TW201929137A - 用於微影設備之基板固持器 - Google Patents

用於微影設備之基板固持器 Download PDF

Info

Publication number
TW201929137A
TW201929137A TW107144712A TW107144712A TW201929137A TW 201929137 A TW201929137 A TW 201929137A TW 107144712 A TW107144712 A TW 107144712A TW 107144712 A TW107144712 A TW 107144712A TW 201929137 A TW201929137 A TW 201929137A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
sealing member
support
substrate holder
component
Prior art date
Application number
TW107144712A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI713948B (zh
Inventor
湯瑪士 波伊茲
寇音 修伯特 邁修斯 柏提斯
雅伯罕 亞歷山卓 索薩德
摩米特 阿里 艾肯巴斯
丹 伯格 丹尼斯 凡
沃特 凡奈斯奇
馬歇爾 瑪利亞 康納利 法蘭西思克斯 泰尼森
Original Assignee
荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司, 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 filed Critical 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
Publication of TW201929137A publication Critical patent/TW201929137A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI713948B publication Critical patent/TWI713948B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70783—Handling stress or warp of chucks, masks or workpieces, e.g. to compensate for imaging errors or considerations related to warpage of masks or workpieces due to their own weight
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)

Abstract

本發明提供一種用於一微影設備之基板固持器。該基板固持器經組態以支撐一基板，且包含一主體、複數個支撐元件及一密封單元。該主體具有一主體表面。該複數個支撐元件自該主體表面突出，且每一支撐元件具有經組態以支撐該基板之一遠端表面。該密封單元可包含自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件之一第一密封件。該第一密封部件之一上表面可具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區。在一實施例中，該接觸區之一位置足夠充足地與該複數個支撐元件相隔一距離而配置，使得在該基板之該卸載期間，由該基板施加至該第一密封部件之一力大於由該基板施加至該複數個支撐元件之一力。另外或替代地，在一徑向方向上穿過該密封部件之一橫截面中，該接觸區之一輪廓具有一形狀，該形狀經組態以使得在該基板之該卸載期間，該基板經由該輪廓之至少兩個不同點與該密封部件接觸。本發明亦提供一種基板固持器，其具有自該密封單元徑向朝外之一其他部件。該其他部件經組態以在該基板之裝載或卸載期間與該基板接觸。該基板固持器之至少部分可具有由類金剛石碳、金剛石、碳化矽、氮化硼或氮化硼碳製成之一塗層。

Description

用於微影設備之基板固持器
本發明係關於一種用於微影設備之基板固持器。
微影設備係經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於例如積體電路(integrated circuit，IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如，光罩)之圖案(亦常常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如，晶圓)上之一層輻射敏感材料(抗蝕劑)上。
隨著半導體製造製程繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地縮減，而每裝置的諸如電晶體之功能元件之量已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為了跟得上莫耳定律，半導體行業正追逐使能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定經圖案化於基板上之特徵之最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm (i線)、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影設備，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內之波長(例如6.7 nm或13.5 nm)之極紫外線(extreme ultraviolet，EUV)輻射的微影設備可用以在基板上形成較小特徵。
在浸潤微影設備中，將浸潤液體插入於裝置之投影系統與基板之間的空間中。此浸潤液體可通過基板邊緣到達基板下表面。歸因於浸潤液體導致的基板下表面之污染及/或歸因於浸潤液體之蒸發導致的在靠近基板邊緣之位置處施加至基板下表面的熱負荷，上述通過可能有害。經組態以支撐基板之基板固持器可具有如下特徵：其縮減浸潤液體沿著基板下表面徑向向內移動的量及/或距離。
大體而言，基板將在基板受輻照時由基板固持器支撐。基板固持器可包含諸如支撐元件之特定部分，該等部分在使用期間與基板之下方接觸以支撐基板。在已輻照基板之後，可將其自基板固持器移除。可存在經執行以自基板固持器卸載基板的特定步驟。基板會在卸載基板之程序期間變形。變形通常使得基板之中心遠離基板固持器上升，且使得基板遍及基板底下之最外部支撐件朝向基板固持器向下懸出。
在卸載程序期間，變形基板會與基板固持器之不同部分接觸及抵靠其發生磨損，此會引起各種問題。首先，在卸載期間基板固持器之支撐元件與基板之下側之間的相互作用會引起支撐元件之磨損。當支撐元件用以支撐基板以輻照其他層或支撐其他基板時，支撐元件之任何磨損會引起聚焦及/或疊對問題。支撐元件中之任一者的磨損可意謂需要在適當時替換基板台。換言之，支撐元件之磨損會限制基板固持器之可用壽命。其次，基板之下方傾向於與用以縮減浸潤液體自外部邊緣徑向朝內移動之數量及/或距離的特徵接觸。此意謂基板磨薄該等特徵，且該等特徵在基板之外部邊緣處刮擦基板之下方。此會產生染污系統之粒子且會引起聚焦及/或疊對問題。
本發明之一目標係提供一種基板固持器，其減少用以支撐基板減少對基板之一下側之損壞的支撐元件上之磨損，該磨損會染污系統。
在本發明之一實施例中，提供一種用於一微影設備且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一主體表面；一密封單元，其包含自該主體表面突出之一第一密封部件，該第一密封部件具有一上表面及小於該第一高度之一第二高度，且自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件，該上表面具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區；且其中該接觸區之一位置足夠充足地與該複數個支撐元件相隔一距離而配置，使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，由該基板施加至該第一密封部件之一力大於由該基板施加至該複數個支撐元件之一力。
在本發明之一實施例中，提供一種用於一微影設備且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一主體表面；複數個支撐元件，其自該主體表面突出，其中每一支撐元件具有經組態以支撐該基板之一遠端表面及一第一高度；一密封單元，其包含自該主體表面突出之一第一密封部件，該第一密封部件具有小於該第一高度之一第二高度，且自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件；至少一個其他部件，其自該主體表面突出且具有一上表面，該至少一個其他部件自該密封單元徑向朝外定位且包圍該密封單元，該至少一個其他部件包含形成該其他部件之該上表面的一塗層，該塗層具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區，其中該塗層由類金剛石碳(例如，a-CH)、金剛石、碳化矽(例如，SiSiC或SiC)、氮化硼或氮化硼碳(BCN)製成；且其中該其他部件之該接觸區之一位置足夠充足地與該複數個支撐元件相隔一距離而配置，使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，由該基板施加至該其他部件之一力大於由該基板施加至該複數個支撐元件之一力。
在本發明之一實施例中，提供一種用於一微影設備且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含：一主體，其具有一主體表面；一密封單元，其包含自該主體表面突出之一第一密封部件，該第一密封部件具有一上表面及小於該第一高度之一第二高度，且自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該等支撐元件，且該上表面具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區；且其中在一徑向方向上穿過該第一密封部件之一橫截面中，該接觸區之一輪廓具有一形狀，該形狀經組態以使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，該基板經由該輪廓之至少兩個不同點與該第一密封部件接觸。
在本發明之一實施例中，提供一種微影設備，其包含經組態以支撐該基板之一基板固持器。
在本文中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如，具有365、248、193、157或126 nm之波長)。
如本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化裝置」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化裝置，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其他此類圖案化裝置之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪微影設備。該微影設備包括：照明系統(亦被稱作照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV輻射)、光罩支撐件(例如，光罩平台) MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩) MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM、基板支撐件(例如，晶圓台) WT，其經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈生產基板) W，連接至經組態以根據某些參數而準確地定位基板支撐件WT的第二定位器PW、及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包含一或多個晶粒之部分)上。
在操作中，照明系統IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束B。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化裝置MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文中所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解釋為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用均與更一般術語「投影系統」PS同義。
微影設備可屬於如下類型：基板之至少一部分可由具有相對高折射率之浸潤液體，例如水，覆蓋，以便填充投影系統PS與基板W之間的空間11，此亦被稱作浸潤微影。以引用方式併入本文中之US 6,952,253中給出關於浸浸技術之更多資訊。
微影設備亦可屬於具有兩個或更多個基板支撐件WT (又名「雙載物台」)之類型。在此「多載物台」機器中，可並行地使用基板支撐件WT，及/或可對位於基板支撐件WT中之一者上的基板W進行準備基板W之後續曝光的步驟，同時將另一基板支撐件WT上之另一基板W用於在另一基板W上曝光圖案。
除了基板支撐件WT以外，微影設備亦可包含量測級。量測級經配置以固持感測器及/或清潔裝置。感測器可經配置以量測投影系統PS之屬性或輻射光束B之屬性。量測級可固持多個感測器。清潔裝置可經配置以清潔微影設備之一部分，例如投影系統PS之一部分或提供浸潤液體之系統之一部分。量測級可在基板支撐件WT遠離投影系統PS時在投影系統PS下移動。
在操作中，輻射光束B入射於固持於光罩支撐件MT上之圖案化裝置，例如光罩，MA上，且由圖案化裝置MA上存在之圖案(設計佈局)圖案化。在已橫穿光罩MA之情況下，輻射光束B通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置量測系統IF，可準確地移動基板支撐件WT，例如以便在聚焦且對準之位置處在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，第一定位器PM及可能另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件MA及基板W。儘管如所繪示之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中。當基板對準標記P1、P2位於目標部分C之間時，此等基板對準標記被稱為切割道對準標記。
為了闡明本發明，使用笛卡爾(Cartesian)座標系。笛卡爾座標系具有三個軸，亦即，x軸、y軸及z軸。該三個軸中之每一者與其他兩個軸正交。圍繞x軸之旋轉被稱作Rx旋轉。圍繞y軸之旋轉被稱作Ry旋轉。圍繞z軸之旋轉被稱作Rz旋轉。x軸及y軸界定水平平面，而z軸在豎直方向上。笛卡爾座標系不限制本發明，而僅用於說明。實情為，另一座標系，諸如圓柱形座標系可用於闡明本發明。笛卡爾座標系之定向可以不同，例如，使得z軸具有沿著水平平面之分量。
已將浸潤技術引入至微影系統中以實現使能夠改良較小特徵之經改良解析度。在浸潤微影設備中，在設備之投影系統(經由該投影系統朝向基板W投影經圖案化光束)與基板W之間的空間11中插入具有相對高折射率之浸漬液體的液體層。浸潤液體至少覆蓋在投影系統PS之最終元件下的基板之部分。因此，經歷曝光的基板W之至少部分浸潤於浸潤液體中。浸潤液體之效應係使能夠對較小特徵進行成像，此係因為曝光輻射在液體中相比於在氣體中將具有較短波長。(浸潤液體之效應亦可被視為增加系統之有效數值孔徑(numerical aperture，NA)且亦增加聚焦深度。)
在商用浸潤微影中，浸潤液體為水。通常，水為高純度之蒸餾水，諸如通常用於半導體製造工場中之超純水(Ultra-Pure Water，UPW)。在浸潤系統中，UPW常常被純化且其可在作為浸潤液體而供應至浸潤空間11之前經歷額外處理。除了可使用水作為浸潤液體以外，亦可使用具有高折射率之其他液體，例如：烴，諸如氟代烴；及/或水溶液。此外，已設想將除了液體之以外之其他流體用於浸潤微影。
在本說明書中，將在描述中參考局域化浸潤，其中浸潤液體在使用中受限於最終元件與面向最終元件之表面之間的空間11。對向表面為基板W之表面，或與基板W之表面共面的支撐載物台(或基板支撐件WT)之表面。(請注意，另外或在替代例中，除非另外明確說明，否則在下文中對基板W之表面的參考亦指基板支撐件WT之表面；且反之亦然)。存在於投影系統PS與基板支撐件WT之間的流體處置結構12用以將浸潤液體限於浸潤空間11。由浸潤液體填充之空間11以平面方式小於基板W之頂部表面，且空間11相對於投影系統PS保持基本上靜止，同時基板W及基板支撐件WT在下面移動。
已設想其他浸潤系統，諸如非受限制浸潤系統(所謂的「全濕潤(all wet)」浸潤系統)及浴浸潤系統(bath immersion system)。在非受限制浸潤系統中，浸潤液體不僅僅覆蓋最終元件下之表面。在浸潤空間11外部之液體係作為薄液體膜而存在。液體可覆蓋基板W之整個表面，或甚至基板W及與基板W共面之基板支撐件WT。在浴型系統中，基板W完全浸潤於浸潤液體之浴中。
流體處置結構12為以下結構：其將浸潤液體供應至浸潤空間11、自空間11移除浸潤液體，且藉此將浸潤液體限於浸潤空間11。其包括為流體供應系統之部分的特徵。PCT專利申請公開案第WO 99/49504號中揭示之配置為早期的流體處置結構，其包含管道，該管道供應浸潤液體或自空間11回收浸潤液體，且取決於投影系統PS之下的載物台之相對運動而操作。在最新設計中，流體處置結構沿著投影系統PS之最終元件與基板支撐件WT或基板W之間的空間11之邊界的至少一部分延伸，以便部分地界定空間11。
流體處置結構12可具有一系列不同功能。每一功能可來源於使得流體處置結構12能夠達成彼功能之對應特徵。流體處置結構12可由數個不同術語提及，每一術語係指一功能，諸如障壁部件、密封單元、流體供應系統、流體移除系統、液體限制結構等…。
作為障壁部件，流體處置結構12為對浸潤液體自空間11之流動的障壁。作為液體限制結構，該結構將浸潤液體限於空間11。作為密封單元，流體處置結構之密封特徵形成密封以將浸潤液體限於空間11。密封特徵可包括來自諸如氣刀之密封單元之的密封部件之表面中之開口的額外氣體流。
在一實施例中，流體處置結構12可供應浸潤流體，且因此係流體供應系統。
在一實施例中，流體處置結構12可至少部分地限制浸潤流體，且藉此係流體限制系統。
在一實施例中，流體處置結構12可提供對浸潤流體之障壁，且藉此係障壁部件，諸如流體限制結構。
在一實施例中，流體處置結構12可產生或使用氣體流，例如以幫助控制浸潤流體之流動及/或位置。
氣體流可形成密封以限制浸潤流體，因此，流體處置結構12可被稱作密封單元；此密封單元可係流體限制結構。
在一實施例中，浸潤液體係用作浸潤流體。在彼狀況下，流體處置結構12可係液體處置系統。在參考前述描述的情況下，在此段落中對相對關於流體所界定之特徵的之參考可被理解為包括相對關於液體所界定之特徵。
微影設備具有投影系統PS。在基板W之曝光期間，投影系統PS將經圖案化輻射光束投影至基板W上。為了到達基板W，輻射光束B之路徑自投影系統PS通過浸潤液體，該浸潤液體由位於投影系統PS與基板W之間的流體處置結構12限制。投影系統PS具有與浸潤液體接觸之透鏡元件，其為在光束之路徑中的最末元件。與浸潤液體接觸之此透鏡元件可被稱作「最末透鏡元件」或「最終元件」。最終元件至少部分地由流體處置結構12環繞。流體處置結構12可將浸潤液體限於最終元件下方及對向表面上方。
圖2A及圖2B展示可存在於流體處置結構12之變型中的不同特徵。除非另有描述，否則該等設計可共用與圖2A及圖2B相同的一些特徵。可如所展示或視根據需要而個別地或組合地選擇本文中所描述之特徵。
圖2A展示圍繞最終元件100之底部表面的流體處置結構12。最終元件100具有倒置式截頭圓錐形形狀。截頭圓錐形形狀具有平坦底部表面及圓錐形表面。截頭圓錐形形狀自平坦表面突起且具有底部平坦表面。底部平坦表面為最終元件100之底部表面的光活性部分，輻射光束B可通過該光活性部分。最終元件100可具有塗層30。流體處置結構12包圍截頭圓錐形形狀之至少部分。流體處置結構12具有面朝截頭圓錐形形狀之圓錐形表面的內部表面。內部表面與圓錐形表面具有互補形狀。流體處置結構12之頂部表面為基本上平坦的。流體處置結構12可圍繞最終元件100之截頭圓錐形形狀裝配。流體處置結構12之底部表面係基本上平坦的，且在使用中，底部表面可平行於基板支撐件WT及/或基板W之對向表面。底部表面與對向表面之間的距離可在30微米至500微米之範圍內，理想地在80微米至200微米之範圍內。
相較於最終元件100，流體處置結構12更靠近基板W及基板支撐件WT之對向表面延伸。在流體處置結構12之內部表面、截頭圓錐形部分之平坦表面及對向表面之間界定空間11。在使用期間，空間11填充有浸潤液體。浸潤液體填充最終元件100與流體處置結構12之間的互補表面之間的緩衝空間之至少部分，在一實施例中填充互補內部表面與圓錐形表面之間的空間之至少部分。
經由形成於流體處置結構12之表面中的開口將浸潤液體供應至空間11。可通過流體處置結構12之內部表面中的供應開口20來供應浸潤液體。替代地或另外，自形成於流體處置結構12之下表面中的下方供應開口23供應浸潤液體。下方供應開口23可環繞輻射光束B之路徑，且其可由呈陣列形式之一系列開口形成。供應浸漬液體以填充空間11以使得在投影系統PS下經過空間11之流動係層流的。在流體處置結構12下方自下方供應開口23供應浸漬液體另外防止氣泡進入空間11中。浸潤液體之此供應充當液體密封。
可自形成於內部表面中之回收開口21回收浸潤液體。通過回收開口21的浸潤液體之回收可藉由施加負壓而進行；通過回收開口21之回收可由於穿過空間11之浸潤液體流的速度；或該回收可由於此兩者之結果。當以平面圖進行觀察時，回收開口21可位於供應開口20之相對側上。另外或替代地，可通過位於流體處置結構12之頂部表面上的溢流開口24回收浸潤液體。在一實施例中，供應開口20與回收開口21可調換其功能(亦即，使液體之流動方向反向)。此允許取決於流體處置結構12及基板W之相對運動來改變流動方向。
另外或替代地，可經由形成於流體處置結構12之底部表面中的回收開口25自流體處置結構12下方回收浸潤液體。回收開口25可用以將浸潤液體之彎液面33固持(或「牽制(pin)」)至流體處置結構12。彎液面33形成於流體處置結構12與對向表面之間，且其充當液體空間與氣態外部環境之間的邊界。回收開口25可係可以單相流回收浸潤液體之多孔板。底部表面中之回收開口可係一系列牽制開口32，經由該等牽制開口回收浸潤液體。牽制開口32可以雙相流回收浸潤液體。
視情況，氣刀開口26自流體處置結構12之內部表面徑向地向外。可通過氣刀開口26以高速度供應氣體以輔助將浸潤液體限制於空間11中。所供應之氣體可被加濕，且其可實質上含有二氧化碳。用於回收通過氣刀開口26所供應之氣體的氣體回收開口28自氣刀開口26徑向地向外。流體處置結構12之底部表面中可存在其他開口，例如對大氣或氣體源開放的開口。舉例而言，另外開口可存在於氣刀開口26與氣體回收開口28之間及/或牽制開口32與氣刀開口26之間。
圖2B中所展示之為圖2A所共有的特徵共用相同附圖標記。流體處置結構12具有內部表面，該內部表面與截頭圓錐形形狀之圓錐形表面互補。流體處置結構12之下表面相比於截頭圓錐形形狀之底部平坦表面更靠近對向表面。
經由形成於流體處置結構12之內部表面中的供應開口34將浸潤液體供應至空間11。供應開口34係朝向內部表面之底部而定位，可能位於截頭圓錐形形狀之底部表面下方。供應開口34圍繞內部表面而定位，圍繞輻射光束B之路徑間隔開。
經由流體處置結構12之下表面中的回收開口25自空間11回收浸潤液體。隨著對向表面在流體處置結構12下方移動，彎液面33可在與對向表面之移動相同的方向上遍及回收開口25之表面而遷移。回收開口25可由多孔部件形成。可單相回收浸潤液體。在一實施例中，以雙相流回收浸潤液體。在流體處置結構12內之腔室35中接收雙相流，其中將雙相流分離成液體及氣體。經由單獨通道36、38自腔室35回收液體及氣體。
流體處置結構12之下表面的內部周邊39延伸至遠離內部表面之空間11中以形成板40。內部周邊39形成可經設定大小以匹配於輻射光束B之形狀及大小的小孔徑。板40可用以隔離其任一側之浸潤液體。所供應浸潤液體朝向孔徑向內流動，經由內部孔徑，且接著在板40下方朝向周圍的回收開口25徑向向外流動。
在一實施例中，流體處置結構12可係如圖2B之右側所展示的兩個部分：內部部分12a及外部部分12b。內部部分12a及外部部分12b可在平行於對向表面之平面上彼此相對移動。內部部分12a可具有供應開口34且其可具有溢出回收件24。外部部分12b可具有板40及回收開口25。內部部分12a可具有中間回收件42，其用於回收在內部部分12a與外部部分12b之間流動的浸潤液體。
在圖2A及圖2B之實例中，各種回收開口(例如，圖2A中之回收開口21、圖2A及圖2B兩者中之溢流回收件24、圖2A及圖2B兩者中之回收開口25、圖2A中之牽制開口32及圖2B中之通道36、38)及/或供應開口(例如，圖2A中之供應開口20、圖2A中之下方供應開口23及圖2B中之供應開口34)中之至少一者可用以控制空間11中之浸漬液體的量。彎液面33之位置及彎液面22之位置將取決於空間11中之浸漬液體的量而變化，彎液面22類似於彎液面33，惟其形成於流體處置系統12之另一部件與最終元件100之間除外。
基板支撐件WT可包含經組態以支撐基板W之基板固持器200。圖3A以橫截面繪示基板固持器200及由基板固持器200支撐之相關聯基板W。基板固持器200包含具有主體表面202之主體201。在使用中，主體表面202面向基板W之下表面，亦即，基板W之面向基板固持器200的下表面。
在主體表面202之中心區中，複數個支撐元件210自主體表面202突出。每一支撐元件210具有經組態以支撐基板W之遠端表面211 (圖3B中所展示)。舉例而言，在基板W之輻照期間，支撐元件210可經組態以與基板W之下表面接觸。支撐元件210以平面方式在圖案中相對於彼此配置。該圖案係為了支撐基板W且將基板W朝向主體表面202之任何彎曲減少至可接受量。
與基板W之平面面積相比較，每一支撐元件210之平面面積相對小。因此，支撐元件210僅與基板W之下表面的小區域接觸。此減小污染物自基板固持器200轉移至基板W的機會。
建立基板W上之壓差。舉例而言，基板固持器200之主體201與基板W之間的空間連接至負壓，該負壓低於基板W上方之高壓。壓力差產生在使用中時，例如在基板W經輻照時，將固持基板W至基板固持器200的力。換言之，基板固持器200具有用於將基板W夾持至基板固持器200之構件。
在浸潤微影設備中，液體將至少在基板W之曝光期間的某些時間存在於基板W之邊緣附近。歸因於基板固持器200之主體201與基板W之下表面之間的負壓，此液體將被吸入基板W之邊緣周圍及基板W下方。為了減少發生液體與基板W之下表面的接觸及尤其在支撐元件210與基板W接觸之區域處的接觸，可提供包含自主體201之主體表面202突出之至少一個部件的密封單元。總體而言，基板W與主體表面202之間的液體徑向朝內經過密封單元。密封單元可包含第一密封部件及第二密封部件。第一密封部件可自第二密封部件徑向朝外且包圍第二密封部件。第一密封部件可用以減小第一密封部件與第二密封部件之間的區中之壓力。第二密封部件可經組態以限制或阻止液體徑向朝內通過第二密封部件。第一密封部件亦可至少部分地限制液體徑向朝內通過第一密封部件。密封單元可經組態以限制液體實質上圍繞密封單元之整個圓周，亦即，圍繞整個基板W通過。換言之，歸因於密封單元之存在，限制或阻止自密封單元徑向朝外之位置處之一定量的液體徑向朝內移動至自密封單元徑向朝內的位置。此意謂相比於未提供密封單元之情況，密封單元之存在減少自密封單元徑向朝內之位置處的液體量。可阻止液體僅繞過密封單元。
密封單元可係密封機構之部分，例如接近或圍繞基板W之徑向外部邊緣形成的密封件。密封單元可包含用以限制液體徑向朝內通過之其他組件。
密封單元之一個目的係限制其他(其會不合期望地係潮濕的)朝向支撐元件210徑向朝內地流動。此使得能夠在支撐元件210周圍產生負壓，此係將基板W夾持至基板固持器200所必需的。允許一些氣體在密封單元上方流動係有利的，以使得當切斷圍繞支撐元件210產生負壓之負壓源時，可自基板固持器200快速移除基板W。若氣體流通過密封單元過低，則支撐元件210周圍的壓力與基板W上方的壓力相等，藉此釋放基板W所需的時間過高。基板固持器200可經組態以在基板W之下表面底下產生過壓，以使得可更快速地移除基板W。
密封單元可包含至少一個密封部件。密封部件可包含第一密封部件220及第二密封部件240。在圖3A及圖3B中展示第一密封部件220。將在下文進一步詳細描述第二密封部件240。第一密封部件220可經組態以限制氣體/流體自第一密封部件220徑向朝內流動。密封單元可例如在乾燥微影系統中僅包含第一密封部件220。
第一密封部件220具有係第一密封部件220之遠端的上表面221。因此，遠上表面221離第一密封部件220與主體表面202之間的接觸點而定位(即使第一密封部件220與主體201彼此成一體)。上表面221在使用中經組態以上表面221與基板W之下表面之間形成間隙。亦即，上表面221經組態以比支撐元件210之遠端表面211略接近主體表面202。此係有利的，此係因為此配置允許在基板W移除之前將氣體吸入第一密封部件220上方(在基板W下方)，同時允許限制液體在相同方向上通過。此係在不接觸基板W之下表面的大區域的情況下達成的，此將有害地導致污染物自第一密封部件220轉移至基板W。此亦將使基板W自基板固持器200移除更成問題。
如圖3A及圖3B中可見，複數個支撐元件210之最徑向朝外略原理基板W之邊緣。在不存在支撐自最徑向朝外支撐元件210徑向朝外之基板W的任何其他特徵之情況下，特定言之會在基板W之卸載期間發生基板W之邊緣朝下彎曲的情況。此係歸因於基板W下面之壓力低於基板W上方之壓力。
在使用中，可提供基板固持器200之主體表面202與基板W之間的中心區中之負壓。此負壓使得可在使用期間將基板W夾持至基板固持器200。此夾持負壓可具有更低量值(亦即，較不苛刻之真空)，接著在自支撐元件210徑向朝外之區處具有負壓。
在基板W之卸載期間，可控制主體表面202與基板W之間的壓力以允許卸載基板W。卸載基板W可包括增大主體表面202與基板W之間的壓力之步驟。此由圖3A中之朝上箭頭指示。舉例而言，當應卸載基板W時，可藉由在基板W下注入高壓空氣來移除基板W下之真空。因此，卸載基板W包括例如增大主體201與基板W之下表面之間的壓力之至少一個釋放步驟。在卸載期間在基板W下產生過壓之優點係將徑向朝外推動基板W與主體表面202之間的任何流體。然而，此通常在基板W之中心下產生過壓且圍繞基板W之邊緣產生負壓。因此，基板W會在基板W之中間中變形且向上隆突且在基板W之邊緣處朝下懸出。
圖3A及圖3B指示先前技術，且展示當基板W在中間膨脹時，基板W之側將刮擦徑向最外部支撐元件210及第一密封部件220。如圖3B中之特寫中所展示，在徑向最外部支撐元件210之遠端表面211與基板W，且亦在第一密封部件220之上表面221與基板W之間存在相互作用。如上文所指示，此可對系統具有不利影響。
基板W刮擦支撐元件210之遠端表面211會向支撐元件210施加力。基板W與支撐元件210中之一者之間的任何相互作用會引起支撐元件210上之磨損。此係問題，此係因為其會變更支撐元件210之準確高度。若支撐元件210之高度改變，則此會在輻照其他基板W及/或相同基板W之其他層時引起聚焦及/或疊對問題。若支撐元件210變得過於損壞，則可能有必要替換基板固持器200。因此，防止支撐元件210損壞提供基板固持器200之更穩定長期效能。
當基板W之下側刮擦第一密封部件220之邊緣時發生基板W與第一密封部件220之間的相互作用，亦即，在已知系統中，基板W之下表面在卸載期間(以橫截面)經由單點接觸與第一密封部件220接觸。此在基板W之下表面上產生高應力點且在基板W之下表面上引起刮擦。刮擦可產生基板W或甚至第一密封部件220之粒子，該等粒子會染污系統。該等粒子大體上接近基板W之邊緣且可因此在基板W之頂部上結束。另外，相互作用會以不合需要之方式，亦即，以影響第一密封部件220 (及因此密封單元整體上)如所需起作用之能力的方式，引起第一密封部件220之磨損。因此，需要以某種方式減少第一密封部件220與基板W之間的相互作用，該方式可影響第一密封部件220控制第一密封部件220與第二密封部件240之間的壓力及/或控制液體朝內移動經過第一密封部件220之能力。因此，防止第一密封部件220在用以提供密封之某些區域中損壞提供基板固持器200之更穩定長期效能。
磨損係有害的，此係因為其會引起基板W之污染以及基板固持器200之夾持特性的變化，且藉此引起基板W之變形。支撐元件210與基板W下側之間存在液體亦會引起磨損(若基板固持器200係陶瓷)，且可能引起摩擦變化。基板W之變形會引起成像誤差(例如，疊對誤差及/或聚焦誤差)，污染亦會引起成像誤差。基板W之下側上存在液體通常為有害的，此係因為此會導致基板W之熱穩定性問題或在卸載基板W期間液滴丟失時的困難。
會在基板W之裝載期間在基板固持器200上出現類似問題。因此，在裝載期間，可以使得基板W刮擦如上文所描述之基板固持器200的某一方式使變形基板W。另外或替代地，在乾燥微影設備中之基板W的裝載期間，基板W會在裝載期間傾斜，且此可使得基板W之邊緣與支撐元件210之邊緣接觸，從而引起磨損。
如下文將描述，歸因於經組態以在基板W之卸載(或裝載)期間與基板W相互作用之第一密封部件220的位置及形狀，本發明之基板固持器200緩解此等困難中之一些，同時仍例如藉由限制流體/氣體自第一密封部件220徑向朝內通過來提供機構作為密封單元之部分。卸載步驟可另外被稱作釋放步驟，且因此，術語釋放可在以下描述之與卸載基板W相關的部分中互換。
在本發明中，提供如圖3A及圖3B中所描述之基板固持器200。然而，第一密封部件220經組態以解決上文所描述之問題中的一些。將在下文詳細描述本發明與上文關於圖3A及圖3B所描述之至少第一密封部件220之間的差異。
更詳細地，本發明提供用於微影設備且且經組態以支撐基板W之基板固持器200。基板固持器200包含具有主體表面202之主體201。基板固持器200亦包含自主體表面202突出之複數個支撐元件210，其中每一支撐元件210具有經組態以支撐基板W之遠端表面211。支撐元件210可具有第一高度。基板固持器200進一步包含密封單元。密封單元可經組態以限制液體在基板W與主體表面202之間徑向朝內經過密封單元。密封單元可包含自主體表面202突出且具有上表面221之第一密封部件220。第一密封部件220可具有第二高度，第二高度小於第一高度。因此，支撐元件210可高於第一密封部件220。類似地，支撐元件210可高於第二密封部件240 (若提供)。密封單元可包含自主體表面202突出之第二密封部件240。第二密封部件240可自第一密封部件220徑向朝內定位。第一密封部件220可自複數個支撐元件210徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件。第二密封部件240係可選的且可尤其適用於浸潤系統以便防止液體徑向朝內通過。
第一密封部件220及第二密封部件240可一起經組態以限制或阻止液體及氣體自密封單元徑向朝內通過。第一密封部件220可經組態以在第一密封部件220與第二密封部件240之間的產生低壓區。因此，第一密封部件220與第二密封部件240之間的空間，亦即，密封區域，的壓力可低於包圍密封單元之壓力。第一密封部件220與第二密封部件240之間的低壓區減小自第一密封部件220與第二密封部件240之間的空間徑向朝內移動之液體的量。
第一密封部件220可經組態以相對於自密封單元徑向朝外之區中的壓力自第一密封部件220徑向朝內提供壓降。舉例而言，第一密封部件220可主要用以產生自環境至大致-500毫巴的壓降，且因此產生真空以夾持基板W。第二密封部件240可用以維持密封區域與基板固持器200之內部部分之間的大致25毫巴之壓力差，該內部部分可處於例如-475毫巴下。此小壓力差可在第二密封部件240與基板W之間的小間隙中產生水體(毛細管)。第二密封部件240之主要功能可係限制水進一步朝內移動。第二密封部件240可經組態以減少或阻止液體自密封單元徑向朝內通過。
第一密封部件220之平面橫截面積可非常大於支撐元件210之平面橫截面積。第一密封部件220之以平面方式相對大的面積產生對液體在基板W與主體表面202之間徑向向內經過第一密封部件220的較大阻力。第一密封部件220之橫截面形狀以平面方式可係圓形的，或更多特定言之，圈形或環形的。因此，第一密封部件220可具有環狀形狀。
第二密封部件240之平面橫截面積可非常大於支撐元件210之平面橫截面積。第二密封部件240之以平面方式相對大的面積產生對液體在基板W與主體表面202之間徑向向內經過第二密封部件240的較大阻力。第一密封部件220與第二密封部件240可具有類似或相同橫截面積。第二密封部件240之橫截面形狀以平面方式可係圓形的，或更多特定言之，圈形或環形的。因此，第二密封部件240可具有環狀形狀。
第一密封部件220可包圍複數個支撐元件210。因此，第一密封部件220可大體上圍繞複數個支撐元件210之完整圓周。換言之，舉例而言，當以平面圖進行觀察時，第一密封部件220可封閉複數個支撐元件210。第一密封部件220可係包圍支撐元件210之連續(但在橫截面中不一定均勻)的屏障。替代地，第一密封部件220可由複數個片段形成。該複數個片段可基本上全部由環圈形成。換言之，第一密封部件220可由基本上形成環圈之多個分離片段形成。在分段環圈中，可存在多個其他密封部件部分，在每一相鄰密封部件部分之間存在間隙。相鄰密封部件部分之間的間隙可與相鄰部分任一者或兩者長度相同或比其更短。每一密封部件部分之間的距離可等於或小於相鄰密封部件部分中之一或兩者的寬度。相鄰密封部件部分之間的間隔中之至少一者，亦即，相鄰部分之間的間隔，可係約數十或數百微米。相鄰密封部件部分之間的間隔中之至少一者可係大致10微米窄。該等間隔中之至少一者可介於0.5至5 mm之間。該等間隔中的一些或全部可具有此等尺寸。提供小間隔可係有利的，此係因為可在間隔中捕獲例如來自第一密封部件220與基板W之下側之間的相互作用之任何污染，同時仍在第一密封部件220上提供相對大接觸面積。
第二密封部件240可自第一密封部件220徑向朝內定位。第二密封部件240可自複數個支撐元件210中的一些或全部徑向朝外。複數個支撐元件210中的一些可自第二密封部件240徑向朝外地設置。因此，複數個支撐元件210中的一些可設置於第一密封部件220與第二密封部件240之間。此在下文中關於圖10進一步詳細描述。
若非大多數，則第二密封部件240可包圍複數個支撐元件210中之至少一些。因此，第二密封部件240可大體上圍繞複數個支撐元件210中之至少一些，若非大多數，的完整圓周。換言之，舉例而言，當以平面圖進行觀察時，第二密封部件240可封閉複數個支撐元件210中之至少一些，若非大多數。第二密封部件240可係包圍支撐元件210之連續(但在橫截面中不一定均勻)的屏障。替代地，第二密封部件240可由複數個片段形成。該複數個片段可基本上全部由環圈形成。換言之，第二密封部件240可由基本上形成環圈之多個分離片段形成。在分段環圈中，可存在多個其他密封部件部分，在每一相鄰密封部件部分之間存在間隙。相鄰密封部件部分之間的間隙可與相鄰部分任一者或兩者長度相同或比其更短。每一密封部件部分之間的距離可等於或小於相鄰密封部件部分中之一或兩者的寬度。相鄰密封部件部分之間的間隔中之至少一者，亦即，相鄰部分之間的間隔，可係約數十或數百微米。相鄰密封部件部分之間的間隔中之至少一者可係大致10微米窄。該等間隔中之至少一者可介於0.5至5 mm之間。該等間隔中的一些或全部可具有此等尺寸。提供小間隔可係有利的，此係因為可在間隔中捕獲例如來自第一密封部件220與基板W之下側之間的相互作用之任何污染。
第一密封部件220之上表面221具有經組態以在基板W之卸載期間與基板W接觸之接觸區222。第一密封部件220之上表面221經組態以使得其不會在基板W經輻照時與基板W接觸，亦即，第一密封部件220不用以在輻照期間支撐基板W。接觸區222經組態以使得其不會在基板W經輻照時與基板W接觸，亦即，接觸區222不用以在輻照期間支撐基板W。接觸區222可經組態以在基板W之卸載期間僅與基板W接觸。在先前已知之系統中，並不預期任何所提供密封部件之上表面將在基板W之卸載(或裝載)期間與基板W接觸。此外，在先前已知之系統中，在裝載或卸載期間在密封部件與基板可能尚未存在任何接觸，因此支撐元件210上可能已發生所有磨損。
在本發明中，接觸區222之位置足夠充足地與複數個支撐元件210相隔一距離而配置，使得在基板W之該裝載及/或卸載期間，由基板W施加至第一密封部件220之力大於由基板W施加至複數個支撐元件210之力。此意謂在基板W之卸載期間，支撐元件210之磨損少於第一密封部件220之磨損。此意謂當使用圖3A及圖3B中所展示之組態來釋放基板時，可相比於第一密封部件220之磨損減少支撐元件210之磨損。理想上，第一密封部件220可係在卸載期間與基板W接觸之主特徵，亦即，理想上，在卸載期間之某些點，基板W僅與接觸表面222而非支撐元件210接觸。
換言之，第一密封部件220之經組態以在基板W之卸載期間與基板W接觸的點及/或區足夠遠離支撐元件210，使得最徑向外部支撐元件210上之磨損少於第一密封部件220上之磨損。舉例而言，若第一密封部件220圍繞圓周形成有均勻橫截面，例如如4圖中所展示，則橫截面展示單點接觸，但此將圍繞第一密封部件220之圓周設置，且接觸區222將由圍繞整個第一密封部件220之區域提供。
接觸區222可僅係第一密封部件220之經組態以在卸載程序期間的某一點時與基板W接觸的區。此將通常係已知經界定區域。舉例而言，在圖4中，接觸區222展示為第一密封部件220之上表面221上的徑向最外部點。接觸區222可第一密封部件220之上表面221與第一密封部件220之徑向外部邊緣223之間定位的點。換言之，接觸區222可在上表面221與徑向外部邊緣223之間提供區。因此，接觸區222可在上表面222與徑向外部邊緣223之間形成連接。如在圖4中，此可係上表面221與徑向外部邊緣223將以其他方式會合之點。替代地，舉例而言，如在圖6A中，接觸區222可係該兩個表面之間的區域。在上表面221與接觸區222之間可存在梯度改變。在徑向外部邊緣223與接觸區222之間可存在梯度改變。
接觸區222可能並不圍繞第一密封部件220係均勻的，且可經組態以在眾所周知粒子污染更大之某些位置中提供增大之接觸面積。
眾所周知第一密封部件220應設置於徑向最外部支撐元件210之某一距離內，以便維持基板W與主體201之間的所要壓力。因此，本發明藉由提供接觸區222與徑向最外部支撐元件210之徑向外部邊緣之間的某一距離同時仍維持所需壓力來遠離此進行教示。
可以各種不同方式控制接觸區222相對於支撐元件210之位置。舉例而言，如圖4中所展示，主要尺寸係關於徑向最外部支撐元件210之遠端表面211的徑向外部邊緣212與第一密封部件220之上表面221的外部上邊緣之間的距離。尺寸係關於支撐元件210及第一密封部件220之此等特定部分，此係因為此等部分係此等組件之將在基板W之卸載期間與基板W之下表面接觸的部分。
距離可在徑向方向上由距離D界定。距離可另外或替代地由支撐元件210之遠端表面211與第一密封部件220之上表面221之間的距離y界定。此等距離皆將影響基板W在卸載期間與此等組件中之每一者相互作用的方式。
在此實例中，接觸區222在橫截面中展示為邊緣接觸點。因此，在此實施例中，接觸區222由圍繞第一密封部件220之圓周的相同接觸點形成。此接觸區222將在圖4中相同，如在圖3A及圖3B中所展示之實例中。然而，本發明中之接觸區222相對於支撐元件210的位置將不同於先前技術之接觸區的相對位置，且將經組態以在基板W之卸載期間減少支撐元件210之磨損。
在一實施例中，自遠端表面211之徑向外部邊緣212至接觸區222之徑向距離D大於1,000微米，且較佳地大於1,500微米。此意謂接觸區222可足夠遠離支撐元件210以在裝載及/或卸載期間減少支撐元件210與基板W之間的接觸。另外或替代地，徑向最外部支撐元件210與第一密封部件220之間的高度差，在圖4中由y展示，介於大致2微米與8微米之間。徑向最外部支撐元件210與第一密封部件220之間的高度差係y方向上之遠端表面211與第一密封部件220之上表面221之間的距離，其中y方向正交於包括徑向方向之平面。具有高度差亦可在裝載及/或卸載期間減少支撐元件210與基板W之間的接觸。
按此距離設置接觸區222意謂在基板之裝載及/或卸載期間，基板W將與第一密封部件220而非徑向最外部支撐元件210具有更大相互作用。有效地，此意謂第一密封部件220用作犧牲磨損區域。此可引起最外部支撐元件210之磨損的顯著減少。可在徑向方向上及/或y方向最佳化徑向外部邊緣212與接觸區222之間的距離，以在裝載及/或卸載基板W期間最小化最外部支撐元件210與基板W之間的摩擦。距離D及距離y之最佳值可取決於基板固持器200及/或基板W及/或應用於基板W之應用而變化。
第一密封部件220在徑向方向上之長度x可大於300微米，或較佳地，大於500微米。此可係有益的，此係因為第一密封部件220之接觸區222會在卸載期間由基板W與第一密封部件220之間的相互作用逐漸磨薄。若第一密封部件220在徑向方向上足夠長(亦即，x)，則第一密封部件220之磨損將不大可能影響第一密封部件220執行限制液體自第一密封部件220徑向朝內通過之功能的能力。因此，提供具有充足長度，例如大於300微米或較佳地大於500微米之第一密封部件220可意謂第一密封部件220經組態以比已知密封部件在更長時間段內更佳地控制基板邊緣固持器200處之液體，此係因為本發明之第一密封部件220將不會以相同方式由與基板W之相互作用磨薄。
視情況，基板固持器200可包含塗層。塗層可用以覆蓋基板固持器200之至少一部分。舉例而言，如下文所描述，塗層可形成第一密封部件220的部分及/或複數個支撐元件210中之該至少一者的部分。塗層可由類金剛石碳(diamond-like carbon，DLC，例如a-CH)、金剛石、碳化矽(例如，SiSiC或SiC)、氮化硼(BN)或氮化硼碳(BCN)製成。塗層可基本上或完全由此等材料及/或此等材料之任何衍生物製成。此等材料可歸因於硬度與楊氏模量之組合而係尤其有益的。因此，此等材料可具有所要韌性度(硬度/楊氏模量)。
塗層可係例如具有如下文所描述之厚度的薄層。塗層可用以覆蓋基板固持器200之各個部分的表面。塗層可遍及基板固持器200之包含塗層的任一個部分大體上均勻。舉例而言，可提供塗層作為第一密封部件220及/或至少一個複數個支撐元件210上方之一層大體上均勻厚度。舉例而言，塗層厚度可變化少於任一部分中之塗層之最厚部分中之塗層厚度的50%。較佳地，厚度變化少於或等於30%，或更佳地少於或等於20%。
舉例而言，在基板W之裝載或卸載期間，塗層可有益於減少基板固持器200之磨損及/或基板固持器200之與基板接觸之任何部分上之基板W的刮擦。塗層可有利於改良經塗佈特徵之耐磨性。此可阻止具有塗層之特徵磨薄。
塗層可係薄層。更具體言之，塗層可具有介於大致0.2 μm與2 μm之間的厚度。較佳地，塗層之厚度介於大致0.2 μm與1.5 μm之間。較佳地，塗層之厚度介於大致0.2 μm與1 μm之間。更一般而言，厚度較佳地小於或等於2 μm，或較佳地小於或等於1.5 μm，或較佳地小於或等於1 μm。此處引用之厚度可係遍及基板固持器200之特定部分的平均厚度。
如圖5中所展示，複數個支撐元件210中之該至少一者可包含塗層214。塗層214可具有上文所描述之特性。如圖5中所展示，塗層214可形成複數個支撐元件210中之至少一者的遠端表面211。換言之，塗層214可設置於突出物之形成複數個支撐元件210中之至少一者的遠端上。塗層214可在複數個支撐元件210中之至少一者的遠端上提供一層保護。如圖5中所展示，塗層214可設置於複數個支撐元件210中之單一支撐元件或複數個支撐元件210中之多個支撐元件上，視情況設置於所有複數個支撐元件210上。
複數個支撐元件210中之至少一者的塗層214可另外被稱作支撐部件塗層。如已描述，塗層214可減少至少一個支撐部件210之磨損。減少至少一個支撐部件210之磨損係有益的，此係因為此可增加基板固持器200之可用壽命以使得其可用以處理更多基板。
另外，如圖5中所展示，第一密封部件220可包含塗層224。塗層224可具有上文所描述之特性。如圖5中所展示，塗層224可形成第一密封部件220之上表面221。換言之，塗層224可設置於突出物之形成第一密封部件220的遠端上。塗層224可在第一密封部件220之端上提供一層保護。當塗層224設置於第一密封部件220上時，第一密封部件220之接觸區222可處於塗層224上。第一密封部件220上之塗層224可另外被稱作密封部件塗層。
塗層224可減少第一密封部件220之磨損。減少第一密封部件220之磨損係有益的，此係因為此意謂第一密封部件220可比在未提供塗層之情況下針對更大數目個經處理基板W更有效率地繼續充當密封件。另外，若第一密封部件220經磨薄，則基板W會在裝載及卸載期間與至少一個支撐部件210接觸，此會減少基板固持器200之使用壽命。因此，阻止第一密封部件220之磨損以儘可能久地保護至少一個支撐部件210/來處理儘可能多之基板係有益的。
如圖5中所展示，塗層214可設置於複數個支撐元件210中之該至少一者上，且塗層224可設置於第一密封部件220上。然而，不需要為基板固持器200之多個部分提供塗層。因此，舉例而言，塗層可僅設置於一個或另一個上，亦即，設置於第一密封部件220或複數個支撐元件210中之至少一者上。
儘管以上特徵可減少最外部支撐元件210上之磨損，但此可藉由改變接觸區222之形狀來得以改良。作為以上特徵之補充或替代，第一密封部件220之接觸區222可具備特定幾何結構。舉例而言，在徑向方向上穿過第一密封部件220之橫截面中，接觸區222之輪廓具有形狀，該形狀經組態以使得在基板W之卸載期間，基板W經由該輪廓之至少兩個不同點與第一部件220接觸。在圖6A中展示經組態以使得基板W在卸載期間經由至少兩個不同點與第一密封部件220接觸之接觸區222的一實例。
接觸區222之輪廓以此方式整形意謂基板W與區域而非穿過第一密封部件220之橫截面中的單點接觸(如圖3A、圖3B及圖4中所展示)。另外或替代地，基板W可經由各種不同點與接觸區222相互作用，例如，接觸點可在基板W之卸載期間改變，如將在下文之一些實例中描述。
使基板W經由輪廓上之至少兩個不同點與第一密封部件220接觸係有益的，此係因為可減小第一密封部件220上之局部應力。此係因為在基板W與第一密封部件220之間的存在增大之接觸面積，且來自基板W之力在裝載及/或卸載程序期間施加至第一密封部件220之不同點。儘管可提供不同幾何形狀，但不同幾何形狀在多個點處提供基板W與第一密封部件220之間的接觸，接觸擴散力且減小局部應力。因此，此減小作用於基板W之下側面的力。又，此減小基板W之下表面上之刮擦的形成，刮擦可產生染污系統之粒子。因此，提供此接觸區222可有益於減少污染。
可提供輪廓之各種不同幾何形狀。舉例而言，輪廓可自第一密封部件220之上表面221向第一密封部件220之徑向外部邊緣223成線性。此展示於圖6A中，其中接觸區222由具有角度θ之傾斜部分形成。換言之，第一密封部件220可具有形成接觸區222之削邊。自第一密封部件220之上表面221至第一密封部件220之徑向外部邊緣223的線性輪廓可相對於第一密封部件220之上表面221處於大致0.15微米每公釐至3微米每公釐之間的負梯度。
如同圖4中所描繪之第一密封部件220，接觸區222與支撐元件210之間的距離可由圖6A中所展示之徑向方向上的距離D界定。距離可另外或替代地由支撐元件210之遠端表面211與第一密封部件220之上表面221之間的距離y1界定。此可與在圖4中參考及上文所描述的之距離y相同。此等距離皆將影響基板W在卸載期間與此等組件中之每一者相互作用的方式。
距離x1可在如上文針對x所定義之範圍內。距離x係第一密封部件220之全長。另外或替代地，距離x2可在如上文針對x所定義之範圍內。距離x2係第一密封部件220之上表面221在徑向方向上之長度。換言之，距離x2係第一密封部件220之長度減接觸區222在徑向方向上之長度。x2高於特定值可係有益的。上表面221提供限制自第一密封部件220徑向朝內之氣體/流體及/或在第一密封部件220與第二密封部件240之間提供低壓區及/或提供自第一密封部件220徑向朝內之壓降的功能。因此，上表面211 (具有長度x2)的部分應足夠長使得第一密封部件220可提供此功能。
如上文所描述，塗層224可設置於第一密封部件220之上表面上。如圖6B中所展示，塗層224可僅設置於接觸區222上，在該接觸區中塗層可具有最大效應。因此，塗層224可形成為第一密封部件220之部分且可形成如上文及下文所描述之接觸區222。
在一實施例中，輪廓可包含自第一密封部件220之上表面221至第一密封部件220之徑向外部邊緣223的多個線性部分。此展示於圖7A、圖7B及圖7C中。在一實施例中，輪廓之形狀可自第一密封部件220之上表面221至第一密封部件220之徑向外部邊緣223彎曲。此展示於圖7D、圖7E及圖7F中。另外或替代地，第一密封部件220之外部邊緣可係圓形的。此可係形成接觸區222之外部邊緣上的圓形斜面。輪廓之形狀可係橢圓或圓圈之部分。舉例而言，輪廓之形狀可係如圖7D中所描繪之橢圓形圓圈的部分。輪廓之形狀可係基本上梯形的，如圖7F及圖7G中所展示。提供多個接觸點之形狀中的任一者將在橫截面中相比於單點接觸減小基板W上之局部應力。基板W可經由線接觸與接觸區222接觸，例如當邊緣彎曲時，在基板W與第一密封部件220之間存在多於單個接觸點，使得接觸線將見於橫截面中。具有多個離散接觸點而非線接觸之形狀將大體上具有更小總體接觸面積且將磨損得更快。圖7A至圖7G中所展示之形狀係可在特定基板及/或系統及/或基板卸載設定/序列之情況下尤其有利之形狀的實例。此等形狀中的一些可具有改良之可製造性及/或可對所使用基板W之屬性具有改良的影響，諸如減少基板W之翹曲。
使接觸區222之表面儘可能平滑係有益的。此減小基板W之下表面上的局部應力。因此，接觸區222可經組態以在基板W與第一密封部件220相互作用時減少其之間的摩擦力。舉例而言，接觸區222可係經拋光的。
在圖6A及圖7A至圖7G中所展示之各種不同特徵曲線意謂接觸區222可在基板W與第一密封部件220之間提供接觸面積。此係有益的，此係因為其分佈施加至第一密封部件220及基板W之力，且意謂減小局部應力以減少或阻止基板W之下表面上之刮擦的形成，亦即，減少或阻止對基板W之下表面的損壞。接觸面積可在橫截面中由多個離散接觸點或線接觸提供。
儘管在圖7A至圖7G中所展示之各種不同特徵曲線中未描繪，但具有此等特徵曲線之密封部件中的任一者可具有如上文所描述之塗層224。
第一密封部件220經組態以包圍複數個支撐元件210且自其徑向朝外定位意謂所有支撐元件210以平面方式自第一密封部件220徑向朝內。因此，第一密封部件220可在裝載及/或卸載期間形成與基板W之下表面最外部接觸點。此允許如上文所描述而減少支撐元件210上之磨損。第一密封部件220可以平面方式作為圍繞所有支撐元件210之離散部件包圍支撐元件210，舉例而言，第一密封部件220可以平面方式係圓形的。第一密封部件220可不具有均勻橫截面，且因此，如圖4至圖6、圖7A至圖7G、圖8或圖9中所展示之第一密封部件220的形狀可變化。第一密封部件220可視情況具有間隔，使得第一密封部件220可由圍繞所有支撐元件210之多個離散部件提供。
歸因於接近系統之此部分的液體，基板W之下表面與基板固持器200之主體201之間的空間可能會具有潮濕大氣。潮濕大氣之缺點係支撐元件210可能發生氧化。支撐元件210之氧化係有害的，此係因為此降低由支撐元件210支撐之基板W的可達成扁平度。基板固持器200可包含形成於主體201中來將流體自主體表面202與基板W之間抽取至主體201中的至少一個抽取開口230。至少一個抽取開口230可係密封機構之部分。可提供如下文所描述之抽取開口230以有助於避免在主體表面202與基板W之間具有潮濕大氣。
至少一個抽取開口230可徑向朝內且鄰近於第一密封部件220而配置。因此，在至少一個抽取開口230與第一密封部件220之間可能不存在任何其他特徵，諸如支撐元件210。抽取開口230可連接至負壓源。籍此，可經由主體201抽取到達抽取開口230之任何液體。此意謂限制液體進一步進入主體表面202與基板W之間的空間。舉例而言，當不存在待抽取之液體時，抽取開口230亦可抽取氣體。可經由抽取開口230抽取液體與氣體之混合物。至少一個抽取開口230可用以有助於提供上文所描述之壓降及/或低壓區。
至少一個抽取開口230可由若干開口形成。抽取開口230可圍繞第一密封部件220一直彼此間隔開。抽取開口230可係主體表面202中之精密開口。替代地，抽取開口230可係形成於主體表面202中之凹槽。替代地，凹槽可形成於主體表面202中，或抽取開口230之可在凹槽之底部自主體202浮現。凹槽可在每一區段中用一或多個開口分段。可將該等區段視為複數個凹部。
藉由將抽取開口230連接至負壓，可經由抽取開口230移除確實通向基板W之邊緣的液體。一旦基板W之邊緣不再被液體覆蓋，則在移除液體時乾燥基板W之下表面。
如上文所描述，基板固持器200可另外包含第二密封部件240。儘管，但圖4、圖5、圖6A、圖6B、圖8及圖9描繪第二密封部件240，此部件係可選的且可不具備第一密封部件220。第二密封部件240可自至少一個抽取開口230 (若提供)徑向朝內定位。第二密封部件240可自支撐元件210徑向朝外定位。第二密封部件240可經組態以包圍至少一個支撐元件210。因此，所有支撐元件210可自第二密封部件240徑向朝內。替代地，支撐元件210中之至少一者可自第二密封部件240徑向朝外。換言之，第二密封部件240可自一或多個支撐元件210徑向朝內。舉例而言，至少最徑向外部支撐元件210可定位於第一密封部件220與第二密封部件240之間。至少徑向最外部支撐元件210可在包圍第二密封部件240之線中與至少一個抽取開口230交替地配置。
作為上文所描述之實施例的補充或替代，基板固持器200可包含至少一個其他部件250。其他部件250可具有經組態以在基板W之裝載或卸載期間與基板W接觸之接觸區252。其他部件250之接觸區252可類似於第一密封部件220之接觸區222，且具有如上文針對該接觸區所描述的類似特性。除了上文所描述之密封單元/第一密封部件220外，亦可提供其他部件250。在此實施例中，第一密封部件220及其他部件250兩者可經組態以在基板W之裝載及卸載期間與基板W接觸。其他部件250可具有第三高度，第三高度小於第一高度。換言之，支撐元件210可高於其他部件250。
至少一個其他部件250可在下文被稱作其他部件250，但應理解，對其他部件之引用亦可包括多個其他部件。因此，其他部件250可由多個單獨部分或突出物形成。
其他部件250可提供與上文所描述的第一密封部件220類似的支撐功能。因此，其他部件250可經組態以在基板W之裝載及/或卸載期間與基板W接觸。藉由自至少一個支撐部件210徑向朝外添加其他部件250，可減少或阻止對至少一個支撐部件210之損壞。其他部件250可充當犧牲瘤節/區。
更詳細地，基板固持器200可包含自主體表面202突出且具有上表面251之其他部件250。至少一個其他部件250可自第一密封部件220徑向朝外定位且包圍該第一密封部件。其他部件250之上表面251可具有經組態以在基板W之裝載及/或卸載期間與基板W接觸之接觸區252。其他部件250之接觸區252之位置足夠充足地與複數個支撐元件210相隔一距離而配置，使得在基板W之該裝載及/或卸載期間，由基板W施加至其他部件250之力大於由基板W施加至複數個支撐元件210之力。
其他部件250可包含如上文所描述之塗層254。因此，塗層可由類金剛石碳(DLC，例如a-CH)、金剛石、碳化矽(例如，SiSiC或SiC)、氮化硼(BN)或氮化硼碳(BCN)形成。塗層254可形成其他部件250之上表面251，且其他部件250之接觸區252可處於塗層254上。塗層254可具有如上文關於密封部件塗層224及/或支撐部件塗層214所描述的其他特性，諸如厚度等等。其他部件250之塗層254可另外被稱作其他部件塗層。
在圖8中展示塗層254。然而，在無塗層254之情況下，其他部件250可與第一密封部件220組合地設置，如上文所描述。其他部件250之塗層254可僅設置於其他部件250之接觸區252上。
在另一實施例中，基板固持器200可包含替代性密封部件260及其他部件250。替代性密封部件260可替換上文所描述之第一密封部件220。在此實施例中，僅其他部件250可具有經組態以在基板W之裝載及/或卸載期間與基板W接觸之接觸區252。換言之，在此實施例中，替代性密封部件260不經組態以如在上文所描述之實施例中在基板W之裝載及/或卸載期間與基板W接觸。舉例而言，替代性密封部件260可定位成使得其不在裝載或卸載期間與基板W接觸，例如，替代性密封部件260可能在裝載及/或卸載期間過於徑向朝內而不能與基板W接觸。替代性密封部件260可因此例如藉由減少或影響如上文關於第一密封部件220所描述之氣體/流體流動提供密封，但不會如第一密封部件220進行一般在裝載及/或卸載期間與基板W接觸。
更詳細地，基板固持器200包含主體201、複數個支撐元件210、密封單元及至少一個其他部件250。主體201具有主體表面202。複數個支撐元件210自主體表面202突出。每一支撐元件210可具有經組態以支撐基板W之遠端表面211及第一高度。密封單元可經組態以限制液體及/或氣體在基板W與主體表面202之間徑向朝內經過密封單元。密封單元可包含自主體表面202突出之第一密封部件220。第一密封部件220可具有小於第一高度之第二高度。第一密封部件220可自複數個支撐元件220徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件。至少一個其他部件250自主體表面202突出且具有上表面251。至少一個其他部件250可自複數個支撐元件210徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件。另外，至少一個其他部件250可自密封單元徑向朝外定位且包圍密封單元。至少一個其他部件250可包含形成其他部件250之上表面251的塗層254。塗層254可具有經組態以在基板W之裝載及/或卸載期間與基板W接觸之接觸區252。塗層254可由類金剛石碳(DLC，例如a-CH)、金剛石、碳化矽(例如，SiSiC或SiC)、氮化硼(BN)或氮化硼碳(BCN)製成。其他部件250之接觸區252的位置可足夠充足地與複數個支撐元件210相隔一距離而配置，使得在基板W之該裝載及/或卸載期間，由基板W施加至其他部件250之力大於由基板W施加至複數個支撐元件210之力。
在此實施例中，密封單元可包含如上文所描述之替代性密封部件260。替代性密封部件260可自主體表面202突出。替代性密封部件260可自該複數個支撐元件210徑向朝外。替代性密封部件260可包圍複數個支撐元件210。替代性密封部件260可與上文所描述之第一密封部件220以相同方式起作用。然而，在此實施例中，替代性密封部件260可經組態成使得其在裝載及/或卸載期間不會大體上與基板W接觸。密封單元可包含如上文所描述之第二密封部件240。因此，第二密封部件240可自主體表面突出且可自替代性密封部件260徑向朝內定位。
在該等實施例中之任一者中，其他部件250可與上文所描述之第一密封部件220具有類似特性。舉例而言，其他部件250可具有接觸區，該接觸區具有如上文根據圖6A、圖6B及圖7A至圖7G而關於第一密封部件220所描述的輪廓。更詳細地，在徑向方向上穿過其他部件250之橫截面中，其他部件250之接觸區252的輪廓可具有形狀，該形狀經組態以使得在基板W之裝載及/或卸載期間，基板W經由輪廓之至少兩個不同點與其他部件250接觸。其他部件250可僅在具有該輪廓之接觸區252上包含塗層254，如對於如圖6B中所展示之第一密封部件220所描述。
其他部件250可以連續環之形狀設置。換言之，其他部件250可以平面方式係圓形的，或更特定言之，圈形或環形的。因此，其他部件250可具有環狀形狀。其他部件250可包含複數個片段且可視情況係分段環。在分段環圈中，可存在多個其他部件部分，在每一相鄰其他部件部分之間存在間隙。其他部件部分可被稱作徑向輪輻。相鄰其他部件部分之間的間隙可與相鄰部分任一者或兩者長度相同或比其更短。換言之，每一其他部件部分之間的距離可等於或小於相鄰其他部件部分中之一或兩者的寬度。相鄰其他部件部分之間的間隔中之至少一者，亦即，相鄰部分之間的間隔，可係約數十或數百微米。相鄰其他部件部分之間的間隔中之至少一者可係大致10微米窄。該等間隔中之至少一者可介於0.5至5 mm之間。該等間隔中的一些或全部可具有此等尺寸。提供小間隔可係有利的，此係因為可在間隔中捕獲例如來自其他部件250與基板W之下側之間的相互作用之任何污染，同時仍提供相對大接觸面積。
其他部件250可由間隔開以以平面方式形成環形狀之一行多個個別瘤節或突出物提供。換言之，其他部件250可包含複數個其他支撐元件。舉例而言，個別瘤節或突出物可具有大致100至1000微米之直徑。自一個瘤節或突出物之中間至相鄰瘤節或突出物之中間的距離可係大致1至3 mm。其他部件250之上表面251可略微地圓形或拋光，如關於以上第一密封部件220所描述，以減少其他部件250之磨損。
其他部件250可具有小於至少一個支撐部件210之高度的高度(第三高度)。此意謂其他部件250可在基板W之裝載及卸載期間承擔負載。然而，在使用期間，諸如在基板W之曝光期間，其他部件250可不與基板W接觸。可如上文針對第一密封部件220在圖4中所描述而最佳化其他部件250與至少一個支撐部件210之間的距離。
可以各種不同方式控制其他部件250之接觸區252相對於支撐元件210之位置。舉例而言，如圖9中所展示，主要尺寸係關於徑向最外部支撐元件210之遠端表面211的徑向外部邊緣212與其他部件250之上表面251的外部上邊緣之間的距離。尺寸係關於支撐元件210及其他部件250之此等特定部分，此係因為此等部分係此等組件之將在基板W之裝載及/或卸載期間與基板W之下表面接觸的部分。
距離可在徑向方向上由距離D界定。距離可另外或替代地由支撐元件210之遠端表面211與其他部件250之上表面251之間的距離y界定。此等距離皆可影響基板W在裝載及/或卸載期間與此等組件中之每一者相互作用的方式。
在此實例中，接觸區252在橫截面中展示為邊緣接觸點。因此，在此實施例中，接觸區252由圍繞其他部件250之圓周的相同接觸點形成。此接觸區252可類似於用於圖4中所展示之第一密封部件220的接觸區。接觸區252相對於支撐元件210之位置經組態以在基板W之卸載期間減少支撐元件210之磨損。
在一實施例中，自遠端表面211之徑向外部邊緣212至接觸區252之徑向距離D大於1,000微米，且較佳地大於1,500微米。徑向距離D較佳地介於大致1000至3000微米之間，亦即，1至3 mm之間。此意謂接觸區252可足夠遠離支撐元件210以在裝載及/或卸載期間減少支撐元件210與基板W之間的接觸。另外或替代地，徑向最外部支撐元件210與其他部件250之間的高度差，在圖9中由y展示，介於大致0.5微米與5微米之間。較佳地，高度差大於或等於3微米，以降低其他部件250在基板W之曝光期間與基板W之下側接觸的可能性。徑向最外部支撐元件210與其他部件250之間的高度差係y方向上之遠端表面211與其他部件250之上表面251之間的距離，其中y方向正交於包括徑向方向之平面。具有高度差亦可在裝載及/或卸載期間減少支撐元件210與基板W之間的接觸。
按此距離設置接觸區252意謂在基板W之裝載及/或卸載期間，基板W將與其他部件250而非徑向最外部支撐元件210具有更大相互作用。有效地，此意謂其他部件250用作犧牲磨損區域。此可引起最外部支撐元件210之磨損的顯著減少。可在徑向方向上及/或y方向最佳化徑向外部邊緣212與接觸區252之間的距離，以在裝載及/或卸載基板W期間最小化最外部支撐元件210與基板W之間的摩擦。距離D及距離y之最佳值可取決於基板固持器200及/或基板W及/或應用於基板W之應用而變化。
如上文所指示，基板固持器200可包含第一密封部件220與第二密封部件240之間的至少一個支撐元件210。此展示於圖10中。因此，最外部支撐元件210可鄰近於第一密封部件220及第二密封部件240而設置。因此，第二密封部件240可僅包圍一些並非所有支撐元件210。
在此實例中，如同圖4中所描繪之第一密封部件220，接觸區222與支撐元件210之間的距離可由圖10中所展示之徑向方向上的距離D界定。此可與在圖4中參考及上文所描述的之距離D係相同值/範圍。距離可另外或替代地由支撐元件210之遠端表面211與第一密封部件220之上表面221之間的距離y界定。此可與在圖4中參考及上文所描述的之距離y係相同值/範圍。距離x係第一密封部件220之全長。此可與在圖4中參考及上文所描述的之距離x係相同值/範圍。所有此等距離將影響基板W在卸載期間與此等組件中之每一者相互作用的方式。
多個支撐元件210可設置於第一密封部件220與第二密封部件240之間。視情況，亦可提供至少一個抽取開口230。舉例而言，支撐元件210與抽取開口230可在第一密封部件220與第二密封部件240之間的空間中交替。換言之，圖10穿過第一密封部件220與第二密封部件240之間的最外部支撐元件210之展示穿過基板固持器200之部分的橫截面，然而，在不同徑向位置處，類似橫截面可展示如圖4中之第一密封部件220與第二密封部件240之間的抽取開口230。
至少一個最外部支撐元件210亦可在其他實施例中設置於類似位置中。舉例而言，當其他部件250如在圖8中設置或如在圖9中設置於替代性密封部件260與第二密封部件240之間時，最外部支撐元件210可設置於第一密封部件220與第二密封部件240之間。此等部件可包含如上文所描述之實施例或變型中之任一者中所描述的接觸區222、252及/或塗層254。
如上文所描述，基板固持器200可經組態以在卸載基板W時控制主體201與基板W之間的壓力。此可以各種方式完成，且可使用任何已知方法/系統。本發明可包含如以上變化實例中中之任一者所描述的微影設備。根據所描述實施例或變型中之任一者，微影設備可包含經組態以支撐基板的基板固持器200。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中之微影設備之使用，但應理解，本文所描述之微影設備可具有其他應用。可能的其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(liquid-crystal display，LCD)、薄膜磁頭等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影設備之內容背景中之本發明的實施例，但本發明之實施例可用於其他設備中。本發明之實施例可形成光罩檢測設備、度量衡設備或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化裝置)之物件之任何設備的部分。此等設備可一般被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或周圍(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用，例如壓印微影中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。
圖式意欲繪示上文所描述之各種特徵。圖式未按比例繪製。不同特徵之相對寬度及高度可相對於其他特徵變化。舉例而言，其他部件250展示為比第一密封部件220及第二密封部件240窄。然而，其他部件250可寬度相同(亦即，在x方向上長度相同)，或可更寬(亦即，在x方向上具有更大長度)。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
11‧‧‧浸潤空間
12‧‧‧流體處置結構
12a‧‧‧內部部分
12b‧‧‧外部部分
14‧‧‧板
16‧‧‧障壁部件
20‧‧‧供應開口
21‧‧‧回收開口
22‧‧‧彎液面
23‧‧‧下方供應開口
24‧‧‧溢出回收件
25‧‧‧回收開口
26‧‧‧氣刀開口
28‧‧‧氣體回收開口
30‧‧‧塗層
32‧‧‧牽制開口
33‧‧‧彎液面
34‧‧‧供應開口
35‧‧‧腔室
36‧‧‧通道
38‧‧‧通道
39‧‧‧內部周邊
40‧‧‧板
42‧‧‧中間回收件
100‧‧‧最終元件
200‧‧‧基板固持器
201‧‧‧主體
202‧‧‧主體表面
210‧‧‧支撐元件
211‧‧‧遠端表面
212‧‧‧徑向外部邊緣
214‧‧‧塗層
220‧‧‧第一密封部件
221‧‧‧上表面
222‧‧‧接觸區
223‧‧‧徑向外部邊緣
224‧‧‧塗層
230‧‧‧抽取開口
240‧‧‧第二密封部件
250‧‧‧其他部件
251‧‧‧上表面
252‧‧‧接觸區
254‧‧‧塗層
260‧‧‧替代性密封部件
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
C‧‧‧目標部分
D‧‧‧距離
IF‧‧‧位置量測系統
IL‧‧‧照明系統
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化裝置
MT‧‧‧光罩支撐件
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板支撐件
X‧‧‧方向
x‧‧‧距離
x1‧‧‧距離
x2‧‧‧距離
Y‧‧‧方向
y‧‧‧距離
y1‧‧‧距離
Z‧‧‧方向
現將參看隨附示意性圖式而僅藉助於實例來描述本發明之實施例，其中：
- 圖1描繪微影設備之示意性概述；
- 圖2A及圖2B以橫截面描繪流體處置結構之兩個不同的版本，該流體處置結構具有在左側及右側上繪示之不同特徵，該等特徵可圍繞整個圓周延伸；
- 圖3A以橫截面描繪根據先前技術之基板固持器，且圖3B描繪圖3A之展示最外部支撐元件及密封部件的特寫部分；
- 圖4以橫截面描繪根據本發明之基板固持器的邊緣；
- 圖5以橫截面描繪根據本發明之基板固持器的邊緣；
- 圖6A及6B以橫截面描繪根據本發明之基板固持器的邊緣；
- 圖7A至圖7G各自以橫截面描繪根據本發明之密封單元；
- 圖8以橫截面描繪根據本發明之基板固持器的邊緣；
- 圖9以橫截面描繪根據本發明之基板固持器的邊緣；且
- 圖10以橫截面描繪根據本發明之基板的邊緣。

Claims (15)

  1. 一種用於一微影設備且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個支撐元件，其自該主體表面突出，其中每一支撐元件具有經組態以支撐該基板之一遠端表面及一第一高度； 一密封單元，其包含自該主體表面突出之一第一密封部件，該第一密封部件具有一上表面及小於該第一高度之一第二高度，且自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件，該上表面具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區；且 其中該接觸區之一位置足夠充足地與該複數個支撐元件相隔一距離而配置，使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，由該基板施加至該第一密封部件之一力大於由該基板施加至該複數個支撐元件之一力。
  2. 如請求項1之基板固持器，其中該接觸區定位成鄰近於該第一密封部件之一徑向外部邊緣，且自該遠端表面之一徑向外部邊緣至該接觸區之徑向距離大於1,000微米，且較佳地大於1,500微米，及/或其中該第一密封部件在一徑向方向上之長度大於300微米，且較佳地大於500微米。
  3. 如請求項1或2之基板固持器，其中在一徑向方向上穿過該第一密封部件之一橫截面中，該接觸區之一輪廓具有一形狀，該形狀經組態以使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，該基板經由該輪廓之至少兩個不同點與該第一密封部件接觸，及/或該基板固持器其進一步包含自該主體表面突出且具有一上表面之至少一個其他部件，該至少一個其他部件自該密封單元徑向朝外定位且包圍該密封單元，該其他部件之該上表面具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區， 其中該其他部件之該接觸區之一位置足夠充足地與該複數個支撐元件相隔一距離而配置，使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，由該基板施加至該其他部件之一力大於由該基板施加至該複數個支撐元件之一力。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板固持器，其中該複數個支撐元件、該第一密封部件或兩者包含由類金剛石碳、金剛石、碳化矽、氮化硼或氮化硼碳製成之一塗層，且該塗層形成該複數個支撐元件之該遠端表面及/或形成該第一密封部件之該上表面，且該第一密封部件之該接觸區在該塗層上，及/或該至少一個其他部件包含由類金剛石碳、金剛石、碳化矽、氮化硼或氮化硼碳製成之一塗層，其中該塗層形成該其他部件之該上表面且該其他部件之該接觸區在該其他部件之該塗層上。
  5. 一種用於一微影設備且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個支撐元件，其自該主體表面突出，其中每一支撐元件具有經組態以支撐該基板之一遠端表面及一第一高度； 一密封單元，其包含自該主體表面突出之一第一密封部件，該第一密封部件具有小於該第一高度之一第二高度，且自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該複數個支撐元件； 至少一個其他部件，其自該主體表面突出且具有一上表面，該至少一個其他部件自該密封單元徑向朝外定位且包圍該密封單元，該至少一個其他部件包含形成該其他部件之該上表面的一塗層，該塗層具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區，其中該塗層由類金剛石碳、金剛石、碳化矽、氮化硼或氮化硼碳製成；且 其中該其他部件之該接觸區之一位置足夠充足地與該複數個支撐元件相隔一距離而配置，使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，由該基板施加至該其他部件之一力大於由該基板施加至該複數個支撐元件之一力。
  6. 如請求項4或5之基板固持器，其中在一徑向方向上穿過該其他部件之一橫截面中，該其他部件之該接觸區的一輪廓具有一形狀，該形狀經組態以使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，該基板經由該輪廓之至少兩個不同點與該其他部件接觸。
  7. 如請求項4至6中任一項之基板固持器，其中該其他部件具有小於該第一高度之一第三高度，及/或其中該其他部件具有一環狀形狀且包含複數個片段，及/或其中該其他部件包含複數個其他支撐元件。
  8. 一種用於一微影設備且經組態以支撐一基板之基板固持器，該基板固持器包含： 一主體，其具有一主體表面； 複數個支撐元件，其自該主體表面突出，其中每一支撐元件具有經組態以支撐該基板之一遠端表面及一第一高度； 一密封單元，其包含自該主體表面突出之一第一密封部件，該第一密封部件具有一上表面及小於該第一高度之一第二高度，且自該複數個支撐元件徑向朝外定位且包圍該等支撐元件，且該上表面具有經組態以在該基板之裝載及/或卸載期間與該基板接觸之一接觸區；且 其中在一徑向方向上穿過該第一密封部件之一橫截面中，該接觸區之一輪廓具有一形狀，該形狀經組態以使得在該基板之該裝載及/或卸載期間，該基板經由該輪廓之至少兩個不同點與該第一密封部件接觸。
  9. 6或8之基板固持器，其中該輪廓之該形狀自該第一密封部件之該上表面至該第一密封部件之一徑向外部邊緣成線性，及/或其中該輪廓之該形狀包含自該第一密封部件之一上表面至該第一密封部件之一徑向外部邊緣的多個線性部分，及/或其中該輪廓之該形狀係實質上梯形的，及/或其中該輪廓之該形狀自該第一密封部件之一上表面至該第一密封部件之一徑向外部邊緣彎曲。
  10. 如請求項9之基板固持器，其中自該第一密封部件之該上表面至該第一密封部件之該徑向外部邊緣的該線性輪廓相對於該第一密封部件之該上表面處於大致0.15微米/mm至3微米/mm之間的一負梯度。
  11. 如請求項9之基板固持器，其中該輪廓之該形狀係一橢圓或圓圈之部分。
  12. 如請求項1至11中任一項之基板固持器，其中該密封單元包含自該主體表面突出且自該第一密封部件徑向朝內定位之一第二密封部件，該第二部件經組態以限制液體在該基板與該主體表面之間徑向朝內流經該第二密封部件，及/或其中該第一密封部件經組態以相對於自該密封單元徑向朝外之一區中的壓力提供自該第一密封部件徑向朝內的一壓降。
  13. 如請求項12之基板固持器，其中該第一密封部件經組態以在該第一密封部件與該第二密封部件之間的提供一低壓區。
  14. 如前述請求項中任一項之基板固持器，其進一步包含形成於該主體中之至少一個抽取開口以用於自該主體表面與該基板之間將流體抽取至該主體中，該至少一個抽取開口自該第一密封部件徑向朝內且鄰近於該第一密封部件而配置，及/或其中該基板固持器經組態以在該基板被裝載及/或卸載時控制該主體與該基板之間的壓力。
  15. 一種微影設備，其包含如請求項1至14中任一項之經組態以支撐該基板之基板固持器。
TW107144712A 2017-12-13 2018-12-12 用於微影設備之基板固持器 TWI713948B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17206912 2017-12-13
??EP17206912 2017-12-13
EPEP17206912 2017-12-13
??EP18183119 2018-07-12
EPEP18183119 2018-07-12
EP18183119 2018-07-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201929137A true TW201929137A (zh) 2019-07-16
TWI713948B TWI713948B (zh) 2020-12-21

Family

ID=64316578

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110103590A TWI810519B (zh) 2017-12-13 2018-12-12 用於微影設備之基板固持器
TW107144712A TWI713948B (zh) 2017-12-13 2018-12-12 用於微影設備之基板固持器

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110103590A TWI810519B (zh) 2017-12-13 2018-12-12 用於微影設備之基板固持器

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11448976B2 (zh)
JP (2) JP7164605B2 (zh)
KR (2) KR102580723B1 (zh)
CN (1) CN111465901A (zh)
NL (1) NL2022075A (zh)
TW (2) TWI810519B (zh)
WO (1) WO2019115195A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102020123660A1 (de) 2020-09-10 2022-03-10 Berliner Glas GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Wafer-Haltevorrichtung für eine Wafer-Lithographie

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5923408A (en) 1996-01-31 1999-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Substrate holding system and exposure apparatus using the same
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000068198A (ja) * 1998-03-31 2000-03-03 Asm Lithography Bv 改良基板ホルダ付きリソグラフィ―的投影装置
US6809802B1 (en) 1999-08-19 2004-10-26 Canon Kabushiki Kaisha Substrate attracting and holding system for use in exposure apparatus
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1475667A1 (en) 2003-05-09 2004-11-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
EP1510868A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005277117A (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Nikon Corp 基板保持装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
US7133120B2 (en) * 2004-05-04 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, article support member, and method
EP1769102A2 (en) 2004-05-28 2007-04-04 Board of Regents, The University Of Texas System Substrate support system and method
TWI424260B (zh) 2005-03-18 2014-01-21 尼康股份有限公司 A board member, a substrate holding device, an exposure apparatus and an exposure method, and a device manufacturing method
WO2008029884A1 (fr) 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Dispositif et procédé de nettoyage, et procédé de fabrication du dispositif
NL2008345A (en) * 2011-03-28 2012-10-01 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2009189A (en) * 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2009487A (en) * 2011-10-14 2013-04-16 Asml Netherlands Bv Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder.
CN104272190A (zh) * 2012-02-03 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
EP2856262B1 (en) * 2012-05-29 2019-09-25 ASML Netherlands B.V. Support apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN104641454A (zh) 2012-07-26 2015-05-20 同和电子科技有限公司 基座、结晶生长装置以及结晶生长方法
US9316667B2 (en) 2012-11-14 2016-04-19 Bose Corporation Accelerometer leveling in an actively controlled vehicle suspension
NL2017357A (en) 2015-09-28 2017-09-01 Asml Netherlands Bv A Substrate Holder, a Lithographic Apparatus and Method of Manufacturing Devices
NL2017433A (en) 2015-10-09 2017-04-11 Asml Netherlands Bv Substrate table and lithographic apparatus
CN111474826A (zh) * 2015-12-15 2020-07-31 Asml荷兰有限公司 衬底保持器、光刻设备及制造器件的方法
JP6788678B2 (ja) 2016-02-08 2020-11-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置、基板をアンロードする方法、及び基板をロードする方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI810519B (zh) 2023-08-01
KR102580723B1 (ko) 2023-09-21
US20210165334A1 (en) 2021-06-03
JP2023015085A (ja) 2023-01-31
KR20220119754A (ko) 2022-08-30
CN111465901A (zh) 2020-07-28
TWI713948B (zh) 2020-12-21
JP7164605B2 (ja) 2022-11-01
KR20200079331A (ko) 2020-07-02
JP2021507275A (ja) 2021-02-22
US20220357675A1 (en) 2022-11-10
WO2019115195A1 (en) 2019-06-20
JP7430233B2 (ja) 2024-02-09
US11448976B2 (en) 2022-09-20
KR102434745B1 (ko) 2022-08-23
TW202137386A (zh) 2021-10-01
NL2022075A (en) 2019-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6317825B2 (ja) リソグラフィ装置のためのサポートテーブル、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
TWI576956B (zh) 基板固持器、微影裝置之支撐平台、微影裝置及元件製造方法
US10353303B2 (en) Lithographic apparatus and method for loading a substrate
TWI754333B (zh) 基板固持器、微影設備及方法
TW201202865A (en) Cover for a substrate table, substrate table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
TWI815329B (zh) 夾持基板至夾持系統之方法、基板固持器及基板支撐器
US20230360954A1 (en) Substrate holder for use in a lithographic apparatus
TWI688833B (zh) 流體處置結構、微影設備、使用流體處置結構的方法及使用微影設備的方法
JP7430233B2 (ja) リソグラフィ装置で使用するための基板ホルダ
CN113348543A (zh) 用于光刻设备中的衬底保持器和器件制造方法
TW202435338A (zh) 用於改變基板形狀的系統
TW202433198A (zh) 用於微影裝置的基板固持器