができる。内側部分１２ａは、供給開口３４を有することができ、オーバフロー回収部２４を有することができる。外側部分１２ｂは、プレート４０及び回収開口２５を有することができる。内側部分１２ａは、内側部分１２ａと外側部分１２ｂとの間を流れる液浸液を回収するための中間回収部４２を有することができる。

[00049] 図２Ａ及び図２Ｂの例では、様々な回収開口（例えば、図２Ａの回収開口２１、図２Ａ及び図２Ｂのオーバフロー回収部２４、図２Ａ及び図２Ｂの回収開口２５、図２Ａの釘付け開口３２、及び図２Ｂのチャネル３６、３８）及び／又は供給開口（例えば、図２Ａの供給開口２０、図２Ａの下方供給開口２３、及び図２Ｂの供給開口３４）の少なくとも１つを使用して、空間１１内の液浸液の量を制御することができる。メニスカス３３の位置、及び流体ハンドリングシステム１２の別の部分と最終素子１００との間に形成される点を除いてメニスカス３３と同様のメニスカス２２の位置は、空間１１内の液浸液の量に応じて変化する。

[00050] 基板サポートＷＴは、基板Ｗを支持するように構成された基板ホルダ２００を備えることができる。図３Ａは、基板ホルダ２００、及び基板ホルダ２００により支持されている関連基板Ｗを断面図で示している。基板ホルダ２００は、本体表面２０２を有する本体２０１を備える。使用の際、本体表面２０２は、基板Ｗの下面、すなわち、基板ホルダ２００に面している基板Ｗの下面に面している。

[00051] 本体表面２０２の中心領域は、複数の支持要素２１０が本体表面２０２から突出する。各支持要素２１０は、基板Ｗを支持するように構成された（図３Ｂに示す）遠位端面２１１を有する。例えば、基板Ｗの照射中、支持要素２１０は基板Ｗの下面と接触するように構成することができる。支持要素２１０は、平面視で互いに対して一定のパターンで配列される。パターンは、基板Ｗを支持し、基板Ｗの本体表面２０２に対する湾曲を許容量に抑えるようなものである。

[00052] 各支持要素２１０の平面視面積は、基板Ｗの平面視面積と比較して比較的小さい。したがって、支持要素２１０は基板Ｗの下面の小さなエリアとしか接触しない。これによって、基板ホルダ２００から基板Ｗに汚染が移動する機会が減る。

[00053] 基板Ｗにわたる圧力差が確立される。例えば、基板ホルダ２００の本体２０１と基板Ｗとの間の空間は、基板Ｗ上方のより高い圧力より低い負圧に接続される。圧力差は、使用時に、例えば基板Ｗが照射されるときに基板Ｗを基板ホルダ２００に保持する力を生じさせる。換言すれば、基板ホルダ２００は、基板Ｗを基板ホルダ２００にクランプするための手段を有する。

[00054] 液浸リソグラフィ装置では、基板Ｗの露光中の少なくとも複数の時間に、液体が基板Ｗの縁部に隣接して存在することになる。基板ホルダ２００の本体２０１と基板Ｗの下面との間の負圧によって、この液体は、基板Ｗの縁部の周囲及び基板Ｗの下に引き込まれる。液体が基板Ｗの下面と、特に支持要素２１０が基板Ｗと接触するエリアで接触することを減らすために、本体２０１の本体表面２０２から突出する少なくとも１つの部材を備えたシール部を設けることができる。概して、基板Ｗと本体表面２０２との間の液体は、シール部を越えて半径方向内側に。シール部は第１のシール部材と第２のシール部材とを含むことができる。第１のシール部材は、第２のシール部材の半径方向外側にあり、第２のシール部材を取り囲んでいてよい。第１のシール部材を使用して、第１のシール部材と第２のシール部材との間の領域の圧力を低下させることができる。第２のシール部材は、液体が第２のシール部材の半径方向内側に通過することを制限する又は妨げるように構成することができる。第１のシール部材はまた、液体が第１のシール部材の半径方向内側に通過することを少なくとも部分的に制限することができる。シール部は、液体がシール部の実質的に全周、すなわち基板Ｗ全体を通過することを制限するように構成することができる。換言すれば、シール部の半径方向外側の位置にある液体の量は、シール部の存在によって、シール部の半径方向内側の位置に半径方向内側に移動することが制限される又は妨げられる。これは、シール部の存在が、シール部を設けない場合と比べて、シール部の半径方向内側の位置にある液体の量を減少させることを意味する。液体が単にシール部を周回することを妨げることができる。

[00055] シール部は、例えば基板Ｗの半径方向外縁部の近く又は周囲に形成されたシールなどのシール機構の一部であってよい。シール部は、半径方向内側への液体の通過を制限するのに使用される別のコンポーネントを備えることができる。

[00056] シール部の目的の１つは、支持要素２１０に向かう半径方向内側へのガス（湿っていることは望ましくない可能性がある）の流れを制限することである。これによって、基板Ｗを基板ホルダ２００にクランプするために必要な負圧を支持要素２１０の周囲に生成することができる。支持要素２１０の周囲に負圧を生成する負圧源のスイッチがオフのときに、基板Ｗを基板ホルダ２００から迅速に取り外すことができるように、シール部上方にガス流をいくらか与えることは有利である。シール部を通過するガス流量が低すぎる場合、支持要素２１０の周囲の圧力が基板Ｗ上方の圧力と等しくなる、これによって基板Ｗを解放するまでに要する時間がかかり過ぎる。基板ホルダ２００は、基板Ｗをより迅速に取り外すことができるように、基板Ｗの下面の下に過圧を生成するように構成することができる。

[00057] シール部は少なくとも１つのシール部材を含むことができる。シール部材は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０とを含むことができる。第１のシール部材２２０は図３Ａ及び図３Ｂに示されている。第２のシール部材２４０は以下でさらに詳細に説明される。第１のシール部材２２０は、第１のシール部材２２０の半径方向内側へのガス／流体の流れを制限するように構成することができる。シール部は、例えばドライリソグラフィシステムでは第１のシール部材２２０のみを含むことができる。

[00058] 第１のシール部材２２０は、第１のシール部材２２０の遠位端部である上面２２１を有する。したがって、上面２２１は、第１のシール部材２２０と本体表面２０２との接点から離れたところに位置する（第１のシール部材２２０と本体２０１とが互いに一体である場合も）。上面２２１は、使用時、上面２２１と基板Ｗの下面との間にギャップを形成するように構成される。つまり、上面２２１は、支持要素２１０の遠位端面２１１よりもいくらか本体表面２０２に近くなるように構成される。これは、この構成によって、同じ方向への液体の通過を制限しながら、基板Ｗを取り外す直前に第１のシール部材２２０の上方（基板Ｗの下方）にガスを引き込むことができるため有利である。これは、第１のシール部材２２０から基板Ｗへ汚染が移動して悪影響を及ぼす可能性がある、基板Ｗの下面の大きなエリアとの接触なしに達成される。これはまた、基板ホルダ２００からの基板Ｗの取外しをより問題のあるものとする可能性がある。

[00059] 図３Ａ及び図３Ｂに見られるように、複数の支持要素２１０のうち半径方向に最も外側のものは、基板Ｗの縁部からやや距離がある。半径方向に最も外側の支持要素２１０の半径方向外側に基板Ｗを支持する他の特徴部がない場合、特に基板Ｗのアンロード中に、基板Ｗの縁部の下方への湾曲が生じる可能性がある。これは基板Ｗの上方と比べて基板Ｗの下方が負圧であることに起因する。

[00060] 使用時に、本体表面２０２と基板Ｗとの間の基板ホルダ２００の中心領域に負圧を提供することができる。この負圧によって、使用中、基板Ｗを基板ホルダ２００にクランプすることができる。このクランプするための負圧は、支持要素２１０の半径方向外側の領域における負圧よりも低い大きさ（すなわち厳しくない真空度）を有することができる。

[00061] 基板Ｗのアンロード中、本体表面２０２と基板Ｗとの間の圧力を制御して基板Ｗのアンロードを可能にすることができる。基板Ｗをアンロードすることは、本体表面２０２と基板Ｗとの間の圧力を上昇させるステップを含むことができる。これは図３Ａの上向きの矢印によって示される。例えば、基板Ｗをアンロードしたい場合、基板Ｗの下の真空は、基板Ｗの下に高圧空気を注入することによって除去することができる。したがって、基板Ｗをアンロードすることは、少なくとも１つの解放ステップ、例えば本体２０１と基板Ｗの下面との間の圧力を上昇させることを含む。アンロード中に基板Ｗの下に過圧を生成することの利点は、基板Ｗと本体表面２０２との間にある流体を半径方向外側に押し出すことである。しかしながら、これは一般に、基板Ｗの中央下に過圧をもたらし、基板Ｗの縁部の周囲に負圧をもたらす。したがって、基板Ｗは変形し、基板Ｗの中央が膨れ上がり、基板Ｗの縁部が片持ち梁のように下がる可能性がある。

[00062] 図３Ａ及び図３Ｂは従来技術を示し、基板Ｗの中央が膨れ上がっている一方、基板Ｗの端が、半径方向に最も外側の支持要素２１０及び第１のシール部材２２０と擦過することを示す。図３Ｂの拡大図に示すように、半径方向に最も外側の支持要素２１０の遠位端面２１１と基板Ｗとの間、及び第１のシール部材２２０の上面２２１と基板Ｗとの間には相互作用がある。上記のように、これはシステムに悪影響を及ぼす可能性がある。

[00063] 基板Ｗの支持要素２１０の遠位端面２１１との擦過は、支持要素２１０に力を加える。基板Ｗと支持要素２１０の１つとの間に相互作用があると、支持要素２１０に摩耗が生じる可能性がある。これは、支持要素２１０の正確な高さを変える可能性があるために問題である。支持要素２１０の高さが変わると、別の基板Ｗ及び／又は同じ基板Ｗの別の層を照射する場合に焦点問題及び／又はオーバーレイ問題が生じる可能性がある。支持要素２１０の損傷がひどくなりすぎると、基板ホルダ２００を交換することが必要になる場合がある。したがって、支持要素２１０の損傷を防ぐことで基板ホルダ２００のより安定した長期性能がもたらされる。

[00064] 基板Ｗと第１のシール部材２２０との相互作用が起こるのは、基板Ｗの下側が第１のシール部材２２０の縁部と擦過するとき、すなわち、既知のシステムにおいて、基板Ｗの下面がアンロード中に（断面視で）１つの点接触を介して第１のシール部材２２０と接触するときである。これによって高応力点が基板Ｗの下面にもたらされ、基板Ｗの下面に擦り傷が生じる。擦り傷は、システムを汚染する、基板Ｗ、さらには第１のシール部材２２０の粒子を生成する可能性がある。粒子は一般に、基板Ｗの縁部に近いため、最終的に基板Ｗの上部に行き着く可能性がある。また、相互作用は、望ましくない、すなわち、要求通りに機能する第１のシール部材２２０（ひいてはシール部全体）の能力に影響を及ぼす第１のシール部材２２０の摩耗を生じさせる可能性がある。したがって、第１のシール部材２２０の第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の圧力を制御する、及び／又は第１のシール部材２２０を越えた内側への液体の移動を制御する能力に影響を及ぼす可能性がある、第１のシール部材２２０と基板Ｗとの相互作用を抑えることが望ましい。したがって、シールを提供するのに使用される一定のエリアにある第１のシール部材２２０の損傷を防ぐことで基板ホルダ２００のより安定した長期性能がもたらされる。

[00065] 摩耗は、基板Ｗの汚染、基板ホルダ２００のクランプ特性の変化とこれによる基板Ｗの変形を生じさせる可能性があるために有害である。支持要素２１０と基板Ｗの下側との間の液体の存在はまた、摩耗（基板ホルダ２００がセラミックである場合）、及び場合によっては摩擦変動をもたらす可能性がある。基板Ｗの変形は、汚染と同様、結像エラー（例えば、オーバーレイエラー及び／又は焦点エラー）を引き起こす可能性がある。基板Ｗの下側に液体があることは一般に、基板Ｗの熱安定性問題、又は基板Ｗのアンロード中に液滴が失われた場合の困難をもたらす可能性があるために有害である。

[00066] 同様の問題は、基板Ｗを基板ホルダ２００にロードする間に生じる可能性がある。つまり、基板Ｗはロード中、上記のように基板Ｗの基板ホルダ２００との擦過を引き起こす何らかの形で変形する可能性がある。付加的又は代替的に、ドライリソグラフィ装置における基板Ｗのロード中、基板Ｗはロード中に傾斜する可能性があり、これによって基板Ｗの縁部が支持要素２１０の縁部と接触して摩耗を生じさせる可能性がある。

[00067] 以下で説明されるように、本発明の基板ホルダ２００は、例えば第１のシール部材２２０の半径方向内側への流体／ガスの通過を制限することによって、シール部の一部としての機構をなおも提供しながら、基板Ｗのアンロード（又はロード）中に基板Ｗと相互作用するように構成された第１のシール部材２２０の位置及び形状に起因するこれらの困難の一部を軽減する。アンロードするステップはまた、解放ステップと呼ばれることがあり、したがって、解放という用語は、基板Ｗのアンロードに関連する以下の説明部分において置き換え可能である。

[00068] 本発明では、図３Ａ及び図３Ｂに記載されたような基板ホルダ２００が設けられる。但し、第１のシール部材２２０は、上記の問題の一部に対処するように構成される。本発明と図３Ａ及び図３Ｂに関連して以上で説明した少なくとも第１のシール部材２２０との相違点は以下で詳細に説明される。

[00069] さらに詳細には、本発明は、リソグラフィ装置で使用するための、基板Ｗを支持するように構成された基板ホルダ２００を提供する。基板ホルダ２００は、本体表面２０２を有する本体２０１を備える。基板ホルダ２００はまた、本体表面２０２から突出する複数の支持要素２１０を備え、各支持要素２１０は、基板Ｗを支持するように構成された遠位端面２１１を有する。支持要素２１０は第１の高さを有することができる。基板ホルダ２００はさらにシール部を備える。シール部は、基板Ｗと本体表面２０２との間の液体のシール部を越えた半径方向内側への通過を制限するように構成することができる。シール部は、本体表面２０２から突出し、上面２２１を有する第１のシール部材２２０を含むことができる。第１のシール部材２２０は、第１の高さよりも低い第２の高さを有することができる。つまり、支持要素２１０は第１のシール部材２２０よりも高い可能性がある。同様に、支持要素２１０は第２のシール部材２４０（設けられる場合）よりも高い可能性がある。シール部は、本体表面２０２から突出する第２のシール部材２４０を含むことができる。第２のシール部材２４０は、第１のシール部材２２０の半径方向内側に配置することができる。第１のシール部材２２０は、複数の支持要素２１０の半径方向外側にこれらを取り囲むように配置することができる。第２のシール部材２４０は任意であり、半径方向内側への液体の通過を妨げるために液浸システムに特に有用である可能性がある。

[00070] 第１のシール部材２２０及び第２のシール部材２４０は、一体となって液体及びガスがシール部の半径方向内側へ通過するのを制限する又は妨げるように構成することができる。第１のシール部材２２０は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間に低圧領域を生成するように構成することができる。したがって、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の空間、すなわちシールエリアの圧力は、シール部周囲の圧力よりも低い可能性がある。第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の低圧領域は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の空間を半径方向内側に移動する液体の量を減少させる。

[00071] 第１のシール部材２２０は、シール部の半径方向外側の領域における圧力に対して第１のシール部材２２０の半径方向内側において圧力低下させるように構成することができる。例えば、第１のシール部材２２０は、主に周囲圧力から約－５００ミリバールに圧力を低下させる、つまり、基板Ｗをクランプするための真空を生成するのに使用することができる。第２のシール部材２４０は、シールエリアと、例えば－４７５ミリバールであり得る基板ホルダ２００の内側部分との間の約２５ミリバールの圧力差を維持するのに使用することができる。この小さな圧力差は、第２のシール部材２４０と基板Ｗとの間の小さなギャップに水塊（毛細管）をもたらすことができる。第２のシール部材２４０の主な機能は、水のさらに内側への移動制限であってよい。第２のシール部材２４０は、液体がシール部の半径方向内側へ通過することを抑制する又は妨げるように構成することができる。

[00072] 平面視での第１のシール部材２２０の断面積は、支持要素２１０の断面積よりもかなり大きい可能性がある。平面視での第１のシール部材２２０の面積が比較的大きいと、基板Ｗと本体表面２０２との間の第１のシール部材２２０を越えた半径方向内側への液体の通過に対する抵抗が大きくなる。平面視での第１のシール部材２２０の断面形状は、円形、より具体的にはリング状又は環状であってよい。したがって、第１のシール部材２２０は円環形状を有することができる。

[00073] 平面視での第２のシール部材２４０の断面積は、支持要素２１０の断面積よりもかなり大きい可能性がある。平面視での第２のシール部材２４０の面積が比較的大きいと、基板Ｗと本体表面２０２との間の第２のシール部材２４０を越えた半径方向内側への液体の通過に対する抵抗が大きくなる。第１のシール部材２２０及び第２のシール部材２４０は、同様の又は同じ断面積を有することができる。平面視での第２のシール部材２４０の断面形状は、円形、より具体的にはリング状又は環状であってよい。したがって、第２のシール部材２４０は円環形状を有することができる。

[00074] 第１のシール部材２２０は複数の支持要素２１０を取り囲むことができる。したがって、第１のシール部材２２０は、実質的に複数の支持要素２１０の全周の周囲にあってよい。換言すれば、第１のシール部材２２０は、例えば平面視で、複数の支持要素２１０を囲むことができる。第１のシール部材２２０は、支持要素２１０を取り囲む連続した（但し、断面が必ずしも均一ではない）バリアであってよい。代替的に、第１のシール部材２２０は複数のセグメントで形成することができる。複数のセグメントは、実質的に環状リングの全体を形成することができる。換言すれば、第１のシール部材２２０は、実質的に環状リングを形成する複数の別々のセグメントで形成することができる。セグメント化された環状リングには、隣接するそれぞれとの間にギャップを有する複数のシール部材部分が存在する可能性がある。隣接するシール部材部分間のギャップは、同じ長さであるか、又は隣接する部分の一方又は両方の長さより短くてよい。各シール部材部分間の距離は、隣接するシール部材部分の一方又は両方の幅と同じか、又はこれより小さくてよい。隣接するシール部材部分間のギャップの少なくとも１つ、すなわち隣接する部分間の間隔は、約数十又は数百ミクロンであってよい。隣接するシール部材部分間のギャップの少なくとも１つは、約１０ミクロンと狭くてよい。ギャップの少なくとも１つは０．５～５ｍｍであってよい。ギャップの一部又は全てはこれらの寸法を有することができる。小さいギャップを設けることは、例えば第１のシール部材２２０と基板Ｗの下側との相互作用から生じる汚染物質を、第１のシール部材２２０上に比較的大きい接触エリアを提供しながらもギャップで捕捉できる点で有利である可能性がある。

[00075] 第２のシール部材２４０は、第１のシール部材２２０の半径方向内側に配置することができる。第２のシール部材２４０は、複数の支持要素２１０の一部又は全ての半径方向外側にあってよい。複数の支持要素２１０の一部は、第２のシール部材２４０の半径方向外側に設けることができる。したがって、複数の支持要素２１０の一部は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間に設けることができる。これは図１０との関連で以下にさらに詳細に説明される。

[00076] 第２のシール部材２４０は、複数の支持要素２１０のほとんどではないにしても少なくとも一部を取り囲むことができる。したがって、第２のシール部材２４０は、実質的に複数の支持要素２１０のほとんどではないにしても少なくとも一部の全周の周囲にあってよい。換言すれば、第２のシール部材２４０は、例えば平面視で、複数の支持要素２１０のほとんどではないにしても少なくとも一部を囲むことができる。第２のシール部材２４０は、支持要素２１０を取り囲む連続した（但し、断面が必ずしも均一ではない）バリアであってよい。代替的に、第２のシール部材２４０は複数のセグメントで形成することができる。複数のセグメントは、実質的に環状リングの全体を形成することができる。換言すれば、第２のシール部材２４０は、実質的に環状リングを形成する複数の別々のセグメントで形成することができる。セグメント化された環状リングには、隣接するそれぞれとの間にギャップを有する複数のシール部材部分が存在する可能性がある。隣接するシール部材部分間のギャップは、同じ長さであるか、又は隣接する部分の一方又は両方の長さより短くてよい。各シール部材部分間の距離は、隣接するシール部材部分の一方又は両方の幅と同じか、又はこれより小さくてよい。隣接するシール部材部分間のギャップの少なくとも１つ、すなわち隣接する部分間の間隔は、約数十又は数百ミクロンであってよい。隣接するシール部材部分間のギャップの少なくとも１つは、約１０ミクロンと狭くてよい。ギャップの少なくとも１つは０．５～５ｍｍであってよい。ギャップの一部又は全てはこれらの寸法を有することができる。小さいギャップを設けることは、例えば第１のシール部材２２０と基板Ｗの下側との相互作用から生じる汚染物質をギャップで捕捉できる点で有利である可能性がある。

[00077] 第１のシール部材２２０の上面２２１は、基板Ｗのアンロード中に基板Ｗと接触するように構成された接触領域２２２を有する。第１のシール部材２２０の上面２２１は、基板Ｗが照射されているときに基板Ｗと接触しない、すなわち第１のシール部材２２０が照射中に基板Ｗを支持するのに使用されないように構成される。接触領域２２２は、基板Ｗが照射されているときに基板Ｗと接触しない、すなわち接触領域２２２が照射中に基板Ｗを支持するのに使用されないように構成される。接触領域２２２は、基板Ｗのアンロード中にしか基板Ｗと接触しないように構成することができる。既知のシステムでは、設けられたシール部材の上面が基板Ｗのアンロード（又はロード）中に基板Ｗと接触することは意図されていなかった。さらに、既知のシステムでは、ロード又はアンロード中にシール部材と基板との接触はなかった可能性があるため、全ての摩耗は支持要素２１０上で生じていた可能性がある。

[00078] 本発明では、接触領域２２２の位置は、基板Ｗのアンロード中に基板Ｗにより第１のシール部材２２０に加えられる力が基板Ｗにより複数の支持要素２１０に加えられる力よりも大きくなるほど十分に複数の支持要素２１０から離れたところに配置することができる。これは、基板Ｗのアンロード中、支持要素２１０の摩耗が第１のシール部材２２０の摩耗よりも小さいことを意味する。これは、支持要素２１０の摩耗を、図３Ａ及び図３Ｂに示す構成を用いて基板を解放するときの第１のシール部材２２０の摩耗と比べて減らすことができることを意味する。理想的には、第１のシール部材２２０は、アンロード中に基板Ｗと接触する主特徴部であってよい、すなわち理想的には、アンロード中の一定時点において、基板Ｗは接触領域２２２とのみ接触し、支持要素２１０とは接触しない。

[00079] 換言すれば、基板Ｗのアンロード中に基板Ｗと接触するように構成された第１のシール部材２２０の点及び／又は領域は、半径方向に最も外側の支持要素２１０の摩耗が第１のシール部材２２０の摩耗よりも小さくなるだけ十分に支持要素２１０から離れている。例えば、第１のシール部材２２０が、例えば図４に示すように周囲に均一な断面を有して形成される場合、断面は１つの点接触を示すが、これは第１のシール部材２２０の周囲に提供され、接触領域２２２は、第１のシール部材２２０全体を囲むエリアによって提供されることになる。

[00080] 接触領域２２２は単に、アンロードプロセス中にある点で基板Ｗと接触するように構成された第１のシール部材２２０の領域であってよい。これは一般に知られている一定のエリアであろう。例えば図４では、接触領域２２２は、第１のシール部材２２０の上面２２１上の半径方向に最も外側の点として示される。接触領域２２２は、第１のシール部材２２０の上面２２１と第１のシール部材２２０の半径方向外縁部２２３との間の点に配置することができる。換言すれば、接触領域２２２は、上面２２１と半径方向外縁部２２３との間の領域を提供することができる。したがって、接触領域２２２は、上面２２２と半径方向外縁部２２３との接続部を形成することができる。あるいは、これは、図４のように上面２２１と半径方向外縁部２２３とが交わる点であってよい。代替的に、接触領域２２２は、例えば図６Ａのように、これらの２つの表面の間のエリアであってもよい。上面２２１と接触領域２２２との間に勾配変化がある場合もある。半径方向外縁部２２３の表面と接触領域２２２との間に勾配変化がある場合もある。

[00081] 接触領域２２２は、第１のシール部材２２０の周囲で均一でない場合があり、粒子汚染がより大きいことが分かっているいくつかの位置に大きな接触エリアを提供するように構成することができる。

[00082] 基板Ｗと本体２０１との間の所望の圧力を維持するために、第１のシール部材２２０は半径方向に最も外側の支持要素２１０からある一定の距離内に設けるべきであることが知られている。したがって、本発明は、所要の圧力を維持しながらも、接触領域２２２と最も半径方向に外側の支持要素２１０の半径方向外縁部との間に一定の距離を与えることによって、ここから外れたところを教示する。

[00083] 支持要素２１０に対する接触領域２２２の位置は、様々な異なる方法で制御することができる。例えば図４に示すように、主要寸法は、半径方向に最も外側の支持要素２１０の遠位端面２１１の半径方向外縁部２１２と第１のシール部材２２０の上面２２１の外側上縁部との間の距離に関係する。この寸法は、支持要素２１０及び第１のシール部材２２０のこれらの特定の部分に関係する。なぜなら、これらは基板Ｗのアンロード中に基板Ｗの下面と接触することになるこれらのコンポーネントの部分であるためである。

[00084] 距離は半径方向の距離Ｄで定義することができる。距離は、付加的又は代替的に、支持要素２１０の遠位端面２１１と第１のシール部材２２０の上面２２１との間の距離ｙで定義することもできる。これらの距離はいずれも、基板Ｗがアンロード中にこれらのコンポーネントのそれぞれとどのように相互作用するかに影響を及ぼすことになる。

[00085] この例では、接触領域２２２は断面における縁部接点として示されている。したがって、この実施形態では、接触領域２２２は、第１のシール部材２２０の周囲の同じ接点によって形成される。この接触領域２２２は、図３Ａ及び図３Ｂに示した例と図４では同じものである可能性がある。但し、支持要素２１０に対する本発明の接触領域２２２の位置は、従来技術の接触領域の相対位置と異なる可能性があり、基板Ｗのアンロード中の支持要素２１０の摩耗を低減するように構成される可能性がある。

[00086] ある実施形態では、遠位端面２１１の半径方向外縁部２１２から接触領域２２２までの半径方向距離Ｄは、１，０００ミクロンより大きく、好ましくは１，５００ミクロンより大きい。これは、接触領域２２２が、ロード及び／又はアンロード中に支持要素２１０と基板Ｗとの接触を低減するのに十分なほど支持要素２１０から離れている可能性があることを意味する。付加的又は代替的に、図４にｙで示される、半径方向に最も外側の支持要素２１０と第１のシール部材２２０との高低差は、約２ミクロンから８ミクロンである。半径方向に最も外側の支持要素２１０と第１のシール部材２２０との高低差は、遠位端面２１１と第１のシール部材２２０の上面２２１との間のｙ方向の距離であり、ｙ方向は半径方向を含む平面と直交する。高低差があることで、ロード及び／又はアンロード中の支持要素２１０と基板Ｗとの接触を低減することもできる。

[00087] このような距離を置いて接触領域２２２を設けることは、基板のロード及び／又はアンロード中の基板Ｗの相互作用が半径方向に最も外側の支持要素２１０とよりむしろ第１のシール部材２２０とで大きくなることを意味する。事実上、これは第１のシール部材２２０が犠牲摩耗エリアとして使用されることを意味する。これによって、最も外側の支持要素２１０の摩耗が大幅に低減する可能性がある。半径方向外縁部２１２と接触領域２２２との間の距離を半径方向及び／又はｙ方向に最適化して、基板Ｗをロード及び／又はアンロードする間の最も外側の支持要素２１０と基板Ｗとの摩擦を最小限に抑えることができる。距離Ｄ及び距離ｙの最適値は、基板ホルダ２００、基板Ｗ、及び／又は基板Ｗに適用されるアプリケーションによって変わる可能性がある。

[00088] 第１のシール部材２２０の半径方向の長さｘは、３００ミクロンより大きい、又は好ましくは５００ミクロンより大きくてよい。これは、第１のシール部材２２０の接触領域２２２がアンロード中の基板Ｗと第１のシール部材２２０との相互作用によって次第に摩滅する可能性があるために有益である可能性がある。第１のシール部材２２０が半径方向（すなわちｘ方向）に十分長い場合、第１のシール部材２２０の摩耗は、液体の第１のシール部材２２０の半径方向内側への通過を制限する機能を実行する第１のシール部材２２０の能力に影響を及ぼす可能性が低くなる。したがって、例えば３００ミクロンより大きい、又は好ましくは５００ミクロンより大きい十分な長さを有する第１のシール部材２２０を提供することは、本発明の第１のシール部材２２０が同じような基板Ｗとの相互作用によって摩滅しない可能性があるため、既知のシール部材よりも長い期間、第１のシール部材２２０が基板ホルダ２００の縁部において液体をより上手く制御するように構成されることを意味する可能性がある。

[00089] 任意で、基板ホルダ２００はコーティングを備えることができる。コーティングを使用して基板ホルダ２００の少なくとも一部分を覆うことができる。例えば、以下で説明されるように、コーティングは、第１のシール部材２２０の一部、及び／又は複数の支持要素２１０の少なくとも１つの一部を構成することができる。コーティングは、ダイアモンド状炭素（ＤＬＣ、例えばａ－ＣＨ）、ダイアモンド、炭化ケイ素（例えばＳｉＳｉＣ又はＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）又は窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）から作ることができる。コーティングは、実質的に又は完全に、これらの材料及び／又はこれらの材料の任意の誘導体から作ることができる。これらの材料は、硬度とヤング率の組み合わせに起因して特に有益な可能性がある。したがって、これらの材料は所望の靭性（硬度／ヤング率）レベルを有することができる。

[00090] コーティングは、例えば以下に記載の厚さを有する薄層であってよい。コーティングを使用して基板ホルダ２００の様々な部分の表面を覆うことができる。コーティングは、コーティングを含む基板ホルダ２００の任意の一部分上で実質的に均一である可能性がある。例えば、コーティングは、第１のシール部材２２０及び／又は複数の支持要素２１０の少なくとも１つの支持要素上で実質的に均一な厚さを有する層として提供することができる。例えば、コーティングの厚さは、任意の一部分のコーティングの最厚部におけるコーティングの厚さの５０％未満だけ変化する可能性がある。好ましくは、厚さは３０％以下、又はより好ましくは２０％以下だけ変化する。

[00091] コーティングは、基板ホルダ２００の摩耗、及び／又は、例えば基板Ｗのロード又はアンロード中に基板と接触する基板ホルダ２００の任意の部分に対する基板Ｗの引っ掻きを低減する点で有益である可能性がある。コーティングは、コーティングされた特徴部の耐摩耗性を改善する点で有利である可能性がある。これによって、コーティングを有する特徴部が摩滅することを防ぐことができる。

[00092] コーティングは薄層であってよい。より具体的には、コーティングは約０．２μｍ～２μｍの厚さを有することができる。好ましくは、コーティングの厚さは約０．２μｍ～１．５μｍである。好ましくは、コーティングの厚さは約０．２μｍ～１μｍである。より一般的に、厚さは、好ましくは２μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以下、又は好ましくは１μｍ以下である。ここで言及した厚さは、基板ホルダ２００の特定部分の平均厚さであってよい。

[00093] 図５に示すように、複数の支持要素２１０の少なくとも１つは、コーティング２１４を備えることができる。コーティング２１４は以上で説明した特性を有することができる。図５に示すように、コーティング２１４は、複数の支持要素２１０の少なくとも１つの支持要素の遠位端面２１１を構成することができる。換言すれば、コーティング２１４は、複数の支持要素２１０の少なくとも１つを構成する突出体の遠位端部上に設けることができる。コーティング２１４は、複数の支持要素２１０の少なくとも１つの支持要素の遠位端部上に保護層を提供することができる。図５に示すように、コーティング２１４は、複数の支持要素２１０の単一の支持要素、又は複数の支持要素２１０の複数の支持要素、任意で、複数の支持要素２１０の全ての支持要素上に設けることができる。

[00094] また、複数の支持要素２１０の少なくとも１つの支持要素のコーティング２１４は、支持部材コーティングと呼ばれることもある。既に説明したように、コーティング２１４は少なくとも１つの支持部材２１０の摩耗を低減することができる。少なくとも１つの支持部材２１０の摩耗を低減することは、より多くの基板の処理に使用できるように基板ホルダ２００の耐用期間を延長することができるために有益である。

[00095] また、図５に示すように、第１のシール部材２２０はコーティング２２４を備えることができる。コーティング２２４は、以上で説明した特性を有することができる。図５に示すように、コーティング２２４は、第１のシール部材２２０の上面２２１を構成することができる。換言すれば、コーティング２２４は、第１のシール部材２２０を構成する突出体の遠位端部上に設けることができる。コーティング２２４は、第１のシール部材２２０の端部上に保護層を提供することができる。コーティング２２４が第１のシール部材２２０上に設けられる場合、第１のシール部材２２０の接触領域２２２はコーティング２２４上にあってよい。また、第１のシール部材２２０上のコーティング２２４は、シール部材コーティングと呼ばれることもある。

[00096] コーティング２２４は第１のシール部材２２０の摩耗を低減することができる。第１のシール部材２２０の摩耗を低減することは、第１のシール部材２２０が、コーティングを設けない場合よりも、処理されるより多くの基板Ｗに対するシールとして、より効率的に機能し続けることができることを意味するために有益である。また、第１のシール部材２２０が摩滅した場合は、基板Ｗがロード及びアンロード中に少なくとも１つの支持部材２１０と接触する可能性があり、これによって基板ホルダ２００の耐用寿命が短くなる可能性がある。したがって、第１のシール部材２２０の摩耗を防いで、できるだけ長い間、又はできるだけ多くの基板を処理するために少なくとも１つの支持部材２１０を保護することは有益である。

[00097] 図５に示すように、コーティング２１４は複数の支持要素２１０の少なくとも１つの支持要素上に設けることができ、コーティング２２４は第１のシール部材２２０上に設けることができる。但し、基板ホルダ２００の複数の部分にコーティングを設ける必要はない。したがって、コーティングは、例えば一方又は他方にのみ、すなわち第１のシール部材２２０、又は複数の支持要素２１０の少なくとも１つの支持要素の何れかに設けることができる。

[00098] 上記の特徴部は最も外側の支持要素２１０の摩耗を低減することができるが、これは接触領域２２２の形状を変化させることによって改善される可能性がある。上記の特徴部に付加的又は代替的に、第１のシール部材２２０の接触領域２２２は特定のジオメトリを備えることができる。例えば、第１のシール部材２２０の半径方向の断面における接触領域２２２のプロファイルは、基板Ｗのアンロード中に基板Ｗがプロファイルの少なくとも２つの異なる点を介して第１のシール部材２２０と接触するように構成された形状を有することができる。基板Ｗがアンロード中に少なくとも２つの異なる点を介して第１のシール部材２２０と接触するように構成された接触領域２２２の例が図６Ａに示されている。

[00099] このように形作られている接触領域２２２のプロファイルは、各基板Ｗが（図３Ａ、図３Ｂ及び図４に示された）第１のシール部材２２０の断面の１つの点ではなく、エリアと接触することを意味する。付加的又は代替的に、基板Ｗは様々な異なる点を介して接触領域２２２と相互作用することができ、例えば、接点は、以下のいくつかの例で説明されるように基板Ｗのアンロード中に変化することができる。

[000100] 基板Ｗをプロファイル上の少なくとも２つの異なる点を介して第１のシール部材２２０と接触させることは、第１のシール部材２２０にかかる局部応力を低減できるために有益である。なぜなら、基板Ｗと第１のシール部材２２０との接触面積が増大する、及び／又は、基板Ｗからの力がロード及び／又はアンロードプロセス中に第１のシール部材２２０の異なる点に印加されるためである。異なるジオメトリを提供することができるが、異なるジオメトリは、力を拡散させ局部応力を低減する、基板Ｗと第１のシール部材２２０との複数の点での接触をもたらす。したがって、これは基板Ｗの下側に作用する力を低減する。ひいては、システムを汚染する粒子を生成する可能性がある、基板Ｗの下面における擦り傷の形成を抑制する。したがって、このような接触領域２２２を設けることは、汚染を軽減する点で有益である可能性がある。

[000101] プロファイルの様々な異なるジオメトリを提供することができる。例えばプロファイルは、第１のシール部材２２０の上面２２１から第１のシール部材２２０の半径方向外縁部２２３まで線形であってよい。これは、接触領域２２２が角度θを有する傾斜部分によって形成される図６Ａに示されている。換言すれば、第１のシール部材２２０は、接触領域２２２を形成する面取り縁部を有することができる。第１のシール部材２２０の上面２２１から第１のシール部材２２０の半径方向外縁部２２３に及ぶ線形プロファイルは、第１のシール部材２２０の上面２２１に対して、およそ１ミリメートルあたり０．１５ミクロン～１ミリメートルあたり３ミクロンの負の勾配であってよい。

[000102] 図４に示した第１のシール部材２２０と同様、接触領域２２２と支持要素２１０との間の距離は、図６Ａに示す半径方向の距離Ｄで定義することができる。距離は、付加的又は代替的に、支持要素２１０の遠位端面２１１と第１のシール部材２２０の上面２２１との間の距離ｙ１で定義することもできる。これは、図４で言及され説明された距離ｙと同じであってよい。これらの距離はいずれも、基板Ｗがアンロード中にこれらのコンポーネントのそれぞれとどのように相互作用するかに影響を及ぼすことになる。

[000103] 距離ｘ１は、以上で定義されたｘの範囲内にあってよい。距離ｘは第１のシール部材２２０の全長である。付加的又は代替的に、距離ｘ２は、以上で定義されたｘの範囲内にあってよい。距離ｘ２は、第１のシール部材２２０の上面２２１の半径方向の長さである。換言すれば、距離ｘ２は、接触領域２２２の長さを引いた、第１のシール部材２２０の半径方向の長さである。ｘ２が一定値より大きいことが有益である場合がある。上面２２１は、第１のシール部材２２０の半径方向内側へのガス／流体を制限する機能、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間に低圧領域を設ける機能、及び／又は第１のシール部材２２０の半径方向内側に圧力低下をもたらす機能を提供する。したがって、（長さｘ２を有する）上面２１１の部分は、第１のシール部材２２０がこの機能を提供できるように十分長くなければならない。

[000104] 以上で説明したように、コーティング２２４は第１のシール部材２２０の上面に設けることができる。図６Ｂに示すように、コーティング２２４は、最大の効果をもたらし得る接触領域２２２上にのみ設けることができる。したがって、コーティング２２４は、第１のシール部材２２０の一部として形成することができ、以上及び以下で説明されるように接触領域２２２を構成することができる。

[000105] ある実施形態では、プロファイルは、第１のシール部材２２０の上面２２１から第１のシール部材２２０の半径方向外縁部２２３に及ぶ複数の直線部分を含むことができる。これは図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃに示されている。ある実施形態では、プロファイルの形状は、第１のシール部材２２０の上面２２１から第１のシール部材２２０の半径方向外縁部２２３にかけて湾曲することができる。これは図７Ｄ、図７Ｅ及び図７Ｆに示されている。付加的又は代替的に、第１のシール部材２２０の外縁部は丸くてもよい。これは接触領域２２２を形成する外縁部上の丸い面取り部であってよい。プロファイルの形状は楕円又は円の一部であってよい。例えばプロファイルの形状は、図７Ｄに示すような楕円の一部であってよい。プロファイルの形状は、図７Ｆ及び図７Ｇに示すように実質的に段差形状であってよい。複数の接点を提供する形状はいずれも、断面単一点接触と比べて基板Ｗにかかる局部応力を低下させることになる。基板Ｗは、例えば縁部が湾曲し、接触線が断面に見られるように基板Ｗと第１のシール部材２２０との間に２つ以上の接点がある場合、線接触を介して接触領域２２２と接触することができる。線接触ではない、複数の個別の接点を有する形状は、一般に全体的な接触エリアが小さくなり、擦り切れるのが早くなる。図７Ａから図７Ｇに示す形状は、特定の基板、システム、及び／又は基板アンロード設定／シーケンスで特に有利な可能性がある形状の例である。これらの形状の一部は、製造可能性を高めることができる、及び／又は、基板Ｗの反りを低減することなど、使用される基板Ｗの特性に及ぶ効果を高めることができる。

[000106] 接触領域２２２の表面をできるだけ滑らかにすることは有益である。これによって基板Ｗの下面にかかる局部応力が低減する。したがって、接触領域２２２は、相互作用するときの基板Ｗと第１のシール部材２２０との間の摩擦力を低下させるように構成することができる。例えば、接触領域２２２は研磨することができる。

[000107] 図６Ａ及び図７Ａから図７Ｇに示した様々な異なるプロファイルは、接触領域２２２が基板Ｗと第１のシール部材２２０との接触エリアを提供できることを意味する。これは、第１のシール部材２２０及び基板Ｗにかかる力を分散し、局部応力を低下させて基板Ｗの下面に擦り傷が形成されることを抑制する又は防ぐ、すなわち基板Ｗの下面の損傷を抑制する又は防ぐことを意味するために有益である。接触エリアは、複数の個別の接点又は断面線接触によって提供することができる。

[000108] 図７Ａから図７Ｇに示した様々な異なるプロファイルには示されていないが、これらのプロファイルを有するシール部材はいずれも以上で説明したようなコーティング２２４を有することができる。

[000109] 第１のシール部材２２０が複数の支持要素２１０を取り囲み、これらの半径方向外側に配置されるように構成されることは、平面視で全ての支持要素２１０が第１のシール部材２２０の半径方向内側にあることを意味する。したがって、第１のシール部材２２０は、ロード及び／又はアンロード中に基板Ｗの下面との最も外側の接点を形成することができる。これによって、支持要素２１０の摩耗を以上で説明したように低減することが可能になる。第１のシール部材２２０は、平面視で全ての支持要素２１０を囲む個別の部材として支持要素２１０を取り囲むことができ、例えば、第１のシール部材２２０は平面視で円形であってよい。第１のシール部材２２０は均一な断面を有しない可能性があり、したがって、図４から図６、図７Ａから図７Ｇ、図８又は図９に示されている第１のシール部材２２０の形状は変化する可能性がある。第１のシール部材２２０は任意で、第１のシール部材２２０を全ての支持要素２１０を囲む複数の個別の部材によって提供できるようにギャップを有することができる。

[000110] システムのこの部分の近くに液体があるため、基板Ｗの下面と基板ホルダ２００の本体２０１との間の空間が湿った雰囲気を有する可能性がある。湿った雰囲気の不利な点は、支持要素２１０の酸化の可能性である。支持要素２１０の酸化は、支持要素２１０により支持される基板Ｗの達成可能な平坦性を低下させることから有害である。基板ホルダ２００は、本体表面２０２と基板Ｗとの間から本体２０１内に流体を抽出するために本体２０１に形成された少なくとも１つの抽出開口２３０を備えることができる。少なくとも１つの抽出開口２３０はシール機構の一部であってよい。抽出開口２３０は、以下で説明されるように、本体表面２０２と基板Ｗとの間に湿った雰囲気を有することを回避することを助けるために設けることができる。

[000111] 少なくとも１つの抽出開口２３０は、第１のシール部材２２０の半径方向内側に隣接して配置することができる。したがって、少なくとも１つの抽出開口２３０と第１のシール部材２２０との間には、支持要素２１０などの他の特徴部が存在しない可能性がある。抽出開口２３０は負圧源に接続することができる。これにより、抽出開口２３０に到達した液体はいずれも本体２０１から抽出することができる。これは、液体が本体表面２０２と基板Ｗとの間の空間にさらに進入することを制限されることを意味する。抽出開口２３０はまた、例えば抽出すべき液体が存在しない場合にガスを抽出することができる。液体とガスの混合物を抽出開口２３０から抽出することができる。少なくとも１つの抽出開口２３０を使用して、以上で説明した圧力低下及び／又は低圧領域の提供を助けることができる。

[000112] 少なくとも１つの抽出開口２３０は、いくつかの開口で形成することができる。抽出開口２３０は、第１のシール部材２２０の全周にわたって互いに離間することができる。抽出開口２３０は、本体表面２０２の個別の開口であってよい。代替的に、抽出開口２３０は、本体表面２０２に形成された溝であってよい。代替的に、溝は本体表面２０２に形成することができ、抽出開口２３０は、溝の底部の本体２０２から出現することができる。溝は１つ以上の開口で各セグメントにセグメント化することができる。セグメントは複数の凹所と見ることができる。

[000113] 少なくとも１つの抽出開口２３０を負圧に接続することによって、基板Ｗの縁部にたどり着いた液体を、抽出開口２３０を通して除去することができる。基板Ｗの縁部がもはや液体で覆われなくなると、液体が除去されたとき基板Ｗの下面を乾燥させる。

[000114] 以上で説明したように、基板ホルダ２００はまた、第２のシール部材２４０を備えることができる。図４、図５、図６Ａ、図６Ｂ、図８及び図９には第２のシール部材２４０が描かれているが、この部材は任意であり、第１のシール部材２２０が設けられない可能性がある。第２のシール部材２４０は、少なくとも１つの抽出開口２３０（設けられる場合）の半径方向内側に配置することができる。第２のシール部材２４０は、支持要素２１０の半径方向外側に配置することができる。第２のシール部材２４０は、少なくとも１つの支持要素２１０を取り囲むように構成することができる。したがって、全ての支持要素２１０は第２のシール部材２４０の半径方向内側にある可能性がある。代替的に、支持要素２１０の少なくとも１つは、第２のシール部材２４０の半径方向外側にあってもよい。換言すれば、第２のシール部材２４０は、１つ以上の支持要素２１０の半径方向内側にあってもよい。例えば、少なくとも半径方向に最も外側の支持要素２１０は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間に配置することができる。少なくとも半径方向に最も外側の支持要素２１０は、第２のシール部材２４０を取り囲む線上に少なくとも１つの抽出開口２３０と交互に配置することができる。

[000115] 以上で説明した実施形態に付加的又は代替的に、基板ホルダ２００は少なくとも１つの別の部材２５０を備えることができる。別の部材２５０は、基板Ｗのロード又はアンロード中に基板Ｗと接触するように構成された接触領域２５２を有することができる。別の部材２５０の接触領域２５２は、第１のシール部材２２０の接触領域２２２と同様であってよく、以上で説明したような第１のシール部材２２０の接触領域２２２と同様の特性を有することができる。別の部材２５０は、以上で説明したシール部／第１のシール部材２２０に加えて設けることができる。この実施形態では、第１のシール部材２２０及び別の部材２５０は、いずれも基板Ｗのロード及びアンロード中に基板Ｗと接触するように構成することができる。別の部材２５０は、第１の高さよりも低い第３の高さを有することができる。換言すれば、支持要素２１０は別の部材２５０よりも高い可能性がある。

[000116] 少なくとも１つの別の部材２５０は、以下において別の部材２５０と呼ばれることがあるが、別の部材についての言及は複数の別の部材も含むことができることは理解されるであろう。したがって、別の部材２５０は、複数の別々の部分又は突出体によって形成することができる。

[000117] 別の部材２５０は、以上で説明した第１のシール部材２２０と同様の支持機能を提供することができる。したがって、別の部材２５０は、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触するように構成することができる。別の部材２５０を少なくとも１つの支持部材２１０の半径方向外側に付加することによって、少なくとも１つの支持部材２１０の損傷を軽減する又は防ぐことができる。別の部材２５０は、犠牲バール／領域の機能を果たすことができる。

[000118] さらに詳細には、基板ホルダ２００は、本体表面２０２から突出し、上面２５１を有する別の部材２５０を備えることができる。少なくとも１つの別の部材２５０は、第１のシール部材２２０の半径方向外側にこれを取り囲むように配置することができる。別の部材２５０の上面２５１は、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触するように構成された接触領域２５２を有することができる。別の部材２５０の接触領域２５２の位置は、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗにより別の部材２５０に加えられる力が基板Ｗにより複数の支持要素２１０に加えられる力よりも大きくなるほど十分に複数の支持要素２１０から離れたところに配置される。

[000119] 別の部材２５０は、以上で説明したようなコーティング２５４を備えることができる。したがって、コーティングは、ダイアモンド状炭素（ＤＬＣ、例えばａ－ＣＨ）、ダイアモンド、炭化ケイ素（例えばＳｉＳｉＣ又はＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、又は窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）から形成することができる。コーティング２５４は別の部材２５０の上面２５１を構成することができ、別の部材２５０の接触領域２５２はコーティング２５４上にあってよい。コーティング２５４は、シール部材コーティング２２４及び／又は支持部材コーティング２１４に関して以上で説明したように、例えば厚さなどの他の特性を有することができる。また、別の部材２５０のコーティング２５４は別の部材コーティングと呼ばれることもある。

[000120] コーティング２５４は図８に示されている。但し、別の部材２５０は、以上で説明したように第１のシール部材２２０と一緒に、コーティング２５４を伴わずに設けられる可能性もある。別の部材２５０のコーティング２５４は、別の部材２５０の接触領域２５２上にのみ設けることができる。

[000121] 別の実施形態では、基板ホルダ２００は、代替シール部材２６０と別の部材２５０とを備えることができる。代替シール部材２６０は、以上で説明した第１のシール部材２２０に取って代わることができる。この実施形態では、別の部材２５０だけが基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触するように構成された接触領域２５２を有することができる。換言すれば、この実施形態では、代替シール部材２６０は、以上で説明した実施形態と同様に基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触するようには構成されていない。例えば、代替シール部材２６０は、ロード又はアンロード中に基板Ｗと接触しないように配置することができ、例えば、代替シール部材２６０は半径方向内側に寄り過ぎてロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触することができない可能性がある。したがって、代替シール部材２６０は、例えば第１のシール部材２２０と関連して以上で説明したように、ガス／流体の流れを減少させる又はこれに影響を及ぼすことによってシールを提供することができるが、第１のシール部材２２０が行うようにロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触することはない。

[000122] さらに詳細には、基板ホルダ２００は、本体２０１と、複数の支持要素２１０と、シール部と、少なくとも１つの別の部材２５０とを備える。本体２０１は本体表面２０２を有する。複数の支持要素２１０は本体表面２０２から突出する。各支持要素２１０は、基板Ｗを支持するように構成された遠位端面２１１と第１の高さとを有することができる。シール部は、基板Ｗと本体表面２０２との間の液体及び／又はガスのシール部を越えた半径方向内側への通過を制限するように構成することができる。シール部は、本体表面２０２から突出する第１のシール部材２２０を備えることができる。第１のシール部材２２０は、第１の高さよりも低い第２の高さを有することができる。第１のシール部材２２０は、複数の支持要素２２０の半径方向外側に、これらを取り囲むように配置することができる。少なくとも１つの別の部材２５０は本体表面２０２から突出し、上面２５１を有する。少なくとも１つの別の部材２５０は、複数の支持要素２１０の半径方向外側に、これらを取り囲むように配置することができる。また、少なくとも１つの別の部材２５０は、シール部の半径方向外側に、これを取り囲むように配置することができる。少なくとも１つの別の部材２５０は、別の部材２５０の上面２５１を構成するコーティング２５４を備えることができる。コーティング２５４は、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと接触するように構成された接触領域２５２を有することができる。コーティング２５４は、ダイアモンド状炭素（ＤＬＣ、例えばａ－ＣＨ）、ダイアモンド、炭化ケイ素（例えばＳｉＳｉＣ又はＳｉＣ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、又は窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）から作ることができる。別の部材２５０の接触領域２５２の位置は、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗにより別の部材２５０に加えられる力が基板Ｗにより複数の支持要素２１０に加えられる力よりも大きくなるほど十分に複数の支持要素２１０から離れたところに配置することができる。

[000123] この実施形態では、シール部は、以上で説明したような代替シール部材２６０を含むことができる。代替シール部材２６０は本体表面２０２から突出することができる。代替シール部材２６０は、複数の支持要素２１０の半径方向外側にあってよい。代替シール部材２６０は、複数の支持要素２１０を取り囲んでいてよい。代替シール部材２６０は、以上で説明した第１のシール部材２２０と同じように機能することができる。但し、この実施形態では、代替シール部材２６０は、ロード及び／又はアンロード中に基板Ｗと概ね接触しないよう構成することができる。シール部は、以上で説明したような第２のシール部材２４０を含むことができる。したがって、第２のシール部材２４０は、本体表面から突出することができ、代替シール部材２６０の半径方向内側に配置することができる。

[000124] 実施形態のいずれにおいても、別の部材２５０は上記第１のシール部材２２０と類似した特性を有することができる。例えば、別の部材２５０は、図６Ａ、図６Ｂ及び図７Ａから図７Ｇに沿って第１のシール部材２２０との関連において以上で説明したプロファイルを有する接触領域を有することができる。より詳細には、別の部材２５０の半径方向の断面における別の部材２５０の接触領域２５２のプロファイルは、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗがプロファイルの少なくとも２つの異なる点を介して別の部材２５０と接触するように構成された形状を有することができる。別の部材２５０は、図６Ｂに示した第１のシール部材２２０について説明したようなプロファイルを有する接触領域２５２上にのみコーティング２５４を備えることができる。

[000125] 別の部材２５０は連続したリング状に設けることができる。換言すれば、別の部材２５０は、平面視で円形、より詳細にはリング形状又は環状であってよい。したがって、別の部材２５０は円環形状を有することができる。別の部材２５０は複数のセグメントを含むことができ、任意でセグメント化されたリングであってよい。セグメント化されたリングには、隣接するそれぞれとの間にギャップを有する複数の別の部材部分が存在する可能性がある。別の部材部分は放射状スポークと呼ばれることがある。隣接する別の部材部分間のギャップは、同じ長さであるか又は隣接する部分の一方又は両方の長さより短くてよい。換言すれば、各別の部材部分間の距離は、隣接する別の部材部分の一方又は両方の幅と同じか又はこれより小さくてよい。隣接する別の部材部分間のギャップの少なくとも１つ、すなわち隣接する部分間の間隔は、約数十又は数百ミクロンであってよい。隣接する別の部材部分間のギャップの少なくとも１つは、約１０ミクロンと狭くてよい。ギャップの少なくとも１つは０．５～５ｍｍであってよい。ギャップの一部又は全てはこれらの寸法を有することができる。小さいギャップを設けることは、例えば別の部材２５０と基板Ｗの下側との相互作用から生じる汚染物質を、比較的大きい接触エリアを提供しながらもギャップで捕捉できる点で有利である可能性がある。

[000126] 別の部材２５０は、平面視でリング形状をなす、一列の間隔を開けた複数の個別のバール又は突出体によって提供することができる。換言すれば、別の部材２５０は複数の別の支持要素を備えることができる。例えば、個別のバール又は突出体は、約１００～１０００ミクロンの直径を有することができる。１つのバール又は突出体の中心から隣接するバール又は突出体の中心までの距離は約１～３ｍｍであってよい。別の部材２５０の上面２５１は、別の部材２５０の摩耗を低減するために、上記第１のシール部材２２０に関して説明したように少し丸くする又は研磨することができる。

[000127] 別の部材２５０は、少なくとも１つの支持要素２１０の高さよりも低い高さ（第３の高さ）を有することができる。これは別の部材２５０が基板Ｗのロード及びアンロード中に負荷を受けることができることを意味する。但し、基板Ｗの露光中などの使用中に、別の部材２５０は基板Ｗと接触しない可能性がある。別の部材２５０と少なくとも１つの支持要素２１０との間の距離は、第１のシール部材２２０について図４で既に説明したように最適化することができる。

[000128] 支持要素２１０に対する別の部材２５０の接触領域２５２の位置は、様々な異なる方法で制御することができる。例えば図９に示すように、主要寸法は、半径方向に最も外側の支持要素２１０の遠位端面２１１の半径方向外縁部２１２と別の部材２５０の上面２５１の外側上縁部との間の距離に関係する。この寸法は、支持要素２１０及び別の部材２５０のこれらの特定の部分に関係する。なぜなら、これらは基板Ｗのロード及び／又はアンロード中に基板Ｗの下面と接触することになるこれらのコンポーネントの部分であるためである。

[000129] 距離は半径方向の距離Ｄで定義することができる。距離は、付加的又は代替的に、支持要素２１０の遠位端面２１１と別の部材２５０の上面２５１との間の距離ｙで定義することもできる。これらの距離はいずれも、基板Ｗがロード及び／又はアンロード中にこれらのコンポーネントのそれぞれとどのように相互作用するかに影響を及ぼすことになる。

[000130] この例では、接触領域２５２は断面において縁部接点として示されている。したがって、この実施形態では、接触領域２５２は、別の部材２５０の周囲の同じ接点によって形成される。この接触領域２５２は、図４に示した第１のシール部材２２０の接触領域と同様であってよい。支持要素２１０に対する接触領域２５２の位置は、基板Ｗのアンロード中の支持要素２１０の摩耗を低減するように構成される。

[000131] ある実施形態では、遠位端面２１１の半径方向外縁部２１２から接触領域２５２までの半径方向距離Ｄは、１，０００ミクロンより大きく、好ましくは１，５００ミクロンより大きい。半径方向距離Ｄは、好ましくは約１０００～３０００ミクロン、すなわち１～３ｍｍである。これは、接触領域２５２が、ロード及び／又はアンロード中の支持要素２１０と基板Ｗとの接触を低減するのに支持要素２１０から十分離れている可能性があることを意味する。付加的又は代替的に、図９にｙで示される、半径方向に最も外側の支持要素２１０と別の部材２５０との高低差は、約０．５ミクロンから５ミクロンである。高低差は、別の部材２５０が基板Ｗの露光中に基板Ｗの下側と接触する可能性を低くするように３ミクロン以上であることが好ましい。半径方向に最も外側の支持要素２１０と別の部材２５０との高低差は、遠位端面２１１と別の部材２５０の上面２５１との間のｙ方向の距離であり、ｙ方向は半径方向を含む平面と直交する。高低差があることで、ロード及び／又はアンロード中の支持要素２１０と基板Ｗとの接触を低減することもできる。

[000132] このような距離を置いて接触領域２５２を設けることは、基板Ｗのロード及び／又はアンロード中の基板Ｗの相互作用が、半径方向に最も外側の支持要素２１０とよりむしろ別の部材２５０とで大きくなることを意味する。事実上、これは別の部材２５０が犠牲摩耗エリアとして使用されることを意味する。これによって最も外側の支持要素２１０の摩耗が大幅に低減する可能性がある。半径方向外縁部２１２と接触領域２５２との間の距離を半径方向及び／又はｙ方向に最適化して、基板Ｗをロード及び／又はアンロードする間の最も外側の支持要素２１０と基板Ｗとの摩擦を最小限に抑えることができる。距離Ｄ及び距離ｙの最適値は、基板ホルダ２００、基板Ｗ、及び／又は基板Ｗに適用されるアプリケーションによって変わる可能性がある。

[000133] 上記のように、基板ホルダ２００は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間に少なくとも１つの支持要素２１０を備えることができる。これは図１０に示されている。これによって、最も外側の支持要素２１０は、第１のシール部材２２０及び第２のシール部材２４０と隣接して設けることができる。したがって、第２のシール部材２４０は、支持要素２１０の全てではなく一部のみを取り囲むことができる。

[000134] この例では、図４に示した第１のシール部材２２０と同様に、接触領域２２２と支持要素２１０との間の距離は、図１０に示す半径方向の距離Ｄで定義することができる。これは図４について言及及び説明された距離Ｄと同じ値／範囲であってよい。この距離は、付加的又は代替的に、支持要素２１０の遠位端面２１１と第１のシール部材２２０の上面２２１との間の距離ｙで定義することもできる。これは図４について言及及び説明された距離ｙと同じ値／範囲であってよい。距離ｘは第１のシール部材２２０の全長である。これは図４について言及及び説明された距離ｘと同じ値／範囲であってよい。これらの距離はいずれも、基板Ｗがアンロード中にこれらのコンポーネントのそれぞれとどのように相互作用するかに影響を及ぼすことになる。

[000135] 複数の支持要素２１０は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間に設けることができる。任意で、少なくとも１つの抽出開口２３０を設けることもできる。例えば、支持要素２１０及び抽出開口２３０は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の空間に交互に設けることができる。すなわち、図１０は、第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の最も外側の支持要素２１０を通る基板ホルダ２００の一部の断面を示しているが、異なる半径方向位置における同様の断面は、図４のように第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間の抽出開口２３０を示すことができる。

[000136] 少なくとも１つの最も外側の支持要素２１０は、他の実施形態における同様の位置に設けることもできる。例えば、最も外側の支持要素２１０は、図８のように別の部材２５０を設ける場合は第１のシール部材２２０と第２のシール部材２４０との間、又は図９の代替シール部材２６０と第２のシール部材２４０との間に設けることができる。これらの部材は、上記の実施形態又は変形形態の何れかに記載の接触領域２２２、２５２、及び／又はコーティング２５４を備えることができる。

[000137] 以上で説明したように、基板ホルダ２００は、基板Ｗのアンロード中、本体２０１と基板Ｗとの間の圧力を制御するように構成することができる。これは様々な方法で行うことができ、任意の既知の方法／システムを使用することができる。本発明は、上記の変形例の何れかに記載のリソグラフィ装置を備えることができる。リソグラフィ装置は、上記の実施形態又は変形形態の何れかに係る、基板を支持するように構成された基板ホルダ２００を備えることができる。

[000138] 本文ではＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及したが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は他の用途を有する可能性があることを理解すべきである。考えられる他の用途には、集積光学系、磁気ドメインメモリの誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造が含まれる。

[000139] 本文ではリソグラフィ装置との関連で、本発明の実施形態への具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に用いることもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（又は他の基板）やマスク（又は他のパターニングデバイス）といったオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を構成することができる。これらの装置は一般に、リソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。

[000140] 以上では光リソグラフィとの関連で本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、インプリントリソグラフィなどの他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光リソグラフィに限定されないことが理解される。

[000141] 図面は上記の様々な特徴部を説明することが意図されている。図面は縮尺どおりではない。異なる特徴部の相対幅及び高さは他の特徴部に対して変化する可能性がある。例えば、別の部材２５０は、第１のシール部材２２０及び第２のシール部材２４０よりも狭く示されている。しかしながら、別の部材２５０は同じ幅（すなわちｘ方向の同じ長さ）である場合も、広い（すなわちｘ方向のより大きい長さを有する）場合もある。

[000142] 以上、本発明の特定の実施形態を説明してきたが、説明とは異なる方法でも本発明を実施できることが理解されるであろう。上記の説明は例示であり、限定を意図したものではない。したがって、以下に示す請求項の範囲から逸脱することなく、記載されたように本発明を変更できることが当業者には明白であろう。

Claims (15)

1. 基板を支持するように構成された、液浸リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
   本体表面を有する本体と、
   それぞれが前記基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、前記本体表面から突出する複数の支持要素と、
   前記本体表面から突出する第１のシール部材を含むシール部であって、前記第１のシール部材が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板と接触するように構成された接触領域を有する上面と、前記第１の高さよりも低い第２の高さと、を有し、前記複数の支持要素の半径方向外側に前記複数の支持要素を取り囲むように配置された、シール部と、を備え、
   前記接触領域の位置が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板により前記第１のシール部材に加えられる力が前記基板により前記複数の支持要素に加えられる力よりも大きくなるほど十分に、前記複数の支持要素から離れたところに配置され、
   前記シール部は、前記基板と前記本体表面との間の液体の前記シール部を超えた半径方向内側への通過を制限するように構成される、基板ホルダ。
2. 基板を支持するように構成された、液浸リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
   本体表面を有する本体と、
   それぞれが前記基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、前記本体表面から突出する複数の支持要素と、
   前記本体表面から突出する第１のシール部材を含むシール部であって、前記第１のシール部材が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板と接触するように構成された接触領域を有する上面と、前記第１の高さよりも低い第２の高さと、を有し、前記複数の支持要素の半径方向外側に前記複数の支持要素を取り囲むように配置された、シール部と、を備え、
   半径方向最も外側の前記支持要素の前記第１の高さと前記第１のシール部材の前記第２の高さとの差が約２ミクロンから８ミクロンであり、
   前記シール部は、前記基板と前記本体表面との間の液体の前記シール部を超えた半径方向内側への通過を制限するように構成される、基板ホルダ。
3. 前記接触領域が、前記第１のシール部材の半径方向外縁部に隣接して配置され、
   前記遠位端面の半径方向外縁部から前記接触領域までの半径方向距離が、１，０００ミクロンより大きい、及び／又は、
   前記第１のシール部材の半径方向の長さが、３００ミクロンより大きい、請求項１又は２に記載の基板ホルダ。
4. 前記第１のシール部材の半径方向の断面における、前記接触領域のプロファイルが、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板が前記プロファイルの少なくとも２つの異なる点を介して前記第１のシール部材と接触するように構成された形状を有し、
   及び／又は、
   前記基板ホルダが、前記本体表面から突出し、上面を有する少なくとも１つの別の部材を備え、前記少なくとも１つの別の部材が、前記シール部の半径方向外側に前記シール部を取り囲むように配置され、前記別の部材の前記上面が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板と接触するように構成された接触領域を有し、
   前記別の部材の前記接触領域の位置が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板により前記別の部材に加えられる力が前記基板により前記複数の支持要素に加えられる力よりも大きくなるほど十分に前記複数の支持要素から離れたところに配置される、請求項１から３の何れか一項に記載の基板ホルダ。
5. 前記複数の支持要素、前記第１のシール部材、又はその両方が、ダイアモンド状炭素、ダイアモンド、炭化ケイ素、窒化ホウ素、又は窒化ホウ素炭素から作られたコーティングを備え、前記コーティングが、前記複数の支持要素の前記遠位端面を構成する、及び／又は前記第１のシール部材の前記上面を構成し、前記第１のシール部材の前記接触領域が前記コーティング上にあり、及び／又は
   前記少なくとも１つの別の部材が、ダイアモンド状炭素、ダイアモンド、炭化ケイ素、窒化ホウ素、又は窒化ホウ素炭素から作られたコーティングを備え、前記コーティングが、前記別の部材の前記上面を構成し、前記別の部材の前記接触領域が前記別の部材の前記コーティング上にある、請求項１から４の何れか一項に記載の基板ホルダ。
6. 基板を支持するように構成された、液浸リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
   本体表面を有する本体と、
   それぞれが前記基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、前記本体表面から突出する複数の支持要素と、
   前記本体表面から突出する第１のシール部材を含むシール部であって、前記第１のシール部材が、前記第１の高さよりも低い第２の高さを有し、前記複数の支持要素の半径方向外側に前記複数の支持要素を取り囲むように配置された、シール部と、
   前記本体表面から突出し、上面と、前記第１の高さよりも低い第３の高さと、を有する少なくとも１つの別の部材であって、前記シール部の半径方向外側に前記シール部を取り囲むように配置され、前記別の部材の前記上面を構成するコーティングを備え、前記コーティングが、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板と接触するように構成された接触領域を有し、前記コーティングが、ダイアモンド状炭素、ダイアモンド、炭化ケイ素、窒化ホウ素、又は窒化ホウ素炭素から作られる、少なくとも１つの別の部材と、を備え、
   前記別の部材の前記接触領域の位置が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板により前記別の部材に加えられる力が前記基板により前記複数の支持要素に加えられる力よりも大きくなるほど十分に、前記複数の支持要素から離れたところに配置され、
   前記シール部は、前記基板と前記本体表面との間の液体の前記シール部を超えた半径方向内側への通過を制限するように構成される、基板ホルダ。
7. 基板を支持するように構成された、液浸リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
   本体表面を有する本体と、
   それぞれが前記基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、前記本体表面から突出する複数の支持要素と、
   前記本体表面から突出する第１のシール部材を含むシール部であって、前記第１のシール部材が、前記第１の高さよりも低い第２の高さを有し、前記複数の支持要素の半径方向外側に前記複数の支持要素を取り囲むように配置された、シール部と、
   前記本体表面から突出し、上面と、前記第１の高さよりも低い第３の高さと、を有し、前記シール部の半径方向外側に前記シール部を取り囲むように配置された少なくとも１つの別の部材と、を備え、
   半径方向に最も外側の前記支持要素の前記第１の高さと前記別の部材の前記第３の高さとの差が約０．５ミクロンから５ミクロンであり、
   前記シール部は、前記基板と前記本体表面との間の液体の前記シール部を超えた半径方向内側への通過を制限するように構成される、基板ホルダ。
8. 前記少なくとも１つの別の部材が、前記別の部材の前記上面を構成するコーティングであって、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板と接触するように構成されたコーティングを備え、
   前記半径方向に最も外側の支持要素の半径方向外縁部から半径方向に最も内側の別の部材の前記接触領域までの距離が約１，０００ミクロンから３，０００ミクロンである、請求項６又は７に記載の基板ホルダ。
9. 前記別の部材の半径方向の断面における、前記別の部材の前記接触領域のプロファイルが、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板が前記プロファイルの少なくとも２つの異なる点を介して前記別の部材と接触するように構成された形状を有し、及び／又は、
   前記別の部材が、円環形状を有し、複数のセグメントを備え、及び／又は、
   前記別の部材が、複数の別の支持要素を備える、請求項６から８の何れか一項に記載の基板ホルダ。
10. 基板を支持するように構成された、液浸リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダであって、
    本体表面を有する本体と、
    それぞれが前記基板を支持するように構成された遠位端面と第１の高さとを有する、前記本体表面から突出する複数の支持要素と、
    前記本体表面から突出する第１のシール部材を含むシール部であって、前記第１のシール部材が、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板と接触するように構成された接触領域を有する上面と、前記第１の高さよりも低い第２の高さと、を有し、前記複数の支持要素の半径方向外側に前記複数の支持要素を取り囲むように配置された、シール部と、を備え、
    前記第１のシール部材の半径方向の断面における、前記接触領域のプロファイルが、前記基板のロード及び／又はアンロード中に前記基板が前記プロファイルの少なくとも２つの異なる点を介して前記第１のシール部材と接触するように構成された形状を有する、基板ホルダ。
11. 前記プロファイルの前記形状が、前記第１のシール部材の前記上面から前記第１のシール部材の半径方向外縁部まで線形であり、及び／又は、
    前記プロファイルの前記形状が、前記第１のシール部材の上面から前記第１のシール部材の半径方向外縁部に及ぶ複数の直線部分を含み、及び／又は、
    前記プロファイルの前記形状が実質的に段差形状であり、及び／又は、
    前記プロファイルの前記形状が、前記第１のシール部材の上面から前記第１のシール部材の半径方向外縁部にかけて湾曲する、請求項４、９又は１０に記載の基板ホルダ。
12. 前記第１のシール部材の前記上面から前記第１のシール部材の前記半径方向外縁部に及ぶ前記線形プロファイルが、前記第１のシール部材の前記上面に対して、およそ０．１５ミクロン／ｍｍから３ミクロン／ｍｍの負の勾配であるか、又は、前記プロファイルの前記形状が、楕円又は円の一部である、請求項１１に記載の基板ホルダ。
13. 前記シール部は、前記基板と前記本体表面との間の液体の前記シール部を超えた半径方向内側への通過を制限するように構成されており、及び／又は、
    前記シール部が、前記本体表面から突出し、前記第１のシール部材の半径方向内側に配置された第２のシール部材であって、前記基板と前記本体表面との間の液体の前記第２のシール部材を越えた半径方向内側への通過を制限するように構成された第２のシール部材を含み、及び／又は、
    前記第１のシール部材が、前記シール部の半径方向外側の領域における圧力に対して前記第１のシール部材の半径方向内側において圧力低下させるように構成され、及び／又は、前記基板ホルダが、前記本体表面と前記基板との間から前記本体内に流体を抽出するための前記本体に形成された少なくとも１つの抽出開口であって、前記第１のシール部材の半径方向内側に隣接して配置された少なくとも１つの抽出開口をさらに備え、及び／又は、
    前記基板ホルダが、前記基板がロード及び／又はアンロードされているときに、前記本体と前記基板との間の圧力を制御するように構成された、請求項１から１２の何れか一項に記載の基板ホルダ。
14. 前記第１のシール部材が、前記第１のシール部材と前記第２のシール部材との間に低圧領域を提供するように構成された、請求項１３に記載の基板ホルダ。
15. 請求項１から１４の何れか一項に記載の前記基板を支持するように構成された前記基板ホルダを備えた、液浸リソグラフィ装置。

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