JP2001028333A - リソグラフィ投影装置 - Google Patents
リソグラフィ投影装置Info
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣの製造等でマスクパターンを基板上に投
影するために使用するリソグラフィ投影装置であって、
基板がそれを基板テーブル上に保持するための基板ホル
ダの支持面に付着して外し難くなる現象をなくした投影
装置を提供すること。 【解決手段】 基板ホルダ２が基板Ｗを支持するための
支持面Ｓに、少なくとも部分的に、導電性材料の層１０
を被着して基板Ｗと支持面Ｓを同電位にし、摩擦帯電に
よるクーロン引力の発生を防ぐ。導電層１０に少なくと
も部分的に非常に薄い誘電体膜を被せれば、この導電層
１０の耐久性を向上し、基板Ｗの汚染を防ぐことができ
る。
影するために使用するリソグラフィ投影装置であって、
基板がそれを基板テーブル上に保持するための基板ホル
ダの支持面に付着して外し難くなる現象をなくした投影
装置を提供すること。 【解決手段】 基板ホルダ２が基板Ｗを支持するための
支持面Ｓに、少なくとも部分的に、導電性材料の層１０
を被着して基板Ｗと支持面Ｓを同電位にし、摩擦帯電に
よるクーロン引力の発生を防ぐ。導電層１０に少なくと
も部分的に非常に薄い誘電体膜を被せれば、この導電層
１０の耐久性を向上し、基板Ｗの汚染を防ぐことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リソグラフィ投影
装置であって： ● 放射線の投影ビームを供給するための放射線システ
ム； ● マスクを保持するためのマスクホルダを備えるマス
クテーブル； ● 基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テー
ブル；および ● 上記マスクの被照射部分を基板の目標部分上に結像
するための投影システムを含み、上記基板ホルダが上記
基板を支持するための支持面を有する投影装置に関す
る。
装置であって： ● 放射線の投影ビームを供給するための放射線システ
ム； ● マスクを保持するためのマスクホルダを備えるマス
クテーブル； ● 基板を保持するための基板ホルダを備えた基板テー
ブル；および ● 上記マスクの被照射部分を基板の目標部分上に結像
するための投影システムを含み、上記基板ホルダが上記
基板を支持するための支持面を有する投影装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の装置は、例えば、集積回路（Ｉ
Ｃ）の製造に使うことができる。そのような場合、マス
ク（綱線（reticle））がＩＣの個々の層に対応する回
路パターンを含んでもよく、そこでこのパターンを、放
射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコ
ンウエハ）の目標領域（ダイ）上に結像することができ
る。一般的に、１枚のウエハが隣接するダイの全ネット
ワークを含み、それらはレチクルを介して、一度に一つ
ずつ、順次照射する。リソグラフィ投影装置の一つの型
式では、全レチクルパターンをダイ上に一度に露出する
ことによって照射し；そのような装置を、普通、ウエハ
ステッパと呼ぶ。代替装置 ― それを、普通、ステップ
・アンド・スキャン装置と呼ぶ ― では、このレチクル
パターンを投影ビームで与えられた基準方向（“走査”
方向）に順次走査し、一方、一般的に、この投影システ
ムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であり、ウエハテーブルを
走査する速度νが、倍率Ｍ掛けるレチクルテーブルを走
査する速度であるので、ウエハテーブルをこの方向に平
行または逆平行（anti-parallel）に同期して走査する
ことによって各ダイを照射する。ここに説明したような
リソグラフィ装置に関する更なる情報は、国際特許出願
ＷＯ９７／３３２０５から収集することができる。
Ｃ）の製造に使うことができる。そのような場合、マス
ク（綱線（reticle））がＩＣの個々の層に対応する回
路パターンを含んでもよく、そこでこのパターンを、放
射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板（シリコ
ンウエハ）の目標領域（ダイ）上に結像することができ
る。一般的に、１枚のウエハが隣接するダイの全ネット
ワークを含み、それらはレチクルを介して、一度に一つ
ずつ、順次照射する。リソグラフィ投影装置の一つの型
式では、全レチクルパターンをダイ上に一度に露出する
ことによって照射し；そのような装置を、普通、ウエハ
ステッパと呼ぶ。代替装置 ― それを、普通、ステップ
・アンド・スキャン装置と呼ぶ ― では、このレチクル
パターンを投影ビームで与えられた基準方向（“走査”
方向）に順次走査し、一方、一般的に、この投影システ
ムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であり、ウエハテーブルを
走査する速度νが、倍率Ｍ掛けるレチクルテーブルを走
査する速度であるので、ウエハテーブルをこの方向に平
行または逆平行（anti-parallel）に同期して走査する
ことによって各ダイを照射する。ここに説明したような
リソグラフィ装置に関する更なる情報は、国際特許出願
ＷＯ９７／３３２０５から収集することができる。
【０００３】極最近まで、この種の装置は、単一マスク
テーブルおよび単一基板テーブルを含んだ。しかし、今
や少なくとも二つの独立に可動の基板テーブルがある機
械が利用可能である；例えば、国際特許出願ＷＯ９８／
２８６６５およびＷＯ９８／４０７９１に記載されてい
る多段装置参照。そのような多段装置の背後の基本動作
原理は、第１基板テーブルがその上にある第１基板を露
出するために投影システムの下にある間に、第２基板テ
ーブルが載荷位置へ移動でき、露出した基板を排出し、
新しい基板を取上げ、この新しい基板に幾つかの初期整
列測定を行い、および次に第１基板の露出が完了すると
すぐ、この新しい基板を投影システムの下の露出位置へ
移送するために待機し、そこでこのサイクルを繰返すこ
とであり；この様にして、機械の処理量（through pu
t）をかなり向上することが可能であり、それが次にこ
の機械の所有コストを改善する。
テーブルおよび単一基板テーブルを含んだ。しかし、今
や少なくとも二つの独立に可動の基板テーブルがある機
械が利用可能である；例えば、国際特許出願ＷＯ９８／
２８６６５およびＷＯ９８／４０７９１に記載されてい
る多段装置参照。そのような多段装置の背後の基本動作
原理は、第１基板テーブルがその上にある第１基板を露
出するために投影システムの下にある間に、第２基板テ
ーブルが載荷位置へ移動でき、露出した基板を排出し、
新しい基板を取上げ、この新しい基板に幾つかの初期整
列測定を行い、および次に第１基板の露出が完了すると
すぐ、この新しい基板を投影システムの下の露出位置へ
移送するために待機し、そこでこのサイクルを繰返すこ
とであり；この様にして、機械の処理量（through pu
t）をかなり向上することが可能であり、それが次にこ
の機械の所有コストを改善する。
【０００４】リソグラフィ投影装置は、例えば、紫外線
（ＵＶ）、超ＵＶ、Ｘ線、イオンビームまたは電子ビー
ムのような、種々の型式の投影放射線を使うことができ
る。使用する放射線の種類およびこの装置の特定の設計
要件に依って、投影システムは、例えば、屈折性、反射
性または反射屈接性でもよく、ガラス部品、斜入射ミラ
ー、選択性多層被膜、磁気および／または静電視野レン
ズ等を含んでもよいが；簡単のために、そのような部品
をこの本文では、単独にまたは集合的に、大雑把に“レ
ンズ”と称する。この装置は、真空中で作動する部品を
含んでもよく、従って真空適合性がある。先の段落で述
べたように、この装置は、二つ以上の基板テーブルおよ
び／またはマスクテーブルを有してもよい。
（ＵＶ）、超ＵＶ、Ｘ線、イオンビームまたは電子ビー
ムのような、種々の型式の投影放射線を使うことができ
る。使用する放射線の種類およびこの装置の特定の設計
要件に依って、投影システムは、例えば、屈折性、反射
性または反射屈接性でもよく、ガラス部品、斜入射ミラ
ー、選択性多層被膜、磁気および／または静電視野レン
ズ等を含んでもよいが；簡単のために、そのような部品
をこの本文では、単独にまたは集合的に、大雑把に“レ
ンズ”と称する。この装置は、真空中で作動する部品を
含んでもよく、従って真空適合性がある。先の段落で述
べたように、この装置は、二つ以上の基板テーブルおよ
び／またはマスクテーブルを有してもよい。
【０００５】多くの用途で、基板ホルダの支持面は、突
起のマトリックス状配置を備える基底面を含み、各突起
が基底面から離れた先端を有し、これらの先端が全て単
一の実質的に平坦な平面内にあるように具体化されてい
る。更に、基板ホルダは、一般的に基底面から突出する
真空壁を含み、該壁がマトリックス状配置を囲み、且つ
実質的に均一な高さを有する。壁の内側の基底面は、典
型的には基板ホルダを貫通する少なくとも一つの開口を
備え、それを通してこの壁によって囲まれた領域にアク
セスでき、それを少なくとも部分的に真空にできるよう
にする。そのような減圧排気は、支持面上に置いた基板
をこれらの突起に対して吸引するようにし、それによっ
て基板は所定位置にしっかりと保持できる。
起のマトリックス状配置を備える基底面を含み、各突起
が基底面から離れた先端を有し、これらの先端が全て単
一の実質的に平坦な平面内にあるように具体化されてい
る。更に、基板ホルダは、一般的に基底面から突出する
真空壁を含み、該壁がマトリックス状配置を囲み、且つ
実質的に均一な高さを有する。壁の内側の基底面は、典
型的には基板ホルダを貫通する少なくとも一つの開口を
備え、それを通してこの壁によって囲まれた領域にアク
セスでき、それを少なくとも部分的に真空にできるよう
にする。そのような減圧排気は、支持面上に置いた基板
をこれらの突起に対して吸引するようにし、それによっ
て基板は所定位置にしっかりと保持できる。
【０００６】基板テーブルにその機械的および熱的安定
性に関して課される非常に厳しい要求のために、テーブ
ルは、一般的にセラミックまたはガラス材料で作る。こ
の様な状況で適切な材料の例は、ＺＥＲＯＤＵＲで、そ
れは、ＳＣＨＴＴが市販し、主としてＳｉＯ2およびＡ
ｌ2Ｏ3から成り、種々のその他の金属酸化物が付加的に
存在する。
性に関して課される非常に厳しい要求のために、テーブ
ルは、一般的にセラミックまたはガラス材料で作る。こ
の様な状況で適切な材料の例は、ＺＥＲＯＤＵＲで、そ
れは、ＳＣＨＴＴが市販し、主としてＳｉＯ2およびＡ
ｌ2Ｏ3から成り、種々のその他の金属酸化物が付加的に
存在する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、改良
した基板ホルダを有するリソグラフィ投影装置を提供す
ることである。
した基板ホルダを有するリソグラフィ投影装置を提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】これおよびその他の目的
は、冒頭の段落で指定した装置で、上記支持面を少なく
とも部分的に導電性材料の層で被覆したことを特徴とす
る装置で達成される。本発明に通じる実験において、発
明者は、ガラス基板ホルダおよび基板として選択した半
導体ウエハを使って試験した。多くの場合、ウエハが基
板ホルダにくっつくという厄介な癖を有し、それでウエ
ハ保持真空の弛緩後もそれらを容易に取り外せないこと
が分った。そのようなウエハを基板テーブルから無理矢
理取外すと、屡々このウエハおよび／または基板ホルダ
の微細に機械加工した支持面を損傷する結果となり、そ
れは大抵の用途で受け入れられない。
は、冒頭の段落で指定した装置で、上記支持面を少なく
とも部分的に導電性材料の層で被覆したことを特徴とす
る装置で達成される。本発明に通じる実験において、発
明者は、ガラス基板ホルダおよび基板として選択した半
導体ウエハを使って試験した。多くの場合、ウエハが基
板ホルダにくっつくという厄介な癖を有し、それでウエ
ハ保持真空の弛緩後もそれらを容易に取り外せないこと
が分った。そのようなウエハを基板テーブルから無理矢
理取外すと、屡々このウエハおよび／または基板ホルダ
の微細に機械加工した支持面を損傷する結果となり、そ
れは大抵の用途で受け入れられない。
【０００９】更なる分析は、この厄介な現象が所謂背面
研磨ウエハ、即ち、両主面を光学面の品質に研磨したウ
エハにしか起らないことを示した。最初、この付着は、
“アンシュプレンゲン”の現象（ファン・デル・ワール
ス結合、または原子結合とも呼ぶ）によるか、または静
的真空の創成によるかも知れないと考えられた。しか
し、多くの追加の調査の後、実際に観察したのは静電気
効果で、それによってウエハと支持面が反対の電荷を発
生し、互いにクーロン力によって引付け合うことを推測
した。従来の（即ち、“片側”）ウエハの場合、ウエハ
背面の自然の表面粗さがウエハと支持面の比較的著しい
分離を強制するので、そのようなクーロン力（それは距
離の関数として急激に減少する）は比較的弱いだろう。
しかし、背面を研磨したウエハの場合、ウエハ背面の光
学研磨がウエハと支持面の間に遙かに密接な接触を可能
とし、このかなり減少した分離が非常に大きなクーロン
引力に通じる。
研磨ウエハ、即ち、両主面を光学面の品質に研磨したウ
エハにしか起らないことを示した。最初、この付着は、
“アンシュプレンゲン”の現象（ファン・デル・ワール
ス結合、または原子結合とも呼ぶ）によるか、または静
的真空の創成によるかも知れないと考えられた。しか
し、多くの追加の調査の後、実際に観察したのは静電気
効果で、それによってウエハと支持面が反対の電荷を発
生し、互いにクーロン力によって引付け合うことを推測
した。従来の（即ち、“片側”）ウエハの場合、ウエハ
背面の自然の表面粗さがウエハと支持面の比較的著しい
分離を強制するので、そのようなクーロン力（それは距
離の関数として急激に減少する）は比較的弱いだろう。
しかし、背面を研磨したウエハの場合、ウエハ背面の光
学研磨がウエハと支持面の間に遙かに密接な接触を可能
とし、このかなり減少した分離が非常に大きなクーロン
引力に通じる。
【００１０】この考え方を試すために、本発明の発明者
は、試験基板ホルダの支持面上にクロームの薄い層を蒸
着した。このＣｒで被覆した基板ホルダによる次の実験
で、上に説明したようなウエハ付着現象が完全にないこ
とを観測した。それでこの発明者は、上記現象が、実
際、例えばウエハをホルダ上に置く間の僅かなウエハ／
ホルダの相対運動による、摩擦電気効果に基づくと結論
付けた。本発明によれば、そのような摩擦電気効果の結
果としてのウエハと支持面の間のインタフェースでの電
荷分離は、導電層が（導電性の）ウエハ背面と支持面を
同じ電位に保つので、効果的に阻止される。
は、試験基板ホルダの支持面上にクロームの薄い層を蒸
着した。このＣｒで被覆した基板ホルダによる次の実験
で、上に説明したようなウエハ付着現象が完全にないこ
とを観測した。それでこの発明者は、上記現象が、実
際、例えばウエハをホルダ上に置く間の僅かなウエハ／
ホルダの相対運動による、摩擦電気効果に基づくと結論
付けた。本発明によれば、そのような摩擦電気効果の結
果としてのウエハと支持面の間のインタフェースでの電
荷分離は、導電層が（導電性の）ウエハ背面と支持面を
同じ電位に保つので、効果的に阻止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明によれば、基板ホルダの支
持面上に被着する導電性材料の層が非常に厚い必要はな
く；例えば、約１００〜３００ｎｍのオーダの厚さの層
が良い結果をもたらすことが観察される。更に、導電層
がＣｒから成ることは必要なく；原理上は、例えば、Ａ
ｌ、ＰｔおよびＡｕのような、多くの異なる金属を使う
ことができ、元素金属と合金の両方を使ってもよい。金
属の代りに導電性ポリマーを使うことも、例えば、Ｃｒ
ＮまたはＴｉＮのような導電性無機化合物の使用と同
様、可能である。何れにしても、導電性材料の選択は、
とりわけ特定の製造用途での耐久性と基板純度の要求に
よって決るだろう。当業者は、そのような層を、金属お
よび無機化合物の場合は、スパッタ被着、分子線エピタ
キシアル法（ＭＢＥ）および化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）、並びに導電性ポリマーの場合は、スピンコーティ
ング、吹付けおよび化学的気相成長のような手法を含
む、多くの異なる方法によって提供できることが分るだ
ろう。最善の結果は、導電層が支持面のかなりの面積を
覆い、理想的にはこの面積の大部分または全面積をこの
様に覆うときに得られる。
持面上に被着する導電性材料の層が非常に厚い必要はな
く；例えば、約１００〜３００ｎｍのオーダの厚さの層
が良い結果をもたらすことが観察される。更に、導電層
がＣｒから成ることは必要なく；原理上は、例えば、Ａ
ｌ、ＰｔおよびＡｕのような、多くの異なる金属を使う
ことができ、元素金属と合金の両方を使ってもよい。金
属の代りに導電性ポリマーを使うことも、例えば、Ｃｒ
ＮまたはＴｉＮのような導電性無機化合物の使用と同
様、可能である。何れにしても、導電性材料の選択は、
とりわけ特定の製造用途での耐久性と基板純度の要求に
よって決るだろう。当業者は、そのような層を、金属お
よび無機化合物の場合は、スパッタ被着、分子線エピタ
キシアル法（ＭＢＥ）および化学的気相成長（ＣＶ
Ｄ）、並びに導電性ポリマーの場合は、スピンコーティ
ング、吹付けおよび化学的気相成長のような手法を含
む、多くの異なる方法によって提供できることが分るだ
ろう。最善の結果は、導電層が支持面のかなりの面積を
覆い、理想的にはこの面積の大部分または全面積をこの
様に覆うときに得られる。
【００１２】本発明の特定の実施例では、導電層に少な
くとも部分的に誘電体膜を被せる。この誘電体膜は、膜
の垂直方向にかなりの電導を可能にするほど薄くあるべ
きであり；例えば、約２０〜７０ｎｍ程度の厚さが一般
的に満足であろう。そのような誘電体コーティングは、
下の導電層の耐久性を改善するのを助けることができ、
導電層の材料による基板の汚染に抵抗もする。この目的
の誘電材料の適切な例は、ＳｉＯx（石英を含むシリ
カ）であるが、例えば、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＮのよう
な、他の材料も特定の用途に使ってよい。
くとも部分的に誘電体膜を被せる。この誘電体膜は、膜
の垂直方向にかなりの電導を可能にするほど薄くあるべ
きであり；例えば、約２０〜７０ｎｍ程度の厚さが一般
的に満足であろう。そのような誘電体コーティングは、
下の導電層の耐久性を改善するのを助けることができ、
導電層の材料による基板の汚染に抵抗もする。この目的
の誘電材料の適切な例は、ＳｉＯx（石英を含むシリ
カ）であるが、例えば、Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＮのよう
な、他の材料も特定の用途に使ってよい。
【００１３】本発明は、デバイス製造方法であって： − 少なくとも部分的に放射線感応材料で被覆した基板
を形成する段階； − パターンを含むマスクを形成する段階；および − マスクパターンの少なくとも一部の像を放射線感応
材料の層の目標領域上に投影するために、放射線の投影
ビームを使う段階を含む方法にも関する。本発明によれ
ば、そのような方法がこの投影段階中に基板を基板ホル
ダの支持面上で支持し、上記支持面を少なくとも部分的
に導電性材料の層で被覆したことを特徴とする。
を形成する段階； − パターンを含むマスクを形成する段階；および − マスクパターンの少なくとも一部の像を放射線感応
材料の層の目標領域上に投影するために、放射線の投影
ビームを使う段階を含む方法にも関する。本発明によれ
ば、そのような方法がこの投影段階中に基板を基板ホル
ダの支持面上で支持し、上記支持面を少なくとも部分的
に導電性材料の層で被覆したことを特徴とする。
【００１４】本発明によるリソグラフィ投影装置を使う
製造プロセスでは、マスクのパターンを、少なくとも部
分的に放射線感応性材料（レジスト）で覆われた基板上
に結像する。この結像段階の前に、基板は、例えば、下
塗り、レジスト塗布およびソフトベークのような、種々
の処理を受けるかも知れない。露出後、基板は、例え
ば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよ
び結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けるか
もしれない。この一連の処理は、デバイス、例えばＩＣ
の個々の層をパターン化するための基礎として使用す
る。そのようにパターン化した層は、次に、エッチン
グ、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化処
理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上
げを意図した種々の処理を受けるかもしれない。もし、
幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を各新
しい層に反復しなければならないだろう。結局、デバイ
スの配列が基板（ウエハ）上にできる。次に、これらの
デバイスをダイシングまたは鋸引のような手法によって
互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャリヤに
取付け、ピンに接続する等をすることができる。そのよ
うなプロセスに関する更なる情報は、例えば、ピータ・
バン・ザントの“マイクロチップの製作：半導体加工の
実用ガイド”、第３版、マグロウヒル出版社、1997年、
ISBN0-07-067250-4という本から得ることができる。
製造プロセスでは、マスクのパターンを、少なくとも部
分的に放射線感応性材料（レジスト）で覆われた基板上
に結像する。この結像段階の前に、基板は、例えば、下
塗り、レジスト塗布およびソフトベークのような、種々
の処理を受けるかも知れない。露出後、基板は、例え
ば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよ
び結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けるか
もしれない。この一連の処理は、デバイス、例えばＩＣ
の個々の層をパターン化するための基礎として使用す
る。そのようにパターン化した層は、次に、エッチン
グ、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化処
理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上
げを意図した種々の処理を受けるかもしれない。もし、
幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を各新
しい層に反復しなければならないだろう。結局、デバイ
スの配列が基板（ウエハ）上にできる。次に、これらの
デバイスをダイシングまたは鋸引のような手法によって
互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャリヤに
取付け、ピンに接続する等をすることができる。そのよ
うなプロセスに関する更なる情報は、例えば、ピータ・
バン・ザントの“マイクロチップの製作：半導体加工の
実用ガイド”、第３版、マグロウヒル出版社、1997年、
ISBN0-07-067250-4という本から得ることができる。
【００１５】ここでは、本発明による装置をＩＣの製造
に使うことに特別の参照をしたが、そのような装置に多
くの他の用途の可能性があることを明確に理解すべきで
ある。例えば、それを集積光学系、磁区メモリ用誘導検
出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド
等の製造に使ってもよい。当業者は、そのような代替用
途の関係では、この明細書本文で使う“レチクル”、
“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞ
れ、より一般的な用語“マスク”、“基板”および“目
標領域”で置換えられると考えるべきであることが分る
だろう。本発明およびそれに付随する利点を実施例およ
び添付の概略図の助けをかりて更に説明する。
に使うことに特別の参照をしたが、そのような装置に多
くの他の用途の可能性があることを明確に理解すべきで
ある。例えば、それを集積光学系、磁区メモリ用誘導検
出パターン、液晶ディスプレーパネル、薄膜磁気ヘッド
等の製造に使ってもよい。当業者は、そのような代替用
途の関係では、この明細書本文で使う“レチクル”、
“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞ
れ、より一般的な用語“マスク”、“基板”および“目
標領域”で置換えられると考えるべきであることが分る
だろう。本発明およびそれに付随する利点を実施例およ
び添付の概略図の助けをかりて更に説明する。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明の実施に適するリソグラフィ
投影装置を概略的に示す。この装置は： ● 放射線の投影ビームＰＢを供給するための放射線シ
ステムＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、ＣＯ； ● マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するための
マスクホルダを備えたマスクテーブルＭＴ； ● 基板Ｗ（例えば、レジストを塗ったシリコンウエ
ハ）を保持するための基板ホルダを備える基板テーブル
ＷＴ；および ● マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（ダ
イ）上に結像するための投影システムＰＬを含む。この
場合、図示する装置は、屈折性部品を含む。しかし、そ
の代りに一つ以上の反射性部品を含んでもよい。この放
射線システムは、放射線のビームを作る線源ＬＡ（例え
ば、水銀灯若しくはエキシマレーザ、熱イオンガン若し
くはイオン源、または貯蔵リング若しくはシンクロトロ
ンの電子ビームの経路の周りに設けたウィグラ／アンジ
ュレータからの二次源）を含む。このビームは、出来た
ビームＰＢが所望の形状およびその断面での強度分布を
有するように、種々の光学部品 ― 例えば、ビーム成形
光学素子Ｅｘ、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣ
Ｏ ― に通される。
投影装置を概略的に示す。この装置は： ● 放射線の投影ビームＰＢを供給するための放射線シ
ステムＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、ＣＯ； ● マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するための
マスクホルダを備えたマスクテーブルＭＴ； ● 基板Ｗ（例えば、レジストを塗ったシリコンウエ
ハ）を保持するための基板ホルダを備える基板テーブル
ＷＴ；および ● マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（ダ
イ）上に結像するための投影システムＰＬを含む。この
場合、図示する装置は、屈折性部品を含む。しかし、そ
の代りに一つ以上の反射性部品を含んでもよい。この放
射線システムは、放射線のビームを作る線源ＬＡ（例え
ば、水銀灯若しくはエキシマレーザ、熱イオンガン若し
くはイオン源、または貯蔵リング若しくはシンクロトロ
ンの電子ビームの経路の周りに設けたウィグラ／アンジ
ュレータからの二次源）を含む。このビームは、出来た
ビームＰＢが所望の形状およびその断面での強度分布を
有するように、種々の光学部品 ― 例えば、ビーム成形
光学素子Ｅｘ、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣ
Ｏ ― に通される。
【００１７】ビームＰＢは、続いてマスクテーブルＭＴ
上のマスクホルダに保持されているマスクＭＡを横切る
（intercepts）。マスクＭＡを通過してから、ビームＰ
Ｂは、投影システムＰＬを通過し、その投影システムが
ビームＰＢを基板Ｗの目標領域Ｃ上に集束する。干渉形
変位および測定手段ＩＦを使って、基板テーブルＷＴを
正確に動かすことができ、例えば、異なる目標領域Ｃを
ビームＰＢの経路内に配置する。同様に、マスクテーブ
ルＭＴをビームＰＢに関して非常に正確に位置づけ得
る。一般的に、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブル
ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長ストロ
ークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジ
ュール（微細位置決め）を使って実現する。ウエハステ
ッパの場合は、ステップ・アンド・スキャン装置と違っ
て、マスクテーブルＭＴを短ストロークモジュールだけ
で動かすか固定するだけでもよい。
上のマスクホルダに保持されているマスクＭＡを横切る
（intercepts）。マスクＭＡを通過してから、ビームＰ
Ｂは、投影システムＰＬを通過し、その投影システムが
ビームＰＢを基板Ｗの目標領域Ｃ上に集束する。干渉形
変位および測定手段ＩＦを使って、基板テーブルＷＴを
正確に動かすことができ、例えば、異なる目標領域Ｃを
ビームＰＢの経路内に配置する。同様に、マスクテーブ
ルＭＴをビームＰＢに関して非常に正確に位置づけ得
る。一般的に、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブル
ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長ストロ
ークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジ
ュール（微細位置決め）を使って実現する。ウエハステ
ッパの場合は、ステップ・アンド・スキャン装置と違っ
て、マスクテーブルＭＴを短ストロークモジュールだけ
で動かすか固定するだけでもよい。
【００１８】図示する装置は、二つの異なるモードで使
用出来る： ● ステップモードでは、マスクテーブルＭＴを固定
し、全マスク画像を目標領域Ｃ上に一度に（即ち、単一
“フラッシュ”で）投影する。次に、基板テーブルＭＴ
をｘおよび／またはｙ方向に移動して異なる目標領域Ｃ
を（固定）ビームＰＢによって照射できるようにし； ● 走査モードでは、与えられた目標領域Ｃを単一“フ
ラッシュ”で露出しないことを除いて、本質的に同じシ
ナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが
与えられた方向（所謂“走査”方向、例えば、ｘ方向）
に速度νで動き得て、それで投影ビームＰＢにマスク画
像上を走査させ；それと共に、基板テーブルＷＴを同じ
または反対方向にＶ＝Ｍνの速度で同時に動かし、但
し、Ｍは投影システムＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１
／４または１／５）である。この様にして、比較的大き
な目標領域Ｃを、解像度で妥協することなく、露出する
ことが出来る。
用出来る： ● ステップモードでは、マスクテーブルＭＴを固定
し、全マスク画像を目標領域Ｃ上に一度に（即ち、単一
“フラッシュ”で）投影する。次に、基板テーブルＭＴ
をｘおよび／またはｙ方向に移動して異なる目標領域Ｃ
を（固定）ビームＰＢによって照射できるようにし； ● 走査モードでは、与えられた目標領域Ｃを単一“フ
ラッシュ”で露出しないことを除いて、本質的に同じシ
ナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが
与えられた方向（所謂“走査”方向、例えば、ｘ方向）
に速度νで動き得て、それで投影ビームＰＢにマスク画
像上を走査させ；それと共に、基板テーブルＷＴを同じ
または反対方向にＶ＝Ｍνの速度で同時に動かし、但
し、Ｍは投影システムＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１
／４または１／５）である。この様にして、比較的大き
な目標領域Ｃを、解像度で妥協することなく、露出する
ことが出来る。
【００１９】基板テーブルＷＨは、図１にはっきりは示
さないが、図２に部分断面で示す基板ホルダを有する。
基板ホルダ２は、突起６のマトリックス状配置を備える
基底面４を含み、各突起が基底面４から離れた先端６’
を有し、これらの先端が全て単一の実質的に平坦な平面
６”内にあるように具体化され；これは、ホルダ２上に
置いたウエハの平面であろう。更に、基板ホルダ２は、
一般的に、基底面４から突出し、このマトリックス状配
置を囲み、および実質的に均一な高さを有する真空壁８
を含む。この構造４、６、６’、８が請求項１で言及す
る支持面Ｓを構成する。
さないが、図２に部分断面で示す基板ホルダを有する。
基板ホルダ２は、突起６のマトリックス状配置を備える
基底面４を含み、各突起が基底面４から離れた先端６’
を有し、これらの先端が全て単一の実質的に平坦な平面
６”内にあるように具体化され；これは、ホルダ２上に
置いたウエハの平面であろう。更に、基板ホルダ２は、
一般的に、基底面４から突出し、このマトリックス状配
置を囲み、および実質的に均一な高さを有する真空壁８
を含む。この構造４、６、６’、８が請求項１で言及す
る支持面Ｓを構成する。
【００２０】この特定の実施例では、ホルダ２の大部分
が（非導電性の）ガラス材料から成る。本発明によれ
ば、支持面Ｓが、Ｃｒのような、導電性材料の薄い層１
０で被覆されている。所望なら、この導電層１０に、例
えば、ＳｉＯxから成る、非常に薄い誘電体膜（図示せ
ず）を被せてもよい。層１０は、約２００ｎｍの厚さを
有する。導電層１０の存在が摩擦電気効果による基板ホ
ルダ２の帯電を防ぎ；次に、これが上に説明したような
ウエハの付着現象を阻止する。
が（非導電性の）ガラス材料から成る。本発明によれ
ば、支持面Ｓが、Ｃｒのような、導電性材料の薄い層１
０で被覆されている。所望なら、この導電層１０に、例
えば、ＳｉＯxから成る、非常に薄い誘電体膜（図示せ
ず）を被せてもよい。層１０は、約２００ｎｍの厚さを
有する。導電層１０の存在が摩擦電気効果による基板ホ
ルダ２の帯電を防ぎ；次に、これが上に説明したような
ウエハの付着現象を阻止する。
【図１】本発明の実施に適するリソグラフィ投影装置を
概略的に示す。
概略的に示す。
【図２】本発明によって指定する通りの基板ホルダの一
部の断面図を示す。
部の断面図を示す。
２ 基板ホルダ １０ 導電性材料の層 Ｃ 目標部分 ＣＯ コンデンサ Ｅｘ ビーム成形光学素子 ＩＮ インテグレータ ＬＡ 線源 ＭＡ マスク ＭＴ マスクテーブル ＰＢ 投影ビーム ＰＬ 投影システム Ｓ 支持面 Ｗ 基板 ＷＴ 基板テーブル
Claims (7)
- 【請求項１】 リソグラフィ投影装置であって： ● 放射線の投影ビーム（ＰＢ）を供給するための放射
線システム（ＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、ＣＯ）； ● マスク（ＭＡ）を保持するためのマスクホルダを備
えるマスクテーブル（ＭＴ）； ● 基板（Ｗ）を保持するための基板ホルダ（２）を備
える基板テーブル（ＷＴ）；および ● 前記マスク（ＭＡ）の被照射部分を前記基板（Ｗ）
の目標部分（Ｃ）上に結像するための投影システム（Ｐ
Ｌ）を含み、前記基板ホルダ（２）が前記基板（Ｗ）を
支持するための支持面（Ｓ）を有する投影装置におい
て、 前記支持面（Ｓ）を少なくとも部分的に導電性材料の層
（１０）で被覆したことを特徴とする装置。 - 【請求項２】 請求項１による装置において、前記導電
性材料が金属を含むことを特徴とする装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２による装置にお
いて、前記導電性材料の層（１０）に少なくとも部分的
に誘電体膜を被覆することを特徴とする装置。 - 【請求項４】 請求項３による装置において、前記誘電
体膜がシリカ、ＳｉＯxを含むことを特徴とする装置。 - 【請求項５】 請求項１から請求項４までの何れか１項
による装置において、前記基板ホルダ（２）が、ガラス
材料および導電性の悪いセラミック材料によって作った
群から選択した材料を含むことを特徴とする装置。 - 【請求項６】 デバイス製造方法であって： − 少なくとも部分的に放射線感応材料で塗被した基板
（Ｗ）を形成する段階； − パターンを含むマスク（ＭＡ）を形成する段階；お
よび − 前記マスクのパターンの少なくとも一部の像を放射
線感応材料の層の目標領域（Ｃ）上に投影するために、
放射線の投影ビーム（ＰＢ）を使う段階を含む方法にお
いて、 前記投影段階中に前記基板（Ｗ）を基板ホルダ（２）の
支持面（Ｓ）上で支持し、該支持面（Ｓ）を少なくとも
部分的に導電性材料の層（１０）で被覆したことを特徴
とする方法。 - 【請求項７】 請求項６で請求する方法を使って製造し
たデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP99201861 | 1999-06-11 | ||
| EP99201861.4 | 1999-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001028333A true JP2001028333A (ja) | 2001-01-30 |
| JP4151934B2 JP4151934B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=8240302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000172847A Expired - Fee Related JP4151934B2 (ja) | 1999-06-11 | 2000-06-09 | リソグラフィ投影装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6413701B1 (ja) |
| JP (1) | JP4151934B2 (ja) |
| KR (1) | KR100563769B1 (ja) |
| DE (1) | DE60030204T2 (ja) |
| TW (1) | TW594426B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012175104A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Asml Netherlands Bv | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法 |
| WO2014084060A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 京セラ株式会社 | 載置用部材およびその製造方法 |
| US9442395B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100579603B1 (ko) * | 2001-01-15 | 2006-05-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 |
| US6836316B2 (en) * | 2001-07-26 | 2004-12-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate holding apparatus and exposure apparatus using the same |
| EP1491953A1 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1491962B1 (en) * | 2003-06-23 | 2008-02-13 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| KR100763532B1 (ko) * | 2006-08-17 | 2007-10-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 지지장치, 웨이퍼 노광 장치 및 웨이퍼 지지방법 |
| WO2012103967A1 (en) * | 2011-02-01 | 2012-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP3073521B1 (en) * | 2013-11-22 | 2022-04-20 | Kyocera Corporation | Electrostatic chuck |
| US20220075279A1 (en) * | 2019-02-08 | 2022-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Component for Use in a Lithographic Apparatus, Method of Protecting a Component and Method of Protecting Tables in a Lithographic Apparatus |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521584A (ja) | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Nikon Corp | 保持装置 |
-
2000
- 2000-05-25 TW TW089110143A patent/TW594426B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-06-01 DE DE60030204T patent/DE60030204T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-09 KR KR1020000031532A patent/KR100563769B1/ko active IP Right Grant
- 2000-06-09 US US09/590,295 patent/US6413701B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-06-09 JP JP2000172847A patent/JP4151934B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| US10018924B2 (en) | 2011-02-18 | 2018-07-10 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| JP2012175104A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Asml Netherlands Bv | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法 |
| JP2014225669A (ja) * | 2011-02-18 | 2014-12-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 基板ホルダ、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び基板ホルダの製造方法 |
| US9256139B2 (en) | 2011-02-18 | 2016-02-09 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US10245641B2 (en) | 2012-02-03 | 2019-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US9507274B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-11-29 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
| US9737934B2 (en) | 2012-02-03 | 2017-08-22 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
| US9442395B2 (en) | 2012-02-03 | 2016-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US10875096B2 (en) | 2012-02-03 | 2020-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
| US10898955B2 (en) | 2012-02-03 | 2021-01-26 | Asme Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US11235388B2 (en) | 2012-02-03 | 2022-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US11376663B2 (en) | 2012-02-03 | 2022-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
| US11628498B2 (en) | 2012-02-03 | 2023-04-18 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder |
| US11754929B2 (en) | 2012-02-03 | 2023-09-12 | Asml Netherlands B.V. | Substrate holder and method of manufacturing a substrate holder |
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| WO2014084060A1 (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 京セラ株式会社 | 載置用部材およびその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60030204D1 (de) | 2006-10-05 |
| JP4151934B2 (ja) | 2008-09-17 |
| TW594426B (en) | 2004-06-21 |
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| KR20010029788A (ko) | 2001-04-16 |
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