JP2012078562A - マスクケースおよびマスクの洗浄方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを提供する。
【解決手段】内部空間にフォトマスクが収納されるケースである。前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部(5)を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔(7)およびガス流出孔(8)が設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図1

Description

本発明は、集積回路などの製造工程で使用されるレチクルなどのフォトマスクを保管、運搬するために用いるマスクケースに関する。
シリコンウェハ上に集積回路パターンを描画するフォトリソグラフィ技術においては、LSIの高集積化に伴なって、より狭い線幅で微細な回路パターンを露光するための技術が要求されている。これに対応するために、露光光源の短波長化が進められている。最近では、約13.5nmのEUV(Extreme Ultra−Violet)光を真空中で照射する技術が開発されている。
こうした短波長の光を真空中でマスクに照射すると、雰囲気中の微量な有機化合物に作用し、結果としてマスク表面に有機化合物の膜が形成される。有機化合物の膜がマスク表面に存在すると、マスクに入射した光の反射、または透過が阻害されることがEUV光リソグラフィにおいて問題となっている。
なお、照射される光の波長が極めて短いことから、EUVマスクは、現在のところペリクルを設けてパターン面を保護することができないとされている。また、マスクの表面には極めて微細な回路パターンが設けられており、洗浄中に微細な塵(例えば1.0μm以下)が付着しても、シリコンウェハに形成する回路パターンの品質劣化が生じる。
マスク表面から、揮発性有機化合物を除去するマスクケースが提案されている(例えば、特許文献1参照)。光触媒機能膜が設けられたケースであり、ケース内にマスクを設置した状態でマスク表面から揮発した揮発性有機化合物を、光触媒機能膜の光触媒作用によって除去することができる。
このように、マスク表面に付着した汚染物質が揮発する場合には容易に除去することができる。しかしながら、EUVマスクの表面に付着した有機化合物は高密度な膜を形成し、光触媒機能膜では除去することが困難である。
特開2005−56991号公報
本発明の目的は、フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケース、およびこのマスクケースを用いたマスクの洗浄方法を提供することにある。
本発明の第1側面によると、内部空間にフォトマスクが収納されるケースであって、前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔およびガス流出孔が設けられていることを特徴とするマスクケースが提供される。
本発明の第2側面によると、トレイおよび蓋を具備し、内部空間にフォトマスクが収納されるケースであって、前記トレイは、前記フォトマスクを保持する保持部を内面に有するとともに、前記内部空間内に真空紫外光を透過させる真空紫外光透過部が、前記保持部に保持されるフォトマスクに対向する底面に設けられ、前記蓋は、前記真空紫外光の作用により酸素ラジカルを生じて有機化合物を分解するガスを前記内部空間に導入するガス流入孔と、前記有機化合物の分解生成物ガスを前記内部空間から導出するガス流出孔とが設けられていることを特徴とするマスクケースが提供される。
本発明の第3側面によると、有機化合物を除去してフォトマスクを洗浄する方法であって、前述のマスクケースに収納されたフォトマスクを準備する工程、前記底面の真空紫外光透過部を通して前記フォトマスクに向けて真空紫外光を照射するとともに、前記真空紫外光の作用により酸素ラジカルを生じて有機化合物を分解するガスを前記ガス流入孔から導入して、前記内部空間に酸素ラジカルを発生させる工程、および、前記酸素ラジカルにより前記有機化合物を分解し、生じた分解生成物を前記ガス流出孔から外部に導出する工程を具備することを特徴とするマスクの洗浄方法が提供される。
本発明によると、フォトマスクへの塵の付着を抑制しつつ、フォトマスク表面に付着した有機化合物を除去可能なマスクケースを実現することができ、このマスクケースに収納した状態でマスクの洗浄を行なうことができる。
一実施形態にかかるマスクケースの構造を示す断面図。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
部材の表面に有機化合物が付着して形成された高密度な膜は、酸化反応または還元反応を生じさせて有機化合物を分解することによって、部材表面から除去することができる。例えば、酸化反応を利用した洗浄としては、酸素と紫外光とによって生成される酸素ラジカルを利用した洗浄方法が挙げられる。一方、還元反応を利用した洗浄としては、水素ラジカルを利用した洗浄が挙げられる。
鋭意検討した結果、本発明者らは、酸化ラジカルを利用して表面の有機化合物を除去してマスクの洗浄を容易に行なうことができるマスクケースを見出した。
図1は、本実施形態によるマスクケースの構造の一例を示す断面図である。図示するマスクケース10は、マスクが載置されるトレイ4と、このトレイを覆う蓋3とから構成される。図示していないが、トレイ4と蓋3とは、クランプなどの手段を用いて固定することができる。
トレイ4は、マスクを保持する保持部6が内面に設けられ、真空紫外光透過部5を底面に有する。ここで、トレイ4における真空紫外光透過部5以外の領域を、フレーム部4aと称する。
トレイ4のフレーム部4aおよび保持部6は、発ガスが少なく生成した酸素ラジカルに対して耐性を有する材料を用いて構成することが望まれる。フレーム部4aおよび保持部6の材質は、例えばアルミニウム、およびステンレススチールのような金属とすることができる。合成石英ガラスを用いてもよいが、作製が容易な点で金属が好ましい。金属としては、さらに、Cu、Au、Ag、およびCr等が挙げられる。また、AlとSc、Nb、Zr、Hf、Nd、Ta、Cu、Si、Cr、Mo、Mn、Ni、Pb、Pt等の遷移元素との合金等を用いることもできる。
マスク1は、図1に示されるように、有機化合物が付着したパターン面2を下向きにした状態で、トレイ4の保持部6に保持される。保持体6とマスク1とは、双方向での擦れによる摩擦が発生しないように接触させることが望まれる。保持体6とマスク1とを点接触または線接触することによって、これを達成することができる。ここで、点接触とは、保持体6とマスク1とが、マスク端面の面取り部を長さ5mm程度で保持した状態であることを意味し、線接触とは両者がマスク端面の面取り部を長さ50mm程度で保持した状態であることを意味する。
保持体6は、例えばトレイ4の四つ角に設けることができる。この場合、保持体6は、マスクの四つ角部と接触してマスクを保持するよう構成される。マスク1を保持体6に置いた際、マスク1の角のみが保持体6と接するように保持体6の角は斜めにカットされていることが好ましい。マスクと保持体の接触する部分をできるだけ少なくすることにより、マスク表面の粒子状汚染物質などによる汚染を防止できる。マスクを保持することが可能であれば、保持体6の大きさは、光を照射できる範囲を広くするためできる限り小さい方が好ましい。
パターン面2を下向きにしたマスク1が配置された内部空間に向けて真空紫外光が照射できるように、真空紫外光透過部5がトレイ4の底面に設けられる。この真空紫外光透過部5は、例えば、波長172nmの真空紫外光源に対して十分な透過率を有する材料により構成することが好ましい。具体的には、合成石英ガラスを用いて、真空紫外光透過部5を形成することができる。
マスク表面に付着した有機化合物を除去する際には、真空紫外光透過部5を通して、マスクケース内に真空紫外光が照射される。真空紫外光透過部5の厚さが大きくなると、内部に到達する真空紫外光の強度が低下することが予測される。したがって、機械的強度が保たれる範囲内であれば、真空紫外光透過部5はできるだけ薄いことが好ましい。一般的には、真空紫外光透過部5の厚さが6mm以上であれば、十分な機械的強度を確保することができる。真空紫外光透過部5の厚さは、照射される真空紫外光の強度等に応じて、適切な範囲に設定択することが望まれる。
トレイ4内には一般的なサイズのマスクが収容されるので、トレイ4の底面の真空紫外光透過部5は、マスクと同程度のサイズであることが望まれる。真空紫外光透過部5のサイズがマスク1と同程度の場合には、トレイ4の内面に設けられた保持部6は、真空紫外光透過部の上方に達していることになる。具体的には、真空紫外光透過部5のサイズは、縦横ともに160mm以上であることが好ましい。真空紫外光透過部5の形状についても、マスクと同様の形状、例えば正方形状であることが好ましい。
トレイ4のフレーム部4aおよび保持部6と同様、トレイを覆う蓋3も、発ガスが少なく生成した酸素ラジカルに対し耐性を有する材料を用いて構成することが望まれる。蓋3の材質は、例えばアルミニウム、およびステンレススチールのような金属、および合成石英ガラスから選択することができる。
蓋3の側壁には、ガス流入孔7およびガス流出孔8が設けられる。ガス流入孔7からは、真空紫外光の作用によって酸素ラジカルを生じるガスが導入される。具体的には、酸素を含有するガスであり、真空紫外光に不活性なガスと酸素ガスとの混合ガスとして用いられる。
酸素ガスを含む混合ガスが5〜10L/min程度の流量で流入可能であれば、ガス流入孔7の寸法は特に限定されない。ガス流出孔8の寸法も、同様に適切に設定することが望まれる。
ガス流入孔7には、塵の進入を阻止するためのフィルターを設けることができる。フィルターとしては、例えば、ろ過度0.01μm(捕集効率99.9%以上)のものを用いることができる。真空紫外光の照射により反応して意図しない物質を発生しなければ、任意の材質のフィルターを用いることができる。流出物の逆流を防ぐために、ガス流出孔8にもフィルターを設けることが望まれる。
酸素を含む混合ガスに真空紫外光が照射されることによって、マスク1のパターン面2近傍に酸素ラジカルが生成される。真空紫外光透過部の内面とマスクのパターン面との距離が大きすぎる場合には、パターン近傍で発生する酸素ラジカルの量が不十分となるおそれがある。具体的には、距離が長いと酸素による紫外線吸収によりパターン近傍まで届かず、パターン近傍での酸素ラジカルが不十分となる。
後述するように、酸素ラジカルの発生量は種々の要因に依存し、酸素ラジカルが多すぎる場合にはマスクの劣化を引き起こす原因となる。したがって、適切な量の酸素ラジカルが発生するように、真空紫外光透過部の内面とマスクのパターン面との距離などの条件を適宜選択することが望まれる。
図示するように、トレイ4の下方に配置された真空紫外光光源9から内部空間に向けて真空紫外光を照射し、ガス流入孔7から酸素を含む混合ガスを内部空間に導入して、マスク1のパターン面2に付着した有機化合物を分解することができる。真空紫外光光源9の条件は、例えば、波長157〜180nm程度、出力5〜40mW/cm2程度とすることができる。こうして、マスクケース10に収納された状態で、マスク1の洗浄が行なわれる。
混合ガスにおける酸素ガスの濃度は、真空紫外光源の出力等に応じて適宜決定することができる。体積で40ppm〜20%の範囲内であれば効果が得られることが、本発明者らによって見出された。なお、真空紫外光に不活性なガスとしては、例えば窒素ガスが挙げられる。
マスクケース10の内部空間は、酸素を含むガスで置換されることになる。内部空間に存在する酸素ガスに、真空紫外透過部5を透過した真空紫外光が作用して、酸素ラジカルが生成される。酸素ラジカルは、マスク1のパターン面2に堆積した有機化合物と反応してこれを分解し、CO2ガスが生成する。分解生成物としてのCO2ガスは、ガス流出孔8からマスクケース外に導出される。
有機化合物を効率よく分解するには、適切な量の酸素ラジカルが発生することが望まれる。酸素ラジカルの発生量は、種々の要因によって制御することができる。要因としては、具体的には、ガス流入孔7から導入される混合ガスにおける酸素ガスの濃度、真空紫外光源9の出力、真空紫外光源9の配置される雰囲気、真空紫外光源9と真空紫外光透過体5との間の距離、真空紫外光透過体5とマスク1のパターン面2との間の距離などが挙げられる。
例えば、混合ガスにおける酸素ガスの濃度が高いほど、多量の酸素ラジカルが発生するものの、マスクがダメージを受けるおそれがある。真空紫外光源の出力が大きい場合も同様に、酸素ラジカルを発生量は多くなるが、マスクの劣化が引き起こされるおそれがある。
真空紫外光源が配置される雰囲気が真空であれば、光源から照射された光が減衰することはない。したがって、この場合には、真空紫外光源と真空紫外光透過体との間の距離は特に規定されないことになる。一般的には、真空紫外光源は空気中に配置されることから、真空紫外光透過体までの距離が長くなると光が減衰してしまう。真空紫外光源と真空紫外光透過体とが接触すると、接触痕により紫外光透過量の低下が生じるおそれがあるので、両者が接触しない範囲内で極力接近させることが望まれる。
また、真空紫外光透過体5とパターン面2との間の距離が大きくなれば、パターン面近傍に発生する酸素ラジカルの量は減少する傾向にある。
これらを考慮して、マスク1のパターン面2に付着した有機化合物を分解するのに最適な量の酸素ラジカルが発生するように、適切な条件を選択してマスクの洗浄を行なえばよい。
以下に、マスクケースを用いたマスクの洗浄の具体例を示す。
有機化合物が付着して、パターン面に高密度膜が形成されたEUVマスクを準備した。マスクのサイズは、152mm×152mmである。1×10-5Pa程度の真空環境中でフェナントレンガスを噴射し、次にEB照射を行なうことにより、マスクのパターン面にカーボン系膜を堆積させた。カーボン系膜の膜厚は20nm程度であることが、AFM(Atomic Force Microscope)により確認された。
マスクケースを構成するために、内面に保持部を有するトレイを準備した。保持部およびフレーム部の材質はいずれもステンレススチール製とした。トレイの寸法は、一般的なマスクが収容できる寸法とし、縦250mm、横250mm、深さ30mmである。
トレイの底面には、合成石英ガラスからなる真空紫外透過部を設けた。真空紫外透過部は、保持部に保持されるマスク全面に対応する領域とし、合成石英ガラスの厚さは6mmとした。
こうしたトレイの保持部に前述のマスクを載置した。マスクのパターン面と真空紫外透過部との間隙は、2mmであった。トレイの上には蓋を被せて、図1に示したようにマスクをケース内に収納した。蓋としては、ガス流入孔およびガス流出孔が対向する側面に設けられたステンレススチール製のものを用意した。さらに、クランプによりトレイと蓋とを固定した。
マスクが収納されたケースのトレイにおける真空紫外透過部5の下方には、真空紫外光源を設置した。真空紫外光源と真空紫外透過部との間の距離は1mmとした。この真空紫外光源からは、波長172nmの光が照射される。
所定濃度の酸素を含むガスを、マスクケースのガス流入孔から導入して内部空間を満たした。そこに、波長172nmの光を真空紫外光源から照射して、マスクの洗浄を行なった。導入ガスにおける酸素濃度は、40ppm、5%、および20%とした。導入される混合ガスの流量は、10L/min程度とした。
20分後、ケースからマスクを取り出して、カーボン系膜の状態をAFMにより調べた。その結果、酸素濃度40ppmで1.5nm/min、5%で1.9nm/min、20%で1.5nm/minのカーボン膜減りレートが確認された。
実施形態のマスクケースを用いることによって、ケースに収納した状態でマスクパターン面に堆積した有機化合物の膜を洗浄すること可能となる。
1…マスク; 2…パターン面; 3…蓋; 4…トレイ; 4a…フレーム部
5…真空紫外光透過部; 6…保持部; 7…ガス流入孔; 8…ガス流出孔
9…真空紫外光光源; 10…マスクケース。

Claims (7)

  1. 内部空間にフォトマスクが収納されるケースであって、
    前記フォトマスクに対向する底面に真空紫外光透過部を有し、前記内部空間と連通したガス流入孔およびガス流出孔が設けられていることを特徴とするマスクケース。
  2. トレイおよび蓋を具備し、内部空間にフォトマスクが収納されるケースであって、
    前記トレイは、前記フォトマスクを保持する保持部を内面に有するとともに、前記内部空間内に真空紫外光を透過させる真空紫外光透過部が、前記保持部に保持されるフォトマスクに対向する底面に設けられ、
    前記蓋は、前記真空紫外光の作用により酸素ラジカルを生じて有機化合物を分解するガスを前記内部空間に導入するガス流入孔と、前記有機化合物の分解生成物ガスを前記内部空間から導出するガス流出孔とが設けられていることを特徴とするマスクケース。
  3. 前記ガス流入孔は、前記内部空間への塵の侵入を阻止するフィルターが設けられることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクケース。
  4. 有機化合物を除去してフォトマスクを洗浄する方法であって、
    請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマスクケースに収納されたフォトマスクを準備する工程、
    前記底面の真空紫外光透過部を通して前記フォトマスクに向けて真空紫外光を照射するとともに、前記真空紫外光の作用により酸素ラジカルを生じて有機化合物を分解するガスを前記ガス流入孔から導入して、前記内部空間に酸素ラジカルを発生させる工程、および
    前記酸素ラジカルにより前記有機化合物を分解し、生じた分解生成物を前記ガス流出孔から外部に導出する工程
    を具備することを特徴とするマスクの洗浄方法。
  5. 前記ガス流入孔から導入される前記ガスは、40ppm〜20%の酸素ガスを含有する混合ガスであることを特徴とする請求項4に記載のマスクの洗浄方法。
  6. 前記混合ガスは、前記真空紫外光に不活性なガスを含有することを特徴とする請求項5に記載のマスクの洗浄方法。
  7. 前記真空紫外光は、前記フォトマスクの全面に照射されることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載のマスクの洗浄方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015022150A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 信越化学工業株式会社 フォトマスク関連基板の洗浄方法及びフォトマスク関連基板の製造方法
WO2018048266A1 (ko) * 2016-09-12 2018-03-15 주식회사 다원시스 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법
CN111359113A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 Lg电子株式会社 口罩保管装置及其控制方法
RU2746714C2 (ru) * 2016-11-16 2021-04-19 Зюсс Микротек Фотомаск Эквипмент Гмбх Унд Ко.Кг Держатель для размещения и защиты стороны фотошаблона или фотошаблона с мембраной относительно очищающей среды, способ очистки фотошаблона или фотошаблона с мембраной и устройство для открывания и закрывания держателя
CN113387062A (zh) * 2020-05-14 2021-09-14 台湾积体电路制造股份有限公司 光掩膜盒及其防尘方法
US11703752B2 (en) * 2018-02-22 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of accelerated hazing of mask assembly
US11703754B2 (en) 2020-05-14 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Particle prevention method in reticle pod

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1126409A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Nikon Corp 洗浄装置
JPH1140479A (ja) * 1997-07-18 1999-02-12 Nikon Corp 電子線投影露光装置及びx線投影露光装置
JP2004354656A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 光洗浄装置及び光洗浄方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2004356403A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Sony Corp パターン転写マスク用収納容器、パターン転写マスクの洗浄装置およびその洗浄方法
JP2005056991A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Toppan Printing Co Ltd マスクケース
JP2005115033A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク収納容器
JP2007335665A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Nikon Corp パーティクル除去装置および露光装置
US20090004077A1 (en) * 2006-02-13 2009-01-01 Frisa Larry E Apparatus and Method for Preventing Haze Growth on a Surface of a Substrate

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1126409A (ja) * 1997-06-30 1999-01-29 Nikon Corp 洗浄装置
JPH1140479A (ja) * 1997-07-18 1999-02-12 Nikon Corp 電子線投影露光装置及びx線投影露光装置
JP2004354656A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp 光洗浄装置及び光洗浄方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2004356403A (ja) * 2003-05-29 2004-12-16 Sony Corp パターン転写マスク用収納容器、パターン転写マスクの洗浄装置およびその洗浄方法
JP2005056991A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Toppan Printing Co Ltd マスクケース
JP2005115033A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Toppan Printing Co Ltd フォトマスク収納容器
US20090004077A1 (en) * 2006-02-13 2009-01-01 Frisa Larry E Apparatus and Method for Preventing Haze Growth on a Surface of a Substrate
JP2007335665A (ja) * 2006-06-15 2007-12-27 Nikon Corp パーティクル除去装置および露光装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015022150A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 信越化学工業株式会社 フォトマスク関連基板の洗浄方法及びフォトマスク関連基板の製造方法
WO2018048266A1 (ko) * 2016-09-12 2018-03-15 주식회사 다원시스 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법
RU2746714C2 (ru) * 2016-11-16 2021-04-19 Зюсс Микротек Фотомаск Эквипмент Гмбх Унд Ко.Кг Держатель для размещения и защиты стороны фотошаблона или фотошаблона с мембраной относительно очищающей среды, способ очистки фотошаблона или фотошаблона с мембраной и устройство для открывания и закрывания держателя
US11703752B2 (en) * 2018-02-22 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of accelerated hazing of mask assembly
CN111359113A (zh) * 2018-12-26 2020-07-03 Lg电子株式会社 口罩保管装置及其控制方法
CN113387062A (zh) * 2020-05-14 2021-09-14 台湾积体电路制造股份有限公司 光掩膜盒及其防尘方法
US11703754B2 (en) 2020-05-14 2023-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Particle prevention method in reticle pod

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