TWI666510B - 極紫外光光罩容器 - Google Patents

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李承儒
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Abstract

一種光罩容器，用以容設極紫外光光罩。光罩容器包括外盒總成及內盒總成，外盒總成用以容置內盒總成。內盒總成包括基座以及上蓋。基座具有上表面及周緣，上表面設有多個定位件以界定出光罩承載位置。周緣連接且圍繞上表面。上表面包括承載面、溝槽及第一接面。光罩設置於光罩承載位置，以承載在承載面上。溝槽具連續環狀結構，底部低於承載面。承載面、溝槽及第一接面依序由上表面內側朝周緣配置。上蓋具有凹腔及第二接面。凹腔用以容納光罩，第二接面與第一接面配合以形成密封狀態。溝槽可以捕獲或容置微粒，可減緩光罩被微粒污染的問題。

Description

極紫外光光罩容器
本發明是有關於一種光罩容器，且特別是有關於一種具雙重容納結構之極紫外光光罩容器。
近年來半導體製程科技的進步突飛猛進，其中光學微影技術扮演著重要的角色。光學微影技術是將設計好的線路製作成具有特定形狀可透光之光罩，再將光罩上的圖案通過光源投影至晶圓上，以在晶圓上曝光顯影出特定的圖案。
在光學微影過程中，任何附著在光罩的微粒，例如塵埃、粉塵或有機物等等，都會造成投影成像品質劣化。尤其是近年來的產業趨勢係朝向更小、更高邏輯密度之晶片發展，微影設備使用的光波長已經推進到極紫外光(Extreme Ultraviolet Light,EUV)範圍，對於光罩上的微粒數量、粒徑，以致於容置光罩的光罩容器內的潔淨度，都有著更為嚴苛的要求。
一般而言，半導體製程皆利用抗污染的光罩容器來存放及運輸光罩，以保持光罩的潔淨度，通常會要求存放光罩或其他半導體元件的 容器，其潔淨度符合機械標準界面(Standard Mechanical Interface,SMIF)的潔淨度要求。然而目前已知的光罩容器，即便是在受控制環境中，會因為空氣壓力變化，或因容器移動使內部空氣發生擾動，導致微粒移動到容器與光罩之間，甚至是移動附著至光罩上，無法有效為光罩提供微粒及污染保護。
有鑒於此，本發明提出一種極紫外光光罩容器，利用連續環狀的溝槽來捕獲或容置微粒，可以降低微粒移動到光罩及承載面之間，或者微粒移動到光罩上的機會，降低微粒的污染。
依據本發明之一方面，提出一種極紫外光光罩容器，包括一外盒總成及一內盒總成，外盒總成包括相互配合之一上部分及一下部分，藉以界定出一容置空間，用以容置內盒總成。內盒總成包括一基座及一上蓋。基座具有一上表面及一周緣，上表面設有凸出之多個定位件，界定出一光罩承載位置。周緣連接且圍繞上表面。上表面包括一承載面、一溝槽及一第一接面。極紫外光光罩用以設置於光罩承載位置，藉以被承載在承載面上。溝槽具連續環狀結構，溝槽之底部低於承載面。承載面、溝槽及第一接面依序由上表面之內側朝周緣配置。上蓋用以與基座對接，並且具有一凹腔及一第二接面。凹腔用以容納光罩，第二接面與第一接面相配合，用以形成一密封狀態。
於一實施例中，溝槽完整連續地圍繞承載面，第一接面完整連續地圍繞溝槽。
於另一實施例中，上表面包括多個溝槽，各自為連續環狀結構，溝槽位於承載面與第一接面之間，並且分別圍繞定位件。
於另一實施例中，第一接面低於承載面，溝槽之底部又低於第一接面。
於另一實施例中，上表面更包括至少一容槽，與溝槽相連通，容槽之底部低於溝槽之底部，在平行於承載面之方向上，容槽之寬度大於溝槽之寬度。
於另一實施例中，上蓋更具有一降階面，位於凹腔與第二接面之間，降階面與第二接面不在同一水平面上，用以與基座之上表面之間形成一間隙。
於另一實施例中，上蓋設有多個彈性件，對應於定位件之位置而配置，用以於上蓋與基座對接時，以及內盒總成容置於容置空間內時，接觸並施以壓力於極紫外光光罩。
於另一實施例中，上蓋包括多個導位塊，是以當上蓋與基座對接時朝基座延伸之方式設置於上蓋，並且用以彈性接觸於基座之周緣。
於另一實施例中，基座包括一阻隔件，設置於溝槽內，當上蓋與基座對接時，阻隔件之一頂端緊密接觸於第二接面。
本發明之極紫外光光罩容器，基座的上表面由內側依序而外配置有承載面、溝槽及第一接面，讓連續環狀的溝槽位於承載面與第一接面之間，用於捕獲或者容置微粒，大大降低微粒移動至承載面與光罩之間，或者移動到光罩上的機會，可以減緩微粒對於光罩的污染。
1‧‧‧極紫外光光罩容器
10‧‧‧外盒總成
11‧‧‧上部分
12‧‧‧下部分
13‧‧‧容置空間
20‧‧‧內盒總成
21‧‧‧基座
22‧‧‧上蓋
23‧‧‧光罩承載位置
31‧‧‧基座
210、310‧‧‧上表面
211、311‧‧‧承載面
212、312‧‧‧溝槽
213、313‧‧‧第一接面
214、314‧‧‧定位件
215、315‧‧‧周緣
216‧‧‧容槽
217‧‧‧阻隔件
221‧‧‧凹腔
222‧‧‧降階面
223‧‧‧第二接面
224‧‧‧導位塊
225‧‧‧彈性件
226‧‧‧進氣口
R‧‧‧極紫外光光罩
A-A’‧‧‧剖面線
為讓本發明之上述以及其他特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依照本發明一實施例之極紫外光光罩容器之分解立體圖；第2圖繪示第1圖中基座之立體圖；第3圖繪示第1圖之內盒總成及極紫外光光罩的部分側視剖面圖；第4圖繪示第3圖之基座上具有阻隔件時之側視剖面圖；第5圖繪示第2圖之基座之側視剖面圖；第6圖繪示第1圖之上蓋的立體圖；第7圖繪示第1圖之上蓋之另一視角的立體圖；第8圖繪示依照本發明一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖；以及第9圖繪示依照本發明另一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖。
本發明實施例之極紫外光光罩容器，其中包括基座及上蓋，基座上具有連續環狀的溝槽，用以捕獲或容置微粒，避免微粒離開溝槽接觸並污染到容設於其內的極紫外光光罩。有助於降低極紫外光光罩被微粒污染的機會。此外，本發明實施例之圖式，並未依照實際尺寸比例繪製，其中並已省略或簡化部分元件，藉以清楚顯示本發明之特點。
請參照第1圖，其繪示依照本發明一實施例之極紫外光光罩容 器之分解立體圖。極紫外光光罩容器1是用來容設極紫外光光罩R，極紫外光光罩容器1包括一外盒總成10及一內盒總成20，外盒總成10包括相互配合之一上部分11及一下部分12，藉以界定出一容置空間13，用以容置內盒總成20。
本實施例之外盒總成10，上部分11與下部分12大致上為矩形，並且兩者對接時可以形成氣密狀態，用以區別外盒總成10外部與容置空間13。上部分11及下部分12可以包括一或多個氣閥(圖式中未繪示)，並且對應在氣閥處設置有如濾紙等過濾材料，用以供氣體進入或離開容置空間13時保持氣體之潔淨。上部分11可以包括多個導位件(圖式中未繪示)，用以於上部分11及下部分12對接時導正兩者之相對位置，或者導正內盒總成20的位置。下部分12可以包括多個支撐件(圖式中未繪示)，用以固持內盒總成20。此些元件及結構可以視需求配置，本發明並不多加以限制。
請同時參照第1圖及第2圖，第2圖繪示第1圖中基座之立體圖。本實施例之內盒總成20包括一基座21以及一上蓋22。基座21具有一上表面210及一周緣215，周緣215係為基座21之側壁，連接並且圍繞於上表面210。上表面210係為基座21之面朝上蓋22之表面，設有凸出之多個定位件214。
定位件214係與基座21由不同材質製成，例如基座21由鋁或其他金屬或合金製成，定位件214由如耐磨塑膠等低微粒產生材料所製成。定位件214可以例如是以鎖固的方式固定在基座21上，並且突出於上表面210。另外，定位件214可以對應於矩形之極紫外光光罩R的四個角落配置，且各定位件214可具有導引斜面，用來導正極紫外光光罩R的位置。經由定 位件214的配置，可以在基座21上定義出用來放置極紫外光光罩R的光罩承載位置23。然而，定位件214的結構、數量、固定方式以及配置方式並不以第2圖所顯示者為限；只要是可以在基座21上定義出光罩承載位置23者，均屬於本發明可應用之定位件214。
基座21之上表面210包括一承載面211、一溝槽212及一第一接面213；依據本發明之實施例，承載面211、溝槽212及第一接面213依序由上表面210之內側朝周緣215配置。也就是說，由上表面210的中心朝外依序配置為承載面211、溝槽212及第一接面213。極紫外光光罩R是用來設置在光罩承載位置23，藉以被承載在承載面211上。溝槽212具連續環狀結構，且溝槽212之底部低於承載面211。本實施例中，承載面211大致上為平整的水平面，溝槽212完整連續地圍繞於承載面211，形成一個全周式的溝槽212，而如第2圖所示，第一接面213完整連續地圍繞於溝槽212外。
請同時參照第2圖及第3圖，第3圖繪示第1圖之內盒總成及極紫外光光罩的部分側視剖面圖。第3圖所示為部分之內盒總成20以及容置於其內的極紫外光光罩R，第3圖之左側為靠近承載面211中央的位置，而第3圖之右側則為內盒總成20之邊緣(也就是靠近周緣215的位置)。上表面210由中心而外(第3圖的由左而右)依序配置為承載面211、溝槽212及第一接面213。第一接面213低於承載面211，溝槽212之底部又低於第一接面213。溝槽212為下凹結構，對於溝槽212之底部而言，溝槽212連接於承載面211的側牆高度，高於溝槽212連接於第一接面213的側牆高度。另外，溝槽212之兩邊側壁與底部之間均為尖角，非為R角(圓角)之設計，實際應用上R角(圓角)極小。
溝槽212之設計係可用來捕獲或容置微粒；更進一步來說，當位於溝槽212內的微粒被氣流揚起時，會受到溝槽212連接承載面211之側牆所阻擋，不容易移動到承載面211上，避免微粒移動到承載面211與極紫外光光罩R之間，可以降低承載面211上的微粒污染。另一個好處是，考量到實際在製造上第一接面213及第二接面223之氣密效果有可能因為生產問題(如表面處理失誤)導致其平整面氣密性不足夠。因此，縱使前述的情況發生了，基於本實施例溝槽212之兩邊側壁具有高低落差的特性，如第一接面213及第二接面223未能達到符合要求的氣密程度，第一接面213及第二接面223會間接形成一個極微小的導引通道，將微粒主動引導至溝槽212內容置，避免進入承載面211與極紫外光光罩R之間的區域。
請參照第4圖，其繪示第3圖之基座上具有阻隔件時之側視剖面圖。本實施例之基座21可以包括一阻隔件217，設置於溝槽212內；更精確地來說，阻隔件217是設置於溝槽212的底部上。由阻隔件217之底部至阻隔件217之一頂端，其高度至少要約略高於溝槽212連接於第一接面213的側牆高度，使得上蓋22與基座21對接時，阻隔件217之頂端緊密接觸於第二接面223。如此係可有效阻擋微粒進入承載面211與極紫外光光罩R之間的區域。於一實施例中，阻隔件217係為連續環狀結構，以連續地設置於溝槽212內。
請同時參照第2圖及第5圖，第5圖繪示第2圖之基座之側視剖面圖。更詳盡地來說，第5圖是第2圖之基座21沿剖面線A-A’之剖面示意。本實施例中，基座21的上表面210更包括至少一容槽216，與溝槽212相連通。容槽216之底部低於溝槽212之底部，且在平行於承載面211之方向上， 容槽216之寬度大於溝槽212之寬度。也就是說，容槽216為更進一步之下凹結構，且具有較為寬廣的面積，可以用來捕獲或容置微粒。微粒除了會被留置在溝槽212內，更可以進一步移動至與溝槽212連通之容槽216內。
接下來對於本實施例內盒總成20之上蓋22進行說明，請同時參照第6圖及第7圖，第6圖繪示第1圖之上蓋的立體圖，第7圖繪示第1圖之上蓋之另一視角的立體圖。上蓋22用以與基座21對接，並且具有一凹腔221及一第二接面223。凹腔221用以容納極紫外光光罩R，第二接面223與第一接面213相配合，用以形成一密封狀態，如第3圖所示。本實施例中，第二接面223及第一接面213可具有平整度，用以使基座21與上蓋22對接時可以達到氣密。
本實施例中，上蓋22更具有一降階面222，位於凹腔221與第二接面223之間，且降階面222與第二接面223位於不同水平面上，用以與基座21之上表面210之間形成一間隙；更精確來說，所述降階面222與第二接面223位於不同水平面上係指位於互相平行的兩個水平面之上。如第3圖所示，降階面222與承載面211之間形成間隙，讓基座21的溝槽212不會完全被第二接面223覆蓋。當基座21與上蓋22對接時，由於溝槽212未被完全封閉，位於凹腔221內的微粒可以通過沈降、流動或被氣流帶動移動進入溝槽212或容槽216內，使其被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。
請繼續參照第6圖及第7圖，本實施例之上蓋22包括多個導位塊224，此些導位塊224是以特定的方式設置於上蓋22，使得上蓋22與基座21對接時，導位塊224可以朝基座21延伸。朝向基座21延伸的導位塊224係用以彈性接觸於基座21之周緣215(如第3圖所示)。當基座21及上蓋22進行 對接時，導位塊224可以協助導正基座21與上蓋22的相對位置，讓兩者可以正確對接。本實施例中導位塊224係以分布於上蓋22的四個角落為例；然而本發明並不以此配置方式及數量為限制，只要是當上蓋22與基座21對接時朝基座21延伸，並彈性接觸於周緣215者，均可視為本發明之導位塊224。
本實施例之上蓋22設有多個彈性件225，對應於定位件214之位置而配置。當上蓋22與基座21對接時，以及內盒總成20容置於外盒總成10的容置空間13內時，彈性件225用以接觸並施以壓力於極紫外光光罩R，藉以在垂直方向上固定極紫外光光罩R，避免發生位移與產生微粒等問題。實際應用上，可以在外盒總成10的上部分11內側，對應於前述彈性件225的位置，設置有多個頂壓件(圖式中未繪示)，用以在內盒總成20容置於容置空間13內時，頂壓彈性件225的一端，藉以讓彈性件225的另一端可以接觸並施壓於極紫外光光罩R。關於頂壓件的設計及配置，本發明並不多加限制。
本實施例之上蓋22設有進氣口226，並且對應在進氣口226設置有過濾材料。進氣口226用以供氣體進入凹腔221內，當氣體噴流進入凹腔221時，可以帶動微粒朝向位於承載面211外圍的溝槽212移動，以讓微粒被捕獲或容置於溝槽212或容槽216內。
請參照第8圖，其繪示依照本發明一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖。依照本發明前述實施例之極紫外光光罩容器1，基座21之上表面210的承載面211、溝槽212及第一接面213，依序由上表面210之內側朝周緣215配置，且溝槽212完整連續地圍繞承載面211，第一接面213完整連續地圍繞溝槽212，形成一個全周式的溝槽212。然而本發明並不以此為限制。
請參照第9圖，其繪示依照本發明另一實施例之承載面、溝槽及第一接面之示意圖。依據第9圖實施例之極紫外光光罩容器的基座31，其上表面310的承載面311、溝槽312及第一接面313，依序由上表面310之內側朝周緣315配置。上表面310包括多個溝槽312，各自為連續環狀結構。溝槽312位於承載面311與第一接面313之間，且每個溝槽312個別圍繞定位件314。本實施例之溝槽312之底部低於第一接面211以及承載面311，形成下凹結構。各自連續環狀的溝槽312，因為圍繞定位件314配置，可以捕獲或容置對應該處產生之微粒。此外，當位於溝槽312內的微粒被氣流揚起時，會受到溝槽312之側牆所阻擋，不容易移動到承載面311上，可以減緩承載面311上的微粒污染，降低極紫外光光罩R受到微粒污染的機會。
根據本發明前述實施例之極紫外光光罩容器，用以容設極紫外光光罩。極紫外光光罩容器包括外盒總成及內盒總成，外盒總成包括相互配合之上部分及下部分，藉以界定出容置空間，用以容置內盒總成。內盒總成包括基座以及上蓋。基座具有上表面及周緣，上表面設有凸出之多個定位件，用以界定出光罩承載位置。周緣連接且圍繞上表面。上表面包括承載面、溝槽及第一接面。極紫外光光罩用以設置於光罩承載位置，藉以被承載在承載面上。溝槽具連續環狀結構，其底部低於承載面。承載面、溝槽及第一接面依序由上表面之內側朝周緣配置。上蓋用以與基座對接，並且具有凹腔及第二接面。凹腔用以容納光罩，第二接面與第一接面相配合，用以形成密封狀態。溝槽可以捕獲或容置微粒，減緩極紫外光光罩收到微粒的污染的問題。
雖然本發明已以多個實施例揭露如上，然其並非用以限定本 發明。任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種極紫外光光罩容器，包括一外盒總成及一內盒總成，該外盒總成包括相互配合之一上部分及一下部分，藉以界定出一容置空間，用以容置該內盒總成，該內盒總成包括：一基座，具有一上表面及一周緣，該上表面設有凸出之複數個定位件，界定出一光罩承載位置，該周緣連接且圍繞該上表面，該上表面包括：一承載面，一極紫外光光罩用以設置於該光罩承載位置，藉以被承載在該承載面上；一溝槽，具連續環狀結構，該溝槽之底部低於該承載面；及一第一接面，該承載面、該溝槽及該第一接面依序由該上表面之內側朝該周緣配置；以及一上蓋，用以與該基座對接，並且具有一凹腔及一第二接面，該凹腔用以容納該極紫外光光罩，該第二接面與該第一接面相配合，用以形成一密封狀態。
  2. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該溝槽完整連續地圍繞該承載面，該第一接面完整連續地圍繞該溝槽。
  3. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該上表面包括複數個該溝槽，各自為連續環狀結構，該些溝槽位於該承載面與該第一接面之 間，且每個該些溝槽個別圍繞該些定位件。
  4. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該第一接面低於該承載面，該溝槽之底部又低於該第一接面。
  5. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該上表面更包括至少一容槽，與該溝槽相連通，該容槽之底部低於該溝槽之底部。
  6. 如請求項第5項所述之極紫外光光罩容器，其中在平行於該承載面之方向上，該容槽之寬度大於該溝槽之寬度。
  7. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該上蓋更具有一降階面，位於該凹腔與該第二接面之間，該降階面與該第二接面位於不同水平面上，與該基座之該上表面之間形成一間隙。
  8. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該上蓋設有複數個彈性件，對應於該些定位件之位置而配置，用以於該上蓋與該基座對接時，以及該內盒總成容置於該容置空間內時，接觸並施以壓力於該極紫外光光罩。
  9. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該上蓋包括複數個導位塊，是以當該上蓋與該基座對接時朝該基座延伸之方式設置於該上蓋，並且用以彈性接觸於該基座之該周緣。
  10. 如請求項第1項所述之極紫外光光罩容器，其中該基座包括一阻隔件， 設置於該溝槽內，當該上蓋與該基座對接時，該阻隔件之一頂端緊密接觸於該第二接面。
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