KR100532522B1 - 척, 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 정전기력에 의하여 물체를 지지테이블상에 유지시키기 위해 사용되는 척에 있어서,상기 물체는,- 리소그래피 투영기술을 채택하는 디바이스제조에서 처리될 기판; 또는- 리소그래피 투영장치, 마스크 검사 또는 세정장치와 같은 마스크핸들링장치 또는 마스크제조장치내의 리소그래피 투영마스크 또는 마스크블랭크이며,상기 척은 제1절연부재를 포함하고,상기 물체를 향하는 상기 절연부재의 한 면에 복수의 핀이 제공되고, 적어도 각각의 상기 핀은 상기 물체와 접촉하는 표면상에 1이상의 전도층을 가지고, 상기 전도층은 10Ωm미만의 고유저항을 갖는 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항에 있어서,상기 전도층은 200nm 미만의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전도층은 비금속성(non-metallic)인 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항에 있어서.상기 핀은 상기 절연부재의 깊이를 관통하고 전도성부재에 접속되는 전도성 핀인 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항에 있어서,상기 핀은, 상기 물체를 향하는 상기 제1절연부재의 표면상에 장착된 전도성 핀인 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연부재의 두께는 50㎛ 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 물체와 접촉하는 상기 핀의 표면적은 상기 절연부재의 전체 면적의 4% 미만인 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핀은 상기 절연부재의 표면으로부터 2㎛ 내지 10㎛만큼 돌출하는 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핀은 0.15mm 내지 0.5mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 핀은 2mm 내지 15mm로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 척.
- 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 물체를 향하는 상기 절연부재의 표면에는 전도층이 제공되는 것을 특징으로 하는 척.
- 리소그래피 투영장치에 있어서,- 방사선투영빔을 공급하는 방사선시스템;- 소정의 패턴에 따라 투영빔을 패터닝시키는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체;- 기판을 잡아주는 기판테이블;- 기판의 타겟부상으로 패턴빔을 투영시키는 투영시스템;- 상기 지지구조체 또는 상기 기판테이블상에 있는 제1항, 제2항, 제4항 및 제5항 중의 어느 한 항에 따른 척; 및- 상기 척의 상기 절연부재에 걸쳐 전위차를 인가하여 클램핑력을 생성하는, 최소한 제1전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 투영장치.
- 디바이스 제조방법에 있어서,- 적어도 부분적으로는 방사선감응재의 층으로 덮인 기판을 제공하는 단계;- 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;- 패터닝 수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;- 방사선감응재층의 타겟부상에 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계;- 상기 기판테이블에 상기 기판을 유지시키기 위하여, 제1절연부재를 포함하는 정전기 척을 제공하는 단계;- 상기 절연부재의 제1면상에 상기 기판을 위치설정하는 단계; 및- 제1전극과 제2전극 사이에 전위차를 인가함에 따라 상기 절연부재에 걸쳐 전위차를 인가하여 상기 기판상에 클램핑력을 생성하는 단계를 포함하여 이루어지고,상기 절연부재의 상기 제1표면은 복수의 핀을 가지고, 각각의 상기 핀은 상부 외측표면상에 형성되는 1이상의 전도층을 가지며, 상기 전도층은 10Ωm미만의 고유저항을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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