TWI812968B - 工件容器系統 - Google Patents

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薛新民
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Abstract

一種包括儲存組件的工件容器系統。 此儲存組件包括座構件與一個座蓋。 所述座構件限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件；所述座構件包括下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在所述工件的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。 所述座蓋構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼；其中，所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設置在所述工件的平面投影上方，並與所述座構件的所述幾何中心區域投影重疊。

Description

工件容器系統
本申請要求在2021年2月5日提交的第17168207號美國申請、在2021年3月30日提交的第17216724號美國申請、在2020年9月30日提交的臺灣專利申請第109134304號的權益，在此通過引用將其結合本文並作為本說明書的一部分。
本公開涉及用於存儲、運輸、運送和處理諸如光罩（photomask, reticle）和晶圓（wafer）等易碎物體的容器，並且尤其涉及用於存儲、運輸、運送和處理光罩的固持系統，該光罩用於極紫外（extreme ultraviolet，  EUV）光刻工藝（lithography process）。
在半導體工業中，基於工件容器（例如，光罩固持器）的有效載荷精確度的要求的提高，工件容器也隨著發展，以滿足提高保護工件的水平使其免受潛在環境危害的需求。
例如，新一代的光罩（reticle）固持器有時設置有雙盒結構，該雙盒結構包括用於接收/儲存光罩的儲存元件（例如，內盒單元）和用於容納/運輸該儲存元件的運輸元件（例如，外盒單元）。 在運輸期間，光罩可被包裝在儲存組件內。 出於存儲目的，可將其中容納光罩的容器系統（例如，在大氣環境下由機器人）運送至外開盒器。 此後，該運輸元件可以被該開盒器打開以便允許從中取出該儲存元件。 然後，內盒可以（例如，在真空環境下由機器人）被運送到真空光罩庫並且存儲在其中。 為了執行光刻工藝，當到達曝光設備內部的指定位置時，在使用包含被收容的光罩進行後續曝光過程之前，就可以打開內盒。
然而，當使用該容器系統來儲存/運輸工件時，在該儲存元件內部可能存在顆粒污染物、氣相污染物（例如，廢氣或濕氣）、或空氣傳播的分子污染物（airborne molecular contaminants ，AMC）。 污染物可能不利地影響所接收的工件。  因此，需要一種用於容器系統的污染控制機制。
因此，本文的一個方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統。 此儲存組件包括座構件與一個座蓋。 所述座構件限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件；所述座構件包括下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在所述工件的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。 所述座蓋構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼；其中，所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設置在所述工件的平面投影上方，並與所述座構件的所述幾何中心區域投影重疊。
因此，本公開的一方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統。 所述儲存組件包括座構件和座蓋，所述座構件限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件，所述座蓋構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼。 所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設在所述工件的平面投影上方。 所述上擴散誘導組件具有與所述座蓋的幾何中心對齊的幾何中心。
以下描述將參考附圖以更全面地描述本公開內容。 附圖中所示為本公開的示例性實施例。 然而，本公開可以以許多不同的形式來實施，並且不應所述被解釋為限於在此闡述的示例性實施例。 提供這些示例性實施例是為了使本公開透徹和完整，並且將本公開的範圍充分地傳達給本領域技術人員。 類似的附圖標記表示相同或類似的元件。
本文使用的術語僅用於描述特定示例性實施例的目的，而不意圖限制本公開。 如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數形式“一”，“一個”和“所述”旨在也包括複數形式。 此外，當在本文中使用時，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整數，步驟，操作，元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特徵，區域，整數，步驟，操作，元件，組件和/或其群組。
除非另外定義，否則本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本公開所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。 此外，除非文中明確定義，諸如在通用字典中定義的那些術語應所述被解釋為具有與其在相關技術和本公開內容中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化或過於正式的含義。
將結合圖1至圖7中的附圖對示例性實施例進行描述。具體實施方式將參考附圖來詳細描述本公開，其中，所描繪的元件不必按比例示出，並且通過若干視圖，相同或相似的附圖標記由相同或相似的附圖標記表示相同或相似的元件。
圖1示出了根據本案的一些實施例的工件容器系統的示例性橫截面圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記/示出。
參照圖1，示例性工件容器系統100包括被配置成用於在其中儲存工件（例如，光罩）的內盒（例如，儲存組件120）以及經配置以用於容納儲存組件120的外盒（例如，運輸組件110）。
在示出的實施例中，儲存組件120包括座構件122和座蓋121，座蓋121被配置為接合座構件122，以便在封閉時配合地形成用於容納工件（例如，光罩R 1）的內部空間。
座構件122被配置為可通過半導體裝置的機械臂從一個室傳送到另一個室。 例如，示例性座構件122形成有儲存部125（例如，中央部分，工件R 1被接收/支撐在該中央部分上）和從儲存部125側向外延伸的一對側翼部126。 儲存部125設定有用於接收工件的工件接收表面122a。 在所示實施例中，座構件122還設置有佈置在儲存部125的頂表面上用於支撐光罩R 1的支撐元件（例如，支撐柱124）。 該對側翼部126被設置在儲存部125的相對側上。 在當前的剖面圖中，側翼部126具有比儲存部125薄的厚度。 該厚度差在座構件122的邊緣部附近產生臺階輪廓。 這對臺階輪廓構造成用作與具有叉狀結構的機器臂的接觸介面。 這樣的布置允許座構件122由叉狀臂側向地保持和豎直地支撐。
在一些情形中，所存儲的工件可以是半導體基板（例如，極紫外光刻光罩R 1）。 光罩R 1的功能表面（即，其上限定有光罩布局圖案的面向下的表面）需要被保持沒有污染物，以便防止在光刻工藝期間對表面的損壞或投影到光阻層上的圖像的變形。
在一些實施例中，座蓋121被配置成用於在其工件接收區域122a周圍的周邊區域處接合座構件122，以協同地形成用於容納該工件的外殼。
為了保護敏感且易碎的工件免受儲存組件120外部的顆粒/污染物的影響，座構件122與座蓋121之間的接合可以配置有一定程度的氣密性。 此外，為了提供對其敏感且易碎的內容物的充分保護，座蓋121和座構件122可以設置有電磁干擾（electromagnetic interference ，EMI）遮罩特性。 用於提供EMI遮罩能力的合適材料可包括諸如金屬的導電材料。 在一些實施例中，座構件122和座蓋121大致由諸如鋁的金屬製成。 在一些實施例中，可以在儲存組件120的表面的選擇性區域上進一步提供表面處理如金屬塗層（如銅或金）、疏水性和/或親水性處理。
除了上述顆粒污染物之外，在該密封的儲存組件內部可能存在氣相污染物或空氣傳播的分子污染物（airborne molecular contaminants ，AMC）。 即使儲存組件可密封地接合，在處理過程期間，當工件從容器系統移除且更換時，仍然存在空氣進入系統的可能性。 例如，可以在儲存組件120內部發現空氣中的濕氣。 在合適的露點溫度下，一些濕氣將從空氣中冷凝出來並且可以沉積到光罩R 1上。 氣相或蒸氣污染的其他來源（例如NH 3（氨）和SO 2（二氧化硫））是在光罩生命週期期間由光罩/容器清潔操作產生的溶劑殘餘物。 這些化學品中的一部分和濕氣可促進由石英製成的光罩上的霧/析出物（haze）的形成。 光罩R 1的圖案化表面上的霧/析出物的形成和/或水蒸汽的聚集可能干擾光學器件，這可導致在光刻工藝期間轉移在半導體晶圓上的圖案的畸變（distortion）。
示例性內盒120設有一個或多個擴散誘導組件（例如，組件127、128和129），其允許從內盒120減少或去除氣相污染物或空氣傳播分子污染物。 例如，這些擴散誘導組件允許濕氣從該儲存組件內部擴散至外部環境（例如，當該儲存組件內部的濕度顯著大於在環境中的濕度時，或者當該系統用乾淨的乾燥空氣吹掃時）。
內部濕氣可以經由一個或多個擴散誘導組件擴散出內盒120。 因此，可以減輕光罩上的水沉積或霧/析出物形成。 在一些實施方式中，擴散誘導組件可包括多個形成在儲存組件蓋/基座上的通孔/通道/埠，其使得內盒的內部和外部之間能夠流體連通。 在一些實施方式中，擴散誘導組件還可包括過濾元件，該過濾元件經配置以防止顆粒污染物從中通過。
雖然儲存組件120的蓋單元（例如，蓋構件121）的面向頂部的表面是上擴散誘導組件（例如，被佈置在所接收的工件上方的擴散誘導組件129）的方便的設置位置，安裝在頂部的擴散構件在某些應用中可能不能提供足夠水準的濕度提取（humidity extraction）效率（特別是在工件的底面周圍的區域處）。
例如，在一些實施例中，在裝配時，座構件122的頂面與所容納的工件的底面之間的間隔不大於0.3 mm。 窄間隔可能不利於工件下方的氣流誘導。 因此，工件下方的諸如濕氣的氣相污染物可能難以通過工件上方朝向頂部安裝的擴散構件行進。
為了進一步提高擴散效率，示例性實施例的座構件122配置有被佈置在工件下方的下擴散誘導組件127。 這種佈置有利於工件下方的濕氣的擴散，以利有效地提取。
在所示出的實施例中，該運輸組件110包括經配置以容納該座構件122的外基座112和經配置以接合該外基座112（並且覆蓋該儲存組件120）的外蓋111。 在一些實施例中，外基座112和外蓋111中的任一者或兩者可以具有靜電荷耗散特性，以允許釋放積聚在所存儲的工件或儲存組件上的電荷。 例如，在一些實施方式中，外盒110可以由與導電纖維混合的聚合物材料配置。 在一些實施例中，外蓋111和外基座112中的一者或兩者由嵌入碳纖維的樹脂材料製成。
在一些實施方式中，外盒110還可具有一個或多個氣體入口埠（未示出），其經配置以允許來自氣體源的乾淨乾燥空氣（clean dry air ，CDA）、額外的CDA或乾燥惰性氣體（例如氮氣）的進入。 在一些實施方式中，外盒110還可以設置有一個或多個氣體出口埠，其經配置以允許減少或去除外盒110內的氣體。 在一些實施例中，該氣體入口和/或出口埠可以進一步配置有閥，該閥經配置以控制這些埠內部的流體流動。
在一些實施例中，按壓單元（例如，壓緊銷141）可以設置在座蓋121的頂面上以用於按壓/固持工件。 示例性外盒110還設有推動元件171，該推動元件171設置成對應於儲存組件120的壓緊銷141。 當外蓋111耦接至外基座112時，推動元件171推動壓緊銷141以按壓/保持工件R 1，從而限制工件在接收時的移動。
在示出的實施方式中，推動元件171被配置為在壓緊銷141的暴露部分（例如，壓緊銷141的頂面）處推動壓緊銷141。 在示出的實施方式中，壓力接收表面的暴露部分的投影面積的寬度小於推動元件的投影面積的寬度。
在一些實施例中，推動元件171和壓緊銷141還具有電荷消散特性。 因此，當外蓋111耦接到外基座112時，推動元件171推動壓緊銷141以按壓工件R 1，並建立從被接收的工件R 1經過壓緊銷141和推動元件171到外蓋111的電荷消散路徑（在本圖中由陰影箭頭指示）。 在一些工作情況下，外蓋111可以接地，從而允許被接收的工件R 1上累積的電荷通過電荷消散路徑消散到地。 用於壓緊銷141的材料可以包括導電或靜電消散材料，從而使壓緊銷141成為放電消散路徑的一部分以能夠通過其接地。 在一些實施例中，壓緊銷141和推動元件171具有範圍在約10 6至10 11Ω的表面電阻值。 在一些實施例中，壓緊銷141和推動元件171具有小於約10 5Ω的表面電阻值。
在示出的實施方式中，外盒110進一步包括佈置在外部基部112上的支撐結構190，該支撐結構經配置以支撐儲存組件120。 支撐結構190可以與外基座112一體地形成或安裝在外基座112上。 在一些實施例中，儲存組件120的支撐元件124和外盒110的支撐結構190進一步具有電荷耗散特性。 因此，當外蓋111耦接至外基座112（並且因此座構件122上的支撐元件124與工件R 1建立接觸）時，電荷耗散路徑（在本圖中由陰影箭頭指示）可由所接收的工件R 1形成，通過支撐元件124、座構件122和支撐結構190，到達外基座112。 在一些實施例中，支撐元件124和支撐結構190具有在從約10 6至10 11Ω的範圍內的表面電阻值。 在一些實施例中，支撐元件124和支撐結構190具有小於約10 5Ω的表面電阻值。
如圖1所示，示例性系統具有被限定在座構件122的工件容納區域122a中的第一可觀察區Z 11，以允許光罩R 1的觀察。 在一些實施例中，第一觀察區Z 11可以配置有視窗，該視窗包括信號透射（signal transmissive）結構（例如，開口或信號透射構件）。 例如，示例性座位構件122包括佈置在第一可觀察區Z 11中的內部光學構件1221。 在一些實施方式中，內部光學構件1221可以由相對於紅外光、可見光或紫外光信號而言信號透射的材料製成。 內部光學構件1221的合適材料可包括玻璃（例如，石英玻璃）、丙烯酸、透明塑膠或其他相當的材料。 在圖示的實施例中，內部光學構件1221可以包括一塊石英玻璃，該石英玻璃嵌入式地佈置在內基座122中（工件容納區域122a中）。
在所示實施例中，第一可觀察區域Z 11被相應地設計成允許在接收到光罩R 1時觀察光罩R 1的識別特徵（例如，一維或二維條碼）（在示意圖中未明確示出）。 在一些實施例中，光罩R 1的識別特徵形成在面向第一可觀察區域Z 11中的視窗的表面上且可通過第一可觀察區域Z 11觀察。
在所示實施例中，外基座112具有在其上限定的第二可觀察區域Z 12。 第二可觀察區域Z 12被佈置為與儲存組件120的第一可觀察區域Z 11可觀察地對準。 這樣，固持在容器系統100中的光罩R 1的快速視覺識別或光學確認（諸如光罩R 1狀態和識別）可通過光學掃描通過第二可觀察區域Z 12和第一可觀察區域Z 11來實現，而不需要打開外盒。 因此，在半導體製造過程中，可以降低容器打開的頻率，這進而使敏感的精密工件對潛在危險的環境因素下的暴露最小化。
在所示的實施例中，外基座112具有中空本體，中空本體包括被配置為支撐內基座122的上平臺112a和與上平臺112a相對的下平臺112b。 在一些實施例中，示例性上平臺112a和下平臺112b都可以設置有基本水平的板的結構。 示例性下平臺112b被配置為密封上平臺112a。 在一些實施例中，下平臺112b和上平臺112a一體地形成。 示例性第二可觀察區域Z 12設置有視窗，該視窗包括分別佈置在上平臺112a和下平臺112b中的兩個重疊的信號透射結構（例如，外部光學構件1121）。
在一些實施例中，嵌入上平臺112a和/或下平臺112b中的外部光學構件1121可以由對於紅外光、可見光或紫外光而言信號透射的材料製成。 外部光學構件1121的合適材料可以包括玻璃（例如，石英玻璃）、丙烯酸、透明塑膠或相當的材料。 在一些實施例中，對於一個或多個上述光譜範圍中的光信號，外部光學構件1121的透射率值大於80%。 取決於特定的應用需求，在一些實施例中，光學構件（例如，外部光學構件和/或內部光學構件）可以包括凹/凸面。
在一些實施例中，對於範圍在600nm至950nm之間的波長，內部光學構件1221的反射率值比外部光學構件1121低。 在一些實施例中，光學構件的相應波長範圍可以在約630nm至930nm的範圍內。 在一些實施例中，外部光學構件1121對於上述波長範圍的反射率值可以小於15%。 在一些實施例中，內部光學構件1221對於上述波長範圍的反射率值可以小於0.5%。 在一些實施例中，內部光學構件1221還可以設置有抗反射塗層。 在一些實施例中，內部光學構件1221還可以設置有具有EMI遮罩特性的層。
在對耐塵和/或防塵要求嚴格的一些實施例中，外基座112的第二可觀察區域Z 12中的外部光學構件1121可以設置有類似的密封機構。 然而，在僅內部密封就足夠的應用中，可以在不利用密封機構的情況下構造外部光學構件1121以減少結構複雜性、重量和成本問題。
在一些實施例中，外基座的整個底面可以被設計成充當第二觀察區。 例如，外部光學構件可以佔據外部基座的整個底部。
請同時參照圖2A和圖2B。 圖2A示出了根據本公開的一些實施例的工件容器系統的等距示意圖。 圖2B示出根據本公開的一些實施例的工件容器系統的示意性剖面圖。  為了說明的簡單和清楚起見，該示例性裝置的一些細節/子部件可能未在本公開附圖中顯式地標記/示出。
參照圖2，示例性儲存組件220包括座構件222和座蓋221，座構件222和座蓋221經配置以配合地形成用於容納基板（例如，光罩R 2）的內部空間。 在所示出的實施例中，座構件222具有基本矩形的輪廓，該輪廓限定了穿過其幾何中心區域C的縱向軸線L 2。 座構件222包括儲存部分225和一對沿縱向軸線L 2延伸的側翼部分226。 示例性側翼部分226具有減小的厚度（即，比儲存部分225的厚度薄）。 在所示實施例中，示例性座構件222的頂面限定工件容納區域和圍繞工件容納區域的周邊區域222b。 用於座蓋221和座構件222的適合的材料和/或塗層可以與上述實施例中描述的那些類似。
在一些實施例中，座蓋221可以被配置成在封閉時通過來自外盒（例如，運輸組件110）的壓力建立與座構件222的按壓接合。 例如，座蓋221與座構件222之間的按壓接合是通過基本平面的金屬與金屬介面形成的。 在所示實施例中，金屬介面建立在座構件222的周邊區域222b上。 總體上，該按壓接合建立了一個密封外殼，該密封外殼防止灰塵和濕氣通過該儲存組件220的上下構件之間的接觸介面進入該內部空間中。 在一些實施例中，座蓋和座構件中的任一者或兩者可在相應的接合介面區域處設置有附加的密封元件（例如，密封墊圈或O形環），以進一步增強針對環境污染的阻斷能力。
下擴散誘導組件設置在座構件222的儲存部分225且在工件接收區域中，並且被配置為允許從儲存組件的內部提取工件R 2下方的氣相污染物。 一般期望可以有效地減少所接收的光罩R 2的圖案區域P下方的氣相污染物。 在所示實施例中，下擴散誘導組件形成有佈置在工件R 2的圖案區域P的平面投影內的多個擴散端口組件227a。
擴散端口組件227a在儲存部分225上的放置位置可以考慮不同因素，例如重量分佈、結構完整性和裝置構件的整體重量限制。 一方面，示例性擴散端口組件227a被放置在座構件222上的工件接收區域中，但是與其幾何中心區域（例如，區域C）錯位/偏移（offset）。 擴散端口組件的偏離放置允許中心區域的材料保持完整，由此，可以更好地固持座構件222的整體結構完整性（例如，抵抗在機器加工期間的熱膨脹、翹曲等），並且質量分佈可保持更靠近其幾何中心而有更好的整體平衡。 此外，示例性擴散端口組件的位置避開其他預先指配的功能構件，例如視窗和基板支撐機構。 在一些實施例中，幾何中心區域C具有約25至30mm的寬度/半徑。
在所示的實施例中，座蓋221配備有上擴散誘導組件229（例如，在其頂表面上方），該上擴散誘導組件能夠實現環境與儲存元件220的內部體積（在工件R 2上方）之間的流體連通。 因此，可通過微流體流動效應（例如，對流或擴散）實現工件R 2上的氣相污染物或空氣傳播分子污染物的提取或減少。
同時參考圖2B，工件R 2被接收在包括座構件222'和座蓋221'的內盒220'中。 上擴散誘導元件229/229'的放置位置會影響工件R 2的頂面上的灰塵/氣相污染物的去除效率。 例如，示例性上擴散誘導元件229/229'限定了大致圓形的擴散口圖案，該圖案覆蓋在座蓋222的幾何中心區域上。 由於示例性座蓋221和座構件222的幾何中心是基本上對齊的，因此這使得上擴散埠（例如，部件229/229'）在關閉時投影地重疊座構件222的幾何中心區域。 擴散埠的中心重疊布置總體上允許容納具有更大平面尺寸的過濾膜。 此外，示例性上擴散誘導元件229/229'被佈置為在工件R 2的中心區域上與工件R 2完全重疊。
測試結果證實，擴散埠（例如，部件229/229'）的中央佈置有助於提高清潔效率。 例如，上擴散埠的大致中心位置允許通過上擴散誘導元件229/229'的大部分向內氣流（例如，通過自然擴散或通過CDA淨化的外力誘導氣流）朝向工件頂面的中心區域被引導。 因此，工件R 2的頂面上方的灰塵/氣相污染物將更有效地從工件R 2清除。 此外，上擴散埠的大體上幾何對稱的佈置使得能夠以更均勻的方式在工件上方去除污染物。 例如，在所示實施例中，上擴散誘導元件229被佈置成其中心區域與座構件222的幾何中心區域C投影重疊。 擴散埠的這種中心布置允許利用具有最大可能的平面面積的過濾膜，由此增加擴散效率和清潔均勻性。
在示出的實施方式（如圖2A所示）中，座蓋221的側壁221a設置有多個空氣流動通道228以及被佈置以覆蓋空氣流動通道228的至少一個過濾構件228a。
在清潔（例如，洗滌）容器系統之後，在其表面上可能存在水殘留。 殘留的水可能吸引污垢，因此增加了污染所接收的工件的可能性。 通過改變儲存組件的表面特性，在清潔之後可以更容易地乾燥儲存組件。 因此，可以減少由於清潔之後的烘烤/乾燥過程引起的停工時間。 此外，儲存組件220的表面處理（例如，疏水處理）可以減少細粉塵的粘附並且更容易將它們洗掉，從而增加儲存組件的防塵能力。
儲存組件（例如，儲存組件220）可被分成不同的區域，在所述不同的區域上應用親水性和疏水性的不同表面處理。 在一些實施例中，可以部分地/選擇性地或完全地對座蓋221和座構件222之一或兩者進行表面處理。 例如，在一些實施例中，座蓋221和座構件222的內表面（例如，在內盒閉合時向內暴露的表面）可以接收親水處理（例如，在對應於所接收的工件的正投影的區域處），而其餘區域保持未經處理或經疏水處理。
在某些實施例中，座構件222的工件容納區域222a是用第一類型處理方式處理的。  在一些實施例中，第一類型處理區域包括親水性處理區域。 當由於環境條件變化（例如，設備故障）而發生水冷凝時，工件容納區域222a（例如，所接收的光罩的正投影下的內部中心區域）中出現的水滴可產生較小的潤濕角（其轉換成較低的總液滴高度），因此，降低了與存儲的光罩冷凝接觸的可能性。
在一些實施例中，該座構件的內表面進一步用第二類型表面處理來處理。 例如，座構件222具有配置在工件收容區域222a的周圍的第二處理區域（例如週邊區域）。 在一些實施例中，第二類型處理區域包括疏水性處理區域。 設置有疏水處理的座構件222在清潔之後可以更容易地乾燥。 在一些實施例中，座構件222的外表面（例如，在內盒閉合時向外暴露的表面）也可以用疏水處理來處理。
在一些實施例中，座構件222和座蓋221基本由金屬製成。 此外，疏水處理區域的表面電阻值小於約10 11Ω。 例如，在該儲存組件上的疏水塗層可以保持低於1 um以維持靜電荷消散能力。 在一些實施例中，疏水處理區域上的疏水層具有小於約1um的厚度。
圖3是根據本案的一些實施例示出的座構件的等距分解視圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。
在所示出的實施例中，座構件322包括主體322a，該主體具有儲存部分325，該儲存部分限定穿過其幾何中心區域C的縱向軸線L 3 。主體322a進一步包括沿著縱向軸線L 3延伸的一對側翼部分326，每個側翼部分具有減小的厚度（即，比儲存部分325的厚度薄）。 在前述實施例中描述的材料、表面處理和/或塗覆佈置可以被應用於示例性座構件322。
示例性座構件322包括被佈置在主體322a的底面上的多個擴散端口組件327a。 在所示出的實施例中，擴散端口組件327a包括被佈置成穿過主體322a的多個埠327b以及經配置以覆蓋這些埠327b的過濾膜327c。 在所示實施例中，擴散端口組件327a還設置有下過濾器蓋（例如，過濾器蓋327d），該過濾器蓋經配置以固持過濾膜327c。 示例性過濾器蓋327d由穿孔板製成，該穿孔板設置有與過濾膜327c相當的平面區域。 在一些實施例中，過濾器蓋可通過卡扣配合元件緊固在座構件322的底面上。 在所示實施例中，擴散端口組件327a還設置有蓋固持構件327e（諸如螺絲），該蓋固持構件經配置以將過濾器蓋327d緊固在座構件322的底面上。
座構件322的主體322a上的擴散端口組件327a的配置可以考慮各種因素，例如座構件322的外表面（例如，底面）在組裝時的總體平坦度。 例如，示例性過濾器蓋327d經配置以被嵌入主體322a中，使得過濾器蓋327d的面向外的表面不從座構件322的底面突出。 在所示出的實施例中，擴散端口組件327a在座構件322的主體322a的底面上配置有凹入特徵327f，該凹入特徵被配置以容納過濾器蓋327d。 在一些實施例中，凹入特徵327f還用作重量剃削措施，其起到減小主體322a的總質量的作用。
用於座構件的材料可考慮各種因素，諸如其暴露於的周圍環境（例如，暴光裝置內部的條件）。 一方面，常規的過濾器構件經常包含某些基礎材料（例如，特氟綸/PTFE）。 然而，在某些精密的應用（例如，EUV光刻工藝）中，將過濾元件中的某些內容物暴露於極端環境條件（例如，EUV發射）可能導致對製造工藝有害的不期望的副產物（例如，廢氣）的產生。 在一些實施例中，該下過濾膜（例如，過濾膜327c）基本不含氟成分。 在一些實施例中，該過濾膜可以基本由金屬材料（如鎳）製成。 在一些實施例中，該金屬過濾膜可以通過電鑄工藝來製造。 在一些實施例中，過濾器蓋和蓋緊固件也基本不含氟成分。 用於過濾器蓋和蓋緊韌體的合適材料可以是金屬，例如鋁。
如本圖中所示，座構件322在儲存部分325內具有第一可觀察區域Z 31以允許觀察所接收的基板。 在所示實施例中，座構件322包括嵌入在第一可觀察區域Z 31中的兩個內部光學構件3221、3222。 在一些實施例中，內部光學構件3221/3222可以密封地安裝在第一可觀察區域Z 31中。 例如，內部光學構件3221/3222的配置可包括在透光構件周圍的密封構件（例如，O形環）。 通常，內部光學構件3221/3222的配置提供密封的外殼，該密封外殼能夠充分地防止灰塵和濕氣通過光學構件和座構件之間的結構介面進入內部空間。 在一些實施例中，光學構件3221/3222可以經配置以實現氣密級密封。 在一些實施例中，兩個內部光學構件3221、3222的合適材料可與前述實施例中描述的那些材料相當。
圖4是根據本案的一些實施例的座蓋的等距分解視圖。
在所示出的實施例中，座蓋421配置有上擴散誘導組件（統稱為組件429），該上擴散誘導組件被配置成實現主體4210的兩個相反側之間的流體連通。  示例性上擴散誘導組件429包括穿過主體4210的中心區域的多個孔429b、佈置成覆蓋孔429b的上過濾膜429c以及構造成保持上過濾膜429c的過濾器保持器。   過濾器保持器（例如，上過濾器蓋429d）還被配置成允許流體接觸保持在其下方的過濾膜/片。  例如，上過濾器蓋429d形成有允許流體進入（access to）上過濾膜429c的通孔429j。 在所示的實施例中，當上過濾器蓋429d安裝在主體4210上時，形成在主體4210上的孔429b與形成在上過濾器蓋429d上的通孔429j對齊。  通孔429j與孔429b的對準使得能夠實現主體4210的相反側之間的流體連通。  主體4210上的孔429b可以被設置成形成對稱圖案，如本實例中所示的圓形圖案。  孔429b的對稱圖案可有助於在下方的工件上產生均勻流動。
上過濾膜429c構造成防止顆粒污染物（例如灰塵）從中穿過。 在一些實施例中，上過濾膜429c可以包括基於織物的材料。 在一些實施例中，上過濾膜429c具有與下過濾膜（例如，圖3所示的過濾膜327）大體不同的材料組成。 例如，上過濾膜429c可以包括具有氟基塗層的基於織物的材料（例如，PTFE），而下過濾膜（例如，過濾膜329c）基本上不含氟成分。
在一些實施例中，過濾器保持器（例如，上過濾器蓋429d）可透過一個或多個固定件（例如，上蓋固持構件429q）連接到主體4210。 因此，示例性上過濾器蓋429d進一步設置有經配置以接收固持構件429q的固持座429k。 在所示的實施例中，保持結構 429q包括佈置在上過濾器蓋429d的四個對應角落處的四個螺釘。 在其他實施例中，可以使用其他形狀和形式的固定件，例如保持夾、鉤等。 在一些實施例中，這些固持座429k的設置位置可以對稱地佈置在位於該過濾器固持件下方的該過濾片周圍，以向該過濾片施加均勻的應力。 例如，在所示的實例中，這四個固持座429k被佈置成在由這些通孔429j限定的圓形圖案的兩個相互垂直的等分線（在本圖中由虛線指示）上。 此外，主體4210的幾何中心區域進一步形成有凹陷部429s，該凹陷部的形狀和大小被構造成用於容納上過濾器蓋429d，由此座蓋421的整體厚度可以減小。
在示出的實施方式中，上擴散誘導組件429還設置有用於加強過濾器蓋429d與座蓋421之間的密封接合的密封構件。 例如，過濾器模組429包括佈置在過濾器蓋429d的周邊與座蓋421之間的密封環429g。
圖5示出了根據本公開的一些實施例的座蓋的俯視圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性裝置的一些細節/子部件未在本公開附圖中顯式地標記。
設置於座蓋的擴散誘導組件（例如，上擴散誘導組件529）的設置位置可以考慮各種因素，例如，佈置在上擴散誘導組件下方的工件（例如，光罩R2）的頂面上的流體流動和流動均勻性。  在所示實施例中，上擴散誘導組件529具有幾何中心529r，其與座蓋521的幾何中心基本對齊。 同心佈置的上擴散誘導組件529有利於產生從工件的中心區域向其四個邊緣輻射的均勻流。 此外，上擴散誘導組件529的同心佈置還使得上過濾膜529c被配置為具有大的平面面積。 上過濾膜529c的大面積可以支援更大的流體流動。 大的流體流動和均勻流動兩者對在工件的頂面上去除微粒/氣相污染物的效率有有益的貢獻。 在一些實施例中，該上過濾膜的大小是該工件的平面面積的至少25%。 在一些實施例中，該上過濾膜的直徑是約90 mm。
在一些實施例中，過濾器保持器的固定件座（例如，座529k）佈置成同時偏離（offset）包括座蓋的兩個對稱軸線的區域。 例如，示例性固持座529k佈置成偏移包含在座蓋521的兩個相交對稱軸線（A 1、A 2）之間的區域S（在圖5中由陰影區域指示）。 在所示實施例中，對稱軸線之一（例如軸A 1）包括示例性座蓋521的主體的垂直平分線。 特別地，軸線A 1穿過座蓋521的一對側翼526。 另一對稱軸線（例如，軸A 2）包括座蓋521的對角線。 兩條對稱軸A 1、A 2在幾何中心529r處相交，由此形成兩對對頂角。 示例性區域S由小於90度的一對對頂角度限定。 在一些實施例中，該對頂銳角不大於45度。 在一些實施例中，較小的對頂角的值是從約35度到40度。
當固持座529k與上過濾器蓋529的幾何中心529r之間的距離太小時，形成在上過濾器蓋529的四個拐角處的四個固持座529k可能不能偏離/避開區域S。 上擴散誘導組件529的同心佈置使上過濾器蓋529被配置為具有較大直徑，從而使固持座529k被製造為具有足夠大的平面面積，以在保持偏移布置的同時提供結構完整性。
圖6A示出了根據本公開的一些實施例的座蓋的示意性剖面圖。 圖6A可表示沿圖5中的剖線B-B的示意性剖視圖。 圖6B示出了根據本公開的一些實施例的座蓋的元件的示意性分解圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性裝置的一些細節/子部件可能未在本公開附圖中顯式地標記。
同時參照圖6A和6B，座蓋621包括主體6210和上擴散誘導組件，該上擴散誘導組件配備有被佈置成穿過主體6210的多個孔629b，上過濾膜629c被佈置成覆蓋這些孔629b，且上過濾蓋629d被配置成固持該上過濾膜629c同時使得流體能夠接觸該上過濾膜629c。 當上過濾器蓋629d安裝在主體6210上時，形成在主體6210上的孔629b與上過濾器蓋629d的通孔629j對齊。
在所示的實施例中，上過濾器蓋629d通過由固持座629k收容的上蓋固持構件629q安裝在主體6210上。 在所示的實施例中，上過濾器蓋629d的中心區域629r不高於座蓋621的主體6210的外表面6210a。 固持座629k具有高於外表面6210a的上表面。
如圖所示，上擴散誘導組件629進一步包括佈置在過濾器蓋629d的周邊與座蓋621的主體6210之間的密封環629g。 示例性過濾器蓋629d的周邊形成有用於容納密封環629g的面向下方的環形槽629y。
在當前剖檢視中，示例性通孔629j和孔629b設有大致均勻的寬度。 然而，這些孔和/或開口的截面構型可以考慮許多因素，例如空氣流經其中的方向。 例如，設定有向下減小的寬度的孔和/或開口可促進空氣的向內流動。 相反，具有向上減小的寬度的孔和/或開口以促進空氣的向外流動。 在一些實施例中，孔和/或開口可設置有向上/下漸小的剖面輪廓。 在一些實施例中，通孔629j和/或孔629b可以進一步配備有倒角。
圖7示出了根據本公開的一些實施例的座蓋的俯視圖。 為了說明的簡單和清楚起見，該示例性裝置的一些細節/子部件可能未在本公開附圖中顯式地標記。
為了執行光刻製程，在採用所收容的光罩的後續曝光製程之前，儲存組件可在到達曝光裝置內的指定位置/站（例如，工件裝載站）時打開。 可以檢查儲存組件在指定位置處的位置和/或定向（orientation），以防止精密的儲存組件和/或包含在其中的掩模組在後續程式（例如，儲存組件的拆卸）期間意外損壞。
在一些應用程式中（例如 EUV 曝光裝置中），將透過光學手段（例如光學定位感測器（例如雷射掃描裝置））檢查儲存組件的位置和/或定向的精度。 例如，圖7示意性示出了在雷射光學定位程式的操作場景下的座蓋的俯視圖。 在所示過程中，在示例性座蓋721的頂表面上方產生兩束雷射束L 1、L 2（用虛線表示）。 特別地，雷射束L 1沿著座蓋721的垂直平分線佈置，而雷射束L 2以不大於45度的角度A與鐳射束L 1相交的方式佈置。
在座蓋721未精確定位/定向的情況下，座蓋721的部件會阻擋鐳射束L 1、L 2中的一束或兩束。 例如，當儲存組件相對於x-y平面傾斜時，座蓋721的頂表面會阻擋鐳射束L 1、L 2。 當發現雷射束L 1、L 2之一被座蓋721阻擋時，可以產生指示定位失敗的輸出（例如，通過諸如顯示器的輸出單元）。
示例性固持座729k設定有相較於過濾器蓋729d的中心區域729r的頂表面更為突出的較高厚度（例如，沿著z方向），以確保固持的有效性（例如，保持足夠的螺釘長度）。 由於內盒被精確地定位，固持座729k的幾何不對稱/徑向傾斜（radially skewed）放置可在光學定位過程期間同時避開兩束雷射束L 1、L 2，從而避免雷射束被阻擋。 在所示實施例中，座蓋721的固持座729k佈置成偏移包括座蓋721的兩條對稱軸（例如，垂直平分線和對角線）的區域。 換言之，過濾器蓋729d的平分線（例如，穿過固持座729k中的兩個的線BT）佈置成同時偏離座蓋721的垂直平分線和對角線。
因而，本公開的一方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統。 此儲存組件包括座構件與一個座蓋。 所述座構件限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件；所述座構件包括下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在所述工件的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。 所述座蓋構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼；其中，所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設置在所述工件的平面投影上方，並與所述座構件的所述幾何中心區域投影重疊。
在一些實施例中，所述上擴散誘導組件具有基本上與所述座蓋的幾何中心對準的幾何中心。
在一些實施例中，所述上擴散誘導組件包括上過濾蓋和上過濾膜，所述上過濾膜被構造成由所述上過濾蓋保持在所述座蓋上。 所述上過濾蓋的佈置成使流體能夠進入所述上過濾膜。 所述上過濾蓋的中心區域不高於所述座蓋的外表面。
在一些實施例中，所述上過濾蓋還包括固持座，所述固持座被構造成接收上蓋固持構件。 所述固持座具有比座蓋的外表面高的上表面。
在一些實施例中，所述固持座被配置成同時偏離包括所述座蓋的兩條對稱軸的區域。
在一些實施例中，所述對稱軸中的一條包括所述座蓋的垂直平分線。
在一些實施例中，所述對稱軸中的一條包括所述座蓋的對角線。
在一些實施例中，該上過濾膜的大小是該工件的平面面積的至少25%。
在一些實施例中，所述下擴散誘導組件包括擴散端口組件，所述擴散端口組件圍繞所述座構件的所述幾何中心區域佈置在所述工件接收區域中。 所述擴散埠元件包括下過濾蓋、由所述下過濾蓋保持的下過濾膜以及下蓋固持構件。 所述上擴散誘導組件設置有上過濾膜，所述上過濾膜具有與所述下過濾膜不同的材料組成。
在一些實施例中，所述下過濾膜基本上不含氟成分。
因而，本公開的一個方面提供了一種包括儲存組件的工件容器系統。 所述儲存組件包括座構件和座蓋，所述座構件限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件，所述座蓋構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼。 所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設在所述工件的平面投影上方。 所述上擴散誘導組件具有與所述座蓋的幾何中心對齊的幾何中心。
在一些實施例中，所述上擴散誘導組件包括上過濾蓋和上過濾膜，所述上過濾膜被構造成由所述上過濾蓋保持在所述座蓋上。 所述上過濾蓋佈置成使流體能夠進入所述上過濾膜。 所述上過濾蓋的中心區域不高於所述座蓋的外表面。
在一些實施例中，所述上過濾蓋還包括固持座，所述固持座被構造成與所述座蓋建立保持接合。 所述固持座被配置成同時偏離包括所述座蓋的兩條對稱軸的區域。
在一些實施例中，所述對稱軸中的一條包括所述座蓋的垂直平分線。
在一些實施例中，所述對稱軸中的一條包括所述座蓋的對角線。
在一些實施例中，所述固持座具有比座蓋的外表面高的上表面。
在一些實施例中，所述上過濾膜的大小是所述基板的平面面積的至少25%。
在一些實施例中，在所述工件的平面投影內的所述座構件上設置下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件使所述幾何中心區域偏移。 所述下擴散誘導組件包括擴散端口組件，所述擴散端口組件圍繞所述座構件的所述幾何中心區域佈置在所述工件接收區域中。 所述擴散埠元件包括下過濾蓋、由所述下過濾蓋保持的下過濾膜以及下蓋固持構件。 所述上擴散誘導組件設置有上過濾膜，所述上過濾膜具有與所述下過濾膜不同的材料組成。
在一些實施例中，所述下過濾膜基本上不含氟成分。
在一些實施例中，該系統還包括運輸組件，所述運輸組件用於接收所述儲存組件。
惟以上所述者，僅為本公開之實施例而已，當不能以此限定本公開實施之範圍，凡是依本公開申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本公開專利涵蓋之範圍內。
100:工件容器系統 110:運輸組件 111:外蓋 112:外基座 112a:上平臺 112b:下平臺 1121:外部光學構件 Z 12:第二觀察區 120:儲存組件 121:座蓋 122:座構件 122a:工件容納區域 1221:內部光學構件 124:支撐柱 125:儲存部份 126:側翼部份 127:組件 128:組件 129:組件 141:壓緊銷 171:推動元件 190:支撐結構 R 1:光罩 Z l1:第一觀察區 220:儲存組件 221:座蓋 222:座構件 222:座構件 C:幾何中心區域 322:座構件 224:支撐柱 225:儲存部份 226:側翼部份 222a:工件容納區域 222b:周邊區域 P:圖案區域 L 2:縱向軸線 322a:主體 3221:內部光學組件 3222:內部光學組件 327a:擴散端口組件 327b:埠 327c:過濾膜 327d:過濾器蓋 327e:蓋固持構件 Z 31:第一觀察區 421:座蓋 4210:主體 429:上擴散誘導組件 429b:孔 429c:上過濾膜 429d:上過濾器蓋 429j:通孔 529:上擴散誘導組件 529r:幾何中心 529c:上過濾膜 529k:固持座 A 1、A 2:軸線 621:座蓋 6210:主體 629b:孔 629c:上過濾膜 629d:上過濾蓋 629d:上過濾器蓋 629j:通孔 721 :座蓋 L 1、L 2:雷射束 729k:固持座 729d:過濾器蓋 729r:中心區域
為可仔細理解本案以上記載之特徵，參照實施態樣可提供簡述如上之本案的更特定描述，一些實施態樣係說明於隨附圖式中。然而，要注意的是，隨附圖式僅說明本案的典型實施態樣並且因此不被視為限制本案的範圍，因為本案可承認其他等效實施態樣。 圖1示出了根據本案的一些實施例的工件容器系統的示例性橫截面圖； 圖2A示出了根據本案的一些實施例的工件容器系統的等距視圖； 圖2B示出了根據本案的一些實施例的工件容器系統的示例性橫截面圖； 圖3示出了根據本案的一些實施例的座構件的等距分解視圖； 圖4示出了根據本案的一些實施例的座蓋的等距分解視圖； 圖5示出了根據本案的一些實施例的座蓋的俯視圖； 圖6A示出了根據本案的一些實施例的座蓋的示例性橫截面圖； 圖6B示出了根據本案的一些實施例的座蓋的示例性分解視圖；及 圖7示出了根據本案的一些實施例的座蓋的俯視圖。 然而，應注意的是，附圖僅示出了本公開的示例性實施例，並且因此不應被認為是對其範圍的限制，因為本公開可以允許其他等效的實施例。 應該注意的是，這些附圖意在說明在某些示例實施例中使用的方法，結構和/或材料的一般特性，並補充下面提供的書面描述。然而，這些附圖不是按比例繪製的，並且可能不能精確地反映任何給定實施例的精確的結構或性能特徵，並且不應被解釋為定義或限制示例實施例所涵蓋的值或特性的範圍。例如，為了清楚起見，可以減小或放大層，區域和/或結構元件的相對厚度和位置。在各個附圖中使用相似或相同的附圖標記旨在指示相似或相同的元件或特徵的存在。
100:工件容器系統
110:運輸組件
111:外蓋
112:外基座
112a:上平臺
112b:下平臺
1121:外部光學構件
Z12:第二觀察區
120:儲存組件
121:座蓋
122:座構件
122a:工件容納區域
1221:內部光學構件
124:支撐柱
125:儲存部份
126:側翼部份
127:組件
128:組件
129:組件
141:壓緊銷
171:推動元件
190:支撐結構
R1:光罩
Z11:第一觀察區

Claims (15)

  1. 一種工件容器系統，包括：儲存組件，包括：座構件，限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件，其中，所述座構件包括下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在所述工件的平面投影內且偏離所述幾何中心區域；及座蓋，構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼，其中，所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設置在所述工件的平面投影上方，並與所述座構件的所述幾何中心區域投影重疊，以及包括設置成圓形圖案的多個孔，及其中，所述圓形圖案具有與所述座蓋的幾何中心對齊的幾何中心。
  2. 如請求項1所述的工件容器系統，其中，所述上擴散誘導組件包括上過濾蓋和上過濾膜，所述上過濾膜被構造成由所述上過濾蓋保持在所述座蓋上，其中，所述上過濾蓋佈置成使流體能夠進入所述上過濾膜，及其中，所述上過濾蓋的中心區域不高於所述座蓋的外表面。
  3. 如請求項2所述的工件容器系統，其中，所述上過濾蓋還包括固持座，所述固持座被構造成接收上蓋固持構件，及其中，所述固持座具有比所述座蓋的外表面高的上表面。
  4. 如請求項3所述的工件容器系統，其中，所述固持座被配置成同時偏離包括所述座蓋的兩條對稱軸的區域，及其中，所述兩條對稱軸包括所述座蓋的垂直平分線以及對角線。
  5. 如請求項2所述的工件容器系統，其中，所述上過濾膜的大小是所述工件的平面面積的至少25%。
  6. 如請求項1所述的工件容器系統，其中，所述下擴散誘導組件包括擴散端口組件，所述擴散端口組件圍繞所述座構件的所述幾何中心區域佈置在所述工件接收區域中，其中，所述擴散端口組件包括下過濾蓋、由所述下過濾蓋保持的下過濾膜以及下蓋固持構件，及其中，所述上擴散誘導組件設置有上過濾膜，所述上過濾膜具有與所述下過濾膜不同的材料組成。
  7. 如請求項6所述的工件容器系統，其中，所述下過濾膜不含氟成分。
  8. 一種工件容器系統，包含：儲存組件，包含：座構件，限定有工件接收區域，所述工件接收區域包圍所述座構件的幾何中心區域，所述座構件設置為接收工件；及座蓋，構造成在圍繞所述工件接收區域的周邊區域接合所述座構件，以協同地形成用於容納所述工件的外殼，其中，所述座蓋包括上擴散誘導組件，所述上擴散誘導組件被設置在所述工件的平面投影上方，以及包括設置成圓形圖案的多個孔，及其中，所述圓形圖案具有與所述座蓋的幾何中心對齊的幾何中心。
  9. 如請求項8所述的工件容器系統，其中，所述座蓋包括主體，所述主體包括設置穿過所述主體的中心區域的所述多個孔，其中，所述上擴散誘導組件包括上過濾蓋和上過濾膜，所述上過濾膜設置成在所述多個孔上，並被構造成由所述上過濾蓋保持在所述座蓋上，其中，所述上過濾蓋包括使流體能夠進入所述上過濾膜的多個通孔， 其中，所述多個通孔中的每一個與所述主體上的所述多個孔中的一個對齊，及其中，所述上過濾蓋的中心區域不高於所述座蓋的外表面。
  10. 如請求項9所述的工件容器系統，其中，所述上過濾蓋還包括固持座，所述固持座被構造成與所述座蓋建立保持接合，及其中，所述固持座被配置成同時偏離包括所述座蓋的兩條對稱軸的區域，及其中，所述兩條對稱軸包括所述座蓋的垂直平分線以及對角線。
  11. 如請求項10所述的工件容器系統，其中，所述固持座具有比座蓋的外表面高的上表面。
  12. 如請求項10所述的工件容器系統，其中，所述上過濾膜的大小是所述工件的平面面積的至少25%。
  13. 如請求項9所述的工件容器系統，其中，所述座構件包括下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在所述工件的平面投影內且偏離所述幾何中心區域， 其中，所述下擴散誘導組件包括擴散端口組件，所述擴散端口組件圍繞所述座構件的所述幾何中心區域佈置在所述工件接收區域中，其中，所述擴散端口組件包括下過濾蓋、由所述下過濾蓋保持的下過濾膜以及下蓋固持構件，及其中，所述上擴散誘導組件設置有上過濾膜，所述上過濾膜具有與所述下過濾膜不同的材料組成。
  14. 如請求項13所述的工件容器系統，其中，所述下過濾膜不含氟成分。
  15. 如請求項8所述的工件容器系統，還包括：運輸組件，所述運輸組件用於接收所述儲存組件。
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