TWI778561B - 半導體工件容器系統 - Google Patents

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TWI778561B
TWI778561B TW110111699A TW110111699A TWI778561B TW I778561 B TWI778561 B TW I778561B TW 110111699 A TW110111699 A TW 110111699A TW 110111699 A TW110111699 A TW 110111699A TW I778561 B TWI778561 B TW I778561B
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邱銘乾
莊家和
薛新民
溫星閔
林書弘
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家登精密工業股份有限公司
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Abstract

一種包括儲存組件的半導體工件容器系統，所述儲存組件包括座構件。 所述座構件具有儲存部份，所述儲存部份限定通過其幾何中心區域的縱向軸線，所述儲存部份設置有工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含所述幾何中心區域並且經配置以接收工件。該座構件具有一對側翼部分，該對側翼部分沿著該縱向軸線被設置在該儲存部份的相反側上，每個側翼部分具有比該儲存部份的厚度更薄的厚度。儲存部份具有擴散誘導組件，所述擴散誘導組件在半導體工件接收區域中且與所述幾何中心區域錯位。

Description

半導體工件容器系統
本申請要求於2020年9月30日提交的台灣專利申請號109134304及2021年2月5日提交的美國專利申請號17/168207的權益，所述申請在此通過引用併入本文並且構成說明書的一部分。
本公開涉及用於存儲、運輸、運送和處理諸如光罩(photomask,reticle)和晶圓(wafer)等易碎物體的容器，並且尤其涉及用於存儲、運輸、運送和處理光罩的固持系統，該光罩用於極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻工藝(lithography process)。
在半導體工業中，基於工件容器(例如，光罩固持器)的有效載荷精確度的要求的提高，工件容器也隨著發展，以滿足提高保護工件的水平使其免受潛在環境危害的需求。
例如，新一代的光罩(reticle)固持器有時設置有雙盒結構，該雙盒結構包括用於接收/儲存光罩的儲存元件(例如，內盒單元)和用於容納/運輸該儲存元件的運輸元件(例如，外盒單元)。在運輸期間，光罩可被包裝在儲存組件內。出於存儲目的，可將其中容納光罩的容器系統(例如，在大氣環境下由機器人)運送至外開盒器。此後，該運輸元件可以被該開盒器打開以便允許從中取出該儲存元件。然後，內盒可以(例如，在真空環境下由機器人) 被運送到真空光罩庫並且存儲在其中。為了執行光刻工藝，當到達曝光設備內部的指定位置時，在使用包含被收容的光罩進行後續曝光過程之前，就可以打開內盒。
然而，當使用該容器系統來儲存/運輸工件時，在該儲存元件內部可能存在顆粒污染物、氣相污染物(例如，廢氣或濕氣)、或空氣傳播的分子污染物(airborne molecular contaminants，AMC)。污染物可能不利地影響所接收的工件。
因此，本文的一個方面提供了一種包括儲存組件的半導體工件容器系統，所述儲存組件包括座構件。所述座構件具有儲存部份，所述儲存部份限定通過其幾何中心區域的縱向軸線，所述儲存部份設置有半導體工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含所述幾何中心區域並且經配置以接收工件。該座構件具有一對側翼部分，該對側翼部分沿著該縱向軸線被佈置在該儲存部份的相反側上，每個側翼部分具有比該儲存部份的厚度更薄的厚度。儲存部份設置有擴散誘導組件，擴散誘導組件位在半導體工件接收區域中且與所述幾何中心區域錯位。
因此，本公開的一方面提供了一種包括儲存組件的半導體工件容器系統，該儲存組件包括座構件和座蓋。所述座構件限定半導體工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含其幾何中心區域，所述半導體工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的基板。座構件上設有下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在基底的圖案區域的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。該座蓋被配置以在其半導體工件接收區域周圍的周邊區域處接合該座構件，經配置以配合地形成用於容納該基底的封閉件。
100:半導體工件容器系統
110:運輸組件
111:外蓋
112:外基座
112a:上平臺
112b:下平臺
1121:外部光學構件
Z12:第二觀察區
120:儲存組件
121:座蓋
122:座構件
122a:工件容納區域
1221:內部光學構件
124:支撐柱
125:儲存部份
126:側翼部份
127:組件
128:組件
129:組件
141:壓緊銷
171:推動元件
190:支撐結構
R1:光罩
Z11:第一觀察區
220:儲存組件
221:座蓋
222:座構件
222:座構件
C:幾何中心區域
322:座構件
224:支撐柱
225:儲存部份
226:側翼部份
222a:工件容納區域
222b:周邊區域
P:圖案區域
L2:縱向軸線
322a:主體
3221:內部光學組件
3222:內部光學組件
327a:擴散端口組件
327b:埠
327c:過濾膜
327d:過濾器蓋
327e:蓋固持構件
Z31:第一觀察區
422:座構件
I、II、III、IV:象限區域
L41:垂直平分線
L42:垂直平分線
4220:重量剃
削區域
427a:擴散端口組件
P4:護膜
PF:護膜框架
R4:光罩
522:座構件
5220:重量剃削區域
527a:擴散端口組件
T51:厚度
T52:厚度
622:座構件
624:定位結構
622a:半導體工件接收區域
622e:溝槽結構
622g:引導溝槽區段
729:上擴散誘導組件
729b:埠
729:上過濾膜
729d:過濾器蓋
為可仔細理解本案以上記載之特徵，參照實施態樣可提供簡述如上之本案的更特定描述，一些實施態樣係說明於隨附圖式中。然而，要注意的是，隨附圖式僅說明本案的典型實施態樣並且因此不被視為限制本案的範圍，因為本案可承認其他等效實施態樣。
圖1示出了根據本案的一些實施例的半導體工件容器系統的示例性橫截面圖；圖2示出了根據本案的一些實施例的半導體工件容器系統的等距視圖；圖3示出了根據本案的一些實施例的座構件的等距分解視圖；圖4a示出了根據本案的一些實施例的座構件的底視圖；圖4b示出了根據本案的一些實施例的座構件的示例性橫截面圖；圖5a示出了根據本案的一些實施例的座構件的仰視圖；圖5b示出了根據本案的一些實施例的座構件的示例性橫截面視圖；圖6a示出了根據本案的一些實施例的座構件的俯視圖；圖6b示出了根據本案的一些實施例的座構件的示例性橫截面視圖；圖7示出了根據本案的一些實施例的座蓋的等距分解視圖；圖8a至圖8e分別示出了根據本案的一些實施例的座構件的示意圖；圖9a示出了根據本案的一些實施例的座構件的示意圖；圖9b示出了根據本案的一些實施例的座構件的示例性橫截面視圖；圖10a至圖10b分別示出了根據本案的一些實施例的座構件的示例性橫截面圖；圖11a至圖11b分別示出了根據本案的一些實施例的座蓋的示意圖；圖12a至圖12b分別示出了根據本案的一些實施例的座構件的示意圖；及 圖13示出了根據本案的一些實施例的座構件的示意圖。
然而，應注意的是，附圖僅示出了本公開的示例性實施例，並且因此不應被認為是對其範圍的限制，因為本公開可以允許其他等效的實施例。
應該注意的是，這些附圖意在說明在某些示例實施例中使用的方法，結構和/或材料的一般特性，並補充下面提供的書面描述。然而，這些附圖不是按比例繪製的，並且可能不能精確地反映任何給定實施例的精確的結構或性能特徵，並且不應被解釋為定義或限制示例實施例所涵蓋的值或特性的範圍。例如，為了清楚起見，可以減小或放大層，區域和/或結構元件的相對厚度和位置。在各個附圖中使用相似或相同的附圖標記旨在指示相似或相同的元件或特徵的存在。
以下描述將參考附圖以更全面地描述本公開內容。附圖中所示為本公開的示例性實施例。然而，本公開可以以許多不同的形式來實施，並且不應所述被解釋為限於在此闡述的示例性實施例。提供這些示例性實施例是為了使本公開透徹和完整，並且將本公開的範圍充分地傳達給本領域技術人員。類似的附圖標記表示相同或類似的元件。
本文使用的術語僅用於描述特定示例性實施例的目的，而不意圖限制本公開。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數形式“一”，“一個”和“所述”旨在也包括複數形式。此外，當在本文中使用時，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整數，步驟，操作，元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或多個其它特徵，區域，整數，步驟，操作，元件，組件和/或其群組。
除非另外定義，否則本文使用的所有術語(包括技術和科學術語) 具有與本公開所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。此外，除非文中明確定義，諸如在通用字典中定義的那些術語應所述被解釋為具有與其在相關技術和本公開內容中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化或過於正式的含義。
將結合圖1至圖13中的附圖對示例性實施例進行描述。具體實施方式將參考附圖來詳細描述本公開，其中，所描繪的元件不必按比例示出，並且通過若干視圖，相同或相似的附圖標記由相同或相似的附圖標記表示相同或相似的元件。
圖1示出了根據本案的一些實施例的半導體工件容器系統的示例性橫截面圖。為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記/示出。
參照圖1，示例性半導體工件容器系統100包括被配置成用於在其中儲存工件(例如，光罩)的內盒(例如，儲存組件120)以及經配置以用於容納儲存組件120的外盒(例如，運輸組件110)。
在示出的實施例中，儲存組件120包括座構件122和座蓋121，座蓋121被配置為接合座構件122，以便在封閉時配合地形成用於容納工件(例如，光罩R1)的內部空間。
示例性座構件122被配置成接收/支撐所存儲的工件。座構件122包括儲存部份125，該儲存部份125設置有用於接收工件的工件接收表面(例如工件容納區域122a)。在所示實施例中，座構件122還設置有佈置在儲存部分125的頂面上用於支撐光罩R1的支撐元件(例如，支撐柱124)。座構件122還被配置為通過半導體設備的機械臂從一個室傳送到另一個室。例如，座構件122進一步包括被佈置在儲存部分125的相反側上的一對側翼部分126。在當前的截面圖中，側翼部分126具有比儲存部分125薄的厚度。這種厚度差在座 構件122的邊緣部分附近產生台階輪廓。該對階梯狀輪廓被配置為用作與具有叉狀結構的機器人臂的接觸介面。這樣的布置允許座構件122由叉狀臂側向地保持和豎直地支撐。
在一些情形中，所存儲的工件可以是半導體基板(例如，極紫外光刻光罩R1)。光罩R1的功能表面(即，其上限定有光罩布局圖案的面向下的表面)需要被保持沒有污染物，以便防止在光刻工藝期間對表面的損壞或投影到光阻層上的圖像的變形。
為了保護敏感且易碎的工件免受儲存組件120外部的顆粒/污染物的影響，座構件122與座蓋121之間的接合可以配置有一定程度的氣密性。此外，為了提供對其敏感且易碎的內容的充分保護，座蓋121和座構件122可以設置有電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)遮罩特性。用於提供EMI遮罩能力的合適材料可包括諸如金屬的導電材料。在一些實施例中，座構件122和座蓋121大致由諸如鋁的金屬製成。在一些實施例中，可以在儲存組件120的表面的選擇性區域上進一步提供表面處理如金屬塗層(如銅或金)、疏水性和/或親水性處理。
除了上述顆粒污染物之外，在該密封的儲存組件內部可能存在氣相污染物或空氣傳播的分子污染物(airborne molecular contaminants，AMC)。即使儲存組件可密封地接合，在處理過程期間，當工件從容器系統移除且更換時，仍然存在空氣進入系統的可能性。例如，可以在儲存組件120內部發現空氣中的濕氣。在合適的露點溫度下，一些濕氣將從空氣中冷凝出來並且可以沉積到光罩R1上。氣相或蒸氣污染的其他來源(例如NH3(氨)和SO2(二氧化硫))是在光罩生命週期期間由光罩/容器清潔操作產生的溶劑殘餘物。這些化學品中的一部分和濕氣可促進由石英製成的光罩上的霧/析出物(haze)的形成。光罩R1的圖案化表面上的霧/析出物的形成和/或水蒸汽的聚集可能干擾光學器 件，這可導致在光刻工藝期間轉移在半導體晶圓上的圖案的畸變(distortion)。
示例性內盒120設有一個或多個擴散誘導組件(例如，組件127、128和129)，其允許從內盒120減少或去除氣相污染物或空氣傳播分子污染物。例如，這些擴散誘導組件允許濕氣從該儲存組件內部擴散至外部環境(例如，當該儲存組件內部的濕度顯著大於在環境中的濕度時，或者當該系統用乾淨的乾燥空氣吹掃時)。
內部濕氣可以經由一個或多個擴散誘導組件擴散出內盒120。因此，可以減輕光罩上的水沉積或霧/析出物形成。在一些實施方式中，擴散誘導組件可包括多個形成在儲存組件蓋/基座上的通孔/通道/埠，其使得內盒的內部和外部之間能夠流體連通。在一些實施方式中，擴散誘導組件還可包括過濾元件，該過濾元件經配置以防止顆粒污染物從中通過。
雖然儲存組件120的蓋單元(例如，蓋構件121)的面向頂部的表面是上擴散誘導組件(例如，被佈置在所接收的工件上方的擴散誘導組件129)的方便的設置位置，安裝在頂部的擴散構件在某些應用中可能不能提供足夠水準的濕度提取(humidity extraction)效率(特別是在工件的底面周圍的區域處)。
例如，在一些實施例中，在裝配時，座構件122的頂面與所容納的工件的底面之間的間隔不大於0.3mm。窄間隔可能不利於工件下方的氣流誘導。因此，工件下方的諸如濕氣的氣相污染物可能難以通過工件上方朝向頂部安裝的擴散構件行進。
為了進一步提高擴散效率，示例性實施例的座構件122配置有被佈置在工件下方的下擴散誘導組件127。這種佈置有利於工件下方的濕氣的擴散，以利有效地提取。
在所示出的實施例中，該運輸組件110包括經配置以容納該座構件122的外基座112和經配置以接合該外基座112(並且覆蓋該儲存組件120) 的外蓋111。在一些實施例中，外基座112和外蓋111中的任一者或兩者可以具有靜電荷耗散特性，以允許釋放積聚在所存儲的工件或儲存組件上的電荷。例如，在一些實施方式中，外盒110可以由與導電纖維混合的聚合物材料配置。在一些實施例中，外蓋111和外基座112中的一者或兩者由嵌入碳纖維的樹脂材料製成。
在一些實施方式中，外盒110還可具有一個或多個氣體入口埠(未示出)，其經配置以允許來自氣體源的乾淨乾燥空氣(clean dry air，CDA)、額外的CDA或乾燥惰性氣體(例如氮氣)的進入。在一些實施方式中，外盒110還可以設置有一個或多個氣體出口埠，其經配置以允許減少或去除外盒110內的氣體。在一些實施例中，該氣體入口和/或出口埠可以進一步配置有閥，該閥經配置以控制這些埠內部的流體流動。
在一些實施例中，按壓單元(例如，壓緊銷141)可以設置在座蓋121的頂面上以用於按壓/固持工件。示例性外盒110還設有推動元件171，該推動元件171設置成對應於儲存組件120的壓緊銷141。當外蓋111耦接至外基座112時，推動元件171推動壓緊銷141以按壓/保持工件R1，從而限制工件在接收時的移動。
在示出的實施方式中，推動元件171被配置為在壓緊銷141的暴露部分(例如，壓緊銷141的頂面)處推動壓緊銷141。在示出的實施方式中，壓力接收表面的暴露部分的投影面積的寬度小於推動元件的投影面積的寬度。
在一些實施例中，推動元件171和壓緊銷141還具有電荷消散特性。因此，當外蓋111耦接到外基座112時，推動元件171推動壓緊銷141以按壓工件R1，並建立從被接收的工件R1經過壓緊銷141和推動元件171到外蓋111的電荷消散路徑(在本圖中由陰影箭頭指示)。在一些工作情況下，外 蓋111可以接地，從而允許被接收的工件R1上累積的電荷通過電荷消散路徑消散到地。用於壓緊銷141的材料可以包括導電或靜電消散材料，從而使壓緊銷141成為放電消散路徑的一部分以能夠通過其接地。在一些實施例中，壓緊銷141和推動元件171具有範圍在約106至1011Ω的表面電阻值。在一些實施例中，壓緊銷141和推動元件171具有小於約105Ω的表面電阻值。
在示出的實施方式中，外盒110進一步包括佈置在外部基部112上的支撐結構190，該支撐結構經配置以支撐儲存組件120。支撐結構190可以與外基座112一體地形成或安裝在外基座112上。在一些實施例中，儲存組件120的支撐元件124和外盒110的支撐結構190進一步具有電荷耗散特性。因此，當外蓋111耦接至外基座112(並且因此座構件122上的支撐元件124與工件R1建立接觸)時，電荷耗散路徑(在本圖中由陰影箭頭指示)可由所接收的工件R1形成，通過支撐元件124、座構件122和支撐結構190，到達外基座112。在一些實施例中，支撐元件124和支撐結構190具有在從約106至1011Ω的範圍內的表面電阻值。在一些實施例中，支撐元件124和支撐結構190具有小於約105Ω的表面電阻值。
如圖1所示，示例性系統具有被限定在座構件122的工件容納區域122a中的第一可觀察區Z11，以允許光罩R1的觀察。在一些實施例中，第一觀察區Z11可以配置有視窗，該視窗包括信號透射(signal transmissive)結構(例如，開口或信號透射構件)。例如，示例性座位構件122包括佈置在第一可觀察區Z11中的內部光學構件1221。在一些實施方式中，內部光學構件1221可以由相對於紅外光、可見光或紫外光信號而言信號透射的材料製成。內部光學構件1221的合適材料可包括玻璃(例如，石英玻璃)、丙烯酸、透明塑膠或其他相當的材料。在圖示的實施例中，內部光學構件1221可以包括一塊石英玻璃，該石英玻璃嵌入式地佈置在內基座122中(工件容納區域122a中)。
在所示實施例中，第一可觀察區域Z11被相應地設計成允許在接收到光罩R1時觀察光罩R1的識別特徵(例如，一維或二維條碼)(在示意圖中未明確示出)。在一些實施例中，光罩R1的識別特徵形成在面向第一可觀察區域Z11中的視窗的表面上且可通過第一可觀察區域Z11觀察。
在所示實施例中，外基座112具有在其上限定的第二可觀察區域Z12。第二可觀察區域Z12被佈置為與儲存組件120的第一可觀察區域Z11可觀察地對準。這樣，固持在容器系統100中的光罩R1的快速視覺識別或光學確認(諸如光罩R1狀態和識別)可通過光學掃描通過第二可觀察區域Z12和第一可觀察區域Z11來實現，而不需要打開外盒。因此，在半導體製造過程中，可以降低容器打開的頻率，這進而使敏感的精密工件對潛在危險的環境因素下的暴露最小化。
在所示的實施例中，外基座112具有中空本體，中空本體包括被配置為支撐內基座122的上平臺112a和與上平臺112a相對的下平臺112b。在一些實施例中，示例性上平臺112a和下平臺112b都可以設置有基本水平的板的結構。示例性下平臺112b被配置為密封上平臺112a。在一些實施例中，下平臺112b和上平臺112a一體地形成。示例性第二可觀察區域Z12設置有視窗，該視窗包括分別佈置在上平臺112a和下平臺112b中的兩個重疊的信號透射結構(例如，外部光學構件1121)。
在一些實施例中，嵌入上平臺112a和/或下平臺112b中的外部光學構件1121可以由對於紅外光、可見光或紫外光而言信號透射的材料製成。外部光學構件1121的合適材料可以包括玻璃(例如，石英玻璃)、丙烯酸、透明塑膠或相當的材料。在一些實施例中，對於一個或多個上述光譜範圍中的光信號，外部光學構件1121的透射率值大於80%。取決於特定的應用需求，在一些實施例中，光學構件(例如，外部光學構件和/或內部光學構件)可以包括 凹/凸面。
在一些實施例中，對於範圍在600nm至950nm之間的波長，內部光學構件1221的反射率值比外部光學構件1121低。在一些實施例中，光學構件的相應波長範圍可以在約630nm至930nm的範圍內。在一些實施例中，外部光學構件1121對於上述波長範圍的反射率值可以小於15%。在一些實施例中，內部光學構件1221對於上述波長範圍的反射率值可以小於0.5%。在一些實施例中，內部光學構件1221還可以設置有抗反射塗層。在一些實施例中，內部光學構件1221還可以設置有具有EMI遮罩特性的層。
在對耐塵和/或防塵要求嚴格的一些實施例中，外基座112的第二可觀察區域Z12中的外部光學構件1121可以設置有類似的密封機構。然而，在僅內部密封就足夠的應用中，可以在不利用密封機構的情況下構造外部光學構件1121以減少結構複雜性、重量和成本問題。
在一些實施例中，外基座的整個底面可以被設計成充當第二觀察區。例如，外部光學構件可以佔據外部基座的整個底部。
圖2示出了根據本案的一些實施例的半導體工件容器系統的等距視圖。
參照圖2，示例性儲存組件220包括座構件222和座蓋221，座構件222和座蓋221經配置以配合地形成用於容納基板(例如，光罩R2)的內部空間。在所示出的實施例中，座構件222具有基本矩形的輪廓，該輪廓限定了穿過其幾何中心區域C的縱向軸線L2。座構件222包括儲存部分225和一對沿縱向軸線L2延伸的側翼部分226。示例性側翼部分226具有減小的厚度(即，比儲存部分225的厚度薄)。在所示實施例中，示例性座構件222的頂面限定工件容納區域和圍繞工件容納區域的周邊區域222b。用於座蓋221和座構件222的適合的材料和/或塗層可以與上述實施例中描述的那些類似。
在一些實施例中，座蓋221可以被配置成在封閉時通過來自外盒(例如，運輸組件110)的壓力建立與座構件222的按壓接合。例如，座蓋221與座構件222之間的按壓接合是通過基本平面的金屬與金屬介面形成的。在所示實施例中，金屬介面建立在座構件222的周邊區域222b上。總體上，該按壓接合建立了一個密封外殼，該密封外殼防止灰塵和濕氣通過該儲存組件220的上下部構件之間的接觸介面進入該內部空間中。在一些實施例中，座蓋和座構件中的任一者或兩者可在相應的接合介面區域處設置有附加的密封元件(例如，密封墊圈或O形環)，以進一步增強針對環境污染的阻斷能力。
下擴散誘導組件設置在座構件222的儲存部分225且在半導體工件接收區域中，並且被配置為允許從儲存組件的內部提取工件R2下方的氣相污染物。一般期望可以有效地減少所接收的光罩R2的圖案區域P下方的氣相污染物。在所示實施例中，下擴散誘導組件形成有佈置在工件R2的圖案區域P的平面投影內的多個擴散端口組件227a。
擴散端口組件227a在儲存部分225上的放置位置可以考慮不同因素，例如重量分佈、結構完整性和裝置構件的整體重量限制。一方面，示例性擴散端口組件227a被放置在座構件222上的半導體工件接收區域中，但是與其幾何中心區域(例如，區域C)錯位。擴散端口組件的偏離放置允許中心區域的材料保持完整，由此，可以更好地保持座構件222的整體結構完整性(例如，抵抗在機器加工期間的熱膨脹、翹曲等)，並且質量分佈可保持更靠近其幾何中心而有更好的整體平衡。此外，示例性擴散端口組件的位置避開其他預先指配的功能構件，例如視窗和基板支撐機構。在一些實施例中，幾何中心區域C具有約25至30mm的寬度/半徑。
在示出的實施方式中，座蓋221的側壁221a設置有多個空氣流動通道228以及被佈置以覆蓋空氣流動通道228的至少一個過濾構件228a。
在清潔(例如，洗滌)容器系統之後，在其表面上可能存在水殘留。殘留的水可能吸引污垢，因此增加了污染所接收的工件的可能性。通過改變儲存組件的表面特性，在清潔之後可以更容易地乾燥儲存組件。因此，可以減少由於清潔之後的烘烤/乾燥過程引起的停工時間。此外，儲存組件220的表面處理(例如，疏水處理)可以減少細粉塵的粘附並且更容易將它們洗掉，從而增加儲存組件的防塵能力。
儲存組件(例如，儲存組件220)可被分成不同的區域，在所述不同的區域上應用親水性和疏水性的不同表面處理。在一些實施例中，可以部分地/選擇性地或完全地對座蓋221和座構件222之一或兩者進行表面處理。例如，在一些實施例中，座蓋221和座構件222的內表面(例如，在內盒閉合時向內暴露的表面)可以(例如，在對應於所接收的工件的正投影的區域處)接收親水處理，而其餘區域保持未經處理或經疏水處理。
在某些實施例中，座構件222的工件容納區域222a是用第一類型處理方式處理的。在一些實施例中，第一類型處理區域包括親水性處理區域。當由於環境條件變化(例如，設備故障)而發生水冷凝時，工件容納區域222a(例如，所接收的光罩的正投影下的內部中心區域)中出現的水滴可產生較小的潤濕角(其轉換成較低的總液滴高度)，因此，降低了與存儲的光罩冷凝接觸的可能性。
在一些實施例中，該座構件的內表面進一步用第二類型表面處理來處理。例如，座構件222具有配置在工件收容區域222a的周圍的第二處理區域(例如週邊區域)。在一些實施例中，第二類型處理區域包括疏水性處理區域。設置有疏水處理的座構件222在清潔之後可以更容易地乾燥。在一些實施例中，座構件222的外表面(例如，在內盒閉合時向外暴露的表面)也可以用疏水處理來處理。
在一些實施例中，座構件222和座蓋221基本由金屬製成。此外，疏水處理區域的表面電阻值小於約1011Ω。例如，在該儲存組件上的疏水塗層可以保持低於1um以維持靜電荷消散能力。在一些實施例中，疏水處理區域上的疏水層具有小於約1um的厚度。
圖3是根據本案的一些實施例示出的座構件的等距分解視圖。為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。
在所示出的實施例中，座構件322包括主體322a，該主體具有儲存部分325，該儲存部分限定穿過其幾何中心區域C的縱向軸線L3。主體322a進一步包括沿著縱向軸線L3延伸的一對側翼部分326，每個側翼部分具有減小的厚度(即，比儲存部分325的厚度薄)。在前述實施例中描述的材料、表面處理和/或塗覆佈置可以被應用於示例性座構件322。
示例性座構件322包括被佈置在主體322a的底面上的多個擴散端口組件327a。在所示出的實施例中，擴散端口組件327a包括被佈置成穿過主體322a的多個埠327b以及經配置以覆蓋這些埠327b的過濾膜327c。在所示實施例中，擴散端口組件327a還設置有過濾器蓋(例如，過濾器蓋327d)，該過濾器蓋經配置以固持過濾膜327c。示例性過濾器蓋327d由穿孔板製成，該穿孔板設置有與過濾膜327c相當的平面區域。在一些實施例中，過濾器蓋可通過卡扣配合元件(例如，具有如圖13所示的閂鎖構件1327d)緊固在座構件322的底面上。在所示實施例中，擴散端口組件327a還設置有蓋固持構件327e(諸如螺絲)，該蓋固持構件經配置以將過濾器蓋327d緊固在座構件322的底面上。
座構件322的主體322a上的擴散端口組件327a的配置可以考慮各種因素，例如座構件322的外表面(例如，底面)在組裝時的總體平坦度。例 如，示例性過濾器蓋327d經配置以被嵌入主體322a中，使得過濾器蓋327d的面向外的表面不從座構件322的底面突出。在所示出的實施例中，擴散端口組件327a在座構件322的主體322a的底面上配置有凹入特徵327f，該凹入特徵被配置以容納過濾器蓋327d。在一些實施例中，凹入特徵327f還用作重量剃削措施，其起到減小主體322a的總質量的作用。
用於座構件的材料可考慮各種因素，諸如其暴露於的周圍環境(例如，暴光裝置內部的條件)。一方面，常規的過濾器構件經常包含某些基礎材料(例如，特氟綸/PTFE)。然而，在某些精密的應用(例如，EUV光刻工藝)中，將過濾元件中的某些內容物暴露於極端環境條件(例如，EUV發射)可能導致對製造工藝有害的不期望的副產物(例如，廢氣)的產生。在一些實施例中，該下過濾膜(例如，過濾膜327c)基本不含氟成分。在一些實施例中，該過濾膜可以基本由金屬材料(如鎳)製成。在一些實施例中，該金屬過濾膜可以通過電鑄工藝來製造。在一些實施例中，過濾器蓋和蓋緊固件也基本不含氟成分。用於過濾器蓋和蓋緊韌體的合適材料可以是金屬，例如鋁。
如本圖中所示，座構件322在儲存部分325內具有第一可觀察區域Z31以允許觀察所接收的基板。在所示實施例中，座構件322包括嵌入在第一可觀察區域Z31中的兩個內部光學構件3221、3222。在一些實施例中，內部光學構件3221/3222可以密封地安裝在第一可觀察區域Z31中。例如，內部光學構件3221/3222的配置可包括在透光構件周圍的密封構件(例如，O形環)。通常，內部光學構件3221/3222的配置提供密封的外殼，該密封外殼能夠充分地防止灰塵和濕氣通過光學構件和座構件之間的結構介面進入內部空間。在一些實施例中，光學構件3221/3222可以經配置以實現氣密級密封。在一些實施例中，兩個內部光學構件3221、3222的合適材料可與前述實施例中描述的那些材料相當。
圖4a根據本案的一些實施例示出了的座構件的仰視圖。圖4b根據本案的一些實施例示出了座構件的示例性橫截面圖。圖4b可以是沿著圖4a中所示的A-A的示例性橫截面視圖。為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。
在示出的實施方式中，座構件422被配置為接收具有圖案區域P和護膜P4的光罩R4。在當前視角中，座構件422的示例性儲存部分425設置有槽(例如，重量剃削區域4220)，該槽被配置為容納所接收的光罩R4的護膜P4。重量剃削區域4220與圖案區域P和護膜P4的投影相對應地佈置。在所示實施例中，擴散端口組件427a佈置在重量剃削區域4220。這種布置允許抽出或去除儲存組件內的圖案區域P和護膜P4下方的氣體，從而減輕護膜P4上的水冷凝和/或霧/析出物形成。此外，座構件422設置有基本平坦的底面。在當前的截面圖中，過濾器蓋427d和蓋固持構件427e在組裝時保持與座構件422的外表面(例如，底面422c)基本齊平。
在一些實施方式中，多個擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件佈置在儲存部分的幾何中心區域C周圍的相應象限區域(例如，區域I、II、III、IV)。例如，示例性座構件422被示出為具有兩個垂直平分線L41、L42，這兩個垂直平分線將座構件422基本分成四個象限區域I、II、III、IV。示例性座構件422包括分別佈置在四個象限區中的四個擴散端口組件427a。這種佈局佈置可以有助於在保持結構完整性的同時保持儲存部分425的更好的整體平衡。均勻且對稱的分佈佈局還可幫助產生更均勻的擴散效果。
在所示出的實施例中，座構件422包括配置有兩個內部光學構件4221、4222的第一觀察區Z41。內部光學構件4222具有比內部光學構件4221更大的平面面積。在當前的截面圖中，具有較大平面面積的內部光學構件4222被佈置為在投影上與所接收的光罩R4、護膜P4和護膜框架PF重疊。對諸如所 接收的光罩R4、護膜P4和護膜框架PF的條件、狀態和/或標識的資訊的確認，可簡單地經由通過外部可觀察區(例如，圖1中所示的第二觀察區Z12)和第一可觀察區Z41來掃描/觀察得以實現，從而減少了外盒必須被打開的次數。在一些實施例中，座構件422的底面可進一步設置視覺圖形特徵(未示出)，視覺圖形特徵佈置在兩個內部光學構件4221、4222之間。可視圖形特徵可以包括二維條碼，例如表示內盒的身份的快速回應碼(QR碼)和用於指示儲存組件的方位的非對稱圖案。
在當前截面圖中，示例性擴散埠427b設置有基本均勻的寬度。然而，擴散埠的橫截面配置可考慮許多因素，諸如流過其中的空氣的方向。例如，具有向下逐漸減小的寬度的擴散埠可促進空氣的向外流動。相反，具有向下逐漸增加的寬度的擴散埠可促進空氣的向內流動。在一些實施方式中，擴散埠可以具有朝上/下的錐形橫截面輪廓。
圖5a是根據本案的一些實施例示出的座構件的底視圖。圖5b是根據本案的一些實施例示出的座構件的示例性橫截面圖。圖5b可以是沿圖5a中所示的V-V的示例性橫截面視圖。為了說明的簡單和清楚起見，該示例性設備的一些細節/子構件未在本圖中明確地標記。
除了內部氣體的擴散的均勻性之外，可以考慮裝置構件的重量分佈、結構完整性以及整體重量限制。在仰視圖中，座構件522包括設有多個重量剃削區域5220的儲存部分525，所述多個重量剃削區域5220分別佈置在座構件522的幾何中心區域C周圍的每個象限區域。如圖5b所示，重量剃削區域5220中的示例性座構件522的厚度T51比幾何中心區域C中的厚度(即，厚度T52)薄。過濾器蓋527d和蓋固持構件527e在組裝時保持與座構件522的外表面522c基本齊平。
這種佈局佈置可以有助於保持座構件的主體的更好的整體平衡， 同時維持結構完整性和整體重量限制。在一些實施例中所述擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件被佈置在對應的重量剃削區域5220。例如，座構件522包括分別佈置在重量剃削區域5220中的四個擴散端口組件527a。
圖6a是根據本案的一些實施例示出的座構件的俯視圖。圖6b是根據本案的一些實施例示出的座構件的示例性橫截面圖。圖6b可以是沿圖6a中所示的VI-VI的示例性橫截面視圖。
在圖6a中，座構件622設置有半導體工件接收區域622a和圍繞半導體工件接收區域622a的周邊區域622b。周邊區域622b的頂面被配置為形成與座蓋的表面對表面接觸以便建立氣密密封。在一些情形中，氣密密封可能由於工藝變化問題(諸如表面處理誤差)而不能達到期望的水準。污染物如顆粒因此可能會進入儲存組件。
在所示出的實施例中，座構件622進一步配置有溝槽結構622e，該溝槽結構具有封閉半導體工件接收區域622a的平面環形輪廓。進入儲存組件的顆粒污染物可以被困或捕獲在溝槽結構622e內。
在當前俯視圖中，座構件622設置有多個定位結構624，所述多個定位結構624在所述半導體工件接收區域622a的相應轉角周圍突出地佈置。示例性溝槽結構622e包括分別包圍這些定位結構624的多個引導溝槽區段622g。在所示出的實施例中，定義所述引導溝槽區段622g的壁622w在平面輪廓呈圓滑形的輪廓。在一些實施例中，引導溝槽結構的壁622w的最靠近內部區域(例如，半導體工件接收區域622a)的部分具有圓滑的平面輪廓，該圓滑的平面輪廓被配置成用於引導侵入(例如，被抽吸到基座中)的顆粒離開座構件622。在一些實施例中，引導溝槽結構的壁可由彼此連續連接的多個弧形部分的組合構成。
在當前的截面視圖中，座構件622的儲存部分625在半導體工 件接收區域622a內配置有重量剃削區域6220。重量剃削區域6220具有與基板R6的圖案區域P的投影相對應地佈置的槽。在當前的俯視圖中，該座構件配置有佈置在重量剃削區域6220(由陰影區域指示)中的四個擴散端口組件。
圖7是根據本案的一些實施例的座蓋的等距分解視圖。
在所示出的實施例中，座蓋721配置有上擴散誘導組件729。示例性上擴散誘導組件729包括穿過座蓋721佈置的多個埠729b、上過濾膜729c和設置有穿孔板的過濾器蓋729d。在一些實施例中，上過濾膜729c具有與下過濾膜(例如，圖3中所示的過濾膜327)實質上不同的材料組成。例如，上過濾膜729c可以包括基於織物的材料，並且下過濾膜(例如，過濾膜329c)基本不含氟成分。
在示出的實施方式中，上擴散誘導組件729進一步設置有用於增強過濾器蓋729d與座蓋721之間的密封接合的密封件。例如，過濾模組(例如上擴散誘導組件729)還包括設置在過濾器蓋729d的周邊與座蓋721之間的密封環729g。在一些實施例中，過濾器蓋729d的周邊可以形成用於容納密封環729g的面向下的環形凹槽。
在一些實施例中，上擴散誘導組件729被佈置成與下擴散誘導組件(例如，擴散端口組件527a)投影地重疊。
圖8a至圖8e是根據本案的各種實施方式分別示出的座構件的示意圖。
形成在座構件上的擴散埠的形狀、大小和佈置不需要受到限制，只要擴散端口組件與座構件的中心區域錯位即可。例如，圖8a和圖8b中所示的示例性擴散埠設置有在平面輪廓呈圓滑形的輪廓。然而，圖8c和圖8d中的擴散埠具有細長的平面輪廓。圖8d中的細長擴散埠設置有曲率。圖8e中的擴散埠具有矩形平面輪廓。
圖9a是根據本案的一些實施例示出的座構件的示意圖。圖9b是根據本案的一些實施例示出的座構件的示例性橫截面圖。圖9b可以是沿著圖9a中所示的IX-IX的示例性橫截面視圖。
在一些實施例中，該座構件的擴散誘導組件可以進一步配置有一個或多個空氣引導通道，該一個或多個空氣引導通道在接合時流體地連接相鄰的擴散端口組件。例如，圖9a中所示的示例性座構件922配置有具有交叉平面輪廓的凹槽結構9270。凹部結構9270的四個端部佈置成與四個擴散端口組件927a投影地重疊。
在圖9b中，存儲在座構件922上的光罩R9被座蓋921覆蓋。座蓋921與座構件922接合。座構件922設有多個擴散埠927b和過濾膜927c。在當前的截面圖中，底面(設置有圖案區域)Rp和凹槽結構9270共同限定將相鄰的擴散埠927b流體連接的通道。這種布置允許通過鄰近的擴散端口組件927a提取或減少通道內的氣相污染物(例如濕氣)。
圖10a至圖10b是根據本案的一些實施例分別示出的座構件的示意圖。
該擴散誘導組件的空氣引導通道的形狀、大小和佈置不需要受到限制，只要該空氣引導通道與相鄰擴散端口組件處於流體連接即可。例如，在圖10a中，座構件1022設置有具有圓形平面輪廓的凹槽結構10270。凹槽結構10270的週邊區域與擴散端口組件1027a重疊。在圖10b所示的實施例中，座構件設置有三個凹槽結構10270。
圖11a和11b是根據本案的一些實施例分別示出的示例性座蓋的示意圖。
在一些實施例中，座蓋的上擴散誘導組件可以進一步配置有與下擴散誘導組件的空氣引導通道相似的空氣引導通道。例如，圖11a和11b中 所示的座蓋1121的上擴散誘導組件1127配置有一個或多個凹槽結構11270，該一個或多個凹槽結構與擴散端口組件1127a投影地重疊。
圖12a至圖12b分別是根據本案的一些實施例示出的座構件的示意圖。
在圖12a中，座構件1222的下擴散誘導組件1227設置有三個凹槽結構12270。在圖12b所示的實施例中，下擴散誘導組件1227設置有一個凹槽結構12270。
因此，本文的一個方面提供了一種包括儲存組件的半導體工件容器系統，所述儲存組件包括座構件。所述座構件具有儲存部分，所述儲存部分限定通過其幾何中心區域的縱向軸線，所述儲存部分設置有半導體工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含所述幾何中心區域並且經配置以接收工件。該座構件具有一對側翼部分，該對側翼部分沿著該縱向軸線被佈置在該儲存部分的相反側上，每個側翼部分具有比該儲存部分的厚度更薄的厚度。所述儲存部分設置有擴散誘導組件，其位在半導體工件接收區域中且與所述幾何中心區域錯位。
在一些實施例中，所述半導體工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的基板。擴散誘導組件設置在圖案區域的平面投影內。
在一些實施例中，所述擴散誘導組件包括多個擴散端口組件，所述多個擴散端口組件佈置在所述半導體工件接收區域中且在所述儲存部分的幾何中心區域周圍。
在一些實施例中，擴散端口組件包括過濾器蓋和蓋固持構件。過濾器蓋和蓋固持構件在組裝時保持與座構件的外表面基本齊平。
在一些實施例中，所述擴散端口組件還包括過濾膜，所述過濾膜經配置以由所述過濾器蓋保持。該過濾膜基本不含氟成分。
在一些實施例中，這些擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件被佈置在該儲存部分的幾何中心區域周圍的對應象限域。
在一些實施例中，該座構件的儲存部分配置有多個重量剃削區域，這些重量剃削區域被分別佈置在該幾何中心區域周圍的每一個象限區域。重量剃削區域中的座構件的厚度比幾何中心區域中的薄。擴散端口組件分別佈置在重量剃削區域。
在一些實施例中，該座構件的儲存部分配置有與該圖案區域的一個投影相對應地佈置的一個重量剃削區域。擴散端口組件佈置在重量剃削區域。
在一些實施例中，所述座構件具有溝槽結構，所述溝槽結構具有封閉所述半導體工件接收區域的平面環形輪廓。
在一些實施例中，座構件進一步設置有多個定位結構，所述多個定位結構在半導體工件接收區域的相應轉角周圍突出地佈置。溝槽結構包括多個引導溝槽段，所述多個引導溝槽段分別圍繞所述定位結構。
因此，本案的一個方面提供了一種包括儲存組件的半導體工件容器系統，該儲存組件包括座構件和座蓋。所述座構件限定半導體工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含所述半導體工件接收區域的幾何中心區域，所述半導體工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的基板。所述座構件設有下擴散誘導組件，下擴散誘導組件在基底的圖案區域的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位。該座蓋被配置以在其半導體工件接收區域周圍的周邊區域處接合該座構件，經配置以配合地形成用於容納該基底的封閉件。
在一些實施例中，該下擴散誘導組件包括多個擴散端口組件，所述上擴散誘導組件在該半導體工件接收區域中被佈置在該幾何中心區域周圍。
在一些實施例中，擴散端口組件包括過濾器蓋、被經配置以由過濾器蓋保持的下過濾膜、及蓋固持構件。過濾器蓋和蓋固持構件在組裝時保持與座構件的外表面基本齊平。
在一些實施例中，該下過濾膜基本不含氟成分。
在一些實施例中，座蓋設置有與下擴散誘導組件投影地重疊的上擴散誘導組件。上擴散誘導組件具有上過濾膜，該上過濾膜具有與下過濾膜基本不同的材料組成。
在一些實施例中，該上過濾膜包括一種基於織物的材料。該下過濾膜包括一種金屬材料。
在一些實施方式中，擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件佈置在所述幾何中心區域周圍的相應的象限區域。
在一些實施例中，座構件設置有多個重量剃削區域，所述多個重量剃削區域分別設置在所述幾何中心區域周圍的每個象限區域。重量剃削區域中的座構件的厚度比幾何中心區域中的的厚度薄。擴散端口組件分別佈置在重量剃削區域。
在一些實施例中，座構件設置有與基板的圖案區域的投影相對應地佈置的重量剃削區域。擴散端口組件佈置在重量剃削區域。
在一些實施例中，該系統進一步包括運輸組件，該運輸組件被配置成用於封閉該儲存組件同時允許對該儲存組件的座構件進行光學觀察。
惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
100:半導體工件容器系統
110:運輸組件
111:外蓋
112:外基座
112a:上平臺
112b:下平臺
1121:外部光學構件
Z12:第二觀察區
120:儲存組件
121:座蓋
122:座構件
122a:工件容納區域
1221:內部光學構件
124:支撐柱
125:儲存部份
126:側翼部份
127:組件
128:組件
129:組件
141:壓緊銷
171:推動元件
190:支撐結構
R1:光罩
Z11:第一觀察區

Claims (20)

  1. 一種半導體工件容器系統，包括：儲存組件，包括：座構件，所述座構件具有：儲存部分，所述儲存部分限定穿過其幾何中心區域的縱向軸線、配備有半導體工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含所述幾何中心區域並且經配置以用於接收工件，及一對側翼部分，所述側翼部分沿著所述縱向軸線被佈置在所述儲存部分的相反側上，每個所述側翼部分具有比所述儲存部份的厚度更薄的厚度；其中，所述儲存部份具有擴散誘導組件，所述擴散誘導組件位於所述半導體工件接收區域中且與所述幾何中心區域錯位。
  2. 如請求項1所述的半導體工件容器系統，其中，所述半導體工件接收區域經配置以接收具有圖案區域的工件；及其中，所述擴散誘導組件被設置在所述圖案區域的平面投影內。
  3. 如請求項2所述的半導體工件容器系統， 其中，所述擴散誘導組件包括多個擴散端口元件，所述多個擴散端口組件佈置在所述半導體工件接收區域中且在所述儲存部分的所述幾何中心區域周圍。
  4. 如請求項3所述的半導體工件容器系統，其中，所述散端口組件包括過濾器蓋和蓋固持構件，及其中，所述過濾器蓋和所述蓋固持構件在組裝時保持與所述座構件的外表面基本齊平。
  5. 如請求項4所述的半導體工件容器系統，其中，所述擴散端口組件進一步包括過濾膜，所述過濾膜經配置以由所述過濾器蓋固持，其中所述過濾膜不含氟成分。
  6. 如請求項3所述的半導體工件容器系統，其中，所述擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件被佈置在所述儲存部分的所述幾何中心區域周圍的相應象限區域。
  7. 如請求項6所述的半導體工件容器系統，其中，所述座構件的儲存部分設置有多個重量剃削區域，所述多個重量剃削區域分別被佈置在所述幾何中心區域周圍的每個所述象限區域，其中，所述座構件在所述重量剃削區域中的厚度比在所述幾何中心區域中的厚度薄，其中，所述擴散端口組件分別設置在所述重量剃削區域。
  8. 如請求項6所述的半導體工件容器系統，其中，所述座構件的儲存部分設置有與所述圖案區域的投影相對應地佈置的重量剃削區域，其中，所述擴散端口組件佈置在所述重量剃削區域。
  9. 如請求項2所述的半導體工件容器系統，其中，所述座構件設置有溝槽結構，所述溝槽結構具有封閉所述半導體工件接收區域的平面環形輪廓。
  10. 如請求項9所述的半導體工件容器系統，其中，所述座構件進一步設置有多個定位結構，所述多個定位結構在所述半導體工件接收區域的相應轉角周圍突出地佈置；其中，所述溝槽結構包括多個引導溝槽段，所述多個引導溝槽段分別圍繞所述定位結構。
  11. 一種半導體工件容器系統，包含：儲存組件，所述儲存組件包括：座構件，所述座構件具有：儲存部分，所述儲存部分限定穿過其幾何中心區域的縱向軸線，配備有所述座構件限定半導體工件接收區域，所述半導體工件接收區域包含其幾何中心區域，所述座構件構經配置以接收具有圖案區域的工件， 一對側翼部分，所述側翼部分沿著所述縱向軸線被佈置在所述儲存部分的相反側上，每個所述側翼部分具有比所述儲存部份的厚度更薄的厚度；其中，所述座構件的所述儲存部份設有擴散誘導組件，所述擴散誘導組件包括下擴散誘導組件，所述下擴散誘導組件在所述工件的所述圖案區域的平面投影內且與所述幾何中心區域錯位，所述工件的所述圖案區域是對應於半導體工件接收區域；及座蓋，所述座蓋經配置以在圍繞所述座構件的所述半導體工件接收區域的周邊區域處接合所述座構件，所述座蓋經配置以配合地形成用於容納所述工件的封閉件。
  12. 如請求項11所述的半導體工件容器系統，其中，所述下擴散誘導組件包括多個擴散端口組件，所述擴散端口組件佈置在所述半導體工件接收區域中且在所述幾何中心區域周圍。
  13. 如請求項12所述的半導體工件容器系統，其中，所述擴散端口組件包括過濾器蓋、經配置以由所述過濾器蓋固持的下過濾膜、及蓋固持構件，其中，所述過濾器蓋和所述蓋固持構件在組裝時保持與所述座構件的外表面基本齊平。
  14. 如請求項13所述的半導體工件容器系統，其中，所述下過濾膜基本不含氟成分。
  15. 如請求項14所述的半導體工件容器系統，其中，所述座蓋設置有與所述下擴散誘導組件投影地重疊的上擴散誘導組件，其中，所述上擴散誘導組件設置有上過濾膜，所述上過濾膜具有與所述下過濾膜不同的材料組成。
  16. 如請求項15所述的半導體工件容器系統，其中，所述上過濾膜包括基於織物的材料；其中，所述下過濾膜包括金屬材料。
  17. 如請求項12所述的半導體工件容器系統，其中，所述擴散端口組件中的至少一個擴散端口組件被佈置在所述幾何中心區域周圍的相應的象限區域。
  18. 如請求項17所述的半導體工件容器系統，其中，所述座構件設置有多個重量剃削區域，所述多個重量剃削區域分別設置在所述幾何中心區域周圍的每個所述象限區域中其中，所述座構件在所述重量剃削區域中的厚度比在所述幾何中心區域中的厚度薄；其中，所述擴散端口組件分別設置在所述重量剃削區域。
  19. 如請求項17所述的半導體工件容器系統， 其中，所述座構件設置有與工件的圖案區域的投影相對應地佈置的重量剃削區域，其中，所述擴散端口組件佈置在所述重量剃削區域。
  20. 如請求項11所述的半導體工件容器系統，還包括運輸組件，所述運輸組件經配置以封閉所述儲存組件，同時允許對所述儲存組件的座構件進行光學觀察。
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