CN103415812B - 静电夹具、光刻设备和器件制造方法 - Google Patents

Abstract

一种用于将物体(W)保持在支撑台(WT)上的静电夹具(10)，所述静电夹具包括：多层膜(200)，包括限定在导电层中(230)的电极，所述导电层定位在电绝缘层(210、220)之间。

Description

静电夹具、光刻设备和器件制造方法

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年3月17日递交的美国临时申请61/453,719的权益，通过引用将其全部内容并入本文中。而且本申请还要求于2011年5月27日递交的美国临时申请61/490,682的权益，并且通过引用将其全部内容并入本文中。

技术领域

本发明涉及光刻设备、静电夹具和器件制造方法。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路（IC）的制造。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模板的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯）上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

已广泛地承认光刻术是IC和其它器件和/或结构制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成为使得能够制造微型的IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。

通过如等式（1）中所示出的分辨率的瑞利准则来给出图案印刷的限制的理论估计：

$\mathrm{CD}=k_1*\frac{\mathrm{\λ}}{{\mathrm{NA}}_{\mathrm{PS}}}---\left(1\right)$

其中，λ是所使用的辐射的波长，NA_PS是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于过程的调整因子，也称为瑞利常数，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸（或临界尺寸）。从等式（1）可以得出，可以以三种方式实现减小特征的最小可印制尺寸：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA_PS或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印制尺寸，已经提出了使用极紫外（EUV）辐射源。EUV辐射源配置成输出大约13nm的辐射波长。因此，EUV辐射源构成了迈向实现小特征印制的重要步骤。这样的辐射被称为极紫外或软x射线，可行的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源或来自电子存储环的同步加速器辐射。伴随着有用的EUV带内辐射，EUV辐射源可以产生几乎相等的（有时更多的）不期望的带外红外（“IR”）和深紫外（“DUV”）辐射。

在光刻设备中，衬底被非常刚性地保持在衬底台上，使得其位置即使在衬底台在其扫描运动期间经历高的加速度时也能够被精确地知道。在已有的机器中，衬底保持器或卡盘包括由壁围绕的带突起的表面。衬底停留在壁和突起上，在其后面的空间被抽真空使得上方的空气压强提供了将衬底保持在合适位置的强的夹持力。这样的衬底保持器的进一步的细节可以在通过引用而包括在本文中的EP-A-0,947,884中找到。

上文类型的衬底保持器已经证明对于当今的光刻设备是有效的。然而，如上文所述的为了满足对于使尺寸减小的特征成像的经常存在的需求，需要减小用于投影束的辐射的波长。因此，虽然当前的装置使用紫外辐射，例如具有248nm、193nm或157nm的波长，但是改善的分辨率要求开发利用极紫外（EUV）辐射（即具有小于约50nm的波长）、x射线、电子或离子的光刻设备。这些被提出的类型的辐射都共同具有束路径或束路径的至少大部分必须保持在真空中的要求。因此，在衬底上方没有任何空气压强的情况下，传统的基于真空的衬底保持器不能发挥作用。

类似的要求还需要在掩模写入、掩模清洁和掩模检查设备中被满足，因此卡盘遭受了与光刻投影设备相同的问题。

因此，已经提出使用静电力利用静电卡盘将衬底保持在衬底台上。为实现其，电势差被横跨介电材料用电极施加。在这样的静电卡盘（或夹具）的一个示例中，电势差被施加在衬底上的电极与衬底台上或中的电极之间。当电势差被施加时，衬底的电极和所述衬底台的电极变成带相反电荷，并且用足够的力彼此吸引以将衬底夹持在合适位置。

US2002/0044267公开了包括由玻璃ULE^(TM)制造的压盘的保持器，保持器设置在该压盘上。保持器可以是如例如在US5,221,403,US5,835,333或US5,835,334中所公开的静电卡盘。

EP-Al-1,359,469公开了使用具有特定性质的电介质，并建议使用玻璃或玻璃陶瓷。

WO2011/001978和EP-A1-1,909,308公开了根据权利要求1的前序部分所述的静电夹具。

发明内容

制造具有插入的电极的玻璃或玻璃陶瓷或陶瓷的叠层是困难的，并且因此由于低产率而是昂贵的，这也导致了长的交付周期。

例如期望减小静电夹具的复杂性和/或使得静电夹具的制造更容易。

根据本发明的实施例，提供了一种用于将物体保持在支撑台上的静电夹具，所述静电夹具包括：多层膜，包括限定在导电层中的电极，所述导电层定位在电绝缘层之间；和芯体构件，所述多层膜能够通过施加电势差而保持在芯体构件上，其特点在于，所述芯体构件包括具有多个突起的表面，所述多层膜包括多个通孔，使得所述多层膜能够定位在所述表面上，且所述突起延伸通过所述通孔。

根据本发明的实施例，提供了一种器件制造方法，包括以下步骤：使用掩模赋予投影束图案和将图案化的投影束投影到衬底上，其中所述掩模被掩模台保持，并且所述衬底被衬底台保持，其中所述掩模和衬底中的至少一个被通过横跨多层膜中的电绝缘层施加电势差而保持至它们各自的台，所述多层膜包括限定在定位在电绝缘层一侧上的导电层中的电极和定位在所述导电层的另一侧上的另一电绝缘层，以及通过施加电势差以将多层膜保持在芯体构件上，其特点在于，所述芯体构件包括具有多个突起的表面，所述多层膜包括多个通孔，使得所述多层膜能够定位在所述表面上，且所述突起延伸通过所述通孔。

本发明的各特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作在下文被参考附图详细描述。本发明不限于此处所述的具体实施例。在此处呈现出这样的实施例，仅是为了说明的目的。基于此处包含的教导，相关领域的技术人员将清楚另外的实施例。

附图说明

现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中：

图1示出了根据本发明实施例的光刻设备；

图2示出了根据本发明实施例的静电夹具的横截面视图；和

图3示出了根据本发明实施例的多层膜的平面视图。

在结合附图时通过下面阐述的详细说明，本发明的特征和优点将变得更加清楚，在附图中相同的附图标记在全文中表示对应元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能类似的和/或结构类似的元件。

具体实施方式

图1示意地示出了光刻设备的一个实施例，其可以是或包括本发明的一个实施例。所述设备包括：照射系统（照射器）IL，其配置成调节辐射束B（例如EUV辐射）；支撑结构或图案形成装置支撑结构（例如掩模台）MT，其构造用于支撑图案形成装置（例如掩模或掩模版）MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台（例如晶片台）WT，其构造用于保持衬底（例如涂覆有抗蚀剂的晶片）W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统（例如反射式投影透镜系统）PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C（例如包括一根或更多根管芯）上。

照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

所述支撑结构MT保持图案形成装置MA，以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上（例如相对于投影系统）。

术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分中形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示（LCD）面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

术语“投影系统”可以包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射及折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。可能期望将真空用于EUV或电子束辐射，这是因为其他气体可能吸收太多的辐射或电子。因此，真空环境可以在真空壁和真空泵的帮助下被提供至整个束路径。

如这里所示的，设备是反射型的（例如采用反射掩模）。可选地，设备可以是透射型的（例如采用透射掩模）。

光刻设备可以是具有两个（双台）或更多衬底台（和/或两个或更多的掩模台）的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO可以是辐射系统3的一部分（即辐射产生单元3）。辐射系统3和所述光刻设备可以是分立的实体。在这种情况下，不会将该辐射系统3看成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束从所述辐射系统3的源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分。

可以以多种方式配置辐射系统3的源SO。例如，源SO可以是激光产生等离子体源（LPP源），例如锡LPP源（这样的LPP源本身是已知的）或放电产生等离子体源（DPP源）。所述源SO还可以是不同类型的辐射源。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围（一般分别称为σ-外部和σ-内部）进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束B入射到保持在支撑结构（例如，掩模台MT）上的所述图案形成装置（例如，掩模）MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置（例如，掩模）MA反射后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2（例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器）的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置（例如，掩模）MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置（例如，掩模）MA和衬底W。

示出的设备可以用于下列模式中的至少一种：

1.在步进模式中，在将支撑结构（例如掩模台）MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上（即，单一的静态曝光）。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。

2.在扫描模式中，在对支撑结构（例如掩模台）MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上（即，单一的动态曝光）。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的（缩小）放大率和图像反转特征来确定。

3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构（例如掩模台）MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置（例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列）的无掩模光刻术中。

可以采用上述使用模式的组合和/或变化或完全不同的使用模式。

图2示出了本发明的静电夹具10的横截面放大视图。静电夹具10用于将衬底W保持在光刻投影设备或衬底处理器（例如在真空预对准器中）中的衬底台WT上。在其它实施例中，静电夹具10可以用于将掩模保持到光刻投影设备或掩模处理器中的掩模台上。

静电夹具10包括三个主要部件，即第一膜200、芯体100和第二膜300。其它的夹具设计是可行的。可选地，金属载体（例如金属箔或金属板）可以为了制造和处理的原因而成为静电夹具的一部分。这具有静电夹具更具更加鲁棒性的优点。

第一膜200和第二膜300是多层膜。所述膜被利用诸如旋涂、溅射、喷涂、（丝网）印刷、化学气相沉积（CVD）等膜技术制造。

典型地，膜200、300是柔性的，意味着它们的刚度不足以支撑它们自身的重量。例如，所述材料的杨氏模量相对低，所述层的厚度相对小，使得所述膜能够在自身重量下变形。

典型地，膜200、300可以以类似于用于电子电路的柔性膜（诸如柔性PCB）或柔性箔（诸如从例如瑞士Lenzburg的HIGHTEC MC AG销售的商标名为的柔性箔）的方式制造。

第一和第二膜200、300包括夹在电绝缘层210,220,310,320之间的导电层230,330。导电层230,330可以被图案化，使得导电层限定了在平面视图中具有期望形状的一个电极或多个电极（或导电路径）。可以根据需要使用更多的层。例如，通过绝缘层分离开的并且夹在两个外绝缘层之间的两个或更多的导电层可能在特定的情形中是期望的。

芯体100可以由导电材料制造，例如导电陶瓷。通过在导电层230、芯体100和导电层330之间施加适合的电压，第一膜可以被吸引至芯体100和衬底W，并且第二膜可以被吸引至芯体100和衬底台WT。以这种方式，衬底W可以被保持至衬底台WT。

在实施例中，芯体100可以包括一个或更多的电极，和/或衬底台WT可以包括一个或更多的电极。然而，优选的是，衬底W和衬底台WT不需要包括用于产生期望的吸引力的电极。这可能需要在每一导电层230,330中限定多于一个的电极。其被实现的一种方式被在例如EP-Al-1,359,469中描述，在此通过引用将其全部内容并入本文中。

第一和第二膜200、300的绝缘层210,220,310,320可以由聚合物材料或塑料材料制造。在一个实施例中，绝缘层210,220,310,320由聚酰亚胺制造，例如聚(4,4'-氧乙烯-均苯四酰亚胺)（poly(4,4'-oxydiphenylene-pyromellitimide)），其商标名为由DuPont销售。

在实施例中，第一和第二膜每个具有150μm或更小的总厚度。在一实施例中，第一和第二膜200、300每个的总厚度大于15μm。在一实施例中，第一和/或第二膜200、300可以成超薄柔性膜（箔）的形式（厚度范围20-50μm）。例如，超薄柔性箔可以是膜，其由瑞士Lenzburg的HIGHTECH MC AG销售。这样的膜用在微电子中。该膜被利用旋涂绝缘层210、220和溅射导电层230来制造。这些过程允许实现好的厚度均匀性，其是重要的，这是因为静电力（其期望地在衬底W的区域上是大致均匀的）依赖于导电层230,330和所吸引的部件（例如用于第一膜200的衬底W和芯体100以及用于第二膜300的芯体100和衬底台WT）之间的有效间隙的变化而变化，并且其随着绝缘层210,220,310,320的厚度的变化而变化。通过利用膜，总厚度的厚度均匀性是+/-1.5-2μm。

构成所述膜的每个电绝缘材料层可以厚度为7-8μm。膜200、300可以包括两个（或更多的）电绝缘材料（例如聚酰亚胺）层，以形成总厚度为大约15μm的电绝缘层210,310。导电层230之后通过溅射形成，并且可以是几百纳米（例如厚度200nm）厚。导电层230可以由多个层（例如TiCuTi或NiCr）构成。在溅射期间，掩模可以被使用，由此将图案赋予所沉积的金属。以这种方式，电极可以被限定在导电层230中。在导电层顶部上的两个或更多的另外的电绝缘层可以被沉积以形成第二电绝缘层220,320，并由此封装导电层。

这样的薄柔性箔的制造可以以几种方式完成。例如使用产品/过程载体（可移除的/不可移除的、厚/薄、柔性/刚性）或膜产品（旋涂）直接到晶片台（或夹具）上。在这些不同的情形中，终端产品可以是不同的，例如是单独的柔性膜、在载体上的柔性膜或集成到晶片台上的柔性膜。

超薄柔性箔的聚合物材料或塑料材料可以是聚酰亚胺。聚酰亚胺承受施加至电极的高电压（聚酰亚胺需要是密封的（例如不形成有任何针孔）并且具有好的长期的物理性质）。另外，其它材料（或不同材料的组合）可以用作绝缘层，例如BCB或帕利灵（Parylene）。上述材料的组合也可以用作绝缘层。例如，聚酰亚胺和BCB的组合可以用作绝缘层。使用超薄柔性膜的优点是增大夹具的简化程度、使夹具的制造容易以及能够形成一体的互连（参见下文）。也就是，柔性膜的形成比将玻璃或玻璃陶瓷或陶瓷部件结合在一起、或将玻璃或玻璃陶瓷或陶瓷部件结合至电极更容易。另外，超薄柔性膜的制造便宜得多。

在可替代实施例中，第一和/或第二膜200、300可以由标准柔性PCB材料制造，诸如由比利时的Tessenderlo的Electronic Apparatus NV销售的柔性PCB材料。在实施例中，这样的柔性PCB材料包括由PCB供应商所使用的标准工艺（例如湿法刻蚀工艺，在其后是热层压（压制）工艺以胶合/层压多个柔性的Cu覆层在一起）制造的聚酰亚胺、聚酯、PTFE、LCP薄片。这样的柔性PCB材料由DuPont销售。典型地，柔性PCB可以被供应为层（聚酰亚胺，例如聚(4,4'-氧乙烯-均苯四酰亚胺)），且导电层在顶部。聚酰亚胺层可以是25-150μm厚，导电层（例如铜）可以是9-70μm厚。标准技术可以用于将图案赋予铜，由此限定电极。最终，覆盖层（例如另一聚酰亚胺层）可以被胶合至铜层上，以形成上电绝缘层。粘结剂被施加在一侧上的层被商业销售，用于总厚度在25和125μm（典型地约50μm）之间的覆盖层。其可以被胶粘到图案化的导电层的顶部上，由此形成包括一电绝缘层、一粘结剂层、一导电层和一电绝缘层的多层膜。在这一实施例中，膜200、300的总厚度最终通常约为100-120μm，但是可以在从60μm至数百μm的范围内。

在实施例中，电绝缘层的聚合物或塑料材料的杨氏模量等于或小于10GPa，优选地等于或小于5GPa。聚酰亚胺的杨氏模量大约为2.5GPa，这是可以与的杨氏模量67GPa相比的。

在实施例中，如图2中所示，第一膜200在使用中被定位在芯体100的顶表面110上。第二膜300被定位在芯体100的底表面130和衬底台WT之间。

在实施例中，芯体100的顶表面110包括多个突起120。在第一膜200中的多个通孔235在平面视图中在位置上与突起120的位置相对应。由此，第一膜200可以被放置在芯体100的顶表面110上。之后突起120通过通孔235突出。突起120被使得从顶表面110延伸超过第一膜200的总厚度的距离。以这种方式，衬底W停留在突起120的顶部上，且第一膜200定位在衬底W的底表面和芯体100的顶表面110之间。

在实施例中，类似的布置被用在芯体100的底表面130上。也就是说，突起设置在芯体100的底表面130上并且对应的通孔设置在第二膜300中。然而，这不是必须的。如图2所示，在实施例中，芯体100的底表面130不包括突起，芯体100不接触衬底台WT。

如图2所示，通道140设置在芯体100中。通道140用于提供热调节液体从其中通过。这样的热调节液体可以用于帮助保持芯体100在恒定的温度。

在实施例中，用于提供气体从其中通过的通道150可以设置在芯体100中。通道150可以是用于提供在突起120和衬底W之间的回填气体。第一膜200可以在其中具有孔，以允许回填气体通过以到达第一膜200和衬底W之间的区域。这样的回填气体可以通过避免污染物进入到衬底W和突起120之间而提高清洁度，和/或可以用于改善衬底W上的热分布。

在本发明中利用柔性膜的另一优点是细长的部分250、350可以被设置成与膜200、300的剩余部分一体。细长部分可以用作导电层230、330和在远离夹具10的电压源之间的电连接252（例如互连）。也就是，替代利用以某种方式连接至电极和电压源的柔性电线（该电线需要是柔性的，这是因为衬底台WT在光刻设备中移动），其可以替代分离的电线而使用多层膜200、300的组成部分。

在图3中更加清楚地显示出细长部分250、350。图3是第一膜200的平面视图。细长部分250可以被制成任何形状，并且可以用于提供在远离夹具10的电压源和限定在导电层中的电极232之间的电连接252。由于膜200的柔性属性，细长部分250可以弯曲到平面外面（outof plain）。

导电层在其中以一体的方式限定了电极232和电连接252两者。电连接252通过在细长部分250中的电绝缘层220、210的部分与周围电绝缘。细长部分250中的电绝缘层220、210的部分与将电极232绝缘的对应的电绝缘层210、220是一体的。

如图3所示，通孔235被设置用于突起120通过其突出。示出了较大尺寸的另外的通孔245。这些可以用于也从衬底台WT延伸通过芯体100和第二膜300的销。这些销可以用于在曝光后提升起衬底W。

虽然未在图3中清楚地示出，但是电极232可以不一直延伸到通孔235的边缘，使得电极232的边缘被完全包含在膜200内并且不在通孔235的边缘处暴露至外面。这在图2中通过导电层230不一直延伸至通孔235的边缘的事实显示出。

虽然仅在图3的膜200中显示出单个电极232和电连接252，但是这不是必须的并且可以设置任何数量的电极232和电连接252。在实施例中，为了避免提供电连接至衬底的需要，两个电极232限定在导电层230中且两个对应的电连接252被设置。

在实施例中，导电路径可以限定在导电层230中，并且可以在相对的端部连接至电连接252。以这种方式，导电路径可以用作加热器（通过使电流从其通过）和/或可以用作传感器（通过例如检测其电阻的变化）。所述膜之后可以被施加（例如通过粘结）至光刻设备的部件的任何表面，并且可以用作加热器和/或传感器。可能从局部加热器和/或局部传感器受益的示例部件是光学系统的反射镜或其它光学元件或卡盘的表面。

使用用于电极的电连接的细长部分250的优点是减小了重量，其导致了更好的动力学。另外，膜的使用，尤其是由聚合物材料或塑料材料制成的膜的使用相比于用于同一部件的玻璃或玻璃陶瓷或陶瓷材料的使用，减小了重量。

虽然在本文中做出了具体的参考，将光刻设备用于制造IC，但是应该理解，这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器（LCD）、薄膜磁头等。

虽然上文已经做出了具体参考，将本发明的实施例用于光学光刻术的情形中，但应该注意到，本发明可以用在其它的应用中，例如压印光刻术，并且只要情况允许，不局限于光学光刻术。

这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外辐射（UV）（例如具有或约为365、355、248、193、157或126nm的波长）和极紫外（EUV）辐射（例如具有在5-20nm范围内的波长），以及粒子束，例如离子束或电子束。

尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。

上面的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域技术技术人员应该清楚的是，在不背离下文所附的权利要求的范围的情况下可以对所述的本发明进行修改。

应当理解，在本申请中，术语“包括”不排除其他元件或步骤。另外，每个术语“一个”或“一”不排除多个。在权利要求中的任何参考标记不应当解释成限制权利要求的范围。

Claims (19)

1.一种用于将物体保持在支撑台(WT)上的静电夹具(10)，所述静电夹具(10)包括：

多层膜(200)，所述多层膜包括限定在导电层(230)中的电极，所述导电层定位在电绝缘层(210，220)之间；和

芯体构件(100)，所述多层膜(200)能够通过施加电势差而保持在芯体构件(100)上，

其特征在于，

所述芯体构件(100)包括具有多个突起(120)的表面(110)，所述多层膜(200)包括多个通孔(235)，使得所述多层膜(200)能够定位在所述表面(110)上，且所述突起(120)延伸通过所述通孔(235)。

2.根据权利要求1所述的静电夹具(10)，其中所述电绝缘层(210、220)由聚合物材料或塑料材料制造。

3.根据权利要求2所述的静电夹具(10)，其中所述电绝缘层(210、220)由聚酰亚胺制造。

4.根据权利要求3所述的静电夹具(10)，其中所述电绝缘层(210、220)由聚4,4'-氧乙烯-均苯四酰亚胺制造。

5.根据前述权利要求中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述电绝缘层(210、220)由杨氏模量等于或小于10GPa的材料形成。

6.根据权利要求5所述的静电夹具(10)，其中所述杨氏模量等于或小于5GPa。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述多层膜(200)的厚度为150μm或更小。

8.根据权利要求7所述的静电夹具(10)，其中所述多层膜(200)的厚度在25至125μm之间。

9.根据权利要求7所述的静电夹具(10)，其中所述多层膜(200)的厚度在20至50μm之间。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述多层膜(200)包括细长部分(250)，所述细长部分(250)包括用于将电极电连接至远离所述静电夹具的电压源的电连接，所述电连接是导电层(230)的一体部分，并且通过为所述电绝缘层(210、220)的一体部分的绝缘体电绝缘。

11.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述导电层(230)是溅射层，和/或其中所述电绝缘层(210、220)中的至少一个是旋涂层。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述芯体构件(100)是导电构件并且在所述电极和芯体构件(100)之间的电势差的施加导致了在所述芯体构件(100)和所述电极之间的静电吸引力。

13.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述芯体构件(100)具有限定在其中的通道(140)，所述通道用于热调节液体从其中通过。

14.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，其中所述芯体构件(100)具有限定在其中的多个通道(150)，所述多个通道用于在所述物体和所述多层膜(200)之间引导的气体从其中通过。

15.根据权利要求1-4中任一项所述的静电夹具(10)，还包括另外的多层膜(300)，所述另外的多层膜包括限定在电绝缘层(310、320)之间的导电层(330)中的电极。

16.一种光刻投影设备，包括用于保持物体的支撑台(WT)和用于将物体保持在支撑台上的根据前述权利要求中任一项所述的静电夹具。

17.根据权利要求16所述的光刻投影设备，其中所述物体是衬底(W)。

18.根据权利要求16所述的光刻投影设备，其中所述物体是掩模(MA)。

19.一种器件制造方法，包括以下步骤：

使用掩模(MA)将图案赋予投影束(B)和将图案化的投影束投影到衬底(W)上，其中所述掩模(MA)被掩模台(MT)保持，并且所述衬底(W)被衬底台(WT)保持，其中所述掩模(MA)和衬底(W)中的至少一个被通过横跨多层膜的电绝缘层(210、220)施加电势差而保持至它们各自的台，所述多层膜包括限定在定位在电绝缘层(210、220)一侧的导电层(230)中的电极和定位在所述导电层(230)的另一侧的另一电绝缘层(210、220)，以及通过施加电势差以将多层膜(200)保持在芯体构件(100)上，

其特征在于，所述芯体构件(100)包括具有多个突起(120)的表面(110)，所述多层膜(200)包括多个通孔(235)，使得所述多层膜(200)能够定位在所述表面(110)上，且所述突起(120)延伸通过所述通孔(235)。