JP2000068198A - 改良基板ホルダ付きリソグラフィ―的投影装置 - Google Patents
改良基板ホルダ付きリソグラフィ―的投影装置Info
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の全平面に優れた平面性を保証する基板
ホルダを有するリソグラフィー投影装置を提供する。 【解決手段】 基板ホルダのプレート２の面には、高さ
Ｈの先端の平面を有する突出部６のマトリクス配列と、
これを囲む壁８でＨよりも低い高さｈの壁８がある。壁
８の内側にプレート２へ貫通する開口１０であって、こ
れにより、壁８に囲まれた領域へアクセス可能である。
マトリクス配列は同心円に沿って規則的な間隔で配置さ
れ、壁８も同心の円形である。マトリクス配列の円１２
と壁８との最短距離ｘと壁８に最も近い２つのマトリク
ス配列の円１２の間の半径方向距離ｄとの関係は０．３
＜ｘ／ｄ＜０．６である。
ホルダを有するリソグラフィー投影装置を提供する。 【解決手段】 基板ホルダのプレート２の面には、高さ
Ｈの先端の平面を有する突出部６のマトリクス配列と、
これを囲む壁８でＨよりも低い高さｈの壁８がある。壁
８の内側にプレート２へ貫通する開口１０であって、こ
れにより、壁８に囲まれた領域へアクセス可能である。
マトリクス配列は同心円に沿って規則的な間隔で配置さ
れ、壁８も同心の円形である。マトリクス配列の円１２
と壁８との最短距離ｘと壁８に最も近い２つのマトリク
ス配列の円１２の間の半径方向距離ｄとの関係は０．３
＜ｘ／ｄ＜０．６である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、 ・放射の投影ビームを供給する放射システムと ・マスクを保持するマスク・ホルダを備えたマスク・テ
ーブルと ・基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブ
ルと ・基板のターゲット部分へマスクの照射された部分を映
写する投影システムとを含むリソグラフィー投影装置に
関し、基板ホルダは、突出部のマトリクス配列を備えた
面を有するプレートを含み、各突出部は前記面から離れ
た先端を有し、こうして突出部が全て前記面よりも高さ
Ｈだけ上にある単一の実質的に平らな面上にあるように
実施され、基板ホルダは、前記面から突出する、前記マ
トリクス配列を実質的に囲む、実質的に一様な高さｈだ
け前記面よりも上にある一つの壁を含み、それによりｈ
＜Ｈであり、前記壁の内側の前記面は、前記プレートを
貫通して延伸する少なくとも一つの開口を備え、この開
口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能であ
る、リソグラフィー投影装置に関する。
ーブルと ・基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テーブ
ルと ・基板のターゲット部分へマスクの照射された部分を映
写する投影システムとを含むリソグラフィー投影装置に
関し、基板ホルダは、突出部のマトリクス配列を備えた
面を有するプレートを含み、各突出部は前記面から離れ
た先端を有し、こうして突出部が全て前記面よりも高さ
Ｈだけ上にある単一の実質的に平らな面上にあるように
実施され、基板ホルダは、前記面から突出する、前記マ
トリクス配列を実質的に囲む、実質的に一様な高さｈだ
け前記面よりも上にある一つの壁を含み、それによりｈ
＜Ｈであり、前記壁の内側の前記面は、前記プレートを
貫通して延伸する少なくとも一つの開口を備え、この開
口を通じて前記壁で囲まれた領域へアクセス可能であ
る、リソグラフィー投影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】このタイプの装置は、たとえば、集積回
路（ＩＣ）の製造において使用され得る。そうした場
合、マスク（レティクル）は、そのＩＣの個別の層に対
応する回路パターンを収容し、また、このパターンは、
感光材料（レジスト）の層を塗布された基板（シリコン
・ウエハ）上のターゲット・エリア（ダイ）へ映写され
る。一般に、単一のウエハは、レティクルを通じて一度
に続けて照射される隣接するダイの回路網全体を収納し
得る。リソグラフィー投影装置の一つのタイプでは、レ
ティクル・パターン全体を一度にダイに露出することに
より、各ダイを照射する。そうした装置は、一般に、ウ
エハ・ステッパと呼ばれる。ステップ・アンド・スキャ
ン装置と一般に呼ばれる代わりの装置では、所定の参照
方向（「走査」方向）と平行または逆平行にウエハ・テ
ーブルを同期的に走査しながら、投射ビームの下で走査
方向にレティクル・パターンをプログレッシブに走査す
ることにより、各ダイを照射する。投影システムは拡大
係数Ｍ（通常、＜１）を有するので、ウエハ・テーブル
が走査される速度ｖは、レティクル・テーブルが走査さ
れる速度の係数Ｍ倍である。ここで説明されるリソグラ
フィー装置についてのさらなる情報は、国際特許出願番
号ＷＯ９７／３３２０５から収集し得る。
路（ＩＣ）の製造において使用され得る。そうした場
合、マスク（レティクル）は、そのＩＣの個別の層に対
応する回路パターンを収容し、また、このパターンは、
感光材料（レジスト）の層を塗布された基板（シリコン
・ウエハ）上のターゲット・エリア（ダイ）へ映写され
る。一般に、単一のウエハは、レティクルを通じて一度
に続けて照射される隣接するダイの回路網全体を収納し
得る。リソグラフィー投影装置の一つのタイプでは、レ
ティクル・パターン全体を一度にダイに露出することに
より、各ダイを照射する。そうした装置は、一般に、ウ
エハ・ステッパと呼ばれる。ステップ・アンド・スキャ
ン装置と一般に呼ばれる代わりの装置では、所定の参照
方向（「走査」方向）と平行または逆平行にウエハ・テ
ーブルを同期的に走査しながら、投射ビームの下で走査
方向にレティクル・パターンをプログレッシブに走査す
ることにより、各ダイを照射する。投影システムは拡大
係数Ｍ（通常、＜１）を有するので、ウエハ・テーブル
が走査される速度ｖは、レティクル・テーブルが走査さ
れる速度の係数Ｍ倍である。ここで説明されるリソグラ
フィー装置についてのさらなる情報は、国際特許出願番
号ＷＯ９７／３３２０５から収集し得る。
【０００３】ごく最近まで、このタイプの装置は、単一
のマスク・テーブルと単一の基板テーブルを収納してい
た。しかしながら、少なくとも２つの別々に移動可能な
基板テーブルを有する機械が今や利用可能になりつつあ
る。たとえば、国際特許出願番号ＷＯ９８／２８６６５
（Ｐ−００７１）および同番号ＷＯ９８／４０７９１
（Ｐ−０１０１）に記述されたマルチステージ装置を参
照されたい。そうしたマルチステージ装置の背後にある
基本的な動作原則は、第１の基板テーブルが投影システ
ムの下にあって、そのテーブル上にある第１の基板が露
光できるとともに、第２の基板テーブルをローディング
位置へ走らせて、露光された基板を下ろして、新しい基
板を取り上げて、この新しい基板についていくつかの初
期アライメント測定を遂行して、それから、第１の基板
の露光が完了し次第に新しい基板を投影システムの下へ
転送するために待機して、そこから、この周期自体が繰
り返される。このやり方で、実質的に機械スループット
を増すことが可能であり、一方、機械を所有するコスト
を改善できる。
のマスク・テーブルと単一の基板テーブルを収納してい
た。しかしながら、少なくとも２つの別々に移動可能な
基板テーブルを有する機械が今や利用可能になりつつあ
る。たとえば、国際特許出願番号ＷＯ９８／２８６６５
（Ｐ−００７１）および同番号ＷＯ９８／４０７９１
（Ｐ−０１０１）に記述されたマルチステージ装置を参
照されたい。そうしたマルチステージ装置の背後にある
基本的な動作原則は、第１の基板テーブルが投影システ
ムの下にあって、そのテーブル上にある第１の基板が露
光できるとともに、第２の基板テーブルをローディング
位置へ走らせて、露光された基板を下ろして、新しい基
板を取り上げて、この新しい基板についていくつかの初
期アライメント測定を遂行して、それから、第１の基板
の露光が完了し次第に新しい基板を投影システムの下へ
転送するために待機して、そこから、この周期自体が繰
り返される。このやり方で、実質的に機械スループット
を増すことが可能であり、一方、機械を所有するコスト
を改善できる。
【０００４】各ダイ内への良好な画像の画定および層オ
ーバレイを達成するために、ウエハの照射された表面
は、ウエハの露光の間、できるだけ平らに静止して保持
すべきである。既知のリソグラフィー装置は、上記に指
定した基板ホルダを使用して、これらの要求に取り組ん
でおり、良く画定された平面内にあるすべての突出部に
その裏側が接触するようにウエハは基板ホルダ上に置か
れている。プレート内の開口（アパーチャ）を真空発生
手段に接続することにより、ウエハの裏側を突出部へ吸
い付けることができる。ここで、壁はそこに必要な不完
全真空を収納できる。この目的のために、壁の幾何図形
的配列は与えられたウエハの直径に一致して、ウエハは
壁を（典型的には、約２ｍｍ程度のマージンで）越える
ようにしなければならない。このように突出部を使用す
ることにより、裏側の一部分だけが、実際に、固体表面
に確実に押し付けられる。この方法では、ウエハの裏側
の何らかの微粒子汚染のゆがみ影響は極小化されるが、
それは、そうした汚染が恐らくは突出部の先端の表面に
押し付けられるよりもむしろ突出部の間の空いている空
間に位置するであろうからである。
ーバレイを達成するために、ウエハの照射された表面
は、ウエハの露光の間、できるだけ平らに静止して保持
すべきである。既知のリソグラフィー装置は、上記に指
定した基板ホルダを使用して、これらの要求に取り組ん
でおり、良く画定された平面内にあるすべての突出部に
その裏側が接触するようにウエハは基板ホルダ上に置か
れている。プレート内の開口（アパーチャ）を真空発生
手段に接続することにより、ウエハの裏側を突出部へ吸
い付けることができる。ここで、壁はそこに必要な不完
全真空を収納できる。この目的のために、壁の幾何図形
的配列は与えられたウエハの直径に一致して、ウエハは
壁を（典型的には、約２ｍｍ程度のマージンで）越える
ようにしなければならない。このように突出部を使用す
ることにより、裏側の一部分だけが、実際に、固体表面
に確実に押し付けられる。この方法では、ウエハの裏側
の何らかの微粒子汚染のゆがみ影響は極小化されるが、
それは、そうした汚染が恐らくは突出部の先端の表面に
押し付けられるよりもむしろ突出部の間の空いている空
間に位置するであろうからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この既知の方法に伴う
一つの問題は、ウエハが連続的な平面よりもむしろある
離散的な数の突出部の上に載っているので、また、この
平面の裏側はそうした突出部に強制的に吸い付けられて
いるので、この（弾力的な）ウエハは、突出部により支
持されてない領域で「たわむ」傾向があり得ることであ
る。この影響はウエハのエッジで特に有害であり、その
結果としてのウエハの平面性の歪みは、エッジの品質の
劣悪なダイの結果になり得る。
一つの問題は、ウエハが連続的な平面よりもむしろある
離散的な数の突出部の上に載っているので、また、この
平面の裏側はそうした突出部に強制的に吸い付けられて
いるので、この（弾力的な）ウエハは、突出部により支
持されてない領域で「たわむ」傾向があり得ることであ
る。この影響はウエハのエッジで特に有害であり、その
結果としてのウエハの平面性の歪みは、エッジの品質の
劣悪なダイの結果になり得る。
【０００６】この問題を軽減することが本発明の一つの
目的である。より詳しくは、その上に支持される基板の
全表面にわたり優れた基板の平面性を保証する基板ホル
ダを有するリソグラフィー投影装置を提供することが、
本発明の一つの目的である。特に、半導体ウエハがそう
した基板ホルダ上に支持されるときに、ウエハのエッジ
の平面性が、少なくとも０．２０μｍまでの解像度のた
めに、満足なエッジ・ダイを作成するのに必要な仕様の
範囲内に入ることが、本発明の一つの目的である。
目的である。より詳しくは、その上に支持される基板の
全表面にわたり優れた基板の平面性を保証する基板ホル
ダを有するリソグラフィー投影装置を提供することが、
本発明の一つの目的である。特に、半導体ウエハがそう
した基板ホルダ上に支持されるときに、ウエハのエッジ
の平面性が、少なくとも０．２０μｍまでの解像度のた
めに、満足なエッジ・ダイを作成するのに必要な仕様の
範囲内に入ることが、本発明の一つの目的である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】これらおよび他の諸目的
は、冒頭の段落で規定した装置により達成され、その特
徴は、 ・前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それに
より、前記突出部が各円に沿って実質的に規則的な弓形
の間隔で配置されており、 ・前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同
心であり、 ・前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向の距
離ｘが０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここ
で、ｄは前記壁に最も近い二つの円の相互半径方向間隔
である。
は、冒頭の段落で規定した装置により達成され、その特
徴は、 ・前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それに
より、前記突出部が各円に沿って実質的に規則的な弓形
の間隔で配置されており、 ・前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同
心であり、 ・前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向の距
離ｘが０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここ
で、ｄは前記壁に最も近い二つの円の相互半径方向間隔
である。
【０００８】本発明へ導く実験において、既知の基板ホ
ルダ上のウエハのエッジに沿った平面性からの偏差は多
数の要素に依存しており、それには突出部のマトリクス
分布の形状，壁の形状および壁と突出部との間のインタ
ーフェイスが含まれるという直感に達した。数値モデル
と結果テストとを遂行した後に、壁とこれに囲まれたマ
トリクス分布の外辺にある突出部との間の間隔ｘが維持
されるならば、エッジの平面性が改良されることが発見
された。しかしながら、この測定自体は、受け入れ可能
なエッジを保証するのに充分でなく、また、ｘの値を微
調整するいずれかの試みは混乱した結果を導き、これに
より、ｘの比較的小さな値および比較的大きな値の両方
に受け入れがたいエッジ平面性が観察された。更に分析
すると、ｘの値は、ウエハのエッジに沿った歪み（たる
み）の大きさだけでなく、その符号にまで影響する、す
なわち、ウエハは面に対して上にも下にもたるみ得るこ
とが驚くべきことに判明した。これを考慮に入れて、本
発明者がさらに洗練した結果、歪みの符号が実質的にゼ
ロになるか少なくともわずかに正または負であるｘの値
の範囲を生み出した。驚くべきことに、この値の範囲
は、突出部の高さＨに対する壁の高さｈに実質的に無関
係であることが発見された。要約すると下記の条件が導
出された。 ・ｘの均一な値を確保するために、壁は複数の外辺の突
出部から等距離であるべきである。したがって、円形の
ウエハの最適な支持を確保するために、壁とマトリクス
分布の外辺部とは同心円の幾何図形的配列を有すべきで
ある。 ・原則として、マトリクス分布の内側部分（すなわち、
複数の突出部の最も外側の二つの円を除く分布の部分）
は円形の幾何学的配列を有さない、たとえば、それは直
角またはハニカムの幾何図形的配列を与えられるかもし
れない。しかしながら、内側部分での非円形の幾何図形
的配列に伴う問題は、分布の内側部分と外辺部分との間
でスムーズな幾何図形的配列の転移を遂行することが困
難であることである（これによる幾何図形的配列の不一
致が、転移ゾーンの近辺でウエハ支持の貧弱化を導くか
も知れない）。この理由により、（内側部分および外辺
部分の）全てのマトリクス分布へ円形の幾何図形的配列
を与えることがベストである。 ・マトリクス配列内の複数の外辺の円の半径方向の間隔
が値ｄを有するならば、ｘの値は０．３＜ｘ/ｄ＜０．
６になるように選ぶべきである。これらの仕様を満足す
る基板ホルダーにより遂行したテストは、すぐれた結果
を生じたが、後述の例示的な実施形態においてさらに明
らかにされるであろう。
ルダ上のウエハのエッジに沿った平面性からの偏差は多
数の要素に依存しており、それには突出部のマトリクス
分布の形状，壁の形状および壁と突出部との間のインタ
ーフェイスが含まれるという直感に達した。数値モデル
と結果テストとを遂行した後に、壁とこれに囲まれたマ
トリクス分布の外辺にある突出部との間の間隔ｘが維持
されるならば、エッジの平面性が改良されることが発見
された。しかしながら、この測定自体は、受け入れ可能
なエッジを保証するのに充分でなく、また、ｘの値を微
調整するいずれかの試みは混乱した結果を導き、これに
より、ｘの比較的小さな値および比較的大きな値の両方
に受け入れがたいエッジ平面性が観察された。更に分析
すると、ｘの値は、ウエハのエッジに沿った歪み（たる
み）の大きさだけでなく、その符号にまで影響する、す
なわち、ウエハは面に対して上にも下にもたるみ得るこ
とが驚くべきことに判明した。これを考慮に入れて、本
発明者がさらに洗練した結果、歪みの符号が実質的にゼ
ロになるか少なくともわずかに正または負であるｘの値
の範囲を生み出した。驚くべきことに、この値の範囲
は、突出部の高さＨに対する壁の高さｈに実質的に無関
係であることが発見された。要約すると下記の条件が導
出された。 ・ｘの均一な値を確保するために、壁は複数の外辺の突
出部から等距離であるべきである。したがって、円形の
ウエハの最適な支持を確保するために、壁とマトリクス
分布の外辺部とは同心円の幾何図形的配列を有すべきで
ある。 ・原則として、マトリクス分布の内側部分（すなわち、
複数の突出部の最も外側の二つの円を除く分布の部分）
は円形の幾何学的配列を有さない、たとえば、それは直
角またはハニカムの幾何図形的配列を与えられるかもし
れない。しかしながら、内側部分での非円形の幾何図形
的配列に伴う問題は、分布の内側部分と外辺部分との間
でスムーズな幾何図形的配列の転移を遂行することが困
難であることである（これによる幾何図形的配列の不一
致が、転移ゾーンの近辺でウエハ支持の貧弱化を導くか
も知れない）。この理由により、（内側部分および外辺
部分の）全てのマトリクス分布へ円形の幾何図形的配列
を与えることがベストである。 ・マトリクス配列内の複数の外辺の円の半径方向の間隔
が値ｄを有するならば、ｘの値は０．３＜ｘ/ｄ＜０．
６になるように選ぶべきである。これらの仕様を満足す
る基板ホルダーにより遂行したテストは、すぐれた結果
を生じたが、後述の例示的な実施形態においてさらに明
らかにされるであろう。
【０００９】壁に関して使用された「実質的に円形」と
いう用語は、壁の円周の少なくとも８０％が円形経路を
たどることを意味すると解釈すべきである。もちろん、
残りの２０％もまた同じ円形経路をたどるかもしれな
い。代わりに、それは、たとえば、ノッチ（ノッチ付き
のウエハに対応するため）または直線部（平らなエッジ
を有するウエハに対応するため）であり得る。同様に、
マトリクス配列内の「同心円」はそうしたノッチまたは
平らなエッジの近辺では正確な円形から偏差し得るが、
円周の少なくとも８０％は真円である。両方の場合と
も、「弓形の間隔」という用語は、壁の周囲または同心
円の一つに沿って測定した周辺の距離（弧の長さ）を呼
ぶものと解釈すべきである。
いう用語は、壁の円周の少なくとも８０％が円形経路を
たどることを意味すると解釈すべきである。もちろん、
残りの２０％もまた同じ円形経路をたどるかもしれな
い。代わりに、それは、たとえば、ノッチ（ノッチ付き
のウエハに対応するため）または直線部（平らなエッジ
を有するウエハに対応するため）であり得る。同様に、
マトリクス配列内の「同心円」はそうしたノッチまたは
平らなエッジの近辺では正確な円形から偏差し得るが、
円周の少なくとも８０％は真円である。両方の場合と
も、「弓形の間隔」という用語は、壁の周囲または同心
円の一つに沿って測定した周辺の距離（弧の長さ）を呼
ぶものと解釈すべきである。
【００１０】注意すべきことは、この明細書において
（たとえばｘ，ｄまたはｙのような）二つの物体の間の
距離について言及するとき、そうした距離は、関係する
二つの物体を通るハート・ライン（中心線）の間を測定
されるものとみなされるべきことである。たとえば、二
つの円筒形の突出部の間の距離ｄはそれらの円筒形の軸
の間の距離であり、これらの突出部がそこから外向きに
延伸している面に平行に測定されたものである。
（たとえばｘ，ｄまたはｙのような）二つの物体の間の
距離について言及するとき、そうした距離は、関係する
二つの物体を通るハート・ライン（中心線）の間を測定
されるものとみなされるべきことである。たとえば、二
つの円筒形の突出部の間の距離ｄはそれらの円筒形の軸
の間の距離であり、これらの突出部がそこから外向きに
延伸している面に平行に測定されたものである。
【００１１】本発明による装置の好ましい実施形態は、
０．４３＜ｘ/ｄ＜０．４７の関係を満足するxを特徴と
する。この値の範囲は、ウエハのエッジに沿って実質的
にゼロのたわみを与えることが発見された。
０．４３＜ｘ/ｄ＜０．４７の関係を満足するxを特徴と
する。この値の範囲は、ウエハのエッジに沿って実質的
にゼロのたわみを与えることが発見された。
【００１２】本発明による装置の特定の実施形態では、
一つの円の一対の隣接する突出部と隣接する円の対応す
る最も近い対の隣接する突出部とにより画定される四辺
形（平行六面体）の領域は、マトリクス分布におけるこ
の四辺形の位置に関係なく、実質的に一定のサイズを有
する。ここで使用する用語「実質的に」は、任意の第１
の四辺形領域は任意の第２の四辺形領域と±１０％以内
で等しいことを必要とすると解釈すべきである。そうし
た配列は、ウエハのこの領域にわたり突出部の実質的に
均一な分布を達成する。
一つの円の一対の隣接する突出部と隣接する円の対応す
る最も近い対の隣接する突出部とにより画定される四辺
形（平行六面体）の領域は、マトリクス分布におけるこ
の四辺形の位置に関係なく、実質的に一定のサイズを有
する。ここで使用する用語「実質的に」は、任意の第１
の四辺形領域は任意の第２の四辺形領域と±１０％以内
で等しいことを必要とすると解釈すべきである。そうし
た配列は、ウエハのこの領域にわたり突出部の実質的に
均一な分布を達成する。
【００１３】本発明による装置のもう一つの実施形態の
特徴は、任意の一対の隣接する円の相互半径方向間隔
が、実質的に、ｄに等しいことである。「実施的に等し
い」という用語は、ここでは、±１０％以内でｄに等し
い値をいうものと解釈すべきである。そうした実施形態
は、さらに、ウエハの裏側が支持される均一性を最適化
する。
特徴は、任意の一対の隣接する円の相互半径方向間隔
が、実質的に、ｄに等しいことである。「実施的に等し
い」という用語は、ここでは、±１０％以内でｄに等し
い値をいうものと解釈すべきである。そうした実施形態
は、さらに、ウエハの裏側が支持される均一性を最適化
する。
【００１４】先行する段落で規定した装置の特定の実施
形態において、前記面は、前記円の共通の中心の周りに
配置された複数の中空の軸を含み、その各々を通じてピ
ストンが移動して前記実質的に平らな面を通じて突出す
るようになっており、そうした実施形態は、本発明によ
る特徴として、前記面から突出して多角形の形を有する
一つの保持壁（真空壁）により各軸が別々に囲まれてお
り、また、多角形の任意の側面から多角形の外の隣接す
る突出部までの最短距離ｙは０．２５＜ｙ/ｄ＜０．４
５の関係を満足する。前記複数のピストンの目的は、ウ
エハを上下させて突出部から離したり上につけたりし
て、ウエハをハンドリング・ロボット・アームへ転送し
たりそれから受け取ったりすることである。比率ｙ/ｄ
によってここに規定した値の特定の範囲は計算と実験と
に基づき実験者により決定されたもので、真空が多角形
の外側にあるがその内側には存在しないことがあり得る
ので、多角形の近辺でウエハ上に加えられる垂直な力の
かなりの変動（平面内にある位置の関数として）がある
ことを考慮にして最適化されている。指示された関係を
満足するようにｙを選択することは、そうした差分力の
歪み影響を最小化するのに役立つ。
形態において、前記面は、前記円の共通の中心の周りに
配置された複数の中空の軸を含み、その各々を通じてピ
ストンが移動して前記実質的に平らな面を通じて突出す
るようになっており、そうした実施形態は、本発明によ
る特徴として、前記面から突出して多角形の形を有する
一つの保持壁（真空壁）により各軸が別々に囲まれてお
り、また、多角形の任意の側面から多角形の外の隣接す
る突出部までの最短距離ｙは０．２５＜ｙ/ｄ＜０．４
５の関係を満足する。前記複数のピストンの目的は、ウ
エハを上下させて突出部から離したり上につけたりし
て、ウエハをハンドリング・ロボット・アームへ転送し
たりそれから受け取ったりすることである。比率ｙ/ｄ
によってここに規定した値の特定の範囲は計算と実験と
に基づき実験者により決定されたもので、真空が多角形
の外側にあるがその内側には存在しないことがあり得る
ので、多角形の近辺でウエハ上に加えられる垂直な力の
かなりの変動（平面内にある位置の関数として）がある
ことを考慮にして最適化されている。指示された関係を
満足するようにｙを選択することは、そうした差分力の
歪み影響を最小化するのに役立つ。
【００１５】先行の段落で使用された「最短距離」の用
語は、関係する突出部を多角形の関係する側またはその
側の線形外延へ結合し前記側に垂直に延伸する線分の長
さをいう。
語は、関係する突出部を多角形の関係する側またはその
側の線形外延へ結合し前記側に垂直に延伸する線分の長
さをいう。
【００１６】先行の段落に規定された装置の特定の実施
形態の特徴は、多角形は六角形であって、ｙが０．３３
＜ｙ/ｄ＜０．３７の関係を満足することである。幾何
図形的配列とスペーシングのこの特定の選択は、ウエハ
の水平性に関して特に満足すべき結果を与える。
形態の特徴は、多角形は六角形であって、ｙが０．３３
＜ｙ/ｄ＜０．３７の関係を満足することである。幾何
図形的配列とスペーシングのこの特定の選択は、ウエハ
の水平性に関して特に満足すべき結果を与える。
【００１７】本発明による更なる実施形態において、Ｈ
の値は７５μｍ〜１２５μｍにある。一方において、突
出部ができるだけ低くて、基板とホルダとの間の熱伝播
が最適化することが望ましい。これはウエハについて特
に重要であるが、それは露光中に（付随のオーバレイ・
エラーなしに）拡張または収縮するのを防止するため
に、できるだけ速く熱平衡に達すべきだからである。し
かしながら、他方において、もしＨが小さすぎれば、壁
と真空開口との間で大きすぎる圧力降下をもたらす。こ
の結果として、真空の生成と真空の除去とを遅くする
（こうして、スループットが減少する）とともに、非均
一的な真空をもたらす（こうして、ウエハの平面性の均
等を減少する）。前記範囲内にあるＨを選択することに
より、これらの相反する諸効果の間に良好な働きをする
妥協が達成される。
の値は７５μｍ〜１２５μｍにある。一方において、突
出部ができるだけ低くて、基板とホルダとの間の熱伝播
が最適化することが望ましい。これはウエハについて特
に重要であるが、それは露光中に（付随のオーバレイ・
エラーなしに）拡張または収縮するのを防止するため
に、できるだけ速く熱平衡に達すべきだからである。し
かしながら、他方において、もしＨが小さすぎれば、壁
と真空開口との間で大きすぎる圧力降下をもたらす。こ
の結果として、真空の生成と真空の除去とを遅くする
（こうして、スループットが減少する）とともに、非均
一的な真空をもたらす（こうして、ウエハの平面性の均
等を減少する）。前記範囲内にあるＨを選択することに
より、これらの相反する諸効果の間に良好な働きをする
妥協が達成される。
【００１８】本発明による装置のもう一つの実施形態の
特徴は、１μｍ＜Ｈ−ｈ＜５μｍであることである。も
しＨ−ｈが大きすぎれば、壁上の受け入れがたい真空の
漏洩をもたらすであろう。反対に、Ｈ−ｈはウエハの裏
側の平均（ＲＭＳ）粗さよりも大きくあるべきである。
ここでも、これらの要求の間の良好に作用する妥協は、
規定された範囲内にあるＨ−ｈを選択することにより達
成される。
特徴は、１μｍ＜Ｈ−ｈ＜５μｍであることである。も
しＨ−ｈが大きすぎれば、壁上の受け入れがたい真空の
漏洩をもたらすであろう。反対に、Ｈ−ｈはウエハの裏
側の平均（ＲＭＳ）粗さよりも大きくあるべきである。
ここでも、これらの要求の間の良好に作用する妥協は、
規定された範囲内にあるＨ−ｈを選択することにより達
成される。
【００１９】特に注意すべきことは、本発明が「シング
ル・ステージ」または「マルチ・ステージ」・リソグラ
フィー装置で使用するのに適し、種々のウエハ・サイズ
（たとえば、１５０ｍｍ，２００ｍｍ，３００ｍｍまた
は４５０ｍｍのウエハ）に適していて、現在のリソグラ
フィー・システム（ＵＶ光を使用する）および次の世代
のリソグラフィー装置（たとえば、ＥＵＶ，電子または
イオンを真空環境内で使用する）の両方に採用できるこ
とである。
ル・ステージ」または「マルチ・ステージ」・リソグラ
フィー装置で使用するのに適し、種々のウエハ・サイズ
（たとえば、１５０ｍｍ，２００ｍｍ，３００ｍｍまた
は４５０ｍｍのウエハ）に適していて、現在のリソグラ
フィー・システム（ＵＶ光を使用する）および次の世代
のリソグラフィー装置（たとえば、ＥＵＶ，電子または
イオンを真空環境内で使用する）の両方に採用できるこ
とである。
【００２０】ＩＣの製造における本発明による装置の使
用について以上に詳述したが、そうした装置は多くの他
の利用が可能であることを明らかに理解すべきである。
たとえば、それは、集積光学システム，磁区メモリのた
めの案内および検出パターン，液晶ディスプレイ・パネ
ル，薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用できる。そうした
代替のアプリケーションの内容において、この明細書中
の「レティクル」，「ウエハ」または「ダイ」という用
語は、より一般的な用語「マスク」，「基板」および
「ターゲット領域」によってそれぞれ置き代えられるこ
とを、当業者は理解するであろう。
用について以上に詳述したが、そうした装置は多くの他
の利用が可能であることを明らかに理解すべきである。
たとえば、それは、集積光学システム，磁区メモリのた
めの案内および検出パターン，液晶ディスプレイ・パネ
ル，薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用できる。そうした
代替のアプリケーションの内容において、この明細書中
の「レティクル」，「ウエハ」または「ダイ」という用
語は、より一般的な用語「マスク」，「基板」および
「ターゲット領域」によってそれぞれ置き代えられるこ
とを、当業者は理解するであろう。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明とそれに付随する長所は、
例示的な実施形態と添付概略図とにより更に明らかにな
るであろう。種々の図における対応する特徴は、同一の
参照記号で指示される。実施形態１ 図１および図２は、本発明による基板ホルダの種々の態
様を示す。図１の上面図は、図２の直径方向断面図に部
分的に表現されている。
例示的な実施形態と添付概略図とにより更に明らかにな
るであろう。種々の図における対応する特徴は、同一の
参照記号で指示される。実施形態１ 図１および図２は、本発明による基板ホルダの種々の態
様を示す。図１の上面図は、図２の直径方向断面図に部
分的に表現されている。
【００２２】図示された基板ホルダは、面４を有するプ
レート２を含む。面４は、突出部６（たとえば、面４か
ら出ている複数の円筒形の節）のマトリクス配列を備え
る。各突出部６は、面４から離れた先端６’を有し、こ
うして、複数の先端部６’が全て単一の実質的に平らな
平面６”内に面４よりも高さＨだけ高く配置される。プ
レート２は、壁８を含む。壁８は、面４から突出し、マ
トリクス配列を実質的に囲み、面４からの実質的に一様
な高さｈ（ｈ＜Ｈ）を有する。壁８の内側の面４は、プ
レート２を通って延伸する分布された複数の開口１０を
有する。これらの開口１０を通じて、壁８により囲まれ
た領域が真空ポンプへ接続されている。説明を明らかに
するために、少数のサブセットの種々の突出部６，開口
１０および円１２だけが図示されている。実際は、突出
部６は、壁８に囲まれた領域の実質的に全体にわたり分
布されている。
レート２を含む。面４は、突出部６（たとえば、面４か
ら出ている複数の円筒形の節）のマトリクス配列を備え
る。各突出部６は、面４から離れた先端６’を有し、こ
うして、複数の先端部６’が全て単一の実質的に平らな
平面６”内に面４よりも高さＨだけ高く配置される。プ
レート２は、壁８を含む。壁８は、面４から突出し、マ
トリクス配列を実質的に囲み、面４からの実質的に一様
な高さｈ（ｈ＜Ｈ）を有する。壁８の内側の面４は、プ
レート２を通って延伸する分布された複数の開口１０を
有する。これらの開口１０を通じて、壁８により囲まれ
た領域が真空ポンプへ接続されている。説明を明らかに
するために、少数のサブセットの種々の突出部６，開口
１０および円１２だけが図示されている。実際は、突出
部６は、壁８に囲まれた領域の実質的に全体にわたり分
布されている。
【００２３】ここに図示したように、このマトリクス配
列は一連の同心円１２を含み、これに沿って突出部６が
実質的に規則的な弓形の間隔で配置されている。壁８も
円形であるが、例外として、比較的に短い直線部分２２
を有する。壁８および複数の円１２は共通の中心１４の
周りに同心である。２つの最も外側の円１２の半径方向
間隔はｄであり、この特定の実施形態では、他の全ての
隣接する（連続的な）円１２の対の半径方向間隔もｄで
ある。他方、壁８とそれに最も近い円１２との間の半径
方向間隔はｘである。ｘの値は、比率ｘ/ｄが０．３〜
０．６の範囲に入るように設計され、より詳しくは、約
０．４５の値を有するように設計される。
列は一連の同心円１２を含み、これに沿って突出部６が
実質的に規則的な弓形の間隔で配置されている。壁８も
円形であるが、例外として、比較的に短い直線部分２２
を有する。壁８および複数の円１２は共通の中心１４の
周りに同心である。２つの最も外側の円１２の半径方向
間隔はｄであり、この特定の実施形態では、他の全ての
隣接する（連続的な）円１２の対の半径方向間隔もｄで
ある。他方、壁８とそれに最も近い円１２との間の半径
方向間隔はｘである。ｘの値は、比率ｘ/ｄが０．３〜
０．６の範囲に入るように設計され、より詳しくは、約
０．４５の値を有するように設計される。
【００２４】また、図中に影をつけた特徴として図示さ
れているのは、３つの異なった四辺形（平行六面体）領
域１６，１６’，１６”であり、その各々は、１つの円
１２内の突出部６の隣接する対と隣接する（連続的な）
円１２内の突出部６の最も近い隣接する対とにより画定
される。この実施形態では、種々の円１２内の隣接する
突出部６の弓形の間隔は、全てのそうした四辺形領域１
６が実質的に同一サイズ（同一領域）になるように、選
択される。
れているのは、３つの異なった四辺形（平行六面体）領
域１６，１６’，１６”であり、その各々は、１つの円
１２内の突出部６の隣接する対と隣接する（連続的な）
円１２内の突出部６の最も近い隣接する対とにより画定
される。この実施形態では、種々の円１２内の隣接する
突出部６の弓形の間隔は、全てのそうした四辺形領域１
６が実質的に同一サイズ（同一領域）になるように、選
択される。
【００２５】図１は、複数の円１２の共通の中心１４の
周りに対称的に配置された一連の中空の軸１８の一つも
示す。各軸１８を通してピストンが移動可能であり、突
出部６の外側に面する先端６’により確定される平面
６”を通じて突出するようになっている。各軸１８は保
持壁２０により別々に囲まれており、保持壁２０は面４
から外側に突出しまた多角形の形を有する。保持壁１８
は、こうして、多角形２０のいずれかの側面から多角形
２０の外側の隣接する突出部６までの最短距離ｙが０．
２５＜ｙ／ｄ＜０．４５の関係を満足するように構成さ
れている。ここで、特定値ｙ／ｄ=０．３２である。
周りに対称的に配置された一連の中空の軸１８の一つも
示す。各軸１８を通してピストンが移動可能であり、突
出部６の外側に面する先端６’により確定される平面
６”を通じて突出するようになっている。各軸１８は保
持壁２０により別々に囲まれており、保持壁２０は面４
から外側に突出しまた多角形の形を有する。保持壁１８
は、こうして、多角形２０のいずれかの側面から多角形
２０の外側の隣接する突出部６までの最短距離ｙが０．
２５＜ｙ／ｄ＜０．４５の関係を満足するように構成さ
れている。ここで、特定値ｙ／ｄ=０．３２である。
【００２６】この特定の例において、プレート２は、ガ
ラス質の材料、たとえばセラミックまたはガラスを含
む。突出部６の高さＨは約１００μｍであるのに対し
て、壁８（および保持壁２０もまた）の高さｈは約９７
μｍである。ｄの値は、たとえば、１ｍｍ程度である。
そうした突出部６および壁８，２０は、機械的または化
学的な削除工程により製造できる。たとえば、裸のガラ
ス質のプレートは、その一面に突出部６および壁８，２
０の希望する位置に対応するマスクを装備し、また、こ
のプレートのマスクされてない部分をそれから所定時間
にわたりエッチング剤に露出することができる。
ラス質の材料、たとえばセラミックまたはガラスを含
む。突出部６の高さＨは約１００μｍであるのに対し
て、壁８（および保持壁２０もまた）の高さｈは約９７
μｍである。ｄの値は、たとえば、１ｍｍ程度である。
そうした突出部６および壁８，２０は、機械的または化
学的な削除工程により製造できる。たとえば、裸のガラ
ス質のプレートは、その一面に突出部６および壁８，２
０の希望する位置に対応するマスクを装備し、また、こ
のプレートのマスクされてない部分をそれから所定時間
にわたりエッチング剤に露出することができる。
【００２７】実施形態２ 図３は、本発明によるリソグラフィー投影装置の概略の
透視図を示す。この装置は、 ・放射（たとえば、紫外線（ＵＶ）、極紫外線（λ：５
〜２０ｎｍ）または電子若しくはイオン・ビーム）の投
影ビーム２５を供給する放射システム７ ・マスク２９（たとえば、レティクル）を保持するマス
ク・ホルダ２７を備えたマスク・テーブル５ ・基板１９（たとえば、レジストを塗布されたシリコン
・ウエハ）を保持する基板ホルダ１７を備えた基板テー
ブル１。本発明によれば、基板ホルダ１７は上記の実施
形態１でさらに明らかにしたプレート２を含む。 ・基板１９のターゲット部３５（ダイ）上へマスク２９
の照射された部分を投影するための投影システム３（た
とえば、レンズ、ミラー群若しくは反射屈折光学系また
は粒子焦点システム）を含む。
透視図を示す。この装置は、 ・放射（たとえば、紫外線（ＵＶ）、極紫外線（λ：５
〜２０ｎｍ）または電子若しくはイオン・ビーム）の投
影ビーム２５を供給する放射システム７ ・マスク２９（たとえば、レティクル）を保持するマス
ク・ホルダ２７を備えたマスク・テーブル５ ・基板１９（たとえば、レジストを塗布されたシリコン
・ウエハ）を保持する基板ホルダ１７を備えた基板テー
ブル１。本発明によれば、基板ホルダ１７は上記の実施
形態１でさらに明らかにしたプレート２を含む。 ・基板１９のターゲット部３５（ダイ）上へマスク２９
の照射された部分を投影するための投影システム３（た
とえば、レンズ、ミラー群若しくは反射屈折光学系また
は粒子焦点システム）を含む。
【００２８】放射システム７は、放射のビーム３３を生
成する光源９（たとえば、Ｈｇランプまたはエクシマー
・レーザー）を含む。このビーム３３は、種々の光学部
品（たとえば、絞り１１および選択ミラー１３，１５、
および／または集光レンズや輝度積分器のような部品な
ど）を通過して、システム７から出射されたビーム２５
が実質的に平行にされて、単色で、その横断面を通じて
一様輝度になるようにされる。
成する光源９（たとえば、Ｈｇランプまたはエクシマー
・レーザー）を含む。このビーム３３は、種々の光学部
品（たとえば、絞り１１および選択ミラー１３，１５、
および／または集光レンズや輝度積分器のような部品な
ど）を通過して、システム７から出射されたビーム２５
が実質的に平行にされて、単色で、その横断面を通じて
一様輝度になるようにされる。
【００２９】その後、ビーム２５は、マスク・テーブル
５上のマスク・ホルダ２７により保持されたレティクル
２９を遮断する。変位手段３１の助けにより、マスク・
テーブル５は、少なくともＸ方向（いわゆる走査方向）
に沿って前後に正確に移動される。
５上のマスク・ホルダ２７により保持されたレティクル
２９を遮断する。変位手段３１の助けにより、マスク・
テーブル５は、少なくともＸ方向（いわゆる走査方向）
に沿って前後に正確に移動される。
【００３０】レティクル２９を通過した（または、そこ
から反射された）後に、ビーム２５は投影システム３を
通過する。投影システム３は、ウエハ１９のダイ３５上
にビーム２５の焦点を合わせる。変位装置２１の助けに
より、基板テーブル１もＸ方向（走査方向）に沿って前
後に正確に移動され得る。しかしながら、基板テーブル
１はＹ方向に前後にも移動され得る。
から反射された）後に、ビーム２５は投影システム３を
通過する。投影システム３は、ウエハ１９のダイ３５上
にビーム２５の焦点を合わせる。変位装置２１の助けに
より、基板テーブル１もＸ方向（走査方向）に沿って前
後に正確に移動され得る。しかしながら、基板テーブル
１はＹ方向に前後にも移動され得る。
【００３１】図示した装置は２つの異なったモードで使
用できる。すなわち、 ・ステップ・モードにおいては、レティクル・テーブル
５は静止に保持され、レティクル画像全体が一度に（す
なわち、単一の「フラッシュ」で）ウエハ・ダイ３５に
投影される。基板テーブル１は、その後、Ｘおよび／ま
たはＹ方向にシフトされて、別のダイ３５が（静止）ビ
ーム２５によって照射され得る。 ・スキャン・モードにおいては、本質的に同じシナリオ
が適用されるが、与えられたダイ３５が単一の「フラッ
シュ」に露光されない点が異なる。その代わりに、レテ
ィクル・テーブルは速度ｖで走査方向へ移動し、これに
より、投影ビーム２５がレティクル画像上を走査するよ
うにさせ、基板テーブル１が同一方向または反対方向に
速度Ｖ＝Ｍｖで同時に移動される。ここで、Ｍは投影シ
ステム３の倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／
５）である。このようにして、解像度について妥協せず
に、比較的に大きいダイを露光し得る。
用できる。すなわち、 ・ステップ・モードにおいては、レティクル・テーブル
５は静止に保持され、レティクル画像全体が一度に（す
なわち、単一の「フラッシュ」で）ウエハ・ダイ３５に
投影される。基板テーブル１は、その後、Ｘおよび／ま
たはＹ方向にシフトされて、別のダイ３５が（静止）ビ
ーム２５によって照射され得る。 ・スキャン・モードにおいては、本質的に同じシナリオ
が適用されるが、与えられたダイ３５が単一の「フラッ
シュ」に露光されない点が異なる。その代わりに、レテ
ィクル・テーブルは速度ｖで走査方向へ移動し、これに
より、投影ビーム２５がレティクル画像上を走査するよ
うにさせ、基板テーブル１が同一方向または反対方向に
速度Ｖ＝Ｍｖで同時に移動される。ここで、Ｍは投影シ
ステム３の倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／
５）である。このようにして、解像度について妥協せず
に、比較的に大きいダイを露光し得る。
【００３２】実施形態３ 図４は、２００ｍｍのウエハ１９の垂直変形△（単位ｎ
ｍ）を、実施形態１で説明したプレート２のウエハ半径
ｒ（単位ｍｍ）の関数として、壁８から突出部６の最も
外側の円１２までの半径方向距離ｘの種々の値について
示す。半径ｒは共通の中心１４から測定される。この特
定の実施形態では、壁８はｒ＝９７．７５ｍｍに位置
し、ｄの値は２．５４ｍｍである。図４の曲線ａ〜ｉ
は、ｘ＝１ｍｍ（曲線ａ）から始めて、ｘ＝１．４ｍｍ
（曲線ｉ）まで、０．０５ｍｍずつ増加するｘの種々の
値に対応する。本発明によれば、ｘのこれらの値は全
て、０．３９＜ｘ／ｄ＜０．５５の関係を満足する。
ｍ）を、実施形態１で説明したプレート２のウエハ半径
ｒ（単位ｍｍ）の関数として、壁８から突出部６の最も
外側の円１２までの半径方向距離ｘの種々の値について
示す。半径ｒは共通の中心１４から測定される。この特
定の実施形態では、壁８はｒ＝９７．７５ｍｍに位置
し、ｄの値は２．５４ｍｍである。図４の曲線ａ〜ｉ
は、ｘ＝１ｍｍ（曲線ａ）から始めて、ｘ＝１．４ｍｍ
（曲線ｉ）まで、０．０５ｍｍずつ増加するｘの種々の
値に対応する。本発明によれば、ｘのこれらの値は全
て、０．３９＜ｘ／ｄ＜０．５５の関係を満足する。
【００３３】△の最大値は３７ｎｍ（曲線ａ）であり、
また、△の最小値は約４ｎｍ（曲線ｆ）である。図中の
△の全ての値は１００ｎｍの許容範囲内に充分に収まる
（また、大部分は５０ｎｍの許容範囲内に収まる）。
また、△の最小値は約４ｎｍ（曲線ｆ）である。図中の
△の全ての値は１００ｎｍの許容範囲内に充分に収まる
（また、大部分は５０ｎｍの許容範囲内に収まる）。
【図１】本発明による基板ホルダの部分の上面図であ
る。
る。
【図２】図１の対象の部分の直径に沿った横断面図であ
る。
る。
【図３】図１および図２に図示した基板ホルダを含む本
発明によるリソグラフィー投影装置の投影図である。
発明によるリソグラフィー投影装置の投影図である。
【図４】本発明による基板ホルダ内のウエハ半径ｒの関
数としてのウエハの垂直変形△を、ホルダ内の壁から複
数の突出部の最も外側の円までの半径方向距離ｘの種々
の値について示す図である。
数としてのウエハの垂直変形△を、ホルダ内の壁から複
数の突出部の最も外側の円までの半径方向距離ｘの種々
の値について示す図である。
１ 基板テーブル ２ プレート ３ 投影システム ４ 面 ５ マスク・テーブル ６ 突出部 ６’ 先端 ６” 平面 ７ 放射システム ８ 壁 １０ 開口 １２ 円 １７ 基板ホルダ １９ 基板 ２５ 投射ビーム ２７ マスク・ホルダ ２９ マスク ３５ ターゲット部分
Claims (11)
- 【請求項１】 放射の投影ビームを供給する放射システ
ムと、 マスクを保持するマスク・ホルダを備えたマスク・テー
ブルと、 基板を保持する基板ホルダを備えた基板テーブルと、 前記マスクの照射された部分を前記基板のターゲット部
分に映写する投影システムと、 を含み、 前記基板ホルダが、突出部のマトリクス配列を備えた面
を有するプレートを含み、各突出部が前記面から離れた
先端を有し、それにより前記突出部が全て前記面よりも
高さＨだけ上にある単一の実質的に平らな面上にあるよ
うに実施され、前記基板ホルダが、前記面から突出す
る、前記マトリクス配列を実質的に囲む、実質的に一様
な高さｈだけ前記面よりも上にある一つの壁をさらに含
み、それによりｈ＜Ｈであり、前記壁の内側の前記面
が、前記プレートを貫通して延伸する少なくとも一つの
開口を備え、該開口を通じて前記壁で囲まれた領域へア
クセス可能である、リソグラフィー投影装置において、 前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それによ
り、前記突出部が各円に沿って、実質的に規則的な弓形
の間隔で配置され、 前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同心
であり、 前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向距離ｘ
が０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここで、ｄ
は前記壁に最も近い二つの円の相互の半径方向間隔であ
ることを特徴とする、リソグラフィー投影装置。 - 【請求項２】 ｘが０．４３＜ｘ／ｄ＜０．４７の関係
を満足することを特徴とする請求項１記載のリソグラフ
ィー投影装置。 - 【請求項３】 一つの円の一対の隣接する突出部と隣接
する円の対応する最も近い一対の隣接する突出部とによ
り画定される四辺形の領域が、マトリクス分布の前記四
辺形の位置に関係なく実質的に一定なサイズを有するこ
とを特徴とする請求項１または請求項２記載のリソグラ
フィー投影装置。 - 【請求項４】 隣接する円のいずれかの対の相互半径方
向間隔が実質的にｄに等しいことを特徴とする請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のリソグラフィー投影装
置。 - 【請求項５】 前記面が、前記複数の円の共通の中心の
周りに配置された複数の中空の軸をさらに含み、この各
々を貫通して前記実質的に平らな面から突出するように
ピストンが移動でき、 各軸が、前記面から突出しまた実質的に多角形の形を有
する支持壁により個別に囲まれ、前記多角形のいずれか
の側から前記多角形の外側の隣接する突出までの最短距
離ｙが０．２５＜ｙ／ｄ＜０．４５の関係を満足するこ
とを特徴とする請求項４記載のリソグラフィー投影装
置。 - 【請求項６】 前記多角形が六角形であり、ｙが０．３
３＜ｙ／ｄ＜０．３７の関係を満足することを特徴とす
る請求項５記載のリソグラフィー投影装置。 - 【請求項７】 Ｈが７５μ＜Ｈ＜１２５μの関係を満足
することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか
に記載のリソグラフィー投影装置。 - 【請求項８】 ｈが1μｍ＜Ｈ−ｈ＜５μｍの関係を満
足することを特徴とする請求項７記載のリソグラフィー
投影装置。 - 【請求項９】 リソグラフィー投影装置で使用する基板
ホルダであって、該基板ホルダが、突出部のマトリクス
配列を備えた面を有するプレートを含み、各突出部が前
記面から離れた先端を有し、それにより前記突出部が全
て前記面よりも高さＨだけ上にある単一の実質的に平ら
な面上にあるように実施され、前記基板ホルダが、前記
面から突出する、前記マトリクス配列を実質的に囲む、
実質的に一様な高さｈだけ前記面よりも上にある一つの
壁を含み、それによりｈ＜Ｈであり、前記壁の内側の前
記面は、前記プレートを貫通して延伸する少なくとも一
つの開口を備え、該開口を通じて前記壁で囲まれた領域
へアクセス可能である、基板ホルダにおいて、 前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それによ
り、前記突出部が各円に沿って実質的に規則的な弓形の
間隔で配置され、 前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同心
であり、 前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向距離ｘ
が０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここで、ｄ
は前記壁に最も近い二つの円の相互半径方向間隔である
ことを特徴とする、基板ホルダ。 - 【請求項１０】 放射敏感物質層により少なくとも部分
的に被われた基板を供給するステップと、 パターンを含むマスクを供給するステップと、 前記放射敏感物質層のターゲット領域上にマスク・パタ
ーンの少なくとも一部の画像を投影するために放射の投
影ビームを使用するステップとを含み、 それにより、少なくとも前記投影ステップの間は、前記
基板は基板ホルダにより保持され、該基板ホルダが突出
部のマトリクス配列を備えた面を有するプレートを含
み、各突出部が前記面から離れた先端を有し、それによ
り前記突出部が全て前記面よりも高さＨだけ上にある単
一の実質的に平らな面上にあるように実施され、前記基
板ホルダが、前記面から突出する、前記マトリクス配列
を実質的に囲む、実質的に一様な高さｈだけ前記面より
も上にある一つの壁を含み、それによりｈ＜Ｈであり、
前記壁の内側の前記面が前記プレートを貫通して延伸す
る少なくとも一つの開口を備え、該開口を通じて前記壁
で囲まれた領域へアクセス可能である、デバイス製造方
法において、 前記マトリクス配列が一連の同心円からなり、それによ
り、前記突出部が各円に沿って実質的に規則的な弓形の
間隔で配置され、 前記壁が、実質的に円形であって、前記複数の円と同心
であり、 前記壁とそれに最も近い前記円との間の半径方向距離ｘ
が０．３＜ｘ／ｄ＜０．６の関係を満足し、ここで、ｄ
は前記壁に最も近い二つの円の相互半径方向間隔である
ことを特徴とする、デバイス製造方法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の方法により製造され
るデバイス。
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