CN113387062A - 光掩膜盒及其防尘方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露实施例涉及光掩膜盒及其防尘方法。提供一种光掩膜盒。所述光掩膜盒包含容器及安装到所述容器的流体调节模块。所述流体调节模块包含第一盖、第二盖及密封膜。所述第一盖及所述第二盖彼此连接。在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块。所述密封膜定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。

Description

光掩膜盒及其防尘方法
技术领域
本揭露实施例涉及光掩膜盒及其防尘方法。
背景技术
归因于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的改进，半导体行业已经历快速增长。主要地，集成密度的此改进是来自缩小半导体过程节点(例如，将过程节点缩小到7nm节点)。当半导体装置按比例缩小时，使用新技术来代代维持电子组件的性能。
为制造极小构件，开发例如极紫外线(EUV)光刻、X射线光刻、离子束投影光刻及电子束投影光刻的光刻技术。光刻技术涉及在衬底上方形成光致抗蚀剂层，根据所要图案将光致抗蚀剂材料的部分暴露到光图案下，使光致抗蚀剂材料显影以移除光致抗蚀剂材料的部分以暴露下层材料的部分。另外，接着，可对衬底执行例如干蚀刻、湿蚀刻及类似物的适合蚀刻过程。因此，可移除经暴露下层材料以产生所要图案。
尽管已发展对光刻操作的方法的数种改进，但其并未在全部方面完全令人满意。因此，将期望提供改进光刻操作以便改进半导体晶片的产品良率的解决方案。
发明内容
根据本揭露的实施例，一种光掩膜盒包括：容器，其具有内部；及流体调节模块，其安装到所述容器，其中所述流体调节模块具有经配置用于允许流体行进通过所述流体调节模块的开口，且所述流体调节模块包括密封膜；其中当所述流体沿朝向所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜覆盖所述开口以阻止所述流体进入所述容器的所述内部；其中当所述流体沿远离所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜远离所述开口以允许从所述容器的所述内部排放所述流体。
根据本揭露的实施例，一种光掩膜盒包括：容器；及流体调节模块，其安装到所述容器且包括：第一盖及第二盖，其彼此连接，其中在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块；及密封膜，其定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。
根据本揭露的实施例，一种方法，其包括：从基座卸离光掩膜盒的上壳体；在所述上壳体从所述基座卸离时，使用处于密封状态的流体调节模块阻止入口气流进入所述上壳体与所述基座之间所述光掩膜盒的内部，其中在所述流体调节模块的所述密封状态中，使用密封膜覆盖所述流体调节模块的开口；将定位于所述基座上的光掩膜移除到过程工具；及使用所述光掩膜在所述过程工具中执行光刻操作。
附图说明
当结合附图阅读时，从以下实施方式更好理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种结构的尺寸可任意增加或减小。
图1是说明根据本揭露的一些实施例的半导体制造系统的示意图。
图2是根据本揭露的一些实施例的具有定位于其中的光掩膜的光掩膜盒的分解视图。
图3是根据本揭露的一些实施例的沿图2的线A-A取得的光掩膜盒的一部分的剖面图。
图4是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块的分解视图。
图5是根据本揭露的一些实施例的光掩膜盒的一部分的剖面图。
图6是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块的分解视图。
图7是说明根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于执行光刻操作的方法的流程图。
图8是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于执行光刻操作的方法的一个阶段(其中光掩膜盒的上壳体从基座卸离)的示意图。
图9是根据本揭露的一或多个实施例的当产生向上气流且流体调节模块处于密封状态时的光掩膜盒的部分元件的剖面图。
图10是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于执行光刻操作的方法的一个阶段(其中光掩膜从光掩膜盒移除且被发送到过程腔)的示意图。
图11是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于执行光刻操作的方法的一个阶段(其中光掩膜盒的上壳体降低以与基座接合)的示意图。
图12是根据本揭露的一或多个实施例的当产生向下气流且流体调节模块处于敞开状态时的光掩膜盒的部分元件的剖面图。
图13是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于对光掩膜盒执行维护过程的方法的一个阶段的示意图。
图14是根据本揭露的一或多个实施例的当向下液流行进通过光掩膜盒的贯穿孔且流体调节模块处于敞开状态时的光掩膜盒的部分元件的剖面图。
具体实施方式
以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并不希望具限制性。例如，在以下描述中，第一构件形成在第二构件上方或上可包含其中第一构件及第二构件经形成直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
此外，为便于描述，例如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上面”、“在……上方”、“上”、“在……上”及类似物的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与图中说明的另一(些)元件或构件的关系。空间相对术语希望涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。
如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，但这些元件、组件、区、层及/或区段不应被这些术语限制。这些术语仅可用于区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第三”的术语在本文中使用时并不暗示序列或顺序，除非由上下文明确指示。
如本文中使用，术语“大约”、“基本上”、“实质”及“约”用于描述及说明小变化。当结合事件或状况使用时，所述术语可指代其中确切地发生所述事件或状况的例子以及其中非常近似地发生所述事件或状况的例子。
当前揭露中描述的先进光刻操作、方法及材料可在许多应用中使用，包含鳍片型场效晶体管(FinFET)。例如，鳍片可经图案化以产生构件之间的相对紧密间隔，上文揭露非常适合于此间隔。另外，可根据上文揭露来处理用于形成FinFET的鳍片的间隔件。
在半导体生产的光刻操作期间，通过光掩膜将光能施加到先前沉积于晶片上的光致抗蚀剂材料以定义电路图案。光掩膜是经图案化具有待形成于晶片上的光致抗蚀剂涂层中的电路图像的板。例如，光掩膜可含有用于晶片上的几个裸片(例如四个裸片)的电路图案图像。光掩膜在其的多次曝光期间保持非常干净以产生完美图像以在衬底上图案化电路配置。光掩膜可例如因光掩膜掉落、在光掩膜表面上形成刮痕、静电放电(ESD)及颗粒而容易损坏。由于光致抗蚀剂上的这些电路图案表示待制造于晶片上的电路的二维配置，所以在光掩膜上产生颗粒可使电路图案的分辨率降级。本揭露的实施例提供用于最小化或消除在存储于光掩膜盒中的光掩膜上产生颗粒的方法。
图1是说明根据本揭露的一些实施例的半导体制造系统10的示意图。在一些实施例中，半导体制造系统10包含处理工具11。处理工具11可经配置以对半导体晶片(图中未展示)执行光刻操作且可为任何种类的光刻设备，例如浸入式扫描仪、极紫外线(EUV)扫描仪、步进器及/或类似物。替代地，处理工具11可为任何类型的处理工具，例如计量、检测、清洁、测试工具或其它适合工具。
在一些实施例中，半导体制造系统10进一步包含数个装载端口14(在图1中仅展示一个装载端口14)。装载端口14经配置以支撑及衔接光掩膜盒2以促进光掩膜5插入到处理工具11中及随后将其从处理工具11移除。装载端口14经定位，使得其对应于处理工具11的接取门110以将光掩膜载体10传送到处理工具11中。
在一些实施例中，半导体制造系统10进一步包含数个抬升销15。抬升销15经配置以在光掩膜盒2定位于装载端口14上时自动敞开或闭合光掩膜盒2。在一些实施例中，如图1中展示，抬升销15定位于光掩膜2的上壳体22的底部下方。抬升销15可连接到定位于装载端口14中的致动器(图中未展示)且由致动器驱动以在较低位置与较高位置之间垂直移动，以便使上壳体22从光掩膜盒2的基座21卸离。下文详细描述光掩膜盒2的结构特征。
图2是根据本揭露的一些实施例的具有定位于其中的光掩膜5的光掩膜盒2的分解视图。在一些实施例中，光掩膜盒2包含容器20、数个流体调节模块(例如两个流体调节模块30)、数个过滤器(例如两个过滤器40)及数个通气孔盖(例如两个通气孔盖50)。容器20经配置以容纳及保护半导体制造过程中使用的一或多个光掩膜5。在一些实施例中，用于光刻操作的一个光掩膜5存储于容器20中。在一些其它实施例中，光掩膜盒2具有双盒设计且进一步包含内盒(图中未展示)。光掩膜5可预先存储于内盒(图中未展示)中，且接着将内盒连同光掩膜放置到容器20中，借此保护光掩膜5以免在光掩膜运输期间同时被内盒及容器污染。
在本实施例中，光掩膜5是包含适合材料的反射掩模，例如钼-硅(Mo/Si)膜对，其可配置以高度反射EUV光。然而，将了解，可对本揭露的实施例做出许多变化及修改。光掩膜5可为透明掩模且在浸入式扫描仪中使用。可将表膜(例如，薄透明膜)沉积于光掩膜5上以防止污染颗粒着陆在光掩膜5上且使光刻操作的结果降级(例如，通过使污染颗粒远离光掩膜5的焦平面)。
在一些实施例中，容器20包含上文提及的基座21及上壳体22。上壳体22可卸离地连接到基座21，且当上壳体22与基座21接合时，在基座21与上壳体22之间形成容器20的内部25。在一些实施例中，上壳体22包含垂直延伸的横向壁221。当上壳体22与基座21接合时，横向壁221与基座21的侧边缘213接合。密封环(图中未展示)可定位于横向壁221与侧边缘213之间以在运输期间将光掩膜维持在与周围FAB(制造设施)条件隔离的受控环境中以防止污染。在一些实施例中，如图1中展示，将夹持元件23附装到上壳体22，使得架空起重运输(OHT)系统(图中未展示)可容易地携载光掩膜盒2。
仍参考图2，在一些实施例中，数个固持结构214(例如四个固持结构)定位于基座21的上表面211上。固持结构214经配置用于支撑定位于容器20中的光掩膜5。在一些实施例中，基座21包含数个贯穿孔，例如两个贯穿孔215。两个贯穿孔215穿透上表面211到基座21的下表面212。两个贯穿孔215可分别相邻于基座21的两个拐角定位且相邻于固持结构214的一者定位。在一些实施例中，贯穿孔215定位于由四个固持结构214环绕的区域外部。即，当光掩膜5定位于基座21中时，光掩膜5的垂直投影从贯穿孔215偏移。凭借贯穿孔215相对于光掩膜5的偏移布置，行进通过贯穿孔215的流体的流动可能无法直接朝向光掩膜5排出。
图3是沿图2的线A-A取得的光掩膜盒2的一部分的剖面图。在一些实施例中，贯穿孔215具有恒定宽度且具有垂直于基座21的上表面211及下表面212的内壁2150。网状结构216定位于形成于基座21的上表面211上的贯穿孔215的上端处且经配置用于定位流体调节模块30或过滤器40。流体调节模块30、过滤器40及通气孔盖50在远离网状结构216的方向上依序布置于贯穿孔215中。网状结构216可由金属或其它材料制成且固定于贯穿孔215的一个端处。通气孔盖50可由柔性材料制成，例如橡胶或类似物。通气孔盖50具有形成于其的中心处且穿透通气孔盖50的上端表面51及下端表面52的通道55。
为组装光掩膜盒2，根据本揭露的一个实施例，将流体调节模块30及过滤器40放入贯穿孔215中，且接着经由形成于基座21的下表面212上的贯穿孔215的一个端将通气孔盖50插入到贯穿孔215中。当将通气孔盖50插入到贯穿孔215中时，通气孔盖50与贯穿孔215的内壁2150紧密配合，其中其上端表面51毗邻过滤器40的外边缘且其下边缘表面52与基座21的下表面212齐平。因此，流体调节模块30及过滤器40定位于网状结构216与通气孔盖50之间的适当位置中。
流体调节模块30经配置以调节贯穿孔215中的流体的流动。根据一些实施例，流体调节模块30包含数个盖(例如第一盖31及第二盖32)及密封膜33。在一些实施例中，两个盖31及32彼此连接，且密封膜33定位于两个盖31及32之间。
图4是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块30的分解视图。在一些实施例中，第一盖31包含第一基座部分311及第一横向部分312。第一横向部分312连接到第一基座部分311的边缘3110。第一横向部分312在平行于流体调节模块30的纵向方向L的方向上延伸朝向第二盖32且在远程3121处终止。在一些实施例中，在第一基座部分311上形成数个开口34(还被称为第一开口)。第一开口34穿透第一基座部分311的内表面3111及外表面3112。另外，导引孔315形成于第一基座部分311的内表面3111上且包含沿平行于纵向方向L的方向延伸的圆柱形孔。在一些实施例中，第一开口34围绕导引孔315布置且在第一基座部分311的圆周方向上以恒定距离隔开。在连接到第一基座部分311的边缘3110的第一横向部分312的近端上形成接合结构3125。在本实施例中，接合结构3125包含凹槽。
在一些实施例中，第二盖32包含第二基座部分321及第二横向部分322。第二横向部分322连接到第二基座部分321的边缘3210。第二横向部分322在平行于流体调节模块30的纵向方向L的方向上延伸朝向第一盖31且在远程3221处终止。在一些实施例中，在第二基座部分321上形成数个开口35(还被称为第二开口)。第二开口35穿透第二基座部分321的内表面3212及外表面3211。
在一些实施例中，第二盖32的内表面3212面向第一盖31的内表面3111。内表面3212包含中心区3213及边界区3214。边界区3214环绕中心区3213且将中心区3213连接到第二横向部分322。中心区3213具有凸表面，且因此第二盖32相对于中心区3213的一部分在中心处较厚且在边缘处较薄。第二开口35分散于内表面3212的中心区3213上，且内表面3212的边界区3214不具有第二开口35。
在内表面3212的边界区3214上形成沟槽325。沟槽325可具有圆形形状且完全环绕中心区3213且紧邻于中心区3213定位。在一些实施例中，沟槽325的侧壁垂直于内表面3212。替代地，沟槽的侧壁与内表面3212形成锐角。
另外，在第二横向部分322的远程3221处形成接合结构3222。在本实施例中，接合结构3222包含突出部。通过接合结构3125及接合结构3222，第一盖31及第二盖32可卸离地彼此连接。将注意，接合结构3125及3222的配置不限于图4中说明的实施例且可经修改，只要第一盖31的接合结构3125与第二盖32的接合结构3222兼容即可。例如，在其它实施例中，接合结构3125包含突出部且接合结构3222包含凹槽。在一些实施例中，省略接合结构3215及3222。第一盖31通过将第二横向部分322配合到第一横向部分312中而连接到第二盖32。在一些实施例中，第一盖31及第二盖32一体地连接。
密封膜33经配置以覆盖第二盖32的第二开口35。根据一些实施例，密封膜33包含主体331及定位销332。在一些实施例中，主体331由柔性材料制成，例如硅橡胶、PFA或类似物。因此，当主体331经压缩以毗邻内表面3212时，主体331经变形以具有与第二盖32的内表面3212的保形形状。在一些实施例中，主体331弯曲远离第二盖32，且主体331及内表面3212的中心区3213可具有相同曲率。因此，主体331可更稳固地附接到第二盖32的内表面3212。然而，将了解，可对本揭露的实施例做出许多变化及修改。在一些其它实施例中，内表面3212的中心区3213及主体331两者经形成具有平坦形状。
在一些实施例中，主体331的宽度(即，外边缘335的两个侧之间在垂直于流体调节模块30的纵向方向L的方向上的距离)大于内表面3212的中心区3213的宽度。因此，当主体331与第二盖32的内表面3212接触时，形成于中心区3213上的全部第二开口35都被主体331覆盖。此外，相邻于外边缘335的主体331的一部分被接纳于沟槽325中。将在关于图9的实施例中详细描述这些特征的优点。
在一些实施例中，定位销332连接到面向第一盖31的内表面3111的主体331的一侧。定位销332相对于形成于第一盖31上的导引孔315定位。为组装，将定位销332插入到导引孔315中以将密封膜33连接到第一盖31。在一些实施例中，定位销332可移动地连接到导引孔315。密封膜33可在平行于流体调节模块30的纵向方向L的方向上相对于第一盖31移动。然而，密封膜33在垂直于流体调节模块30的纵向方向L的方向上的移动由导引孔315限制。然而，将了解，可对本揭露的实施例做出许多变化及修改。在其它实施例中，定位销332固定于导引孔315中，且不允许密封膜33在平行于流体调节模块30的纵向方向L的方向上移动。
再次参考图3，在一些实施例中，流体调节模块30具有界定在第一盖31与第二盖32之间的流动路径70。特定来说，流动路径70包含第一片段71及第二片段72。第一片段71与第一开口34连通且定位于密封膜33与第一盖31之间。第二片段72与第一片段71及第二开口35连通且定位于密封膜33与第二盖32之间。根据流体进入流体调节模块30的流动方向，可通过控制密封膜33在平行于流体调节模块30的纵向方向L的方向上的移动而敞开或闭合流动路径70的第二片段72。因此，可调节行进通过流体调节模块30的流体的流动。
过滤器40经配置以移除流动到贯穿孔215中的流体中的颗粒或污染物。在一些实施例中，过滤器40是柔韧且薄的结构(即，例如，具有小于1mm的厚度)。在一些实施例中，过滤器40包含化学过滤器或高效率微粒空气(HEPA)过滤器。在一些实施例中，如图3中展示，过滤器40相邻于第一盖31定位且放置于流体调节模块30与通气孔盖50之间。过滤器40的外边缘夹置于第一盖31的外表面3112与通气孔盖50的上端表面51之间。由于过滤器40的外边缘被牢固地压缩在第一盖31与上端表面51之间，所以可避免过滤器40的翘曲。
然而，将了解，可对本揭露的实施例做出许多变化及修改。过滤器40可放置于贯穿孔中的任何适合位置中，只要从一个端进入贯穿孔的流体能够在其从贯穿孔的另一端离开时行进通过过滤器即可。
在一个示范性实施例中，如图5中展示，过滤器40相邻于流体调节模块30的第二盖32定位且放置于网状结构216与流体调节模块30之间。不存在放置于流体调节模块30与通气孔盖50之间的过滤器40。通气孔盖50的上端表面51与流体调节模块30的第一盖31直接接触。在另一示范性实施例中，如图6中展示，过滤器40a放置于流体调节模块30内部且覆盖流体调节模块30的开口。在一些实施例中，过滤器40a连接到第一盖31且覆盖第一盖31的开口34。在其中在第一盖31上形成用于限制密封膜33的移动的导引孔315的情况中，在过滤器40a上形成贯穿孔45a。可通过适合黏着材料将过滤器40a附接在第一盖31的内表面3111上，其中贯穿孔45a与贯穿孔315对准。替代地，定位于流体调节模块30中的过滤器覆盖第二盖32的第二开口35。
应注意，虽然仅存在一个单个过滤器定位于贯穿孔215中，但贯穿孔215中的过滤器数目不限于本揭露的图3、图5及图6中展示的实施例。在一些其它实施例中，存在定位于贯穿孔215中的两个以上过滤器40。两个或两个以上过滤器40可连续布置。替代地，两个过滤器40分别相邻于流体调节模块30的第一盖31及第二盖32定位。
图7是说明根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于执行光刻操作的方法S60的流程图。为说明，所述流程图将连同图6到图14中展示的图式一起描述。可在不同实施例中替换或消除一些所描述阶段。
方法S60包含操作S61，其中从基座21卸离光掩膜2的上壳体22。在一些实施例中，如图8中展示，上壳体22通过抬升销15自动从基座21移除。当光掩膜盒2放置于装载端口14上时，上壳体的横向壁221放置于抬升销15的上端上。为敞开光掩膜盒2，驱动抬升销15以沿由图8中的箭头指示的向上方向移动以从基座21移除上壳体22。然而，将了解，可对本揭露的实施例做出许多变化及修改。在一些其它实施例中，上壳体22通过操作者手动从基座21移除。
方法S60还包含操作S62，其中阻止气流进入上壳体22与基座21之间的内部25。在一些实施例中，在操作S61中的上壳体22的向上移动期间，容器20的内部25与周围压力之间的压力差致使气流流动到容器20的内部25中。特定来说，如图9中展示，致使气流3流动通过基座21的下表面212与装载端口14的上表面140之间的间隙G、通气孔盖50的通道55、过滤器40及第一盖31的第一开口34，且接着致使其流动到流体调节模块30中的流动路径70的第一片段71中。当气流3通过第一开口34沿朝向容器20的内部25的方向(如由图9中的粗箭头指示)进入流体调节模块30时，流体调节模块30变为密封状态。在密封状态中，密封膜33被气流3推动以向上移动且毗邻第二盖32的中心区3213。因此，密封膜33与第二盖32之间的流动路径70的第二片段72闭合，且第二盖32的第二开口35被密封膜33的主体331阻挡。因此，不允许气流3进入内部25。
在一些实施例中，归因于主体331的柔韧性质，主体331在与第二盖32接触之后具有与第二盖32的保形形状，且直接面向中心区3213的密封膜33的一部分具有与中心区3213的曲率相同的曲率。另外，密封膜33的外边缘335被接纳于第二盖32的沟槽325中且沿沟槽325的内壁延伸。由于主体331的一部分被接纳于沟槽325中，所以第二盖32与密封膜33之间的边界是曲折的(即，不沿平滑曲线或直线延伸)，借此改进第二盖32与密封膜33之间的密封。
在一些实施例中，在密封膜33的向上移动期间，密封膜33在水平方向(即，垂直于流体调节模块30的纵向方向L的方向)上的移动由导引孔315限制，且密封膜33在垂直方向上自由移动。因而，缓和第二开口35的一部分归因于密封膜33的位置偏移而未被密封膜33覆盖的问题。然而，将了解，可对本揭露的实施例做出许多变化及修改。在其中省略定位销332及导引孔315的情况中，全部第二开口35都可被密封膜33稳定地覆盖，只要密封膜33的主体331的宽度足够大于两个最外第二开口35之间在垂直于纵向方向L的方向上的距离即可。
在一些实施例中，基座21的下表面212与装载端口14的上表面140之间的间隙G中的污染物或颗粒7连同气流3一起进入贯穿孔215。污染物或颗粒7可被过滤器40移除而不被允许进入流体调节模块30。然而，过滤器40可随时间变厚，此使过滤器40滤出污染物或颗粒7的能力降级，且污染物或颗粒7可连同气流3一起进入流体调节模块30。在此情况中，通过密封膜33阻止污染物或颗粒7进入内部25，使得存储于光掩膜盒2中的光掩膜5(图1)仍受到保护以免被污染。
方法S60包含操作S63，其中从光掩膜盒2移除定位于基座21上的光掩膜5。在一些实施例中，如图10中展示，一旦上壳体22移动到较高位置，传送机构12的叶片13便可将光掩膜5从基座21接取到处理工具11。
方法S60还包含操作S64，其中执行光刻操作。在一些实施例中，将处理工具11中的光掩膜5固定于光掩膜卡盘(图中未展示)上，在此处，光能(例如极紫外线(EUV)光)被投射到光掩膜5上且由光掩膜5反射以对沉积于半导体晶片(图中未展示)上的光致抗蚀剂膜进行曝光。当光刻操作完成时，方法S60继续到操作S65，其中通过传送机构12的叶片将光掩膜5放置回到先前光掩膜盒2或另一光掩膜盒2的基座21。
方法S60包含操作S66，其中将上壳体22连接到基座21。在一些实施例中，上壳体22通过抬升销15自动连接到基座21。为闭合光掩膜盒2，驱动抬升销15以沿由图11中的箭头指示的向下方向移动以将上壳体22连接到基座21。
方法S60包含操作S67，其中从上壳体22与基座21之间的内部25排放气流。在一些实施例中，在操作S66中的上壳体22的向下移动期间，容器20的内部25与周围压力之间的压力差致使气流从容器20的内部25流出。特定来说，如图12中展示，致使气流4依序流动通过第二开口35、流动路径70的第二片段72、流动路径70的第一片段71、第一开口34、过滤器40、通气孔盖50的通道55且排放到基座21的下表面212与装载端口14的上表面140之间的间隙G。
如图11中展示，当气流3从第二开口35沿远离容器20的内部25的方向(如由图12中的粗箭头指示)进入流体调节模块30时，流体调节模块30变为敞开状态。在敞开状态中，密封膜33被气流4推动以向下移动。因此，密封膜33与第二盖32之间的流动路径70的第二片段72敞开，且允许气流4行进通过第二盖32的第二开口35。在一些实施例中，在气流4的排放期间，在定位销332的支撑下，主体331的外边缘335经弯曲远离第二盖32，主体331的变形从其中心到外边缘335逐渐增加。例如，如图12中展示，主体331的外边缘335比主体331的中心部分(即，连接到定位销332的一部分)更远离内表面3212。另外，在气流4的排放期间，主体331的外边缘335从第二盖32的沟槽325移出。
在一些实施例中，方法S60进一步包含操作S69，其中对光掩膜盒2执行维护过程。在从光掩膜盒2移除光掩膜5之后执行操作S69。在维护过程中，可单独清洁光掩膜盒2的基座21及上壳体22。例如，如图13中展示，光掩膜盒2的基座21在清洁工具8下方移动，且清洁液85从清洁工具8排出于基座21的上表面211上方以清洁基座21。清洁液85可包含水(例如DI水)或可有效地清洁的另一化学液体。在一些实施例中，清洁液包含(NH4)2SO4、H2O、DMSO(二甲亚砜)、MEA(甲基乙基酰胺)、BDG(二乙二醇一丁基醚))、NEA(n,n-二甲基乙酰胺)或NMP(n-甲基吡咯酮)。
在一些实施例中，如图14中展示，通过贯穿孔215从基座21的上表面211移除清洁液85的一部分。当清洁液85进入贯穿孔215时，清洁液85依序行进通过第二开口35、流动路径70的第二片段72、流动路径70的第一片段71、开口34、过滤器40及通气孔盖50之通道55。清洁液85从贯穿孔215移除颗粒7，使得清洁过滤器40及通气孔盖50。
在一些实施例中，在操作S63之后执行操作S69。在从基座21移除光掩膜5之后，将上壳体22连接到基座21且将容器20从装载端口14移除到清洁工具8以进行维护过程。在维护过程之后，将容器20发送回到装载端口14以接纳先前或另一光掩膜5。在一些实施例中，将清洁工具8定位于过程工具11中，且将基座21移动到过程工具11中且在过程工具11中进行清洁。
应注意，如图14中展示，由于过滤器40的外边缘牢固地配合在流体调节模块30与通气孔盖50之间，所以可防止归因于维护过程期间的清洁液的冲洗而损坏过滤器40的外边缘。因此，延长过滤器40的寿命且因此降低制造成本。
应注意，虽然流体调节模块30安装到用于携载光刻操作中使用的光掩膜的容器，但本揭露的实施例不限于此。在一些其它实施例中，流体调节模块30定位于半导体制造中使用的另一载体的贯穿孔中。载体可包含可固持多个半导体晶片(例如，200nm或8英寸)的标准机械接口(SMIF)盒或可固持更大半导体晶片(例如，300mm(12英寸)或450mm(18英寸))的前开式晶片传送盒(FOUP)。
本揭露提供用于防止光掩膜污染的方法及装置的实施例。定位于光掩膜盒的贯穿孔中的流体调节模块允许从光掩膜盒的内部排放出口气流但阻止入口气流进入光掩膜的内部。因此，可防止归因于光掩膜的异常而使光刻操作的结果降级的条件，且大幅改进由光掩膜图案化的半导体晶片的产品良率。
根据本揭露的一些实施例，提供一种光掩膜盒。所述光掩膜盒包含容器及安装到所述容器的流体调节模块。所述容器具有内部。所述流体调节模块具有经配置用于允许流体行进通过所述流体调节模块的开口，且所述流体调节模块包括密封膜。当所述流体沿朝向所述容器的所述内部的方向进入所述调节模块时，所述密封膜覆盖所述开口以阻止所述流体进入所述容器的所述内部。当所述流体沿远离所述容器的所述内部的方向进入所述调节模块时，所述密封膜远离所述开口以允许从所述容器的所述内部排放所述流体。
根据本揭露的其它实施例，提供一种光掩膜盒。所述光掩膜盒包含容器及安装到所述容器的流体调节模块。所述流体调节模块包含第一盖、第二盖及密封膜。所述第一盖及所述第二盖彼此连接。在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块。所述密封膜定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。
根据本揭露的其它实施例，提供一种方法。所述方法包含从基座卸离光掩膜盒的上壳体。所述方法进一步包含在所述上壳体从所述基座卸离时，使用处于密封状态的流体调节模块阻止入口气流进入所述上壳体与所述基座之间所述光掩膜盒的内部。在所述流体调节模块的所述密封状态中，使用密封膜覆盖所述流体调节模块的开口。所述方法还包含将定位于所述基座上的光掩膜移除到过程工具。另外，所述方法包含使用所述光掩膜在所述过程工具中执行光刻操作。
前文概述若干实施例的结构，使得所属领域的技术人员可更佳理解本揭露的方面。所属领域的技术人员应了解，其可容易地使用本揭露作为设计或修改用于实行本文中介绍的实施例的相同目的及/或实现相同优点的其它制造过程及结构的基础。所属领域的技术人员还应认识到，这些等效构造不脱离本揭露的精神及范围，且其可在不脱离本揭露的精神及范围的情况下在本文中进行各种改变、替换及更改。
符号说明
2:光掩膜盒
3:气流
4:气流
5:光掩膜
7:污染物或颗粒
8:清洁工具
10:半导体制造系统
11:处理工具
12:传送机构
13:叶片
14:装载端口
15:抬升销
20:容器
21:基座
22:上壳体
23:夹持元件
25:内部
30:流体调节模块
31:第一盖
32:第二盖
33:密封膜
34:第一开口
35:第二开口
40:过滤器
40a:过滤器
45a:贯穿孔
50:通气孔盖
51:上端表面
52:下端表面
55:通道
70:流动路径
71:第一片段
72:第二片段
85:清洁液
110:接取门
140:上表面
211:上表面
212:下表面
213:侧边缘
214:固持结构
215:贯穿孔
216:网状结构
221:横向壁
311:第一基座部分
312:第一横向部分
315:导引孔
321:第二基座部分
322:第二横向部分
325:沟槽
331:主体
332:定位销
335:外边缘
2150:内壁
3110:边缘
3111:内表面
3112:外表面
3121:远程
3125:接合结构
3210:边缘
3211:外表面
3212:内表面
3213:中心区
3214:边界区
3221:远程
3222:接合结构
S60:方法
S61:步骤
S62:步骤
S63:步骤
S64:步骤
S65:步骤
S66:步骤
S67:步骤
S69:步骤。

Claims (10)

1.一种光掩膜盒，其包括：
容器，其具有内部；及
流体调节模块，其安装到所述容器，其中所述流体调节模块具有经配置用于允许流体行进通过所述流体调节模块的开口，且所述流体调节模块包括密封膜；
其中当所述流体沿朝向所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜覆盖所述开口以阻止所述流体进入所述容器的所述内部；
其中当所述流体沿远离所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜远离所述开口以允许所述流体从所述容器的所述内部排放。
2.根据权利要求1所述的光掩膜盒，其中所述流体调节模块进一步包括：
第一盖；及
第二盖，其与所述第一盖接合且经定位成比所述第一盖更接近所述容器的所述内部，
其中在所述第二盖上形成所述开口，且所述密封膜定位于所述第一盖与所述第二盖之间。
3.根据权利要求1所述的光掩膜盒，其进一步包括相邻于所述流体调节模块定位的过滤器。
4.根据权利要求1所述的光掩膜盒，其中所述密封膜沿所述流体调节模块的纵向方向自由移动。
5.一种光掩膜盒，其包括：
容器；及
流体调节模块，其安装到所述容器且包括：
第一盖及第二盖，其彼此连接，其中在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块；及
密封膜，其定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。
6.根据权利要求5所述的光掩膜盒，其中所述第二盖经定位成比所述第一盖更接近所述容器的内部，且所述密封膜朝向远离所述第二盖的方向弯曲。
7.根据权利要求5所述的光掩膜盒，其中所述第一盖具有第一开口，且所述第二盖具有第二开口，所述流动路径的两个端与所述第一开口及所述第二开口连通，其中所述密封膜通过覆盖所述第一开口及所述第二开口中的一者而调节行进通过所述流动路径的所述流体的所述流动。
8.一种方法，其包括：
从基座卸离光掩膜盒的上壳体；
在所述上壳体从所述基座卸离时，使用处于密封状态的流体调节模块阻止入口气流进入所述上壳体与所述基座之间所述光掩膜盒的内部，其中在所述流体调节模块的所述密封状态中，使用密封膜覆盖所述流体调节模块的开口；
将定位于所述基座上的光掩膜移除到过程工具；及
使用所述光掩膜在所述过程工具中执行光刻操作。
9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
将所述上壳体连接到所述基座；及
在所述上壳体连接到所述基座时，通过处于敞开状态的所述流体调节模块从所述光掩膜盒的所述内部排放出口气流，其中在所述流体调节模块的所述敞开状态中，由所述密封膜暴露所述开口。
10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：
通过在所述基座上方供应清洁液而对所述光掩膜盒执行维护；及
通过处于敞开状态的所述流体调节模块导引所述清洁液从所述基座的上表面流动到所述基座的下表面，其中在所述流体调节模块的所述敞开状态中，由所述密封膜暴露所述开口。
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